EA023984B1 - Пропускающая свет проводящая подложка для органических светоизлучающих устройств - Google Patents
Пропускающая свет проводящая подложка для органических светоизлучающих устройств Download PDFInfo
- Publication number
- EA023984B1 EA023984B1 EA201291391A EA201291391A EA023984B1 EA 023984 B1 EA023984 B1 EA 023984B1 EA 201291391 A EA201291391 A EA 201291391A EA 201291391 A EA201291391 A EA 201291391A EA 023984 B1 EA023984 B1 EA 023984B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- layer
- light
- coating
- scattering
- geometric thickness
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 208
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 156
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 151
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 147
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 116
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 113
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 677
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 103
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 52
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 52
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 38
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 36
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 241000182988 Assa Species 0.000 claims 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 174
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 43
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 39
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 29
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 27
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 25
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 24
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000011161 development Methods 0.000 description 21
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 21
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 18
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 14
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 13
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 9
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 8
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 8
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 5
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 5
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 101001016849 Mus musculus Heat shock protein HSP 90-alpha Proteins 0.000 description 2
- 101000985444 Mus musculus Heat shock protein HSP 90-beta Proteins 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 2
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 2
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 1,4,7-triazonane Chemical compound C1CNCCNCCN1 ITWBWJFEJCHKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-9,10-dinaphthalen-2-ylanthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=C4C=CC=CC4=C(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=C(C=C43)C)=CC=C21 HNWFFTUWRIGBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000282461 Canis lupus Species 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000417893 Kania Species 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000218657 Picea Species 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001618 alkaline earth metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011437 continuous method Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000010147 laser engraving Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005341 metaphosphate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052575 non-oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N o-dicarboxybenzene Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010665 pine oil Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N tin zinc Chemical compound [Zn].[Sn] GZCWPZJOEIAXRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJVLWFXZVBOFRZ-UHFFFAOYSA-N titanium zinc Chemical compound [Ti].[Zn] YJVLWFXZVBOFRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V5/00—Refractors for light sources
- F21V5/002—Refractors for light sources using microoptical elements for redirecting or diffusing light
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0242—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of dispersed particles
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
- G02B5/0205—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties
- G02B5/0236—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element
- G02B5/0247—Diffusing elements; Afocal elements characterised by the diffusing properties the diffusion taking place within the volume of the element by means of voids or pores
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Пропускающая свет проводящая подложка (1) для органического светоизлучающего устройства, содержащая прозрачную основу (10), рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ (111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, и прозрачный электрод (12), сформированный поверх рассеивающего слоя (11), причем указанный электрод (12) содержит по меньшей мере один металлический проводящий слой (122) и по меньшей мере одно покрытие (120), имеющее свойства улучшения пропускания света через указанный электрод, указанное покрытие (120) содержит по меньшей мере один слой, улучшающий пропускание света (1201), и располагается между металлическим проводящим слоем (122) и рассеивающим слоем (11), на котором расположен указанный электрод (12).
Description
Настоящее изобретение относится к пропускающей свет проводящей подложке для органических светоизлучающих устройств (ОЬЕЭ), к способу получения указанной пропускающей свет проводящей подложке, к органическому светоизлучающему диоду, включающему указанную пропускающую свет проводящую подложку, и к способу получения указанного органического светоизлучающего устройства.
Уровень техники
Органическое светоизлучающее устройство (ОЬЕЭ) содержит, по меньшей мере, органический слой, который расположен между электродами, электрическое напряжение создается между электродами для введения дырок и электронов, которым позволяют рекомбинироваться в органическом слое, таким образом, свет испускается светоизлучающей молекулой в ходе перехода от возбужденного состояния в состояние более низкой энергии. Органическое светоизлучающее устройство применяется для светового табло, применений, связанных с тыловым освещением, и применений, связанных с освещением.
С точки зрения основы устройства ОЬЕЭ делятся на три категории: излучающие снизу, излучающие сверху и прозрачные ОЬЕЭ. В излучающих снизу устройствах ОЬЕЭ применяется прозрачный или полупрозрачный нижний электрод, свет излучается через прозрачную основу. В излучающих сверху устройствах ОЬЕЭ применяется прозрачный или полупрозрачный верхний электрод, через который излучается свет, другими словами, свет не излучается через основу. Наконец, в прозрачных ОЬЕЭ (Т-ОЬЕЭ) применяются прозрачные или полупрозрачные электроды на обеих сторонах устройства, таким образом, что свет может испускаться как через верхний, так и через нижний электрод. Как применяется в описании настоящего изобретения, выражение нижний электрод означает электрод, который наиболее близок к основе.
В общем, излучающее снизу устройство ОЬЕЭ содержит по меньшей мере один прозрачный электрод, как правило, изготавливаемый из оксида олова, легированного индием (1ТО), прозрачную основу для поддержания прозрачного электрода и отражающий противоположный электрод, который, как правило, изготавливается из кальция, серебра или алюминия. Прозрачная основа изготавливается, например, из стекла, керамического стекла или полимерной пленки. Показатели преломления различных составляющих ОЬЕЭ находятся в интервале 1.6-1.8 для органического слоя светоизлучающего устройства, 1.62.0 для слоя 1ТО, 1.4-1.6 для поддерживающей подложки и 1.0 для наружного воздуха.
Органические светоизлучающие устройства производятся с хорошей внутренней световой отдачей. Эта эффективность выражается как внутренняя квантовая эффективность (1ЦЕ). Внутренняя квантовая эффективность представляет собой отношение числа полученных фотонов к числу введенных электронов. Оно составляет порядка 85%, даже ближе к 100% в известных органических светоизлучающих устройствах. Однако эффективность этих устройств явным образом ограничивается потерями, связанными с явлением отражения на границе раздела фаз из-за различий между показателями преломления веществ, составляющих слои, определяющие границы раздела фаз. Потери в результате отражения (К) происходят на границах раздела фаз и вызывают уменьшение внешней квантовой эффективности (ЕЦЕ). Внешняя квантовая эффективность равна внутренней квантовой эффективности за вычетом потерь засчет отражения. В результате всех этих объединенных потерь, в общем, принято, что внешняя квантовая эффективность, как правило, находится в интервале от 20 до 25% от внутренней квантовой эффективности.
Оксид олова, легированный индием (1ТО), представляет собой вещество, наиболее широко применяемое для формирования прозрачных электродов. Однако, к сожалению, его применение связано с некоторыми проблемами. На самом деле источники индия ограничены, что в скором времени приведет к неизбежному увеличению стоимости производства этих устройств. Более того, из-за ограниченного удельного сопротивления 1ТО его необходимо применять в тонком слое для получения электрода с достаточной проводимостью (то есть слой 1ТО, имеющий сопротивление около 5 Ом/Υ, требует такой толщины, чтобы поглощение электрода увеличивалось). Более того, толстый 1ТО является, как правило, более кристаллическим, вызывая увеличение микроскопических шероховатостей поверхности, которую затем необходимо время от времени полировать для применения внутри светоизлучающих устройств. Для применений, связанных с дисплеем, такое вещество 1ТО может иметь достаточную проводимость, так как размер пикселей является маленьким, как правило, порядка 1 мм или менее. Однако проводимость таких прозрачных 1ТО электродов может быть недостаточной для применений, для которых требуется намного более большая площадь поверхности излучения, как, например, световое табло. Кроме того, индий, присутствующий в органических светоизлучающих устройствах, имеет склонность к диффузии в органическую часть этих устройств, приводя к уменьшению срока хранения и срока работы этих устройств.
Для решения этих проблем были предложены различные структуры электродов. В документе \УО 2008/029060 А2 раскрывается прозрачная подложка, в частности прозрачная стеклянная подложка, имеющая многослойный электрод со сложной стопчатой структурой, содержащий металлический проводящий слой, а также имеющий базовый слой, объединяющий свойства барьерного слоя и противоотражающего слоя. Этот тип электрода допускает слои с низким удельным сопротивлением и прозрачностью, по меньшей мере, равной электроду из 1ТО, который получают, и эти электроды могут преимущественно применяться в области источников света с большой поверхностью, таких как световые панели. Более
- 1 023984 того, позволяют уменьшить количество индия, применяемого при их производстве, или даже полностью исключить его. Однако хотя противоотражающий слой применяется в форме барьерного слоя, решения, предложенные в документе \УО 2008/029060 А2, не приводят к оптимизации каким-либо образом количества света, излучаемого ОЬЕО, ограничивая потери, связанные с явлением отражения на границе раздела фаз. Кроме того, также наблюдается изменение цвета света, излучаемого ОЬЕО, в зависимости от угла обзора.
Задача настоящего изобретения
Задачей настоящего изобретения является преодоление недостатков изобретений, известных из уровня техники.
Более точно, задача настоящего изобретения, по меньшей мере в одном варианте выполнения настоящего изобретения, состоит в обеспечении пропускающей свет проводящей подложки для ОЬЕО, которая позволяет повышать количество света, проходящего в прямом направлении через подложку, которую получают, другим словами, повышать количество света, излучаемого ОЬЕО, в которое она включена, то есть в случае монохромного излучения. Термин монохромный, как понимается, означает, что один цвет (например, красный, зеленый, синий, белый, ...) воспринимается глазом, при этом этот свет не является монохроматическим как таковой. Другими словами, монохромное излучение обозначает излучение, охватывающее диапазон длин волн, а не просто длину волны. Кроме того, указанная пропускающая свет проводящая подложка должна быть легка в получении.
Задача настоящего изобретения, по меньшей мере в одном варианте выполнения настоящего изобретения, состоит в обеспечении пропускающей свет проводящей подложки для ОЬЕО, которая позволяет уменьшать, даже исключать количество веществ на основе индия, оксида индия или их смесей, применяемое для производства прозрачного электрода, который содержится в пропускающей свет проводящей подложке.
Другая задача настоящего изобретения, по меньшей мере в одном варианте выполнения настоящего изобретения, состоит в обеспечении пропускающей свет проводящей подложки, которая позволяет уменьшить зависимость от угла обзора цвета света, излучаемого устройством ОЬЕО, включающим указанную пропускающую свет проводящую подложку.
Описание изобретения
Настоящее изобретение относится к пропускающей свет проводящей подложке для органического светоизлучающего устройства, содержащей прозрачную основу, рассеивающий слой, сформированный поверх прозрачной основы и содержащий стекло, которое содержит основное вещество, имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны света, которая передается, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, прозрачный электрод, сформированный поверх рассеивающего слоя, причем указанный электрод содержит по меньшей мере один металлический проводящий слой, предпочтительно один металлический проводящий слой и по меньшей мере одно покрытие, имеющее свойства для улучшения пропускания света через указанный электрод, где указанное покрытие имеет геометрическую толщину по меньшей мере более 3,0 нм и самое большее менее или равную 200 нм.
Преимущество, обеспечиваемое подложкой согласно настоящему изобретению, состоит в том, что позволяет, с одной стороны, увеличивать количество света, излучаемого в прямом направлении устройством ОЬЕО, которое включает её, то есть в случае монохромного излучения, а с другой стороны, уменьшает изменение цвета света, излучаемого устройством ОЬЕО, в зависимости от угла обзора. Более того, в случае органического светоизлучающего устройства, излучающего белый свет, подложка согласно настоящему изобретению может применяться с любым известным типом слоистой стопчатой структуры, формирующей органическую часть устройства ОЬЕО, которое излучает белый свет.
Пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению содержит прозрачную основу. Основа будет рассматриваться как прозрачная, когда она проявляет поглощение света самое большее 50%, даже самое большее 30%, предпочтительно самое большее 20%, более предпочтительно самое большее 10% при длинах волн в диапазоне видимого света. В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения прозрачная проводящая основа согласно настоящему изобретению содержит пропускающую свет проводящую подложку, имеющую показатель преломления, по меньшей мере равный 1.2, предпочтительно по меньшей мере равный 1.4, более предпочтительно по меньшей мере равный 1.5 при длине волны 550 нм. Преимущество, обеспеченное посредством применения основы с высоким показателем преломления, состоит в том, что она позволяет повысить количество пропускаемого или излучаемого света в прямом направлении при такой же структуре пропускающей свет проводящей подложки.
Термин основа, как также понимается, означает не только основу как таковую, но также любую структуру, содержащую основу, а также по меньшей мере один слой вещества с показателем преломления, η материал, близким к показателю преломления основы, η основа, другими словами |п основа- η материал|^0.1.
- 2 023984 |η основа- η материал! представляет собой абсолютное значение разности между показателями преломления. Слой оксида кремния, нанесенный на основу из известково-натриевого стекла, может быть указан в качестве примера. Этот слой применяется для защиты стеклянной поверхности от старения до нанесения другого слоя.
Функция основы состоит в том, чтобы поддерживать и/или защищать электрод. Основа может быть сделана из стекла, жесткой пластмассы (например, органическое стекло, поликарбонат) или гибких поли мерных пленок (например, поливинилхлорид (РУС), полиэтилентерефталат (РЕТ), полипропилен (РР), политетрафторэтилен (РТРЕ)). Основа предпочтительно является жесткой.
Если основа представляет собой полимерную пленку, она предпочтительно имеет высокий показатель преломления, где показатель преломления основы (η основа) имеет значение, по меньшей мере, равное 1.4, предпочтительно, по меньшей мере, равное 1.5, более предпочтительно, по меньшей мере, равное 1.6. η основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Преимущество обеспечивается посредством применения основы с высоким показателем преломления и состоит в том, что она позволяет повысить количество излучаемого света при такой же структуре подложки.
Если основа изготовлена из стекла, например листа стекла, она предпочтительно имеет геометрическую толщину по меньшей мере 0,1 мм. Термин геометрическая толщина, как понимается, означает среднюю геометрическую толщину. Стекла являются минеральными или органическими. Предпочтительными являются минеральные стекла. Среди них является предпочтительным известково-натриевое стекло, которое является прозрачным или является окрашенным в объеме или на поверхности. Более предпочтительными являются сверхпрозрачные известково-натриевые стекла. Термин сверхпрозрачное означает стекло, содержащее самое большее 0,020 мас.% от стекла железа в целом, выраженного как Ре2О3, и предпочтительно более 0,015 мас.%. Благодаря его низкой пористости стекло имеет преимущество обеспечения наилучшей защиты от любой формы загрязнения устройства ОБЕЭ. содержащего пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению. Предпочтительным является стекло, имеющее высокий показатель преломления, показатель преломления стекла имеет значение, по меньшей мере, равное 1.4, предпочтительно, по меньшей мере, равное 1.5, более предпочтительно, по меньшей мере, равное 1.6, наиболее предпочтительно, по меньшей мере, равное 1.7. Тем не менее, по причинам, связанным со стоимостью, показатель преломления стекла, η основа, предпочтительно имеет значение в интервале от 1.4 до 1.6. Более предпочтительно показатель преломления стекла имеет значение около 1.5. η основа обозначает показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Предпочтительно стеклянная основа содержит по меньшей мере один барьерный слой на стороне стекла, на которой расположен рассеивающий слой. Этот слой, в частности, обеспечивает защиту электрода от какоголибо загрязнения за счет миграции щелочных веществ из основы, например, изготовленной из известково-натриевого стекла, и таким образом обеспечивает увеличение срока службы электрода. Барьерный слой содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из следующих: оксид кремния, оксид алюминия, оксид титана, смешанный оксид цинка-олова, смешанный оксид цинка-алюминия, нитрид кремния, нитрид алюминия, нитрид титана, оксинитрид кремния, оксинитрид алюминия.
Подложка согласно настоящему изобретению содержит рассеивающий слой, где указанный рассеивающий слой формируется поверх прозрачной основы и содержит стекло, которое содержит стекло, которое содержит основное вещество, имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны света, которая передается, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от основного вещества.
Рассеивающий слой формируется путем осаждения стеклянного порошка на стеклянной подложке таким методом, как покрытие и обжиг при желательной температуре. Указанный рассеивающий слой имеет основное вещество, имеющее первый показатель преломления, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в вышеуказанном основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления вышеуказанного основного вещества. В качестве рассеивающего слоя может применяться вещество (основное вещество), имеющее основную покрытую поверхность и имеющее высокий коэффициент пропускания света. В качестве такого основного вещества может применяться стекло, кристаллизованное стекло, прозрачная смола или прозрачная керамика. В качестве материала для стекла может применяться неорганическое стекло, такое как известково-натриевое стекло, боросиликатное стекло, нещелочное стекло, низкощелочное стекло или кварцевое стекло. Кроме того, множество рассеивающих веществ формируются внутри основного вещества. В варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка является такой, что рассеивающие вещества выбираются из пор, осажденных кристаллов, частиц веществ, имеющих химический состав, отличный от основного вещества, стекла с разделенными фазами или смесей по меньшей мере двух из них. Рассеивающие вещества предпочтительно выбираются из осажденных кристаллов, частиц веществ, имеющих химический состав, отличный от основного вещества, стекла с разделенными фазами или смесей по меньшей мере двух из них. Рассеивающие материалы наиболее предпочтительно выбираются из стекла с разделенными фазами. Частица вещества в качестве рассеивающего материала, как применяется в описании настоящего изобретения, означает маленькое твердое вещество. В варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка является такой, что части- 3 023984 цы вещества, применяемые в качестве рассеивающих веществ, выбираются из кристаллических частиц, аморфных частиц или, по меньшей мере, их смеси. Частицы веществ, применяемые в качестве рассеивающих веществ, могут иметь одинаковый или различный химический состав, предпочтительно частицы имеют одинаковый химический состав. Вещество, составляющее частицу, предпочтительно выбирается из керамического материала. Керамический материал выбирается из керамического оксида (ΤίΟ2, ΖγΟ2, δηΟ2, ΖηΟ2, 8ιΟ2, 8Ь2О3, Α12Ο3, Ζγ8ιΟ4, предпочтительно ΤιΟ2, ΖγΟ2, Α12Ο3, 8ιΟ2), керамического неоксидного материала (карбиды, бориды, нитриды, силициды) или композитного керамического материала (комбинации оксидных и неоксидных керамических материалов). Частицы находятся в форме наполнителей (то есть коллоидных частиц, агрегатов, кластеров, ...). В случае применения частиц в качестве рассеивающих материалов желательно сделать рассеивающий слой из двух слоев. В этом случае желательно, чтобы частицы не находились в верхнем слое рассеивающего слоя. Кроме того, пора означает воздух или газообразное вещество, удерживаемое внутри основного вещества. Кроме того, стекло с разделенными фазами означает стекло, состоящее из двух или более видов фаз стекла. Кроме того, когда рассеивающим веществом является пора, размер рассеивающего вещества обозначает диаметр пустоты.
В варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что распределение рассеивающих веществ в рассеивающем слое уменьшается от внутренней части рассеивающего слоя в направлении лицевой части рассеивающего слоя, противоположной прозрачную основу, на которой находится указанный рассеивающий слой. Кроме того, для того чтобы предотвратить межэлектродное короткое замыкание элемента ΟΕΕΌ, необходимо, чтобы основная поверхность рассеивающего слоя была гладкой. Для достижения этой цели является неблагоприятным, когда рассеивающие вещества выступают из основной поверхности рассеивающего слоя. Также для того чтобы предотвратить выступ рассеивающих веществ из основной поверхности рассеивающего слоя, предпочтительно, чтобы рассеивающие вещества не находились на 1,0 мкм, предпочтительно 0,5 мкм, наиболее предпочтительно 0,2 мкм от основной поверхности рассеивающего слоя, другими словами, стороны рассеивающего слоя, противоположной прозрачной основе, на которую нанесен рассеивающий слой.
В варианте выполнения настоящего изобретения рассеивающий слой не ограничивается до одного слоя, но может представлять собой два или более слоев. В случае, когда рассеивающий слой содержит первую часть слоя и вторую часть слоя, сформированную на первой части слоя, предпочтительно, чтобы указанная вторая часть слоя была тоньше, чем первая часть слоя, и первая часть слоя содержала намного больше рассеивающих веществ, чем вторая часть слоя. В частности, если твердые вещества применяются в качестве рассеивающих веществ, более предпочтительно, чтобы вторая часть слоя не содержала рассеивающих веществ, за исключением границы раздела между первой и второй частями слоя. Благодаря присутствию твердых веществ на поверхности рассеивающий слой способен вызывать короткое замыкание.
Поверхность рассеивающего слоя имеет кривизну поверхности с выпуклостью. При этом выпуклость означает, что КАа круга составляет по меньшей мере 10 мкм. Размер выпуклости (неровности) означает Ка в интервале от 0.01 до 5 мкм. КАа предпочтительно составляет более 10 мкм, и Ка/КАа находится в интервале от 1.0х10-5 до 1.0х10-1, вызывая восстановление зеркальной функции анодного электрода. КАа более предпочтительно составляет более 50 мкм, Ка/КАа более предпочтительно находится в интервале от 1.0х10-4 до 3.0х10-2. Ка и КАа, как применяется в настоящей заявке, представляют собой средние значения, вычисленные на основе Ι8Ο 4287:1997 (Л8 В0601:2001), принимая в качестве коротковолновой критической величины износа 25 мкм и принимая в качестве длинно-волновой критической величины износа 2.5 мм.
