WO2014185224A1 - 有機ｌｅｄ素子、有機ｌｅｄ素子の製造方法 - Google Patents

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WO2014185224A1
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electrode
barrier layer
led element
organic led
light emitting
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中村　伸宏
橘　ゆう子
奈央 石橋
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旭硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an organic LED element and a method for manufacturing the organic LED element.
  • an organic LED element Organic Light Emitting Diode
  • PDP plasma display panel
  • FED field emission display
  • organic LED element Organic Light Emitting Diode
  • This has a structure in which an organic layer is sandwiched between electrodes, and as a mechanism of light emission, first, holes and electrons are injected from each electrode by applying a voltage between the electrodes, and then these. Are combined in the organic layer, and the light emitting material in the organic layer is excited. Thereafter, light generated in the process from the excited state to the ground state of the luminescent material is extracted.
  • Specific applications include displays, backlights, and lighting.
  • a main part 2a of a first electrode line for forming pixels formed as a plurality of isolated patterns on a substrate, and an opening in an isolated pattern group part of the first electrode are provided.
  • An organic electroluminescence element is disclosed in which the pixel portion is composed of a plurality of organic electroluminescence single elements and these are connected in series.
  • the complex oxide constituting the first electrode that is a transparent electrode and the second electrode that is a metal electrode are in direct contact with each other. Yes. For this reason, when a current is applied between both electrodes, oxygen in the composite oxide constituting the transparent electrode diffuses to the metal electrode side, causing a problem that the resistance value of the metal electrode increases. In addition, when impurities such as carbon are mixed in the interface portion between the transparent electrode and the metal electrode, the impurity or the like causes the resistance value between the electrodes to increase.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide an organic LED element in which an increase in resistance in the vicinity of the interface between two electrodes constituting the organic LED element is suppressed.
  • an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series, The light emitting area is A first electrode; A second electrode, In the adjacent light emitting region, the first electrode of one light emitting region and the second electrode of the other light emitting region are connected via a barrier layer, An organic LED element is provided in which the C concentration in the interface region between the first electrode and the barrier layer or in the interface region between the second electrode and the barrier layer is 10 atomic% or less.
  • an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series, The light emitting area is A first electrode; A second electrode, In the adjacent light emitting region, the first electrode of one light emitting region and the second electrode of the other light emitting region are connected via a barrier layer, An organic LED element is provided in which the O concentration in the interface region between the second electrode and the barrier layer is 20 atomic% or less.
  • an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series, The light emitting area is A first electrode; A second electrode, In the adjacent light emitting region, the first electrode of one light emitting region and the second electrode of the other light emitting region are connected via a barrier layer, An organic LED element is provided in which the H concentration in the interface region between the first electrode and the barrier layer or the interface region between the second electrode and the barrier layer is 5 atomic% or less.
  • an interface region between the first electrode and the barrier layer may include a compatible layer.
  • an interface region between the second electrode and the barrier layer may include a compatible layer.
  • the barrier layer may be composed of a metal or alloy containing one or more elements selected from Cr, Mo, Ti, Ta, Pd, and Pt.
  • the organic LED element is formed on a substrate,
  • the substrate may include a light extraction layer.
  • a method for producing an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series A first electrode forming step of forming a first electrode; A barrier layer forming step of forming a barrier layer; A second electrode forming step of forming a second electrode, At least from the start of the first electrode formation step to the end of the barrier layer formation step, or from the start of the barrier layer formation step to the end of the second electrode formation step, Provided is a method for producing an organic LED element in which each step is performed in an atmosphere having a C concentration of 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less.
  • a method for producing an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series A first electrode forming step of forming a first electrode; A barrier layer forming step of forming a barrier layer; A second electrode forming step of forming a second electrode, At least from the start of the first electrode formation step to the end of the barrier layer formation step, or from the start of the barrier layer formation step to the end of the second electrode formation step, Provided is a method for producing an organic LED element in which each step is performed in an atmosphere having an O concentration of 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less.
  • a method for producing an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series A first electrode forming step of forming a first electrode; A barrier layer forming step of forming a barrier layer; A second electrode forming step of forming a second electrode, At least from the start of the first electrode formation step to the end of the barrier layer formation step, or from the start of the barrier layer formation step to the end of the second electrode formation step, Provided is a method for manufacturing an organic LED element in which each step is performed in an atmosphere having an H concentration of 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 .
  • the barrier layer may be made of a metal or alloy containing one or more elements selected from Cr, Mo, Ti, Ta, Pd, and Pt.
  • the organic LED element may be formed on a substrate, and the substrate may include a light extraction layer.
  • This invention provides the organic LED element which suppressed the raise of the resistance in the interface vicinity between the two electrodes which comprise an organic LED element.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the configuration of an apparatus for measuring a change in contact resistance between a transparent electrode and a metal electrode with time. Measurement result of change with time of contact resistance between transparent electrode and metal electrode. Explanatory drawing of an interface area
  • FIG. 4 is a configuration explanatory diagram of a contact resistance measurement sample in Reference Example 1. Sample No. of Reference Example 1 1-3-1 and Sample No. Measurement result of contact resistance of 1-3-2.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the power consumption increase rate and the interface O concentration in Reference Example 1.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of a light emitting region and a laminated structure of an organic LED element produced in Example 1.
  • the organic LED element of this embodiment is an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series.
  • the light emitting region includes a first electrode and a second electrode, and the adjacent light emitting region has a barrier between the first electrode of one light emitting region and the second electrode of the other light emitting region. Connected through layers.
  • the C (carbon) concentration in the interface region between the first electrode and the barrier layer or in the interface region between the second electrode and the barrier layer is 10 atomic% or less.
  • FIG. 1 is a top view of the organic LED element
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG. In FIG. 2, two stages of the light emitting regions connected in series in ten stages in FIG. 1 are enlarged.
  • the organic LED element of this embodiment has a plurality of light emitting regions 11 (11A, 11B, etc.), and these light emitting regions 11 are connected in series via a contact region 12. ing. For this reason, by supplying a current from the lead-out wiring 13 portion, a current flows sequentially to each light-emitting region 11 toward the other lead-out wiring 14, and each light-emitting region 11 can emit light.
  • the organic LED element of this embodiment can be formed on a substrate 21, for example.
  • the light emitting regions 11A and 11B have a structure in which the first electrode 22, the light emitting unit 23, and the second electrode 24 are stacked.
  • the second electrode 24 of the light emitting region 11A The first electrode 22 in the adjacent light emitting region 11B is connected via the barrier layer 25.
  • the current supplied from the lead-out wiring 13 first flows in the order of the first electrode 22, the light-emitting portion 23, and the second electrode 24 in the light-emitting region 11A adjacent to the region where the lead-out wiring is provided. .
  • the contact region 12 flows through the barrier layer 25 to the first electrode 22 in the adjacent light emitting region 11 ⁇ / b> B, and current is sequentially supplied to the adjacent light emitting regions.
  • region is not limited to 10 steps, It depends on the area of an organic LED element, the electric current amount to flow, etc. It can be arbitrarily selected depending on the case. Further, the area of the light emitting region does not need to be constant in the organic LED element, but it is preferable that the light emitting area is also uniform in order to make each light emitting region have uniform brightness.
  • the organic LED element of this embodiment is preferably applicable to the illumination use which requires a high current, for example.
  • it can be preferably applied to an organic LED element having a luminance of 2000 cd / m 2 or more.
  • a high current is required. Therefore, it can be preferably applied to an organic LED element having an area of the light emitting region of 50 cm 2 or more, and the area of the light emitting region is 100 cm 2 or more. It is preferably applicable to an organic LED element.
  • regions 11 and the 2nd electrode 24 are connected through the barrier layer 25 as mentioned above.
  • the structure of the barrier layer 25 and its surroundings is not particularly limited, and the first electrode 22 in one light emitting region and the second electrode 24 in the other light emitting region are connected via the barrier layer 25. It is sufficient if it is configured.
  • a barrier layer 25 and a second electrode 24 in the light emitting region 11A are stacked on the first electrode 22 in the light emitting region 11B. It can. 2B, the second electrode 24 of the light emitting region 11A is not disposed in the contact region 12, and the barrier layer 25 is disposed on the first electrode 22 of the light emitting region 11B. 25 may be extended to the light emitting region 11A and connected to the second electrode 24 of the light emitting region 11A.
  • the current flows through the barrier layer in the thickness direction of the glass substrate, so the resistance of the barrier layer is not particularly limited.
  • the sheet resistance of the barrier layer is preferably, for example, 1 ⁇ / ⁇ or less, more preferably 0.5 ⁇ / ⁇ or less, and particularly preferably 0.3 ⁇ / ⁇ or less.
  • the configuration of the barrier layer is not particularly limited, but can be formed of, for example, a single metal film layer.
  • the composite oxide constituting the first electrode that is a transparent electrode and the second electrode that is a metal electrode are in direct contact with each other, and between the two electrodes When an electric current was applied to the metal electrode, oxygen in the composite oxide constituting the transparent electrode was diffused to the metal electrode side. This point will be described.
  • a layer made of Al was formed as the metal electrode 32 on the layer made of ITO to be the transparent electrode 31, and a power source 33 was connected thereto to observe the change with time.
  • a change in resistance (hereinafter also referred to as “contact resistance”) with respect to an applied voltage was measured.
  • the contact area between ITO and the metal electrode was 200 ⁇ m ⁇ (40000 ⁇ m 2 ). It can be seen that Samples 1 and 2 immediately after the preparation of the sample in FIG. However, when the resistance change with respect to the applied voltage was measured in the same manner after storage for 500 hours in an atmosphere heated to 105 ° C. in the atmosphere, as shown in FIG. 4 (A) as Samples 1 and 2 after storage for 500 hours. It can be confirmed that the contact resistance is increased.
  • a barrier layer 25 is provided between the first electrode 22 in one light emitting region and the second electrode 24 in the other light emitting region. For this reason, even when one of the first electrode 22 in one light-emitting region and the second electrode 24 in the other light-emitting region is a transparent electrode and the other is a metal electrode, oxygen is present on the metal electrode side. Can be suppressed, so that it is possible to suppress an increase in resistance value in the vicinity of the interface between both electrodes.
  • the first electrode 22 in one light emitting region. If the impurity concentration in the interface region between the first electrode 24 and the barrier layer 25 or the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 in the other light emitting region is high, the contact resistance may be increased due to the influence of the impurities.
  • carbon is an example of the impurity.
  • the contact resistance is increased in this way, heat is generated in the interface region between the barrier layer 25 and the first electrode 22 or the second electrode 24, and depending on the degree, the barrier layer 25 and the first light emitting region in the first light emitting region are heated. There is a possibility that the interface portion between the first electrode 22 or the second light emitting region in the other light emitting region is damaged.
  • the interface region between the barrier layer 25 and the first electrode 22 in one light emitting region, or the barrier layer 25 and the second electrode 24 in the other light emitting region is preferably 10 atomic% or less.
  • the C (carbon) concentration in the interface region between the barrier layer 25 and the first electrode 22 in one light-emitting region and the interface region between the barrier layer 25 and the second electrode 24 in the other light-emitting region are in the above range. It is more preferable that In this case, it is possible to more reliably suppress an increase in contact resistance in the interface region and suppress damage to the organic LED element.
  • the C concentration in the interface region between the barrier layer 25 and the first electrode 22 or in the interface region between the barrier layer 25 and the second electrode 24 is more preferably 5 atomic% or less.
  • the C concentration in the interface region between the barrier layer 25 and the first electrode 22 and in the interface region between the barrier layer 25 and the second electrode 24 is more preferably 5 atomic% or less.
  • the interface region will be described.
  • the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 will be described as an example.
  • the interface 51 between the second electrode 24 and the barrier layer 25 can be identified by TEM or the like
  • the interface 51 is defined as the interface between the second electrode 24 and the barrier layer 25.
  • a compatible layer 53 between the second electrode 24 and the barrier layer 25, a state in which two layers of constituent elements are mixed around the interface between the two layers, that is, a compatible layer 53 is formed.
  • the center portion 531 of the compatible layer 53 when viewed in the stacking direction of the second electrode 24 and the barrier layer 25 is the interface between the second electrode 24 and the barrier layer 25.
  • the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 has been described as an example, but the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 can be defined in the same manner.
  • the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 may also include a compatible layer.
  • the method for measuring the C concentration in the interface region 52 is not particularly limited, and can be measured by any method.
  • TEM transmission electron microscope
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • RBS Rutherford backscattering analysis
  • ERDA elastic recoil detection analysis
  • the position of the interface 51 may be defined by observing with a TEM in advance.
  • the position of the layer can be specified. For this reason, even when an analysis method other than TEM is used, it is possible to specify the interface and interface region from the distribution of these elements without specifying the position of the interface 51 in advance by TEM.
  • the interface that is the boundary between the two layers clearly appears between the first electrode or the second electrode and the barrier layer, and the compatibility around the interface between the two layers. It is assumed that the layer is formed and the boundary does not appear clearly.
  • the C concentration detected in addition to the constituent elements of each layer is detected for the interface region.
  • the interface can be determined in the same manner as in the case of the compatible layer. Specifically, the central portion of the broad interface in the stacking direction can be used as the interface for defining the interface region.
  • the boundary between the two layers is a compatible layer
  • the C concentration detected in addition to the constituent elements of both layers is detected for the interface region.
  • the first electrode 22 is preferably composed of a transparent electrode (translucent electrode).
  • the light in order to take out the light generated in the light emitting section 23 to the outside, it is preferable that the light has a translucency of 80% or more.
  • the work function since many holes are injected, it is preferable that the work function is high.
  • the resistance In the case of series connection, since the amount of current is smaller than in the case of no series connection with the same light emitting area, the resistance may be high. Specifically, it may be 100 ⁇ / ⁇ or less, preferably 50 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 30 ⁇ / ⁇ or less.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • SnO 2 , ZnO, IZO Indium Zinc Oxide
  • AZO ZnO—Al 2 O 3 : zinc oxide doped with aluminum
  • GZO ZnO—Ga 2
  • Composite oxide materials such as O 3 : zinc oxide doped with gallium
  • Nb-doped TiO 2 , and Ta-doped TiO 2 can be preferably used.
  • the resistance can be higher than in the prior art, so that the film thickness can be reduced and the transmittance can be increased.
  • the film thickness of ITO can be, for example, 10 nm to 150 nm, desirably 30 nm to 120 nm, and more desirably 50 nm to 100 nm.
  • the thickness of the first electrode 22 is not particularly limited, but is preferably 100 nm or more.
  • the refractive index of the first electrode 22 is preferably 1.9 to 2.2.
  • the refractive index of ITO if the carrier concentration is increased, the refractive index of ITO can be reduced.
  • commercially available ITO contains 10 wt% SnO 2 as a standard, but the refractive index of ITO can be reduced by increasing the Sn concentration.
  • the carrier concentration increases with an increase in Sn concentration, there is a decrease in mobility and transmittance. Therefore, it is preferable to determine the Sn amount by balancing these.
  • ⁇ Second electrode> As the second electrode 24, a metal having a small work function or an alloy thereof can be preferably used.
  • Examples of the material of the second electrode 24 include alkali metals, alkaline earth metals, and metals of Group 13 of the periodic table. Of these, aluminum (Al), magnesium (Mg), or alloys thereof can be more preferably used because they are inexpensive and have good chemical stability. Also, a laminated electrode obtained by depositing Al on a co-deposited film of Al, MgAg, a thin film deposited film of LiF or Li 2 O, or the like can be particularly preferably used. In addition, when a polymer material is used as a light emitting material described later, a laminate of calcium (Ca) or barium (Ba) and aluminum (Al) can be preferably used.
  • the first electrode or the second electrode may be an anode or a cathode.
  • the first electrode can be an anode and the second electrode can be a cathode.
  • the barrier layer 25 is a member that electrically connects the first electrode 22 and the second electrode 24 as described above, the barrier layer 25 only needs to have conductivity, and its material is particularly limited. Is not to be done. A material that can suppress diffusion of components between both electrodes, for example, oxygen, is preferable.
  • the barrier layer 25 is preferably made of a metal or alloy containing one or more elements selected from Cr, Mo, Ti, Ta, Pd, and Pt. Among them, a metal selected from Cr and Mo or an alloy of metals selected from Cr and Mo is more preferable from the viewpoint of cost and the like.
  • the metal alloy selected from Cr and Mo include NiMo and MoNb.
  • the barrier layer 25 only needs to electrically connect the first electrode 22 and the second electrode 24 in the contact region 12, and the size thereof is not particularly limited. It can be formed in a size allowed in the device. However, it is preferable that the distance between the two electrodes be secured so that the diffusion of the material between the first electrode 22 and the second electrode 24 can be sufficiently suppressed.
  • the thickness of the barrier layer 25 is 10 nm or more.
  • the upper limit value is not particularly limited, and can be selected according to the thickness of the light emitting unit 23 or the like.
  • the width of the contact region 12 is not particularly limited, and can be selected according to a supplied current value or the like. However, since the contact region 12 is a portion that electrically connects the first electrode 22 and the barrier layer 25 in one light emitting region, the width of the contact region should be 50 ⁇ m or more so that a sufficient current flows. Is preferable, and it is more preferable to set it as 200 micrometers or more.
  • the first electrode 22 in one light emitting region is a transparent electrode and the second electrode 24 in the other light emitting region is a metal electrode as described above, the second electrode in one light emitting region is generally used. 24, the resistance value of the first electrode 22 in one light emitting region is increased.
  • the width of the contact region 12 is preferably 500 ⁇ m or less, and more preferably 300 ⁇ m or less.
  • the width of the contact region 12 does not need to be constant in the organic LED element, and the width can be selected for each contact region 12. However, in order to make the brightness
  • the organic LED element of this embodiment can be formed on the translucent board
  • the light-transmitting substrate 21 is not particularly limited, but it is preferable to use a material having a high visible light transmittance.
  • a material having a high transmittance for visible light for example, a glass substrate or a plastic substrate can be preferably used.
  • inorganic glass such as alkali glass, non-alkali glass or quartz glass can be preferably used.
  • plastic substrate polyester, polycarbonate, polyether, polysulfone, polyethersulfone, polyvinyl alcohol, and fluorine-containing polymers such as polyvinylidene fluoride and polyvinyl fluoride can be preferably used.
  • the plastic substrate may have a barrier property.
  • the thickness of the translucent substrate 21 is preferably 0.1 mm to 2.0 mm in the case of glass. However, if the thickness is too thin, the strength decreases, so that the thickness is particularly preferably 0.5 mm to 1.0 mm.
  • the material of the lead wiring is not particularly limited, but can be made of the same material as that of the barrier layer 25, for example. In this case, it is preferable because a lead-out wiring can be formed together with the formation of the barrier layer 25.
  • the light emitting unit 23 is a layer having a light emitting function, and can be composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • the refractive index of the light emitting part 23 is preferably 1.7 to 1.8. A configuration example of each layer will be described below.
  • ⁇ Hole injection layer> It is preferable to use a hole injection layer having a small difference in ionization potential in order to lower the hole injection barrier from the anode. Improvement of the charge injection efficiency from the electrode interface in the hole injection layer lowers the drive voltage of the device and increases the charge injection efficiency.
