TW201228069A

TW201228069A - Translucent conductive substrate for organic light emitting devices

Info

Publication number: TW201228069A
Application number: TW100125242A
Authority: TW
Inventors: Daniel Decroupet; Benoit Domercq; Philippe Roquiny; Nobuhiro Nakamura; Naoya Wada; Nao Ishibashi
Original assignee: Agc Glass Europe; Asahi Glass Co Ltd
Priority date: 2010-07-16
Filing date: 2011-07-15
Publication date: 2012-07-01
Also published as: WO2012007575A1; CN103026526A; JP2013539158A; US20130114269A1; BR112013001133A2; MX2013000609A; US9222641B2; EA023984B1; EA201291391A1; KR20130143547A

Description

201228069 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種用於有機發光裝置（OLED)之半透明導電基板、用於生產該半透明導電基板之方法、一種併有該半透明導電基板之有機發光二極體，及用於生產該有機發光裝置的方法。【先前技術】有機發光裝置（OLED)包含置於電極之間的至少一有機層’電壓施加於電極之間以注入被允許在該有機層中重新組合之電洞及電子，藉此在自激發狀態轉變至較低能量狀態之過程中藉由發光分子發射光。該有機發光裝置係用於照明顯示、背光及照明應用。自支樓件開始’ OLED劃分為三種類別：底部發射、頂部發射及透明OLED。底部發射OLED使用透明或半透明之底部電極’光經發射而穿過透明支撐件。頂部發射〇LED 使用該光經發射而穿過之透明或半透明的頂部電極，換言之，該光不發射穿過支撐件。最後，透明〇led(t_〇led) 以光可經發射而穿過頂部電極及底部電極兩者之方式在裝置的兩個側面上使用透明或半透明電極。如本文所使用，表達「底部電極」應理解為表示最接近支撐件之電極。一般而5，底部發射OLED包含一般由摻雜銦之氧化錫 (ITO)製成的至少一透明電極、用於支撐該透明電極之透明支撐件，及一般由鈣、銀或鋁製成之抗反射電極 (reflective counter electrode)。該透明支撐件係（例如）由玻 157591.doc 201228069 璃、陶竟玻璃或聚合薄膜製成。0LED之不同成分的折射率對於發光裝置之有機層在L6至1>8之範圍中，對於ιτ〇層在1.6至2.0的範圍中，對於支撐基板在14至丨6之範圍中，且對於外部空氣為丨.〇。有機發光裝置被製造為具有良好的内部光效率。依據内部量子效率（IQE)來表達此效率。内部量子效率表示所獲得之光子的數目除以所注入之電子之數目之間的比率。其在已知的有機發光裝置中為約85%，甚至接近1〇〇%。然而，歸因於構成界定界面之各層的材料之折射率之間的差異此等裝1:之效率明帛受到與界面反射壬見象相關聯之損失的限制。由於反射（R)所引起之損失在界面處出現，且引起外部量子效率（EQE)的降低。外部量子效率等於内部量子效率減去經由反射之損失。由於所有此等組合損失，通常接受：外部量子效率一般在内部量子效率之2〇%至 2 5 %的範圍中。摻雜銦之氧化錫（ITO)為最廣泛用以形成透明電極之材料。然而，其使用遺憾地引起一些問題。實際上，銦資源為有限的，此在短期内將導致此等裝置之生產成本的不可避免之增加。此外，由於IT0之有限電阻率，必需使用厚層來獲得足夠導電之電極（亦即，具有約5 Ω/口之電阻的 ΙΤΟ層需要使得電極之吸收增加的厚度）^此外，厚ΙΤΟ 一般更易結晶，從而使得表面之微觀粗糙度增加，該表面必須接著被偶爾拋光以供用於有機發光裝置内。對於顯示應用，此ΙΤΟ材料可具有足夠之導電率，因為像素大小係小 157591.doc 201228069 的’通常為約1 mm或更小。然而，此等透明ITO電極之導電率對於需要大得多之發射區域的應用（諸如，照明面板）可為不足的。此外，有機發光裝置中所存在之銦具有擴散至此等裴置之有機部分中的趨勢，從而導致此等裝置之存放期及操作壽命的減少。為了解決此等問題’已提出不同之電極結構。文件w〇 2008/029060 Α2揭示一種透明基板（詳言之，透明玻璃基板）’其具有包含金屬導電層之具複雜堆疊結構的多層電極且亦具有組合障壁層與抗反射層之性質的基底層。此類型之電極使得能夠獲得具有低電阻率之層及至少等於ΙΤ〇電極的透明度’且此等電極可有利地用於諸如光面板之大表面光源的領域中。此外，此等電極允許用於其製造中之銦的量減少或甚至完全抑制。然而，儘管使用呈障壁層之形式的抗反射層，但在文件WO 2008/029060 Α2中所提出之解決方案並未以任何方式設法藉由限制與界面反射現象相關聯之損失而最佳化OLED所發射之光的量。此外，亦觀察到取決於視角的由OLED所發射之光的色彩變化。【發明内容】待解決之問題本發明之目標係克服先前技術之缺點。更精確地，在至少一實施例中，由本發明所設定之目標為提供用於OLED之半透明導電基板，該半透明導電基板允許獲得在向前方向上透射穿過基板之光之量的增加，換言之，由其所併入至之OLED所發射之光的量之增加（亦 157591.doc 201228069 即’在單色輻射之狀況下）。 ;n 早色」應理解為意謂單一色彩(例如，紅色、綠色、藍色、白色··....)被眼睛感知’而此光並非因而為單色的。換言之，I色輻射表示覆蓋-波長範圍而非簡單波長之輻射。此外，該半透明導電基板必須易於製造。在至少-實施例中’本發明之目標設定為提供用於 OLED之半透明導電基板，該半透料電基板允許減少、甚至抑制用以製造在該半透明導電基板中所包含之透明電極的基於銦、氧化銦或其混合物之材料的量。在至少-實施财，本發明之另—目標設定為提供半透明導電基板’該半透明導電基板允許減小由併有該半透明導電基板之OLED所發射之光的色彩角度相依性。發明揭示内容本發明係針對一種用於有機發光裝置之半透明導電基板’其包含： • 透明支撐件， •散射層，其形成於該透明支撐件之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料及複數種散射材料，該基底材料具有對於待透射之光之至少一波長的第—折射率’該複數種散射材料分散於該基底材料中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率， • 透明電極，其形成於該散射層之上，該電極包含至少一金屬導電層（較佳為單一金屬導電層）及具有用於改良穿過該電極之光透射之性質的至少一塗層， 157591.doc 201228069 其中該塗層具有至少大於3_0 nm且至多小於或等於 200 nm的幾何厚度。由根據本發明之基板所提供的優點在於，其一方面允許由併有其之OLED在向前方向上所發射之光之量的增加（亦即，在單色輻射之狀況下），且另一方面允許取決於視角的由OLED所發射之光之色彩變化的減小。此外，在發射白光之有機發光裝置的狀況下，根據本發明之基板可供用於形成發射白光之OLED之有機部分的任何已知類型之分層堆疊結構中。本發明之半透明導電基板包含透明支撐件。當該支樓件在可見光範圍之波長下展現至多50〇/〇、甚至至多3〇%、較佳至多20%、更佳至多10%之光吸收時，該支撐件將被視為透明的。在一特定實施例中’根據本發明之半透明導電基板包含透明支撐件，該透明支撐件在550 nm之波長下具有至少等於1.2、較佳至少等於i.4、更佳至少等於ι 5的折射率°使用具有高折射率之支樓件所提供的優點在於，其允許在向前方向上所透射或所發射光的量在相同之半透明導電基板結構的情況下增加。術語「支撐件」亦應理解為因而並不僅意謂支撐件，而且亦意謂包含支撐件以及具有接近支撐件之折射率

* ^ u p p Ο Γ X 的折射率nmateria丨（換§之’丨nsupp<jrt_nmateriah〇.i)之材料之至夕層的任何結構。lnsupp〇rfnmateria丨丨表示折射率之間的差之絕對值。沈積於碳酸鈉_石灰矽石玻璃支撐件上之氧化矽層可引用為實例。此層用以在將沈積另一層之前保護玻 15759I.doc 201228069 璃表面抵抗老化。支撐件之功能為支撐及/或保護電極。支撐件可由破璃、硬質塑膠材料（例如，有機玻璃、聚碳酸酯）或可撓性聚合薄膜（例如，聚氣乙烯（PVC)、聚對苯二甲酸伸乙酯 (PET)、聚丙烯（PP)、聚四氟乙烯（PTFE))製成。支撐件較佳為硬質的。若支撐件為聚合薄膜，則此支撐件較佳具有高折射率，其中支撐件之折射率（nsupp<m)具有至少等於i 4、較佳至少等於1.5、更佳至少等於16的值β 表示支撐件在55〇 nm波長下之折射率^使用具有高折射率之支樓件所提供的優點在於’其允許所發射光的量在相同之基板結構的情況下增加。若支撐件係由玻璃（例如，玻璃薄片）製成，此支撐件較佳具有至少（U mm之幾何厚度。術語「幾何厚度」應理解為意謂平均幾何厚度。玻璃為礦物玻璃或有機玻璃。礦物玻璃較佳。在此等玻射，m戈大塊的或表面著色之碳酸鈉-石灰-矽石玻璃較佳。更佳地，此等玻璃為格外清 ^之碳酸納·石灰·_石玻璃。術語「格外清澈」表示玻璃含有以玻璃重量計至多〇.㈣重量百分比且較佳大於〇.〇15 重量百分比之表達為Fe2〇3的總Fee由於玻璃之低孔隙率’玻璃具有如下優點··確保抵抗包含根據本發明之半透 :導電基板之0LED的任何形式之污染的最好保護。具有尚折射率之玻璃較佳，玻璃之折射率具有至少等於14、較佳至少等於1.5 更佳至少專於1.6、最佳至少等於17之 157591.doc 201228069 值。然而’出於成本原因，玻璃之折射率〜啊川較佳具有在1.4與1.6之間的範圍中之值。更佳地，玻璃之折射率具有約1.5之值。nsupp(m表示支撐件在55〇 nm波長下之折射率。有利地’玻璃支撐件在沈積有散射層之玻璃面上包含至少一障壁層。此層詳言之允許電極藉由來自支撐件（例如’由碳酸納-石灰-矽石玻璃製成）之鹼性物質的遷移而被保護免受任何污染，且由此使得電極之使用壽命能夠延長。障壁層包含選自以下各者中之至少一化合物：氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、鋅·錫之混合氧化物、鋅_鋁之混合氧化物、氮化矽、氮化鋁、氮化鈦、氮氧化矽、氮氧化鋁。本發明之基板包含散射層，其中該散射層係形成於該透明支撲件之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料及複數種散射材料’該基底材料具有對於待透射光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料係分散於該基底材料中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率。散射層係藉由諸如在所要溫度下塗佈且燒製其之方法藉由將玻璃粉末沈積於玻璃基板上而形成。該散射層具有具第一折射率之基底材料，及分散於上文所提及之基底材料中且具有不同於上文所提及之基底材料的折射率之第二折射率的複數種散射材料。關於散射層，可使用主表面經塗佈且具有高光透射率的材料（基底材料）。關於基底材料，可使用玻璃、結晶玻璃、半透明樹脂或半透明陶瓷。關於用於玻璃之材料，可使用諸如鹼石灰玻螭、硼石夕玻璃、非 157591.doc -10· 201228069 驗性玻璃、低驗性玻璃或石英玻璃之無機玻璃。順帶言 :，該複數種散射材料係形成於基底材料之内部中。在— 實施例中，半透明導電基板係使得散射材料係選自細孔、沈澱晶體、具有不同於基底材料之化學組合物之材料顆粒、相分離玻璃、或來自其中至少兩者的混合物。散射材料較佳係選自沈澱晶體、具有不同於基底材料之化學組合物之材料顆粒、相分離玻璃、或來自其中至少兩者的混合物。散射材料最佳選自相分離玻璃。如本文中用作散射材料之材料顆粒意謂小的固體材料。在一實施例中，半透明導電基板係使得用作散射材料之材料顆粒係選自結晶顆粒、非晶形顆纟或其至少—混合物。用4乍散射材料之材料顆粒可具有相同或不同之化學組合物，較佳該等顆粒具有相同的化學組合物。構成顆粒之材料較佳選自陶瓷材料。陶究係選自陶瓷氧化物（Ti〇2、Zr〇2、Sn〇2、Ζη〇2、 Si〇2、Sb203、Α12〇3、ZrSi〇4，較佳為 Ti〇2、Zr〇2、 Al2〇3、Si〇2)、陶瓷非氧化物（碳化物、硼化物、氮化物、石夕化物），或複合陶瓷（氧化物陶瓷與非氧化物陶瓷之組合）。該等顆粒係呈填料之形式（亦即，膠粒、聚集體、叢集’…）。在使用顆粒作為散射材料之狀況下，需要藉由兩層來製成散射層。在此狀況下，需要顆粒不存在於上層中之散射層中。此外’細孔意謂截留於基底材料内之空氣或氣體材料。此外，相分離玻璃意謂由兩種或兩種以上玻璃相構成之玻璃。順帶言之，當散射材料為細孔時，散射材料之大小指示空隙之直徑。 157591.doc 201228069 在一實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得散射材料在散射層中之分佈自散射層之内部朝向散射層的與透明支撐件（其上沈積有該散射層）相對之面減小。此外，為了防止OLED元件之電極間短路，要求散射層之主表面為平滑的《為該目的，散射材料自散射層之主表面突出係不利的又，為了防止散射材料自散射層之主表面突出，散射材料不存在於距散射層之主表面（換言之，散射層之與其上沈積該散射層之透明支撐件相對的面y 〇 μιη、較佳 0·5 μηι、最佳〇·2 μηι内係較佳的。在一實施例中，散射層不限於單一層，而可為兩個或兩個以上層《在散射層包含第一層部分及形成於第一層部分上之第二層部分的狀況下，該第二層部分薄於第一層部分且第一層部分具有遠多於第二層部分之散射材料係較佳的。詳&之’若固體材料用作散射材料，則除了第一層部为與第一層部件之間的界面以外’第二層部分不具有散射材料係更佳的。歸因於散射層之表面上之固體材料的存在，具有引起短路之可能性。散射層之表面具有有凸起部之曲率表面。藉此，凸起部意謂周長（cycle)R.a為至少10 μηι。凸起部（粗縫度）之大小意謂Ra係在自〇.〇1 μηι至5 μιη之範圍内。較佳R.a大於1〇 μιη ’且Ra/R.a在自l.OxlO·5至ι·〇χ1〇-ι之範圍内，從而使得陽極電極之鏡射功能減小。R*a大於50 μηι且Ra/R*a在自 l_0xl0·4至3·〇χ10·2之範圍内係更佳的。本文中所使用之Ra 及 R*a 意謂基於 ISO 4287:1997(JIS B0601:2001)所計算之 157591.doc -12· 201228069 值’從而將短波長截止值取為25 μηι，且將長波長截止值取為2.5 mm。儘管散射材料及基底材料之折射率兩者可為高的，但該等折射率之差的絕對值丨Δη|對於在散射層之發射光譜範圍中的至少一部分較佳為0.2或更大，。為了獲得足夠之散射特性，折射率之差的絕對值丨Δη|在發射光譜範圍之整個區域（430 nm至650 nm)或可見光之波長範圍的整個區域（3 60 nm至830 nm)内更佳為〇.2或更大，丨Δη|2〇 2。散射層之幾何厚度係在2 μπι至1〇〇 μιη之範圍中，較佳在1〇 μιη至60 μιη的範圍中。通常，散射層之折射率必須等於或高於基於透明導電氧化物（諸如，ΙΤΟ)之透明電極材料的折射率。當折射率低時，在基底材料與半透明電極材料之間的界面處發生歸因於全反射之損失。僅要求基底材料之折射率對於在散射層之發射光譜範圍中的至少一部分（例如，紅色、藍色、綠色或其類似者）超過》然而，其較佳在發射光譜範圍之整個區域内（430 nm至650 nm)超過，且更佳在可見光之波長範圍的整個區域内（360 11111至83〇 nm)超過。發明者已驚訝地發現，在具有多層結構之電極的情況下不需要此條件。散射層之折射率係測定如下：製備具有與散射層相同之組合物的玻璃，且使用稜鏡方法使用商標名為KpR2〇〇〇的

Shimadzu Device c〇rp〇rati〇n量測設備量測該玻璃的折射率。為了獲得最大折射率差，使用高折射率玻璃作為上文所 157591.doc •13· 201228069 提及之高光透射率材料且使用氣體材料（g卩，細孔）作為散射材料的散射層係合乎需要的。在此狀況下，基底材料之折射率宜儘可能地高，以使得較佳使用高折射率玻璃作為基底材料。關於高折射率玻璃之組份，可使用選自P2〇5、 Si〇2 B2〇3、Ge2〇及Te〇2中之一種或者兩種或兩種以上組伤作為網路形成劑（network former)，且使用選自Ti〇2、