Хотя показателя преломления и рассеивающего вещества, и основного вещества могут быть высокими, абсолютное значение разности показателей преломления |Δη| составляет предпочтительно 0.2 или более, |Δη|> 0.2, для по меньшей мере одной части в диапазоне спектра излучения рассеивающего слоя. Для того чтобы получить достаточные рассеивающие характеристики, абсолютное значение разности показателей преломления |Δη| составляет более предпочтительно 0.2 или более, |Δη|> 0.2, во всем диапазоне (430-650 нм) интервала спектра излучения или во всем диапазоне (360-830 нм) интервала длин волн видимого света. Геометрическая толщина рассеивающего слоя находится в интервале от 2 до 100 мкм, предпочтительно в интервале от 10 до 60 мкм.
Как правило, показатель преломления рассеивающего слоя должен быть эквивалентен или выше показателя преломления вещества прозрачного электрода на основе прозрачного проводящего оксида, такого как ΙΤΟ. Когда показатель преломления низкий, потеря в результате общего отражения происходит на границе раздела между основным веществом и прозрачным электродным веществом. Показатель преломления основного вещества, как требуется, должен превосходить только для по меньшей мере одной части (например, красный, синий, зеленый или тому подобное) в интервале спектра излучения рассеивающего слоя. Однако он превосходит предпочтительно по всему диапазону (430-650 нм) интервала спектра из лучения и более предпочтительно по всему диапазону (360-830 нм) интервала длин волн видимого света. Авторы изобретения неожиданно обнаружили, что это условие не является обязательным в
- 4 023984 случае электрода, имеющего многослойную структуру. Показатель преломления рассеивающего слоя определяется следующим образом, получают стекло, имеющее такой же состав, что и полученный рассеивающий слой, и измеряют показатель преломления указанного стекла, применяя измерительное устройство КРК-2000 от δΐιίιηαάζιι Эеу1се СогрогаХюи с использованием призменного способа.
Для того чтобы получить максимальную разность показателей преломления, желателен рассеивающий слой, в котором используется стекло с высоким показателем преломления в качестве вышеупомянутого материала с высоким светопропусканием и газовый материал, а именно поры, в качестве рассеивающего вещества. В этом случае показатель преломления основного вещества является желательно настолько высоким насколько это возможно, так что стекло с высоким показателем преломления предпочтительно применяется в качестве основного вещества. Для компонентов стекла с высоким показателем преломления могут применяться один или два или более видов компонентов, выбранных из Р2О5, δίΟ2, В2О3, Се2О и ТеО2 в качестве образователей сетки, и один, или два, или более видов компонентов, выбранных из ΤίΟ2, Ν62Ο5, \νθ3. Βί2Ο3, Ьа2О3, Сб2О3, Υ2Ο3, ΖγΟ2, ΖηΟ, ВаО, РЬО и 8Ь2О3 в качестве компонентов с высоким показателем преломления. Кроме того, до некоторой степени регулировка характеристик стекла, оксида щелочного металла, оксида щелочно-земельного металла, фторида или тому подобного, может применяться внутри интервала, без влияния на характеристики, необходимые для показателя преломления. Конкретные системы стекла включают В2ОАпО-Ьа2О3 систему, Ρ2Ο5-Β2Ο3-Κ'2Ο-ΚΟΤίΟ2-№2Ο5-νΟ3-Βί2Ο3 систему, ТеОз-ΖηΟ систему, Β2Ο3-Βί2Ο3 систему, δίΟ2-Βί2Ο3 систему, δίΟ2-ΖηΟ систему, Β2Ο3-ΖηΟ систему, Ρ2Ο5-ΖηΟ систему и тому подобное, где К' представляет собой элемент щелочной металл и К представляет собой элемент щелочно-земельный металл. Необходимо отметить, что выше приводятся примеры, и система стекла не ограничивается до этих примеров, и конструируется таким образом, чтобы удовлетворять вышеуказанным условиям.
Согласно настоящему изобретению в рассеивающем слое используется стекло, содержащее от 15 до 30 мол.% Р2О5, 5-25 мол.% Βί2Ο3, 5-27 мол.% №2О3, 10-35 мол.% ΖηΟ и 5 мас.% или менее щелочного металла, содержащего Ы2О, Νη2Ο и К2О от их общего количества.
Р2О5 является существенным компонентом, так как он является образователем сетки, которая является скелетом этой системы стекла, и является стабилизирующим стекло элементом. Однако если содержание является слишком низким, кристаллизация стекла повышается, приводя к невозможности получения стекла. Соответственно, оно составляет предпочтительно 15 мол.% или более и более предпочтительно 18 мол.% или более. С другой стороны, если содержание является слишком высоким, показатель преломления уменьшается, приводя к невозможности достижения цели настоящего изобретения. Соответственно, оно предпочтительно составляет 30 мол.% или менее и более предпочтительно 28 мол.% или менее. Поэтому количество Р2О5 в стекле предпочтительно содержится в интервале между двумя указанными значениями, более предпочтительно в интервале от 18 до 28 мол.%.
Βί2Ο3 является компонентом, улучшающим показатель преломления, и может вводиться в стекло в относительно высоких количествах при сохранении стабильности стекла. Соответственно содержится более 5 мол.%, предпочтительно более 10 мол.% и более предпочтительно более 13 мол.%. Однако его чрезмерное введение создает проблему производства весьма окрашенного стекла, уменьшая, таким образом, коэффициент пропускания. Соответственно содержание составляет 25 мол.% или менее, предпочтительно 23 мол.% или менее и более предпочтительно 20 мол.% или менее. Поэтому, количество Βί2Ο3 в стекле предпочтительно содержится в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно содержится в интервале от 10 до 23 мол.%, более предпочтительно от 13 до 20 мол.%.
№2О5 является существенным компонентом, улучшающим показатель преломления, а также имеющим эффект усиления сопротивления погодным условиям в то же время. Соответственно, содержится 5 мол.% или более, предпочтительно 7 мол.% или более и более предпочтительно 10 мол.% или более. С другой стороны, если содержание является слишком высоким, кристаллизация стекла повышается, приводя к невозможности получения стекла. Соответственно поэтому содержится 27 мол.% или менее, предпочтительно 20 мол.% или менее и более предпочтительно 18 мол.% или менее. Поэтому количество №2О5 предпочтительно содержится в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 7 до 20 мол.%, более предпочтительно в интервале от 10 до 18 мол.%.
ΖηΟ является компонентом, улучшающим показатель преломления и уменьшающим температуру стеклования. Соответственно, содержится 10 мол.% или более, предпочтительно 16 мол.% или более, более предпочтительно 18 мол.% или более. Однако в случае чрезмерного добавления кристаллизация стекла повышается, приводя к невозможности получения гомогенного стекла. Соответственно, содержится 35 мол.% или менее, предпочтительно 30 мол.% или менее и более предпочтительно 27 мол.% или менее. Поэтому количество ΖηΟ в стекле предпочтительно содержится в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 16 до 30 мол.%, более предпочтительно от 18 до 27 мол.%.
Оксиды щелочных металлов (К2О), такие как Ы2О, Νη2Ο и К2О, обладают эффектом улучшения плавкости с уменьшением температуры стеклования и одновременно эффектом усиления аффинности со стеклянной подложки с усилением адгезии. По этой причине желательно, чтобы смесь содержала один, или два, или более видов этих указанных оксидов щелочных металлов. В случае чрезмерных долей
- 5 023984 ухудшается стабильность стекла, эти компоненты имеют склонность к уменьшению показателя преломления, приводя к невозможности желательного улучшения эффективности вывода света. Кроме того, применение маленького количества щелочи повышает риск загрязнения электрода или органической части устройства ОЬЕБ этими щелочными ионами. Поэтому общее количество оксида щелочного металла предпочтительно составляет менее 5 мас.%, более предпочтительно менее 2 мас.%, особенно предпочтительно, по существу, не содержится.
ΤίΟ2 представляет собой необязательный компонент, улучшающий показатель преломления. Однако если содержание является слишком высоким, окрашивание стекла усиливается, вызывая повышенную потерю в рассеивающем слое, приводя к невозможности достижения цели, состоящей в улучшении эффективности вывода света. Соответственно, содержание предпочтительно составляет до 8 мол.%.
В2О3 является необязательным компонентом в качестве компонента, который добавляется в стекло, таким образом улучшая сопротивление кристаллизации стекла и уменьшая коэффициент теплового расширения. Если содержание является слишком высоким, показатель преломления уменьшается. Поэтому предпочтительно 17 мол.% или менее.
\УО3 является необязательным компонентом, улучшающим показатель преломления и уменьшающим температуру стеклования с уменьшением температуры горения. Однако чрезмерное введение этого компонента приводит к окрашиванию стекла, вызывая уменьшение эффективности вывода света. Соответственно, его содержание предпочтительно составляет до 20 мол.%.
ТеО2 является необязательным компонентом, оказывающим эффект понижения температуры стеклования при подавлении чрезмерного роста температурного расширения. Соответственно, его содержание предпочтительно составляет до 7 мол.%.
СеО2 является необязательным компонентом, оказывающим эффект высокого показателя преломления. Соответственно, его содержание предпочтительно составляет до 7 мол.%.
8Ь2О3 является необязательным компонентом, оказывающим эффект подавления цвета. Соответственно, его содержание предпочтительно составляет до 2 мол.%.
Оксиды щелочно-земельных металлов (МдО, СаО, ЗтО и ВаО) являются необязательными компонентами, улучшающими стабильность стекла. Однако их чрезмерное введение приводит к уменьшению коэффициента теплового расширения и показателя преломления. Соответственно, их содержание предпочтительно составляет до 10 мол.%.
Даже если компонент отличается от вышеперечисленных компонентов, мы можем добавить его в целях очистки или улучшения растворимости, до тех пор, пока не произойдет отклонение от эффективности настоящего изобретения. Такие компоненты включают, например 8Ю2, А12О3, Ьа2О3, У2О3, Сб2О3, 2тО2, Та2О3, С52О, и могут также содержать оксиды переходных металлов. Их содержание предпочтительно менее 5 мол.% в общем, более предпочтительно менее 3 мол.%, особенно предпочтительно они, по существу, не содержатся.
Стекло по настоящему изобретению, по существу, не содержит оксид свинца, что менее вероятно приводит к загрязнению окружающей среды.
Подложка согласно настоящему изобретению содержит прозрачный электрод, где указанный электрод может действовать в качестве анода или наоборот в качестве катода, в зависимости от типа устройства ОЬЕБ, в которое вставлен указанный электрод. Выражение покрытие, имеющее свойства улучшения пропускания света, как понимается, означает покрытие, присутствие которого в стопчатой структуре, формирующей электрод, приводит к увеличению количества света, пропускаемого через подложку, например покрытие, имеющее противоотражающие свойства. Другими словами, устройство ОЬЕБ, включающее подложку согласно настоящему изобретению, испускает более высокое количество света по сравнению с устройством ОЬЕБ того же типа, но имеющим классический электрод (например, слой 1ТО), расположенный на основе, идентичной подложке согласно настоящему изобретению, увеличение количества испускаемого света отличается более высоким значением яркости безотносительно к цвету испущенного света.
Геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света должна иметь толщину по меньшей мере более 3.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равную 5.0 нм, более предпочтительно по меньшей мере равную 7.0 нм, наиболее предпочтительно по меньшей мере равную 10.0 нм. Например, если покрытие для улучшения пропускания света основано на оксиде цинка, субстехиометрическом по кислороду, 2пО,.. где эти оксиды цинка возможно легированы оловом или сплавлены с ним, геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света по меньшей мере более 3.0 нм обеспечивает металлический проводящий слой, в частности слой серебра, который имеет хорошую электрическую проводимость.
Геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно имеет толщину менее или равную 200.0 нм, предпочтительно менее или равную 170.0 нм, более предпочтительно менее или равную 130.0 нм, и преимущество таких толщин состоит в том, что процесс производства такого покрытия является более быстрым. Поэтому геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно лежит в интервале от 5.0 нм до 200.0 нм, предпочтительно от 7.0 нм до 170.0 нм, более предпочтительно от 10.0 нм до 130 нм.
- 6 023984
Геометрическая толщина металлического проводящего слоя по меньшей мере равна 6.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равна 8.0 нм, более предпочтительно по меньшей мере равна 10.0 нм, самое большое равна 29.0 нм, предпочтительно самое большое равна 27.0 нм, более предпочтительно самое большое равна 25.0 нм, наиболее предпочтительно самое большое равна 22.0 нм. Поэтому геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 6.0 нм до 29.0 нм, предпочтительно от 8.0 нм до 27.0 нм, более предпочтительно от 10.0 нм до 25.0 нм.
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка является такой, что прозрачный электрод формируется поверх рассеивающего слоя, причем указанный электрод содержит один металлический проводящий слой и по меньшей мере одно покрытие, имеющее свойства улучшать пропускание света через указанный электрод, где указанное покрытие имеет геометрическую толщину по меньшей мере более 3.0 нм и самое большое менее или равную 200 нм, и указанное покрытие содержит по меньшей мере один слой для улучшения пропускания света и располагается между металлическим проводящим слоем и рассеивающим слоем, на котором располагается указанный электрод, где оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения про пускания света, ТС1, и геометрическая толщина металлического про водящего слоя, Тме, связаны уравнением
ТмЕ - ТмЕ_0 + [В * 5ΙΠ (ТТ*То1/То1_о)]/(ПОСНова)3 где Тме_0, В и ТС10 являются константами, когда Тме_0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм, и ТС1 0 имеет значение в интервале от 23.9хпС1 до 28.3хпС1 нм, где пС1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и η основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм.
Оптическая толщина слоя, полученная умножением геометрической толщины указанного слоя и показателя преломления материала, составляющего указанный слой. Значение показателя преломления берется при длине волны 550 нм.
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что стопчатая структура электрода на основе выбора, сделанного уравнением, связывающим геометрическую толщину металлического проводящего слоя, Тме, с оптической толщиной покрытия, имеющего свойства улучшать пропускание света, ТС1, приводит к увеличению количества света, испускаемого устройством ОЬЕП.
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что прозрачный электрод сформирован поверх рассеивающего слоя, причем указанный электрод содержит один проводящий металлический слой и по меньшей мере одно покрытие, имеющее свойства улучшения пропускания света через указанный электрод, где указанное покрытие имеет геометрическую толщину по меньшей мере более 3.0 нм и самое большое менее или равную 200 нм, и указанное покрытие содержит по меньшей мере один слой для улучшения пропускания света и локализовано между металлическим проводящим слоем и рассеивающим слоем, на котором расположен указанный электрод, где оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света, Тш, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя, Тме, связаны уравнением
Тме = Тме_5 + [В * ©ΐη (ττ*Τοι/Τοι_ο)]/(η53)3 где Тме 0, В и ТС1 0 являются константами, когда Тме 0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм, и Тм 0 имеет значение в интервале от 23.9χηυ] до 28.3χηυ] нм, где пС1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и 1у представляет собой показатель преломления стопчатой структуры, содержащей основу и рассеивающий слой, при длине волны 550 нм (« * I ) + (ίϊ * I ) \ основа основа / \ рассеиваюгциислои рассеиеаюирислои} д = Γι Ϋ )
V основа рассоивмощнисжи ’ η основа представляет собой показатель преломления прозрачной ос новы при длине волны 550 нм, η рассеивающийслой представляет собой показатель преломления рассеивающего слоя при длине волны 550 нм, 1 основа представляет собой геометрическую толщину основы, и 1 рассеивающийслой представляет собой геометрическую толщину рассеивающего слоя.
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что выбор стопчатой структуры электрода на основе уравнения, связывающего геометрическую толщину металлического проводящего слоя с оптической толщиной покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света, ТС1, может адаптироваться так, чтобы учитывать показатель преломления рассеивающего слоя (например, когда оптическая толщина рассеивающего слоя выше или равна 0.1% от оптической толщины основы).
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света выше, чем показатель преломления стопчатой структуры, содержащей основу и рассеивающий слой, при длине волны 550 нм.
- 7 023984
В конкретном варианте выполнения настоящего пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что основа имеет показатель преломления, η основа, в интервале от 1.4 до 1.6 при длине волны 550 нм, и электрод является таким, что оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света, ТС1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя, ТМ|.. связываются уравнением
Тме = Тие_0+ [В * 5ΙΠ (ТТ*То1/То1_о)]/(П0снова)3 где Тме 0, В и ТС1 0 являются константами, когда Тме о имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, предпочтительно 10.0 до 23.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм, и ТС1 0 имеет значение в интервале от 23.9χηΒι до 28.3χηΒι нм, где По1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и η основа представляет собой показатель преломления прозрачной основы при длине волны 550 нм. Предпочтительно константы Тме_0, В и ТС1_0 являются такими, что Тме_0 имеет значение в интервале от 10.0 до 23.0 нм, предпочтительно от 10.0 до
22.5 нм, более предпочтительно от 11.5 до 22.5 нм, В имеет значение в интервале от 11.5 до 15.0, и Ты_0 имеет значение в интервале от 24.8χηΒ1 до 27.3χηΒ1 нм. Более предпочтительно константы Тме 0, В и Ты_0 являются такими, что Тме_0 имеет значение в интервале от 10.0 до 23.0 нм, предпочтительно от 10.0 до 22.5 нм, более предпочтительно от 11.5 до 22.5 нм, В имеет значение в интервале от 12.0 до 15.0, и ТС1 0 имеет значение в интервале от 24.8χηΒ1 до 27.3χηΒ1 нм.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что основа имеет значение показателя преломления, η основа, в интервале от 1.4 до 1.6, и такой, что геометрическая толщина металлического проводящего слоя по меньшей мере равна 6.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равна 8.0 нм, более предпочтительно по меньшей мере равна 10.0 нм и самое большое равна 22.0 нм, предпочтительно самое большее равна 20.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 18.0 нм, геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 6.0 до 22.0 нм, более предпочтительно от 8.0 до 20.0 нм, наиболее предпочтительно от 10.0 до 18.0 нм, и где геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света по меньшей мере равна 50.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равна 60.0 нм и самое большее равна 130.0 нм, предпочтительно самое большее равна 110.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 90.0 нм, геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно содержится в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 50.0 до 110.0 нм, более предпочтительно от 60.0 до 90.0 нм.
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что основа имеет значение показателя преломления, η основа в интервале от 1.4 до 1.6, и такой, что геометрическая толщина металлического проводящего слоя по меньшей мере равна 16.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равна 18.0 нм, более предпочтительно по меньшей мере равна 20.0 нм и самое большее равна 29.0 нм, предпочтительно самое большее равна 27.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 25.0 нм, геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 16.0 до 29.0 нм, более предпочтительно от 18.0 до 27.0 нм, наиболее предпочтительно от 20.0 до 25.0 нм, и где геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света по меньшей мере равна 20.0 нм и самое большее равна 40.0 нм. Неожиданно было обнаружено, что применение толстого проводящего слоя в комбинации с покрытием для улучшения пропускания света оптимизированной толщины обеспечивает устройства ОЬЕБ, которые имеют высокую яркость, а также пропускающую свет проводящую подложку, в которой электрод имеет более низкое поверхностное сопротивление, выраженное в ОМ/Г.
В предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что показатель преломления вещества, формирующего покрытие для улучшения пропускания света (ηΒ1) является более высоким, чем показатель преломления основы (η основа) (η01 > η основа), предпочтительно η01 > 1.2 η основа, более предпочтительно η01 > 1.3 η основа, наиболее предпочтительно η01 > 1.5 η основа.
Показатель преломления вещества, формирующего покрытие (По1), имеет значение в интервале от
1.5 до 2.4, предпочтительно в интервале от 2.0 до 2.4, более предпочтительно в интервале от 2.1 до 2.4, при длине волны 550 нм.
Если покрытие для улучшения пропускания света сформировано из нескольких слоев, пС1 вычисляется по уравнению го
Σολ1» „ - ХЛ_ где т представляет собой число слоев в покрытии, ηχ представляет собой показатель преломления вещества, формирующего х-й слой, начиная от основы, 1х представляет собой геометрическую толщину х-го слоя, 1С1 представляет собой геометрическую толщину покрытия. Применение вещества с более высоким
- 8 023984 показателем преломления обеспечивает более высокое количество испускаемого или пропускаемого света. Обеспечивается более значительное преимущество, так как разность между показателем преломления покрытия для улучшения пропускания света и показателем преломления основы является существенной.
Вещество, формирующее по меньшей мере один слой покрытия для улучшения пропускания света, содержит по меньшей мере одно диэлектрическое соединение и/или по меньшей мере одно электропроводящее соединение. Термин диэлектрическое соединение, как понимается, означает по меньшей мере одно соединение, выбранное из следующих:
оксиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Υ, Τι, Ζτ, Н£, V, N6. Та, Сг, Мо, У, Νί, Ζη, А1, Оа, Ιη, δί, Ое, δη, δ6, Βί, а также смешанный оксид по меньшей мере двух из них, нитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из бора, алюминия, кремния, германия, а также смешанного нитрида по меньшей мере двух из них;
оксинитрид кремния, оксинитрид алюминия, смешанный оксинитрид кремния-алюминия; оксикарбид кремния.
Если присутствует, диэлектрическое соединение предпочтительно содержит оксид иттрия, оксид титана, оксид циркония, оксид гафния, оксид ниобия, оксид тантала, оксид цинка, оксид олова, оксид алюминия, нитрид алюминия, нитрид кремния и/или оксикарбид кремния.
