JP2020513158A - 有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置 - Google Patents

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Abstract

本出願は有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置を提供する。有機エレクトロルミネセンスデバイスは、第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群との間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層を含む。第１の導電層群は、発光層とオーミック接触している電子ブロック層、および電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を含む。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有する電子ブロック層を選択すると、キャリアのバランスをより良好に制御することができ、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命が長くなり、製品性能が保証される。

Description

本出願は、フラットパネルディスプレイの分野、特に、有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置に関する。
ＯＬＥＤ（有機発光デバイス）は、有機固体半導体を発光材料として使用する発光デバイスである。簡単な調製プロセス、低コスト、低電力消費、高輝度、幅広い動作温度などを有するという利点のために、ＯＬＥＤは広い適用見通しを有する。
既存のＯＬＥＤの構造は一般に、陽極層と、陰極層と、陽極層と陰極層の間に配置された発光層とを含む。正孔輸送層および正孔注入層がさらに、発光層と陽極層の間に提供される。電子輸送層および電子注入層がさらに、発光層と陰極層の間に提供される。ＯＬＥＤ上に印加される外部電場の効果の下、電子および正孔は、それぞれ、陰極および陽極から発光層に注入され、次いで、発光層中で移動し、再結合し、減衰し、発光が実現する。
発光層は一般には、赤サブピクセル発光層、緑サブピクセル発光層、および青サブピクセル発光層を含む。赤サブピクセル発光層の寿命は優れているが、緑および青サブピクセル発光層の寿命は不十分であり、これにより、ＯＬＥＤディスプレイパネルがある期間使用された後、白色光色度座標のシフトという結果になる。よって、ＯＬＥＤディスプレイ品質は影響を受け、長寿命を必要とする分野でのＯＬＥＤは制限される。
よって、緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層の寿命を長くすることが、当業者によって解決されるべき緊急問題である。
デバイス寿命を長くし、製品性能を保証するための、有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置を提供することが本出願の目的である。
前記目的を達成するために、本出願は、有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供し、これは、第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群の間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層を含み、ここで、第１の導電層群は、発光層とオーミック接触している電子ブロック層、および電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を含む。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。
任意で、正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギーレベルは発光層のそれに等しいか、またはそれより浅く、正孔輸送層のＬＵＭＯエネルギーレベルは発光層のそれに等しいか、またはそれより浅い。
任意で、正孔輸送層についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、発光層のホスト材料についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．４ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは１．９ｅＶから２．１ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きい。
任意で、発光層は、蛍光材料で製造された青サブピクセル発光層を含み、青サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層は、スピロフルオレン基を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される。
任意で、単一芳香族アミンの構造の構造式は、下記からなる群より選択される１つ以上である：
任意で、正孔輸送層についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、発光層のホスト材料についてのエネルギーレベル差は２．８ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは１．８ｅＶから２．０ｅＶの範囲であり、電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きい。
任意で、発光層はバイポーラ燐光性材料から製造された緑サブピクセル発光層を含み、緑サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層はスピロ環単位を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される。
任意で、単一芳香族アミンの構造の構造式は下記からなる群より選択される１つ以上である：
任意で、発光層は青サブピクセル発光層および緑サブピクセル発光層を含み、青サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層は５０Åから１００Åの厚さを有し、緑サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層は１００Åから４００Åの厚さを有し、第２の導電層群において緑サブピクセル発光層上に配置された正孔ブロック層は５０Åから１００Åの厚さを有する。