Nb2〇5、w〇3、Bi203、La203、Gd203、γ2〇3、Zr02、

ZnO、Ba0、凡〇及％2〇3中之一種或者兩種或兩種以上組份作為高折射率組份。另外，在調整玻璃之特性方面，可在不會削弱折射率所需之特性的範圍内使用鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物、氟化物或其類似物。特定玻璃系統括 B203-Zn0-La203 系統、p2〇5_B2〇3_R,2〇_R"〇_Ti〇2_ Nb2〇5-W〇3-Bi2〇3 系統、Te〇2_Zn〇系統、B2〇3_Bi2〇3 系統、Si02-Bi2〇3 系統、Si〇2-Zn〇系統、B2〇3_Zn〇系統、 Ρ2〇5_Ζη〇系統及其類似物，其中R，表示鹼金屬元素且r" 表不鹼土金屬元素。順帶言之，上文為實例’且不應將玻璃系統解釋為受限於此等實例，只要其經構成以便滿足上文所提及之條件即可。在本發明中，散射層使用玻璃，該玻璃含有按其總量計 15至30莫耳％之！>2〇5、5至25莫耳％之出2〇3、$至η莫耳％之NhO3、10至35莫耳％之211〇，及5質量％或更少的包含 Li2〇、Na2〇及κ20之鹼金屬。 h〇5為基本組份，此係因為其為係此玻璃系統之骨架的網路形成劑，且為玻璃穩定元素。然而，#含量過低時， 15759I.doc 14 201228069 玻璃之去玻作用增加以導致不能獲得玻璃。因此，其較佳為15莫耳％或更大，且更佳為18莫耳％或更大。另一方面’當含量過高時’折射率減小以導致不能達成本發明之目標。因此’其較佳為30莫耳％或更小，且更佳為28莫耳 °/〇或更小。因此’玻璃中之Ρζ〇5的量有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，更有利地包含於自18莫耳％至28莫耳 %的範圍内。

Bi2〇3為改良折射率之組份，且可以相對高的量引入至玻璃中同時保持玻璃之穩定性。因此，含量大於5莫耳 %、較佳大於10莫耳％，且更佳大於13莫耳。/(^然而，其過量引入造成製造著色較深之玻璃，因此減小透射率的問題。因此’含量為25莫耳％或更小、較佳23莫耳％或更小，且更佳20莫耳。/0或更小。因此，玻璃中之Bi2〇3的量有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自1〇莫耳％至23莫耳％、更佳自13莫耳％至2〇莫耳％之範圍内。

Nb2〇5為改良折射率且亦具有同時增強耐候性之效應的基本組份。因此，含量為5莫耳％或更大、較佳7莫耳％或更大，且更佳10莫耳％或更大。另一方面，當含量過高時，去玻作用增加，從而導致不能獲得玻璃。因此，其含量為27莫耳％或更小、較佳2〇莫耳％或更小，且更佳Μ莫耳％或更小。因此，玻璃中之NhO5的量有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自7莫耳％至2〇莫耳％之範圍内、更佳包含於自1〇莫耳％至18莫耳％的範圍内。

ZnO為改良折射率且減小玻璃轉變溫度之組份。因此， 157591.doc 201228069 含量為10莫耳％或更大、較佳16莫耳％或更大，更佳18莫耳％或更大。然而，當過量添加其時，玻璃之去玻作用增加’從而導致不能獲得同質玻璃。因此，含量為35莫耳％或更小、較佳30莫耳％或更小，且更佳27莫耳％或更小。因此，玻璃中之ZnO的量有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自16莫耳％至3〇莫耳％、更佳自18莫耳°/〇至27莫耳％之範圍内。諸如UA、NkO及ΙΟ之鹼金屬氧化物（尺2〇)具有改良可熔性以減小玻璃轉變溫度之效應，且同時具有增強與玻璃基板之親和力以增加黏著的效應。為此原因，需要使混合物含有一種或者兩種或兩種以上此等該等鹼金屬氧化物。當其處於過量比例時，削弱玻璃之穩定性。另外，此等組份傾向於減小折射率，從而導致不能達成光提取效率之所要改良。此外，低量之驗的使用藉由此等驗性離子減小〇LED之電極或有機部分的污染風險。因此，鹼金屬氧化物之總量較佳為小於5質量％、更佳小於2質量％、特定口之較佳實質上不含有驗金屬氧化物。 Τί〇2為改良折射率之可選組份。然而，當含量過高時，玻璃之著色增加以引起散射層中之增加的損失，從而導致不能:成改良光提取效率的目標。因此，含量較佳至多為石異耳％。 b2〇3為作為添加至玻璃中，藉此改良對去破作用之抗性且減小熱膨脹係數之組份的可選組份。當含量過高射率減小。因此’其較佳為〗7莫耳％或更小。 15759I.doc • 16 - 201228069 w〇3為改良折射率且減小玻璃轉變溫度以減小燒製溫度的可選組份。然而，其過量引入導致玻璃之著色，以引起光提取效率之降低。因此，其含量較佳至多為20莫耳〇/〇。

Te〇2為具有降低玻璃轉變溫度，同時抑制熱膨脹之過量升高的效應之可選組份。因此，含量較佳至多為7莫耳 %。

Ge〇2為具有高折射率之效應的可選組份。因此，含量較佳至多為7莫耳％。

Sb2〇3為具有抑制色彩之效應的可選組份。因此，含量較佳至多為2莫耳％。鹼土金屬氧化物（Mg〇、Ca〇、Sr〇及Ba〇)為改良玻璃之穩定性的可選組份。然而，其過量引人導致減小熱膨脹係數及折射率。因此，其總含量較佳至多為1 〇莫耳％。即使為不同於上文所提及之組份的組份，吾人亦可為改進或改良溶解度之目的而添加，只要其不背離本發明之效率即可。此等組份包括（例如）Si〇2、Al2〇3、La203、 Y2〇3、Gd2o3、Zr〇2、Ta2〇3、Cs2〇，且亦可含有過渡金屬氧化物。其含量較佳小於總量之5莫耳％、更佳小於3莫耳 %，特定言之較佳實質上不含有其。本&月之玻璃實質上不含有氧化錯’以較不可能引起環境污染8 本發明之基板包含透明電極’其中該電極可充當陽極或相反地充當陰極，此取決於該電極所插入至之〇led的類型。表達「具有用於改良光透射之性質的塗層」應理解為 157591.doc -17- 201228069 表示其在形成電極之堆疊結構中的存在導致透射穿過基板之光之量的增加的塗層（例如，具有抗反射性質的塗層）。換言之’併有根據本發明之基板的〇LED與相同類型但具有沈積於與根據本發明之基板之支禮件相同的支掉件上之經典電極（例如，ITO層）的OLED相比發射較高量的光，所發射光之量的該增加係藉由較高之亮度值表徵，而無關於所發射光的色彩。用於改良光透射之塗層的幾何厚度必須具有至少大於 3.0 nm、較佳至少等於5.0 nm、更佳至少等於7 〇 nm、最佳至少等於1〇·〇 nm的厚度。舉例而言，當用於改良光透射之塗層係基於氧化鋅或氧處於化學計量下之氧化辞Ζη〇χ (其中此等氧化鋅可能經摻雜或與錫成合金）時，至少大於 3·〇 nm的用於改良光透射之塗層的幾何厚度允許獲得具有良好電導率的金屬導電層（特定言之，由銀製成用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地具有小於或等於2〇〇〇 nm、較佳小於或等於17〇〇 nm、更佳小於或等於13〇〇打爪之厚度，且此等厚度之優點在於該塗層的生產製程較快的事實。因此，用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地包含於自5.0 nm至200.0 nm、較佳自7 〇〇111至17〇〇 nm、更佳自10.0 nm至130 nm的範圍内。金屬導電層之幾何厚度至少等於6.〇 nm、較佳至少等於 8·〇 nm、最佳至少等於10.0 nm、至多等於29〇 nm、較佳至多等於27.0 nm、更佳至多等於25 〇 nm、最佳至多等於 22.0 nm。因此，金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前 157591.doc -18· 201228069 述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自6 〇 nm至29.0 nm、較佳自8.0 nm至27.0 nm、更佳自1〇〇 nm至25 〇 nm的範圍内。 . 在一特定實施例中’半透明導電基板使得透明電極形成於散射層之上，該電極包含單一金屬導電層及具有用於改良穿過該電極之光透射之性質的至少一塗層，其中該塗層具有至少大於3.0 nm且至多小於或等於2〇〇 nm2幾何厚度’且s亥塗層包含用於改良光透射之至少一層且位於金屬導電層與其上沈積該電極的散射層之間，其中具有用於改良光透射之性質之塗層的光學厚度TD1與金屬導電層之幾何厚度TME係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TDI_0)]/(nsupport)3 其中Tme_o、B及TD10為常數，其中τΜΕ0具有在lo.o nm 至25.0 nm之範圍中的值，b具有在10.0 nm至16.5 nm之範圍中的值’且TD10具有在23.9xnD1 nm至28.3xnD1 nm之範圍中的值，其中^^表示用於改良光透射之塗層在550 nm 之波長下的折射率，且nsupp()rt表示支撐件在550 nm之波長 • 下的折射率。 ' 一層之光學厚度係藉由將該層之幾何厚度乘以構成該層之材料的折射率來獲得。所取之折射率值係在550 nm波長下的值。發明者已驚訝地發現，基於藉由將金屬導電層之幾何厚度TME關連至具有用於改良光透射之性質的塗層之光學厚 157591.doc -19- 201228069 度TD1的方程式所進行之選擇的電極堆疊結構導致由〇LED 所發射之光之量的增加。在一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得透明電極形成於散射層之上，該電極包含單一金屬導電層及具有用於改良穿過該電極之光透射之性質的至少一塗層’其中該塗層具有至少大於3.0 nm且至多小於或等於 2〇〇 nm之幾何厚度，且該塗層包含用於改良光透射之至少一層且位於金屬導電層與其上沈積該電極的散射層之間，其中具有用於改良光透射之性質之塗層的光學厚度丁⑴與金屬導電層之幾何厚度TME係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD]/TD1_0)]/(nss)3 其中TME_o、B及TD10為常數’其中Tme〇具有在1〇〇 nm 至25.0 nm之範圍中的值’ B具有在1〇〇 ηιη至16.5 nm之範圍中的值’且TD丨_〇具有在23.9xnD1 nm至28.3xnD丨nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良光透射之塗層在55〇 nm 波長下的折射率，且nss表示包含支撐件及散射層之堆疊結構在550 nm波長下的折射率，

ringjqyer J ottering丨oyer

甘 dj M _ (”sup;wrt ’support j+ {^scatt /、丁 lss Tj ' — I

vsup port ^scatteringlayer J nsUpp〇rt表示透明支撐件在55〇 nm波長下之折射率， nscatteringUyer表示散射層在55〇 nm波長下之折射率，i …丁 Asupp0rt 表示支撐件之幾何厚度，且Iseatteringiayer表示散射層的幾何 157591.doc -20- 201228069 厚度。發明者已驚訝地發現，基於將金屬導電層之幾何厚度關連至具有用於改良光透射之性質的塗層之光學厚度Tdi的方程式之電極堆疊結構的選擇可經調適，以便考量散射層之折射率（例如，當散射層之光學厚度大於或等於支撐件之光學厚度的0.1%時）。在一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得用於改良光透射之塗層在550 nm波長下的折射率高於包含支樓件及散射層之堆疊結構在550 nm波長下的折射率。在一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得支撐件在550 nm波長下具有在1.4與1 6之間的範圍中之折射率nsupport ’且電極使得具有用於改良光透射之性質之塗層的光學厚度td1與金屬導電層之幾何厚度Tme係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TD10)]/(nsupport)3 其中Tme—o、B及TD10為常數，其*Tme_〇具有在1〇〇 nm 至25.0 nm、較佳10.0 nm至23·0 nm之範圍中的值，B具有在10.0 nm至16.5 nm之範圍中的值，且tDi_0具有在 23.9xnD1 nm至28_3xnD1 nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良光透射之塗層在550 nm波長下的折射率，且nsupp。^ 表示透明支撐件在550 nm波長下之折射率。較佳地，常數 Tme_o、B及 TD1_〇使得 TME 0具有在 1〇.〇 nm至 23.0 nm、較佳 10.0 nm至22.5 nm、更佳11·5 nm至22.5 nm之範圍中的 15759I.doc -21 · 201228069 值，B具有在11.5至15.0之範圍中的值，且τ〇ι ◦具有在 24.8xnD1 nm至27.3xnD丨nm之範圍中的值。更佳的，常數 Tme_g、B及TD丨。使得TME_。具有在ι〇·〇 nm至23 〇 nm、較佳 10.0 nm至22.5 nm、更佳11.5 11„1至22 5 nm之範圍中的值，B具有在12.0至15.0之範圍中的值，且具有在 24.8xnDi nm至27.3xnD丨nm之範圍中的值。根據一特定實施例，根據本發明之半透明導電基板使得支撐件具有在1.4至1.6之範圍中的折射率值nsupp〇rt，且使得金屬導電層之幾何厚度至少等於6 〇 nm、較佳至少等於 8.〇 nm、更佳至少等於10.0 nm且至多等於22 〇 nm、較佳至多等於20.0 nm、更佳至多等於18 〇 nm，金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自6.0 nm至22·0 nm、更佳自8.0 nm至20.0 nm、最佳 10.0 nm至18.0 nm之範圍内，且其中用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於5〇.〇 nm、較佳至少等於60 〇 nma 至多等於130_0 nm、較佳至多等於11〇〇 nm、更佳至多等於90.0 nm，用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自5〇〇 nm至 Π〇·〇 nm、更佳自60.0 nm至9〇·〇 nm的範圍内。在一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得支撐件具有在1.4至1.6之範圍中的折射率值nsupp〇rt，且使得金屬導電層之幾何厚度至少等於16〇 nm、較佳至少等於18.0 nm、更佳至少等於2〇〇 nm且至多等於29 〇 ηηι、較佳至多等於27.0 nm、更佳至多等於25 〇 nm，金屬導電層 157591.doc -22- 201228069 之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自16.0 nm至29.0 nm、更佳自18.0 nm至27.0 nm、

最佳自20.0 nm至25.0 nm的範圍内，且其中用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於20.0 nm且至多等於4〇〇 nm。令人驚訝地，與用於改良光透射之塗層之最佳化厚度組合的厚金屬導電層之使用允許獲得具有高亮度之〇LED 以及半透明導電基板，其中電極具有以Ω/α表達之較低表面電阻。在一較佳實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得形成用於改良光透射之塗層的材料之折射率（nDi)高於支撐件的折射率（11叫1)。“）（11〇丨>115111)1)。”），較佳11〇丨>12^叩。”、更佳nD丨>1.3 nsuppc)rt、最佳nDi>1 5 nsupp()rt。形成塗層之材料的折射率（nD1)在550 nm波長下具有自i 5至2 4之範圍、較佳自2.0至2.4之範圍、更佳自21至2 4之範圍内的值。當用於改良光透射之塗層係由若干層形成時，η〇ι係藉由以下方程式給出： m Σηχχ1χ nDl=—- ^Dl 其中m表不塗層中之層數目，〜表示形成自支撐件開始之第Χ個層之材料的折射率，表示第X個層之幾何厚产： 1D1表示塗層的幾何厚度q有較高折射率的材料之使二允許獲得較高量之所發射或所透射光。所提供之優點為用於改良光透狀㈣的折料與支撐件之折射率之間的差更 157591.doc -23- 201228069 為顯著。形成用於改良光透射之塗層之至少一層的材料包含至少一介電化合物及/或至少—導電化合物。術語「介電化合物」應理解為意謂選自以下各者中之至少一化合物： -選自 Y、Ti、Zr、Hf、v、Nb、Ta、Cr、Mo、W、 Ni、Zn、A1、Ga、ln、Si、Ge、Sn、sb、Bi之至少一兀素的氧化物以及其中至少兩者的混合氧化物；選自删銘石夕、錯中之至少一元素的氮化物以及其中至少兩者的混合氮化物；氮氧化矽、氮氧化鋁、矽-鋁之混合氮氧化物； - 碳氧化石夕。右存在，則介電化合物較佳包含氧化紀、氧化欽、氧化 °氧化铪、氧化鈮、氧化鈕、氧化鋅、氧化錫、氧化銘、氮化、氮切及/或碳氧化石夕。術語「導電」應理解為關於選自以下各者之化合物： -氧處於化學計量下之氧化物及選自Tin V、Nb、Ta、Cr、M〇、w、ZnAi、Gain、si、

Ge、Sn、Sb、Bi 中之 g 小乂 ''元素的摻雜氧化物，以弋玫中至^兩者之氧處於化學計量下之混合氧化物或摻雜混合氧化物； • 選自硼、鋁、矽、鍺之存， „ ^ ^ 主^、一元素的摻雜氮化物以雜中至少兩者的混合摻雜氮化物； •摻雜之碳氧化矽；