  • PEDOT Polyethylene dioxythiophene
  • PSS polystyrene sulfonic acid
  • CuPc phthalocyanine-based copper phthalocyanine
  • the hole transport layer serves to transport holes injected from the hole injection layer to the light emitting layer. It preferably has an appropriate ionization potential and hole mobility.
  • the hole transport layer may be a triphenylamine derivative, N, N′-bis (1-naphthyl) -N, N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPD ), N, N′-diphenyl-N, N′-bis [N-phenyl-N- (2-naphthyl) -4′-aminobiphenyl-4-yl] -1,1′-biphenyl-4,4 ′ -Diamine (NPTE), 1,1-bis [(di-4-tolylamino) phenyl] cyclohexane (HTM2) and N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1 '-Diphenyl-4,4'-diamine (TPD) and the like can be preferably used.
  • NPD triphenylamine derivative
  • the thickness of the hole transport layer is preferably 10 nm to 1000 nm. The thinner the thickness is, the lower the voltage can be. However, the thickness is particularly preferably 50 nm to 500 nm because of a problem of short circuit between electrodes.
  • the light-emitting layer provides a field where injected electrons and holes are recombined, and it is preferable to use a material with high emission efficiency. More specifically, the light-emitting host material and the light-emitting dye doping material used for the light-emitting layer function as recombination centers for holes and electrons injected from the anode and the cathode.
  • doping of the luminescent dye into the host material in the luminescent layer obtains high luminous efficiency and converts the emission wavelength. It is preferable that they have an appropriate energy level for charge injection, are excellent in chemical stability and heat resistance, and form a homogeneous amorphous thin film. Moreover, it is preferable that the kind and color purity of luminescent color are excellent and the luminous efficiency is high.
  • Light emitting materials that are organic materials include low-molecular materials and high-molecular materials. Further, it is classified into a fluorescent material and a phosphorescent material according to the light emission mechanism.
  • the light emitting layer may be, for example, tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ), bis (8-hydroxy) quinaldine aluminum phenoxide (Alq ′ 2 OPh), or bis (8-hydroxy) quinaldine aluminum.
  • the electron transport layer serves to transport electrons injected from the electrode.
  • the electron transport layer is formed of a quinolinol aluminum complex (Alq 3 ), an oxadiazole derivative (for example, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole (BND) and 2 -(4-t-butylphenyl) -5- (4-biphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) etc.), triazole derivatives, bathophenanthroline derivatives, silole derivatives and the like can be used.
  • ⁇ Electron injection layer As the electron injection layer, one that increases the electron injection efficiency can be preferably used.
  • the electron injection layer can be configured, for example, by providing a layer doped with an alkali metal such as lithium (Li) or cesium (Cs) at the cathode interface.
  • the organic LED element of the present embodiment can be configured to be formed on the substrate 21 as described above, and the substrate 21 can be configured to further include a light extraction layer.
  • the light extraction layer can be provided on the substrate 21 and is preferably provided on a surface facing the first electrode 22.
  • the configuration of the light extraction layer is not particularly limited.
  • the light extraction layer can be configured by a scattering layer, a diffraction grating, or the like.
  • a scattering layer as the light extraction layer.
  • a configuration example of the scattering layer will be described below.
  • the scattering layer can be formed, for example, by forming glass powder on a substrate by a method such as coating and baking at a desired temperature.
  • a scattering layer can also be formed with resin.
  • the scattering layer may be configured to include a base material having a first refractive index and a plurality of scattering materials having a second refractive index different from the base material and dispersed in the base material. And it is preferable to set it as the structure which the distribution in the layer of the scattering material in a scattering layer became small toward the outermost surface from the inside of a scattering layer.
  • a material (base material) having a coated main surface and high light transmittance is used.
  • the base material for example, glass, crystallized glass, translucent resin, translucent ceramics can be used.
  • the glass material include inorganic glass such as soda lime glass, borosilicate glass, alkali-free glass, and quartz glass.
  • the translucent resin include polystyrene resin, polyester resin, cellulose resin, polyether resin, vinyl chloride resin, vinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl copolymer resin, polyacrylic resin, polymethacrylic resin, polyolefin Resins, urethane resins, silicone resins, imide resins and the like can be mentioned.
  • a plurality of scattering substances for example, bubbles, precipitated crystals, material particles different from the base material, and phase-separated glass
  • the particle refers to a small solid substance such as a filler or ceramic.
  • Air bubbles refer to air or gas objects.
  • phase-separated glass means the glass comprised by two or more types of glass phases.
  • the scattering material is a bubble
  • the diameter of the scattering material refers to the length of the gap.
  • the refractive index of the base material is preferably equal to or higher than the refractive index of the material of the first electrode. This is because when the refractive index of the base material is lower than the refractive index of the material of the first electrode, a loss due to total reflection occurs at the interface between the base material and the first electrode.
  • the refractive index of the base material may be higher than the refractive index of the material of the first electrode in at least a part of the emission spectrum range of the light emitting layer (for example, red, blue, green, etc.). Preferably over 650 nm), more preferably over the entire wavelength range of visible light (360 nm to 830 nm).
  • the main surface of the scattering layer (the surface facing the first electrode) is preferably smooth. For this reason, it is not preferable that the scattering material protrudes from the main surface of the scattering layer. In order that the scattering material does not protrude from the main surface of the scattering layer, it is preferable that the scattering material does not exist within 0.2 ⁇ m from the main surface of the scattering layer.
  • the arithmetic average roughness (Ra) defined in JIS B0601-1994 of the main surface of the scattering layer is preferably 30 nm or less, more preferably 10 nm or less, and particularly preferably 1 nm or less.
  • Both the scattering material and the base material may have a high refractive index, but the difference in refractive index ( ⁇ n) is preferably 0.2 or more in at least a part of the emission spectrum range of the light emitting layer. In order to obtain sufficient scattering characteristics, the difference in refractive index ( ⁇ n) is 0.2 or more over the entire emission spectrum range (430 nm to 650 nm) or the entire visible light wavelength range (360 nm to 830 nm). More preferred.
  • the base material has a high refractive index glass and the scattering material has a gaseous object, that is, a bubble.
  • a component of high refractive index glass as a network former, one or more components selected from P 2 O 5 , SiO 2 , B 2 O 3 , Ge 2 O, TeO 2 are used as a high refractive index component.
  • Specific glass systems include B 2 O 3 —ZnO—La 2 O 3 system, P 2 O 5 —B 2 O 3 —R ′ 2 O—R ′′ O—TiO 2 —Nb 2 O 5 —WO 3 —.
  • R ′ represents an alkali metal element
  • R ′′ represents an alkaline earth metal element.
  • the above is an example, and if it is the structure which satisfy
  • the color of light emission can be changed.
  • known ones such as transition metal oxides, rare earth metal oxides and metal colloids can be used alone or in combination.
  • a fluorescent material can be used as a scattering material or a base material. Therefore, the wavelength conversion can be performed by light emission from the organic layer, and the effect of changing the color can be brought about. In this case, it is possible to reduce the emission color of the organic LED element, and the emitted light is scattered and emitted, so that the angle dependency of the hue and the color change with time can be suppressed.
  • the organic LED element of this embodiment can be manufactured by the following processes, for example.
  • a method of manufacturing an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series, a first electrode forming step for forming a first electrode, a barrier layer forming step for forming a barrier layer, and a second electrode It is preferable to have the 2nd electrode formation process of forming. And at least from the start of the first electrode formation process to the end of the barrier layer formation process, or from the start of the barrier layer formation process to the end of the second electrode formation process, the C concentration Is preferably performed in an atmosphere of 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less.
  • each of the C concentrations is 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less in each atmosphere. More preferably, the process is performed.
  • an organic LED element a structure having a transparent electrode, an auxiliary wiring, and a metal electrode is known as an organic LED element.
  • an organic LED element After forming and patterning an ITO film as a transparent electrode, a laminated film for auxiliary wiring is formed on the entire surface, and after patterning, an organic film and a cathode that is a metal electrode are formed.
  • a manufacturing method for forming a film has been adopted (for example, Japanese Patent No. 3649238).
  • the auxiliary wiring and the metal electrode are generally not formed continuously, but once exposed to the atmosphere.
  • C carbon
  • the contact resistance at these interfaces increases, and heat is generated at and near the interface.
  • an organic EL display element such as the above-mentioned Japanese Patent No. 3649238, the amount of current supplied during actual use is small, and the current is supplied in a pulse form. The increase in contact resistance at the interface and heat generation at the interface were unlikely to be a problem.
  • the organic LED element of the present embodiment is one of the applications. Therefore, a large current is continuously supplied to the organic LED element. Therefore, the resistance between the first electrode and the second electrode, and further the contact resistance between the first electrode and the barrier layer or between the barrier layer and the second electrode can be reduced as compared with the organic EL display element. And is particularly important.
  • a barrier layer is provided between the first electrode and the second electrode. Then, in order to realize a state in which C (carbon) is low at the interface between the first electrode and the barrier layer or between the barrier layer and the second electrode, at least the first electrode formation step is started and then the barrier layer formation step is performed.
  • Each process is performed in an atmosphere with a C concentration of 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less until the process is completed or from the start of the barrier layer formation process to the completion of the second electrode formation process. It is preferable.
  • the C concentration is more preferably 5.0 ⁇ 10 18 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 16 atoms / m 3 or less.
  • the method for measuring the C concentration in the atmosphere is not particularly limited, either by a residual gas analyzer equipped with a mass spectrometer, or by a Fourier Transform Infrared Spectrometer (FTIR) for gas analysis. It can be measured.
  • FTIR Fourier Transform Infrared Spectrometer
  • a quadrupole mass spectrometer (Q-mass) is widely used as a mass spectrometer for analyzing residual gases in the atmosphere.
  • the mass spectrometer is an ionization unit that ionizes gas molecules by colliding electrons, and mass separation that separates the generated ions according to the mass-to-charge ratio of the generated ions by passing through the quadrupole electric field.
  • an analyzer including a detection unit for detecting separated ions.
  • a quadrupole electric field can be generated by applying a DC voltage and an AC voltage superimposed on four rod-shaped electrodes arranged in parallel so that the center axes of the quadrupoles are the apexes of a square.
  • FTIR is an analysis method that can determine the concentration of each gas by passing infrared light through a sample gas and measuring its absorbance.
  • the C concentration in the atmosphere can be measured in real time.
  • an organic LED element By manufacturing an organic LED element by such a manufacturing method, it is possible to reduce the C concentration in the interface region between the first electrode or the second electrode and the barrier layer, and to reduce the contact resistance. In addition, it is possible to suppress voltage increase due to change over time and energization. For this reason, it is applicable to an illumination use, for example, and the organic LED element which can perform high-intensity illumination by applying a high current especially can be produced.
  • the atmosphere may be controlled so that the C concentration is 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less. For this reason, you may change atmosphere according to the conditions at the time of forming a 1st electrode, a 2nd electrode, and a barrier layer.
  • productivity increases due to an increase in operations, and impurities may be mixed when the atmosphere is changed. Therefore, the barrier layer forming process is started after the first electrode forming process is started.
  • each step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is particularly preferable to carry out in a vacuum atmosphere.
  • the first electrode may have high resistance. Therefore, at least from the start of the first electrode formation process to the completion of the barrier layer formation process, or from the start of the barrier layer formation process to the completion of the second electrode formation process, in a vacuum atmosphere
  • a transparent electrode material capable of being deposited at room temperature can be employed in forming the first electrode.
  • the first electrode having appropriate resistance characteristics can be produced without causing problems such as crystallization of the material constituting the first electrode. It is.
  • heating is not required when forming the transparent electrode, a step of cooling the substrate before forming the organic film is not required, and production can be performed efficiently.
  • the barrier layer is preferably made of a metal or alloy containing one or more elements selected from Cr, Mo, Ti, Ta, Pd, and Pt.
  • a metal selected from Cr and Mo or an alloy of metals selected from Cr and Mo is more preferable from the viewpoint of cost and the like.
  • examples of the metal alloy selected from Cr and Mo include NiMo and MoNb.
  • the specific method for forming the first electrode, the second electrode, and the barrier layer is not particularly limited, and various manufacturing methods that can be performed in the above atmosphere can be employed.
  • a film forming method using a mask can be preferably used.
  • the first electrode is formed by sputtering, vapor deposition, CVD, or the like. It is preferable to form each of the first electrode, the second electrode, and the barrier layer.
  • the order of performing the second electrode forming step and the barrier layer forming step is not particularly limited, and can be arbitrarily selected depending on the structure of the organic LED element to be formed.
  • steps can be arbitrarily provided.
  • the light emitting portion forming step can be performed between the barrier layer forming step and the second electrode forming step.
  • the configuration of the light emitting unit is as described above.
  • the method for forming the light-emitting portion in the light-emitting portion forming step is not particularly limited.
  • a film-forming method using a mask can be preferably used. It is preferable to form by vapor deposition, CVD or the like.
  • a light extraction layer forming step can be provided.
  • the light extraction layer is not particularly limited.
  • a diffraction grating or a scattering layer can be provided. Since the light extraction layer forming step is performed before the first electrode forming step, the atmosphere is not particularly limited, and can be performed in any atmosphere.
  • the organic LED element manufacturing method of this embodiment was demonstrated, according to the manufacturing method which concerns, between the 1st electrode and barrier layer which comprise an organic LED element, or a barrier layer and a 2nd electrode, An increase in contact resistance between the two can be suppressed. For this reason, for example in the application which supplies a large current continuously like an illumination use, the heat_generation
  • the structure of the organic LED element of this embodiment is demonstrated.
  • the organic LED element of this embodiment is an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series.
  • the light emitting region includes the first electrode 22 and the second electrode 24, and the adjacent light emitting regions are the first electrode 22 in one light emitting region and the second electrode in the other light emitting region. 24 is connected through a barrier layer 25.
  • the O concentration in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is preferably 20 atomic% or less.
  • the oxygen may diffuse into the second electrode 24 and the resistance value may increase.
  • the O concentration in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is as low as 20 atomic% or less, an increase in the resistance value in the vicinity of the interface region is suppressed. can do.
  • the O (oxygen) concentration in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is more preferably 10 atomic% or less, further preferably 7 atomic% or less, and 5 atomic% or less. Is particularly preferred.
  • the organic LED element of this embodiment can have the same structure as the organic LED element demonstrated in 1st Embodiment, and since it can also be set as the same structure also about each member, the structure The description of each member is omitted. Further, since the interface region is the same as that described in the first embodiment, the description thereof is omitted. Also in the organic LED element of the present embodiment, the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 may include a compatible layer. Further, the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 may include a compatible layer.
  • the method for measuring the O concentration is not particularly limited, and can be measured by any method.
  • it can be measured by TEM (transmission electron microscope), XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), RBS (Rutherford backscattering analysis), ERDA (elastic recoil detection analysis) and the like.
  • a method for obtaining the O concentration by XPS for example, by repeating the etching of the sample by Ar + ion sputtering and the XPS measurement of the sample surface after the etching, a stacked layer composed of the first electrode / barrier layer / second electrode is obtained. Elemental analysis can be performed on the film in the depth direction.
  • a sample is etched by scanning Ar + ions accelerated to 2 kV within a 2 mm square region for 1 minute, and elemental analysis is performed on the sample surface after etching by XPS. By repeating this alternately, an element profile in the depth direction is obtained.
  • the second electrode 24 is Al
  • the main constituent element Al is initially detected on the second electrode 24 side, but the Al detection intensity gradually decreases near the interface 51 with the barrier layer 25. Then, the detection intensity of, for example, Mo, which is the main constituent element of the barrier layer 25, gradually increases.
  • the depth at which the detection intensity of Al, which is the main constituent element in the second electrode, decreases to 1 ⁇ 2 can be considered as the interface 51 between the second electrode and the barrier layer.
  • the depth ⁇ Z of 84% depth and 16% depth in the second electrode film is defined as depth resolution.
  • the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 has been described as an example.
  • the XPS is similarly used for the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 to obtain an O concentration. Can be calculated.
  • the O concentration is 5.0 ⁇ 10 24 from the start of the barrier layer forming process to the end of the second electrode forming process.
  • An atmosphere of atoms / m 3 or less is preferable.
  • the second electrode is formed after the barrier layer is formed, for example, after being placed in an atmosphere having an oxygen concentration of about 1.1 ⁇ 10 25 atoms / m 3 , the interface 51 between the second electrode and the barrier layer is formed. In the central region within 10 nm width, that is, the interface region 52, a portion having a higher O (oxygen) concentration than other portions is detected.
  • the O (oxygen) concentration of the interface region 52 is measured by XPS, for example, the O (oxygen) concentration can be observed as 25 atomic%.
  • the O (oxygen) concentration in the interface region measured as described above is preferably 20 atomic% or less. The same applies to the measurement using TEM and EDX described later.
  • a thin sample including a cross section of the laminated film is prepared and TEM observation is performed to directly observe each layer and each interface at the atomic level. it can.
  • elemental analysis can also be performed by EDX (energy dispersive X-ray spectroscopy).
  • the observation / analysis region is limited to the size of the thin sample, but it is an effective method for observing / analyzing the layer interface with high resolution. In this case, not only the O concentration but also the C concentration can be measured for the interface region. For this reason, when measuring and evaluating about the organic LED element in 1st Embodiment, it can implement similarly.
  • the O (oxygen) concentration in the interface region 52 is set to TEM and EDX.
  • the O (oxygen) concentration is observed to be 25 atomic%.
  • the barrier layer 25 and the second electrode 24 are formed.
  • a case where a compatible layer 53 is formed between the two will be described as an example.
  • both the constituent elements of the barrier layer 25 and the second electrode 24 are detected in the compatible layer 53.
  • O for example, O concentration of 25 atomic%
  • the barrier layer 25 and, in some cases, the second electrode 24 of the second electrode 24 are further formed on a part or the whole of the compatible layer 53.
  • a higher concentration of O for example, an O concentration of 25 atomic%) than other portions together with the constituent elements can be detected by elemental analysis.
  • the thickness of the compatible layer 53 is usually about 10 to 20 nm. Further, in the case of the organic LED element of the present embodiment, even when the compatible layer 53 is observed at the interface between the barrier layer 25 and the first electrode 22 or the second electrode 24, As described above, the O (oxygen) concentration in the interface region is preferably 20 atomic% or less.
  • the organic LED element of the present embodiment can be manufactured, for example, by the following manufacturing method.
  • the O concentration Is preferably performed in an atmosphere of 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less.
  • each O concentration is 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less in an atmosphere. More preferably, the process is performed.
  • the O concentration in the atmosphere is more preferably 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 19 atoms / m 3 or less.
  • the method for measuring the O concentration in the atmosphere is not particularly limited, and is measured with a residual gas analyzer equipped with a mass spectrometer or a Fourier Transform Infrared Spectrometer (FTIR) for gas analysis. it can.