Термин проводящий, как понимается, относится к соединению, выбранному из следующих: оксиды, субстехиометрические по кислороду и легированные оксиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τι, Ζτ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, У, Ζη, А1, Оа, Ιη, δί, Ое, δη, δ6, Βί, а также смешанный оксид, субстехиометрические по кислороду и смешанный легированный оксид по меньшей мере двух из них;
легированные нитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из бора, алюминия, кремния, германия, а также смешанный легированный нитрид по меньшей мере двух из них;
легированный оксикарбид кремния;
легирующие агенты предпочтительно содержат по меньшей мере один из элементов, выбранных из А1, Оа, Ιη, δη, Ρ, δ6, Ρ. В случае оксинитрида кремния легирующие агенты содержат В, А1 и/или Оа.
Проводящее соединение предпочтительно содержит по меньшей мере ΙΤΟ и/или легированный оксид олова, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из Ρ и δ6, и/или легированный оксид цинка, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из А1, Оа, δη, Τι. В соответствии с предпочтительным вариантом выполнения настоящего изобретения неорганическое химическое соединение содержит по меньшей мере ΖηΟχ (где х <1) и/или ΖηχδηγΟζ (где х + у>3 и ζ<6). ΖηχδηγΟζ предпочтительно составляет самое большое 95% от общей массы металлов, присутствующих в слое.
Металлический проводящий слой электрода, формирующий часть пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению, главным образом обеспечивает электрическую проводимость указанного электрода. Он содержит по меньшей мере один слой, состоящий из металла или смеси металлов. Общий термин смесь металлов обозначает комбинации по меньшей мере двух металлов в форме сплава или легирование по меньшей мере одного металла по меньшей мере одним другим металлом, где металл и/или смесь металлов содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Ρά, Ρΐ, Си, Ад, Аи, А1. Металл и/или смесь металлов предпочтительно содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Си, Ад, Аи, А1. Более предпочтительно металлический проводящий слой содержит по меньшей мере Ад в чистом виде или в виде сплава с другим металлом. Другой металл предпочтительно содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Аи, Ρά, А1, Си, Ζη, Сб, Ιη, δί, Ζτ, Мо, Νί, Сг, Мд, Μη, Со, δη. Более предпочтительно другой металл содержит по меньшей мере Ρ6 и/или Аи, предпочтительно Ρά. Авторы настоящего изобретения обнаружили, что геометрическая толщина металлического проводящего слоя должна быть по меньшей мере равна 6.0 нм, для того чтобы получить хорошую проводимость электрода, другими словами низкое электрическое сопротивление.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения покрытие для улучшения пропускания света электрода, образующего часть пропускающей свет проводящей подложки согласно изобретению, содержит по меньшей мере один дополнительный кристаллизационный слой, в котором в отношении основы указанным слоем является слой, наиболее удаленный от стопчатой структуры, формирующей указанное покрытие. Этот слой обеспечивает предпочтительный рост металлического слоя, например серебра, формируя металлический проводящий слой и, таким образом, обеспечивает благоприятные электрические и оптические свойства металлического проводящего слоя. Он содержит по меньшей мере одно неорганическое химическое соединение. Неорганическое химическое соединение, формирующее кристаллизационный слой, необязательно имеет высокий показатель преломления. Неорганическое химическое соединение содержит, по меньшей мере, ΖηΟχ (где х< 1) и/или Ζηχδη;Όζ (где х+у> 3 и ζ < 6). Ζη,.δη;ζΟζ предпочтительно содержит самое большее 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается на основе общей массы металлов, присутствующих в слое. Кристаллизационный слой предпочтительно состоит из ΖηΟ. Так как слой, имеющий свойства улучшения пропускания света, имеет, как правило, большую толщину, чем общепринятая в области многослойных проводящих покрытий (напри- 9 023984 мер, покрытие низкоэмиссионного типа), толщина кристаллизационного слоя должна быть адаптирована или увеличена, чтобы обеспечить металлический проводящий слой с хорошей проводимостью и очень низким поглощением.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения геометрическая толщина кристаллизационного слоя по меньшей мере равна 7% от общей геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света и предпочтительно 11%, более предпочтительно 14%. Например, в покрытии для улучшения пропускания света, содержащем слой для улучшения пропускания света и кристаллизационный слой, геометрическая толщина слоя для улучшения пропускания света должна быть уменьшена, если геометрическая толщина кристаллизационного слоя увеличивается, чтобы удовлетворять отношению между геометрической толщиной металлического проводящего слоя и оптической толщиной покрытия для улучшения пропускания света.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения кристаллизационный слой объединяется по меньшей мере с одним слоем для улучшения пропускания света, формируя покрытие для улучшения пропускания света.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения покрытие для улучшения пропускания света содержит по меньшей мере один дополнительный барьерный слой, где в дополнение к рассеивающему слою указанный барьерный слой представляет собой слой наиболее близкий с стопчатой структуре, формирующей указанное покрытие. Этот слой в частности обеспечивает защиту электрода от какого-либо загрязнения путем миграции щелочных веществ из основы, например, изготовленной из известково-натриевого стекла, или от рассеивающего слоя и, таким образом, обеспечивает увеличение срока службы электрода. Барьерный слой содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из следующих:
оксид титана, оксид циркония, оксид алюминия, оксид иттрия, а также смешанный оксид по меньшей мере двух из них;
смешанный оксид цинка-олова, цинка-алюминия, цинка-титана, цинка-индия, олова-индия; нитрид кремния, оксинитрид кремния, оксикарбид кремния, оксикарбонитрид кремния, нитрид алюминия, оксинитрид алюминия, смешанный нитрид алюминия-кремния, смешанный оксинитрид алюминия-кремния;
где этот барьерный слой может быть легирован оловом или сплавлен с ним.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения барьерный слой объединен с по меньшей мере одним слоем для улучшения пропускания света, формируя покрытие для улучшения пропускания света.
Согласно предпочтительному варианту выполнения барьерного и кристаллизационного слоев по меньшей мере один из этих двух дополнительных слоев объединен по меньшей мере с одним слоем для улучшения пропускания света, формируя покрытие для улучшения пропускания света.
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что электрод, частично формирующий её, содержит тонкий слой для гомогенизации расположенных на поверхности свойств, которые по отношению к рассеивающему слою расположены на вершине многослойной стопчатой структуры, формирую щей указанный электрод. Основной функцией тонкого слоя для гомогенизации поверхностных электрических свойств является то, что он обеспечивает равномерный перенос заряда по всей поверхности электрода. На равномерный перенос указывает сбалансированный поток испускаемого света в каждой точке поверхности. Он также способствует увеличению срока службы устройства ОБЕЭ. так как этот перенос является одинаковым в каждой точке, таким образом, исключая какие-либо возможные места перегрева. Гомогенизированный слой имеет геометрическую толщину по меньшей мере 0.5 нм, предпочтительно по меньшей мере 1.0 нм. Гомогенизированный слой имеет геометрическую толщину самое большее 6.0 нм, предпочтительно самое большее 2.5 нм, более предпочтительно самое большее 2.0 нм. Более предпочтительно гомогенизированный слой составляет 1.5 нм. Поэтому геометрическая толщина гомогенизированного слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя указанными значениями, предпочтительно в интервале от 0.5 до 6.0 нм, более предпочтительно от 1.0 до 2.5 нм, наиболее предпочтительно от 1.0 до 2.0 нм. Гомогенизированный слой содержит по меньшей мере один слой, состоящий по меньшей мере из одного не органического вещества, выбранного из металла, нитрида, оксида, карбида, оксинитрида, оксикарбида, карбонитрида, оксикарбонитрида.
Согласно первому конкретному практическому примеру предшествующего варианта выполнения настоящего изобретения, неорганическое вещество гомогенизированного слоя состоит из одного металла или смеси металлов. Общий термин смесь металлов обозначает комбинации по меньшей мере двух металлов в форме сплава или легирование по меньшей мере одного металла по меньшей мере одним другим металлом. Гомогенизированный слой состоит по меньшей мере из одного элемента, выбранного из Н Ыа, К, Ве, Мд, Са, Ва, 8с, Υ, Τι, Ζτ, НТ, Се, V, ЫЬ, Та, Сг, Мо, №, Мп, Ре, Ки, Со, КБ, 1г, Νί, Р6, Ρΐ, Си, Ад, Аи, Ζη, В, А1, Оа, Ιη, Τ1, С, δί, Ое, δη, РЬ. Металл и/или смесь металлов содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Ы, Ыа, К, Мд, Са, Τι, Ζτ, НТ, V, ЫЬ, Та, Сг, Мо, Мп, Со, Νί, Р6, Ρΐ, Си, Ад, Аи, Ζη, С6, А1, δί, С. Более предпочтительно металл или смесь металлов содержит по меньшей мере один
- 10 023984 элемент, выбранный из С, Τι, Ζτ, Н£, V, N6, Та, Νί, Сг, А1, Ζη. Смесь металлов предпочтительно содержит №Сг и/или Ζη, легированный алюминием. Преимущество, обеспечиваемое этим конкретным примером, состоит в том, что он обеспечивает достижение более хорошего возможного компромисса между электрическими свойствами в результате действия слоя для гомогенизации поверхностных электрических свойств, с одной стороны, и оптическими свойствами, получаемыми в результате улучшающего покрытия, с другой стороны. Применение гомогенизированного слоя, который имеет по возможности самую маленькую толщину, является основным требованием. На самом деле, влияние этого слоя на количество света, испускаемого устройством ΘΤΕΌ, тем меньше, чем ниже его толщина. Поэтому, если слой металлический, то этот гомогенизированный слой отличается от проводящего слоя его более маленькой толщиной, так как эта толщина является недостаточной для обеспечения проводимости. Поэтому предпочтительно гомогенизированный слой имеет геометрическую толщину самое большее 5.0 нм, если он металлический, то есть состоит из одного металла или смеси металлов.
Согласно второму конкретному варианту выполнения настоящего изобретения неорганическое вещество гомогенизированного слоя присутствует в форме по меньшей мере одного химического соединения, выбранного из карбидов, карбонитридов, оксинитридов, окси карбидов, оксикарбонитридов, а также смесей по меньшей мере двух из них. Оксинитриды, оксикарбиды, оксинитриды гомогенизированного слоя могут быть нестехиометрическими, предпочтительно субстехиометрическими по кислороду. Карбидами являются карбиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Мд, Са, Ва, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, Се, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Ре, Со, Кй, 1г, Νί, Рб, Ρΐ, Си, Аи, Ζη, Сб, В, А1, δί, Се, δη, РЬ, предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Μη, Со, Νί, Рб, Ρΐ, Си, Аи, Ζη, Сб, А1, δί, более предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Νί, Сг, Ζη, А1. Карбонитридами являются карбонитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Мо, А, Ре, Со, Ζη, В, А1, δί, предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Со, Ζη, А1, δί, более предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Ζη, А1. Оксинитридами являются оксинитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Мд, Са, δτ, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Ре, Со, Кй, 1г, №, Си, Аи, Ζη, В, А1, Са, Ιη, δί, Се, предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Со, №, Си, Аи, Ζη, А1, δί, более предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Ζη, А1. Оксикарбидами являются оксикарбиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Мд, Са, δτ, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Мо, А, Мп, Ре, №, Ζη, δί, Се, предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Мо, А, Мп, №, Ζη, А1, δί, более предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Ζη, А1. Оксикарбонитридами являются оксикарбонитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Мо, А, Мп, Ζη, В, А1, δί, Се, предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Мо, А, Мп, Ζη, А1, δη, более предпочтительно по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Сг, Ζη, А1. Карбиды, карбонитриды, оксинитриды, оксикарбиды, оксикарбонитриды слоя для гомогенизации поверхностных электрических свойств возможно содержат по меньшей мере один легирующий элемент. В предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения тонкий гомогенизированный слой содержит по меньшей мере один оксинитрид, состоящий из по меньшей мере одного элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Сг, Мо, А, Мп, Со, №, Си, Аи, Ζη, А1, δί. Более предпочтительно тонкий слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств содержит по меньшей мере один оксинитрид, выбранный из оксинитрида титана, оксинитрида циркония, оксинитрида никеля, №Сг оксинитрида.
Согласно третьему конкретному варианту выполнения настоящего изобретения неорганическое вещество гомогенизированного слоя присутствует в форме по меньшей мере одного нитрида металла по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Мд, Са, δτ, Ва, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Ре, Ки, Οδ, Со, Кй, 1г, №, Рб, Ρΐ, Си, Ад, Аи, Ζη, Сб, В, А1, Са, Ιη, δί, Се, δη. Предпочтительно гомогенизированный слой содержит по меньшей мере один нитрид элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Со, №, Рб, Р1. Си, Ад, Аи, Ζη, Сб, А1, δί. Более предпочтительно нитрид содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, №, Сг, А1, Ζη. Более предпочтительно тонкий слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств содержит по меньшей мере нитрид титана, нитрид циркония, нитрид никеля, №Сг нитрид.
Согласно четвертому конкретному варианту выполнения настоящего изобретения неорганическое вещество гомогенизированного слоя присутствует в форме по меньшей мере одного оксида металла по меньшей мере одного элемента, выбранного из Ве, Мд, Са, δτ, Ва, 8с, Υ, Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Ре, Ки, Οδ, Со, Кй, 1г, №, Рб, РГ Си, Ад, Аи, Ζη, Сб, В, А1, Са, Ιη, δί, Се, δη, Р6. Предпочтительно гомогенизированный слой содержит по меньшей мере один оксид элемента, выбранного из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, Сг, Мо, А, Мп, Со, №, Рб, РЬ Си, Ад, Аи, Ζη, Сб, А1, Ιη, δί, δη. Более предпочтительно оксид содержит по меньшей мере один элемент, выбранный из Τί, Ζγ, Н£, V, N6, Та, №, Си, Сг, А1, Ιη, δη, Ζη. Оксид гомогенизированного слоя может быть субстехиометрическим по кислороду. Оксид возможно содержит по меньшей мере один легирующий элемент. Предпочтительно легирующий элемент выбирается
- 11 023984 по меньшей мере из одного элемента, выбранного из А1, Са, Ιη, δη, §Ь, Р, Ад. Более предпочтительно тонкий слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств содержит по меньшей мере оксид титана, и/или оксид циркония, и/или оксид никеля, и/или №Ст оксид, и/или ΙΤΟ, и/или легированный оксид меди, где легирующим агентом является Ад, и/или легированный оксид олова, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из Р и §Ь, и/или легированный оксид цинка, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из А1, Са, δη, Τί.
В конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что электрод, частично формирующий её, содержит по меньшей мере один дополнительный монтажный слой, расположенный между металлическим проводящим слоем и тонким гомогенизированным слоем. Слой, вставленный между металлическим проводящим слоем и гомогенизированным слоем содержит по меньшей мере один слой, состоящий из по меньшей мере одного диэлектрического соединения и/или по меньшей мере одного электропроводящего соединения. Предпочтительно монтажный слой содержит по меньшей мере один слой, состоящий из по меньшей мере одного проводящего соединения. Функция этого монтажного слоя состоит в формировании оптического резонатора, который делает металлический проводящий слой прозрачным. Термин диэлектрическое соединение, как понимается, означает по меньшей мере одно соединение, выбранное из следующих:
оксиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Υ, Τί, Ζτ, Ηί, V, ΝΕ Та, Сг, Мо, Ζη, А1, Са, Ιη, δί, Се, δη, 8Ь, Βί, а также смешанный оксид по меньшей мере двух из них;
нитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из бора, алюминия, кремния, германия, а также смешанный нитрид по меньшей мере двух из них;
оксинитрид кремния, оксинитрид алюминия, смешанный оксинитрид кремния-алюминия; оксикарбида кремния.
Диэлектрическое соединение, если присутствует, предпочтительно содержит оксид иттрия, оксид титана, оксид циркония, оксид гафния, оксид ниобия, оксид тантала, оксид цинка, оксид олова, оксид алюминия, нитрид алюминия, нитрид кремния и/или оксикарбид кремния.
Термин проводящее, как понимается, относится к соединению, выбранному из следующих: оксиды, субстехиометрические по кислороду, и легированные оксиды по меньшей мере одного элемента, выбранного из Υ, Τί, Ζτ, Ηί, V, ΝΕ Та, Сг, Мо, Ζη, А1, Са, Ιη, δί, Се, δη, δΕ Βί, а также смешанные субстехиометрические по кислороду оксиды, смешанные легированные оксиды по меньшей мере двух из них;
легированные нитриды по меньшей мере одного элемента, выбранного из бора, алюминия, кремния, германия, а также смешанный легированный нитрид по меньшей мере двух из них;
легированный оксикарбид δί;
легирующие агенты предпочтительно содержат по меньшей мере один из элементов, выбранных из А1, Са, Ιη, δη, Ρ, δΕ Р. В случае оксинитрида кремния легирующие агенты со держат В, А1 и/или Са.
Проводящее соединение предпочтительно содержит по меньшей мере ΙΤΟ и/или легированный оксид олова, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из Р и δΕ и/или легированный оксид цинка, где легирующим агентом является по меньшей мере один элемент, выбранный из А1, Са, δη, Τί. Согласно предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения неорганическое химическое соединение содержит по меньшей мере ΖηΟχ (где х <1) и/или ΖηχδηγΟζ (где х+у>3 и ζ<6). ΖηχδηγΟζ предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, и массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое.
В конкретном варианте предшествующего варианта выполнения на стоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что геометрическая толщина монтажного слоя (Ειη) является такой, что его омическая толщина самое большее равна 1012 Ом, предпочтительно самое большее равна 104 Ом, где омическая толщина равна отношению между удельным сопротивлением вещества, формирующего монтажный слой (ρ), с одной стороны, и геометрической толщиной этого слоя (Ι), с другой стороны, геометрическая толщина монтажного слоя, более того, связана с геометрической толщиной первого органического слоя органического светоизлучающего устройства (Еогд), термин первый органический слой обозначает все органические слои, расположенные между монтажным слоем и органическим светоизлучающим слоем, по уравнению: Еогд=А-Ет, где А представляет собой константу, имеющую значение в интервале от 5,0 до 75,0 нм, предпочтительно от 20,0 до 60,0 нм, более предпочтительно от 30,0 до 45,0 нм. Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что уравнение Еогд=А-Ет неожиданным образом позволяет применять геометрическую толщину первого органического слоя органического светоизлучающего устройства для оптимизации оптических параметров (геометрическая толщина и показатель преломления) монтажного слоя и, таким образом, оптимизировать количество света, пропускаемого при сохранении толщины монтажного слоя, сопоставимой с электрическими свойствами, которые позволяют избежать высокого напряжения зажигания, то есть первого максимума яркости.
В другом конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводя- 12 023984 щая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что геометрическая толщина монтажного слоя (Е1П) является такой, что его омическая толщина самое большее равна 1012 Ом, предпочтительно самое большее равна 104 Ом, где омическая толщина равна отношению между удельным сопротивлением вещества, формирующего монтажный слой (ρ), с одной стороны; геометрической толщиной этого слоя (I), с другой стороны; и геометрическая толщина монтажного слоя, более того, связана с геометрической толщиной первого органического слоя органического светоизлучающего устройства (Еогд), термин первый органический слой обозначает все органические слои, расположенные между монтажным слоем и органическим светоизлучающим слоем, по уравнению: Еогд=С-Ет, где С представляет собой константу, имеющую значение в интервале от 150,0 до 250,0 нм, предпочтительно от 160,0 до 225,0 нм, более предпочтительно от 75,0 до 205,0 нм. Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что уравнение Еогд=С-Е1П позволяет применять геометрическую толщину первого органического слоя органического светоизлучающего устройства для оптимизации оптических параметров (геометрическая толщина и показатель преломления) монтажного слоя и, таким образом, оптимизировать количество света, пропускаемого при сохранении толщины монтажного слоя, сопоставимой с электрическими свойствами, которые позволяют избежать высокого напряжения зажигания, то есть второго максимума яркости.
В другом конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что металлический проводящий слой электрода содержит по меньшей мере один защитный слой по меньшей мере на одной из его сторон. Защитный слой, как понимается, означает слой, который может быть полностью или частично окислен или нитрирован. Этот слой позволяет избежать повреждения металлического проводящего слоя, в частности, в результате окисления или нитрирования. Более того, хотя он может быть расположен между металлическим проводящим слоем и кристаллизационным слоем, присутствие этого защитного слоя совместимо с действием кристаллизационного слоя. Защитный слой, если присутствует, содержит по меньшей мере одно соединение, выбранное из металлов, нитридов, оксидов, субстехиометрических по кислороду оксидов металлов. Предпочтительно металлы, нитриды, оксиды, субстехиометрические по кислороду оксиды металлов содержат по меньшей мере один элемент, выбранный из Τι, Ζτ, Н£, V, N6. Та, Сг, Мо, А, Мп, Ре, Со, Νί, Си, Ζη, А1. Защитный слой предпочтительно содержит по меньшей мере Τι, Ζτ, Νί, Ζη, Α1. Наиболее предпочтительно защитный слой содержит по меньшей мере Τι, ΤίΘχ (где χ < 2), №Ст, МСЮ» ΤίΖτΟχ (ΤίΖτΘχ обозначает слой оксида титана с 50 мас.% оксида циркония), ΖηΑ1Οχ (ΖηΑ1Οχ обозначает слой оксида цинка с 25 мас.% оксида алюминия). Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения в соответствии с изложенным выше, толщина защитного слоя имеет геометрическую толщину по меньшей мере 0.5 нм. Толщина защитного слоя содержит толщину самое большее 6.0 нм, предпочтительно самое большее 5.0 нм. Более предпочтительно, если толщина равна 2.5 нм. Поэтому геометрическая толщина защитного слоя предпочтительно содержится в интервале между двумя вышеуказанными значениями, предпочтительно в интервале от 0.5 до 6.0 нм, более предпочтительно от 0.5 до 5 нм. Согласно предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения защитный слой располагается на лицевой стороне металлического проводящего слоя, наиболее удаленной от основы.