Ga、In、Sn、P、Sb、F 中摻雜劑較佳包含選自Al、 157591.doc •24. 201228069 之元素_的至少一者》在氮氧化矽之狀況下，摻雜劑包含B、A1及/或Ga。導電化合物較佳至少包含1丁〇及/或摻雜之氧化錫，其中摻雜劑為選自F及Sb中之至少一元素及/或摻雜之氧化辞， ”十摻雜劑為選自Al、Ga、Sn、Ti中的至少一元素。根據一較佳實施例’無機化合物至少包含ZnOx(其中xSl)及/或. ZnxSny〇z(其中。ZnxSny〇z較佳包含以存在於層中之金屬之總重量計的至多9$0/〇。形成根據本發明之半透明導電基板之一部分的電極之金屬導電層主要確保該電極之導電性。其包含由金屬或金屬混合物所構成的至少一層。一般術語「金屬混合物」表示呈合金形式之至少兩種金屬的組合或至少一金屬藉由至少一其他金屬的摻雜’其中該金屬及/或該金屬混合物包含選自Pd、Pt、Cu、Ag、Au、A1中的至少一元素。該金屬及/或该金屬混合物較佳包含選自Cll、Ag、Au、A1中之至少一 το素。更佳地，金屬導電層至少包含呈純形式或與另一金屬成合金的Ag。另一金屬較佳包含選自Au、Pd、 A卜 Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Μη、

Co、Sn中之至少一元素。更佳地，另一金屬至少包含兇及/ 或Au，較佳為Pd。發明者已發現，金屬導電層之幾何厚度必須至少等於6.0 nm，以便獲得電極之良好電導率（換言之’低電阻）。根據一特定實施例，形成根據本發明之半透明導電基板之一部分的電極之用於改良光透射的塗層包含至少一額外 157591.doc -25- 201228069 結晶層’其中相對於支撐件’該層係自形成該塗層之堆疊結構移除的最遠層。此層允許金屬層（例如，由銀製成）之較佳生長’從而形成金屬導電層’且由此允許獲得金屬導電層之有利的電及光學性質。其包含至少一無機化合物。形成結晶層之無機化合物不必具有高折射率。無機化合物至少包含Zn〇x(其中cl)及/或ZnxSnyOz(其中x+yy且ζ$6)。 ZnxSny〇z較佳包含至多95重量％之鋅，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬之總重量所表達。結晶層較佳由 ZnO構成。由於具有用於改良光透射之性質的層具有大體大於在多層導電塗層（例如’低發射型塗層）之領域中通常遇到之厚度的厚度，因此結晶層之厚度必須經調適或增加以提供具有良好導電性及極低吸收的金屬導電層。根據一特定實施例’結晶層之幾何厚度至少等於用於改良光透射之塗層之總幾何厚度的7%且較佳11%、更佳 14°/^舉例而言’在包含用於改良光透射之層及結晶層的用於改良光透射之塗層的狀況下，若結晶層之幾何厚度增加’則必須減小用於改良光透射之層的幾何厚度，以便符合金屬導電層之幾何厚度與用於改良光透射之塗層的光學厚度之間的關係。根據一特定實施例，結晶層與用於改良光透射之至少一層合併，從而形成用於改良光透射的塗層。根據一特定實施例，用於改良光透射之塗層包含至少一額外障壁層，其中相對於散射層，該障壁層為最接近於形成該塗層之堆疊結構的層。此層詳言之允許電極藉由來自 157591.doc •26· 201228069 支撐件（例如，由碳酸鈉_石灰_矽石玻璃製成）或來自散射層之驗物質的遷移而被保護免受任何污染，且由此使得電極之使用壽命能夠延長。障壁層包含選自以下各者中之至少一化合物： _氧化鈦、氧化錯、氧化鋁、氧化釔以及其中至少兩者之混合氧化物； -鋅-錫、辞-銘、辞-鈦、鋅-銦、錫-銦之混合氧化物；氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽' 碳氮氧化石夕、氮化鋁、氮氧化鋁、鋁-矽之混合氮化物、鋁_矽之混合氮氧化物； -其中此障壁層可能摻雜有錫或與錫成合金。根據一特定實施例，障壁層與用於改良光透射之至少一層合併’從而形成用於改良光透射的塗層。根據p早壁層及結晶層之一較佳實施例，此等兩個額外層中之至少一者與用於改良光透射之至少一層合併，從而形成用於改良光透射的塗層。在一特定實施例巾，根據本發明之半透明f電基板係1 知邛分形成其之電極包含用於均質化表面電性質的薄層該薄層係相對於散射層位於形成該電極之頂部處。用於均質化表面電性質之薄層的主要功能為 ^ 在電極之整個表面上獲得電荷的均勾傳送。此均勻傳送〇藉由在表面之每一點處的所發射光之平衡通量來指示。, 亦使得OLED之使用壽命能夠增加，此係因為此傳送在# 157591.doc •27· 201228069 一點處相同，由此消除任何可能之熱點。均質化層具有至少0.5 nm、較佳至少1〇 nm之幾何厚度。均質化層具有至多6.0 nm、較佳至多2.5 nm、更佳至多2.0 nm之幾何厚度。均質化層等於1.5 nm係更佳的。因此，均質化層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自0.5 nm至6.0 nm、更佳自^ 11„1至25 nm、最佳自j 〇 nm至2.0 nm的範圍内。均質化層包含至少一層，該至少一層由選自以下各者中之至少一無機材料構成：金屬、氮化物、氧化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物、碳氮化物、碳氮氧化物。根據先前實施例之第一特定實際實例，均質化層之無機材料係由單金屬或金屬之混合物構成。一般術語「金屬之混合物」表示呈合金形式之至少兩種金屬的組合或至少一金屬藉由至少一其他金屬之摻雜。均質化層係由選自

Li Na、K、Be、Mg、Ca、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、

Ce V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、

Ir Ni、Pd、pt、Cu、Ag、Au、Zn、b、A][、Ga、In、 TI C、Sl、Ge、Sn、Pb中之至少一元素構成。該金屬及/ 或該金屬混合物包含選自Li、Na、κ、Mg、Ca、Ti、Zr、

Hf V、Mb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、

Cu' Ag、Au、Zn、Cd、八丨、Si、c中之至少一元素。該金屬或該金屬混合物包含選自c、Ti、Zr、Hf、V、Nb、

Ni、Cr、A1、Zn中之至少一元素係更佳的。金屬之混。物較佳包含Ni-Cr及/或摻雜有八丨之211。由此特定實例所 157591.doc •28· 201228069 提供之優點在於，其允許在由用於均質化表面電性質之層之效應所引起的電性質（一方面）與由於改良塗層而獲得之光學性質（另—方面）之間達到更好的可能折衷^具有最低可能厚度之均質化層的使用係基本要求。事實上，此層對由OLED所發射之光之量的影響在其厚度為低時為更小的"因此，若為金屬層，則此均質化層藉由其較低而與導電層相區別，此係因為此厚度不足以確保電導率。因此’右均質化層為金屬層(亦即，由單一金屬或金屬混合物構成）’則其具有至多5.0 nm之幾何厚度為較佳的。根據第二特定實施例，均質化層之無機材料以選自以下各者中之至少一化合物的形式存在：碳化物、碳氮化物、氮氧化物、碳氧化物、碳氮氧化物以及其中至少兩者的混合物。均質化層之氮氧化物、碳氧化物、碳氮氧化物可呈關於氧之非化學計量、較佳化學計量下之形式。碳化物為選自 Be、Mg、Ca、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Ce、V、

Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、

Pt、Cu、Au、Zn、Cd、B、A1、Si、Ge、Sn、Pb 中之至少一元素、較佳選自 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、〇、Mo、 W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Cd、A卜 Si 中之至少一元素，更佳選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mi、 Cr、Zn、A1中之至少一元素的碳化物。碳敗化物為選自

Be、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Fe、

Co、Zn、B、A卜Si中之至少一元素、較佳選自Ti、Zr、 Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Co、Ζπ、A1、Si 中之至少 157591.doc •29- 201228069 一元素，更佳選自 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、A1 中之至少一元素的碳氮化物。氮氧化物為選自Be、Mg、

Ca、Sr、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、 W、Mn、Fe、c〇、Rh、Ir、Ni、Cu、Au、Zn、B、ai、 Ga、In、Si、Ge中之至少一元素、較佳選自Ti、Zr、Hf、 V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Μη、Co、Ni、Cii、AU、Zn、 A1、Si中之至少一元素，更佳選自Ti、Zr、財、v、Nb、 Ta、Cr、Zn、A1中之至少一元素的氮氧化物。碳氧化物為選自 Be、Mg、Ca、Sr、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、v、Nb、

Cr、Mo、w、Mn、Fe、Ni、Zn、Si、Ge 中之至少一元素、較佳選自 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、w、Μη、 Ni、Zn、A卜Si中之至少一元素，更佳選自Ti、Zr、Hf、 V、Nb、Cr、Zn、A1中之至少一元素的碳氧化物。碳氮氧化物為選自 Be、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr·、Mo、W、 Μη、Zn、B、A卜Si、Ge中之至少一元素、較佳選自耵、

Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Μη、Zn、Ai、Sn 中之至少一元素，更佳選自 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Zn、Alt 之至少一元素的碳氮氧化物。用於均質化表面電性質之層的破化物、碳氮化物、氮氧化物、碳氧化物可能包含至少-摻雜元素U佳實施财，化層包含至少一氮氧化物’該至少一氮氧化物由選自了卜 Zr、Cr、Mo、W、Μη、Co、Ni、Cu、Au、Zn、八卜以中之至少-元素構成。更佳地’用於均質化表面電性質之薄層包含選自氮氧化鈦 '氮氧化錯、氮氧化鎳、氮氧化錄鉻 157591.doc •30· 201228069 中之至少一氮氧化物。根據第三特定實施例，均質化層之無機材料各者中之至少一元素的至少一金屬氮化以下 R Λ/Γ ^ 虱化物的形式存在：

Be ' Mg ' Ca ' Sr ' Ba ' Sc ' γ χ . z

Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、〇s ' c〇 Pd、Pt、Cu、Ag、An、Zn、Cd、B、A1、、Hf、v、Nb、、ir、Ni、、In、Si、

Ge、Sn。較佳地，均質化層包含選自Ti、z

Nb、Ta、Cr、Mo、W、Μη、Co、Ni、Pd、p 、Pt、Cu、Ag、

Au、Zn、Cd、A1、Si中之元素的至少— 氮化物。更佳地，該氮化物包含選自Ti、Zr、Hf、V、mu

Mb、Ta、Ni、

Cr、M、Zn中之至少一元素。更佳地’用於均質化表面電性質之薄層至少包含氮化鈦、氮化鍅、氮化鎳、氮化鎳鉻。、根據第四特定實施例，均質化層之無機材料以選自以下各者中之至少一元素的至少一金屬氧化物的形式存在： Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、γ、Ti、Zr、Hf、v、训、

Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、RU、〇s、c〇、Rh、Ir、犯、

Pd、Pt、Cn、Ag、Au、Zn、Cd、B、A卜 Ga、ln、Si、

Ge、Sn、Pb。較佳地，均質化層包含選自Ti、Zr、Hf、 V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Μη、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、

Ag、Au、Zn、Cd、A1、In、Si、Sn中之元素的至少一氧化物。更佳地’該氧化物包含選自Ti、Zr、Hf、V、Nb、 Ta、Ni、Cu、Cr、A1、In、Sn、Zn 中之至少一元素。均質化層之氧化物可為氧處於化學計量下之氧化物。該氧化物 -31- 157591.doc 201228069 可能包含至少一掺雜元素。較佳地，該摻雜元素係選自自 A卜Ga、In、Sn、Sb、F、Ag所選擇之元素中的至少一者。更佳地，用於均質化表面電性質之薄層至少包含氧化欽及/或氧化錯及/或氧化鎳及/或氧化鎳路及/或ιτο及/或摻雜之氧化銅，其中摻雜劑為Ag及/或摻雜之氧化錫，其中摻雜劑為選自F及Sb中的至少一元素及/或摻雜之氧化鋅，其中摻雜劑為選自A卜Ga、Sn、Ti中之至少一元素。在一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得部分形成其之電極包含位於金屬導電層與薄均質化層之間的至少一額外插入層。插入於金屬導電層與均質化層之間的層包含由至少一介電化合物及/或至少一導電化合物構成之至少一層。較佳地，插入層包含由至少一導電化合物構成之至少一層。此插入層之功能為形成使金屬導電層能夠變得透明之光學空腔之部分。術語「介電化合物」應理解為意謂選自以下各者中之至少一化合物： •選自 Y、Ti、Zr、Hf、v、Nb、Ta、Cr、Mo、w、 Zn、A卜 Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi 中之至少一疋素的氧化物以及其中至少兩者的混合氧化物； -選自硼、鋁、矽、鍺中之至少一元素的氮化物以及其中至少兩者的混合氮化物； _氮氧化矽、氮氧化鋁、矽-鋁之混合氮氧化物； • 碳氧化石夕》若存在，則介電化合物較佳包含氧化釔、氧化鈦、氧化锆、氧化铪、氧化鈮、氧化鈕、氧化鋅、氧化錫、氧化 157591.doc -32- 201228069 紹、氮化銘、氮化梦及/或碳氧化石夕。術語「導電」應理解為關於選自以下各者中之化合物： _氧處於化學計量下之氧化物及選自Y、Ti、Zr、

Hf、V ' Nb、Ta、n w

Ta、Cr、Mo、W、Zn、a卜 Ga、In ' :厂^“中之至少-元素的摻雜氧化物’以及其中至少兩者之氧處於化學計量下之混合氧化物、混合摻雜氧化物；選自侧在呂石夕、鍺中之至少一元素的接雜氣化物以及其中至少兩者的混合摻雜氮化物； - 摻雜之碳氧化矽； _摻雜劑較佳包含選自Ga、In、Sn、p、讥、^ 之元素中的至少-者。在氮氧化石夕之狀況下，換雜劑包含Β、Α1及/或Ga。導電化合物較佳至少包含IT〇及/或摻雜之氧化錫，其中摻雜劑為選自F及Sb中之至少一元素及/或摻雜之氧化鋅，其中摻雜劑為選自Al、Ga、Sn、Ti中的至少一元素。根據一較佳實施例，無機化合物至少包含ZnOx(其中x51)及/曳 ZnxSny〇z(其 tx+y>3 且 ζ$6)。ZnxSny〇z較佳包含至多”重量％之鋅，且鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬之總重量所表達。在先前實施例之一特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得插入層之幾何厚度（Ein)使得其歐姆厚度至多等於1012歐姆、較佳至多等於104歐姆，其中該歐姆厚度等於形成插入層之材料的電阻率（)(一方面）與此同_層之幾 157591.doc -33· 201228069 何厚度⑴(另一方面)之間的比率；此外，插入層之幾何厚度關連至有機發光裝置之第—有機層㈣何厚度U，術語「第-有機層」藉由以下方程式表示安置於插入層與有機發光層之間的所有有機層：心〆·^，其中A為具有在5.0 nm至75.0 nm之範@中、較佳自2〇.〇⑽至⑽』枷、更佳自30.0 nm至45G nm之值的常數。發明者已發現，方弋。rg A Ειη令人驚舒地允許使用有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度來最佳化插入層之光學參數（幾何厚度及折射率），且因此最佳化所透射之光的量，同時使得能夠避免高點火電壓（亦即，對於第一亮度最大值）之電性質相容的插入層厚度。在另一特定實施例中，根據本發明之半透明基板使得插入層之幾何厚度（Ein)使得其歐姆厚度至多等於10〗2歐姆、較佳至多等於104歐姆，其中該歐姆厚度等於形成插入層之材料的電阻率（)(一方面）與此同一層之幾何厚度（1)(另一方面）之間的比率；且此外，插入層之幾何厚度關連至有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度（Eorg)，術語「第一有機層」藉由以下方程式表示安置於插入層與有機發光層之間的所有有機層：E〇rg=C-Ein，其中c為具有在1500 11111至250.0 nm之範圍中、較佳自160.0 nm至225.0 nm、更佳自75.0 nm至205.0 nm之值的常數。發明者已發現，方程式Eorg^C-Ein令人驚訝地允許使用有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度來最佳化插入層之光學參數（幾何厚度及折射率）’且因此最佳化所透射之光的量，同時保持與使 157591.doc -34· 201228069 得能夠避免高點火電壓（亦即，對於第二亮度最大值）之電性質相容的插入層厚度。在另特疋實施例中，才民據本發明之半ϋ明導電基板使得電極之金屬導電層在其面中之至少一者上包含至少一犧牲層。犧牲層應理解為意謂可完全或部分氧化或氮化之層。此層允許避免金屬導電層之劣化（詳言之由氧化或氣化引起）。此外，儘管犧牲層可位於金屬導電層與結晶層之間’但此犧牲層之存在與結晶層的作用相容。若存在，則犧牲層包含選自金屬、氮化物、氧化物、氧處於化學計量下之金屬氧化物中的至少—化合物。較佳地，金屬、氮化物、氧化物、氧處於化學計量下之金屬氧化物包含選自

Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、

Nl Cu、Zn、A1中之至少一元素。犧牲層較佳至少包含 . Ni Zn、A1。最佳地，犧牲層至少包含η、

Ti〇x(其中 C2)、NiCr、NiCr〇x、TiZr〇x(TiZr〇x指示具有 50重量❶/。之氧化錯的氧化鈦層）、ΖηΑ1〇χ(ΖηΑι〇χ指示具有 2重量％至5重量％之氧化鋁的氧化辞層”根據與上文一致之特定實施例，犧牲層之厚度具有至少〇 5 nm之幾何厚度。犧牲層之厚度包含至多6·〇 nm、較佳至多5 〇 nm之厚度。若厚度等於2.5 nm，則為更佳的。因此，犧牲層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自0.5 nm至6_0細、更佳自〇.5咖至5⑽之範圍内。根據一較佳實施例，犧牲層沈積於金屬導電層之相對於支撐件最遠的移除面上。 15759I.doc •35- 201228069 在另特定實施例中，根據本發明之半透明導電基板使得03支撐件及沈積有電極之散射層的堆疊結構在與沈積有電極之面相對的面上包含至少一功能塗層。此塗層包含選自以下各去$ $ ,丨、 ..„ , 分有之至；一塗層：抗反射層或多層堆疊結構、擴散層、非霧化或抗汙損層、光學濾光片，詳言之氧化欽層、選擇性吸收層、微透鏡系統，諸如在（例如）在Optics

Express，2008 ’ 第 16卷’第 15期，第 11〇44至 11〇51 頁中或在文件US 2003/0020399 A1，第6頁中的Lin及Coll.之文章中所述之彼等塗層。在一較佳實施例中，根據本發明之半透明導電基板基本上具有自清澈或格外清澈之玻璃支撐件開始的以下結構： '散射層’其形成於透明支撐件之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料及複數種散射材料，該基底材料具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料分散於該基底材料中且具有不同於基底材料之折射率的第二折射率，該散射層具有在10 μιη至60 μπι之範圍中的幾何厚度， - 用於改良光透射之塗層，其包含： • 由Ti〇2製成之用於改良光透射的層（與障壁層合併）， • 由ZnO或ZnxSnyOz(其中x+y23且z$6)製成之結晶層， -由Ag製成之金屬導電層’其中具有用於改良光透射之性質的塗層之幾何厚度與金屬導電層之幾何厚度 157591.doc -36- 201228069 係藉由以下方程式相關連： TME=TME0+[B*sin(n*TD1/TD1J))]/(nsupp〇rt)3 其中TME0、B及TD10為常數，其中τΜΕ_〇具有在lo.o nm至25.0 nm、較佳1〇.〇 nm至23.0 nm之範圍中的值’ B具有在1〇.〇 nm至16.5 nm之範圍中的值，且 tdi_〇具有在23.9xnD1 nm至28.3xnD1 nm之範圍中的值’其中nD1表示用於改良光透射之塗層在55〇 11111波長下的折射率’且nsupp(5rt表示支撐件在550 nm波長下之折射率。較佳地，常數TME—◦、b及TD1_〇使得 ^^£_。具有在1〇.〇11111至23.〇11111、較佳1〇.〇11111至22.5 nm、更佳1丨.5 nm至22.5 nm之範圍中的值，B具有在 11.5至15.0之範圍中的值’且Tdi〇具有在24.8xnDi nm至27.3xnD1 nm之範圍中的值。更佳地，常數 Tme_〇、B 及 TD1Q 使得 τΜΕ_。具有在 i〇_〇 nm 至 23.0 nm、較佳 10.0 11爪至22 5 nm、更佳 u 5 11111至 22 5 nm 之範圍中的值，B具有在12.0至15.0之範圍中的值，且tdi_〇具有在24.8xnD1 nm至27.3><nD1 nm之範圍中的值，犧牲層：幾何厚度為l.Onm至3.0nm，由Ti或TiOx (C2)製成，插入層：幾何厚度為3 〇 nm至20.0 nm，由