したがって、本出願はまた、基板と、基板上に形成された上記有機エレクトロルミネセンスデバイスとを備えるディスプレイ装置を提供する。
先行技術と比べて、本出願により提供される有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置では、有機エレクトロルミネセンスデバイスは、第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群との間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層を含む。第１の導電層群は、発光層とオーミック接触している電子ブロック層、および電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を含む。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有する電子ブロック層を選択すると、キャリアのバランスをより良好に制御することができ、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命が長くなり、製品性能が保証される。
本出願の一実施形態による、有機エレクトロルミネセンスデバイスの概略構造図である。 本出願の実施形態１による、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命比較図である。 本出願の実施形態２による、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命比較図である。
以上で記載される通り、緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層の寿命は、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命に重大な影響を与える。そのため、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命を長くするためには、緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層の寿命を長くすることが要求される。
出願人は、外部電圧が陽極層と陰極層の間で加えられ、外部電圧により駆動されると、陽極層から注入された正孔は、正孔注入層および正孔輸送層を通って発光層に入り、陰極層から注入された電子は、電子注入層および電子輸送層を通って発光層に入ることを見出している。発光層に入った正孔および電子は再結合し、再結合領域で励起子を形成する。励起子の放射および遷移により、発光現象が引き起こされ、すなわちエレクトロルミネセンスが形成される。
電子および正孔の異なる注入速度のために、発光層の再結合領域中に注入された電子および正孔の数が異なり、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの発光効率および寿命の低減が引き起こされる。とりわけ、緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層では、寿命が著しく短くなる。
研究によって、出願人は、適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有する材料が電子ブロック層として選択されていれば、電子注入速度および正孔注入速度はより良好に制御することができ、すなわち、キャリアのバランスはより良好に制御することができ、よって、緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層の寿命が長くなり、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命が長くなることを見出している。
さらなる研究によって、出願人は、第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群の間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層を含む、有機エレクトロルミネセンスデバイスを提供する。第１の導電層群は、発光層とオーミック接触している電子ブロック層、および電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を含む。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。
適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有する電子ブロック層を選択すると、キャリアのバランスをより良好に制御することができ、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命が長くなり、製品性能が保証される。
最高電子エネルギーレベルを有する被占軌道は最高被占分子軌道と呼ばれ、ＨＯＭＯと省略されることに注意すべきである。最低電子エネルギーレベルを有する空軌道は最低空分子軌道と呼ばれ、ＬＵＭＯと省略される。よって、ＨＯＭＯのフルネームは最高被占分子軌道であり、ＬＵＭＯのそれは最低空分子軌道である。フロンティア分子軌道の理論により、単一原子と同様の「価電子」が分子に存在し、分子の価電子はフロンティア電子であることが示唆される。よって、分子間の化学反応中、最初に作用を受ける分子軌道はフロンティア軌道であり、重要な役割を果たす電子はフロンティア電子である。分子のＨＯＭＯはその電子に対し比較的緩い制限を課し、電子供与体の特性を有する。しかしながら、ＬＵＭＯは電子について強い親和性を有し、電子受容体の特性を有する。
本出願の内容をより明確にし、理解をより容易にするために、本出願は、添付の図面を参照して、以下でさらに記載される。間違いなく、本出願は特定の実施形態に制限されず、当業者によく知られた一般的な置換もまた、本出願の保護範囲に含まれる。
加えて、本出願は概略図を用いて詳細に記載される。本出願の実施形態を詳細に説明する場合、概略図は、説明を円滑に進める目的で、全体的な割合に従わずに部分的に拡大され、本出願はそれに制限されない。