В другом конкретном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению является такой, что стопчатая структура, содержащая основу и рассеивающий слой, на которой располагается электрод, содержит по меньшей мере одно функциональное покрытие на стороне, противоположной стороне, на которой располагается электрод. Это покрытие содержит по меньшей мере одно покрытие, выбранное из противоотражающего слоя или многослойной стопчатой структуры, диффузионного слоя, незатуманивающего или предупреждающего загрязнение слоя, оптического фильтра, в частности слоя из оксида титана, селективного поглощающего слоя, системы микролинз, такой как описано в статье Ьт и Со11., например, в Орйск Ехртекк, 2008, уо1. 16, по. 15, рр. 11044-11051 или в документе И8 2003/0020399 А1, стр. 6.
В предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению, по существу, имеет следующую структуру, начиная с прозрачной или сверхпрозрачной стеклянной основы:
рассеивающий слой, сформированный поверх прозрачной основы и содержащий стекло, которое содержит основное вещество, имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны света, который пропускается, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, причем указанный рассеивающий слой имеет геометрическую толщину в интервале от 10 до 60 мкм, покрытие для улучшения пропускания света, содержащее слой для улучшения пропускания света, изготовленный из ΤίΟ2 (объединенный с барьерным слоем), кристаллизационный слой, изготовленный из ΖηΟ или ΖηχδηγΟζ (где х+у>3 и ζ<6), металлический проводящий слой, изготовленный из Ад, где геометрическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света, и геометрическая толщина металлического проводя- 13 023984 щего слоя связаны уравнением
ТмЕ - Тме_0 + [В * 51П(ТТ*То-|/То1_о)]/(ПОСн<>ва)3 где ТМЕ 0, В и ТС1 0 являются константами, и ТМЕ 0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, предпочтительно 10.0 до 23.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм и ТС1 0 имеет значение в интервале от 23.9/Цл до 28.3/Цл нм, где По1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и η основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Предпочтительно константы ТМЕ 0, В и ТС1 0 являются такими, что ТМЕ 0 имеет значение в интервале от 10.0 до 23.0 нм, предпочтительно 10.0 до 22.5 нм, более предпочтительно от 11.5 до 22.5 нм, В имеет значение в интервале от 11.5 до 15.0 и Ты_0 имеет значение в интервале от 24.8/пС1 до 27.3/пС1 нм. Более предпочтительно константы ТМЕ 0, В и ТС1 0 являются такими, что ТМЕ_0 имеет значение в интервале от 10.0 до 23.0 нм, предпочтительно от 10.0 до 22.5 нм, более предпочтительно от 11.5 до 22.5 нм, В имеет значение в интервале от 12.0 до 15.0, и Ты_0 имеет значение в интервале от 24.8/пС1 до 27.3/пС1 нм, защитный слой: геометрическая толщина 1.0-3.0 нм, изготовлен из Т1 или ТЮх (х <2), монтажный слой: геометрическая толщина 3.0-20.0 нм, изготовленный из 2пх§пуОг (где х+у>3 и ζ<6), гомогенизированный слой: геометрическая толщина 0.5-3.0 нм, изготовленный их X, нитрида X, оксинитрида X, где X: ΊΊ, Ζτ, Н£, V, N0. Та, Νί, Рй, Сг, Мо, А1, Ζπ. №Ст или Ζιι легированного А1.
В предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению, по существу, имеет следующую структуру, начиная с прозрачной или сверхпрозрачной стеклянной основы:
рассеивающий слой, сформированный поверх прозрачной основы и содержащий стекло, которое содержит основное вещество, имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны света, который пропускается, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, причем указанный рассеивающий слой имеет геометрическую толщину в интервале от 10 до 60 мкм, покрытие для улучшения пропускания света:
слой для улучшения пропускания света, изготовленный из ТЮ2 (объединенный с барьерным слоем), кристаллизационный слой, изготовленный из ΖηО или Ζηx§ηуОζ (где х+у>3 и ζ<6), геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света меньшей мере равна 50.0 нм, предпочтительно по меньшей мере равна 60.0 нм, более предпочтительно по меньшей мере равна 70.0 нм и самое большее равна 100 нм, предпочтительно самое большее равна 90.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 80.0 нм, поэтому геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно находится в интервале между двумя вышеуказанными значениями, предпочтительно в интервале от 50.0 до 100.0 нм, более предпочтительно от 60.0 до 90.0 нм, наиболее предпочтительно от 70.0 до 80.0 нм, металлический проводящий слой, изготовленный из Ад, где геометрическая толщина металлического проводящего слоя, по меньшей мере. равна 6.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 8.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 10.0 нм и самое большое равна 22.0 нм, предпочтительно самое большее равна 20.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 18.0 нм, поэтому геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя вышеуказанными значениями, предпочтительно в интервале от 6.0 до 22.0 нм, более предпочтительно от 8.0 до 20.0 нм, наиболее предпочтительно от 10.0 до 18.0 нм, защитный слой: геометрическая толщина 1.0-3.0 нм, изготовлен из Т или ТЮх (х <2), монтажный слой: геометрическая толщина 3.0-20.0 нм, изготовлен из Ζηx§ηуОζ (где х+у>3 и ζ<6), гомогенизированный слой: геометрическая толщина 0.5-3.0 нм, изготовлен из X, нитрида X, оксинитрида X, где X - Т1, Ζτ, Н£, V, N6, Та, Νί, Рй, Сг, Мо, А1, Ζιι №Ст или Ζιι легированный алюминием. легированного А1.
В предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению, по существу, имеет следующую структуру, начиная с прозрачной или сверхпрозрачной стеклянной основы:
рассеивающий слой, сформированный поверх прозрачной основы и содержащий стекло, которое содержит основное вещество, имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны света, который пропускается, и множество рассеивающих веществ, диспергированных в основном веществе и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, причем указанный рассеивающий слой имеет геометрическую толщину в интервале от 10 до 60 мкм, покрытие для улучшения пропускания света:
слой для улучшения пропускания света, изготовленный из ТЮ2 (объединенный с барьерным слоем), кристаллизационный слой, изготовленный из ΖηО или Ζηx§ηуОζ (где х+у>3 и ζ<6),
- 14 023984 геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света, по меньшей мере, равна 20.0 нм и самое большее равна 40.0 нм, металлический проводящий слой, изготовленный из Ад, где геометрическая толщина металлического проводящего слоя, по меньшей мере, равна 16.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 18.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 20.0 нм и самое большее равна 29.0 нм, предпочтительно самое большее равна 27.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 25.0 нм, поэтому геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя вышеуказанными значениями, предпочтительно в интервале от 16.0 до 29.0 нм, более предпочтительно от 18.0 до 27.0 нм, наиболее предпочтительно от 20.0 до 25.0 нм, защитный слой: геометрическая толщина 1.0-3.0 нм, изготовлен из Т1 или ТЮХ (х <2), монтажный слой: геометрическая толщина 3.0-20.0 нм, изготовлен из 2пх§ПуО2 (где х+у>3 и ζ<6), гомогенизированный слой: геометрическая толщина 0.5-3.0 нм, изготовлен из X, нитрид X, оксинитрид X, где X - Т1, Ζγ, Ηί, V, N6, Та, Νί, Ρά, Сг, Μο, А1, Ζη, №Сг или Ζη, легированный алюминием.
Варианты выполнения пропускающей свет проводящей подложки не ограничиваются вариантами, указанными выше, но могут быть в равной степени образованы путем комбинации двух или более из них.
Второй объект настоящего изобретения относится к способу получения пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению. Эта подложка содержит основу, рассеивающий слой и электрод. Способом получения пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению является способ, в котором рассеивающий слой получают следующим образом.Оксид, фосфат, метафосфат, карбонат, нитрат, гидроксид или другие вещества применяются в качестве исходных веществ для получения рассеивающего слоя. Прежде всего, они отмеряются, чтобы получить предопределенные количества, и собранные вещества смешиваются. Затем смешанные вещества расплавляются при температуре от 950 до 1500°С путем применения платинового тигеля и так далее. Затем расплавленные вещества переливаются в форму или зазор двойного ролика. Перелитые вещества быстро охлаждаются, чтобы получить стекло по изобретению. Также возможно постепенное охлаждение для предотвращения деформации. Изобретение применяется в форме стеклянной фритты, которая была получена вышеописанным способом. Стекло разрушается с применением мельницы, шаровой мельницы, измельчения струйной мельницей или классифицируется, если необходимо, с получением стеклянной фритты. Среднемассовый размер частиц стеклянной фритты, как правило, составляет от 0.5 до 10 мкм. Поверхность стеклянной фритты может быть реформирована поверхностно-активным веществом или силановым связующим агентом. Если необходимо, также возможно смешать растворитель, связующее и т.д. и эту стеклянную фритту. Смешанная стеклянная фритта наносится на прозрачную основу и обжигается при температуре более высокой, чем около 60°С, по сравнению с температурой стеклования стеклянной фритты, чтобы вызвать размягчение стеклянной фритты. После охлаждения до комнатной температуры получают прозрачную основу с рассеивающим слоем. В качестве растворителя могут применяться растворители любого типа (бутилкарбитол (ВС), бутилкарбитол ацетат (ВСА), диэтиленгликоля простой ди-н-бутиловый эфир, дипропиленгликоля простой дибутиловый эфир, трипропиленгликоля простой бутиловый эфир и бутилцеллюлозный ацетат), растворители спиртового типа (α-терпинеол, хвойное масло и дованол (Όο^αηοΐ)), растворитель сложноэфирного типа (2,2,4-триметил-1,3-пентандиолмоноизобутират) и растворители типа сложного эфира фталевой кислоты (ΌΒΡ (дибутилфталат), ΌΜΡ (диметилфталат) и ИОР (диоктилфталат)). Главным образом применяются α-терпинеол и 2,2,4-триметил-1,3-пентандиолмоноизобутират. ΌΒΡ (дибутилфталат), ΌΜΡ (диметилфталат) и ^ОΡ (диоктилфталат) попутно также действуют в качестве пластификатора. В качестве связующего применяются этилцеллюлоза, нитроцеллюлоза, акриловая смола, винилацетатная смола, поливинилбутираль, меламиновая смола, алкидная смола, канифоль и тому подобное. В качестве основных смол применяются этилцеллюлоза и нитроцеллюлоза. Кроме того, поливинилбутираль, меламиновая смола, алкидная смола и канифоль применяются в качестве добавок для улучшения прочности покрывающей пленки. В диапазоне, при котором достигается цель настоящего изобретения, могут вводиться любые ингредиенты, отличные от связующего или растворителя. В случае, когда применяется связующее до размягчения стеклянной фритты, желательно проводить процесс обжига при температуре, которая ниже температуры стеклования и испарения связующего. Авторы настоящего неожиданно обнаружили, что предпочтительное значение температуры обжига лежит в интервале от 530 до 580°С.
Электрод получают путем осаждения на рассеивающий слой по меньшей мере одного слоя стопчатой структуры, составляющей указанный электрод, с помощью способа, выбранного из катодных способов распыления, возможно с применением магнитного поля, методов осаждения с применением плазмы, С'УЭ (химического осаждения из паровой фазы) и/или ΡνΌ (физического осаждения из паровой фазы). Способ осаждения предпочтительно проводится под вакуумом. Термин под вакуумом обозначает давление ниже или равное 2.0 Па. Более предпочтительно процессом под вакуумом является метод магнетронного распыления. Способ получения пропускающей свет проводящей подложки содержит непре- 15 023984 рывный способ, в котором каждый слой, формирующий электрод, осаждается сразу после нижележащего слоя в многослойной стопчатой структуре (например, осаждение стопчатой структуры, формирующей электрод согласно настоящему изобретению, на основу, которой является движущаяся лента, или осаждение стопчатой структуры на основу, которой является панель). Способ получения также содержит периодический процесс, в котором временной интервал (например, в форме хранения) разделяет осаждение одного слоя и лежащего под ним слоя в стопчатой структуре, формирующей электрод.
Согласно предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения способ получения пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению является таким, что он проводится в трех фазах следующим образом:
осаждение рассеивающего слоя на прозрачную основу, осаждение основы покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света, осаждение металлического проводящего слоя непосредственно после осаждения других функциональных элементов, формирующих систему ОБЕЭ.
Согласно другому предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения способ получения пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению является таким, что он проводится в трех фазах следующим образом:
осаждение рассеивающего слоя на прозрачную основу, осаждение основы покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света через электрод, металлического проводящего слоя, защитного слоя, монтажного слоя, осаждение гомогенизированного слоя с последующим непосредственным осаждением других функциональных элементов системы ОБЕЭ.
Если гомогенизированный слой или металлический проводящий слой осаждаются на более поздней стадии, органическая часть устройства ОБЕЭ осаждается непосредственно после осаждения гомогенизированного слоя или металлического проводящего слоя, то есть без оставления незащищенным гомогенизированного слоя или металлического проводящего слоя до осаждения органической части устройства ОБЕЭ. Преимущество, обеспечиваемое этими способами, состоит в том, что можно избежать окисления проводящего и гомогенизированного слоев, когда эти слои сделаны из металла.
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств на основе оксидов и/или оксинитридов можно получить прямым осаждением. Согласно альтернативному примеру гомогенизированный слой на основе оксидов и/или оксинитридов может быть получен путем окисления металлов и/или соответствующих нитридов (например, Τι окисляется до оксида Τι, нитрид Τι окисляется до оксинитрида Τι). Это окисление может происходить сразу или в течение долгого времени после осаждения гомогенизированного слоя. Окисление может быть естественным (например, через взаимодействие с окислительным соединением, присутствующим в ходе процесса получения или в ходе хранения электрода до завершения получения ОБЕЭ) или может быть результатом операции, относящейся к последующей обработке (например, обработка в озоне под ультрафиолетовым светом).
Согласно альтернативному варианту выполнения настоящего изобретения способ содержит дополнительную стадию структурирования поверхности электрода. Структурирование электрода отличается от структурирования основы. Эта дополнительная стадия состоит из формования поверхности и/или декорирования поверхности электрода. Способ формования поверхности электрода содержит, по меньшей мере, гравировку лазером или травление. Способ декорирования содержит, по меньшей мере, операцию маскировки. Маскировка представляет собой операцию, в ходе которой часть, по меньшей мере, поверхности электрода покрывается защитным покрытием в качестве части относящегося к последующей обработки процесса, например травление непокрытых частей.
Согласно третьему объекту настоящего изобретения пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению включается в устройство ОБЕО. которое излучает свет.
Согласно вариации предшествующего варианта выполнения настоящего изобретения органическое светоизлучающее устройство содержит систему ОБЕЭ выше подложки согласно настоящему изобретению в целях излучения квазибелого света. Возможны несколько способов получения квазибелого света: путем смешения внутри одного органического слоя соединений, которые излучают красный, зеленый и синий свет, путем ламинирования трех структур органических слоев, соответствующих соответственно частям излучателя красного, зеленого и синего света, или двух структур органических слоев (желтое и синие излучение), путем соединения трех (красное, зеленое и синие излучение) или двух (желтое и синие излучение) структур органических слоев, соединенных с системой рассеяния света.
Термин квазибелый свет, как понимается, означает свет, в котором при перпендикулярном к поверхности подложки излучением координаты цветности при 0° содержатся в одном из восьми четырехугольников цветности, причем контуры четырехугольников определены. Эти четырехугольники определены на стр. 10-12 стандарта А№1_№МА_А№ЬО С78.377-2008. Эти четырехугольники показаны на фиг. Α1, часть 1, озаглавленная Графическое представление характеристик цветности §§Ь продуктов в табл. 1, на графике цветности С1Е (х,у).
Согласно конкретному варианту выполнения настоящего изобретения органическое светоизлучаю- 16 023984 щее устройство встроено в остекление, двойное остекление или ламинированное остекление. Также возможно встроить несколько органических светоизлучающих устройств, предпочтительно большое число органических светоизлучающих устройств.
Согласно другому конкретному варианту выполнения настоящего изобретения органическое светоизлучающее устройство вставляется по меньшей мере в один инкапсулирующий материал, изготовленный из стекла и/или пластмассы. Разные варианты выполнения органических светоизлучающих устройств могут быть объединены.
Наконец, различные органические светоизлучающие устройства имеют широкую область применения. Настоящее изобретение в частности касается возможных применений этих органических светоизлучающих устройств при формировании одной или более светящихся поверхностей. Термин светящаяся поверхность включает, например, светящиеся плитки, световые табло, светящиеся секции, рабочие поверхности, оранжереи, карманные фонари, основы экранов, основы для ящиков, светящуюся кровлю, сенсорные экраны, лампы, системы вспышке на камерах, светящиеся основы для дисплеев, охранные освещения и полки.
Пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению далее иллюстрируется с помощью следующих чертежей. Чертежи неограничивающим образом показывают некоторые структуры подложек. Эти чертежи предназначены только для иллюстрации и не предназначены для ограничения структур.
Фиг. 1 показывает поперечное сечение пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению, где указанная подложка содержит основу, рассеивающий слой и электрод, сформированный из стопчатой структуры, состоящей из минимального числа слоев.
Фиг. 2 показывает поперечное сечение пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению во втором варианте выполнения настоящего изобретения.
Фиг. 3 показывает поперечное сечение пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению, где подложка содержит основу, имеющую барьерный слой, рассеивающий слой и электрод, сформированный из стопчатой структуры, состоящей из минимального числа слоев, и с отличной функцией.
Фиг. 4 показывает поперечное сечение пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению в предпочтительном варианте выполнения настоящего изобретения.
Фиг. 5 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу с показателем преломления 1.4 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света с показателем преломления 2.3 при длине волны 550 нм и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад.
Фиг. 6 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу с показателем преломления 1.5 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света с показателем преломления 2.3 при длине волны 550 нм и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад.
Фиг. 7 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу с показателем преломления 1.6 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света с показателем преломления 2.3 при длине волны 550 нм и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад.
Фиг. 8 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу с показателем преломления 1.8 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света с показателем преломления 2.3 при длине волны 550 нм и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад.
Фиг. 9 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу с показателем преломления 2.0 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света с показателем преломления 2.3 при длине волны 550 нм и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад.
Фиг. 10 показывает фотолюминесценцию как функцию от спектра длин волн монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне красного света.
Фиг. 11 показывает фотолюминесценцию как функцию от спектра длин волн монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне зеленого света.
Фиг. 12 показывает фотолюминесценцию как функцию от спектра длин волн монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне синего света.
Фиг. 13 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической
- 17 023984 толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для красного света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 1.5.
Фиг. 14 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для зеленого света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 1.5.
Фиг. 15 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для синего света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 1.5.
Фиг. 16 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для красного света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 2.0.
Фиг. 17 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для зеленого света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 2.0.
Фиг. 18 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, как функцию от геометрической толщины и показателя преломления слоя для улучшения пропускания света электрода согласно настоящему изобретению, для синего света, где металлический проводящий слой из Ад имеет геометрическую толщину, равную 12.5 нм, и основа имеет показатель преломления 2.0.
Фиг. 19 показывает развитие модулированного отражения, выраженного Ό65 2° в соответствии с Европейским стандартом ЕЫ 410, подложки без рассеивающего слоя и имеющей прозрачную основу, причем указанная основа имеет показатель преломления 1.5 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света и геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад, где указанный проводящий слой подложки также содержит защитный слой из ТОХ, который имеет геометрическую толщину 3.0 нм, и монтажный слой из 2пх§пуОх (где х+у>3 и ζ<6), который имеет геометрическую толщину 14.7 нм, где монтажный слой покрывается органической средой с показателем преломления 1.7 при длине волны 550 нм.
Фиг. 20 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, содержащего подложку без рассеивающего слоя и имеющую прозрачную основу, причем указанная основа имеет показатель преломления 1.5 при длине волны 550 нм и металлический проводящий слой с геометрической толщиной 12.5 нм, как функцию от геометрических толщин монтажного слоя (Е1п) и первого органического слоя электрода для зеленого света.
Фиг. 21 показывает измерительное устройство для измерения яркости излучаемого света и угловой зависимости цвета излучаемого света.