ZnxSny〇z(其中χ+ρ3且也）製成，均質化層：幾何厚度為〇 5 nm至3.0 nm，由X、X氮 157591.doc •37· 201228069 化物、X氮氧化物製成，其中χ為Ti、Zr、Hf、V、 Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、A卜 Zn、Ni-Cr或摻雜有A1之Zn e 在一較佳實施例中，根據本發明之半透明導電基板基本上具有自清澈或格外清澈之玻璃支撐件開始的以下結構： - 散射層，其形成於透明支撐件之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料及複數種散射材料，該基底材料具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料分散於該基底材料中且具有不同於基底材料之折射率的第二折射率，該散射層具有在10 μηι至60 μπι之範圍中的幾何厚度，用於改良光透射之塗層： • 由Ti〇2製成之用於改良光透射的層（與障壁層合併）， •由ZnO或ZnxSnyOz(其中χ+yd且U6)製成之結晶層， •用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於5〇〇 nm、較佳至少等於6〇.〇 nm、更佳至少等於7〇.〇 nm且至多等於10〇 nm、較佳至多等於90.0 nm、更佳至多等於80.0 nm，因此用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内’較佳包含於自5〇.〇 nm至100.0 nm、更佳自60.0 nm至90.0 nm、最佳自70.0 nm至80.0 nm的範圍内。 157591.doc -38· 201228069 由Ag製成之金屬導電層，其中金屬導電層之幾何厚度至少等於6_〇 nm、較佳至少等於8.0 nm、更佳至少等於10.0 nm且至多等於22 〇 nm、較佳至多等於 20.0 nm、更佳至多等於18 〇 nm，因此金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自6.0 nm至22.0 rim、更佳自8 〇 nm 至20.0 nm、最佳自1〇〇 nm至18 〇 nm的範圍内。犧牲層·幾何厚度為1.〇 nm至3.0nm，由Ti或Ti〇x (K2)製成，插入層.幾何厚度為3.0 nm至20.0 nm，由ZnxSny〇z (其中x+y>3且ζ$6)製成， -均質化層：幾何厚度為0.5 nm至3.0 nm，由X、χ氮化物、X氮氧化物製成，其中X為Ti、Zr、Hf、v、 Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、A卜 Zn、Ni-Cr或摻雜有A1之Zn。在一較佳實施例中，根據本發明之半透明導電基板基本上具有自清激或格外清澈之玻璃支撐件開始的以下結構： -散射層’其形成於透明支撐件之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料及複數種散射材料，該基底材料具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料分散於該基底材料中且具有不同於基底材料之折射率的第二折射率，該散射層具有在10 μηι至60 μπι之範圍中的幾何厚度， - 用於改良光透射之塗層： 157591.doc -39· 201228069 • 由丁丨〇2製成之用於改良光透射的層（與障壁層合併）.， • 由Zn0或ZnxSnyOz(其中x+y23且Ζ£6)製成之結晶層， •用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於2〇.〇 nm且至多等於40.0 nm， - 由Ag製成之金屬導電層，其中金屬導電層之幾何厚度至少等於16.0 nm、較佳至少等於18.0 nm、更佳至少專於20.0 nm且至多等於29.0 nm、較佳至多等於27.0 nm且最佳至多等於25.〇 nm，因此，金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自16.0 nm至29.0 nm、更佳自18.0 nm至27.0 nm、最佳自20.0 nm至25.0 nm的範圍内。 - 犧牲層：幾何厚度為1.0 nm至3.0 nm，由Ti或Ti〇x (x£2)製成， - 插入層：幾何厚度為3.0 nm至20.0 nm，由 ZnxSnyOz(其中乂+於3且2$6)製成， - 均質化層：幾何厚度為0.5 nm至3.0 nm，由X、X氮化物、X氮氧化物製成，其中X為Ti、Zr、Hf、V、 Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、A1、Zn、Ni-Cr或推雜有A1之Zn。半透明導電基板之實施例不限於上文所概述之實施例，而可同等地藉由組合其中兩者或兩者以上而形成。本發明之第二目標係關於一種用於製造根據本發明之半 157591.doc •40· 201228069 透明導電基板的方法。此基板包含支撐件、散射層及電極。用於製造;^據本發明之半透明導電基板的製程為如下製程，其中： • ·散射層如下製成：將氧化物、磷酸鹽、偏磷酸鹽、碳酸鹽m氫氧化物或其他材料用作開始材料以製成散射層。首先，其經按比例調整以變成預定量，並混合所收集之材料。接著，藉由使用鉑坩堝等等而將所混合之材料在自95(rc至15〇〇<>c之溫度下溶解。接著，將溶解之材料澆注至鑄模或雙輥之間隙中。所堯注之材料迅速地冷卻，以便具有本發明之玻璃。亦存在逐漸冷卻以移除變形之可能性。本發明係以藉由以上方法所製備之玻璃粉的形式使用。若有必要得到玻璃粉，則藉由使用研砵、球磨機、噴射研磨機研磨等等來壓碎玻璃，或將玻璃分粒。玻璃粉之質量平均粒徑通常為0.5微米至10 微米。玻璃粉之表面可藉由界面活性劑或矽烷耦合劑來重整。若有必要，則亦有可能將溶劑、黏合劑等與此玻璃粉混合。將混合之玻璃粉塗佈於透明支樓件上且與玻璃粉之引起玻璃粉軟化之玻璃轉變 ' 溫度相比在高於約6〇t的溫度下燒製。在冷卻至室溫之後’獲得具有散射層之透明支撐件。作為溶劑，使用醚型溶劑（丁基卡必醇（BC)、丁基卡必醇醋酸酯（BCA)、二甘醇二正丁基醚、二丙二醇二丁基醚、三伸丙甘醇丁基醚及丁基乙二醇乙酸乙醚）、醇 157591.doc •41 - 201228069 型溶劑（-品醇、松油及Dowanol)、S旨型溶劑（2,2,4-三曱基-1，3-戊二醇單異丁酸酯），及鄰苯二曱酸酯型溶劑（DBP(二丁基鄰苯二曱酸酯）、DMP(二曱基鄰苯二甲酸酯）及DOP(二辛基鄰苯二甲酸酯））。主要使用 -品醇及2,2,4-三甲基-1，3-戊二醇單異丁酸酯。順帶言之，DBP(二丁基鄰苯二曱酸酯）、DMP(二曱基鄰笨二甲酸酯）及DOP(二辛基鄰苯二甲酸酯）亦充當增塑劑。乙基纖維素、硝基纖維素、丙烯酸系樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、縮丁醛樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、松香樹脂或其類似者作為黏合劑。乙基纖維素及靖基纖維素用作基本樹脂。順帶言之，縮丁醛樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及松香樹脂用作用於改良經塗佈薄膜強度之添加劑。在不破壞本發明之目的的範圍内，可引入不同於黏合劑或溶劑之任何成分。在使用黏合劑之狀況下，在軟化玻璃粉之前’需要含有在低於玻璃轉變溫度之溫度下燒製及使黏合劑蒸發的製程。發明者已驚訝地發現，較佳的燒製溫度值係包含於自53〇t至580°C之範圍中〇 •電極係藉由選自以下各者之方法藉由沈積於構成該電極之堆疊結構之至少一層的散射層上而製成：可能使用磁場之陰極濺鍍技術、使用電漿之沈積技術、CVD(化學氣相沈積）及/或PVD(物理氣相沈積）技術。沈積方法較佳在真空下進行。術語r在真空 157591.doc -42- 201228069 :」表示低於或等於2.0Pa之麼力。更佳地，在真二下之製程為磁控濺鍍技術。用於製造半透明導電基板之製程包含連續製程，其中形成電極之每一層在下伏於其之層之後立即沈積於多層堆疊結構中（例如，形成根據本發明<電極的堆疊結構沈積至係移動帶之支撐件上或堆疊結構沈積至係面板的支撐件上）。製造程序亦包含不連續製程，其中時間間隔 (例如，呈存放之形式）分離形成電極之堆疊結構中的一層與下伏於其之層的沈積。根據一較佳實施例，用於製造根據本發明之半透明導電基板的方法使得其係以三個階段如下進行： • 將散射層沈積於透明支撐件上， • / 尤積具有用於改良光透射之性質的塗層之支撐件， •沈積金屬導電層，隨後直接沈積形成OLEE)系統之不同功能元件。根據另一較佳實施例，用於製造根據本發明之半透明導電基板的製程使得其係以三個階段如下進行： • 將散射層沈積於透明支撐件上， • 穿過電極、金屬導電層、犧牲層、插入層沈積具有用於改良光透射之性質的塗層之支撐件， • 沈積均質化層’隨後直接沈積形成OLED系統之不同功能元件。當在稍後階段沈積均質化層或金屬導電層時，在沈積均 157591.doc -43- 201228069 質化層或金屬導電層之後立即沈積OLED的有機部八，，、即，在沈積OLED之有機部分之前不暴露均質化層=金: 導電層。由此等製程所提供之優點在於，可在導電層及均質化層係由金屬製成時避免此等層的氧化。 = 根據-特定實施例，可藉由直接沈積而獲得基於氧化物及/或氮氧化物的用於均質化表面電性質之層。根據一替代實例，可藉由金屬及/或相應氮化物之氧化（例如，鈦氧化成氧化鈦，氮化鈦氧化成氮氧化鈦）而獲得基於氧化物及/或氮氧化物之均質化層。此氧化可在沈積均質化層之後直接發生或在沈積均質化層之後的長時間發生。氧化可為自然的（例如，經由與在0LED完成製造之前在製造程序期間或在電極之存放期間存在的氧化化合物之相互作用）’或可由後處理操作（例如，在紫外光下在臭氧中處理引起。根據一替代實施例，製程包含結構化電極之表面的額外步驟。電極之結構化不同於支撐件之結構化。此額外步驟由使表面成形及/或裝飾電極之表面組成。使電極之表面成形的製程至少包含藉由雷射或蝕刻來雕刻。裝飾表面之製程至少包含遮蔽操作。遮蔽係電極之表面的至少一部分由保護性塗層覆蓋而作為後處理製程之部分（例如，未塗佈部分之蝕刻）的操作。在本發明之第三目標中，根據本發明之半透明導電基板併入至發射光之〇LED中。根據先前實施例之一變化，有機發光裝置為發射準白光 157591.doc -44- 201228069 之目的而在根據本發明之基板上方包含〇LED系統。若干方法係可能的以產生準白光：藉由混合於發射紅光、綠光及藍光之單有機層化合物内；藉由層壓分別對應於紅光、綠光及藍光之發射器部分的三個有機層結構，或兩個有機層結構（黃色及藍色發射）；藉由並置連接至光擴散系統之二個（紅色、綠色、藍色發射）或兩個（黃色及藍色發射）有機層結構。術語「準白光」應理解為意謂如下光：其中在垂直於基板之表面的輻射下，在〇。下之色度座標含於八個色度四邊形中之一者中（包括該等四邊形之輪廓）。此等四邊形係定義於標準 ANSI_NEMA_ANSLG C78.377-2008 之第 10 至 12 頁中。此等四邊形展示於圖入丨之第！部分（題為「Graphicai representation of the chromaticity specification of SSL products in Table 1, on the CIE (x,y) chromaticity diagram j ) 中。根據一特定實施例，有機發光裝置整合至鑲嵌玻璃、雙鑲嵌玻璃或層壓鑲嵌玻璃令。亦有可能整合若干有機發光裝置’較佳大量有機發光裝置。根據另一特定實施例，有機發光裝置圍封於由玻璃及/ 或塑膠製成之至少一囊封材料中。可組合有機發光裝置之不同實施例。最後，不同之有機發光裝置具有廣闊的應用領域。本發明詳言之係關於此等有機發光裝置在形成—或多個面中之可能使用。術語「發光表面」&括（例如）發光方 I57591.doc -45- 201228069 塊、發光面板、發光分割區、工作表面、溫室、閃光燈、螢幕基底、抽屜基底、發光房頂、觸控式螢幕、燈、相機閃光系統、顯示器之發光基底、安全燈及搁架。【實施方式】現將基於以下圖式來說明根據本發明之半透明導電基板。該等圖式以非限制性方式展示一些基板結構。此等圖式純粹用於說明目的，且並未按比例構成結構的表示。圖1展示形成根據本發明之半透明導電基板之堆疊結構的實例。半透明導電基板（1)具有自透明支撐件（1〇)開始之以下結構： •散射層（11)，其形成於透明支撐件（10)之上且包含玻璃’該玻璃含有基底材料（110)及複數種散射材料 (ill) ’該基底材料（110)具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率’該複數種散射材料（111)分散於基底材料（110)中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率， •電極（12) ’其由以下各者構成： •用於改良光透射之塗層（120)，其包含用於改良光透射之層（1201)， • 金屬導電層（122)。圖2展示根據本發明之半透明導電基板的替代實例。除了已存在於圖1中的構成電極（12)之層之外，此半透明導電基板亦包含插入層（123)及均質化層 (124)。半透明導電基板具有自支撐件（1〇)開始之以下結 157591.doc -46· 201228069 構· •散射層（丨1)’其形成於透明支樓件（10)之上且包含玻璃’該玻璃含有基底材料（110)及複數種散射材料 (111)，該基底材料（110)具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率’該複數種散射材料（ln)分散於基底材料（110)中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率， • 電極（12) ’其由以下各者構成： • 用於改良光透射之塗層（120)，其包含用於改良光透射之層（1201)， • 金屬導電層（122)， • 插入層（123)， • 均質化層（124)。圖3展示根據本發明之另一半透明基板。除了已存在於圖2中的構成電極之層之外，此半透明基板亦包含屬於用於改良光透射之塗層（120)的額外障壁層（1200)及額外結晶層（1202)、兩個犧牲層（12la、121b)。此外，根據本發明之半透明導電基板亦包含位於支撐件（10)與散射層（11)之間的障壁層（9b)及在透明支撐件（10)之第二面上的功能塗層（9a)。半透明導電基板具有自支撐件（10)之第二面開始之以下結構： • 功能塗層（9a)， • 透明支撐件（10)， • 在支樓件上之障壁層（9b)， 157591.doc -47- 201228069 • 散射層（11)，其形成於透明支撐件（10)之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料（110)及複數種散射材料 (111)’該基底材料（110)具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料（111)分散於基底材料（110)中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率， • 電極（12) ’其由以下各者構成： • 用於改良光透射之塗層（120)，其包含：。障壁層（1200)， ° 用於改良光透射之層（1201)， ° 結晶層（1202)， • 犧牲層（121a)， • 金屬導電層（122)， • 犧牲層（121b)， • 插入層（123)， • 均質化層（124)。圖4展示根據本發明之半透明基板的另一實例。該基板具有自支撐件（1 〇)開始之以下結構： •散射層（11)，其形成於透明支撐件（10)之上且包含玻璃，該玻螭含有基底材料（110)及複數種散射材料 (ui)，該基底材料（110)具有對於待透射之光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料（ill)分散於基底材料⑽）中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率， 157591.doc -48- 201228069 •電極（12)，其由以下各者構成： • 用於改良光透射之塗層（120)，其包含： ° 用於改良光透射之層（1201)， ° 結晶層（1202)， • 犧牲層（121a)， • 金屬導電層（122)， • 犧牲層（121b)， • 插入層（123)， • 均質化層（124)。圖5、圖6、圖7、圖8及圖9展示隨在55〇 nm波長下具有折射率2.3(nD1)的用於改良光透射之塗層的幾何厚度（Di) 及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變’該有機發光裝置發射準白光且包含在等於55〇 nm之波長下具有分別等於1.4、1.5、1.6、1.8及2.0之折射率的支揮件。該有機發光裝置之結構包含以下堆疊結構： • 具有等於100.0 nm之幾何厚度的支撐件（10)， • 電極（12): ° 用於改良光透射之塗層（120)， ° 由Ag製成之金屬導電層（122)， •有機發光裝置之有機部分使得其具有以下結構：〇具有等於25.0 nm之幾何厚度的電洞運輸層 HTL，〇具有等於10.0 nm之幾何厚度的電子阻擋層 EBL， 157591.doc •49- 201228069 ° 發射對應於照明體A之白光的高斯光譜且具有等於16.0 nm之幾何厚度的發射層， ° 具有等於10.〇 nm之幾何厚度的電洞阻擋層 HBL， ° 具有等於43.0 nm之幾何厚度的電子運輸層 ETL， ° 具有等於100.0 nm之厚度的由A1製成之反電極。此等計算展示，對於無散射層之基板獲得最大亮度，使得具有用於改良光透射之性質的塗層（120)之光學厚度TD1 與金屬導電層（122)之幾何厚度Tme係藉由以下方程式相關連： TME=TME0+[B*sin(n*TD1/TD]_0)]/(nsupport)3 其中TME0、b及TD丨_0為常數，其中τΜΕ〇具有在1〇〇 nm 至25_0 nm之範圍中的值，B具有在1〇〇 1^至16 5 nm之範圍中的值，且TD10具有在23.9xnD1 nm至28.3χη〇ι nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良光透射之塗層在55〇 nm 波長下的折射率，且nsupp(jrt表示支撐件在550 11〇1波長下之折射率。使用來自Fluxim之程式SETF〇s第3版 (Semiconductive Emissive Thin Film 〇ptics Simulat〇r)來計算亮度。此亮度表達為任意單位。以較粗之線的形式出現之正弦曲線指示由方程式 TME=TME_〇+[B*sln(n*TD1/TD〗_0)]/(nsupp〇rt)3所選擇的區域中之極值。發明者G驚詩地發王見’所選擇之區域不僅對於發 157591.doc •50· 201228069 射準白光之有機裝置有效，而且對於任何類型之所發射色彩（例如，紅色、綠色、藍色）有效。此外，發明者已驚對地發現’無散射層之基板的藉由方程式TME=TME Q+[B*sin (I^TDi/TEn oW/hsupport)3所選擇之區域亦可用於根據本發明的包含位於支撐件與電極之間的散射層之半透明導電基板。發明者已發現，在無散射層（11)之基板之相同結構的情況下’具有高折射率之支撐件（10)的使用使得能夠增加由 OLED所發射之光的量。高折射率應理解為至少等於14、較佳至少等於1.5、更佳至少等於1.6、最佳至少等於17之折射率。事實上，如圖5與圖9之比較展示，當在無散射層之基板之相同結構的情況下，使用具有等於2〇之折射率的支撐件而非具有等於1.4之折射率的支撐件時，觀察到 OLED之亮度之約180%的增加，其中支撐件之折射率係在 550 nm波長下的折射率。對於根據本發明之半透明導電基板亦觀察到相同演變。圖10至圖19(更特定言之圖13至圖19)係關於無對應於具有等於12.5 nm之幾何厚度的Ag導電層的散射層之基板的實例。在此等圖式中，無散射層之基板併入至發射紅色、綠色或藍色的OLED中。有機發光裝置之結構包含以下堆疊結構： • 具有等於100.0 nm之幾何厚度的支撐件（1〇)， • 電極（12): ° 用於改良光透射之塗層（120)， 157591.doc •51 · 201228069 0 由Ag製成之金屬導電層（122)， •有機發光裝置之有機部分使得其具有以下結構： °具有等於25·0 nm之幾何厚度的電洞運輸層 HTL， °具有等於10·0 nm之幾何厚度的電子阻擒層 EBL， °引起紅光、綠光或藍光光譜之發射且具有等於 16.0 nm之幾何厚度的發射層，其（x，y)色度座標分別等於CIE 1931色度圖中之座標（0.63, 〇36)、 (0.24，0.68)或（0.13，0.31)，根據該等座標，該裝置經提供以用於發射紅光、綠光或藍光， 0具有等於10.0 nm之幾何厚度的電洞阻擋層 HBL， °具有等於43.0 nm之幾何厚度的電子運輸層 ETL， °具有等於100·0 之厚度的由A1製成之反電極。圖10、圖11及圖12分別展示隨單色輻射之波長譜而變的光致發光之演變，其主波長處於紅光、綠光或藍光範圍。主波長應理解為意謂光致發光處於其最大值時之波長。術 s吾「單色」應理解為意謂單一色彩被眼睛感知，而此光並非因而為單色的。以在一波長下之光致發光的值除以最大光致發光之值之間的關係之形式來表達光致發光。因此，光致發光係無單位的在〇與1之間的範圍中之數值。此等圖式清楚地展示，由OLED所發射之光不可僅限於單一波 157591.doc •52- 201228069 長。圖10展示，在等於616 nm之波長下，光致發光在單色輻射之狀況下處於最大值，其主波長處於紅色範圍。圖11 展示，在等於512 nm之波長下’光致發光在單色輻射之狀況下處於最大值，其主波長處於綠色範圍。圖12展示，在等於453 nm之波長下，光致發光在單色輻射之狀況下處於最大值，其主波長處於藍色範圍。圖13、圖14及圖15展示分別對於紅光、綠光及藍光色彩且對於在550 nm波長下具有折射率h5的支撐件隨無散射層之基板的用於改良光透射之塗層（丨2〇)的幾何厚度（D1)及折射率（nD1)而變之有機發光裝置之亮度的發展，其中Ag金屬導電層的幾何厚度等於12.5 nm。此計算並非藉由考量限於單一波長之光輻射，而是藉由考量波長之真實光譜 (如圖10、圖11及圖12中所示）來進行。令人驚訝地，此等計算展示，對於無散射層之半透明導電基板獲得最大亮度，使得具有用於改良光透射之性質的塗層（丨2〇)之光學厚度TD丨與金屬導電層（122)之幾何厚度τΜΕ係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TD1_0)]/(nSUpP〇rt)3 其中TME0、B及TD10為常數，其中Tme 〇具有在lo.o nm 至25.0 nm之範圍中的值，b具有在lo.o nm至16.5 nm之範圍中的值’且TD10具有在23.9xnD丨nm至28.3xnD丨nm之範圍中的值’其中nD1表示用於改良光透射之塗層在55〇 nm 波長下的折射率’且nsuppcm表示支撐件在55〇 nm波長下之 157591.doc -53- 201228069 折射率。使用來自Fluxim之程式SETFOS第3版 (Semiconductive Emissive Thin Film Optics Simulator)來計算亮度。對於上文所概述之特殊狀況（無散射層之基板具有在55〇 nm之波長下具有等於1.5之折射率的支撐件且具有等於 12.5 nm之幾何厚度的Ag導電層），基於對於分別發射紅光、綠光及藍光之OLED所獲得的圖13、圖14、圖15而顯而易見’更特定言之當用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於50.0 nm、較佳至少等於6〇.〇 nm、更佳至少等於 70.0 nm且至多等於11〇.〇 nm、較佳至多等於1〇〇〇 nm、更佳至多等於90.0 nm、最佳至多等於80.0 nm時獲得高亮度。此外’基於圖6(圖6描述隨在550 nm波長下具有折射率2.3的用於改良光透射之塗層的幾何厚度及由Ag製成之金屬導電層之幾何厚度而變的發射準白光且具有在等於 550 nm之波長下具有折射率丨5之支撐件的有機發光裝置之亮度的演變）而顯而易見，對於具有12.5 nm之Ag金屬導電層厚度的基板，用於改良光透射之塗層的最佳幾何厚度必須在50.0 nm與1 3〇.〇 nm之間的範圍中。對根據本發明之半透明導電基板觀察到相同情況。圖16、圖17及圖1 8展示分別對於紅光、綠光及藍光色彩且對於在550 nm波長下具有折射率2_〇的支撐件隨無散射層之基板的用於改良光透射之塗層（12〇)的幾何厚度（D1)及折射率（nD1)而變之有機發光裝置之亮度的演變，其中八§金屬導電層的幾何厚度等於12_5 nm。此計算並非藉由考量 157591.doc -54- 201228069 限於單一波長之光輻射，而是藉由考量波長之真實光譜 (如圖10、圖11及圖12中所示）來進行。令人驚訝地，此等計算亦展示，對於無散射層之半透明導電基板獲得最大亮度，使付具有用於改良光透射之性質的塗層（12〇)之光學厚度TD丨與金屬導電層（122)之幾何厚度Tme係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TD10)]/(nsupport)3 其中Tme_o、B及TD10為常數’其中tme—〇具有在1〇〇麵至25.0 rnn之範圍中的值，b具有在1〇〇 1^至16 5 nm之範圍中的值，且TD10具有在23_9xnD丨nm至28_3xnD1 nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良光透射之塗層在55〇 nm 波長下的折射率，且nsupp()rt表示支撐件在55〇 11111波長下之折射率。使用來自Fluxim之程式SETFOS第3版（Semiconductive Emissive Thin Film Optics Simulator)來計算亮度。對於上文所概述之特殊狀況’基於對於分別發射紅光、綠光及藍光之OLED所獲得之圖16、圖17、圖18而顯而易見’更特定s之當用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於40.0 nm、較佳至少等於5〇.〇 nm、更佳至少等於60 0 nm且至多等於ΐΐ〇·〇 nm、較佳至多等於1〇〇〇 nm、更佳至多專於90.0 nm時獲得南亮度。因此，用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自40.0 nm至11〇.〇 nm、更佳自50.0 nm至100.0 nm、最佳自60.0 nm至90.0 nm的範圍内。此外，基於圖9 157591.doc •55- 201228069 (圖9描述隨在550 nm之波長下具有折射率2.3的用於改良光透射之塗層的幾何厚度及由Ag製成之金屬導電層之幾何厚度而變的發射準白光且具有在等於550 nm之波長下具有折射率2.0之支撐件的有機發光裝置之亮度的發展）而顯而易見，對於具有12.5 nm之Ag金屬導電層厚度的基板，用於改良光透射之塗層的最佳幾何厚度必須至少大於3.〇 nm，且至多等於200.0 nm »對根據本發明之半透明導電基板觀察到相同情況。圖13至圖18皆展示’在支樓件之固定折射率的狀況下，對於相同基板結構’當用於改良光透射之塗層（丨丨〇)的折射率高於支撐件（10)之折射率時，特定言之當nD1>1 2xnsupp(m 時’更特定言之當nD1>1.3xnsupp<m時，最特定言之當 nDi>l_5xnsupp()rt時’獲得更顯著的亮度。形成塗層之材料的折射率（111^)在55〇11111之波長下具有自1.5至2.4的範圍、較佳自2.0至2.4的範圍、更佳自2.1至2_4的範圍内的值。對根據本發明之半透明導電基板觀察到相同情況。令人驚訝地，發明者已發現，改良塗層獲得最大亮度 (換言之，高發射位準）之最佳厚度較少取決於單色輻射（藍光、綠光或紅光）的波長譜，如圖13至圖18中所證明。更令人驚訝地，此最佳值處於改良塗層（12〇)之幾何厚度的相同範圍内。舉例而言，在具有自2.0至2.3範圍内之折射率的材料之狀況下，在不同波長下實現最佳發射的改良塗層之幾何厚度具有自45.0 nm至95.0 nm範圍内的值。此範圍以70.0 nm之幾何厚度值為中心且圍繞7〇〇 nm之幾何厚度 157591.doc _56_ 201228069 值。此外，對於紅光之圖8與圖11、對於綠光之圖9與圖 12 ’及對於藍光之圖1〇與圖13的各別比較展示，支撐件之折射率對改良塗層之最佳厚度範圍具有較小影響。對根據本發明之半透明導電基板觀察到相同情況。發明者已發現’除了提供高發射位準之外，包含透明支撐件及電極之基板的使用使得具有用於改良光透射之性質的塗層（120)之光學厚度（TD1)與金屬導電層（122)之幾何厚度（TME) 藉由以下方程式 TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TD1_〇)]/(nsu pport)相關連，其允許在同時使用紅光、藍光及綠光之光源時提供準白光，如圖 5至圖9展示。更特定言之，如圖13至圖15展示，當包含透明支撐件及電極之基板根據關係式 TME=TME O+[B*sin(n*TDi/TD1_0)]/(nsupport)3 而使得其係藉由在550 nm之波長下具有等於1.5之折射率的支撐件及具有等於12.5 nm之幾何厚度的Ag導電層形成時，發明者已能夠判定，對於具有在自2.0至2.3之值範圍内之折射率的每一材料’具有自45 nm至95 nm範圍内之值的改良塗層 (120)最佳幾何厚度令人驚訝地允許獲得準白光。較佳藉由自60.0 nm至80.0 nm的範圍、更佳自65.0 nm至75.0 nm的範圍内之幾何厚度來獲得準白光。因此，對於紅光源發射色度座標（0.63，0.36)之光譜、對於綠光源發射（0.26，0.68) 之光譜且對於藍光源發射（0.13，0.31)之光譜（亦即，對於具有幾何厚度70.0 nm及折射率2.3之用於改良光透射的塗層）的三個光源之同時使用允許獲得準白光。對根據本發 157591.doc -57- 201228069 明之半透明導電基板觀察到相同情況。基於圖5至圖7 ’發明者已驚訝地發現，可在包含透明支標件及電極之基板的結構中選擇兩個特定區域（諸如 TME=TME_0+[B*Sin(n*TD1/TD1_0)]/(nsupport)3)，意欲用於併入至有機發光裝置中。第一選擇區域係關於基板，其中支撐件在550 nm之波長下具有等於1.5的折射率，且金屬導電層之幾何厚度至少等於6.0 nm、較佳至少等於8.〇 nm、更佳至少等於1〇〇 nm 且至多等於22.0 nm、較佳至多等於20.0 nm、更佳至多等於18.0 nm，金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自6.〇 ηιη至22.0 nm、更佳自8.0 nm至18.0 nm、最佳自10·0 11111至18 〇 nm之範圍内，且其中用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於5〇〇 nm、較佳至少等於60 〇 nm且至多等於13〇〇、較佳至多等於110.0 nm、更佳至多等於9〇〇 nm，用於改良光透射之塗層的幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自50.0 nm至i1〇〇 nm、更佳自6〇〇 1^至 9〇.〇 nm的範圍内。此結構具有三重優點：使用低成本之碳酸鈉-石灰-矽石玻璃支撐件；使用與較大厚度之用於改良光透射之塗層組合的較精細之金屬導電層（例如，由Ag 製成），及此等厚度藉由來自碳酸鈉_石灰-矽石玻璃支撐件之鹼性物質的遷移而允許對金屬導電層抵抗可能污染的更好保護。第二選擇區域關於具有具在14至16之範圍中的折射率 157591.doc -58- 201228069 值之支撐件的基板，其中金屬導電層之幾何厚度至少等於 16.0 nm、較佳至少等於18 〇 nm、更佳至少等於2〇〇 1^且至多等於29.0 nm、較佳至多等於27.〇 nm、更佳至多等於 25.0 nm，金屬導電層之幾何厚度有利地包含於前述值中之兩者的範圍内，較佳包含於自16 〇 11111至29 〇 nm、更佳自18.0 nm至27.0 nm、最佳自20.0 nm至25.0 nm的範圍内，且其中用於改良光透射之塗層的幾何厚度至少等於 20.0 nm且至多4於4〇.〇 nm。此結構具有使用較厚之金屬導電層（例如，由銀製成）的優點，厚的金屬導電層之使用使得能夠達成更好之導電。發明者已驚訝地發現，亦對根據本發明之半透明導電基板觀察到相同情況。圖19展示隨用於改良光透射之塗層的幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的包含支撐件之基板的模擬反射之發展，該模擬反射係根據歐洲標準EN 41〇在2。下以DM表達，該支撐件在等於550 nm之波長下具有等於15的折射率，其中在導電層上方，該基板亦包含具有等於3〇幾何厚度的Ti〇x犧牲層及具有等於147 nm之幾何厚度的