図１について説明すると、これは、本出願の一実施形態で提供される有機エレクトロルミネセンスデバイスの概略構造図である。図１に示されるように、有機エレクトロルミネセンスデバイスは第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群の間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層５０を含む。第１の導電層群は、第１の電極１０、発光層５０とオーミック接触している電子ブロック層４０、電子ブロック層４０とオーミック接触している正孔輸送層３０、および正孔注入層２０を含む。すなわち、第１の導電層群は、第１の電極１０、正孔注入層２０、正孔輸送層３０、および電子ブロック層４０を含み、それらは連続して形成される。電子ブロック層４０のＨＯＭＯエネルギーレベルは、正孔輸送層３０のそれと発光層５０のそれの間にあり、電子ブロック層４０のＬＵＭＯエネルギーレベルは、正孔輸送層３０のそれおよび発光層５０のそれよりも浅い。
好ましくは、第２の導電層群は第２の電極９０、発光層５０とオーミック接触している正孔ブロック層６０、正孔ブロック層６０とオーミック接触している電子輸送層７０、および電子注入層８０を含む。すなわち、第２の導電層群は、第２の電極９０、電子注入層８０、電子輸送層７０、および正孔ブロック層６０を含み、それらは連続して形成される。特定的には、正孔ブロック層６０、電子輸送層７０、および電子注入層８０は、発光層５０上に連続して形成される。
好ましくは、第１の電極１０は陽極層であり、第２の電極９０は陰極層である。
発光層５０は、赤サブピクセル発光層、緑サブピクセル発光層、および青サブピクセル発光層を含む。緑サブピクセル発光層および青サブピクセル発光層については、電子ブロック層４０は異なるＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有することができ、また、異なる材料から製造されてもよく、特定の実施形態を使用して下記で記載される。
実施形態１
一例として青サブピクセル発光層を使用して説明する。
以上で記載される通り、電子ブロック層、正孔輸送層、正孔注入層、および第１の電極が、青サブピクセル発光層の下に連続して配置され、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、および第２の電極が青サブピクセル発光層の上に連続して配置される。
青サブピクセル発光層のホスト材料は蛍光材料から構成される。蛍光材料はほとんどの場合電子型材料であり、キャリアは、正孔輸送層と発光層の間の界面で主に濃縮され、これにより、デバイス寿命が比較的短くなる。適切なＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギーレベルおよび適切な移動度を有する電子ブロック層の追加により、電子の注入が制御され、青サブピクセル発光層の寿命が改善される。
一般に、正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．０ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、好ましくは５．２ｅＶであり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは２．０ｅＶから２．３ｅＶの範囲であり、好ましくは２．１ｅＶである。青サブピクセル発光層のホスト材料のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．７ｅＶから６．１ｅＶの範囲であり、好ましくは６．０ｅＶであり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは２．７ｅＶから３．０ｅＶの範囲であり、好ましくは３．０ｅＶである。中央に追加された電子ブロック層は、深いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する材料から製造されることが必要とされ、それは好ましくは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲、例えば５．２ｅＶ、５．３ｅＶ、５．４ｅＶまたは５．５ｅＶである。電子ブロック層は浅いＬＵＭＯエネルギーレベルを有することが必要とされ、それは好ましくは１．９ｅＶから２．１ｅＶの範囲、例えば１．９ｅＶ、２．０ｅＶ、または２．１ｅＶである。その上、電子ブロック層の材料については、ＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差Ｅｇは大きいことが必要とされ、それは好ましくは３．２ｅＶより大きく、よって、正孔注入および電子ブロックが促進される。しかしながら、深いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する材料は通常、低い移動度を有する。デバイス電圧を考慮すると、低電力消費製品を得るためには、電子ブロック層は好ましくは、５０Åから１００Åの厚さを有する。例えば、電子ブロック層は５０Å、６０Å、７０Å、８０Å、９０Åまたは１００Åの厚さを有する。
電子ブロック層の材料は好ましくは、スピロフルオレン基を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料であり、その一次構造式は、下記からなる群より選択される１つ以上であってもよい：
実験から、青サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層はスピロフルオレン基を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造され、電子ブロック層の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルは好ましくは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは好ましくは１．９ｅＶから２．１ｅＶの範囲である場合、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命は明らかに改善されることが証明されている。図２は寿命改善の特異的効果を示し、ここで、横軸は改善前後のデバイスを示し、縦軸は寿命（単位：時間）を示す。図２から、改善前のデバイスの平均寿命は約６７時間であり、改善後のデバイスの平均寿命は約１１８時間であることがわかる。このように、デバイス寿命が４０％延長される。
実施形態２
一例として緑サブピクセル発光層を使用して説明する。
以上で記載される通り、電子ブロック層、正孔輸送層、正孔注入層、および第１の電極が、緑サブピクセル発光層の下に連続して配置され、ならびに正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、および第２の電極が緑サブピクセル発光層の上に連続して配置される。