Фиг. 1 показывает пример стопчатой структуры, формирующей пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению. Пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению (1) имеет следующую структуру, начиная с прозрачной основы (10):
рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ (111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, электрод (12), состоящий из покрытия для улучшения пропускания света (120), содержащего слой для улучшения пропускания света (1201), металлического проводящего слоя (122).
Фиг. 2 показывает альтернативный пример пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению. Она содержит в дополнение к слоям, присутствующим в подложке по фиг. 1, составляющим электрод (12), монтажный слой (123), слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств (124). Пропускающая свет проводящая подложка имеет следующую структуру, начиная с основы (10):
рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере
- 18 023984 для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ (111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, электрод (12), состоящий из покрытия для улучшения пропускания света (120), содержащего слой для улучшения пропускания света (1201), металлического проводящего слоя (122), защитного покрытия (123), гомогенизирующего покрытия (124).
Фиг. 3 показывает другую пропускающую свет подложку согласно настоящему изобретению. Она содержит в дополнение к слоям, уже присутствующим в подложке на фиг. 2, составляющим электрод и дополнительный барьерный слой (1200), дополнительный кристаллизационный слой (1202), принадлежащие покрытию для улучшения пропускания света (120), два рассеивающих слоя (121а, 121Ь). Кроме того, пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению содержит также барьерный слой (9Ь), расположенный между основой (10) и рассеивающим слоем (11), и функциональное покрытие (9а) на второй стороне прозрачной основы (10). Пропускающая свет проводящая подложка имеет следующую структуру, начиная с основы (10):
функциональное покрытие (9а), прозрачная основа (10), барьерный слой на основе (9Ь), рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ(111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, электрод (12), состоящий из покрытия для улучшения пропускания света (120), содержащее барьерный слой (1200), слой для улучшения пропускания света (1201), кристаллизационный слой (1202), защитный слой (121а), металлический проводящий слой (122), защитный слой (121Ь), монтажный слой (123), гомогенизированный слой (124).
Фиг. 4 показывает другой пример пропускающей свет подложки согласно настоящему изобретению. Подложка имеет следующую структуру, начиная с основы (10):
рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ (111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя преломления основного вещества, электрод (12), состоящий из покрытия для улучшения пропускания света (120), содержащее слой для улучшения пропускания света (1201), кристаллизационный слой (1202), защитный слой (121а), металлический проводящий слой (122), защитный слой (121Ь), монтажный слой (123), гомогенизированный слой (124).
Фиг. 5, 6, 7, 8 и 9 показывают развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света (01) с показателем преломления 2.3 (иС1) при длине волны 550 нм, и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад, и содержащего основу с показателем преломления 1.4, 1.5, 1.6, 1.8 и 2.0 соответственно при длине волны 550 нм. Структура органического светоизлучающего устройства содержит следующую структуру:
основа (10), имеющая геометрическую толщину 100.0 нм, электрод (12), покрытие для улучшения пропускания света (120), металлический проводящий слой из Ад (122), органическая часть органического светоизлучающего устройства имеет следующую структуру:
- 19 023984 перфорированный передающий слой, НТЬ, имеющий геометрическую толщину, равную 25.0 нм, электронный блокирующий слой, ЕВЬ, имеющий геометрическую толщину 10.0 нм, эмиссионный слой, излучающий гауссов спектр белого света, соответствующий источнику света А и имеющий геометрическую толщину 16.0 нм, перфорированный блокирующий слой, НВЬ, имеющий геометрическую толщину 10.0 нм, электронный передающий слой, ЕТЬ, имеющий геометрическую толщину 43.0 нм, противоэлектрод из А1, имеющий толщину, равную 100.0 нм.
Эти вычисления показывают, что максимальная яркость достигается для подложки без рассеивающего слоя, такой, что оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света (120), ТС1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя (122), ТМЕ, связаны следующим уравнением:
ТмЕ = Тме_0 + [В * 5ΙΠ (П*То-|/То1_о)]/(П<>Снова)3 где ТМЕ_0, В и ТС1_0 представляют собой константы, ТМЕ_0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм и ТС1_0 имеет значение в интервале от 23.9χηΒι до 28.3хиС1 нм, иС1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и η основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Яркость вычисляется с применением программы §ЕТРО8, версия 3 (полупроводящий эмиссионный тонкопленочный оптический модулятор) от Р1их1ш. Эта яркость выражается как произвольная единица измерения. Эта синусоидальная кривая возникает в форме более толстых линий, показывающих предельные значения в области, выбранной уравнением
Тме = Тме_о + [В * δϊη (π*Τ0ι/Τοι_ο)]/(η основа)
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что выбранная область справедлива не только для устройства, излучающего квазибелый свет, но также для любого типа окрашенного излучения (например, красное, зеленое, синие). Более того, авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что область, выбранная с помощью уравнения
Тме ~ Тме_о + [В * δΐη (тт То1/То1_о)]/(п0снова) для подложки без рассеивающего слоя, могла бы также применяться для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению, содержащей рассеивающий слой, расположенный между основой и электродом.
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что при такой же структуре подложки без рассеивающего слоя (11), применение основы (10) с высоким показателем преломления делает возможным увеличение количества света, излучаемого устройством ОЬЕЭ. Высокий показатель преломления, как понимается, представляет собой показатель преломления, по меньшей мере, равный 1.4, предпочтительно, по меньшей мере, равный 1.5, более предпочтительно, по меньшей мере, равный 1.6, наиболее предпочтительно, по меньшей мере, равный 1.7. На самом деле, сравнение фиг. 5 и 9 показывает увеличение порядка 180% яркости, наблюдаемой для устройства ОБЕЭ. при такой же структуре подложки без рассеивающего слоя, основа с показателем преломления 2.0 применяется вместо основы с показателем преломления 1.4, где показатель преломления основы представляет собой показатель преломления при длине волны 550 нм. Такое же уравнение наблюдается для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Фиг. 10-19, более конкретно фиг. 13-19, относятся к примеру подложки без рассеивающего слоя, которая соответствует проводящему слою из Ад, имеющему геометрическую толщину 12.5 нм. На этих чертежах подложка без рассеивающего слоя включается в устройство ОЬЕП, излучающее красный, зеленый или синий цвет. Структура органического светоизлучающего устройства содержит следующую стопчатую структуру:
основа (10), имеющая геометрическую толщину 100.0 нм, электрод (12), состоящий из покрытия для улучшения пропускания света (120) и металлического проводящего слоя из Ад (122), органическая часть органического светоизлучающего устройства имеет следующую структуру: перфорированный транспортирующий слой, НТЬ, имеющий геометрическую толщину 25.0 нм, электронный блокирующий слой, ЕВЬ, имеющий геометрическую толщину 10.0 нм, эмиссионный слой, вызывающий эмиссию спектра красного, зеленого или синего света, координаты цветности которого (х, у) соответственно равны (0.63, 0.36), (0.24, 0.68) или (0.13, 0.31) на колориметрической диаграмме С1Е 1931, согласно которой устройству обеспечивается эмиссия красного, зеленого или синего света, и имеющий геометрическую толщину 16.0 нм, перфорированный блокирующий слой, НВЬ, имеющий геометрическую толщину 10.0 нм, электронный передающий слой, ЕТЬ, имеющий геометрическую толщину 43.0 нм, противоэлектрод из А1, имеющий толщину 100.0 нм.
Фиг. 10, 11 и 12, соответственно, показывают развитие фотолюминесценции как функцию от спек- 20 023984 тра длин волн монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне красного, зеленого или синего света. Основная длина волны, как понимается, означает длину волны, при которой фотолюминесценция находится на её максимуме. Термин монохромный, как понимается, означает, что глазами воспринимается один цвет, причем этот свет не является монохромным как таковой. Фотолюминесценция выражается как отношение между значением фотолюминесценции при длине волны и значением максимальной фотолюминесценции. Поэтому фотолюминесценция представляет собой цифру без единиц в интервале от 0 до 1. Эти чертежи ясно показывают, что свет, излучаемый устройством ОБЕЭ, не может быть просто ограничен до одной длины волны. Фиг. 10 показывает, что длина волны равна 616 нм, фотолюминесценция находится на максимуме в случае монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне красного света. Фиг. 11 показывает, что длина волны равна 512 нм, фотолюминесценция находится на максимуме в случае монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне зеленого света. Фиг. 12 показывает, что длина волны равна 453 нм, фотолюминесценция находится на максимуме в случае монохромного излучения, основная длина волны которого лежит в диапазоне синего света.
Фиг. 13, 14 м 15 показывают развитие яркости органического светоизлучающего устройства как функцию от геометрической толщины (Ό1) и показателя преломления покрытия для улучшения пропускания света (пС1) (120) подложки без рассеивающего слоя, соответственно для красного, зеленого и синего цвета света, и для основы, имеющей показатель преломления 1.5 при длине волны 550 нм, где геометрическая толщина металлического проводящего слоя из Ад равна 12.5 нм. Это вычисление проводится без учета светового излучения, ограниченного до одной длины волны, но с учетом реального спектра длин волн, как показано на фиг. 10, 11 и 12. Неожиданно было обнаружено, что эти вычисления показывают, что максимальная яркость достигается для пропускающей свет проводящей подложки без рассеивающего слоя, такой, в которой оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света (120), ТС1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя (122), ТМЕ, связаны следующим уравнением:
ТмЕ = ТмЕ_0 + [В * 5ΪΠ (ТТ*То1/То1_о)]/(П0снова)3 где ТМЕ 0, В и ТС1 0 представляют собой константы, ТМЕ 0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм, В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм и ТС1 0 имеет значение в интервале от 23.9/η л до 28.3/Π[;ι нм, пС1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и η основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Яркость вычисляется с применением программы 8ЕТРО8, версия 3 (полупроводящий эмиссионный тонкопленочный оптический модулятор) от Р1их1т.
Для конкретного указанного выше случая, где подложка без рассеивающего слоя имеет основу с показателем преломления 1.5 при длине волны 550 нм и проводящий слой из Ад с геометрической толщиной 12.5 нм, на основе фиг. 13, 14, 15, полученных для устройства ОБЕЭ, излучающего красный, зеленый или синей свет соответственно, очевидно, что высокая яркость более предпочтительно достигается, когда геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света, по меньшей мере, равна 50.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 60.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 70.0 нм и самое большее равна 110.0 нм, предпочтительно самое большее равна 100.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 90.0 нм, наиболее предпочтительно самое большее равна 80.0 нм. Кроме того, на основе фиг. 6, которая описывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и имеющего основу с показателем преломления 1.5 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света, имеющего показатель преломления 2.3 при длине волны 550 нм, и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад, оче видно, что для подложки с толщиной металлического проводящего слоя из Ад, равной 12.5 нм, оптимальная геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света должна лежать в интервале от 50.0 до 130.0 нм. Такое же наблюдение было сделано для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Фиг. 16, 17 и 18 показывают развитие яркости органического светоизлучающего устройства как функцию от геометрической толщины (Ό1) и показателя преломления покрытия для улучшения пропускания света (пС1) (120) подложки без рассеивающего слоя, соответственно для красного, зеленого и синего цвета света, и для основы, имеющей показатель преломления 2.0 при длине волны 550 нм, где геометрическая толщина металлического проводящего слоя из Ад равна 12.5 нм. Это вычисление проводится без учета светового излучения, ограниченного до одной длины волны, но с учетом реального спектра длин волн, как показано на фиг. 10, 11 и 12. Неожиданно было обнаружено, что эти вычисления также показывают, что максимальная яркость достигается для пропускающей свет проводящей подложки без рассеивающего слоя, такой, в которой оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света (120), ТС1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя (122), ТМЕ, связаны следующим уравнением:
Тме = Тме_0 + [В * 51П (ТТ*То1/То1_о)]/(Поснова)а где ТМЕ 0, В и ТС1 0 представляют собой константы, ТМЕ 0 имеет значение в интервале от 10.0 до 25.0 нм,
- 21 023984
В имеет значение в интервале от 10.0 до 16.5 нм и ТС1 0 имеет значение в интервале от 23.9хпС1 до 28.3хпС1 нм, пС1 представляет собой показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света при длине волны 550 нм, и п основа представляет собой показатель преломления основы при длине волны 550 нм. Яркость вычисляется с применением программы δΕΤΡΟδ, версия 3 (полупроводящий эмиссионный тонкопленочный оптический модулятор) от Р1их1т.
Для конкретного случая, описанного выше, на основе фиг. 16, 17, 18, полученных для устройств ОБЕЭ, излучающих красный, зеленый и синий свет соответственно, очевидно, что более конкретно высокую яркость получают, когда геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света, по меньшей мере, равна 40.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 50.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 60.0 нм и самое большее равна 110.0 нм, предпочтительно самое большее равна 100.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 90.0 нм. Поэтому геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно содержится в интервале между двумя вышеуказанными значениями, предпочтительно содержится в интервале от 40.0 до 110.0 нм, более предпочтительно от 50.0 до 100.0 нм, наиболее предпочтительно от 60.0 до 90.0 нм. Более того, на основе фиг. 9, которая описывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, излучающего квазибелый свет и имеющего основу с показателем преломления 2.0 при длине волны равной 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света, имеющего показатель преломления 2.3 при длине волны 550 нм, и геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад, очевидно, что для подложки с толщиной металлического проводящего слоя из Ад, равной 12.5 нм, оптимальная геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света должна быть по меньшей мере более 3.0 нм и самое большее равна 200.0 нм. Такое же наблюдение сделано для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Фиг. 13-18, все, показывают, что при такой же структуре подложки в случае фиксированного показателя преломления основы достигается более значительная яркость, когда показатель преломления покрытия для улучшения пропускания света (110) выше показателя преломления основы (10), особенно когда пС1>12хп основа, более предпочтительно, когда п01 >1.3хп основа, наиболее предпочтительно, когда пы>1.5хп основа. Показатель преломления вещества, формирующего покрытие (пС1), имеет значение в интервале от 1.5 до 2.4, предпочтительно в интервале от 2.0 до 2.4, более предпочтительно в интервале от 2.1 до 2.4 при длине волны 550 нм. Такое же наблюдение сделано для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что оптимальная толщина улучшающего покрытия для достижения максимальной яркости, другими словами, высокого уровня излучения, немного зависит от спектра длин волн монохромного излучения (синий, зеленый или красный свет), как показано на фиг. 13-18. Более того, неожиданно было обнаружено, что оптимум лежит в том же диапазоне геометрической толщины улучшающего покрытия (120). Например, в случае вещества с показателем преломления в интервале от 2.0 до 2.3, геометрическая толщина улучшающего покрытия, которое обеспечивает оптимальное излучение при различных длинах волн, имеет значение в интервале от 45.0 до 95.0 нм. В центре этого интервала лежит значение геометрической толщины 70.0 нм. Более того, соответствующие сравнения фиг. 8 и 11 для красного света, фиг. 9 и 12 для зеленого света и фиг. 10 и 13 для синего света показывают, что показатель преломления основы имеет более низкое влияние на диапазон оптимальной толщины улучшающего покрытия. Такое же наблюдение сделано для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что в дополнение к обеспечению высокого уровня излучения применение подложки, которая содержит прозрачную основу и электрод, такой, что оптическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света (120), ΤΒ1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя (122), Τ^, связаны следующим уравнением:
ТмЕ = ТмЕ_0+ [В * δΐ1 1 (Τ^Τϋΐ/Τοί-ΟίΙΛηοοΜΟΒΗ)3 обеспечивает квазибелый свет, когда источники красного, синего и зеленого света применяются одновременно, как показывают фиг. 5-9. Более конкретно, как показывают фиг. 13-15, когда подложка, которая содержит прозрачную основу и электрод согласно уравнению
МЕ “ ТмЕ_0 + [В 3ΪΠ (ГТ То1/То-|_о)]/(Поснова) , является такой, что она формируется основой с показателем преломления 1.5 при длине волны 550 нм и с проводящим слоем из Ад с геометрической толщиной 12.5 нм, авторы изобретения смогли определить, что для каждого вещества с показателем преломления в интервале значений от 2.0 до 2.3, оптимальная геометрическая толщина улучшающего покрытия (120) со значением в интервале от 45 до 95 нм неожиданно позволяет получить квазибелый свет. Квазибелый свет предпочтительно получают при геометрической толщине в интервале от 60.0 до 80.0 нм, более предпочтительно от 65.0 до 75.0 нм. Таким образом, одновременное применение трех источников света, которые излучают спектр координат цветности (0.63, 0.36) для источника красного света, (0.26, 0.68) для источника зеленого света и (0.13, 0.31) для источника синего света, обеспечивает получение квазибелого света, то есть для покрытия, улучшающего пропускание света, с геометрической толщиной 70.0 нм и показателем преломления 2.3. Такое же на- 22 023984 блюдение сделано для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
На основе фиг. 5-7 авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что две конкретные области могут быть выбраны в структурах подложек, которые содержат прозрачную основу и электрод, так что
Тме = Тме_о + [В * ©ϊη (л*То1/То-|_о)]/(ПоСнова)3, предназначенных для включения в органическое светоизлучающее устройство.
Первая область относится к подложкам, в которых основа имеет показатель преломления 1.5 при длине волны 550 нм, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя, по меньшей мере, равна 6.0 нм, предпочтительно. по меньшей мере, равна 8.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 10.0 нм и самое большее равна 22.0 нм, предпочтительно самое большее равна 20.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 18.0 нм, геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 6.0 до 22.0 нм, более предпочтительно от 8.0 до 18.0 нм, наиболее предпочтительно от 10.0 до 18.0 нм, и где геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света, по меньшей мере, равна 50.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 60.0 нм и самое большее равна 130.0 нм, предпочтительно самое большее равна 110.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 90.0 нм, геометрическая толщина покрытия для улучшения пропускания света предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 50.0 до 110.0 нм, более предпочтительно от 60.0 до 90.0 нм. Эта структура обеспечивает тройное преимущество, состоящее в применении основы из недорогостоящего известково-натриевого стекла, применении более тонкого металлического проводящего слоя (например, из Ад) в комбинации с большими толщинами покрытия для улучшения пропускания света, и такие толщины обеспечивают лучшую защиту металлического проводящего слоя от возможных загрязнений за счет миграции щелочных веществ из основы из известковонатриевого стекла.
Вторая область выбора относится к подложкам с основой со значением показателя преломления в интервале от 1.4 до 1.6, где геометрическая толщина металлического проводящего слоя, по меньшей мере, равна 16.0 нм, предпочтительно, по меньшей мере, равна 18.0 нм, более предпочтительно, по меньшей мере, равна 20.0 нм и самое большее равна 29.0 нм, предпочтительно самое большее равна 27.0 нм, более предпочтительно самое большее равна 25.0 нм, геометрическая толщина металлического проводящего слоя предпочтительно лежит в интервале между двумя предшествующими значениями, предпочтительно в интервале от 16.0 до 29.0 нм, более предпочтительно от 18.0 до 27.0 нм, наиболее предпочтительно для улучшения пропускания света, по меньшей мере, равна 20.0 нм и самое большее равна 40.0 нм. Эта структура обеспечивает преимущество, состоящее в применении более толстых металлических проводящих слоев (например, из серебра), применение толстого металлического проводящего слоя обеспечивает достижение более хорошей проводимости.
Авторы настоящего изобретения неожиданно сделали такое наблюдение для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению.
Фиг. 19 показывает развитие модулированного отражения, выраженного в Ό65 при 2° в соответствии с европейским стандартом ΕΝ 410, подложки, содержащей основу, имеющую показатель преломления 1.5 при длине волны 550 нм, как функцию от геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света и от геометрической толщины металлического проводящего слоя из Ад, где над проводящим слоем подложка также содержит защитный слой из ТЮх, который имеет геометрическую толщину 3.0 нм, и монтажный слой из ΖηχδηγΟζ (где х+у>3 и ζ<6), который имеет геометрическую толщину 14.7 нм, где монтажный слой покрыт органической средой с показателем преломления 1.7 при длине волны 550 нм. Синусоидальные кривые в форме более толстых линий показывают предельные значения в области, выбранной с помощью уравнения
ТмЕ = ТМЕ_0 + [В * ©ϊη (П*Т01/То1_о)]/(П0ен<>ва)3.
Фиг. 20 показывает развитие яркости органического светоизлучающего устройства, включающего подложку, содержащую основу с показателем преломления 1.5 при длине волны 550 нм и металлический проводящий слой, имеющий геометрическую толщину 12.5 нм, как функцию от геометрических толщин монтажного слоя (Ειη) и первого органического слоя электрода (Еогд) для зеленого света. Это вычисление проводилось без учета светового излучения, ограниченного до одной длины волны, но с учетом реального спектра длин волны, как показано на фиг. 11. Яркость вычисляли с применением программы 8ЕТРО8, версия 3. Эта яркость выражается в виде произвольной единицы. Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что наблюдаются две области, характеризующиеся максимумом яркости первая область, соответствующая уравнению Еогд=А-Ет, где А является константой и имеет значение в интервале от 5.0 до 75.0 нм, предпочтительно от 20.0 до 60.0 нм, более предпочтительно от 30.0 до 45.0 нм, вторая область, соответствующая уравнению Еогд=С-Ет, где С является константой и имеет значение в интервале от 150.0 до 250.0 нм, предпочтительно от 160.0 до 225.0 нм, более предпочтительно от 75.0 до 205.0 нм.