  • FTIR Fourier Transform Infrared Spectrometer
  • the atmosphere may be controlled so that the O concentration is 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less. For this reason, you may change atmosphere according to the conditions at the time of forming a 1st electrode, a 2nd electrode, and a barrier layer.
  • productivity increases due to an increase in operations, and impurities may be mixed when the atmosphere is changed. Therefore, the barrier layer forming process is started after the first electrode forming process is started.
  • each step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is particularly preferable to carry out in a vacuum atmosphere.
  • the configuration of the first electrode, the barrier layer, and the second electrode, and the specific manufacturing method thereof, are the same as the manufacturing method of the organic LED element of the first embodiment except for the O concentration in the atmosphere. The description is omitted here.
  • the order of performing the second electrode forming step and the barrier layer forming step is not particularly limited, as in the case of the method of manufacturing the organic LED element of the first embodiment. However, it can be arbitrarily selected according to the structure of the organic LED element to be formed.
  • a light emitting portion forming step in addition to the first electrode forming step, the barrier layer forming step, and the second electrode forming step, a light emitting portion forming step, a light extraction layer forming step, etc.
  • Various steps can be arbitrarily provided.
  • the concentration of O (oxygen) contained in the interface region between the first electrode and the barrier layer or the interface region between the barrier layer and the second electrode is set. Can be reduced. For this reason, in particular, it becomes possible to suppress an increase in contact resistance between the barrier layer and the second electrode due to oxygen diffusing into the second electrode formed of, for example, a metal electrode.
  • the method for manufacturing the organic LED element of the present embodiment further includes at least a period between the start of the first electrode formation process and the completion of the barrier layer formation process, or after the start of the barrier layer formation process.
  • each step is preferably performed in an atmosphere having a C concentration of 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less.
  • the C concentration is more preferably 5.0 ⁇ 10 18 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 16 atoms / m 3 or less.
  • both the O (oxygen) and C (carbon) concentrations contained in the interface region between the first electrode and the barrier layer and the interface region between the barrier layer and the second electrode can be reduced.
  • the resistance raise between a barrier layer and a 2nd electrode can be suppressed more effectively.
  • the atmosphere at this time is also from the start of the first electrode formation process to the end of the barrier layer formation process, or from the start of the barrier layer formation process to the end of the second electrode formation process.
  • the atmosphere is particularly limited as long as the C concentration in the atmosphere is 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less and the O concentration in the atmosphere is 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less.
  • the atmosphere can be set according to the conditions for forming the first electrode, the second electrode, and the barrier layer.
  • productivity due to an increase in operations, and impurities may be mixed when the atmosphere is changed. Therefore, the barrier layer forming process is started after the first electrode forming process is started.
  • each step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is particularly preferable to carry out in a vacuum atmosphere.
  • the organic LED element of this embodiment is an organic LED element in which a plurality of light emitting regions are connected in series.
  • the light emitting region includes the first electrode 22 and the second electrode 24, and the adjacent light emitting regions are the first electrode 22 in one light emitting region and the second electrode in the other light emitting region. 24 is connected through a barrier layer 25.
  • the H concentration in the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 or in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is 5 atomic% or less.
  • the H (hydrogen) concentration in the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 or in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is mainly caused by moisture present in these interface regions. Is. For this reason, when a certain amount or more of H (hydrogen) is detected in these interface regions, it means that moisture exists in the interface regions. In this case, the electrical connection reliability between the first electrode 22 and the barrier layer 25 and between the barrier layer 25 and the second electrode 24 may be lowered by the action of moisture, which is not preferable. For this reason, it is preferable that the H concentration in the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 or in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is 5 atomic% or less. In particular, it is more preferably 3 atomic% or less.
  • the H concentration in the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 and in the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 is 5 atomic% or less. Is more preferable. In particular, it is more preferably 3 atomic% or less.
  • the organic LED element of this embodiment can have the same structure as the organic LED element demonstrated in 1st Embodiment and 2nd Embodiment, and also shall set it as the same structure also about each member. Therefore, description of the structure and each member is omitted. Further, since the interface region is the same as that described in the first embodiment, the description thereof is omitted. Also in the organic LED element of the present embodiment, the interface region between the first electrode 22 and the barrier layer 25 may include a compatible layer. Further, the interface region between the second electrode 24 and the barrier layer 25 may include a compatible layer.
  • the depth direction distribution of the H concentration contained in the film can be measured by the ERDA method (elastic recoil detection analysis method). This is because He + ions are incident on the sample, H atoms (recoil H particles) ejected forward by elastic scattering are detected, and the H concentration distribution in the depth direction is changed by changing the energy of the incident He + ions. It is a method that can be obtained. This is a method that uses He + having a small atomic radius and makes use of He + and elastic scattering of atoms in the sample, and does not involve sample destruction (non-destructive analysis) and is a quantitative analysis method.
  • the interface between the second electrode and the barrier layer is the center.
  • a profile is obtained in which other portions, that is, locations where the H concentration is higher than in the second electrode or the barrier layer, are obtained.
  • the H concentration in the interface region is observed to be 10 atomic%.
  • the H (hydrogen) concentration in the interface region measured as described above is preferably 5 atomic% or less, and more preferably 3 atomic% or less. As described above.
  • the organic LED element of the present embodiment can be manufactured, for example, by the following manufacturing method.
  • the H concentration Is preferably performed in an atmosphere of 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less.
  • each H concentration is 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less in an atmosphere. More preferably, the process is performed.
  • the H concentration in the atmosphere is more preferably 2.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 20 atoms / m 3 or less.
  • the method for measuring the H concentration in the atmosphere is not particularly limited, and can be measured by any method. It can be measured with a residual gas analyzer equipped with a mass spectrometer or a Fourier transform infrared spectrophotometer (FTIR) for gas analysis.
  • FTIR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • the atmosphere may be controlled so that the H concentration is 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less. For this reason, you may change atmosphere according to the conditions at the time of forming a 1st electrode, a 2nd electrode, and a barrier layer.
  • productivity increases due to an increase in operations, and impurities may be mixed when the atmosphere is changed. Therefore, the barrier layer forming process is started after the first electrode forming process is started.
  • each step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is particularly preferable to carry out in a vacuum atmosphere.
  • the configuration of the first electrode, the barrier layer, and the second electrode and the specific manufacturing method thereof are the same as those of the organic LED element manufacturing method of the first embodiment except for the H concentration in the atmosphere. Therefore, the description is omitted here.
  • the order of performing the second electrode forming step and the barrier layer forming step is not particularly limited, as in the case of the method of manufacturing the organic LED element of the first embodiment. However, it can be arbitrarily selected according to the structure of the organic LED element to be formed.
  • a light emitting portion forming step in addition to the first electrode forming step, the barrier layer forming step, and the second electrode forming step, a light emitting portion forming step, a light extraction layer forming step, etc.
  • Various steps can be arbitrarily provided.
  • the hydrogen concentration contained in the interface region between the first electrode and the barrier layer or the interface region between the barrier layer and the second electrode can be reduced. .
  • the moisture concentration in each interface region can be reduced, and the electrical connection reliability between the first electrode and the barrier layer or between the barrier layer and the second electrode can be ensured. It becomes possible.
  • the method for manufacturing the organic LED element of the present embodiment further includes at least a period between the start of the first electrode formation process and the completion of the barrier layer formation process, or after the start of the barrier layer formation process.
  • each step may be performed in an atmosphere having a C concentration of 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less.
  • the C concentration is more preferably 5.0 ⁇ 10 18 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 16 atoms / m 3 or less.
  • both the H (hydrogen) and C (carbon) concentrations contained in the interface region between the first electrode and the barrier layer and the interface region between the barrier layer and the second electrode can be lowered. For this reason, for example, an increase in resistance can be suppressed while ensuring electrical connection reliability between the barrier layer and the first and second electrodes.
  • the O concentration Is preferably performed in an atmosphere of 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less.
  • the O concentration is more preferably 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less, and further preferably 3.0 ⁇ 10 19 atoms / m 3 or less.
  • the atmosphere at this time is also from the start of the first electrode formation process to the end of the barrier layer formation process, or from the start of the barrier layer formation process to the end of the second electrode formation process.
  • the C concentration in the atmosphere is 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less
  • the O concentration in the atmosphere is 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m 3 or less
  • the H concentration in the atmosphere is Is not particularly limited as long as the atmosphere is 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less
  • the atmosphere is in accordance with the conditions for forming the first electrode, the second electrode, and the barrier layer. Can do.
  • each step is preferably performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. It is particularly preferable to carry out in a vacuum atmosphere.
  • a sample including a portion in which a transparent electrode (first electrode), a barrier layer, and a metal electrode (second electrode) were stacked on a glass substrate was prepared.
  • the sample changes the impurity concentration between each layer by changing the storage state of the sample after the transparent electrode is formed and before the barrier layer is formed, and after the barrier layer is formed and before the metal electrode is formed.
  • the obtained sample was subjected to contact resistance and measurement of interface impurity concentration by a method using XPS, and the relationship between the interface impurity concentration and contact resistance was confirmed from the obtained evaluation results.
  • sample structure The structure of the manufactured sample will be described with reference to FIGS.
  • FIG. 6A shows a top view of the formed sample, that is, a view seen from a direction perpendicular to the surface on which the transparent electrode or the like of the glass substrate is arranged
  • FIG. 6B is a view of FIG. A cross-sectional view along line B is shown.
  • a transparent electrode 62 was formed on a clean glass substrate 61 as shown in FIG.
  • the transparent electrode 62 was formed in a linear pattern, and the width W62 of the linear pattern was 2.0 mm.
  • the transparent electrode 62 was formed into a linear pattern that is long in the X-axis direction shown in the figure, and was formed in two places on the glass substrate 61 with the same shape.
  • the transparent electrode 62 was formed by a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, model: SLC-38S), and the thickness of each sample was 450 nm.
  • a barrier layer 63 was formed in a square corner pattern with a side length W63 of 1.5 mm in a region where a metal electrode 64 described later is laminated on the transparent electrode 62. Note that the barrier layer 63 is covered with a metal electrode 64 described later and is not visible from the upper surface side of the sample, and thus is indicated by a dotted line in FIG. As shown in FIG. 6A, the barrier layer 63 is formed in each of two regions on the transparent electrode 62 where a metal electrode 64 described later is laminated. That is, two places are formed.
  • the barrier layer 63 was formed using a vacuum deposition apparatus (model: Try-ELVES020G manufactured by Tokki Co., Ltd.), and the thickness of each sample in which the barrier layer 63 was formed was 50 nm.
  • sample no. 1-1-2 to sample no. For 1-4-2 the barrier layer 63 is not formed, and the metal electrode 64 described later is formed in direct contact with the transparent electrode 62.
  • a metal electrode 64 was formed so as to cover the barrier layer 63.
  • the metal electrode 64 was formed in a linear pattern as shown in FIG. 6A, and the width W64 of the linear pattern was 2.0 mm.
  • the metal electrode 64 has a linear pattern that is long in the Y-axis direction shown in the figure, and is formed so as to connect the two transparent electrodes 62.
  • the metal electrode 64 was formed using a vacuum deposition apparatus (model: Try-ELVES020G manufactured by Tokki Co., Ltd.), and the thickness of each sample was 80 nm.
  • the transparent electrode 62, the barrier layer 63, and the metal electrode 64 described above are all formed using a mask so as to have the shape shown in FIG. Note that the cross section taken along line B in FIG. 1-1-1 to sample no.
  • 1-4-1 has a structure in which three layers of a transparent electrode 62, a barrier layer 63, and a metal electrode 64 are laminated on a glass substrate 61.
  • the metal electrode 64 is directly laminated on the transparent electrode 62.
  • Sample preparation conditions Specific conditions for sample preparation are shown below. First, in any sample, ITO is used as the material of the transparent electrode 62, Cr is used as the material of the barrier layer 63, and Al is used as the material of the metal electrode 64, so that the contacts shown in FIGS. A resistance measurement sample was prepared.
  • Sample No. 1-1-1 to sample no. As shown in Table 1-4, pure water ultrasonic cleaning and oxygen plasma treatment were performed after forming the ITO film as the transparent electrode 62 and before forming the Cr film as the barrier layer 63 as shown in Table 1.
  • Pure water ultrasonic cleaning was performed for 10 minutes by immersing the sample in pure water and using an ultrasonic cleaning apparatus (manufactured by Kaijo Electric Co., Ltd .: AUTO PURSER 1200 / 28F).
  • the oxygen plasma treatment was performed for 7 minutes in an oxygen atmosphere using an oxygen plasma treatment apparatus (manufactured by Sanyu Electronics Co., Ltd .: QUICK COATER SC-706).
  • each sample was subjected to sample No. 1 in various states as shown in Table 1. 1-1-1 ⁇ No. Each sample of 1-4-1 was produced.
  • Sample No. In 1-1-1 after the barrier layer 63 is formed, the metal electrode 64 is continuously formed using the same vacuum evaporation apparatus. For this reason, the sample is held in a vacuum atmosphere of 10 ⁇ 4 Pa or less from the start of film formation of the barrier layer 63 to the end of film formation of the metal electrode 64. That is, sample No. In 1-1-1, the C concentration is 5.0 ⁇ 10 21 atoms / m 3 or less and the O concentration is 5.0 ⁇ 10 24 atoms / m from the start of film formation of the barrier layer 63 to the end of film formation of the metal electrode 64. m 3 or less, H concentration is maintained under an atmosphere of 5.0 ⁇ 10 22 atoms / m 3 or less.
  • Sample No. In 1-2-1 after forming the barrier layer 63, the film was left in a normal room, that is, in an air atmosphere for one day, and then the metal electrode 64 was formed using a vacuum evaporation apparatus.
  • Sample No. 1-3-1 no. For 1-4-1, after forming the barrier layer 63, it was left in a clean room, that is, in a clean atmosphere for one day, and then under the same conditions as the pure water ultrasonic cleaning performed after the transparent electrode 62 was formed. Pure water ultrasonic cleaning was performed. And sample no. 1-3-1 remains the same as sample no. In 1-4-1, the oxygen plasma treatment was performed under the same conditions as the oxygen plasma treatment performed after the transparent electrode 62 was formed, and then the metal electrode 64 was formed using a vacuum deposition apparatus.
  • Sample No. 1-1-2 to sample no. 1-4-2 has the same structure as the sample shown in FIG. 6A except that the Cr film as the barrier layer 63 is not provided and the metal electrode 64 is formed directly on the transparent electrode 62.
  • a sample was made. That is, sample No. 1-1-2 to sample no.
  • For 1-4-2 after forming the ITO film as the transparent electrode 62, first, as shown in Table 2, pure water ultrasonic cleaning and oxygen plasma treatment were performed. For pure water ultrasonic cleaning and oxygen plasma treatment, sample no. 1-1-1 to sample no. It carried out like the case of 1-4-1.
  • sample No. For 1-1-2 the metal electrode 64 was formed immediately after the pure water ultrasonic cleaning and the oxygen plasma treatment.
  • the metal electrode 64 was formed using a vacuum deposition apparatus after being left in a normal room, that is, in an atmospheric atmosphere for one day.
  • Sample No. 1-3-2 no. As for 1-4-2, after the ultrasonic cleaning with pure water and the oxygen plasma treatment were finished, it was left in a clean room, that is, in a clean air atmosphere for one day, and then the pure water ultra-cleaning performed after the formation of the transparent electrode 62 was performed. Pure water ultrasonic cleaning was performed under the same conditions as the ultrasonic cleaning. And sample no. 1-3-2 is the same as sample No. In 1-4-2, the oxygen plasma treatment was performed under the same conditions as the oxygen plasma treatment performed after the transparent electrode 62 was formed, and then the metal electrode 64 was formed using a vacuum evaporation apparatus.
  • the resistance at the time of conducting the metal electrode 64 in the interlayer direction can be calculated.
  • the contact resistance was measured immediately after the sample was prepared, and then each sample was stored in a constant temperature bath at 105 ° C. in an air atmosphere, and the contact resistance was measured and calculated every predetermined time. .
  • the contact resistance may change depending on the applied voltage, so when measuring, measure between 0.5V and 2V every 0.5V. The average value was taken as the contact resistance.
  • (2) Calculation method of power consumption increase rate First, as a premise, an element having a light emitting region of 80 mm ⁇ and driven by a current of 0.275 [A] and a voltage of 7 [V] is used as a source element. And the increase rate of the power consumption compared with the original element of the element (henceforth "divided element") which divided the light emission area
  • the light-emitting area is divided into three light-emitting areas along one side, a contact region is arranged between the light-emitting areas, and the light-emitting areas are connected in series. Assumed configuration. At this time, in order to obtain the same luminance as that of the original element with respect to the divided light emitting region 1 section, it is necessary to drive with a current of 0.275 / 3 [A] and the resistance is (7 / 0.275) ⁇ 3 [ ⁇ . ], The voltage is 7 [V].
  • the current is 0.275 / 3 [A] as in the light emitting region
  • the voltage is a value corresponding to the measured and calculated contact resistance.
  • the size of the contact region was assumed to be 0.5 ⁇ 80 mm 2 .
  • sample no. 1-3-1 Sample No.
  • the change with time of the contact resistance of 1-3-2 is shown.
  • the contact resistance shown here is an average value between 0.5 to 2 V applied voltage as described above.
  • the elapsed time on the horizontal axis shown in FIG. 7 indicates the time from the start of storage in a 105 ° C. constant temperature bath.
  • FIG. 1-3-1 represents a sample No. without the barrier layer 63. Compared with 1-3-2, it can be confirmed that the value of the contact resistance is low at any time.
  • Sample No. with no barrier layer 63 is used.
  • oxygen in the ITO film, which is the transparent electrode 62 diffuses into the Al film, which is the metal electrode 64, to form Al 2 O 3 that is a nonconductor at the interface. It is thought to be higher.
  • sample no. 1-3-1 indicates that the increase in contact resistance is small because the formation of Al 2 O 3 is prevented by the barrier layer 63. From the above, the effect of suppressing the increase in contact resistance due to the barrier layer 63 was confirmed.
  • Table 3 shows the measured values of contact resistance of each sample after storage for 120 hours in a constant temperature bath at 105 ° C.
  • the contact resistance shown here is also an average value between applied voltages of 0.5 to 2V.
  • Table 3 also shows the O concentration at the interface between the barrier layer 63 and the metal electrode 64 detected by XPS according to the above-described method for analyzing the O concentration.
  • FIG. 1-1-1 to sample no.
  • the relationship between the power consumption increase rate of 1-4-1 and the interface O concentration between the barrier layer and the metal electrode is shown.
  • the increase in power consumption is preferably as small as possible, and is preferably suppressed to 0.3% or less, for example.
  • the interface O concentration between the barrier layer and the metal electrode is preferably about 20 atomic% or less.
  • the power consumption increase rate is more preferably suppressed to 0.2% or less.
  • the interface O concentration between the barrier layer and the metal electrode is It can be confirmed that the content is preferably 15 atomic% or less.
  • a glass substrate PD200 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd. having a 100 mm square size was used.
  • the scattering layer which consists of glass on the glass substrate was produced in the following procedures.