ZnxSny〇z插入層（其中x+yy且ζ$6)，其中插入層塗佈有在 550 run之波長下具有等於17之折射率的有機介質。以較粗之線的形式出現之正弦曲線指示藉由方程式 TME=TME 0+[B*sin(n*TDi/TDi—〇)]/(nsu_)3所選擇的區域十之極值。圖20展示隨用於綠光的插入層之幾何厚度及電極之 157591.doc -59- 201228069 第一有機層的幾何厚度（Eorg)而變的有機發光裝置之亮度的發展’該有機發光裝置併有包含在55〇 nm之波長下具有折射率1.5的支撐件及具有12.5 nm之幾何厚度之金屬導電層的基板。此計算並非藉由考量限於單一波長之光輻射，而是藉由考量波長之真實光譜（如圖U中所示）來進行。亦使用程式SETFOS第3版來計算亮度。此亮度表達為任意單位°發明者已驚訝地發現，觀察到由亮度最大值所表徵之兩個區域：

•對應於以下方程式之第一區域：Eorg=A-Ein，其中A 為具有在5.0 nm至75.0 nm之範圍中、較佳自20.0 nm 至60.0 nm、更佳自30.0 nm至45.0 nm之值的常數。 •對應於以下方程式之第二區域：Eorg=C-Ein，其中C 為具有在15 0.0 nm至250.0 nm之範圍中、較佳自 160.0 nm 至 225.0 nm、更佳自 75.0 nm 至 205.0 nm 之值的常數。發明者已發現，方程式E(>rg=A_Ein或E〇rg=CEin令人驚訝地允許使用有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度來最佳化插入層之光學參數（幾何厚度及折射率），且因此最佳化所透射之光的量，同時保持與使得能夠避免高點火電壓 (亦即，分別對於第一亮度最大值及第二亮度最大值）之電性質相容的插入層厚度。現將基於在以下表〗、π、m、Iv、V&VI中所描述及對照之實際實例來表徵根據本發明之半透明導電基板、其執行模式以及3有其之有機發光裝置。此等實例決不限制本 157591.doc •60- 201228069 發明。效能展示於表I、π、in、IV、V及VI中的發射綠色單色幸虽射之有機發光裝置具有自半透明導電基板（1)開始的以下有機結構： • N，N’-雙（1_ 萘基）_n，N，-二苯基-1,1，-二苯基-4,4，-二胺 (縮寫為α-NPD)之層， •丨’4’7-三氮雜環壬烷-N，N'，N"-三醋酸酯（縮寫為 TCTA)+參[2-(2_ °比啶基）苯基-C，N]銥（縮寫為 Ir(ppy)3)之層， • 4’7-二苯基-1，10-啡啉（縮寫為BPhen)之層， • LiF之層， •由至少一金屬構成之上反射電極。根據一較佳實施例’上反射電極之金屬由至少Ag組成。根據一替代實施例，上反射電極之金屬由至少A1組成。如下製造在當前實例中所使用之半透明導電基板：玻璃基板為厚度為1.60 mm之由AGC製成的清澈之鹼石灰玻璃。散射層如下沈積於玻璃支撐件上：玻璃粉材料經混合’使得玻璃組合物可變為；以基於氧化物之莫耳0/〇計，22.7莫耳％之p2〇5、14.9莫耳％之Bi203、15.7莫耳％之 Nb205、20.6 莫耳。/。之 ZnO、11.8 莫耳％iB2〇3、5.0 莫耳％之LhO及9.3莫耳％的WO3。此後，所製備之玻璃料材料花費90分鐘在1050°C下溶解於電爐中，且在於950°C下保持 60分鐘之後，藉由軋鑄獲得玻璃片。此玻璃之玻璃轉變溫度為475°C ’其變形點為525°C，熱膨脹係數為72xl〇·7 157591.doc •61 · 201228069 (1/ C )(自50 C至300°C的平均值）。藉由使用熱分析裝備（由 Bruker company製造，商標名：TD5000SA)藉由熱膨脹方法在5°C/min下進行量測。此外，f線（486.13 nm)處之折射率nF為2.00 ’ d線（5 87.56 nm)處之折射率nd為ι·98，c線 (656.27 nm)處之折射率…為丨.97。使用折射率計（由

Shimadzu Device corporation製造，商標名：KPR-2000)。在於由氧化锆製成之行星式軋機中歷時兩個小時壓碎所製造之玻璃片之後，使所壓碎之玻璃片穿過篩子以獲得玻璃粉。此時，玻璃片之粒徑分佈為D5G&2.15 μΓη，〇1〇為 0.50 μπι，且 D90 為 9.72 μιη。D50=2.15 μηι 意謂顆粒中之 50%具有低於或等於2.15 μιη之粒徑，D10=0.50 μηι意謂顆粒中之10〇/〇具有低於或等於〇5 的粒徑，且d9〇=9.72 μιη 意謂顆粒中之90%具有低於或等於9.72 μιη的粒徑。藉由 ΤΕΜ(穿透式電子顯微鏡）圖像來判定粒徑。接下來，將所獲得之玻璃粉35 g與藉由-品醇及乙基纖維素所溶解之有機媒劑混合’以獲得玻璃膏。將玻璃膏按直徑為1〇 mrn之圓均勻地印刷於玻璃支撐件上，從而使得燒製後厚度為14 μιη。在於15〇°C下乾燥此基板歷時3〇分鐘之後，基板返回至至溫一次。溫度藉由花費45分鐘而上升至450°C。接著’在450C下保持基板歷時3〇分鐘來進行燒製。之後，溫度藉由花費13分鐘上升至580°c，在58〇。匸下保持歷時30 为鐘’且藉由花費三個小時達到室溫。因此，散射層形成於玻璃支撐件上。已藉由磁控濺鍍至具有丨.60 mm之厚度的清澈玻璃支撐 157591.doc -62- 201228069 件（10)上來沈積根據本發明之半透明導電基板（1)之實例的形成電極（12)之層。該等層中之每一者的沈積條件如下： • 在Ar/02氣氛下於〇.5 pa之壓力下使用鈦靶材沈積基於Ti02之層， • 在Ar/02氣氛下於〇.5 Pa之壓力下使用ZnSn合金靶材沈積基於ZnxSnyOz之層， • 在Ar氣氛下於〇.5 Pa之壓力下使用Ag靶材沈積基於 Ag之層， • 在Ar氣氛下於〇_5 Pa之壓力下使用Ti靶材沈積基於Ti 之層’且其可藉由後續Ar/02電漿部分地氧化， • 在80/20 Ar/N2氣氛下於0.5 Pa之壓力下使用Ti靶材沈積基於氮化鈦的用於均質化表面電性質的層。與ITO電極相比，沈積條件需要減小自散射層之支撐件的鹼性遷移之風險的較低溫度。實例：表I展示四行，其具有不符合本發明之半透明導電基板 (1)的實例以及藉由併有此等基板之有機發光裝置所獲得之電效能及光學效能之量測結果。有機發光裝置之一般結構已於上文描述（第61頁第2行至第63頁第15行）^實例I..1R為 ITO電極。實例I.2R為具有散射層之ITO。實例I.3R為無散射層且具有電極之半透明導電基板，該電極未經最佳化，此係因為改良塗層（120)之厚度尚未最佳化且因此處於符合方程式 TME=TME_Q+[B*sin(n*TD1/TD1_〇)]/(iisupp(m)3之光學厚 157591.doc -63. 201228069 度範圍之外部。實例I.4R為無散射層且包含電極之半透明導電基板，其中改良塗層（120)之厚度已經最佳化且因此處於符合方程式 TME=TME_o+[B*sin(n*TDi/TDi_〇)]/(nsupptm)3 之光學厚度範圍之内部。在實例I.3R及I.4R中，改良塗層 (120)具有障壁層（1200)，障壁層（1200)與用於改良光透射之層（1201)合併，且此層由結晶層（1202)覆蓋。此外，結晶層（1202)與插入層（123)具有相同本質。此等層係由 ZnxSnyOz(其中x+y23且ζ$6)製成，ZnxSnyOz較佳包含至多 95重量°/〇之鋅，鋅之重量百分比係基於具有Ag導電層（122) 之低發射建築堆疊結構相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。表I : 實例 I.1R I.2R I.3R I.4R 散射層(nm)(ll) - 50 - - 電極(12) 本質/厚度(nm) 塗層層改良(120) 障壁(1200) ITO/90.0 ITO/90.0 TiO2/20.0 TiO2/65.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSny〇z/5.0 ZnxSnyOz/5.0 導電層(112) Ag/12.5 Ag/12.5 犧牲層(111b) Ti/2.5 Ή/2.5 插入層(113) ZnxSny 0/7.0 ZnxSnyOz/7.0 均質化層(114) 氮化鈦/1.5 氮化鈦/1.5 電阻(Ω/口） 35.00 35.00 4.00 3.78 OCE 1.0 1.5 1.0 1.2 △χ(具有散射層） - 0.00140 - - △χ(無散射層） 0.01310 - 0.20000 0.17000 △y(具有散射層） _ 0.00245 - - △y(無散射層） 0.02250 - 0.20000 0.16000 157591.doc -64. 201228069 支撐件（10)為具有等於1.60 mm之幾何厚度的清澈玻表π展示兩行，其具有根據本發明且具有不同類型之電極的半透明導電基板（1)之實例以及併有此等基板之有機發光裝置的電效能及光學效能。實例ΙΙ·5為具有散射層且包含電極之半透明導電基板，該電極未經最佳化，此係因為改良塗層（120)之厚度處於符合方程式TME=TME_〇+[B*sin (niDi/TDi-cOWnsuppem)3之光學厚度範圍之外部。實例Π.6 為具有散射層且具有電極之半透明導電基板，該電極對於 OLED經最佳化，此係因為改良塗層（12〇)之厚度處於符合方程式 TME=TME 0+[B*Sin(n*TD丨/TD丨_0)]/(nsupp〇rt)3之光學厚度範圍之内部。在實例II.5及II.6中，改良塗層（120)具有由結晶層（1202)覆蓋之障壁層（1200)。此外，結晶層（12〇2) 與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由ZnxSny〇z(其中x+y>3且z$6)製成’ ZnxSnyOz較佳包含至多95重量％之鋅，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。 157591.doc •65· 201228069 表II : 實例 II.5 II.6 散射層(μηι)(11) 50 50 電極(12) 本質/厚度(rnn) 塗層層改良(120) 障壁(1200) TiO2/20.0 TiO2/60.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSnyOz/5.0 ZnxSny〇z/10.0 導電層(122) Ag/12.5 Ag/12.5 犧牲層(121b) Ti/2.5 Ti/2.0 插入層(123) ZnxSnyOz/7.0 ZnxSnyOz/7.0 均質化層(124) 氮化鈦/1.5 氮化鈦/1.5 △x(具有散射層） 0.02100 0.02400 △y(具有散射層） 0.03300 0.01400 OCE 1.1 1.9 支撐件（10)為具有等於1.60 mm之幾何厚度的清澈玻璃。實例II.5及II.6與比較實例I.1R、I.2R、I.3R及I.4R之比較清楚地展示藉由根據本發明之半透明導電基板在光學效能方面所提供的優點。出光搞合係數效率（out-coupling coefficient efficiency， OCE)係界定與參考項之光量相比可提取之光量的因數。關於實例I.1R中所表示之參考項來計算OCE。OCE值判定如下： • 以角度θ=0。量測併有實例I.1R、I.2R、I.3R、I_4R、 157591.doc -66- 201228069 ΙΙ·5及ΙΙ·6之基板的每一OLED之亮度。施加於每一樣本上之電壓為獲得6 mA之電流強度所需者。 • 藉由將所獲得之亮度值除以對於實例1.1R所量測之亮度的值來獲得OCE。藉由Hamamatsu Photonics K.K.所製造之多通道分光鏡 (商標名：C10027)來執行光學量測。對於角度之定義，在元件之法線方向與自元件延伸至分光鏡之方向之間的角度被定義為量測角度Θ(圖21)。令人驚訝地，發明者發現，多層半透明導電基板之結構中的小變化對OCE具有顯著影響。儘管事實上多層電極之第一層的折射率與散射層之折射率相當，但仍可發現對 OCE之此影響。實例I.3R與II.5以及實例I.4R與II.6之比較展示散射層對0CE的影響。在（諸如）描述於實例I.3R及II.5 中之電極堆疊結構的狀況下，散射層之併入導致OCE之 10%的增加。在（諸如）描述於實例I.4R及II.6中之電極堆疊結構的狀況下，散射層之併入導致OCE之58%的增加。發明者已驚訝地發現，如藉由實例I.3R與II.6之比較展示，當使用根據本發明之半透明導電基板時，獲得OCE之約90%的增加。另外，所獲得之0CE的比較展示散射層及最佳化之電極對OCE的協同影響。若該影響將簡單地累積，則將獲得OCE之30%的增加：10%歸因於所使用之散射層，且20%歸因於經最佳化之電極。此外，0CE之比較清楚地展示，藉由實例II.6所發射之光的量高於藉由表示 OLED之習知基板（玻璃上之ITO電極）的實例1.1R所發射之 157591.doc -67- 201228069 光的量。最後’值Δχ(具有散射層）、ΔΧ(無散射層）、(具有散射層）、Ay(無散射層）之比較展示散射層對角度相依性的積極影響，X及y表示CIE (x，y)色度圖中之色度座標。術語「具有散射層」及「無散射層」分別關連至具有散射層及無散射層之半透明導電基板。其中：知(無散射層)=x°二7(r-xL·70。 C表示在0。與70。之間所量測之最高父值；4广.表示在〇°與70。之間所量測之最低X值