- 23 023984
Авторы настоящего изобретения обнаружили, что уравнение Еогд=А-Е1П или Еогд=С-Ет неожиданно позволяет применять геометрическую толщину первого органического слоя органических светоизлучающих устройств для оптимизации оптических параметров (геометрическая толщина и показатель преломления) монтажного слоя и, таким образом, для оптимизации количества света, пропускаемого при сохранении толщины монтажного слоя, которая совместима с электрическими свойствами, которые позволяют избежать высоких напряжений зажигания, то есть, соответственно, для первого и второго максимумов яркости.
Пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению, её способ исполнения, а также органическое светоизлучающее устройство, содержащее её, далее описываются с помощью конкретных примеров, описанных и собранных в следующих табл. Ι, ΙΙ, ΙΙΙ, Ιν, V и VI. Эти примеры никоим образом не ограничивают настоящее изобретение.
Органические светоизлучающие устройства, которые излучают окрашенное в зеленый цвет монохромное излучение, характеристики которого показаны в табл. Ι, ΙΙ, ΙΙ, Ш, V и VI, имеют следующую органическую структуру, начиная с пропускающей свет проводящей подложки (1):
слой из Х№-бис(1-нафтил)-Х№-дифенил-1,1'-бифенил-4,4'-диамина, обозначаемый α-ΝΡΌ, слой из 1,4,7-триазациклононан-^№,№'-триацетата (обозначаемый ТСТА) + трис[2-(2-пиридинил) фенил-СМиридия, обозначаемый ΙΓ(ρρ\·)3, слой из 4,7-дифенил-1,10-фенантролина (обозначаемый ΒΡΙκη), слой из ЫР, верхний отражающий электрод, состоящий по меньшей мере из одного металла. Согласно предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из Ад. Согласно альтернативному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из А1.
Пропускающие свет проводящие подложки, применяемые в данных примерах, получают следующим образом.
Стеклянная подложка представляет собой прозрачное известково-натриевое стекло, произведенное компанией АОС, с толщиной 1.60 мм. Рассеивающий слой осаждается на стеклянную основу следующим образом: материал стеклянной фритты смешивается таким образом, что может быть получена композиция стекла, в мол.% на основе оксидов: 22.7 мол.% Р2О5, 14.9 мол.% Βί2Ο3, 15.7 мол.% Ν62Ο5, 20.6 мол.% ΖηΟ, 11.8 мол.% В2О3, 5.0 мол.% Εί2Ο и 9.3 мол.% УΟ3. После чело полученный материал фритты расплавляется в течение 90 мин при 1050°С в электрической печи, и после содержания в течение 60 мин при 950°С получают стеклянные хлопья с помощью литого волка. Температура стеклования этого стекла составляет 475°С, точкой деформации является 525°С, коэффициент термического расширения составляет 72х10-7 (среднее значение от 50 до 300°С). Измерение проводили при 5°С/мин посредством метода термического расширения с применением оборудования для термического анализа (изготовленного компанией Вгикег, торговое наименование ΤΩ5000δΛ). Более того, показатель преломления ηΡ при Р-линии (486.13 нм) составляет 2.00, показатель преломления ηά при ά-линии (587.56 нм) составляет 1.98, показатель преломления пС при С-линии (656.27 нм) составляет 1.97. Применяется измеритель показателя преломления (произведенный компанией δ1ιίιη;·ιάζιι Иеуюе, торговое наименование ΚΡΚ-2000).
После измельчения произведенных стеклянных хлопьев в течение 2 ч во фланетарно-фрезерном станке из циркония, измельченные стеклянные хлопья переносили в сито с получением стеклянной фритты. При этом распределение размера частиц стеклянных хлопьев было таким, что Ό50 составлял 2.15 мкм, Ό10 составлял 0.50 мкм и Ό90 составлял 9.72 мкм. Ό50=2,15 мкм означает, что 50% частиц имеют размер частиц меньше или равный 2.15 мкм, Ό10=0.50 мкм означает, что 10% частиц имеют размер частиц ниже или равный 0.5 мкм, и Ό90=9.72 мкм означает, что 90% частиц имеют размер частиц ниже или равный 9.72 мкм. Размер частиц определяется с помощью ТЕМ (просвечивающая электронная микроскопия) частиц. Далее 35 г полученной стеклянной фритты смешиваются с органическим носителем, который растворяется α-терпинеолом и этилцеллюлозой с получением стеклянной пасты. Стеклянную пасту равномерно впечатывают в стеклянную основу по кругу, диаметр которого составляет 10 мм, с получением после обжига толщины 14 мкм. После сушки этой подложки в течение 30 мин при 150°С подложку снова возвращают к комнатной температуре. Температуру поднимают и удерживают в течение 30 мин при 450°С, затем удерживают в течение 30 мин при 580°С и затем опускают до комнатной температуры в течение 3 ч. Затем температуру поднимают до 450°С в течение 45 мин. Затем рассеивающий слой подложки формируется на стеклянной основе.
Слои, формирующие электрод (12) согласно примерам пропускающей свет проводящей подложки (1) согласно настоящему изобретению, осаждались посредством магнетронного распыления на основу из прозрачного стекла (10) с толщиной 1.60 мм.
Условия осаждения для каждого слоя являются следующими:
слои на основе ΤίΟ2 осаждаются с применением титановой мишени при давлении 0.5 Па в атмосфере Аг/Ο^ слои на основе Ζηχ:δη;χΟζ осаждаются с применением сплава Ζπδπ при давлении 0.5 Па в атмосфере
- 24 023984
Аг/О2, слои на основе Ад осаждаются с применением серебряной мишени при давлении 0.5 Па в атмосфере Аг, слои на основе Т1 осаждаются с применением титановой мишени при давлении 0.5 Па в атмосфере Аг и могут быть частично окислены далее плазмой Аг/О2, слои для гомогенизации поверхностных электрических свойств на основе нитрида Т1 осаждаются с применением титановой мишени 0.5 Ра в атмосфере 80/20 Αγ/Ν2.
По сравнению с 1ТО электродом условия осаждения требуют более низкой температуры, что уменьшает риск миграции щелочи из основы рассеивающего слоя.
Примеры
Табл. I показывает четыре колонки с примерами пропускающей свет проводящей подложки (1) не в соответствии с настоящим изобретением, а также результаты измерения электрических и оптических характеристик, полученных с помощью органического светоизлучающего устройства, в котором применяются эти подложки. Общая структура органического светоизлучающего устройства была описана выше. Пример Ι.1Κ. представляет собой 1ТО электрод. Пример Ι.2Κ представляет собой 1ТО с рассеивающим слоем. Пример Ι.3Κ представляет собой пропускающую свет проводящую подложку без рассеивающего слоя и имеющую электрод, который не оптимизирован, так как толщина улучшающего покрытия (120) не была оптимизирована и поэтому лежит вне интервала оптической толщины, получаемого согласно уравнению
Тме — Тме_о [В δϊπ (П То-|/То1_о)]/(Поснова) Пример Ι.4Κ представляет собой пропускающую свет проводящую подложку без рассеивающего слоя и имеющую электрод, где толщина улучшающего покрытия (120) была оптимизирована и поэтому лежит внутри интервала оптической толщины, получаемого согласно уравнению
Тме “ ТмЕ_0 [В 5Ϊη (П То-|/То1_о)]/(Поснова)
В примерах Ι.3Κ и Ι.4Κ улучшающее покрытие (120) имеет барьерный слой (1200), который объединен со слоем для улучшения пропускания света (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Более того, кристаллизационный (1202) и монтажный (123) слои имеют одну и ту же природу. Эти слои изготовлены из 2пх§пуО2 (где х+у>3 и ζ<6), причем Ζη,.δη,Ό;, предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, массовый процент цинка выражается по отношению к общему содержанию металлов, присутствующих в слое на основе конструкционной низкоэмиссионной стопчатой структуры, имеющей проводящий слой из Ад (122).
ТаблицаΙ
| Примеры | 1.1 к | I 2К | Ι.3Κ | 1 4К | |
| Рассеивающий слой (нм) (11) | - | 50 | - | - | |
| Электрод (12) | Природа/Толщина(нм) | ||||
| Покрытие | Слои | ||||
| Улучшение (120) | Барьер (1200) | 1ТО/ 90.0 | 1ТО/ 90.0 | ТЮ,/ 20.0 | ТЮ2/ 65.0 |
| Улучшение (1201) | |||||
| Кристаллизация (1202) | Ζη48ηγΟζ / 5.0 | Ζη4$ηγΟ2 / 5.0 | |||
| Проводящий слой(112) | Ай/ 12.5 | Ак/12.5 | |||
| Защитный слой(111Ь) | Τί/ 2.5 | Τι/ 2.5 | |||
| Монтажный слой(113) | ΖηκδηγΟζ /7,0 | ΖΠκδϋγΟζ /7.0 | |||
| Гомогенизированный слой(114) | Τί нитрид / 1.5 | Τί нитрид / 1.5 | |||
| Сопротивление (ΟΜ/Υ) | 35.00 | 35.00 | 4.00 | 3.78 | |
| ОСЕ | 10 | 1.5 | 1.0 | 12 | |
| Δχ (с рассеивающим слоем) | 0.00140 | ||||
| Δχ (без рассеивающего слоя) | 0.01310 | 0.20000 | 0 17000 | ||
| Δν (с рассеивающим слоем) | 0 00245 | ||||
| Ау(без рассеивающего слоя) | 0.02250 | 0 20000 | 0.16000 |
- 25 023984
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Табл. II показывает две колонки с примерами пропускающих свет проводящих подложек (1) согласно настоящему изобретению, имеющих различные типы электродов, а также электрические и оптические характеристики органического светоизлучающего устройства, в которое они включены. Пример ΙΙ.5 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку с рассеивающим слоем и содержащую электрод, который не оптимизирован, так как толщина улучшающего покрытия (120) лежит вне диапазона оптической толщины, определяемого уравнением
Тме = Тме_0 + [В * 5ΙΠ (П*То1/Т01_0)]/(ПОСНОва)3·
Пример ΙΙ.6 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку с рассеивающим слоем и имеющую электрод, который оптимизирован для устройства ΟΕΡΟ, так как толщина улучшающего покрытия (120) лежит внутри диапазона оптической толщины, удовлетворяющего уравнению
Тме ~ Тме_0 + [θ 3ΙΠ (ΓΊ То-|/То-|_о)]/(Посноеа)
В примерах ΙΙ.5 и ΙΙ.6, улучшающее покрытие (120) имеет барьерный слой (1200), который покрыт кристаллизационным слоем (1202). Более того, кристаллизационный (1202) и монтажный (123) слои имеют одну и ту же природу. Эти слои изготовлены из Ζηχδη;Όζ (где χ+у^, и ζ<6), процентное содержание цинка выражается относительно общей массы всех металлов, присутствующих в слое.
Таблица ΙΙ
| Примеры | И 5 | П.6 | |
| Рассеивающий слой(мкм) (11) | 50 | 50 | |
| Электрод (12) | Природа/Толщина(нм) | ||
| Покрытие | Слои | ||
| Улучшение | Барьер (1200) | ТЮ3/ 20.0 | ТЮ2/ 60 0 |
| (120) | Улучшение (1201) | ||
| Кристаллизация (1202) | 2пх5пуОг / 5.0 | ΖΠχδϊΙγΟζ / 10.0 | |
| Проводящий слой(122) | Ай/ 12.5 | Ай/12.5 | |
| Защитный слой(121Ь) | Ъ/ 2.5 | Τί/2 0 | |
| Монтажный слой(123) | Ζηχδη„Οζ /7.0 | Ζηχ8ηνΟζ /7.0 | |
| Гомогенизированный слой(124) | Τί нитрид / 1.5 | Τΐ нитрид / 1.5 | |
| Δχ (с рассеивающим слоем) | 0.02100 | 0.02400 | |
| Δν (с рассеивающим слоем) | 0.03300 | 0.01400 | |
| ОСЕ | 1.1 | 19 |
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Сравнение примеров ΙΙ.5 и ΙΙ.6 со сравнительными примерами Ι.1Κ, Ι.2Κ, Ι.3Κ и Ι.4Κ ясно показывает преимущества, обеспечиваемые пропускающей свет проводящей подложкой согласно настоящему изобретению с точки зрения оптических характеристик.
Коэффициент эффективности вывода излучения (Οί'.Έ) является фактором, который определяет количество света, которое может быть извлечено по сравнению с контролем. ΟСЕ вычисляется по отношению к контролю, представленному в примере 1.1К.. Значения ΟСЕ определяются следующим образом:
яркость каждого устройства ΟΕΡΩ, включающего подложку согласно примеру Ι.1Κ, Ι.2Κ, Ι.3Κ, Ι.4Κ, ΙΙ.5 и ΙΙ.6, где измерение проводится при угле θ=0°. Напряжение, прикладываемое к каждому образцу, необходимо только для получения силы тока в 6 мА,
ΟСЕ получили путем деления полученных значений яркости на значение яркости, измеренное для примера 1.1К.
Оптические измерения осуществляли с помощью многоканального спектроскопа (торговое наименование: С10027), произведенного компанией НататаГки Р1ю1ошс5 К.К. Для определения угла угол между направлением нормали элемента и направлением, выходящим из элемента к спектроскопу, определяли как угол измерения θ (фиг. 21).
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что маленькое изменение в структуре многослойной пропускающей свет проводящей подложки оказывает существенное влияние на ΟСЕ. Этот эффект на ΟСЕ обнаруживается, несмотря на тот факт, что показатель преломления первого слоя многослойного электрода сопоставим с показателем преломления рассеивающего слоя. Сравнение примеров Ι.3Κ и ΙΙ.5, а также примеров Ι.4Κ и ΙΙ.6 показывает влияние рассеивающего слоя на ΟСЕ. В случае стоп- 26 023984 чатой структуры электрода, как показано в примерах 1.3К и ΙΙ.5, включение рассеивающего слоя приводит к увеличению ОСЕ на 10%. В случае стопчатой структуры электрода, как показано в примерах Ι.4Κ и ΙΙ.6, включение рассеивающего слоя приводит к увеличению ОСЕ на 58%.
Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, как показано сравнением примеров Ι.3Κ и ΙΙ.6, что увеличение ОСЕ на около 90% достигается, когда применяется пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению. Кроме того, сравнение полученного ОСЕ показывает синергетический эффект рассеивающего слоя и оптимизированного электрода на ОСЕ. Если бы эффект был просто суммарным, то увеличение составило бы 30% для ОСЕ: 10% благодаря применению рассеивающего слоя и 20% благодаря применению оптимизированного электрода. Кроме того, сравнение ОСЕ ясно показывает, что количество света, излучаемого согласно примеру ΙΙ.6, на 90% выше, чем количество света, излучаемого согласно примеру 1.1К, который представляет собой обычную подложку для устройства ОБЕЭ (ЧТО электрод на стекле).
Наконец, сравнение значений Δχ (с рассеивающим слоем), Δχ (без рассеивающего слоя), Δу (с рассеивающим слоем), Δу (без рассеивающего слоя) показывает положительный эффект рассеивающего слоя на угловую зависимость, х и у представляют собой координаты цветности в диаграмме цветности СГЕ (х, у). Термины с рассеивающим слоем и без рассеивающего слоя соответственно относятся к пропускающей свет проводящей подложки с рассеивающим слоем и без рассеивающего слоя.
Где /рбезрассеивающегослоя) = _ У·?0 представляет собой наиболее высокое значение х, измеренное между 0 и 70°; представляет собой наиболее низкое значение х, измеренное между 0 и 70° ,0—70’ шах
О’-7О° пип
Δά·(Ο езрассеивающегослоя представляет собой наиболее высокое значение х, измеренное между 0 и 70°; представляет собой наиболее низкое значение х, измеренное между 0 и 70°
Т„, &у(безрассеивающегослоя) = - уЧ представляет собой наиболее высокое значение у, измеренное между 0 и 70°; представляет собой наиболее низкое значение у, измеренное между 0 и 70° езрассеивающегослоя)= у^; ж - νγ./
0-70· л них
0-70» Л иип представляет собой наиболее высокое значение х, измеренное между 0 и 70°;
представляет собой наиболее низкое значение у, измеренное между 0 и 70°.
Оптическое измерение проводили с помощью многоканального спектроскопа (торговое наименование С10027), произведенного компанией Натата18и ΡΙιοΙοηίαδ К.К. Для определения угла угол между направлением нормали элемента и направлением, выходящим из элемента к спектроскопу, определяли как угол измерения θ (фиг. 21). Измерение проводили при вращении устройства ОЬЕЭ на спектроскопе, таким образом, определяя угловую зависимость цвета излучаемого света.
Значение х и у измеряли следующим образом.
Яркость каждого устройства ОБЕЭ, включающего подложку согласно примеру Ι.1Κ, Ι.2Κ, Ι.3Κ, Ι.4Κ, ΙΙ.5 и ΙΙ.6 измеряли при различных углах θ = от 0 до 70°. Приложение напряжения к каждому образцу является требованием для получения силы тока 6 мА.
Наконец, с электрической точки зрения, значение сопротивления (около 4 Ом/Υ), полученное для пропускающей свет проводящей подложки согласно настоящему изобретению, было ниже, чем значение сопротивления, полученого для классической !ТО подложки (около 35 Ом/Υ).
Табл. ΙΙΙ показывает три колонки с примерами пропускающих свет проводящих подложек согласно настоящему изобретению, содержащих рассеивающий слой и имеющих различные типы электродов (число слоев, химическая природа и толщина слоев), и результатами измерения сопротивления, выраженными в Ом/Υ. Общая структура органического светоизлучающего устройства была описана выше. Пример ΙΙΙ.1 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку, имеющую электрод, содержащий проводящий слой из Ад (122), слой для гомогенизации поверхностных электрических свойств (124), улучшающее покрытие, где толщина улучшающего покрытия (120) не была оптимизирована, так как толщина улучшающего покрытия (120) лежит вне интервала оптической толщины, соответствующего уравнению
ТмЕ = Тме_0 + [В * 5ΙΠ (П*То1/То1_о)]/(Поенова) ·
В этом примере улучшающее покрытие (120) содержит барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный (1202) и монтажный (123) слои имеют одну и ту же природу. Эти слои изготовлены из Ζηx§ηуОζ (где х+у >3 и ζ < 6), Ζηx§ηуОζ содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый про- 27 023984 цент цинка выражен относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Примеры ΙΙΙ.2 и ΙΙΙ.3 иллюстрируют пропускающие свет проводящие подложки согласно настоящему изобретению. В этих примерах улучшающее покрытие (120) имеет толщину, определяемую уравнением
ТмЕ = ТмЕ_0 + [В * 5ΪΠ (ТГ*То1/т01_о)]/(Поснова)3 , и имеет барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1102). Кроме того, кристаллизационный (1202) и монтажный (124) слои имеют одну и ту же природу. Эти слои изготовлены из Ζηχδη;/Οζ (где х+у >3 и ζ < 6), Ζη,.δη,Όζ содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражен относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Пример ΙΙΙ.3 иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению, имеющую электрод, который оптимизирован относительно геометрической толщины кристаллизационного слоя (1102).
Таблица ΙΙΙ
| Примеры | III. 1 | III.2 | ш.з | |
| Рассеивающий слой(мкм) (11) | 50 | 50 | 50 | |
| Покрытие | Слои | Природа/ | Природа/ | Природа/ |
| толщина | толщина | толщина | ||
| (нм) | (нм) | (нм) | ||
| Улучшение | Барьер (1200) | ТЮ2/ 20.0 | ТЮ2/ 65.0 | ΤιΟ2 / 60.0 |
| (120) | Улучшение (1201) | |||
| Кристаллизация (1202) | Ζη,8ηγΟζ / 5.0 | Ζη,δηγΟζ / 5.0 | Ζηχ5ηνΟζ/10.0 | |
| Проводящий слой(122) | Ав / 12.5 | Ав / 12.5 | Ад / 12.5 | |
| Защитный слой( 121Ь) | Τί / 2.5 | Τί /2.5 | Τι / 2.5 | |
| Монтажный слой) 123) | Ζη,ϊη,,Ο, 1 7.0 | ΖΐΙχδη,Ο,; 1 7.0 | ΖηχδηγΟζ/ 7.0 | |
| Гомогенизированный елой(124) | Τΐ нитрид / 1.5 | Τΐ нитрид / 1.5 | Τι нитрид/ 1.5 | |
| Сопротивление (ОМ/п) | 3.78 | 4.09 | 3,91 |
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Как описано выше, пропускающая свет проводящая подложка согласно настоящему изобретению имеет электрод, который имеет по меньшей мере один дополнительный монтажный слой (123). Функция этого монтажного слоя (123) состоит в формировании части оптической емкости, которая обеспечивает формирование части оптического резонатора, который обеспечивает прозрачность металлического проводящего слоя. На самом деле, специалистам в данной области техники известна оптимизация слабоизлучающих многослойных покрытий, например применение монтажного слоя с геометрической толщиной по меньшей мере 15.0 нм, необходимо для получения прозрачности проводящего слоя. С другой стороны, никакое условие проводимости не налагается для получения значений оптической прозрачности, подходящих для применения в строительстве. Слои, разработанные для применения в строительстве, не могут применяться непосредственно для оптоэлектронных применений, так как они, в общем, содержат диэлектрические соединения и/или слабопроводящие соединения.