  • the glass obtained had a glass transition temperature of 462 ° C., a thermal expansion coefficient of 78 ⁇ 10 ⁇ 7 (1 / ° C.) (average value of 50 ° C. to 300 ° C.), and a refractive index nd of d-line (587.56 nm) of 1 .912.
  • the prepared flakes were pulverized with a planetary mill made of zirconia for 2 hours and then sieved to prepare a glass powder having an average particle diameter of 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the average particle size means the particle size at an integrated value of 50% in the particle size distribution obtained by the laser diffraction / scattering method.
  • the component ratio at this time is 38% by weight of the organic vehicle, 62% by weight of the total solid content of the glass powder and zirconia powder, and 7% by volume of the zirconia powder in the solid content.
  • the used zirconia powder has a powder diameter of 200 nm to 500 nm and a refractive index of 2.22 at a wavelength of 550 nm.
  • the glass paste produced by the above-described procedure was printed on the entire surface of the glass substrate on which the organic LED elements were to be formed with a uniform thickness so that the film thickness after firing was 15 ⁇ m on the glass substrate.
  • the glass paste printed on the glass substrate was dried at 150 ° C. for 30 minutes, then returned to room temperature, heated to 450 ° C. in 45 minutes, and held at 450 ° C. for 30 minutes.
  • the temperature was further increased to 560 ° C. in 11 minutes, held at 560 ° C. for 30 minutes, and then cooled to room temperature in 3 hours to form a scattering layer made of glass on the glass substrate.
  • an ITO film as a transparent electrode was formed into a mask using a DC magnetron sputtering apparatus (manufactured by Shimadzu Corporation, model: SLC-38S).
  • a DC magnetron sputtering apparatus manufactured by Shimadzu Corporation, model: SLC-38S.
  • FIG. 9A on the surface of the glass substrate 91 on which the scattering layer is formed, there are three transparent electrodes 921 in a strip shape (rectangular shape) corresponding to each light emitting region, and on the right end in the drawing.
  • a transparent electrode 922 serving as an anode electrode was formed. Both the transparent electrodes 921 and 922 were formed so as to have a film thickness of 150 nm.
  • FIG. 9A and FIGS. 9B to 9D described later each show a view as seen from a direction perpendicular to the surface of the glass substrate on which the organic LED element is formed.
  • the surface of the transparent electrodes 921 and 922 was cleaned by irradiating oxygen plasma.
  • Ultrasonic cleaning using pure water was carried out for 10 minutes by immersing the sample in pure water and using an ultrasonic cleaning device (model: AUTO PURSER 1200 / 28F manufactured by KAIJI ELECTRIC CO., LTD.).
  • the oxygen plasma treatment was performed for 7 minutes in an oxygen atmosphere using an oxygen plasma treatment apparatus (manufactured by Sanyu Electronics Co., Ltd .: QUICK COATER SC-706).
  • the barrier layer 93 was formed using a mask so as to have a linear shape shown in FIG. In FIG. 9B, the transparent electrodes 921 and 922 are not shown for easy understanding of the shape of the barrier layer 93.
  • Metal electrodes (second electrodes) 951 and 952 shown were continuously formed in a vacuum.
  • the organic layer 94 and the metal electrode 951 were formed using a mask so as to have a strip shape (rectangular shape) corresponding to each light emitting region.
  • a metal electrode 952 serving as a cathode electrode was also formed at the left end in the drawing using a mask.
  • FIG. 9C the description of the organic layer 94 other than the glass substrate and the organic layer 94 is omitted for easy understanding of the shape of the organic layer 94.
  • FIG. 9D in order to make the shapes of the metal electrodes 951 and 952 easy to understand, the description other than the glass substrate and the metal electrodes 951 and 952 is omitted.
  • the organic layer 94 includes a hole injecting layer of CuPc (copper phthalocyanine) and a hole transporting layer of ⁇ -NPD (N, N′-diphenyl-N, N′-bis (l-naphthyl) -l. , L′ biphenyl-4,4′′diamin) and an Alq 3 (tris 8-hydroxyquinoline aluminum) layer which is a light emitting layer.
  • the CuPc layer was formed to a thickness of 20 nm
  • the ⁇ -NPD layer was formed to a thickness of 100 nm
  • the Alq 3 layer was formed to a thickness of 60 nm.
  • the metal electrodes 951 and 952 are laminated electrodes in which Al is deposited on a LiF thin film deposited film that is an electron injection layer.
  • the LiF film has a thickness of 0.5 nm
  • the Al film has a thickness of 80 nm. Filmed.
  • FIG. 10A represents the figure seen from the direction perpendicular
  • FIG. 10B shows a cross-sectional view taken along the line DD ′ indicated by a broken line in FIG.
  • a transparent electrode 921 is laminated on a glass substrate 91 via a scattering layer 97, a barrier layer 93 and an organic layer 94 are laminated on the transparent electrode 921, and further, the barrier layer 93
  • a metal electrode 951 is disposed on the organic layer 94.
  • a region where the transparent electrode 921 and the metal electrode 951 face each other is a light emitting region 96 and a region between the light emitting regions 96 is a non-light emitting region 98 as shown in the figure.
  • a region where the transparent electrode 921, the barrier layer 93, and the metal electrode 951 are stacked becomes the contact region 99.
  • the interlayer in the contact region 99 of the organic LED element produced by the above procedure is firstly purified water ultrasonic cleaning and oxygen plasma treatment between the ITO film as the transparent electrode 921 and the Cr film as the barrier layer 93. Has been done.
  • the film is continuously formed in the vacuum evaporation apparatus from the start of film formation of the barrier layer 93 to the end of film formation of the metal electrode 951.
  • the contact resistance in the contact region 99 of this example is the same as that of sample No. 1-1-1 performed in Reference Example 1, and the increase in power consumption is expected to be low.
  • the metal electrode 521 includes a LiF film which is an electron injection layer.
  • the LiF film has a very thin film thickness of 0.5 nm and has a fine opening. Therefore, the contact resistance is hardly affected.
  • FIG. 11 shows a photograph of a state in which a voltage is applied to an organic LED element actually produced to emit light.
  • the organic LED element shown in FIG. 11 has a structure in which three light emitting regions are arranged side by side and a non-light emitting region is arranged between the light emitting regions. Are arranged in a square region having a length of 80 mm.
  • the sample No. of Reference Example 1 was used except that GZO was used as the transparent electrode.
  • a sample having the structure shown in FIG. 6 was prepared and evaluated in the same manner as 1-1-1.
  • the evaluation result of the produced sample is sample No. It is shown in Table 5 to be described later as 2-1.
  • Table 5 shows the contact resistance measured after storing the prepared sample at a constant temperature of 105 ° C. in the air atmosphere and 120 hours after the start of storage. Table 5 shows the sample No. in Reference Example 1 for comparison. The results of 1-1-1 are also shown. The contact resistance is measured in the same manner as described in Reference Example 1.
  • the contact resistance when GZO is used is 0.3 ⁇ / mm 2 . It was confirmed that the case of 1-1-1 was lower than that in the case of using an ITO film as the transparent electrode. Further, it was confirmed that the power consumption increase rate calculated by the same method as in Reference Example 1 from the measured contact resistance value was 0.03% and sufficiently small.
  • Example 2 In this example, a scattering layer is not formed on the glass substrate, and a GZO film is used as the transparent electrodes 921 and 922 instead of the ITO film, and the thickness of the GZO film is 450 nm.
  • the organic LED element was produced in the same procedure.
  • FIG. 12 shows a photograph of a state in which a voltage is applied to the produced organic LED element to emit light.
  • the organic LED element shown in FIG. 12 has a structure in which three light emitting regions are arranged side by side and a non-light emitting region is arranged between the light emitting regions, as in the case of Example 1.
  • the region is arranged in a square region having a side 121 of 80 mm in length.
  • the film was continuously formed in the vacuum evaporation apparatus from the start of the formation of the barrier layer 93 to the end of the formation of the metal electrode 951, and the Cr film as the barrier layer 93; Continuous film formation in vacuum is performed between the Al film as the metal electrode 951. Therefore, at least in the interface region between the Cr film as the barrier layer 93 and the Al film as the metal electrode 951, the C concentration is 10 atomic% or less, the O concentration is 20 atomic% or less, and the H concentration is 5 atomic% or less. It has become.

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Abstract

【解決手段】複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、　前記発光領域が、　第１の電極と、　第２の電極と、を備えており、　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域、または、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＣ濃度が１０原子％以下である有機ＬＥＤ素子を提供する。

Description

有機ＬＥＤ素子、有機ＬＥＤ素子の製造方法
　本発明は、有機ＬＥＤ素子、有機ＬＥＤ素子の製造方法に関する。
　近年、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）、有機ＬＥＤ素子、無機ＥＬ素子など、新規発光デバイスの研究、開発が進められている。中でも、有機ＬＥＤ素子（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）は次世代の発光素子の一つとして着目されている。これは、有機層を電極間に挟んだ構造を有しており、発光のメカニズムとしては、まず、電極間に電圧を印加することによって、それぞれの電極から正孔、電子を注入し、次いでこれらが有機層内で結合し、有機層内の発光材料を励起状態にする。その後、発光材料が励起状態から基底状態に至る過程で発生する光を取り出すものである。具体的な用途としては、ディスプレイやバックライト、照明などが挙げられる。
　有機ＬＥＤ素子の構造として、例えば特許文献１には、基板上に複数の孤立パターンとして形成された画素を形成する第一電極ラインの主要部２ａ、第一電極の孤立パターン群部分に開口部を有する絶縁層３、各孤立パターンの発光部を含む所定の部分に形成された発光媒体４、発光媒体上から隣の孤立パターンと接続するように形成された第二電極主要部５ａ、を有し、画素部が複数の有機エレクトロルミネッセンス単素子から構成され、それらが直列に接続された有機エレクトロルミネッセンス素子が開示されている。
日本国特開２０００－０２９４０４号公報
　しかしながら、上述のような直列に接続した構造を有する有機ＬＥＤ素子においては透明電極である第一電極を構成する複合酸化物と、金属電極である第二電極と、が直接接触した構造となっている。このため、両電極間に電流を印加すると、透明電極を構成する複合酸化物中の酸素は金属電極側に拡散して金属電極の抵抗値が上昇するという問題があった。また、透明電極と、金属電極との界面部分に炭素等の不純物が混入すると、係る不純物等も電極間の抵抗値を上昇させる原因となっていた。
　このように透明電極と金属電極との界面部分において抵抗値が上昇した状態で、電流を流した場合、界面部分が発熱するため金属電極の酸化が更に進行し、場合によっては発熱によって該界面部分が焼き切れ、素子が破損する場合があった。例えば照明用途など、大きな電流の継続的に流す用途においては、酸素の拡散と発熱量の増大がより進行し易くなり特に問題であった。
　本発明は上記従来技術が有する問題に鑑み、有機ＬＥＤ素子を構成する２つの電極の界面近傍における抵抗の上昇を抑制した有機ＬＥＤ素子を提供することを目的とする。
　本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
　前記発光領域が、
　第１の電極と、
　第２の電極と、を備えており、
　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域、または、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＣ濃度が１０原子％以下である有機ＬＥＤ素子が提供される。
　また、本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
　前記発光領域が、
　第１の電極と、
　第２の電極と、を備えており、
　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
　前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＯ濃度が２０原子％以下である有機ＬＥＤ素子が提供される。
　また、本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
　前記発光領域が、
　第１の電極と、
　第２の電極と、を備えており、
　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域、または、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＨ濃度が５原子％以下である有機ＬＥＤ素子が提供される。