Ax(具有散射層) = x；^。·—χ；；Γη7〇· 〇··7〇· 士一，一 I表不在0。與7〇。之間所量測之最高^ C表示在〇°與70。之間所量測之最低χ值 △y(無散射層)=^7°Ά-η70。之間所量測之最高y值；表示在少max表示在〇°與7〇。之間所〇°與7〇。之間所量測之最低y值 △y(具有散射層—yO^fO· ,.〇·-7〇· * — . 之間所量測之最低y值之間所量測之最高y值；3^-7°.表示在少〇««表不在0。與70。〇°與70。之問斛蔷制+ 157591.doc -68- 201228069 藉由Hamamatsu Photonics K.K.所製造之多通道分光鏡 (商標名：C10027)來執行光學量測。對於角度之定義，在元件之法線方向與自元件延伸至分光鏡之方向之間的角度被疋義為1：測角度Θ(圖21)。進行量測同時使〇l£d旋轉至分光鏡’藉此量測發光色彩之角度相依性。如下量測值X及y : 以自θ = 0ο至θ=70ο之不同角度來量測併有實例j 1R、 I.2R、I.3R、I.4R、II.5 及 II.6之基板的每—〇led之亮度。施加於每一樣本上之電壓為獲得6 mA之電流強度所需要的電壓。最後’自電觀點而言，對於根據本發明之半透明導電基板所獲得之電阻值（約4 Ω/口）低於以經典ιτο基板所獲得的電阻值（約35 Ω/口）。表III展示三行，其具有包含散射層且具有不同類型之電極（層數目、層之化學本質及厚度）的根據本發明之半透明導電基板的實例，及以Ω/□表達之電阻的量測結果。有機發光裝置之一般結構已於上文描述（第61頁第2行至第63頁第15行）。實例III. 1為具有包含Ag導電層（122)、用於均質化表面電性質之層（124)、改良塗層之電極的半透明導電基板，其中改良塗層（120)之厚度尚未最佳化，此係因為改良塗層（120)之厚度處於符合方程式Tme=Tme o+[B*sin (n*TD1/TD1_Q)]/(nsupp(m)3之光學厚度範圍的外部。在此實例中，改良塗層（120)包含障壁層（1200) ’障壁層（12〇〇)與改良層（1201)合併且此層由結晶層（I202)覆蓋。此外，結晶 157591.doc -69- 201228069 層（1202)與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由 ZnxSnyOz(其中 x+y>3 且 ζ$6)製成，ZnxSnyOz&含至多 95 重量％之鋅，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。實例III.2及III.3說明符合本發明之半透明導電基板。在此等實例中，改良塗層（120)具有符合方程式 TME=TME_o+[B*sin(n*TDi/TD1_〇)]/(nsuppC)rt)3 且具有障壁層 (1200)之光學厚度，障壁層（1200)與改良層（1201)合併且此層由結晶層（1102)覆蓋。此外，結晶層（1202)與插入層 (123)具有相同的本質。此等層係由ZnxSnyOz(其中x+y>3且 ζ$6)製成，ZnxSnyOz較佳包含至多95重量％之鋅，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。實例III.3說明具有相對於結晶層（1102)之幾何厚度經最佳化之電極的根據本發明之半透明導電基板。

表III 實例 III. 1 111.2 III.3 散射層(μιη)(11) 50 50 50 塗層層本質/厚度(nm) 本質/厚度(nm) 本質/厚度(nm) 改良(120) 障壁(1200) TiO2/20.0 TiO2/65.0 TiO2/60.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/10.0 導電層(122) Ag/12.5 Ag/12.5 Ag/12.5 犧牲層(121b) Ti/2.5 Ti/2.5 Ti/2.5 插入層(123) ZnxSny〇z/7.0 ZnxSnyOz/7.0 ZnxSnyOz/7.0 均質化層(124) 氮化欽A.5 氮化鈦/1.5 氮化欽/1.5 電阻(0/□) 3.78 4.09 3.91 157591.doc -70- 201228069 件（10)為具有等於1.60 mm之幾何厚度的清澈玻璃。如上文所述，根據本發明之半透明導電基板具有電極，該電極具有至少一額外插入層（123)。此插入層（123)之功能為形成使金屬導電層能夠變得透明之光學空腔之部分。事實上’熟習最佳化低發射多層塗層之技術者已知（例如），具有至少15.0 nm之幾何厚度的插入層之使用對使得導電層透明係必要的。另一方面，未外加電導率條件來獲得與建築應用相容的光學透明度值。對於建築應用所開發之層不可直接用於光電子應用，此係因為其一般含有介電化合物及/或導電性不良的化合物。發明者已驚訝地判定，插入層（123)之幾何厚度使得：第一，其歐姆厚度至多等於10!2歐姆、較佳至多等於 1〇4歐姆，其中該歐姆厚度等於形成插入層之材料的電阻率（P)(—方面）與此同一層之幾何厚度（1)(另一方面）之間的比率；及第二，插入層（123)之幾何厚度關連至有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度（E()rg)，術語「第一有機層」表示安置於插人層（123)與有機發光層之間的所有有機層。發明者已由此驚f牙地發現，如圖2G中所指#，觀察到由亮度最大值所表徵之兩個區域：對應於以下方程式之第一區域：Ε〇γΑ·Ε;η，其中A為具有在5.0 nm至75.0賊之範圍中、較佳自2〇〇⑽至㈣ 11爪、更佳自30.〇11„1至45〇11111之值的常數。 E〇rg = C-Ein ’其中C為具對應於以下方程式之第二區域 157591.doc -71 · 201228069 有在150.0 nm至250.0 nm之範圍中、較佳自160·0 nm至 225.0 nm、更佳自75.0 nm至205.0 nm之值的常數。發明者已由此發現，方程式E❶rg=A-Ein或E。rg=C-Ein允許使用有機發光裝置之第一有機層的幾何厚度來最佳化插入層之光學參數（幾何厚度及折射率），且因此最佳化所透射之光的：g ’同時保持與使得能夠避免高點火電壓（亦即，分別對於第一亮度最大值及第二亮度最大值）之電性質相容的插入層厚度。此外’用於有機發光裝置之導電層與有機部分之間的接觸之介電（亦即’導電性不良之）層之使用違背了熟習此項技術者對於製造有機發光裝置所通常接受之知識。發明者已驚訝地發現，插入層（123)之形成無需排除介電（亦即，導電性不良之）材料的使用。然而，導電材料較佳。事實上’若插入層具有過高之歐姆厚度，則使用時的電壓顯著增加，如表IV中所示。表IV展示兩行’其具有根據本發明且具有不同類型之電極（層數目、層之化學本質及厚度）的半透明導電基板之實例’以及藉由併有此等基板之有機發光裝置所獲得之電效能的量測結果。有機發光裝置之一般結構已於上文描述 (第61頁第2行至第63頁第15行）。實例IV.1係包含基於具有 Ag導電層（122)之結構的電極之半透明導電基板，該電極未經最佳化。實例IV.1之電極具有均質化層（124)及用於改良光透射之塗層（120) ’塗層（120)之光學厚度尚未最佳化且因此處於符合方程式TME=TME_0+[B*Sin(n*TD1/TD丨_〇)]/ 15759l.doc 72· 201228069 (nsupport)3之厚度範圍的外部。在實例IV」中，改良塗層 (12〇)包含障壁層（1200)，障壁層（12〇〇)與改良層（12〇1)合併且此層由結晶層（1202)覆蓋。此外，結晶層（12〇2)及插入層（123)具有相同的本質。此等層係由ZnxSny〇〆其中x+y 23且z£6)製成，ZnxSnyOz包含至多95重量。/。之辞，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。此外，實例IV.1亦展示具有尚未經最佳化之幾何厚度的插入層（123)。實例IV.2說明經最佳化之電極，改良塗層（12〇)具有符合方程式 TME=TME_〇+[B*sin(n*TD丨/TD1())]/(nsuppwt)3之光學厚度，改良塗層具有障壁層（12〇〇)，障壁層（12〇〇)與改良層（1201)合併且此層由結晶層（12〇2)覆蓋。此外，妗晶層（1202)與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由 ZnxSnyOz(其中x+y>3且ζ$6)製成，ZnxSny〇z較佳包含至多 95重量％之鋅’鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。顯而易見，實例IV.2之電性質可觀地高於實例IV. 1中所示之電性質。表IV : 實例 IV. 1 IV.2 散射層(11) 50 μπι 50 μπι 塗層層本質度(nm) 本質/厚度(nm) 改良(120) 障壁(1200) TiO2/20.0 TiO2/65.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSny〇z/5.0 ZnxSnyOz/5.〇導電層(122) Ag/12.5 Ag/12.5 犧牲層(121b) Ti/2.5 Ti/2.5 157591.doc -73- 201228069 插入層(123) ZnxSny〇z/14.0 ZnxSnyOz/7.0 均質化層(124) - 氮化鈦/1.5 電效能 10mA/cm2V 4.45 2.70 100 mA/cm2 V 5.60 3.55 支撐件（10)為具有等於1.60 mm之幾何厚度的清澈玻璃。最後’表V展示，在插入層之怪定幾何厚度之情況下，有可能減小使用時的電壓，從而減小此層之電阻率。事實上’表V展示三行，其具有根據本發明但關於形成插入層之化合物之本質而彼此不同的半透明導電基板之實例，以及藉由併有此等電極之有機發光裝置所獲得之電效能及光學效能的量測結果。有機發光裝置之一般結構已於上文描述（第61頁第2行至第63頁第15行）。實例V.1說明根據本發明之具有電極之半透明導電基板，該電極具有插入層，該插入層包含由摻雜有鋁之氧化鋅製成的導電層（Zn〇:A12 電阻率：10·4 Q*Cm)。實例V.2說明根據本發明之具有電極之半透明導電基板，該電極具有插入層，該插入層包含由 ZnxSnyOz(其中x+yy且ζ$6)製成的導電性不良之層， ZnxSny〇z較佳包含至少95重量％之鋅，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達（ZnxSny〇z之電阻率：1〇·2 Ω〜ιη)β實例V.3說明根據本發明之具有電極之半透明導電基板’該電極具有插入層，該插入層包含二氧化鈦介電層（Ti02之電阻率：7〇 1〇4 Q*cm)。顯而易見’為了達到丨00 mA之電流位準，待施加之電壓 157591.doc •74· 201228069 在導電插入層具有由導電材料製成之層的狀況下比在由介電材料製成之層的狀況下低。表v : 實例 V.1 V.2 V.3 散射層(11) 50 μιη 50 μιη 50 μτη 塗層層本質/厚度(nm) 本質/厚度(nm) 本貿/厚度(nm) 改良(120) 障壁(1200) TiO2/65.0 TiO2/65.0 TiO2/65.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/5.0 導電層(122) Ag/12.5 Ag/12.5 Ag/12.5 犧牲層(121b) Ti/2.5 Ti/2.5 Ti/2.5 插入層(123) ZnO:Al/7.0 ZnxSnyO/7.0 TiO2/7.0 均質化層(124) 氮化鈦A.5 氮化鈦/1.5 氮化鈦/1.5 100 mA/cm2 V下之電效能 2.98 3.55 3.98 支撐件（10)為具有等於1.60 mm之幾何厚度的清澈玻璃。表VI展示發射準白光之有機發光裝置。效能展示於表VI 中的發射準白光之有機發光裝置之一般結構具有以半透明導電基板開始的以下結構： • 摻雜有4莫耳％之NPD-2的Ν,Ν,Ν',Ν"-肆（4-曱氧基苯基）-聯苯胺（縮寫為MeO-TPD)層， • N，N'-二（萘-1-基）-N-N’-二苯基-聯苯胺（縮寫為NPB) 之層， • 由4,4',4”-參（N-咔唑基）-三苯胺（縮寫為TCTA)及由部分摻雜有銥-雙-(4,6-二氟苯基-吡啶根基-N，C2)-吡啶 157591.doc -75- 201228069 羧酸酯（縮寫為FirPic)、參[2-(2-吡啶基）苯基-C，N]銥 (縮寫為Ir(ppy)3)及銥（III)雙（2-甲基二苯并[f，h]喹喏啉）（乙醯基丙酮酸酯）（縮寫為Ir5MDQ2)(acac)之 2,2'，2"(1，3,5-次苄基）參（1-苯基-1仏苯并咪唑）（縮寫為TBPi)形成之發射層的堆疊結構， • 2,2’，2"(1，3,5-次苄基）參-(1-苯基_1^1-苯并咪唑）（縮寫為TBPi)之層， • 摻雜有Cs之4,7-二苯基-l，l〇-啡啉層， • 由至少一金屬構成之上反射電極。根據一較佳實施例，上反射電極之金屬由至少Ag組成。根據一替代實施例，上反射電極之金屬由至少A1組成》縮寫字用以表示熟習此項技術者熟知的所使用化合物。所使用之有機層的結構係描述於Nature，2009，第459 卷，第234至238頁中之Reineke et Coll.之文章的章節「Methods Summary」的第 237頁中》已遵循上文所述之條件（第61頁第15行至第63頁第15行）來沈積根據本發明之半透明導電基板（丨）的實例之散射層 (11)及電極（12) ^實例VI.1為包含電極之半透明導電基板’該電極係基於具有Ag導電層之堆疊結構。實例vi」為根據本發明之包含對於OLED未經最佳化之電極的半透明導電基板’該電極具有均質化層（124)，且其十改良塗層 (120)之厚度處於符合以下方程式之厚度範圍的外部： TME=TME_0+[B*sin(n*TD1/TD1_0)]/(nsupp〇rt)3 157591.doc -76- 201228069 在實例VI.1中，改良塗層（120)包含障壁層（1200)，障壁層（1200)與改良層（1201)合併且此層係藉由結晶層（1202)覆蓋。此外，結晶層（1202)與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由ZnxSnyOz(其中x+y>3且ζ$6)製成，ZnxSnyOz包含至多95重量％之辞，鋅之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。實例VI.2及VI.3展示實例，其中改良塗層（120)具有符合方程式TME=TME_o+[B*sin(n*TDi/ TDi_G)]/(nsupp(m)3之光學厚度，且此層具有障壁層（12〇〇)，障壁層（1200)與改良層（1201)合併且此層由結晶層（12〇2)覆蓋。此外，結晶層（1202)與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由ZnxSnyOz(其中x+y23且ζ$6)製成，ZnxSnyOz較佳包含至多95重量％之辞，辞之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。此外，實例V1.2更特定言之說明半透明導電基板’該半透明導電基板具有精細之金屬層且具有更顯著厚度的用於改良光透射性質之塗層。改良塗層之此厚度的優點在於： • 一方面’其允許藉由來自支撐件或散射層之污染物 (例如’驗性物質）的遷移而更好地保護金屬導電層抵抗對該層之任何污染， •另方面’其允許較少貴金屬用於形成金屬導電層。實例VI.3說明具有厚銀層之半透明導電基板，該厚銀層允許獲知具有低電阻之導電層。對於併有根據實例vi. i、 VI.2及VI.3之半透明導電基板的發射準白光之裝置所獲得 157591.doc -77· 201228069 的性質之比較證明： • 包含根據本發明之基板的裝置之使用壽命與實例 VI.1相比，而且與由相同支撐件（10)組成且具有安置於其頂部之具有等於90 nm之幾何厚度的ITO電極之半透明導電基板相比為較長的，其使用壽命總計達162個小時（結果未列於表VI中）； • 具有厚導電層之實例VI.3之表面電阻（Ω/口）至少低至實例VI.2及VI.1之表面電阻（Ω/口）的一半，且此性質提供在不使用任何導電加強件（諸如，金屬柵格）之情況下形成較大尺寸裝置的可能性。

表VI 實例 VI. 1 VI.2 VI.3 散射層(11) 50 μιη 50 μιη 50 μιη 塗層層本質/厚度(nm) 本質/厚度(nm) 本質/厚度㈣改良(120) 障壁(1200) TiO2/20.0 TiO2/65.0 TiO2/20.0 改良(1201) 結晶(1202) ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/5.0 ZnxSnyOz/5.0 導電層(122) Ag/12.5 Ag/12.5 Ag/23.0 犧牲層(121b) Ti/2.5 Ti/2.5 Ti/2.5 插入層(123) ZnxSnyOz/7.0 ZnxSnyOz/7.0 ZnxSny〇z/7.0 均質化層(124) 氮化鈦/1.5 氮化鈦/1.5 氮化鈦/1.5 電阻(Ω/口） 3.78 4.09 1.80 2 mA/cm2V下之電效能 9.7-10.4 9.2-9.4 10.1-10.5 在3 0 mA/cm2下所量測之使用壽命(以小時計） 166 625 739 157591.doc -78- 201228069 支撐件（10)為具有等於丨6〇 mm之幾何厚度的清澈玻璃。藉由所施加之電壓來量測電效能位準，以獲得2 mA/cm2之電流。表VII展示發射準白光之有機發光裝置。效能展示於表 νπ中的發射準白光之有機發光裝置之一般結構具有自半透明導電基板開始的以下有機結構： • N，N'-雙（1-萘基）-N，n，-二苯基·ι，ι，_二苯基 _4,4，_二胺 (寫為 ct-NPD)之層， • NPD+5,6，11，12-四笨基幷四苯（縮寫為rubrene(紅螢浠））之層， • 2_甲基-9,10-二（2-萘基）蒽（縮寫為MADN)+ p-雙_p- 二-苯基-胺基苯乙烯基苯（縮寫為DSA)之層， • 參（8-羥基喹啉）鋁（縮寫為A1Q3)之層， • LiF之層， • 上反射電極亦由至少一金屬構成。根據一較佳實施例，上反射電極之金屬由至少Ag組成。根據一替代實施例’上反射電極之金屬由至少A1組成。已遵循上文所述之條件（第61頁第15行至第63頁第15行）來沈積根據本發明之半透明導電基板（1)的實例之散射層 (11)及電極（12) ’該散射層在實例νπ.2中具有與用於先前實例中之組合物相同的組合物，但在實例VII. 1及VII.3中包含具有3 μιη之直徑的額外量15體積％的氧化鋁顆粒。此外，基於TiOx及ΖηΟ:Α1之層係分別在Ar/〇2氣氛下於0.5 Pa 157591.doc •79· 201228069 之壓力下使用TiOx陶瓷靶材及在Ar/〇2氣氛下使用ΖηΟ:Α1 陶瓷靶材沈積，弱百分比之〇2係在0.5 Pa之壓力下引入（〇至0.7°/。）。實例VII. 1及VII.2為包含電極之半透明導電基板’該電極係基於具有Ag導電層之堆疊結構。實例Vi】.1 及VII.2為根據本發明之包含對於〇LED未經最佳化之電極的半透明導電基板，該電極具有均質化層（丨24)，且其中改良塗層（120)之厚度處於符合以下方程式之厚度範圍的外部： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TD1_〇)]/(nsupport)3 在實例VII.1中，改良塗層（12〇)包含障壁層（12〇〇)，障壁層（1200)與改良層（1201)合併且此層由結晶層（丨2〇2)覆蓋。此外，結晶層（1202)與插入層（123)為具有相同本質之導電層。此等層係由摻雜有鋁之氧化辞製成（Zn〇:A1之電阻率：10_4 Q*cm)。在實例VII.2中，改良塗層（120)包含經合併且由ZnxSnyOz(其中χ+y之3且U6)製成之障壁層（12〇〇)、改良層（12〇1)及結晶層（1202)，ZnxSnyOz較佳包含至多95 重量％之鋅，辞之重量百分比係相對於存在於層中之金屬的總重量來表達。實例VI.3展示實例，其中改良塗層（12〇) 具有符合方程式 TME=TME ()+[B*Sin(n*TD丨/TD丨。)]/(nsupp〇rt)3 之光學厚度，且此改良塗層（120)具有障壁層（12〇〇)，障壁層（1200)與改良層（1201)合併且該改良層（12〇1)由結晶層 (1202)覆蓋。此外，結晶層（12〇2)與插入層（123)具有相同的本質。此等層係由摻雜有鋁之氧化鋅製成（Zn〇:Al之電 157591.doc -80- 201228069 阻率：10_4 Q*cm)。犧牲層（121b)係由TiOx製成，該TiOx為完全或部分氧化之氧化鈦。