緑サブピクセル発光層は、等価の正孔および電子を有するバイポーラ燐光性材料から主に製造される。キャリア再結合領域は比較的広く、正孔輸送層から遠く離れている。適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルならびに適切な移動度を有する材料から製造された電子ブロック層を追加することにより、正孔キャリアのバランスが制御され、緑サブピクセル発光層の寿命が改善される。
一般に、正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．０ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、好ましくは５．２ｅＶであり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは２．０ｅＶから２．３ｅＶの範囲であり、好ましくは２．１ｅＶである。緑サブピクセル発光層のホスト材料のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．３ｅＶから５．６ｅＶの範囲であり、好ましくは５．５ｅＶであり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは２．１ｅＶから２．５ｅＶの範囲であり、好ましくは２．０ｅＶである。中央に追加された電子ブロック層の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルは深いことが必要とされ、好ましくは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲、例えば、５．２ｅＶ、５．３ｅＶ、５．４ｅＶまたは５．５ｅＶである。電子ブロック層の材料のＬＵＭＯエネルギーレベルは浅いことがさらに必要とされ、好ましくは１．８ｅＶから２．０ｅＶの範囲、例えば、１．８ｅＶ、１．９ｅＶ、または２．０ｅＶである。その上、電子ブロック層の材料については、ＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差Ｅｇは大きいことが必要とされ、好ましくは３．２ｅＶより大きく、よって、正孔注入および電子ブロックが促進される。燐光性材料の系中に存在する三重項状態（ｔｒｉｐｌｅ ｓｔａｔｅ）の消滅のために、正孔ブロック層の材料に対する三重項状態Ｔ１のエネルギーレベルは２．６ｅＶより大きいことが必要とされる。同時に、深いＨＯＭＯエネルギーレベルを有する材料は低い移動度を有する。デバイス電圧を考慮して、電子ブロック層は、好ましくは、低電力消費製品を得るために１００Åから４００Åの厚さを有する。例えば、電子ブロック層は１００Å、２００Å、３００Åまたは４００Åの厚さを有する。正孔ブロック層は好ましくは５０Åから１００Åの厚さを有する。例えば、正孔ブロック層は５０Å、６０Å、７０Å、８０Å、９０Åまたは１００Åの厚さを有する。
電子ブロック層の材料は好ましくは、スピロ環単位を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造され、その一次構造式は下記からなる群より選択される１つ以上である：
実験から、緑サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層がスピロ環単位を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造され、電子ブロック層の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルが好ましくは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルが好ましくは１．８ｅＶから２．０ｅＶの範囲である場合、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命は明らかに改善されることが証明されている。図３は寿命改善の特異的効果を示し、ここで、横軸は改善前後のデバイスを示し、縦軸は寿命（単位：時間）を示す。図３から、改善前のデバイスの平均寿命は約６９時間であり、改善後のデバイスの平均寿命は約１０９時間であることがわかる。このように、デバイス寿命が３５％延長される。
前記２つの実施形態の立証は同時に実施されることに注意すべきである。すなわち、デバイス寿命を立証するためには、青サブピクセル発光層の下に配置された、および、緑サブピクセル発光層の下に配置された電子ブロック層が同時に改善される。有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命は少なくとも３５％延長される。
したがって、本出願はまた、基板と、基板上に形成された上記有機エレクトロルミネセンスデバイスとを備えるディスプレイ装置を提供する。
特定的には、ディスプレイ装置は、第１の電極、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、発光層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、および第２の電極を含み、それらは基板上に連続して配置される。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。
さらに、発光層は赤サブピクセル発光層、緑サブピクセル発光層、および青サブピクセル発光層を含む。青サブピクセル発光層の下の電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは１．９ｅＶから２．１ｅＶの範囲である。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きく、電子ブロック層は、好ましくはスピロフルオレン基を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される。緑サブピクセル発光層の下の電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、そのＬＵＭＯエネルギーレベルは１．８ｅＶから２．０ｅＶの範囲である。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きく、電子ブロック層は好ましくはスピロ環単位を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される。