　ここで、本発明の有機ＬＥＤ素子においては、前記第１の電極と前記バリア層との界面領域が相溶層を含んでいてもよい。
　本発明の有機ＬＥＤ素子においては、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域が相溶層を含んでいてもよい。
　本発明の有機ＬＥＤ素子においては、前記バリア層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成されていてもよい。
　本発明の有機ＬＥＤ素子においては、前記有機ＬＥＤ素子は基板上に形成されており、
　前記基板は光取出し層を備えていてもよい。
　また、本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。
　また、本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。
　また、本発明では、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。
　本発明の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、前記バリア層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成されていてもよい。
　本発明の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、前記有機ＬＥＤ素子は基板上に形成されており、前記基板は光取出し層を備えていてもよい。
　本発明は、有機ＬＥＤ素子を構成する２つの電極間の界面近傍における抵抗の上昇を抑制した有機ＬＥＤ素子を提供する。
本発明の第１の実施形態における有機ＬＥＤ素子の上面図。 図１のＡ－Ａ´線における断面図。 透明電極－金属電極間のコンタクト抵抗の経時変化測定用の装置の構成説明図。 透明電極－金属電極間のコンタクト抵抗の経時変化の測定結果。 界面領域の説明図。 参考例１におけるコンタクト抵抗測定用サンプルの構成説明図。 参考例１のサンプルＮｏ．１－３－１及びサンプルＮｏ．１－３－２のコンタクト抵抗の測定結果。 参考例１における消費電力増加率と、界面Ｏ濃度との関係説明図。 実施例１において作製した有機ＬＥＤ素子を構成する各層のパターン説明図。 実施例１において作製した有機ＬＥＤ素子の発光領域及び積層構造の説明図。 実施例１において作製した有機ＬＥＤ素子の発光時の状態写真。 実施例２において作製した有機ＬＥＤ素子の発光時の状態写真。
［第１の実施形態］
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の構成例について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子である。そして、発光領域が、第１の電極と、第２の電極と、を備え、隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されている。第１の電極とバリア層との界面領域、または、第２の電極とバリア層との界面領域におけるＣ（炭素）濃度が１０原子％以下となっている。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の構造について図１、図２を用いて説明する。図１は有機ＬＥＤ素子の上面図を、図２は、図１におけるＡ－Ａ´線での断面図をそれぞれ模式的に示したものである。なお、図２においては図１において１０段直列に接続された発光領域のうち２段分を拡大して示している。
　図１に示したように、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、複数の発光領域１１（１１Ａ、１１Ｂ等）を有しており、これらの発光領域１１はコンタクト領域１２を介して直列に接続されている。このため、引出し配線１３部分から電流を供給することにより、他方の引出し配線１４に向かって各発光領域１１に順次電流が流れ、各発光領域１１を発光させることができる。
　本実施形態における有機ＬＥＤ素子の具体的な構造例について図２を用いて説明する。図２に示すように、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、例えば基板２１上に形成できる。そして、発光領域１１Ａ、１１Ｂにおいては第１の電極２２、発光部２３、第２の電極２４が積層された構造を有しており、コンタクト領域１２において、発光領域１１Ａの第２の電極２４と、隣接する発光領域１１Ｂの第１の電極２２とが、バリア層２５を介して接続されている。このため、引出し配線１３から供給された電流は上述のように、まず、引き出し配線を設けた領域に隣接する発光領域１１Ａの第１の電極２２、発光部２３、第２の電極２４の順に流れる。そして、コンタクト領域１２においてバリア層２５を介して、隣接する発光領域１１Ｂの第１の電極２２に流れ、順次隣接した発光領域に電流が供給される。なお、図１においては、１０段の発光領域１１を設けた例を示しているが、発光領域の段数は１０段に限定されるものではなく、有機ＬＥＤ素子の面積や、流す電流量等に応じて任意に選択できる。また、発光領域の面積は有機ＬＥＤ素子内で一定である必要はないが、各発光領域を均一な明るさとするため、その発光面積も均一であることが好ましい。
　このように有機ＬＥＤ素子の発光部分を複数の発光領域１１に分割し、これを直列に接続することにより、１つの発光領域１１を発光させるために必要な電流を供給するのみで、全ての発光領域を発光させることができ、必要となる電流量を低減することが可能になる。このため、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は例えば高電流を必要とする照明用途に好ましく適用可能である。特に輝度が２０００ｃｄ／ｍ２以上の有機ＬＥＤ素子に好ましく適用できる。また、発光領域の面積が広い有機ＬＥＤ素子の場合においても高電流を必要とすることから、発光領域の面積が５０ｃｍ２以上の有機ＬＥＤ素子に好ましく適用でき、発光領域の面積が１００ｃｍ２以上の有機ＬＥＤ素子により好ましく適用可能である。
　そして、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、上述のように隣接する発光領域１１間の第１の電極２２と、第２の電極２４とを、バリア層２５を介して接続している。
　バリア層２５及びその周辺の構造は特に限定されるものではなく、一方の発光領域の第１の電極２２と他方の発光領域の第２の電極２４とがバリア層２５を介して接続されるように構成されていれば良い。例えば、図２（Ａ）に示すように、コンタクト領域１２において、発光領域１１Ｂの第１の電極２２上にバリア層２５と、発光領域１１Ａの第２の電極２４と、を積層するように構成できる。また、図２（Ｂ）に示すように、コンタクト領域１２に発光領域１１Ａの第２の電極２４を配置せず、発光領域１１Ｂの第１の電極２２上にバリア層２５を配置し、バリア層２５を発光領域１１Ａに延伸して発光領域１１Ａの第２の電極２４と接続するように構成可能である。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子のコンタクト領域において、電流はバリア層中をガラス基板の厚み方向に流れるため、バリア層の抵抗は特に限定されるものではない。バリア層のシート抵抗は例えば１Ω／□以下とすることが好ましく、０．５Ω／□以下とすることがより好ましく、０．３Ω／□以下とすることが特に好ましい。
　バリア層の構成についても特に限定されるものではないが、例えば金属膜単層で形成できる。
　上述のように、特許文献１に記載された発明においては、透明電極である第一電極を構成する複合酸化物と、金属電極である第二電極と、が直接接触しており、両電極間に電流を印加すると、透明電極を構成する複合酸化物中の酸素が金属電極側に拡散していた。この点について説明する。
　図３に示すように、透明電極３１となるＩＴＯからなる層上に、金属電極３２としてＡｌからなる層を形成し、これに電源３３を接続して経時変化を観察した。
　図４（Ａ）に示すように、まず、図３に示した試料を作製直後に印加電圧に対する抵抗（以下、「コンタクト抵抗」ともいう）の変化を測定した。ここでＩＴＯと金属電極のコンタクト面積は２００μｍ□（４００００μｍ２）であった。図４（Ａ）の試料作製直後サンプル１、２は共に、低いコンタクト抵抗を示していることが分かる。しかし、係る試料を大気中、１０５℃に加熱した環境下に５００時間保存後同様にして印加電圧に対する抵抗変化を測定したところ、図４（Ａ）に５００時間保存後サンプル１、２として示すようにコンタクト抵抗が上昇していることが確認できる。
　また、試料作製直後の試料に大気中、常温で３００ｍＡの電流を継続して通電したところ、図４（Ｂ）に示すようにコンタクト抵抗が徐々に上昇することが確認された。
　以上の実験により、従来の有機ＬＥＤ素子のように、透明電極と金属電極とが直接接触した構成を有する場合、時間経過とともにコンタクト抵抗が上昇することが確認できた。これは上述のように透明電極内の酸素が金属電極側に拡散して、両電極の界面近傍において金属電極の抵抗が高くなったことに起因すると考えられる。
　これに対して、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、一方の発光領域の第１の電極２２と、他方の発光領域の第２の電極２４との間にバリア層２５を設けている。このため、一方の発光領域の第１の電極２２、他方の発光領域の第２の電極２４のいずれか一方を透明電極とし、他方を金属電極とした場合であっても、金属電極側に酸素が拡散することを抑制できるので、両電極の界面近傍における抵抗値上昇を抑制することが可能になる。
　そして、一方の発光領域の第１の電極２２と、他方の発光領域の第２の電極２４との間にバリア層２５を設けた場合であっても、一方の発光領域の第１の電極２２とバリア層２５との界面領域、または、他方の発光領域の第２の電極２４とバリア層２５との界面領域における不純物濃度が高いと、不純物の影響によりコンタクト抵抗が高くなる場合がある。ここで、不純物の一例として炭素があげられる。このようにコンタクト抵抗が高くなると、バリア層２５と、第１の電極２２または第２の電極２４と、の界面領域で発熱するため、その程度によってはバリア層２５と、一方の発光領域の第１の電極２２または他方の発光領域の第２の電極２４との界面部分が破損する恐れがある。
　このため、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、バリア層２５と一方の発光領域の第１の電極２２との界面領域、または、バリア層２５と他方の発光領域の第２の電極２４との界面領域におけるＣ（炭素）濃度が１０原子％以下となっていることが好ましい。バリア層２５と、第１の電極２２または第２の電極２４との界面領域のＣ濃度を上記範囲とすることにより、バリア層２５と、第１の電極２２および第２の電極２４との間でのコンタクト抵抗の上昇を抑制し、有機ＬＥＤ素子の破損を抑制可能である。特に、バリア層２５と一方の発光領域の第１の電極２２との界面領域、および、バリア層２５と他方の発光領域の第２の電極２４との界面領域におけるＣ（炭素）濃度が上記範囲であることがより好ましい。この場合、より確実に界面領域でのコンタクト抵抗の上昇を抑制し、有機ＬＥＤ素子の破損を抑制できる。
　バリア層２５と第１の電極２２との界面領域、または、バリア層２５と第２の電極２４との界面領域におけるＣ濃度は５原子％以下であることがより好ましい。特に、バリア層２５と第１の電極２２との界面領域、および、バリア層２５と第２の電極２４との界面領域におけるＣ濃度は５原子％以下であることがより好ましい。
　ここで界面領域について説明する。ここでは、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域を例に説明する。
　図５（Ａ）に示すように、例えば第２の電極２４とバリア層２５との界面５１を、ＴＥＭ等により識別できる場合、該界面５１を、第２の電極２４とバリア層２５との界面とする。そして、界面５１を中心とした幅１０ｎｍの範囲、すなわち、図５（Ａ）中矢印Ｘで示した範囲を界面領域５２とする。
　また、図５（Ｂ）に示すように、第２の電極２４とバリア層２５との間で、２層の界面周辺で２層の構成元素が混在した状態、すなわち相溶層５３を形成し、その界面が明らかではない場合、相溶層５３の（第２の電極２４とバリア層２５の積層方向でみた場合の）中央部５３１を第２の電極２４とバリア層２５との間の界面とする。そして、界面（中央部５３１）を中心とした幅１０ｎｍの範囲、すなわち、図５（Ｂ）中矢印Ｘで示した範囲を界面領域５２とする。
　上記説明では、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域を例に説明したが、第１の電極２２と、バリア層２５との界面領域についても同様にして規定できる。なお、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域に関しても相溶層を含む構成であってもよい。
　界面領域５２のＣ濃度の測定方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により測定可能である。例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱分析法）、ＥＲＤＡ（弾性反跳検出分析法）等により実施できる。
　なお、ＴＥＭ以外の分析法を用いる場合には、予めＴＥＭにより観察し、界面５１の位置を規定してもよい。
　また、例えば、第１の電極または第２の電極を構成する元素、および、バリア層に含まれる元素の分布から、第１の電極または第２の電極と、バリア層と、場合によっては相溶層と、の位置を特定できる。このため、ＴＥＭ以外の分析方法を用いた場合でも、ＴＥＭにより予め界面５１の位置を特定せずに、これらの元素の分布から界面および界面領域を特定することも可能である。
　上述のように、本実施形態においては第１の電極または第２の電極と、バリア層との間に、２層の境界である界面が明確に現れる場合と、２層の界面周辺で相溶層を形成して境界が明確には現れない場合と、が想定される。
　２層の境界が明確に現れる場合は、界面領域について各層の構成元素の他に検出されるＣ濃度等を検出する。なお、２層の境界が明確に現れる場合であっても、ブロードな界面として検出される場合は、相溶層の場合と同様にして界面を決定できる。具体的には、ブロードな界面の積層方向の中央部を、界面領域を規定する際の界面とすることができる。また、２層の境界が相溶層となる場合は、界面領域について、両方の層の構成元素の他に検出されるＣ濃度等を検出する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の各部材について以下に説明する。
＜第１の電極＞
　第１の電極２２は、透明電極（透光性電極）により構成することが好ましい。この場合、発光部２３で発生した光を外部に取り出すために、８０％以上の透光性を有していることが好ましい。また、多くの正孔を注入するため、仕事関数が高いものであることが好ましい。直列接続する場合には、同一発光面積で直列接続しない場合と比べて、電流量が少なくて済むため、抵抗が高くても良い。具体的には１００Ω／□以下で良く、望ましくは５０Ω／□以下で良く、更に望ましくは３０Ω／□以下で良い。
　具体的には例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＺｎＯ－Ａｌ２Ｏ３：アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３：ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＮｂドープＴｉＯ２、ＴａドープＴｉＯ２などの複合酸化物材料を好ましく利用できる。ＩＴＯを用いる場合でも従来よりも高抵抗で良いので、膜厚を薄くし、透過率を上げることが可能となる。具体的にＩＴＯの膜厚は例えば１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下とすることができ、望ましくは３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下とすることができ、更に望ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。
　第１の電極２２の厚さは特に限定されるものではないが、１００ｎｍ以上であることが好ましい。なお、第１の電極２２の屈折率は、１．９～２．２であることが好ましい。ここで、ＩＴＯの場合、キャリア濃度を増加させると、ＩＴＯの屈折率を低減できる。一般的に、市販されているＩＴＯはＳｎＯ２が１０ｗｔ％含まれているものが標準となっているが、Ｓｎ濃度を増やすことで、ＩＴＯの屈折率を低減できる。但し、Ｓｎ濃度増加により、キャリア濃度は増加するが、移動度及び透過率の低下がある為、これらのバランスをとって、Ｓｎ量を決めることが好ましい。
＜第２の電極＞
　第２の電極２４は、仕事関数の小さな金属またはその合金を好ましく利用できる。第２の電極２４の材料としては例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属および周期表第１３族の金属などが挙げられる。このうち、安価で化学的安定性の良い材料であることから、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）またはこれらの合金などをより好ましく利用できる。また、Ａｌ、ＭｇＡｇの共蒸着膜、ＬｉＦまたはＬｉ２Ｏの薄膜蒸着膜の上にＡｌを蒸着した積層電極等を特に好ましく利用できる。また、後述する発光材料として高分子系材料を用いている場合には、カルシウム（Ｃａ）またはバリウム（Ｂａ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層等を好ましく利用できる。
　なお、第１の電極、第２の電極はどちらが陽極、陰極であっても良いが、例えば、第１の電極を陽極、第２の電極を陰極とすることができる。
＜バリア層＞
　バリア層２５は上述のように、第１の電極２２と第２の電極２４とを電気的に接続している部材であることから、導電性を有していればよく、その材料は特に限定されるものではない。両電極間の成分、例えば酸素の拡散を抑制できる材料であることが好ましい。このような材料として例えば、バリア層２５はＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成することが好ましい。中でもコスト等の観点からＣｒ、Ｍｏから選択される金属または、Ｃｒ、Ｍｏから選択される金属の合金であることがより好ましい。ここで、Ｃｒ、Ｍｏから選択される金属の合金としては例えば、ＮｉＭｏ、ＭｏＮｂ等が挙げられる。
　バリア層２５は上述のように、コンタクト領域１２において、第１の電極２２と第２の電極２４とを電気的に接続していればよく、そのサイズは特に限定されるものではなく、有機ＬＥＤ素子中において許容されるサイズで形成できる。ただし、第１の電極２２と第２の電極２４との間での材料の拡散を十分抑制できるように、両電極間の距離を確保するように構成することが好ましい。例えば、図２（Ａ）に示すように、第１の電極２２上に、バリア層２５、第２の電極２４を積層した構造を有する場合、バリア層２５の膜厚は１０ｎｍ以上とすることが好ましい。この場合、上限値は特に限定されるものではなく、発光部２３の厚さ等に応じて選択できる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、コンタクト領域１２の幅は特に限定されるものではなく、供給される電流値等により選択できる。ただし、コンタクト領域１２は一方の発光領域の第１の電極２２とバリア層２５とを電気的に接続する部分であるため、十分な電流が流れるようにコンタクト領域の幅は、５０μｍ以上とすることが好ましく、２００μｍ以上とすることがより好ましい。また、上述のように一方の発光領域の第１の電極２２が透明電極であり、他方の発光領域の第２の電極２４が金属電極の場合、一般的に一方の発光領域の第２の電極２４に対して一方の発光領域の第１の電極２２の抵抗値が大きくなる。このため、コンタクト領域１２の幅を広くしても実際に電流が流れる領域はコンタクト領域の一部のみとなる。また、コンタクト領域１２においては発光部２３が設けられていないため、コンタクト領域を広くすると、発光領域間が離れて見えるため外観上好ましくない。このため、コンタクト領域１２の幅は５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。
　なお、コンタクト領域１２の幅は有機ＬＥＤ素子内において一定である必要はなく、コンタクト領域１２ごとにその幅を選択できる。ただし、有機ＬＥＤ素子内において各発光領域１１の輝度を一定とするため、その幅は有機ＬＥＤ素子内で一定であることが好ましい。また、コンタクト領域１２の幅を広くする場合には、後述する散乱層を第１の電極と基板との間に設け、コンタクト領域１２が目立たないように、すなわち、発光領域１１間が離れて見えないよう、発光領域からの光を散乱させることが好ましい。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、上記部材以外に以下の各部材を備えることができる。
＜基板＞
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は図２（Ａ）、（Ｂ）に示したように、透光性の基板２１上に形成できる。透光性の基板２１としては、特に限定されるものではないが、可視光に対する透過率が高い材料を用いることが好ましい。可視光に対する透過率の高い材料としては、例えばガラス基板やプラスチック基板を好ましく利用できる。
　ガラス基板の材料としては、アルカリガラス、無アルカリガラスまたは石英ガラスなどの無機ガラスを好ましく利用できる。また、プラスチック基板の材料としては、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリビニルアルコールならびにポリフッ化ビニリデンおよびポリフッ化ビニルなどのフッ素含有ポリマーなどを好ましく利用できる。なお、基板を水分が透過するのを防止するために、プラスチック基板にバリア性をもたせる構成としても良い。透光性の基板２１の厚さは、ガラスの場合０．１ｍｍ～２．０ｍｍとすることが好ましい。但し、あまり薄いと強度が低下するので、０．５ｍｍ～１．０ｍｍであることが特に好ましい。
＜引出し配線＞
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、有機ＬＥＤ素子に対して電流を供給するための引き出し配線１３、１４を配設できる。引出し配線の材料については特に限定されるものではないが、例えばバリア層２５と同じ材料により構成できる。この場合、バリア層２５を形成する際にあわせて引き出し配線を形成できるため好ましい。
＜発光部＞
　発光部２３は、発光機能を有する層であり、例えば正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とにより構成できる。発光部２３の屈折率は、１．７～１．８とすることが好ましい。以下に各層の構成例について説明する。
＜正孔注入層＞
　正孔注入層は、陽極からの正孔注入障壁を低くするために、イオン化ポテンシャルの差が小さいものを用いることが好ましい。正孔注入層における電極界面からの電荷の注入効率の向上は、素子の駆動電圧を下げるとともに、電荷の注入効率を高める。高分子では、ポリスチレンスルフォン酸（ＰＳＳ）がドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、低分子ではフタロシアニン系の銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を好ましく利用できる。
＜正孔輸送層＞
　正孔輸送層は、正孔注入層から注入された正孔を発光層に輸送する役割をする。適切なイオン化ポテンシャルと正孔移動度を有することが好ましい。正孔輸送層は、具体的には、トリフェニルアミン誘導体、Ｎ，Ｎ’－ビス（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［Ｎ－フェニル－Ｎ－（２－ナフチル）－４’－アミノビフェニル－４－イル］－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＴＥ）、１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＨＴＭ２）およびＮ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミン（ＴＰＤ）などを好ましく利用できる。正孔輸送層の厚さは、１０ｎｍ～１０００ｎｍが好ましい。厚さは薄ければ薄いほど低電圧化できるが、電極間短絡の問題から５０ｎｍ～５００ｎｍであることが特に好ましい。
＜発光層＞