表VII 實例 VII. 1 VII.2 VII.3 散射層(11) 25 μπι⑴ 25 μιη 25 μιη⑴ 塗層層本質/厚度(nm) 本質/厚度(mn) 本質/厚度(nm) 改良(120) 障壁(1200) TiO2/19.0 ZnxSnyOz/25.0 TiO2/60.0 改良(1201) 結晶(1202) ΖηΟ:Α1/4.0 ΖηΟ:Α1/4·0 ΖηΟ:Α1/10.0 導電層(122) Ag/9.45 Ag/9.0 Ag/14.35 犧牲層(121b) TixO/3.0 TixO/3.0 TixO/3.0 插入層（123) ΖηΟ:Α1/7.0 ZnO:Al/7.0 ZnO:Al/7.0 均質化層(124) 氮化鈦/1.5 氣化欽Λ.5 氮化欽/1.5 0CE 1.3 1.2 1.9 (1)散射層包含具有3 μιη之直徑的額外量15體積％的氧化在呂顆粒。出光耦合係數效率（OCE)係界定與參考項之光量相比可提取之光量的因數。關於實例I.1R中所表示之參考項來計算OCE。OCE值判定如下： • 以角度θ=0。來量測併有實例I.1R、VII_1、VII.2及 VII.3之基板的每一OLED之亮度。施加於每一樣本上之電壓為獲得6 mA之電流強度所需要的電壓。 • 藉由將所獲得之亮度值除以對於實例1.1R所量測之亮度的值來獲得OCE。藉由Hamamatsu Photonics K.K.所製造之多通道分光鏡 157591.doc -81 - 201228069 (商標名：C10027)來執行光學量測。對於角度之定義，在兀件之法線方向與自元件延伸至分光鏡之方向之間的角度被定義為量測角度0(圖21)。【圖式簡單說明】圖1展示根據本發明之半透明導電基板的橫截面圖，其中該基板包含支樓件、散射層，及自由最小數目個層組成之堆疊結構所形成的電極。圖2展示在第二實施例中的根據本發明之半透明導電基板的橫截面圖。圖3展示根據本發明之半透明導電基板的橫截面圖，其中該基板包含具有障壁層之支撐件、散射層，及自由最小數目個層組成且具有不同功能之堆疊結構所形成的電極。圖4展示在一較佳實施例中的根據本發明之半透明導電基板的橫截面圖。圖5展示隨在550 nm波長下具有折射率2.3之用於改良光透射的塗層之幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變，該有機發光裝置發射準白光且包含無散射層且具有在等於550 nm之波長下折射率為 1.4之透明支撐件的基板。圖6展示隨在550 nm波長下具有折射率2.3之用於改良光透射的塗層之幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變，該有機發光裝置發射準白光且包含無散射層且具有在等於550 nm之波長下折射率為 1.5之透明支撐件的基板。 157591.doc •82. 201228069 圖7展示隨在550 nm波長下具有折射率2.3之用於改良光透射的塗層之幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變，該有機發光裝置發射準白光且包含無散射層且具有在等於550 nm之波長下折射率為 1.6之透明支撐件的基板。圖8展示隨在550 nm波長下具有折射率2.3之用於改良光透射的塗層之幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變，該有機發光裝置發射準白光且包含無散射層且具有在等於550 nm之波長下折射率為 1.8之透明支撐件的基板。圖9展示隨在550 nm波長下具有折射率2.3之用於改良光透射的塗層之幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變，該有機發光裝置發射準白光且包含無散射層且具有在等於550 nm之波長下折射率為 2.0之透明支撐件的基板。圖10展示隨單色輻射之波長譜而變的光致發光，其主波長處於紅光範圍。圖11展示隨單色輻射之波長譜而變的光致發光，其主波長處於綠光範圍。圖12展示隨單色輻射之波長譜而變的光致發光，其主波長處於藍光範圍。圖13展示隨用於紅光的用於改良根據本發明之電極之光透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有透明支撐件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中Ag 157591.doc -83- 201228069 金屬導電層具有等於12.5 nm之幾何厚度，且支撐件具有折射率1.5。圖14展示隨用於綠光的用於改良根據本發明之電極之光透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有透明支樓件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中Ag 金屬導電層具有等於12·5 nm之幾何厚度，且支樓件具有折射率1.5。圖15展示隨用於藍光的用於改良根據本發明之電極之光透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有透明支樓件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中Ag 金屬導電層具有等於12.5 nm之幾何厚度，且支撐件具有折射率1.5。圖16展示隨用於紅光的用於改良根據本發明之電極之透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有透明支撐件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中金屬導電層具有等於12.5 nm之幾何厚度，且支撐件具有折射率2.0。圖17展示隨用於綠光的用於改良根據本發明之電極之光透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有透明支撐件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中金屬導電層具有等於12.5 nm之幾何厚度，且支撐件具有折射率2.0 » 圖18展示隨用於藍光的用於改良根據本發明之電極之光透射的層之幾何厚度及折射率而變的包含無散射層且具有 157591.doc -84· 201228069 透明支撐件之基板的有機發光裝置之亮度的演變，其中Ag 金屬導電層具有等於12.5 nm之幾何厚度，且支樓件具有折射率2.0。 . 圖19展示隨用於改良光透射之塗層的幾何厚度及Ag金屬導電層之幾何厚度而變的無散射層且具有透明支樓件之基板的模擬反射之演變，該模擬反射係根據歐洲標準EN 410 在2下以D65表達’該支撐件在等於^5〇 nm之波長下具有等於1.5的折射率，其中在導電層上方，該基板亦包含具有等於3.0 nm之幾何厚度的TiOx犧牲層及具有等於14.7 nm 之幾何厚度的ZnxSnyOz插入層（其中x+y>3且z$6)，其中插入層塗佈有在550 nm之波長下具有等於1.7之折射率的有機介質。圖20展示隨用於綠光的插入層之幾何厚度（Ein)及電極之第一有機層的幾何厚度而變的有機發光裝置之亮度的演變’該有機發光裝置併有無散射層且具有透明支撐件及具有12.5 nm之幾何厚度之金屬導電層的基板，該支撐件在 550 nm之波長下具有折射率1.5。圖21展示用於量測發光亮度及角度相依性發光色彩之量 • 測裝置。【主要元件符號說明】 1 半透明導電基板 9a 功能塗層 9b 障壁層 10 透明支撐件 157591.doc •85- 201228069 11 散射層 12 電極 110 基底材料 111 散射材料 120 用於改良光透射之塗層 121a 犧牲層 121b 犧牲層 122 金屬導電層 123 插入層/插入塗層 124 用於均質化表面電性質之層/均質化塗層 1102 結晶層 1200 障壁層 1201 用於改良光透射之層 1202 結晶層 157591.doc -86-

Claims

201228069 七、申請專利範圍： 1. 一種用於有機發光裝置之半透明導電基板（1)，其包含：透明支撐件（10)，散射層（11)，其形成於該透明支撐件（10)之上且包含玻璃，該玻璃含有基底材料（110)及複數種散射材料 (1Π)，該基底材料（110)具有對於待透射光之至少一波長的第一折射率，該複數種散射材料（111)係分散於該基底材料（110)中且具有不同於該基底材料之折射率的第二折射率，透明電極（12)，其形成於該散射層（11)之上，該電極 (12)包含至少一金屬導電層（122)及具有用於改良穿過該電極之光透射之性質的至少一塗層（i2〇)，該塗層（丨2〇) 包含用於改良光透射之至少一層（1201)且係位於該金屬導電層（122)與其上沈積該電極（12)的該散射層（u)之間。 2·如請求項1之半透明導電基板（1)，其中該散射層（11)之該等散射材料（111)係選自細孔、沈澱晶體、具有不同於基底材料（110)之化學組合物之材料顆粒、相分離玻璃或來自其至少兩者之混合物。 3.如請求項2之半透明導電基板〇)，其中該等材料顆粒係選自結晶顆粒、非晶形顆粒或其至少一混合物。 4·如w求項1至3中任一項之半透明導電基板⑴，其中該散射層中之該等散射材料的分佈自該散射層（u)之内部朝 ° s散射層之與其上沈積該散射層（H)之該透明支揮件 157591.doc 201228069 (ίο)相對的面減小。 5·如請求項1至3中任一項之半透明導電基板（1)，其中該散射層包含第一層部分及形成於該第一層部分上之第二層部分’該第二層部分較該第一層部分薄，且該第一層部分具有遠多於該第二層部分的該等散射材料。 6. 如請求項1至3中任一項之半透明導電基板（1)，其中該透明電極係形成於該散射層之上，該電極包含單一金屬導電層及具有用於改良穿過該電極之該光透射之性質的至少一塗層（120)，其中該塗層（120)具有至少大於3 〇 nm且至夕小於或等於200 nm之幾何厚度，且該塗層包含用於改良光透射之至少一層（120)且係位於該金屬導電層 (122)與其上沈積該電極的該散射層（u)之間，其中具有用於改良該光透射之性質之該塗層的光學厚度TD1與該金屬導電層之幾何厚度TME係藉由以下方程式相關連： TME=TME_〇+[B*sin(n*TD1/TD1_〇)]/(nsupport)3 其中TME 0、B及TD10為常數，其中Tme 〇具有在1〇〇 nm至25.0 nm之範圍中的值，Β具有在1〇〇 11„1至16 5 nm 之範圍中的值’且TD10具有在23 9χη〇ι nm至28.3xnD1 nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良該光透射之該塗層在550 nm波長下的折射率，且表示透明支撐件在5 5 0 nm波長下之折射率。 7. 如請求項1至3中任一項之半透明導電基板，其中該透明電極係形成於該散射層之上’該電極包含單一金屬導電層及具有用於改良穿過該電極之該光透射之性質的至少 157591.doc 201228069 一塗層（120) ’其中該塗層（120)具有至少大於3 〇 ηιη且至多小於或等於200 nm之幾何厚度，且該塗層包含用於改良光透射之至少一層（120)且係位於該金屬導電層（122) 與其上沈積該電極的該散射層（U)之間，其中具有用於改良該光透射之性質之該塗層的該光學厚度丁⑴與該金屬導電層（122)之該幾何厚度Tme係藉由以下方程式相關連： TME=TME_o+[B*sin(n*TD1/TDi_〇)]/(nss)3 其中TME—〇、B及TD10為常數，其中τΜΕ_〇具有在1〇〇 nm至25.0 nm之範圍中的值，β具有在10.0 nm至16.5 nm 之範圍中的值’且TD1_0具有在23.9><nD1 nm至28.3><nDi nm之範圍中的值，其中nD1表示用於改良該光透射之該塗層在550 nm波長下的該折射率，且nss表示包含該支撐件及該散射層之堆疊結構在550 nm波長下的折射率，甘中 ” ^ P01^ ^sup port) scatleringlayer ^scatteringlayer } V sup port ^scaneringlayer i ^support 表示透明支撐件（10)在550 rnn波長下之該折射率’113。3以1^11§丨3761'表示該散射層（11)在55〇11111波長下之折射率，Isupptm表示該支樓件（10)之幾何厚度，且 Iscatteringlayer表不該散射層（11)的幾何厚度。 8.如請求項1至3中任一項之半透明導電基板（1)，其中用於改良β亥電極（12)之光透射的該塗層（120)包含至少一額外結晶層（1202) ’其中相對於該散射層（11)，該結晶層 (1202)為自形成該塗層（120)的該堆疊結構移除之最遠 157591.doc 201228069 9·如請求項8之半透明導電基板（1)，其中該結晶層（12〇2) 之幾何厚度至少等於用於改良光透射之該塗層（12〇)之總幾何厚度的7%。 10. 如請求項1至3中任一項之半透明導電基板（1)，其中用於改良光透射之該塗層（丨2〇)包含至少一額外障壁層 (12〇〇) ’其中相對於該散射層（11)，該障壁層（1200)為最接近於形成該塗層（12〇)的該堆疊結構之層。 11. 如請求項1至3中任一項之半透明導電基板（丨），其中該電極（12)包含用於均質化表面電性質之薄層（124)，該薄層 (124)相對於該散射層（η)位於形成該電極（12)之該多層堆疊結構的頂部處。 12. 如請求項1至3中任—項之半透明導電基板（ι)，其中該電極（12)包含位於該金屬導電層（122)與該薄的均質化層 (124)之間的至少一額外插入層（1 η)。 13.如請求項12之半透明導電基板（1)，其中該插入層（123) 之幾何厚度（Ein)係使得其歐姆厚度至多等於1〇12歐姆，其中該歐姆厚度等於形成該插入層之材料的電阻率

具有在5.0 nm至75.0 nm之範圍中、 :Eorg=A-；Ein，其中 A為、較佳自20.0 nm至60.0 157591.doc 201228069 nm、更佳自30.0 nm至45.0 nm之值的常數。 14. 如請求項12之半透明導電基板（1)，其中該插入層（i23) 之該幾何厚度（Ein)係使得其歐姆厚度至多等於1〇12歐 . 姆，其中該歐姆厚度等於形成該插入層之該材料的該電阻率（)(一方面）與此同一層之該幾何厚度（1)(另一方面） • 之間的該比率；且此外，該插入層之該幾何厚度關連至該有機發光裝置之該第一有機層的該幾何厚度（E。^)，其中該術語「第一有機層」藉由以下方程式表示安置於該插入層與該有機發光層之間的所有有機層：E(Kg=c_Ein，其中C為具有在150.0 nm至250.0 nm之範圍中、較佳自 160.0 nm 至 225.0 nm、更佳自 75〇 nmi2〇5〇 nm 之值的常數。 15. 如請求項！至3中任一項之半透明導電基板（1)，其中該金屬導電層（122)在其面中之至少一者上包含至少一犧牲層 (121a及/或121b) » 16. 如請求項中任一項之半透明導電基板（1)，其中包含該支撐件（10)及其上沈積該電極（12)之該散射層（11}的該堆疊結構在與其上沈積該散射層（11)之面相對的面上包 • 含至少一功能塗層（9)。 17· —種有機發光裝置，其包含至少一個如請求項1至“中任一項之半透明導電基板（1)。 18. 如請求項17之有機發光裝置，其發射準白光。 19. 一種用於製造如請求項丨至^中任一項之半透明導電基板（1)的方法，其包含以下步驟： 157591.doc 201228069 在該支撐件（10)上沈積該散射層（11) ’ 在該散射層（11)上沈積具有用於改良光透射之性質的該塗層（120)，沈積該金屬導電層（丨22)’隨後直接沈積形成該有機發光裝置之不同功能元件。 20. —種用於製造如請求項11之半透明導電基板（1)的方法，其包含以下步驟：在該支撐件（10)上沈積該散射層（11)，在該散射層（11)上沈積具有用於改良穿過該電極（12) 之光透射之性質的該塗層（120)、該金屬導電層（122)、該犧牲層（121b)、該插入層（123)，沈積該均質化層（124)，隨後直接沈積形成該有機發光裝置之不同功能元件。 157591.doc