さらに、青サブピクセル発光層の下の電子ブロック層は好ましくは５０Åから１００Åの厚さを有する。緑サブピクセル発光層の下の電子ブロック層は好ましくは１００Åから４００Åの厚さを有し、緑サブピクセル発光層の上の正孔ブロック層は好ましくは５０Åから１００Åの厚さを有する。
結論として、本出願により提供される有機エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイ装置では、有機エレクトロルミネセンスデバイスは、第１の導電層群、第２の導電層群、および第１の導電層群と第２の導電層群との間に配置され、その２つの群とオーミック接触している発光層を含む。第１の導電層群は、発光層とオーミック接触している電子ブロック層、および電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を含む。電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれと発光層のそれの間にあり、電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは正孔輸送層のそれおよび発光層のそれよりも浅い。適切なＨＯＭＯエネルギーレベルおよびＬＵＭＯエネルギーレベルを有する電子ブロック層を選択すると、キャリアのバランスをより良好に制御することができ、よって、有機エレクトロルミネセンスデバイスの寿命が長くなり、製品性能が保証される。
上記説明は本出願の好ましい実施形態にすぎず、本出願の範囲を制限することを意図しない。本開示に従い、当業者によりなされた全ての変更および改変は、本出願の添付の特許請求の範囲内に含まれる。

Claims (10)

  1. 第１の導電層群と、
    第２の導電層群と、
    前記第１の導電層群と前記第２の導電層群との間に配置され、前記２つの群とオーミック接触している発光層と
    を備え、
    前記第１の導電層群は前記発光層とオーミック接触している電子ブロック層および前記電子ブロック層とオーミック接触している正孔輸送層を備え、
    前記電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは前記正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギーレベルと前記発光層のＨＯＭＯエネルギーレベルの間にあり、前記電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは、前記正孔輸送層のＬＵＭＯエネルギーレベルおよび前記発光層のＬＵＭＯエネルギーレベルよりも浅い、ことを特徴とする有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  2. 前記正孔輸送層のＨＯＭＯエネルギーレベルは前記発光層のＨＯＭＯエネルギーレベルに等しいか、またはそれより浅く、前記正孔輸送層のＬＵＭＯレベルは前記発光層のＬＵＭＯレベルに等しいか、またはそれより浅い、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  3. 前記正孔輸送層についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、前記発光層のホスト材料についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．４ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは１．９ｅＶから２．１ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きい、ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  4. 前記発光層は蛍光材料から製造される青サブピクセル発光層を備え、前記青サブピクセル発光層の下に配置された前記電子ブロック層はスピロフルオレン基を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  5. 前記単一芳香族アミンの構造の構造式は下記：
    からなる群より選択される１つ以上である、ことを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  6. 前記正孔輸送層についてのエネルギーレベル差は２．７ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、前記発光層のホスト材料についてのエネルギーレベル差は２．８ｅＶから３．５ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルは５．２ｅＶから５．５ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＬＵＭＯエネルギーレベルは１．８ｅＶから２．０ｅＶの範囲であり、前記電子ブロック層のＨＯＭＯエネルギーレベルとＬＵＭＯエネルギーレベルの間のエネルギーレベル差は３．２ｅＶより大きい、ことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  7. 前記発光層は、バイポーラ燐光性材料から製造される緑サブピクセル発光層を含み、前記緑サブピクセル発光層の下に配置された前記電子ブロック層はスピロ環単位を含む単一芳香族アミンの構造を有する材料から製造される、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  8. 前記単一芳香族アミンの構造の構造式は下記：
    からなる群より選択される１つ以上である、ことを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  9. 前記発光層は青サブピクセル発光層および緑サブピクセル発光層を含み、前記青サブピクセル発光層の下に配置された前記電子ブロック層は５０Åから１００Åの厚さを有し、前記緑サブピクセル発光層の下に配置された前記電子ブロック層は１００Åから４００Åの厚さを有し、前記第２の導電層群において前記緑サブピクセル発光層上に配置された前記正孔ブロック層は５０Åから１００Åの厚さを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイス。
  10. 基板と、前記基板上に形成された、ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネセンスデバイスとを備える、ディスプレイ装置。
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