　発光層は、注入された電子と正孔が再結合する場を提供するものであり、発光効率の高い材料を用いることが好ましい。詳細に説明すると、発光層に用いられる発光ホスト材料および発光色素のドーピング材料は、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子の再結合中心として機能する。また、発光層におけるホスト材料への発光色素のドーピングは、高い発光効率を得ると共に、発光波長を変換させる。これらは電荷注入のための適切なエネルギーレベルを有すること、化学的安定性や耐熱性に優れ、均質なアモルファス薄膜を形成することが好ましい。また、発光色の種類や色純度が優れており、発光効率が高いことが好ましい。有機材料である発光材料には、低分子系と高分子系の材料がある。さらに、発光機構によって、蛍光材料、りん光材料に分類される。発光層は、具体的には例えば、トリス（８－キノリノラート）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、ビス（８－ヒドロキシ）キナルジンアルミニウムフェノキサイド（Ａｌｑ′２ＯＰｈ）、ビス（８－ヒドロキシ）キナルジンアルミニウム－２，５－ジメチルフェノキサイド（ＢＡｌｑ）、モノ（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナート）リチウム錯体（Ｌｉｑ）、モノ（８－キノリノラート）ナトリウム錯体（Ｎａｑ）、モノ（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナート）リチウム錯体、モノ（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナート）ナトリウム錯体およびビス（８－キノリノラート）カルシウム錯体（Ｃａｑ２）などのキノリン誘導体の金属錯体、テトラフェニルブタジエン、フェニルキナクドリン（ＱＤ）、アントラセン、ペリレン並びにコロネンなどの蛍光性物質が挙げられる。ホスト材料としては、キノリノラート錯体が好ましく、特に、８－キノリノールおよびその誘導体を配位子としたアルミニウム錯体が好ましい。
＜電子輸送層＞
　電子輸送層は、電極から注入された電子を輸送するという役割をする。電子輸送層は、具体的には、キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ３）、オキサジアゾール誘導体（例えば、２，５－ビス（１－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＢＮＤ）および２－（４－ｔ－ブチルフェニル）－５－（４－ビフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（ＰＢＤ）など）、トリアゾール誘導体、バソフェナントロリン誘導体、シロール誘導体などを利用できる。
＜電子注入層＞
　電子注入層は、電子の注入効率を高めるものを好ましく利用できる。電子注入層は、例えば、陰極界面にリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属をドープした層を設けることにより構成できる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、上述のように基板２１上に形成された構成とすることができ、基板２１にはさらに光取出し層を備えた構成とすることができる。このように光取り出し層を設けることにより、有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めることが可能となる。光取り出し層は基板２１に設けることができ、第１の電極２２と対向する面に設けることが好ましい。
　光取出し層の構成としては特に限定されるものではなく、例えば散乱層や、回折格子等により構成することができる。特に光取り出し層として散乱層を設けることが好ましい。散乱層の構成例について以下に説明する。
＜散乱層＞
　散乱層は例えば、塗布などの方法で基板上にガラス粉末を形成し、所望の温度で焼成することで形成することができる。また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は後述のように、加熱することなく形成することが可能であることから、樹脂により散乱層を形成することもできる。
　具体的な構成例について以下に説明する。
　散乱層は、第１の屈折率を有するベース材と、ベース材中に分散された、ベース材と異なる第２の屈折率を有する複数の散乱物質とを具備した構成とすることができる。そして、散乱層内部から最表面にむかって、散乱層中の散乱物質の層内分布が、小さくなった構成とすることが好ましい。係る構成とすることにより、優れた散乱特性を有しつつも表面の平滑性を維持することができ、発光デバイスなどの光出射面側に用いることで極めて高効率の光取り出しを実現することができる。
　散乱層としては例えば、コーティングされた主表面を有する光透過率の高い材料（ベース材）が用いられる。ベース材としては例えば、ガラス、結晶化ガラス、透光性樹脂、透光性セラミックスを用いることができる。ガラスの材料としては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどの無機ガラスが挙げられる。また、透光性樹脂としては例えば、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース樹脂、ポリエーテル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、塩ビ－酸ビ共重合体樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリメタアクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、イミド樹脂等が挙げられる。なお、ベース材の内部には、複数の散乱性物質（例えば、気泡、析出結晶、ベース材とは異なる材料粒子、分相ガラスがある。）が形成されている。ここで、粒子とは固体の小さな物質をいい、例えば、フィラーやセラミックスがある。また、気泡とは、空気若しくはガスの物体をいう。また、分相ガラスとは、２種類以上のガラス相により構成されるガラスをいう。なお、散乱物質が気泡の場合、散乱物質の径とは空隙の長さをいう。
　光取り出し効率の向上を実現するためには、ベース材の屈折率は、第１の電極の材料の屈折率と同等若しくは高いことが好ましい。これは、ベース材の屈折率が第１の電極の材料の屈折率よりも低い場合、ベース材と第１の電極との界面において、全反射による損失が生じてしまうためである。ベース材の屈折率は、少なくとも発光層の発光スペクトル範囲における一部分（例えば、赤、青、緑など）において第１の電極の材料の屈折率を上回っていれば良いが、発光スペクトル範囲全域（４３０ｎｍ～６５０ｎｍ）に亘って上回っていることが好ましく、可視光の波長範囲全域（３６０ｎｍ～８３０ｎｍ）に亘って上回っていることがより好ましい。
　また、有機ＬＥＤ素子の電極間の短絡を防ぐ為に散乱層主表面（第１の電極と対向する面）は平滑であることが好ましい。このため、散乱層の主表面から散乱物質が突出していることは好ましくない。散乱物質が散乱層の主表面から突出しないためにも、散乱物質が散乱層の主表面から０．２μｍ以内に存在していないことが好ましい。特に、散乱層の主表面のＪＩＳ　Ｂ０６０１－１９９４に規定される算術平均粗さ（Ｒａ）は３０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましく、１ｎｍ以下が特に望ましい。散乱物質とベース材の屈折率はいずれも高くても構わないが、屈折率の差（Δｎ）は、少なくとも発光層の発光スペクトル範囲における一部分において０．２以上であることが好ましい。十分な散乱特性を得るために、屈折率の差（Δｎ）は、発光スペクトル範囲全域（４３０ｎｍ～６５０ｎｍ）若しくは可視光の波長範囲全域（３６０ｎｍ～８３０ｎｍ）に亘って０．２以上であることがより好ましい。
　最大の屈折率差を得るためには例えば、ベース材としては高屈折率ガラス、散乱物質としては気体の物体すなわち気泡という構成とすることが望ましい。高屈折率ガラスの成分として、ネットワークフォーマとしてはＰ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｇｅ２Ｏ、ＴｅＯ２から選ばれる一種類または二種類以上の成分を、高屈折率成分として、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３から選ばれる一種類または二種類以上の成分を含有する高屈折率ガラスを使用することが好ましい。その他に、ガラスの特性を調整する意味で、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物、フッ化物などを屈折率に対して要求される物性を損なわない範囲で使用しても良い。具体的なガラス系としてはＢ２Ｏ３－ＺｎＯ－Ｌａ２Ｏ３系、Ｐ２Ｏ５－Ｂ２Ｏ３－Ｒ’２Ｏ－Ｒ”Ｏ－ＴｉＯ２－Ｎｂ２Ｏ５－ＷＯ３－Ｂｉ２Ｏ３系、ＴｅＯ２－ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３－Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２－ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３－ＺｎＯ系、Ｐ２Ｏ５－ＺｎＯ系、などが挙げられる。ここで、Ｒ’はアルカリ金属元素、Ｒ”はアルカリ土類金属元素を示す。なお、以上は例であり、上記の条件を満たすような構成であれば、この例に限定されるものではない。
　ベース材に特定の透過率スペクトルを持たせることにより、発光の色味を変化させることもできる。着色剤としては、遷移金属酸化物、希土類金属酸化物、金属コロイドなどの公知のものを、単独であるいは組み合わせて使うことができる。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、散乱物質またはベース材に蛍光性物質を使用することができる。そのため、有機層からの発光により、波長変換を行い、色味を変化させる効果をもたらすことができる。この場合には、有機ＬＥＤ素子の発光色を減らすことが可能であり、かつ発光光は散乱されて出射するので、色味の角度依存性や色味の経時変化を抑制することができる。
　次に、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法の例について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は例えば以下の工程により製造することができる。
　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、バリア層を形成するバリア層形成工程と、第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有することが好ましい。そして、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。
　特に、第１の電極形成工程を開始してから、バリア層形成工程および第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことがより好ましい。
　従来、有機ＬＥＤ素子として透明電極、補助配線、金属電極を有する構造が知られている。このような有機ＬＥＤ素子を製造する際、透明電極としてのＩＴＯ膜を成膜、パターニングした後、補助配線用の積層膜を全面に成膜し、パターニング後、有機膜及び金属電極である陰極を成膜し形成する製造方法が採られていた（例えば特許第３６４９２３８号公報）。
　従来の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、例えば、補助配線と金属電極の形成は連続成膜されておらず、一度大気暴露されているのが一般的であった。このように複数の電極、配線を積層する過程で、大気等のＣ（炭素）を所定量以上含む雰囲気中に暴露されると、電極同士の界面や、電極と配線の界面にＣが付着することとなる。このように電極同士の界面や、電極と配線の界面にＣが付着すると、これらの界面におけるコンタクト抵抗が上昇し、該界面及びその近傍で発熱を生じることとなる。例えば上記特許第３６４９２３８号公報のような有機ＥＬ表示素子の用途においては実際の使用時の電流の供給量は少なく、電流をパルス状に供給することから、電極同士の界面、電極と配線との界面におけるコンタクト抵抗の上昇、界面部分における発熱は問題となりにくかった。
　これに対して、特に本実施形態の有機ＬＥＤ素子がその用途の一つとする照明用途においては、有機ＬＥＤ素子に連続的に大電流が連続的に供給されている。このため、第１の電極と第２の電極との間の抵抗、さらには、第１の電極とバリア層またはバリア層と第２の電極のコンタクト抵抗を下げることが、有機ＥＬ表示素子と比較して特に重要となる。
　そこで、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、まず、第１の電極と第２の電極の間にバリア層を設けている。そして、第１の電極とバリア層またはバリア層と第２の電極の界面にＣ（炭素）が少ない状態を実現するため、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。また、特にＣ濃度は５．０×１０１８原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０１６原子／ｍ３以下であることが更に好ましい。
　雰囲気中のＣ濃度の測定方法についても特に限定されるものではなく、質量分析計を備えた残留ガス分析計、あるいはガス分析用フーリエ変換赤外分光光度計(Fourier Transform Infrared spectrometry:FTIR)等により測定できる。
　雰囲気中の残留ガス分析を行うための質量分析計としては、四重極型質量分析計(Quadrupole mass spectrometer : Q-mass)が広く用いられている。同質量分析計は、電子を衝突させることでガス分子をイオン化するイオン化部と、生成されたイオンを四重極電場中を通過させることで、生成イオンの質量電荷比に応じて分離する質量分離部、分離したイオンを検出する検出部を備えた分析計である。四重極電場は、互いの中心軸が正方形の頂点になるよう平行に設置された４本のロッド状電極に、直流電圧と交流電圧を重畳して印加することで発生させることができる。
　ＦＴＩＲは、サンプルガスに赤外光を通しその吸光度を測定することで、各ガス濃度を求めることができる分析法である。
　有機ＬＥＤ素子の製造装置より雰囲気ガスの一部を取り込み、上記の質量分析計を備えた残留ガス分析計、あるいは、ガス分析用フーリエ変換赤外分光光度計で測定することで、各層形成工程における雰囲気中のＣ濃度をリアルタイムに計測することができる。
　係る製造方法により有機ＬＥＤ素子を製造することにより、第１の電極または第２の電極とバリア層との界面領域におけるＣ濃度を低減し、コンタクト抵抗を下げることが可能になる。また、経時変化や通電による電圧上昇も抑制することができる。このため、例えば照明用途に適用可能であり、特に高電流を印加することによる高輝度照明が可能な有機ＬＥＤ素子を作製できる。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、上記第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、上記バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下となるように雰囲気が制御されていればよい。このため、第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する際の条件に応じて雰囲気を変更してもよい。ただし、雰囲気の変更を行う場合、操作が増えるため生産性が低下すること、雰囲気を変更する際に不純物が混入する恐れもあることから、第１の電極形成工程開始後から、バリア層形成工程及び第２の電極形成工程を終えるまでの間は同じ雰囲気とすることが好ましい。具体的には例えば、真空雰囲気や、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気において各工程を行うことが好ましい。特に真空雰囲気下で行うことが好ましい。
　さらに、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は直列構造のため、第１の電極は抵抗が高めでもよい。このため、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまで、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、真空雰囲気下で行う場合、第１の電極形成にあたって、室温蒸着可能な透明電極材料を採用できる。このように真空雰囲気下で高温プロセスを通らないことによって、第１の電極を構成する材料が結晶化する等の不具合が発生することもなく、適切な抵抗特性を有する第１の電極を生産可能である。また透明電極成膜時に加熱が不要となるため、有機膜を形成する前に基板を冷却する工程も不要であり、効率よく生産できる。
　第１の電極、第２の電極、バリア層の各構成については、既に説明したとおりである。特に上述のようにバリア層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成されていることが好ましい。中でもコスト等の観点からＣｒ、Ｍｏから選択される金属または、Ｃｒ、Ｍｏから選択される金属の合金であることがより好ましい。ここで、Ｃｒ、Ｍｏから選択される金属の合金としては例えば、ＮｉＭｏ、ＭｏＮｂ等が挙げられる。
　第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する具体的な方法は特に限定されるものではなく、上記雰囲気下で実施することが可能な各種製造方法を採用することができる。例えば、マスクを使った成膜方法を好ましく用いることができる。具体的には例えば、第１の電極、第２の電極、バリア層の形状に応じた所定の形状（開口部）を有するマスクを配置した後、スパッタ法や、蒸着法、ＣＶＤ法等により第１の電極、第２の電極、バリア層をそれぞれ形成することが好ましい。
　なお、第２の電極形成工程、バリア層形成工程を実施する順番は特に限定されるものではなく、形成する有機ＬＥＤ素子の構造に応じて任意に選択することができる。例えば、図２（Ａ）に示した有機ＬＥＤ素子の場合、第１の電極形成工程を行った後に、バリア層形成工程を、次いで、第２の電極形成工程を行うことが好ましい。また、図２（Ｂ）に示した有機ＬＥＤ素子の場合、第１の電極形成工程を行った後に、第２の電極形成工程を、次いでバリア層形成工程を行うことが好ましい。
　上記第１の電極形成工程、バリア層形成工程、第２の電極形成工程以外にも任意に工程を設けることができる。
　例えば、バリア層形成工程と、第２の電極形成工程との間に発光部形成工程を実施することができる。発光部の構成については、上述の通りである。発光部形成工程における発光部の形成方法は特に限定されるものではないが、例えば第１の電極等の場合と同様に、マスクを使った成膜方法を好ましく用いることができ、スパッタ法や、蒸着法、ＣＶＤ法等により形成することが好ましい。
　また、上述のように、有機ＬＥＤ素子が基板上に形成されており、基板は光取出し層を備えている場合、光取出し層形成工程を設けることができる。この場合、光取出し層としては特に限定されるものではないが、例えば回折格子や、散乱層を設けることができる。光取出し層形成工程は第１の電極形成工程前に行うことから、雰囲気については特に限定されるものではなく任意の雰囲気下において実施することができる。
　以上、本実施形態の有機ＬＥＤ素子製造方法について説明してきたが、係る製造方法によれば、有機ＬＥＤ素子を構成する第１の電極とバリア層の間、または、バリア層と第２の電極との間のコンタクト抵抗の上昇を抑制することができる。このため、例えば照明用途のように大電流を連続的に供給する用途においても各電極とバリア層との間の発熱を抑制し、有機ＬＥＤ素子が破損することを防止することができる。
［第２の実施形態］
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の構成について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子である。そして、発光領域が、第１の電極２２と、第２の電極２４と、を備え、隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極２２と、他方の発光領域の第２の電極２４とがバリア層２５を介して接続されている。そして、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＯ濃度が２０原子％以下であることが好ましい。
　第２の電極２４とバリア層２５との界面領域に酸素が一定量以上存在している場合、該酸素が第２の電極２４へと拡散し、抵抗値が上昇する場合がある。これに対して、本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＯ濃度が２０原子％以下と低いため、界面領域近傍における抵抗値の上昇を抑制することができる。第２の電極２４と、バリア層２５との界面領域におけるＯ（酸素）濃度が１０原子％以下であることがより好ましく、７原子％以下であることがさらに好ましく、５原子％以下であることが特に好ましい。
　なお、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、第１の実施形態で説明した有機ＬＥＤ素子と同様の構造を有することができ、また、各部材についても同様の構成とすることができるため、その構造、各部材については説明を省略する。また、界面領域に関しても第１の実施形態で説明した場合と同様であるため、説明を省略する。本実施形態の有機ＬＥＤ素子においても、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域は相溶層を含む構成であってもよい。また、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域は相溶層を含む構成であってもよい。
　係るＯ濃度の測定方法についても特に限定されるものではなく、任意の方法により測定することができる。例えば、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱分析法）、ＥＲＤＡ（弾性反跳検出分析法）等により測定できる。
　ＸＰＳによりＯ濃度を求める場合について具体的な例を挙げて説明する。なお、Ｃ濃度についても同様の手順により測定することができ、第１の実施形態の有機ＬＥＤ素子においても同様にして測定、評価が可能である。
　ＸＰＳによりＯ濃度を求める方法としては、例えば、Ａｒ＋イオンスパッタによる試料のエッチングと、エッチング後の試料表面のＸＰＳ測定を繰り返すことで、第１の電極／バリア層／第２の電極からなる積層膜について深さ方向に元素分析を行うことができる。
　例えば２ｋＶに加速したＡｒ＋イオンを２ｍｍ角領域内において1分間走査することで試料のエッチングを行い、エッチング後の試料表面をＸＰＳにより元素分析を行う。これを交互に繰り返すことで深さ方向の元素プロファイルを得る。第２の電極２４がＡｌである場合、第２の電極２４側では当初、主な構成元素のＡｌが検出されるが、バリア層２５との界面５１付近では、Ａｌの検出強度は徐々に減少し、バリア層２５の主な構成元素である例えばＭｏの検出強度が徐々に増加する。Ａｒ＋イオン照射により試料表面のミキシングが起きること、及び、試料中での電子の非弾性平均自由行程で決まるＸＰＳの検出深さが数ｎｍであることにより、第２の電極とバリア層との界面５１では、各元素の検出強度は緩やかに変化して観測される。第２の電極中の主な構成元素であるＡｌの検出強度が減少し１／２になる深さを、第２の電極とバリア層との界面５１と考えることができ、Ａｌの検出強度が第２の電極膜中の８４％になる深さと１６％になる深さの幅ΔＺが、深さ分解能と定義される。Ａｒ＋イオンによるエッチング条件を適切にすることでΔＺを３０ｎｍ以下とすることができ、さらに最適化することで界面領域の深さに相当する１０ｎｍ以下とすることができる。
　なお、ここでは、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域を例に説明したが、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域についても同様にしてＸＰＳを用いて、Ｏ濃度を算出することができる。
　後述のように、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、例えばバリア層形成工程を開始してから、第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気とすることが好ましい。ところが、バリア層形成後、例えば酸素濃度１．１×１０２５原子／ｍ３程度の雰囲気に置かれた後、第２の電極を形成した場合、第２の電極とバリア層との界面５１を中心とした幅１０ｎｍ以内の領域、すなわち界面領域５２において、他の部分よりもＯ（酸素）濃度が高い箇所が検出される。そして、界面領域５２についてＯ（酸素）濃度をＸＰＳで測定した場合、例えばＯ（酸素）濃度が２５原子％と観測することができる。なお、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の場合、上記のように測定した界面領域におけるＯ（酸素）濃度が２０原子％以下であることが好ましいことは既述の通りである。後述するＴＥＭ及びＥＤＸを用いた測定の場合でも同様である。
　また第１の電極／バリア層／第２の電極からなる積層膜について、積層膜断面を含む薄片試料を作製しＴＥＭ観察を行うことでも、各層及び各界面を原子レベルで直接観察を行うことができる。この際、ＥＤＸ(エネルギー分散型Ｘ線分光法)により元素分析を併せて行うこともできる。観察・分析領域は薄片試料の大きさに限定されるが、層界面を高分解能で観察・分析するには有効な方法である。この場合も、界面領域について、Ｏ濃度だけではなく、Ｃ濃度も測定することができる。このため、第１の実施形態における有機ＬＥＤ素子について測定、評価を行う場合にも同様にして実施することができる。
　バリア層形成後、例えば酸素濃度１．１×１０２５原子／ｍ３程度の雰囲気に置かれた後、第２の電極２４を形成した場合、界面領域５２についてＯ（酸素）濃度をＴＥＭ及びＥＤＸを用いて測定した場合、例えばＯ（酸素）濃度が２５原子％と観測される。