Авторы настоящего изобретения неожиданно определили, что геометрическая толщина монтажного слоя (Е1П) (123) является такой, что, прежде всего, его омическая толщина самое большее равна 1012 Ом, предпочтительно самое большее равна 104 Ом, где омическая толщина равна отношению между сопротивлением вещества, формирующего монтажный слой (ρ), с одной стороны, и геометрической толщиной этого слоя (Ι), с другой стороны; и, во вторых, геометрическая толщина монтажного слоя (123) связана с геометрической толщиной первого органического слоя органического светоизлучающего устройства (Еогд), термин первый органический слой обозначает все органические слои, расположенные между монтажным слоем (123) и органическим светоизлучающим слоем. Авторы настоящего изобретения, таким образом, неожиданно обнаружили максимум яркости:
первая область, соответствующая уравнению Еогд=А-Ет, где А представляет собой константу и имеет значение в интервале от 5.0 до 75.0 нм, предпочтительно от 20.0 до 60.0 нм, более предпочтительно от 30.0 до 45.0 нм, вторая область, соответствующая уравнению Еогд=С-Ет, где С представляет собой константу и имеет значение в интервале от 150.0 до 250.0 нм, предпочтительно от 160.0 до 225.0 нм, более предпочти- 28 023984 тельно от 75.0 до 205.0 нм.
Авторы настоящего изобретения также обнаружили, что уравнения Еогд=А-Е1П или Еогд=С-Е1П позволяют применять геометрическую толщину первого органического слоя органического светоизлучающего слоя для оптимизации оптических параметров (геометрическая толщина и показатель преломления) монтажного слоя и, таким образом, для оптимизации количества света, пропускаемого при сохранении толщины монтажного слоя, которая соответствует электрическим свойствам, которые позволяют избежать высоких напряжений зажигания, то есть соответственно для первого и второго максимумов яркости.
Кроме того, применение диэлектрического, то есть слабопроводящего слоя для контакта между проводящим слоем и органической частью органического светоизлучающего устройства противоречит общепринятым знаниям специалистов в данной области техники, которые производят органические светоизлучающие свойства. Авторы настоящего изобретения неожиданно обнаружили, что применение диэлектрического, то есть слабопроводящего вещества не воспрещается для формирования монтажного слоя (123). Однако предпочтительным является проводящий материал. На самом деле, если монтажный слой имеет слишком большую омическую толщину, напряжения существенно повышаются, как показано в табл. IV.
Табл. IV показывает две колонки с примерами пропускающих свет проводящих подложек согласно настоящему изобретению, имеющих различные типы электродов (число слоев, химическая природа и толщина слоев), а также результатами измерений электрических характеристик, полученных для органического светоизлучающего устройства, в котором применяются эти подложки. Общая структура органического светоизлучающего устройства описана выше. Пример ΐν.1 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку, содержащую электрод на основе структуры, имеющей проводящий слой из Ад (122), электрод не оптимизирован. Электрод по примеру ΐν.1 имеет гомогенизированный слой (124) и покрытие для улучшения пропускания света (120), оптическая толщина которого не была оптимизирована и поэтому лежит вне диапазона толщины, удовлетворяющего уравнению
ТмЕ = Тме_0 + [В * 5ΙΠ (ТГ*То-(/Тс1_о)]/(Паснова)3·
В примере ΐν.1 улучшающее покрытие (120) содержит барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный слой (1202) и монтажный слой (123) являются слоями одной природы. Эти слои изготовлены из Ζηχ8η;ζϋζ (где х+у>3 и ζ<6), причем ΖηχδηγΘζ содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Кроме того, пример ΐν.1 также показывает монтажный слой (123) с геометрической толщиной, которая не была оптимизирована. Пример ΐν.2 иллюстрирует оптимизированный электрод, улучшающее покрытие (120) имеет оптическую толщину, удовлетворяющую уравнению
ТмЕ = Тме_0 + [В * 5ΪΓΊ (ТТ*То-|/То1_о)]/(Поснова)3, улучшающее покрытие имеет барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный слой (1202) и монтажный слой (124) являются слоями одной природы. Эти слои изготовлены из Ζηχ8η;/ϋζ (где х+у >3 и ζ<6), причем Ζηχδη;ζϋζ предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Очевидно, что электрические свойства примера ΐν.2 существенно выше, показанных в примере ΐν.1.
Таблица ΐν
| Примеры | ιν.ι | IV.2 | |
| Рассеивающий слой(11) | 50 мкм | 50 мкм | |
| Покрытие | Слои | Природа/ толщина (нм) | Природа/ толщина (нм) |
| Улучшение (120) | Барьер (1200) | ТЮ2/ 20.0 | ΤΐΟ2 / 65.0 |
| Улучшение (1201) | |||
| Кристаллизация (1202) | Ζηχ8ηνΟ2/5.0 | Ζηχ3ηνΟχ/5.0 | |
| Проводящий слой(122) | Аг- / 12.5 | А^У 12.5 | |
| Защитный слой( 121Ъ) | Τι ί 2.5 | Τι / 2.5 | |
| Монтажный слой(123) | Ζηχ8ηΎΟΕ/14.0 | Ζηχ3ηνΟΕ/7.0 | |
| Гомогенизированный слой( 124) | Τί нитрид /1.5 | ||
| Электрические характеристики V при 10 мА/см2 V при 100 мА/см2 | 4.45 5.60 | 2.70 3.55 |
- 29 023984
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Наконец, табл. V показывает постоянную геометрическую толщину монтажного слоя, возможно, уменьшить применяемые напряжения, уменьшая сопротивление этого слоя. На самом деле, табл. V показывает три колонки с примерами пропускающих свет проводящих подложек согласно настоящему изобретению, отличающихся друг от друга природой химического соединения, формирующего монтажный слой, а также результатами измерений электрических и оптических характеристик, полученных для органического светоизлучающего устройства, в которое включены эти электроды. Общая структура органического светоизлучающего устройства была описана выше. Пример V. 1 иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению, которая имеет электрод с монтажным слоем, содержащим проводящий слой, изготовленный из оксида цинка, легированного алюминием (удельное со противление для ΖηΟ:Α1:10-4 Омхсм). Пример ν.2 иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению, которая имеет электрод с монтажным слоем, содержащим плохопроводящий слой из ΖηχδηγΟζ (где х+у>3 и ζ<6), причем ΖηχδηγΟζ предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое (удельное сопротивление для Ζηχδη;/Οζ:10-2 Омхсм). Пример ν.3 иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению, которая имеет электрод с монтажным удельным сопротивленим для ΤιΟ2:70:104 Омхсм).
Очевидно, что для достижения силы тока 100 мА прикладывается более низкое напряжение в случае проводящего монтажного слоя со слоем, изготовленным из проводящего вещества, чем в случае слоя, изготовленного из диэлектрического вещества.
Таблица V
| Примеры | VI | ν.2 | ν.3 | |
| Рассеивающий слой(11) | 50 мкм | 50 мкм | 50 мкм | |
| Покрытие | Слои | Природа/ | Природа/ | Природа/ |
| толщина | толщина | толщина | ||
| (нм) | (нм) | (нм) | ||
| Улучшение | Барьер(1200) | ΤίΟ2/ 65 0 | ТЮ2/ 65.0 | ТЮ2/ 65 0 |
| (120) | Улучшение (1201) | |||
| Кристаллизация (1202) | Ζη,8ηγΟζ/ 5.0 | Ζη,ϊη,,.Ο,.’ 5.0 | Ζη,8ηγΟζ/ 5.0 | |
| Проводящий слой(122) | Ад / 12.5 | Ав / 12.5 | Ав / 12.5 | |
| Защитный слой( 121Ь) | Τί / 2.5 | Τί / 2.5 | Τί / 2.5 | |
| Монтажный слой(123) | ΖηΟ:Α1 / 7.0 | Ζηχ$ηγΟζ / 7.0 | ΤίΟ,/7.0 | |
| Гомогенизированный слой(124) | Τί нитрид / 1.5 | Τί нитрид / 1.5 | Τί нитрид / 1.5 | |
| Электрические характеристики | ||||
| V при 100 мА/см2 | 2.98 | 3.55 | 3.98 |
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Табл. VI показывает органические светоизлучающие устройства, которые излучают квазибелый свет. Общая структура органического светоизлучающего устройства, которое излучает квазибелый свет, характеристики которого приведены в табл. VI, является следующей, начиная с пропускающей свет проводящей подложки:
слой из Ν, Ν, №,№'-тетракис(4-метоксифенил)бензидина (обозначается ΜβΟ-ΤΡΌ), легированного 4 мол.% ΝΡΌ-2, слой из 0№-ди(нафталин-1-ил)^-№-дифенилбензидина (обозначается ΝΡΒ), стопчатая структура из эмиссионных слоев, сформированных из 4,4',4-трис(№карбазолил)трифениламина (обозначается ТСТА) и из 2,2',2-(1,3,5-бензентриил)-трис-(1-фенил-1Н-бензимидазола) (обозначается ΤΒΡι), частично легированного иридий-бис-(4,6-дифторфенил-пиридинато-0С2)-пиколинатом (обозначается ΡίτΡίο), трис[2-(2-пиридинил)фенил-С^]иридия (обозначается 1г(рру)3) и иридий(111) бис(2-метилдибензо[£,Ь]хиноксалина) (ацетилацетоната) (обозначается Ιγ5ΜΩΟ)2 (асас), слой из 2,2',2-(1,3,5-бензентриил)-трис-(1-фенил-1Н-бензимидазола) (обозначается ΤΒΡι), слой из 4,7-дифенил-1,10-фенантролина, легированного Се.
верхний отражающий электрод, состоящий по меньшей мере из одного металла. Согласно предпоч- 30 023984 тительному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из Ад. Согласно альтернативному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из А1.
Аббревиатуры, применяемые для обозначения применяемых соединений, хорошо известны специалистам в данной области техники. Структура применяемых органических слоев описывается на стр. 237 в части МеШобк 8иттагу статьи Кешеке е1 Со11. в Ыа1иге, 2009, νοί. 459, рр. 234-238.
Рассеивающий слой (11) и электрод (12) примеров пропускающей свет проводящей подложки (1) согласно настоящему изобретению были осаждены при описанных выше условиях. Пример νΐ.1 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку, содержащую электрод на основе стопчатой структуры, имеющей проводящий слой из Ад. Пример VI. 1 представляет собой пропускающую свет проводящую подложку согласно настоящему изобретению, которая содержит электрод, который не оптимизирован для устройства ОЬЕБ, имеющий гомогенизированный слой (124), и где толщина улучшающего покрытия (120) лежит вне интервала толщины, удовлетворяющего уравнению
ТмЕ ~ Тме_0+ [В * 5ΪΠ (П*То1/То1_о)]/(П0снова)3
В примере νΐ.1 улучшающее покрытие (120) содержит барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный слой (1202) и монтажный слой (123) представляют собой слои одной природы. Зги слои изготовлены из Ζη,.δη;Όζ (где х+у>3 и ζ<6), причем Ζη^η^, содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Примеры νΐ.2 и νΐ.3 показывают примеры, в которых улучшающее покрытие (2) имеет оптическую толщину, удовлетворяющую уравнению
ТмЕ = Тме_0 + [В * 5ΙΠ (ТТ*То1/То1_о)]/(ПОСнава)3, и которые имеют барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный слой (1202) и монтажный слой (124) являются слоями одной природы. Эти слои изготовлены из Ζηχδη^ζ (где х+у>3 и ζ<6), причем Ζηχδη;Όζ предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Кроме того, пример νΐ.2 более конкретно иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку, имеющую тонкий металлический слой и имеющую более значительную толщину покрытия для улучшения свойств пропускания света. Преимущество такой толщины улучшающего покрытия состоит в том, что она обеспечивает, с одной стороны, более хорошую защиту металлического проводящего слоя от какого-либо загрязнения указанного слоя посредством миграции загрязняющих веществ (например, щелочных веществ) из основы или рассеивающего слоя, с другой стороны, она позволяет применять меньше дорогостоящего металла для формирования металлического проводящего слоя.
Пример νΐ.3 иллюстрирует пропускающую свет проводящую подложку, имеющую толстый серебряный слой, который обеспечивает получение проводящего слоя с низким сопротивлением. Сравнение свойств, полученных для устройств, излучающих квазибелый свет, включающих пропускающую свет проводящую подложку согласно примерам νΐ.1, νΐ.2 и νΐ.3, показывает что срок службы устройств, содержащих подложку согласно настоящему изобретению, является более длительным по сравнению с примером νΐ.1, а также по сравнению с пропускающей свет проводящей подложкой, состоящей из основы (10) и электрода 1ТО, осажденного на её вершине, который имеет геометрическую толщину 90 нм, срок службы которой составляет 162 ч (результат не показан в табл. νΐ);
поверхностное сопротивление (Ом/Υ) примера νΐ.3, имеющего толстый проводящий слой, по меньшей мере, в половину меньше поверхностного сопротивления (Ом/Υ) примеров νΐ.2 и νΐ.1, и это свойство обеспечивает возможность получения устройств с более существенными размерами, без применения какого-либо усиления проводимости, такого как, например, металлическая сетка.
- 31 023984
Таблица VI
| Примеры | VI 1 | VI-2 | VI з | |
| Рассеивающий слой(11) | 50 мкм | 50 мкм | 50 мкм | |
| Покрытие | Слои | Природа/ толщина (нм) | Природа/ толщина (нм) | Природа/ толщина (нм) |
| Улучшение (120) | Барьер (1200) | ТЮ2/ 20,0 | ΤιΟι/65,0 | ЪО2/ 20.0 |
| Улучшение (1201) | ||||
| Кристаллизация (1202) | Ζηχ8η?Οι / 5,0 | Ζηχ5η?Οϊ / 5.0 | Ζη^δη^Οϊ / 5.0 | |
| Проводящий слой(122) | Ае.1 12.5 | Ад / 12.5 | Ад / 23.0 | |
| Защитный слой(121Ь) | Τι / 2.5 | Τι / 2 5 | Τι / 2.5 | |
| Монтажный слой(123) | Ζηχ8ηνΟζ 1 7.0 | ΖηχδιινΟζ / 7.0 ' | 7пк8п^Ог / 7.0 ' | |
| Гомогенизированный слой(124) | Τι нитрид / | Τι нитрид / | Τι нитрид / | |
| I 5 | 1.5 | I 5 | ||
| Сопротивление (ΟΜ/Υ) | 3.78 | 4.09 | 1 80 | |
| Электрические характеристики V при 2 мА/см2 | 9.7- 10.4 | 9.2 - 9.4 | 10 1-10 5 | |
| Срок службы (в часах), измеренный при 30 мА/см2 | 166 | 625 | 739 |
Основа (10) представляет собой прозрачное стекло с геометрической толщиной 1.60 мм.
Уровни электрических характеристик измеряли посредством приложения напряжений (V), чтобы получить силу тока, равную 2 мА/см2.
Табл. VII показывает органические светоизлучающие устройства, которые излучают квазибелый свет. Общая структура органического светоизлучающего устройства, которое излучает квазибелый свет, характеристики которого приведены в табл. VII, является следующей, начиная с пропускающей свет проводящей подложки:
слой из ^№-бис(1-нафтил)-^№-дифенил-1,1'-бифенил-4,4'-диамина, обозначается α-ΝΈΌ, слой из ΝΓΌ + 5,6,11,12-тетрафенилнафтацен, обозначается рубрен, слой из 2-метил-9,10-ди(2-нафтил)антрацен, обозначается МАЭ№р-бис_р-^№дифениламиностирилбензол, обозначается ΌδΑ, слой из трис(8-гидроксихинолина)алюминия, обозначается А1О3, слой из ЫР, верхний отражающий электрод, состоящий по меньшей мере из одного металла. Согласно предпочтительному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из Ад. Согласно альтернативному варианту выполнения настоящего изобретения металл верхнего отражающего электрода состоит, по меньшей мере, из А1.
Рассеивающий слой (11) и электрод (12) примеров пропускающей свет проводящей подложки (1) согласно настоящему изобретению осаждались согласно условиям описанным выше, причем указанный рассеивающий слой имеет в примере ΥΠ.2 такай же состав, что и состав, применяемый в предшествующих примерах, но содержащий дополнительное количество 15 об.% частиц оксида алюминия, имеющих 3 мкм в диаметре, в примерах ΥΠ.1. и ΥΠ.3. Кроме того, слои на основе ТЮх и 2пО:А1 соответственно осаждаются с применением ТЮх керамической мишени при давлении 0.5 Па в атмосфере Аг/О2 и применением 2пО:А1 керамической мишени в атмосфере Аг/О2, вводится небольшой процент кислорода О2 (00,7%), при давлении 0.5 Па. Примеры ΥΠ.1 и ΥΠ.2 представляют собой пропускающие свет проводящие подложки согласно настоящему изобретению, содержащие электрод на основе стопчатой структуры, имеющей проводящий слой из Ад. Примеры VII. 1 и ΥΠ.2 представляют собой пропускающие свет проводящие подложки согласно настоящему изобретению, содержащие электрод, который не оптимизирован для устройства ОЬЕП, имеющий гомогенизированный слой (124), и где толщина улучшающего покрытия (120) лежит вне диапазона толщины, определяемого уравнением
Тме = Тме_0+ [В * 5ΪΓΙ (Н*То1/То1_о)]/(ПОСнова)3
В примере ΥΕ.1 улучшающее покрытие (120) содержит барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и этот слой покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кри- 32 023984 сталлизационный (1202) и монтажный (123) слои являются проводящими слоями одной и той же природы. Эти слои изготовлены из оксида цинка, легированного алюминием (удельное сопротивление для ΖηО:А1:10-4 Ом/см). В примере νΐΐ.2 улучшающее покрытие (120) содержит барьерный слой (1200), улучшающий слой (1201) и кристаллизационный слой (1202), которые объединены и изготовлены из Ζηx§ηуОζ (где х+у>3 и ζ<6), причем Ζηx§ηуОζ предпочтительно содержит самое большое 95 мас.% цинка, причем массовый процент цинка выражается относительно общей массы металлов, присутствующих в слое. Пример νΐ.3 показывает пример, в котором улучшающее покрытие (120) имеет оптическую толщину, удовлетворяющую уравнению
Тме “ Тме_0 + [В * 5ΙΠ (К*То1/То1_о)]/(П0снова)3 , и это улучшающее покрытие (120) имеет барьерный слой (1200), который объединен с улучшающим слоем (1201), и указанный улучшающий слой (1201) покрыт кристаллизационным слоем (1202). Кроме того, кристаллизационный слой (1202) и монтажный слой (124) являются слоями одной природы. Эти слои изготовлены из оксида цинка, легированного алюминием (удельное сопротивление для ΖηО:А1:10-4 Ом/см). Защитный слой (1216) изготовлен из ТЮх, причем указанный ТЮх представляет собой оксид титана, полностью или частично окисленный.
Таблица VII
| Примеры | VII 1 | νΐΐ.2 | νπ.3 | |
| Рассеивающий слой(11) | 25 мкм(1) | 25 мкм | 25 мкм*1) | |
| Покрытие | Слои | Природа/ толщина | Природа/ толщина | Природа/ толщина |
| (нм) | (нм) | (нм) | ||
| Улучшение (120) | Барьер (1200) | ΤιΟν 19.0 | Ζη^δηγΟζ/ 25.0 | тю2/ 60.0 |
| Улучшение (1201) | ||||
| Кристаллизация (1202) | ΖηΟ:Α1 / 4.0 | ΖηΟ:Α1/ 4.0 | ΖηΟΑΙ/ 10.0 | |
| Проводящий слой(122) | Ав ! 9.45 | Αρ/9,0 | Αβ/ 14.35 | |
| Защитный слой(121Ь) | ΤίχΟ ί 3.0 | Τί,Ο / 3.0 | Τϊ,Ο / 3.0 | |
| Монтажный слой(123) | ΖηΟΑΙ / 7.0 | ΖηΟ:Α1 / 7.0 | ΖηΟ:Α1 / 7.0 | |
| Гомогенизированный слой(124) | Τι нитрид / 1.5 | Τί нитрид / 15 | Τϊ нитрид / 1.5 | |
| ОСЕ | 1.3 | 1.2 | 1.9 |
(1) рассеивающий слой содержит дополнительно количество 15 об.% частиц алюминия, имеющих 3 мкм в диаметре.
Коэффициент эффективности вывода излучения (ОСЕ) является фактором, который определяет количество света, которое может быть извлечено по сравнению с контролем. ОСЕ вычисляется по отношению к контролю, представленному в примере 1.1К. Значения ОСЕ определяются следующим образом:
яркость каждого устройства ОЬЕИ, включающего подложку согласно примеру Ι.1Κ, VII. 1, νΐΐ.2 и νΐΐ.3, где измерение проводится при угле θ = 0°. Напряжение, прикладываемое к каждому образцу, необходимо только для получения силы тока в 6 мА,
ОСЕ получили путем деления полученных значений яркости на значение яркости, измеренное для примера 1.1К.