　なお、ここまでバリア層２５と、第１の電極２２または第２の電極２４と、の界面が明確に存在した場合の分析例を説明したが、バリア層２５と、第１の電極２２または第２の電極２４と、の界面に相溶層５３が観察される場合でも同様にして分析を行うことができる。
　例えばバリア層２５を形成後、酸素濃度１．１×１０２５原子／ｍ３程度の雰囲気に置いた後、第２の電極２４を形成した場合であって、バリア層２５と第２の電極２４との間に相溶層５３が形成された場合を例に説明する。
　この場合、ＸＰＳや、ＴＥＭ及びＥＤＸを用いて上記と同様にして界面領域について元素分析を行うと、相溶層５３では例えば、バリア層２５と第２の電極２４の構成元素がともに検出される場合がある。そして、相溶層５３ではバリア層２５等の構成元素とともに、バリア層２５内よりも高い濃度のＯ(例えばＯ濃度２５原子％)を検出することができる。
　このように相溶層５３が存在する場合も、界面近傍にＯ濃度の高い部分があれば、相溶層５３の一部あるいは全体に、バリア層２５、場合によってはさらに第２の電極２４の構成元素とともに他の部分よりも高い濃度のＯ(例えばＯ濃度２５原子％)を、元素分析により検出することができる。
　なお、相溶層５３の厚さは通常１０～２０ｎｍ程度である。また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の場合であれば、バリア層２５と、第１の電極２２または第２の電極２４と、の界面に相溶層５３が観察される場合であっても、界面領域におけるＯ（酸素）濃度が２０原子％以下であることが好ましいことは既述の通りである。
　次に本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は例えば以下の製造方法により製造することができる。
　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、バリア層を形成するバリア層形成工程と、第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有している。
　そして、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。
　特に、第１の電極形成工程を開始してから、バリア層形成工程および第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことがより好ましい。
　また、雰囲気中のＯ濃度は、５．０×１０２１原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０１９原子／ｍ３以下であることが更に好ましい。
　雰囲気中のＯ濃度の測定方法は特に限定されるものではなく、質量分析計を備えた残留ガス分析計、あるいはガス分析用フーリエ変換赤外分光光度計(Fourier Transform Infrared spectrometry:FTIR)等により測定できる。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、上記第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、上記バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下となるように雰囲気が制御されていればよい。このため、第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する際の条件に応じて雰囲気を変更してもよい。ただし、雰囲気の変更を行う場合、操作が増えるため生産性が低下すること、雰囲気を変更する際に不純物が混入する恐れもあることから、第１の電極形成工程開始後から、バリア層形成工程及び第２の電極形成工程を終えるまでの間は同じ雰囲気とすることが好ましい。具体的には例えば、真空雰囲気や、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気において各工程を行うことが好ましい。特に真空雰囲気下で行うことが好ましい。
　このほか、第１の電極、バリア層、第２の電極の構成や、その具体的な製造方法については、雰囲気中のＯ濃度以外に関して第１の実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法と同様にして行うことができるため、ここでは説明を省略する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子においても、第１の実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法の場合と同様に、第２の電極形成工程、バリア層形成工程を実施する順番は特に限定されるものではなく、形成する有機ＬＥＤ素子の構造に応じて任意に選択することができる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においても、上記第１の電極形成工程、バリア層形成工程、第２の電極形成工程以外にも、発光部形成工程や、光取出し層形成工程等各種工程を任意に設けることができる。
　以上説明した本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法によれば、第１の電極とバリア層との界面領域、またはバリア層と第２の電極との界面領域に含まれるＯ（酸素）濃度を低減できる。このため、特に、例えば金属電極により構成される第２の電極に酸素が拡散することによる、バリア層と第２の電極との間のコンタクト抵抗の上昇を抑制可能になる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法はさらに、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。Ｃ濃度は５．０×１０１８原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０１６原子／ｍ３以下であることがさらに好ましい。
　これにより、第１の電極とバリア層との界面領域、バリア層と第２の電極との界面領域に含まれるＯ（酸素）、Ｃ（炭素）濃度をともに低減できる。このため、例えば第２の電極が金属により構成される場合、バリア層と第２の電極との間の抵抗上昇を一層効果的に抑制できる。
　この際の雰囲気としても、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、雰囲気中のＣ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下であり、かつ、雰囲気中のＯ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気であれば特に限定されるものではなく、第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する際の条件に応じた雰囲気とすることができる。ただし、雰囲気の変更を行う場合、操作が増えるため生産性が低下すること、雰囲気を変更する際に不純物が混入する恐れもあることから、第１の電極形成工程開始後から、バリア層形成工程及び第２の電極形成工程を終えるまでの間は同じ雰囲気とすることが好ましい。具体的には例えば、真空雰囲気や、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気において各工程を行うことが好ましい。特に真空雰囲気下で行うことが好ましい。
［第３の実施形態］
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の構成例について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子である。そして、発光領域が、第１の電極２２と、第２の電極２４と、を備え、隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極２２と、他方の発光領域の第２の電極２４とがバリア層２５を介して接続されている。第１の電極２２とバリア層２５との界面領域、または、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＨ濃度が５原子％以下となっている。
　第１の電極２２とバリア層２５との界面領域、または、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＨ（水素）濃度は、主にこれらの界面領域に存在する水分に起因するものである。このため、これらの界面領域にＨ（水素）が一定量以上検出された場合、界面領域には水分が存在していることを意味している。そしてこの場合、水分の働きにより、第１の電極２２とバリア層２５、バリア層２５と第２の電極２４との間の電気的な接続信頼性が低下する場合があり好ましくない。このため、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域、または、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＨ濃度が５原子％以下であることが好ましい。特に３原子％以下であることがより好ましい。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子においては、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域、および、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域におけるＨ濃度が５原子％以下であることがより好ましい。特に３原子％以下であることがさらに好ましい。
　なお、本実施形態の有機ＬＥＤ素子は、第１の実施形態、第２の実施形態で説明した有機ＬＥＤ素子と同様の構造を有することができ、また、各部材についても同様の構成とすることができるため、その構造、各部材については説明を省略する。また、界面領域に関しても第１の実施形態で説明した場合と同様であるため、説明を省略する。本実施形態の有機ＬＥＤ素子においても、第１の電極２２とバリア層２５との界面領域は相溶層を含む構成であってもよい。また、第２の電極２４とバリア層２５との界面領域は相溶層を含む構成であってもよい。
　第１の電極／バリア層／第２の電極からなる積層膜について、ＥＲＤＡ法(弾性反跳検出分析法)により、膜中に含有するＨ濃度の深さ方向分布を測定できる。これは、試料にＨｅ＋イオンを入射し、弾性散乱により前方にはじき出されたＨ原子(反跳Ｈ粒子)を検出し、入射Ｈｅ＋イオンのエネルギーを変えることで深さ方向についてＨ濃度の分布を求めることができる方法である。原子半径の小さいＨｅ＋を入射し、Ｈｅ＋と試料中の原子の弾性散乱を利用する方法であり、試料破壊を伴わない(非破壊分析)、定量分析法である。
　バリア層形成後、例えば真空成膜装置より取り出し大気雰囲気に置かれた後、再度真空成膜装置に導入し第２の電極を形成した場合、第２の電極とバリア層の界面を中心とした幅１０ｎｍ以内の界面領域で、他の部分、すなわち第２の電極あるいはバリア層内よりもＨ濃度が高い箇所が存在するプロファイルが得られ、例えば界面領域におけるＨ濃度が１０原子％と観測される。なお、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の場合、上記のように測定した界面領域におけるＨ（水素）濃度が５原子％以下であることが好ましく、３原子％以下であることがより好ましいことは既述の通りである。
　次に、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法について説明する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子は例えば以下の製造方法により製造することができる。
　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、バリア層を形成するバリア層形成工程と、第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有している。
　そして、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。
　特に、第１の電極形成工程を開始してから、バリア層形成工程および第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことがより好ましい。
　また、雰囲気中のＨ濃度は、２．０×１０２２原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０２０原子／ｍ３以下であることが更に好ましい。
　雰囲気中のＨ濃度の測定方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により測定できる。質量分析計を備えた残留ガス分析計、あるいはガス分析用フーリエ変換赤外分光光度計(Fourier Transform Infrared spectrometry:FTIR)等により測定可能である。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においては、上記第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、上記バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下となるように雰囲気が制御されていればよい。このため、第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する際の条件に応じて雰囲気を変更してもよい。ただし、雰囲気の変更を行う場合、操作が増えるため生産性が低下すること、雰囲気を変更する際に不純物が混入する恐れもあることから、第１の電極形成工程開始後から、バリア層形成工程及び第２の電極形成工程を終えるまでの間は同じ雰囲気とすることが好ましい。具体的には例えば、真空雰囲気や、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気において各工程を行うことが好ましい。特に真空雰囲気下で行うことが好ましい。
　このほか、第１の電極、バリア層、第２の電極の構成や、その具体的な製造方法については、雰囲気中のＨ濃度以外に関して、第１の実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法と同様にして行うことができるため、ここでは説明を省略する。
　本実施形態の有機ＬＥＤ素子においても、第１の実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法の場合と同様に、第２の電極形成工程、バリア層形成工程を実施する順番は特に限定されるものではなく、形成する有機ＬＥＤ素子の構造に応じて任意に選択することができる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法においても、上記第１の電極形成工程、バリア層形成工程、第２の電極形成工程以外にも、発光部形成工程や、光取出し層形成工程等各種工程を任意に設けることができる。
　以上説明した本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法によれば、第１の電極とバリア層との界面領域、または、バリア層と第２の電極との界面領域に含まれる水素濃度を低減できる。このため、特に、各界面領域における水分濃度を低減することができ、第１の電極とバリア層、または、バリア層と第２の電極との間の電気的な接続信頼性を確保することが可能になる。
　また、本実施形態の有機ＬＥＤ素子の製造方法はさらに、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行ってもよい。Ｃ濃度は５．０×１０１８原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０１６原子／ｍ３以下であることがさらに好ましい。
　これにより、第１の電極とバリア層との界面領域、バリア層と第２の電極との界面領域に含まれるＨ（水素）、Ｃ（炭素）濃度をともに低くすることができる。このため、例えば、バリア層と第１、第２の電極との間の電気的な接続信頼性を確保しつつ抵抗上昇を抑制できる。
　また、少なくとも、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行うことが好ましい。Ｏ濃度は、５．０×１０２１原子／ｍ３以下であることがより好ましく、３．０×１０１９原子／ｍ３以下であることが更に好ましい。
　これによりさらに、例えば、バリア層と第１、第２の電極との間の電気的な接続信頼性を確保しつつ抵抗上昇を抑制できる。
　この際の雰囲気としても、第１の電極形成工程を開始してからバリア層形成工程を終えるまでの間、または、バリア層形成工程を開始してから第２の電極形成工程を終えるまでの間、雰囲気中のＣ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下であり、場合によってはさらに雰囲気中のＯ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下、かつ、雰囲気中のＨ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下の雰囲気であれば特に限定されるものではなく、第１の電極、第２の電極、バリア層を形成する際の条件に応じた雰囲気とすることができる。ただし、雰囲気の変更を行う場合、操作が増えるため生産性が低下すること、雰囲気を変更する際に不純物が混入する恐れもあることから、第１の電極形成工程開始後から、バリア層形成工程及び第２の電極形成工程を終えるまでの間は同じ雰囲気とすることが好ましい。具体的には例えば、真空雰囲気や、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気において各工程を行うことが好ましい。特に真空雰囲気下で行うことが好ましい。
　以下に具体的な実施例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［参考例１］
　界面不純物濃度とコンタクト抵抗との関係について調べるため、以下のような実験を行った。
　本参考例においては、ガラス基板上に透明電極（第１の電極）、バリア層、金属電極（第２の電極）を積層した部分を含むサンプルを作製した。サンプルは、透明電極成膜後からバリア層成膜前の間、および、バリア層成膜後から金属電極成膜前の間のサンプルの保存状態を変化させることで各層間の不純物濃度を変化させて複数種類作製した。
　得られたサンプルについては、コンタクト抵抗、及び、ＸＰＳを用いた方法による界面不純物濃度の測定を実施し、得られた評価結果から、界面不純物濃度とコンタクト抵抗との関係性を確認した。
　以下にまず、具体的なサンプルの作製方法、評価方法について説明する。
（サンプルの構造）
　作製したサンプルの構造について図６（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
　図６（Ａ）は形成したサンプルの上面図、すなわち、ガラス基板の透明電極等を配置した面と垂直な方向から見た図を表しており、図６（Ｂ）は図６（Ａ）の線分Ｂにおける断面図を示している。
　まず、図６（Ａ）に示すように清浄なガラス基板６１上に透明電極６２を成膜した。透明電極６２は線状パターンで成膜し、線状パターンの幅Ｗ６２は２．０ｍｍとした。透明電極６２は図６（Ａ）に示すように、図中に示したＸ軸方向に長い線状パターンとし、ガラス基板６１上に２箇所、同じ形状で成膜した。透明電極６２はＤＣマグネトロンスパッタ装置（株式会社島津製作所製　型式：ＳＬＣ－３８Ｓ）により成膜しており、いずれのサンプルにおいてもその膜厚は４５０ｎｍとした。
　続いて図６（Ａ）に示すように透明電極６２上の後述する金属電極６４を積層する領域内にバリア層６３を一辺の長さＷ６３が１．５ｍｍの正方形の角パターンで成膜した。なお、バリア層６３は後述する金属電極６４に覆われており、サンプルの上面側からは見えないため、図６（Ａ）においては点線で示している。図６（Ａ）に示すようにバリア層６３は透明電極６２上の後述する金属電極６４が積層される２つの領域にそれぞれ形成している。すなわち２箇所形成している。バリア層６３は真空蒸着装置（トッキ株式会社製　型式：Ｔｒｙ－ＥＬＶＥＳ０２０Ｇ）を用いて成膜しており、バリア層６３を成膜したいずれのサンプルにおいてもその膜厚は５０ｎｍとした。
　後述のように、サンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２についてはバリア層６３を形成せず、透明電極６２に直接、後述する金属電極６４が接するように形成している。
　さらに金属電極６４をバリア層６３を覆うように成膜した。金属電極６４は図６（Ａ）に示すように線状パターンで成膜し、線状パターンの幅Ｗ６４は２．０ｍｍとした。金属電極６４は図６（Ａ）に示すように、図中に示したＹ軸方向に長い線状パターンとし、２つの透明電極６２を接続するように形成している。金属電極６４は真空蒸着装置（トッキ株式会社製　型式：Ｔｒｙ－ＥＬＶＥＳ０２０Ｇ）を用いて成膜しており、いずれのサンプルにおいてもその膜厚は８０ｎｍとした。
　上述した透明電極６２、バリア層６３、金属電極６４はすべて図６（Ａ）に示す形状になるようマスクを用いて成膜している。なお、図６（Ａ）の線分Ｂにおける断面は、サンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１については図６（Ｂ）に示すように、ガラス基板６１上に透明電極６２、バリア層６３、金属電極６４の３層が積層された構造となっている。また、後述のようにサンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２についてはバリア層６３を形成していないため、透明電極６２上に直接金属電極６４が積層された構造となっている。
（サンプルの作製条件）
　サンプル作製の際の具体的な条件を以下に示す。
　まず、いずれのサンプルにおいても透明電極６２の材料としてＩＴＯを、バリア層６３の材料としてＣｒを、金属電極６４の材料としてＡｌを使用して、図６（Ａ）、（Ｂ）に示したコンタクト抵抗測定用サンプルを作製した。
　ここでサンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１の作製条件について説明する。
　サンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１は表１に示すように、透明電極６２であるＩＴＯ膜を成膜後、バリア層６３であるＣｒ膜の成膜前に純水超音波洗浄および酸素プラズマ処理を行った。
　純水超音波洗浄は、サンプルを純水に浸漬し、超音波洗浄装置（海上電機株式会社製　型式：ＡＵＴＯ　ＰＵＲＳＥＲ　１２００・２８Ｆ）を用いて、１０分間実施した。また、酸素プラズマ処理は、酸素プラズマ処理装置（サンユー電子株式会社製　型式：ＱＵＩＣＫ　ＣＯＡＴＥＲ　ＳＣ－７０６）を用いて、酸素雰囲気下で７分間実施した。
　次いで、バリア層６３であるＣｒ膜を成膜後、金属電極６４であるＡｌ膜を成膜する前に、各試料を表１に示すように様々な状態においてサンプルＮｏ．１－１－１～Ｎｏ．１－４－１の各サンプルを作製した。
　サンプルＮｏ．１－１－１はバリア層６３を成膜後、連続して同じ真空蒸着装置を用いて金属電極６４を成膜している。このため、バリア層６３の成膜開始時から金属電極６４の成膜終了まで１０－４Ｐａ以下の真空雰囲気内にサンプルが保持されている。すなわち、サンプルＮｏ．１－１－１はバリア層６３を成膜開始時から金属電極６４の成膜終了まで、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下の雰囲気下に保持されている。
　サンプルＮｏ．１－２－１はバリア層６３を成膜後、通常室内、すなわち大気雰囲気に１日放置した後、真空蒸着装置を用いて金属電極６４を成膜した。
　また、サンプルＮｏ．１－３－１、Ｎｏ．１－４－１については、バリア層６３を成膜後、クリーンルーム内、すなわち、清浄な大気雰囲気に１日放置した後、透明電極６２を成膜後に行った純水超音波洗浄と同条件で純水超音波洗浄を行った。そして、サンプルＮｏ．１－３－１はそのまま、サンプルＮｏ．１－４－１は透明電極６２を成膜後に行った酸素プラズマ処理と同条件で酸素プラズマ処理を行った後、真空蒸着装置を用いて金属電極６４を成膜した。
　さらに比較のため作製したサンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２の作製条件について説明する。
　サンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２については、バリア層６３であるＣｒ膜を設けず、透明電極６２上に直接金属電極６４を形成した点以外は、図６（Ａ）に示したサンプルと同様の構造を有するサンプルを作製した。すなわち、サンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２については、透明電極６２であるＩＴＯ膜を成膜後、まず、表２に示すように純水超音波洗浄及び酸素プラズマ処理を行った。純水超音波洗浄及び酸素プラズマ処理は、サンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１の場合と同様にして実施した。
　次いで、金属電極６４であるＡｌ膜を成膜するまでの間、各試料を表２に示すような様々な状態に置いて作製した。
　具体的にはサンプルＮｏ．１－１－２については、純水超音波洗浄及び酸素プラズマ処理を終えた後すぐに金属電極６４を成膜した。
　サンプルＮｏ．１－２－２は純水超音波洗浄及び酸素プラズマ処理を終えた後、通常室内、すなわち、大気雰囲気に１日放置した後、真空蒸着装置を用いて金属電極６４を成膜した。
　また、サンプルＮｏ．１－３－２、Ｎｏ．１－４－２については、純水超音波洗浄及び酸素プラズマ処理を終えた後、クリーンルーム内、すなわち、清浄な大気雰囲気に１日放置した後、透明電極６２の成膜後に行った純水超音波洗浄と同条件で純水超音波洗浄を行った。そして、サンプルＮｏ．１－３－２はそのまま、サンプルＮｏ．１－４－２は透明電極６２を成膜後に行った酸素プラズマ処理と同条件で酸素プラズマ処理を行った後、真空蒸着装置を用いて金属電極６４を成膜した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 （評価方法）
（１）コンタクト抵抗の測定、算出方法
　まず、図６（Ａ）中×印で示した、透明電極６２上の測定点６５、６６間に電圧を印加して電流を測定することで、金属電極６４で接続された回路全体の抵抗値が算出される。次いで、算出された金属電極６４で接続された回路全体の抵抗値から、透明電極６２中および金属電極６４中を図６（Ａ）の平面方向に導通する際の抵抗値を差し引く。測定した回路全体の抵抗値から、透明電極６２、金属電極６４中を平面方向に導通する際の抵抗値を差し引くことで、図６（Ｂ）の矢印Ｃに示す透明電極６２からバリア層６３及び金属電極６４を層間方向に導通する際の抵抗、すなわちコンタクト抵抗を算出できる。なお、サンプルＮｏ．１－１－２～Ｎｏ．１－４－２の場合算出されるのは、透明電極６２から金属電極６４を層間方向に導通する際の抵抗（コンタクト抵抗）となる。
　各サンプルの評価に当たっては、まず、サンプルを作製直後にコンタクト抵抗を測定した後、各サンプルを大気雰囲気中１０５℃の恒温槽に保管し、所定の時間毎にコンタクト抵抗の測定、算出を行った。コンタクト抵抗は、図４（Ａ）に示したように印加電圧により値が変化する可能性があるため、測定に当たっては、０．５Ｖ～２Ｖの間で０．５Ｖ毎に測定を行い、その測定値の平均値をコンタクト抵抗とした。
（２）消費電力増加率の算出方法
　まず、前提として、発光領域が８０ｍｍ□の素子で電流０．２７５［Ａ］、電圧７［Ｖ]で駆動するものを元素子とする。そして、この元素子の発光領域を３分割して直列接続にした素子（以下、「分割素子」と記載する）の元素子と比較した消費電力の増加率を消費電力増加率として算出した。
　分割素子は具体的には例えば後述する図１０（Ａ）のように発光領域が一辺に沿って３つの発光領域に分割され、発光領域間にコンタクト領域を配置し、発光領域間を直列に接続した構成を想定する。このとき、分割後の発光領域１区分に関して、元素子と同じ輝度を得るには電流０．２７５／３［Ａ］で駆動する必要があり、抵抗は（７／０．２７５）×３［Ω］になるため、電圧は７［Ｖ］となる。
　一方、コンタクト領域に関しては、電流は発光領域と同じく０．２７５／３［Ａ］となり、電圧は測定、算出したコンタクト抵抗に応じた値となる。さらにコンタクト領域の大きさは０．５×８０ｍｍ２と仮定した。上述した条件と、測定、算出したコンタクト抵抗の値から素子全体の消費電力を計算し、元素子の消費電力と分割素子の消費電力との差を求めた後、下記の式により、消費電力増加率を算出した。
（消費電力増加率）＝（分割素子全体の消費電力－元素子の消費電力）÷元素子の消費電力×１００
　なお、消費電力は有機ＬＥＤの膜構成、使用材料、分割数、等に依存するものであるため、上記方法で算出した値はあくまで一例である。
（３）バリア層と金属電極との界面でのＯ濃度の分析方法
　まず、１ｋＶに加速したＡｒ＋イオンをバリア層６３を形成した領域を含む２ｍｍ角の領域内において作製したサンプルの金属電極６４側から０．５分間走査することでエッチングを行った。次いで、エッチングを行った領域のサンプル表面をＸＰＳ（アルバック・ファイ株式会社製　型式：ＰＨＩ　Ｑｕａｎｔｅｒａ　ＳＸＭ）により元素分析を行った。その後、エッチングを行った領域についてさらにエッチングと元素分析とを上記条件で交互に繰り返すことで深さ方向の元素プロファイルを得た。
　エッチング開始直後は金属電極６４を構成するＡｌが主に検出されるが、バリア層６３との界面に近づくにつれ、Ａｌの検出強度は徐々に減少し、Ｃｒが徐々に増加する。そして、Ａｌの検出強度が金属電極６４、すなわちＡｌ膜中の８４％になる深さと１６％になる深さの幅△Ｚの間を界面領域とみなし、その界面領域におけるＯの検出強度の平均値をＯ濃度とした。
（評価結果）
　上述の手順により作製したサンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１、サンプルＮｏ．１－１－２～サンプルＮｏ．１－４－２について上述の評価方法により評価を行ったので、評価結果について以下に説明する。
　各サンプルに関して作製直後のコンタクト抵抗の測定を行った後、コンタクト抵抗の測定、算出方法で説明したように、１０５℃の恒温槽に保管することで時間変化を強調させた試験を行った結果についてまず説明する。
　測定結果の例として、図７にサンプルＮｏ．１－３－１、サンプルＮｏ．１－３－２のコンタクト抵抗の経時変化を示す。ここで示したコンタクト抵抗は上述のように印加電圧０．５～２Ｖの間の平均値である。図７に示す横軸の経過時間とは、１０５℃の恒温槽に保管を開始してからの時間を示している。
　図７の結果から、バリア層６３があるサンプルＮｏ．１－３－１は、バリア層６３がないサンプルＮｏ．１－３－２と比較して、どの時点においてもコンタクト抵抗の値が低いことが確認できる。
　これは、バリア層６３がないサンプルＮｏ．１－３－２では、時間経過とともに透明電極６２であるＩＴＯ膜中の酸素が金属電極６４であるＡｌ膜中に拡散して界面に不導体であるＡｌ２Ｏ３を形成するためコンタクト抵抗が高くなると考えられる。これに対して、バリア層６３があるサンプルＮｏ．１－３－１においては、バリア層６３によりＡｌ２Ｏ３の形成が防止されるためコンタクト抵抗の上昇が少ないことを示している。以上より、バリア層６３によるコンタクト抵抗の上昇を抑制する効果を確認できた。
　表３に１０５℃の恒温槽で１２０時間保管した後の各サンプルのコンタクト抵抗の測定値を示す。ここで示したコンタクト抵抗も印加電圧０．５～２Ｖの間の平均値である。なお、図７の結果から明らかなように、恒温槽での保管を開始した直後、サンプルのコンタクト抵抗は急激に上昇するが、１２０時間保管した後サンプルは、コンタクト抵抗の急激な変化が終わった後のサンプルとなる。
　また、表３のコンタクト抵抗の欄には評価方法において説明した、測定、算出したコンタクト抵抗の値から想定される所定の条件下で算出した消費電力増加率も参考に括弧内に示した。
　さらに、表３には、上述のＯ濃度の分析方法に従って、ＸＰＳにて検出されたバリア層６３と金属電極６４との界面でのＯ濃度も示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　表３に示したサンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１を比較すると、バリア層－金属電極間の界面Ｏ濃度が高いほど、コンタクト抵抗、あるいは消費電力増加率も高くなる傾向にあることが確認できた。
　また図８に、サンプルＮｏ．１－１－１～サンプルＮｏ．１－４－１の消費電力増加率と、バリア層－金属電極間の界面Ｏ濃度と、の関係を示す。消費電力増加はできるだけ少ないほうが良く、例えば０．３％以下に抑えるのが好ましい。そして、消費電力増加率を０．３％以下にするためには、図８よりバリア層－金属電極間の界面Ｏ濃度はおよそ２０原子％以下とすることが好ましいことが確認できる。
　また、消費電力増加率は０．２％以下に抑えるのがより好ましいが、消費電力増加率を０．２％以下とするためには、図８よりバリア層－金属電極間の界面Ｏ濃度は１５原子％以下とすることが好ましいことが確認できる。
［実施例１］
　本実施例では、図１に示したような直列接続された有機ＬＥＤ素子を実際に作製し、評価を行った。
　ガラス基板（基板）として、１００ｍｍ角サイズの旭硝子株式会社製ガラス基板ＰＤ２００を用いた。
　そして、有機ＬＥＤ素子からの光取り出し効率を高めるために、ガラス基板上にガラスからなる散乱層を以下の手順で作製した。
　まずガラス組成が表４に示した組成となるように粉末原料を調合し、１２００℃の電気炉にて溶解し、ロールにキャストしてガラスのフレークを得た。得られたガラスのガラス転移温度は４６２℃、熱膨張係数は７８×１０－７（１／℃）（５０℃～３００℃の平均値）、ｄ線（５８７．５６ｎｍ）における屈折率ｎｄは１．９１２である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 　さらに作製したフレークをジルコニア製の遊星ミルで２時間粉砕した後、ふるいにかけて平均粒径が１μｍ以上２μｍ以下のガラス粉末を作製した。なお、平均粒径は、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％での粒径を意味する。
　次に、得られたガラス粉末と散乱体であるジルコニア粉末と有機ビヒクルとを混練してガラスペーストを作製した。このときの成分比は、有機ビヒクルが３８重量％、ガラス粉末とジルコニア粉末を合わせた固形分が６２重量％、さらに固形分中のジルコニア粉末が７体積％となるようにしている。また、用いたジルコニア粉末は、粉末の直径は２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下に分布し、波長５５０ｎｍにおける屈折率は２．２２である。
　上述の手順により作製したガラスペーストを、前述のガラス基板上に焼成後の膜厚が１５μｍとなるように均一な厚さでガラス基板の有機ＬＥＤ素子を形成する面の全面に印刷した。次いで、ガラス基板上に印刷したガラスペーストを１５０℃で３０分間乾燥した後、一旦室温に戻し、４５０℃まで４５分で昇温し、４５０℃で３０分間保持した。そしてさらに５６０℃まで１１分で昇温し、５６０℃で３０分間保持した後、室温まで３時間で降温し、ガラス基板上にガラスからなる散乱層を形成した。
　次に、透明電極（第１の電極）としてＩＴＯ膜をＤＣマグネトロンスパッタ装置（株式会社島津製作所製　型式：ＳＬＣ－３８Ｓ）でマスク成膜した。図９（Ａ）に示すように、散乱層を形成したガラス基板９１の面上に、各発光領域に対応して短冊形状（長方形形状）に３か所の透明電極９２１と、図中右端にアノード電極となる透明電極９２２を形成した。透明電極９２１、９２２は共に膜厚が１５０ｎｍになるように成膜した。なお、図９（Ａ）及び後述する図９（Ｂ）～（Ｄ）はいずれも、ガラス基板の有機ＬＥＤ素子を形成する面と垂直な方向から見た図を表している。
　次いで、純水を用いた超音波洗浄を行った後、酸素プラズマを照射し、透明電極９２１、９２２の表面を清浄化した。純水を用いた超音波洗浄は、サンプルを純水に浸漬し、超音波洗浄装置（海上電機株式会社製　型式：ＡＵＴＯ　ＰＵＲＳＥＲ　１２００・２８Ｆ）を用いて、１０分間実施した。また、酸素プラズマ処理は、酸素プラズマ処理装置（サンユー電子株式会社製　型式：ＱＵＩＣＫ　ＣＯＡＴＥＲ　ＳＣ－７０６）を用いて、酸素雰囲気下で７分間実施した。
　次に、真空蒸着装置（トッキ株式会社製　型式：Ｔｒｙ－ＥＬＶＥＳ０２０Ｇ）を用いて、図９（Ｂ）に示すようにバリア層９３としてＣｒ膜を膜厚が５０ｎｍになるように蒸着、成膜した。バリア層９３は図９（Ｂ）に示す線状形状となるようにマスクを用いて成膜した。なお、図９（Ｂ）では、バリア層９３の形状をわかりやすくするため、透明電極９２１、９２２については記載を省略している。
　バリア層９３を成膜後、大気中に出すことなく真空状態を保持したまま、同じ真空蒸着装置を用いて、図９（Ｃ）に示す有機層（発光部）９４及び図９（Ｄ）に示す金属電極（第２の電極）９５１、９５２を真空中で連続して成膜した。有機層９４、金属電極９５１は図９（Ｃ）、図９（Ｄ）に示すように、各発光領域に対応して短冊形状（長方形形状）となるようにマスクを用いて成膜した。また、金属電極については図９（Ｄ）に示すように、図中左端にカソード電極となる金属電極９５２も併せてマスクを用いて成膜した。
　なお、図９（Ｃ）においては有機層９４の形状をわかりやすくするため、ガラス基板と有機層９４以外については記載を省略している。また、図９（Ｄ）では金属電極９５１、９５２の形状をわかりやすくするため、ガラス基板と金属電極９５１、９５２以外については記載を省略している。
　有機層９４は、正孔注入層であるＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）の層と、正孔輸送層であるα－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－Ｎ，Ｎ’－ｂｉｓ（ｌ－ｎａｐｈｔｈｙｌ）－ｌ，ｌ’ｂｉｐｈｅｎｙｌ－４，４’ ’ｄｉａｍｉｎｅ）の層と、発光層であるＡｌｑ３（ｔｒｉｓ　８－ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ　ａｌｕｍｉｎｕｍ）の層と、を積層した構造を有している。ＣｕＰｃの層は膜厚が２０ｎｍになるように、α－ＮＰＤの層は膜厚が１００ｎｍになるように、Ａｌｑ３の層は膜厚が６０ｎｍになるようにそれぞれ成膜した。
　金属電極９５１、９５２は、電子注入層であるＬｉＦの薄膜蒸着膜の上にＡｌを蒸着した積層電極とし、ＬｉＦ膜は膜厚が０．５ｎｍ、Ａｌ膜は膜厚が８０ｎｍとなるように成膜した。
　以上の工程により作製した有機ＬＥＤ素子のアノード電極（＋端子）とカソード電極（－端子）に電圧を印加すると、図１０（Ａ）で示す発光領域９６が発光する。なお、図１０（Ａ）は、ガラス基板の有機ＬＥＤ素子を形成した面と垂直な方向から見た図を表している。
　図１０（Ａ）中の破線で示したＤ－Ｄ´線における断面図を図１０（Ｂ）に示す。図１０（Ｂ）に示すようにガラス基板９１上に散乱層９７を介して、透明電極９２１が積層され、透明電極９２１上にはバリア層９３及び有機層９４が積層され、さらに、バリア層９３及び有機層９４上には金属電極９５１が配置される。図１０（Ｂ）に示した構成の場合、図中に示したように透明電極９２１と、金属電極９５１と、が対向した領域が発光領域９６となり、発光領域９６間が非発光領域９８となる。また、透明電極９２１、バリア層９３、金属電極９５１が積層された領域がコンタクト領域９９となる。
　以上の手順で作製された有機ＬＥＤ素子のコンタクト領域９９における層間は、まず、透明電極９２１であるＩＴＯ膜と、バリア層９３であるＣｒ膜と、の間では純水超音波洗浄と酸素プラズマ処理が行われている。また、バリア層９３の成膜開始から金属電極９５１の成膜を終えるまで真空蒸着装置内で連続して成膜しており、バリア層９３であるＣｒ膜と、金属電極９５１であるＡｌ膜との間では真空中連続成膜が行われている。従って、少なくともバリア層９３であるＣｒ膜と、金属電極９５１であるＡｌ膜との界面領域においては、Ｃ濃度が１０原子％以下、Ｏ濃度が２０原子％以下、Ｈ濃度が５原子％以下となっている。
　そして、本実施例のコンタクト領域９９におけるコンタクト抵抗は、参考例１で実施したサンプルＮｏ.１－１－１と同様の状態であり、消費電力の増加は低いことが見込まれる。なお、本実施例では参考例１とは異なり、金属電極５２１は電子注入層であるＬｉＦ膜を含んでいるが、ＬｉＦ膜は膜厚が０．５ｎｍと非常に薄く、微細な開口部を有しているため、コンタクト抵抗にはほとんど影響を与えるものではない。
　図１１に実際に作製した有機ＬＥＤ素子に電圧を印加し、発光させた状態の写真を示す。図１１に示した有機ＬＥＤ素子は、上述のように、３つの発光領域が並んで配置され、発光領域間に非発光領域が配置された構造を有しており、３つの発光領域は一辺１１１の長さが８０ｍｍの正方形の領域内に配置されている。
　図１１に示した各発光領域写真から分かるように、外観上では、発光領域を分割して直列接続にしたことに起因する問題の発生がないことが確認できた。また、コンタクト抵抗が大きい場合には、消費電力増加のためにコンタクト領域付近で発熱することが予想されるが、図１１に示した有機ＬＥＤ素子ではコンタクト領域付近での発熱も観測されなかった。
　比較のため発光領域が８０ｍｍ角サイズで分割のない有機ＬＥＤ素子も作製したが、図１１の素子とほぼ同じ輝度にするためには約３倍の電流が必要であることが確認できた。すなわち、本実施例の有機ＬＥＤ素子においては発光領域を複数の発光領域に分割していない有機ＬＥＤ素子と比較して、電流量を大幅に低減できていることを確認できた。
［参考例２］
　参考例１、実施例１では、透明電極としてＩＴＯ膜を用いた例を示したが、本参考例では、ＩＴＯより廉価な透明電極の一つとして知られるＧＺＯ（ＺｎＯ－Ｇａ２Ｏ３）を用いて有機ＬＥＤ素子を製造した。
　まず、透明電極としてＧＺＯを用いた点以外は、参考例１のサンプルＮｏ．１－１－１と同様にして図６に示した構造のサンプルの作製、評価を行った。なお、作製したサンプルの評価結果はサンプルＮｏ．２－１として後述する表５には示している。
　コンタクト抵抗の評価を行うサンプルの各層間の状態について説明する。透明電極６２であるＧＺＯ膜と、バリア層６３であるＣｒ膜との間では、純水超音波洗浄と酸素プラズマ処理を行っている。また、バリア層６３の成膜開始から金属電極６４の成膜を終えるまで真空蒸着装置内で連続して成膜しており、バリア層６３であるＣｒ膜と、金属電極６４であるＡｌ膜との間では真空中連続成膜としている。
　作製したサンプルを大気雰囲気中１０５℃の恒温に保管し、保管開始後１２０時間経過した後に測定したコンタクト抵抗を表５に示す。表５には比較のため、参考例１におけるサンプルＮｏ．１－１－１の結果も併せて示している。なお、コンタクト抵抗の測定は参考例１で説明した方法と同様にして行っている。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
 　表５によると、ＧＺＯを用いた場合のコンタクト抵抗は０．３Ω／ｍｍ２であり、サンプルＮｏ．１－１－１の場合、すなわち、透明電極としてＩＴＯ膜を用いた場合よりも低いことが確認できた。また、測定したコンタクト抵抗の値から参考例１と同様の方法で算出した消費電力増加率は、０．０３％と十分に小さいことが確認された。
［実施例２］
　本実施例では、ガラス基板上に散乱層を形成しない点と、透明電極９２１、９２２として、ＩＴＯ膜に変えてＧＺＯ膜を用い、ＧＺＯ膜の膜厚を４５０ｎｍとした点以外は実施例１と同じ手順で、有機ＬＥＤ素子を作製した。作製した有機ＬＥＤ素子に電圧を印加して発光させた状態の写真を図１２に示す。図１２に示した有機ＬＥＤ素子は、実施例１の場合と同様に、３つの発光領域が並んで配置され、発光領域間に非発光領域が配置された構造を有しており、３つの発光領域は一辺１２１の長さが８０ｍｍの正方形の領域内に配置されている。
　本実施例の有機ＬＥＤ素子についても、バリア層９３の成膜開始から金属電極９５１の成膜を終えるまで真空蒸着装置内で連続して成膜しており、バリア層９３であるＣｒ膜と、金属電極９５１であるＡｌ膜との間では真空中連続成膜が行われている。従って、少なくともバリア層９３であるＣｒ膜と、金属電極９５１であるＡｌ膜との界面領域においては、Ｃ濃度が１０原子％以下、Ｏ濃度が２０原子％以下、Ｈ濃度が５原子％以下となっている。
　そして、図１２に示したように、実施例１で透明電極としてＩＴＯ膜を用いたときと同様に、外観上の問題がないことが確認できる。また、実施例１の場合と同様にコンタクト領域付近での発熱は発生していないことが確認された。
　以上に有機ＬＥＤ素子、有機ＬＥＤ素子の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１３年５月１７日に日本国特許庁に出願された特願２０１３－１０５４７４号、及び２０１４年１月３１日に日本国特許庁に出願された特願２０１４－０１６９８４号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１３－１０５４７４号、及び特願２０１４－０１６９８４号の全内容を本国際出願に援用する。
１１、１１Ａ、１１Ｂ、９６　発光領域
２１、９１　　　　　　　　　基板
２２、９２１、９２２　　　　第１の電極
２４、９５１、９５２　　　　第２の電極
２５、９３　　　　　　　　　バリア層
５２　　　　　　　　　　　　界面領域
５３　　　　　　　　　　　　相溶層

Claims (12)

  1. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
    　前記発光領域が、
    　第１の電極と、
    　第２の電極と、を備えており、
    　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
    　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域、または、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＣ濃度が１０原子％以下である有機ＬＥＤ素子。
  2. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
    　前記発光領域が、
    　第１の電極と、
    　第２の電極と、を備えており、
    　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
    　前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＯ濃度が２０原子％以下である有機ＬＥＤ素子。
  3. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子であって、
    　前記発光領域が、
    　第１の電極と、
    　第２の電極と、を備えており、
    　隣接する発光領域は、一方の発光領域の第１の電極と、他方の発光領域の第２の電極とがバリア層を介して接続されており、
    　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域、または、前記第２の電極と前記バリア層との界面領域におけるＨ濃度が５原子％以下である有機ＬＥＤ素子。
  4. 　前記第１の電極と前記バリア層との界面領域が相溶層を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子。
  5. 　前記第２の電極と前記バリア層との界面領域が相溶層を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子。
  6. 　前記バリア層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成されている請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子。
  7. 　前記有機ＬＥＤ素子は基板上に形成されており、
    　前記基板は光取出し層を備えている請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子。
  8. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
    　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
    　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
    　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｃ濃度が５．０×１０２１原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法。
  9. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
    　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
    　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
    　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｏ濃度が５．０×１０２４原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法。
  10. 　複数の発光領域が直列に接続された有機ＬＥＤ素子の製造方法であって、
    　第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、
    　バリア層を形成するバリア層形成工程と、
    　第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、を有しており、
    　少なくとも、前記第１の電極形成工程を開始してから前記バリア層形成工程を終えるまでの間、または、前記バリア層形成工程を開始してから前記第２の電極形成工程を終えるまでの間、Ｈ濃度が５．０×１０２２原子／ｍ３以下の雰囲気下において各工程を行う有機ＬＥＤ素子の製造方法。
  11. 　前記バリア層がＣｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔから選択される１種以上の元素を含む金属または合金により構成されている請求項８乃至１０いずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
  12. 　前記有機ＬＥＤ素子は基板上に形成されており、
    　前記基板は光取出し層を備えている請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＬＥＤ素子の製造方法。
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