Оптические измерения осуществляли с помощью многоканального спектроскопа (торговое наименование С10027), произведенного компанией Наташами Р1ю1ошс5 К.К. Для определения угла угол между направлением нормали элемента и направлением, выходящим из элемента к спектроскопу, определяли как угол измерения θ (фиг. 21).
Claims (21)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Пропускающая свет проводящая подложка (1) для органического светоизлучающего устройства, содержащая прозрачную основу (10), рассеивающий слой (11), сформированный поверх прозрачной основы (10) и содержащий стекло, которое содержит основное вещество (110), имеющее первый показатель преломления по меньшей мере для одной длины волны пропускаемого света, и множество рассеивающих веществ (111), диспергированных в основном веществе (110) и имеющих второй показатель преломления, отличный от показателя- 33 023984 преломления основного вещества, прозрачный электрод (12), сформированный поверх рассеивающего слоя (11), причем указанный электрод (12) содержит один металлический проводящий слой (122) и по меньшей мере одно покрытие (120), имеющее свойства улучшения пропускания света через указанный электрод, где указанное покрытие (120) содержит по меньшей мере один слой, улучшающий пропускание света (1201), и располагается между металлическим проводящим слоем (122) и рассеивающим слоем (11), на котором расположен указанный электрод (12), имеет геометрическую толщину более 3,0 нм и менее или равную 200 нм, где геометрическая толщина покрытия, имеющего свойства улучшения пропускания света (120), ΤΒ1, и геометрическая толщина металлического проводящего слоя (122), Τ^, связаны одним из следующих уравнений:(а) Тме = Тме о+ [В * 31П (π*Τπι/Τοι о)]/(пОСНОБа)'’ (Ь) Тме = Тме о + [В * зт (π*Τοι/Τοι о)]/(п55)3 где ΤΜΕ_0 представляет собой постоянную, имеющую значение в интервале от 10,0 до 25,0 нм,В представляет собой постоянную, имеющую значение в интервале от 10,0 до 16,5 нм,Τ[,ι_0 представляет собой постоянную, имеющую значение в интервале от 23,9хпС1 до 28,3хпС1 нм, где Пи1 представляет собой показатель преломления покрытия, улучшающего пропускание света, при длине волны 550 нм, η основа представляет собой показатель преломления прозрачной основы (10) при длине волны 550 нм, η рассеивающий слой представляет собой показатель преломления рассеивающего слоя (11) при длине волны 550 нм,1 основа представляет собой геометрическую толщину основы (10) и1 рассеивающий слой представляет собой геометрическую толщину рассеивающего слоя (11).
- 2. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.1, отличающаяся тем, что рассеивающие вещества (111) рассеивающего слоя (11) выбираются из пор, осажденных кристаллов, частиц веществ, имеющих химический состав, отличный от основного вещества (110), стекла с разделенными фазами или смесей по меньшей мере двух из них.
- 3. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.2, отличающаяся тем, что частицы веществ выбираются из кристаллических частиц, аморфных частиц или, по меньшей мере, их смеси.
- 4. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что распределение рассеивающих веществ в рассеивающем слое уменьшается от внутренней части рассеивающего слоя (11) в направлении лицевой стороны рассеивающего слоя, противоположной прозрачной основе (10), на которой расположен указанный рассеивающий слой (11).
- 5. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что рассеивающий слой содержит первую часть слоя и вторую часть слоя, сформированную на первой части слоя, указанная вторая часть слоя является более тонкой, чем первая часть слоя, и первая часть слоя содержит намного больше рассеивающих веществ, чем вторая часть слоя.
- 6. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что покрытие для улучшения пропускания света (120) электрода (12) содержит по меньшей мере один дополнительный кристаллизационный слой (1202), где по отношению к рассеивающему слою (11) указанный кристаллизационный слой (1202) является слоем, наиболее удаленным от стопчатой структуры, формирующей указанное покрытие (120).
- 7. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.6, отличающаяся тем, что геометрическая толщина кристаллизационного слоя (1202) равна по меньшей мере 7% от общей геометрической толщины покрытия для улучшения пропускания света (120).
- 8. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что покрытие для улучшения пропускания света (120) содержит по меньшей мере один дополнительный барьерный слой (1200), где по отношению к рассеивающему слою (11) указанный барьерный слой (1200) является слоем, наиболее близким к стопчатой структуре, формирующей указанное покрытие (120).
- 9. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что электрод (12) содержит тонкий слой (124) для гомогенизации поверхностных электрических свойств, который по отношению к рассеивающему слою (11) расположен на вершине многослойной стопчатой структуры, формирующей указанный электрод (12).
- 10. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что электрод (12) содержит по меньшей мере один дополнительный монтажный слой (123), расположенный между металлическим проводящим слоем (122) и тонким гомогенизированным слоем (124).- 34 023984
- 11. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.10, отличающаяся тем, что геометрическая толщина монтажного слоя (Ειη) (123) является такой, что его омическая толщина самое большее равна 1012 Ом, где омическая толщина равна отношению между удельным сопротивлением вещества, формирующего монтажный слой, с одной стороны, и геометрической толщиной этого слоя (1), с другой стороны; и геометрическая толщина монтажного слоя, кроме того, связана с геометрической толщиной первого органического слоя органического светоизлучающего устройства (Еогд), где термин первый органический слой означает все органические слои, расположенные между монтажным слоем и органическим светоизлучающим слоем, посредством уравнения Еогд = А-Ет, где А представляет собой константу, имеющую значение в интервале от 5,0 до 75,0 нм, предпочтительно от 20,0 до 60,0 нм, более предпочтительно от 30,0 до 45,0 нм.
- 12. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.10, отличающаяся тем, что геометрическая толщина монтажного слоя (Ет) (123) является такой, что его омическая толщина самое большее равна 1012 Ом, где омическая толщина равна отношению между удельным сопротивлением вещества, формирующего монтажный слой, с одной стороны, и геометрической толщиной этого слоя (1), с другой стороны; и геометрическая толщина монтажного слоя, кроме того, связана с геометрической толщиной первого органического слоя органического светоизлучающего устройства (Еогд), где термин первый органический слой означает все органические слои, расположенные между монтажным слоем и органическим светоизлучающим слоем, посредством уравнения Еогд=С-Ет, где С представляет собой константу, имеющую значение в интервале от 150,0 до 250,0 нм, предпочтительно от 160,0 до 225,0 нм, более предпочтительно от 75,0 до 205,0 нм.
- 13. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что металлический проводящий слой (122) содержит по меньшей мере один защитный слой (121а и/или 121Ь) по меньшей мере на одной из его сторон.
- 14. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что содержит по меньшей мере одно функциональное покрытие (9) на стороне, противоположной стороне, на которой расположен рассеивающий слой (11).
- 15. Пропускающая свет проводящая подложка (1) по п.1, в которой металлический проводящий слой имеет геометрическую толщину в интервале от 6,0 до 29,0 нм.
- 16. Пропускающая свет проводящая подложка по п.15, где покрытие, имеющее свойства улучшения пропускания света, имеет геометрическую толщину в интервале от 5,0 до 200,0 нм, более предпочтительно от 7,0 до 170,0 нм, наиболее предпочтительно от 10,0 до 130 нм; и металлический проводящий слой имеет геометрическую толщину в интервале от 8,0 до 27,0 нм, предпочтительно от 10,0 до 25,0 нм.
- 17. Пропускающая свет проводящая подложка по п.15 или 16, где основа имеет показатель преломления, по меньшей мере, равный 1,2, предпочтительно, по меньшей мере, равный 1,4, более предпочтительно, по меньшей мере, равный 1,5, более предпочтительно от 1,4 до 1,6 при длине волны 550 нм.
- 18. Органическое светоизлучающее устройство, содержащее по меньшей мере одну пропускающую свет прозрачную подложку (1) по любому из пп.1-17 и по меньшей мере один органический слой.
- 19. Органическое светоизлучающее устройство по п.18, которое излучает квазибелый свет, где по меньшей мере один органический слой выбирается из органического слоя, который содержит: (1) смесь соединений, которые испускают красный, зеленый и синий свет, (2) ламинат трех структур органических слоев, соответствующих, соответственно, частям излучателя красного, зеленого и синего света, или двух структур органических слоев, испускающих желтый и синий свет, или (3) соединение трех структур органических слоев, испускающих красный, зеленый и синий свет, или соединение двух структур органических слоев, испускающих желтый и синий свет.
- 20. Способ получения органического светоизлучающего устройства по любому из пп.18 или 19, в котором формируют пропускающую свет проводящую подложку (1) по п.1, при этом:a) осаждают рассеивающий слой (11) на прозрачную основу (10),b) осаждают покрытие, имеющее свойства улучшать пропускание света (120), на рассеивающий слой (11), с получением указанного покрытия (120), имеющего геометрическую толщину более 3,0 нм и менее или равную 200 нм,c) осаждают металлический проводящий слой (122), образующий прозрачный электрод (12), такой толщины, чтобы соотношения между геометрическими толщинами покрытия (120) и металлического слоя (122) удовлетворяли уравнения п.1; на сформированную пропускающую свет проводящую подложку (1) осаждают другие функциональные элементы, с формированием органического светоизлучающего устройства.
- 21. Способ по п.20, в котором на металлический проводящий слой (122) дополнительно последовательно осаждают защитный слой (121Ь), монтажный слой (123) и гомогенизированный слой (124) до осаждения других функциональных элементов, с формированием органического светоизлучающего устройства.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP2010060304 | 2010-07-16 | ||
| PCT/EP2011/062132 WO2012007575A1 (en) | 2010-07-16 | 2011-07-15 | Transluscent conductive substrate for organic light emitting devices |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201291391A1 EA201291391A1 (ru) | 2013-06-28 |
| EA023984B1 true EA023984B1 (ru) | 2016-08-31 |
Family
ID=43636563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201291391A EA023984B1 (ru) | 2010-07-16 | 2011-07-15 | Пропускающая свет проводящая подложка для органических светоизлучающих устройств |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9222641B2 (ru) |
| JP (1) | JP2013539158A (ru) |
| KR (1) | KR20130143547A (ru) |
| CN (1) | CN103026526A (ru) |
| BR (1) | BR112013001133A2 (ru) |
| EA (1) | EA023984B1 (ru) |
| MX (1) | MX2013000609A (ru) |
| TW (1) | TW201228069A (ru) |
| WO (1) | WO2012007575A1 (ru) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20130129924A (ko) * | 2010-10-25 | 2013-11-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 소자, 투광성 기판 및 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 |
| EP2693839A4 (en) * | 2011-03-31 | 2014-11-26 | Asahi Glass Co Ltd | ORGANIC LED ELEMENT, TRANSLUCENT SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE LIGHT TRACEABLE SUBSTRATE |
| WO2012147685A1 (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-01 | 旭硝子株式会社 | 有機ｅｌ素子、透光性基板および有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| KR20130108026A (ko) * | 2012-03-23 | 2013-10-02 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 |
| TWI523292B (zh) * | 2012-03-30 | 2016-02-21 | Ｌｇ化學股份有限公司 | 用於有機電子裝置之基板 |
| DE102012206955B4 (de) * | 2012-04-26 | 2016-09-22 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Streuschicht für elektromagnetische Strahlung |
| DE102012206967A1 (de) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102012208142B4 (de) | 2012-05-15 | 2021-05-12 | Pictiva Displays International Limited | Organisches licht emittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines organischen licht emittierenden bauelements |
| KR101715112B1 (ko) * | 2012-06-14 | 2017-03-10 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | Ｏｌｅｄ 소자용 적층체, 그 제조방법 및 이를 구비한 ｏｌｅｄ 소자 |
| DE102012210494B4 (de) | 2012-06-21 | 2023-12-28 | Pictiva Displays International Limited | Organische Leuchtdiode |
| FR2994508A1 (fr) * | 2012-08-08 | 2014-02-14 | Saint Gobain | Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
| FR2994509A1 (fr) * | 2012-08-08 | 2014-02-14 | Saint Gobain | Support conducteur diffusant pour dispositif oled, ainsi que dispositif oled l'incorporant |
| KR101421024B1 (ko) * | 2012-10-11 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 금속산화물 박막 기판 및 그 제조방법 |
| US9608228B2 (en) | 2012-12-18 | 2017-03-28 | Konica Minolta, Inc. | Organic light-emitting device with transparent electrode having both conductivity and optical transparency |
| US8754434B1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-06-17 | Corning Incorporated | Flexible hermetic thin film with light extraction layer |
| CN104124395A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| EP2995595B1 (en) | 2013-05-09 | 2020-11-25 | AGC Inc. | Translucent substrate, organic led element and method of manufacturing translucent substrate |
| ES2695052T3 (es) * | 2013-05-17 | 2018-12-28 | Saint-Gobain Glass France | Sustrato OLED difusor transparente y método para producir tal sustrato |
| WO2015015993A1 (ja) * | 2013-08-01 | 2015-02-05 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| WO2015033853A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| CN105247702B (zh) * | 2013-09-30 | 2018-10-26 | 乐金显示有限公司 | 有机电子器件 |
| US9776911B2 (en) * | 2013-10-28 | 2017-10-03 | Ferro Corporation | Dielectric pastes for aluminum substrates |
| US9372291B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-06-21 | Sung Nae CHO | Heat blocking system utilizing particulates |
| KR101520742B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2015-05-15 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기발광소자 |
| US9499740B2 (en) * | 2013-11-22 | 2016-11-22 | Nitto Denko Corporation | Light extraction element |
| CN103715368A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制造方法和显示装置 |
| US9246134B2 (en) * | 2014-01-20 | 2016-01-26 | 3M Innovative Properties Company | Lamination transfer films for forming articles with engineered voids |
| FR3020179B1 (fr) * | 2014-04-22 | 2017-10-06 | Saint Gobain | Electrode supportee transparente pour oled |
| ES2625733T3 (es) * | 2014-07-16 | 2017-07-20 | Saint-Gobain Glass France | Sustrato OLED difusor transparente y método para producir dicho sustrato |
| DE102014110311B4 (de) * | 2014-07-22 | 2017-07-27 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelementes |
| WO2016064674A1 (en) * | 2014-10-21 | 2016-04-28 | Saint-Gobain Performance Plastics Corporation | Support for a flexible oled |
| EP3028999B1 (en) * | 2014-12-01 | 2017-05-24 | Saint-Gobain Glass France | Transparent diffusive oled substrate and method for producing such a substrate |
| CN105990493B (zh) * | 2015-02-13 | 2019-01-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
| US11945189B2 (en) * | 2015-04-14 | 2024-04-02 | Face International Corporation | Systems and methods for producing laminates, layers and coatings including elements for scattering and passing selective wavelengths of electromagnetic energy |
| WO2017053855A1 (en) | 2015-09-23 | 2017-03-30 | Corning Incorporated | Oled light extraction using nanostructured coatings |
| CN106328819A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-01-11 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制作方法 |
| JP7186620B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2022-12-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
| CN109427985B (zh) * | 2017-08-31 | 2019-12-24 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及显示装置 |
| US11251406B2 (en) | 2019-03-07 | 2022-02-15 | Vitro Flat Glass Llc | Borosilicate light extraction region |
| CN117701953B (zh) * | 2023-12-27 | 2024-07-05 | 北京一控系统技术有限公司 | 一种铝合金材料及其制备双零铝箔的方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040056A (en) * | 1996-06-07 | 2000-03-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent electrically conductive film-attached substrate and display element using it |
| EP1329307A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent laminate having low emissivity |
| WO2008059185A2 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Saint-Gobain Glass France | Electrode pour dispositif electroluminescent organique, sa gravure acide, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant |
| US20090153972A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-06-18 | Asahi Glass Company Limited | Translucent substrate, process for producing the same, organic led element and process for producing the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11284343A (ja) | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板及びその製造方法 |
| US6984934B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-01-10 | The Trustees Of Princeton University | Micro-lens arrays for display intensity enhancement |
| JP2005190768A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Toyota Industries Corp | 照明装置 |
| WO2008029060A2 (fr) | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique. |
| DE102007024152A1 (de) | 2007-04-18 | 2008-10-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organisches optoelektronisches Bauelement |
| WO2009060916A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Asahi Glass Co., Ltd. | 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| KR20100138939A (ko) * | 2008-03-18 | 2010-12-31 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 전자 디바이스용 기판, 유기 ｌｅｄ 소자용 적층체 및 그의 제조 방법, 유기 ｌｅｄ 소자 및 그의 제조 방법 |
| JP5155136B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-02-27 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2010084924A1 (ja) * | 2009-01-26 | 2010-07-29 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイスの製造方法、電子デバイス用基板、および電子デバイス |
| JP2010170969A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Asahi Glass Co Ltd | 電極付き基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 |
| CN102577601A (zh) * | 2009-10-15 | 2012-07-11 | 旭硝子株式会社 | 有机led元件、有机led元件的散射层用的玻璃粉以及有机led元件的散射层的制造方法 |
-
2011
- 2011-07-15 TW TW100125242A patent/TW201228069A/zh unknown
- 2011-07-15 US US13/810,545 patent/US9222641B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-07-15 MX MX2013000609A patent/MX2013000609A/es active IP Right Grant
- 2011-07-15 EA EA201291391A patent/EA023984B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-15 WO PCT/EP2011/062132 patent/WO2012007575A1/en active Application Filing
- 2011-07-15 KR KR1020137003287A patent/KR20130143547A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-07-15 CN CN201180034945XA patent/CN103026526A/zh active Pending
- 2011-07-15 BR BR112013001133A patent/BR112013001133A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2011-07-15 JP JP2013520077A patent/JP2013539158A/ja not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6040056A (en) * | 1996-06-07 | 2000-03-21 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent electrically conductive film-attached substrate and display element using it |
| EP1329307A1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-07-23 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Transparent laminate having low emissivity |
| WO2008059185A2 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Saint-Gobain Glass France | Electrode pour dispositif electroluminescent organique, sa gravure acide, ainsi que dispositif electroluminescent organique l'incorporant |
| US20090153972A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-06-18 | Asahi Glass Company Limited | Translucent substrate, process for producing the same, organic led element and process for producing the same |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PANG ET AL.: "ZnS/Ag/ZnS coating as transparent anode for organic light emitting diodes", JOURNAL OF LUMINESCENCE, AMSTERDAM, NL, vol. 122-123, 6 December 2006 (2006-12-06), pages 587-589, XP005768020, ISSN: 0022-2313, DOI: DOI:10.1016/J.JLUMIN.2006.01.232 the whole document * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012007575A1 (en) | 2012-01-19 |
| CN103026526A (zh) | 2013-04-03 |
| JP2013539158A (ja) | 2013-10-17 |
| US20130114269A1 (en) | 2013-05-09 |
| BR112013001133A2 (pt) | 2016-05-17 |
| MX2013000609A (es) | 2013-07-03 |
| US9222641B2 (en) | 2015-12-29 |
| TW201228069A (en) | 2012-07-01 |
| EA201291391A1 (ru) | 2013-06-28 |
| KR20130143547A (ko) | 2013-12-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA023984B1 (ru) | Пропускающая свет проводящая подложка для органических светоизлучающих устройств | |
| EP2384086B1 (en) | Substrate for electronic device and electronic device using same | |
| EP2178343B2 (en) | Translucent substrate, method for manufacturing the translucent substrate and organic led element | |
| CN101855939B (zh) | 透光性基板、其制造方法、有机led元件及其制造方法 | |
| KR101633131B1 (ko) | 유기 발광 장치용 기판, 및 이를 포함하는 유기 발광 장치 | |
| US20110001159A1 (en) | Substrate for electronic device, layered body for organic led element, method for manufacturing the same, organic led element, and method for manufacturing the same | |
| WO2011126097A1 (ja) | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および有機ｌｅｄ素子の製造方法 | |
| US20110297988A1 (en) | Transparent substrate for photonic devices | |
| TW201044665A (en) | Glass for scattering layer of organic led device and organic led device | |
| CN101536608A (zh) | 用于有机发光装置的基板、其用途和制备方法，以及有机发光装置 | |
| RU2666962C2 (ru) | Слоистый материал для светоизлучающего прибора и способ его изготовления | |
| TW201321329A (zh) | 有機ｌｅｄ元件之散射層用玻璃、有機ｌｅｄ元件用之積層基板及其製造方法、以及有機ｌｅｄ元件及其製造方法 | |
| TW201251168A (en) | Organic led element, light-transmitting substrate, and method for producing light-transmitting substrate | |
| KR20130129924A (ko) | 유기 ｅｌ 소자, 투광성 기판 및 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법 | |
| TW201324900A (zh) | 有機ｌｅｄ元件用積層基板及有機ｌｅｄ元件 | |
| WO2012081442A1 (ja) | 有機ｌｅｄ素子の製造方法、散乱層で散乱される光の散乱特性をミー散乱およびレイリー散乱の間で制御する方法、ならびに透光性基板を製造する方法 | |
| JP2013229186A (ja) | 有機ｌｅｄ素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法 | |
| TW201522270A (zh) | 具有過濾效果之平板玻璃 | |
| EP2593979A1 (en) | Transluscent conductive substrate for organic light emitting devices | |
| BE1019243A3 (fr) | Substrat transparent pour dispositifs photoniques. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AM AZ BY KZ KG MD TJ TM RU |