JP2000150149A - 有機ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 信頼性の高い有機ＥＬ素子の製造方法の提
供。 【解決手段】 真空中でガラス基板２上にＩＴＯ透明電
極１１、有機層１２、上部電極１３を形成し、窒素雰囲
気中でシールによって封止を行う。このように、真空中
においてＩＴＯ透明電極１１、有機層１２、上部電極１
３を形成し、外気に触れない状態で形成することができ
るため、ＩＴＯ透明電極１１に不純物が付着することを
防止できる。
供。 【解決手段】 真空中でガラス基板２上にＩＴＯ透明電
極１１、有機層１２、上部電極１３を形成し、窒素雰囲
気中でシールによって封止を行う。このように、真空中
においてＩＴＯ透明電極１１、有機層１２、上部電極１
３を形成し、外気に触れない状態で形成することができ
るため、ＩＴＯ透明電極１１に不純物が付着することを
防止できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子の製造
方法に関し、特に各製造ステップを行う環境につての有
機ＥＬ素子の製造方法に関する。
方法に関し、特に各製造ステップを行う環境につての有
機ＥＬ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】有機
ＥＬ素子を用いたＥＬディスプレイパネル２５の斜視図
を図２に示す。ＥＬディスプレイパネル２５において
は、ガラス基板２上に複数の短冊状のＩＴＯ（Indium T
in Oxide）透明電極１１が矢印９３方向に沿って配置さ
れている。そして、ＩＴＯ透明電極１１の上部には矢印
９４方向に沿って、複数の短冊状の有機層１２が配置さ
れている。
ＥＬ素子を用いたＥＬディスプレイパネル２５の斜視図
を図２に示す。ＥＬディスプレイパネル２５において
は、ガラス基板２上に複数の短冊状のＩＴＯ（Indium T
in Oxide）透明電極１１が矢印９３方向に沿って配置さ
れている。そして、ＩＴＯ透明電極１１の上部には矢印
９４方向に沿って、複数の短冊状の有機層１２が配置さ
れている。
【０００３】さらに、各有機層１２上には複数の短冊状
の上部電極１３が重畳して配置されている。これらＩＴ
Ｏ透明電極１１、有機層１２および上部電極１３は、ガ
ラス基板２上でシール（図示せず）で覆われて封止され
る。そして、シール内に窒素が封入される。
の上部電極１３が重畳して配置されている。これらＩＴ
Ｏ透明電極１１、有機層１２および上部電極１３は、ガ
ラス基板２上でシール（図示せず）で覆われて封止され
る。そして、シール内に窒素が封入される。
【０００４】このようなＥＬディスプレイパネル２５に
対して、所定のＩＴＯ透明電極１１と所定の上部電極１
３とを選択して電圧を印加すれば、選択されたＩＴＯ透
明電極１１と上部電極１３との交差箇所に位置する有機
層１２が発光する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１、
上部電極１３の選択を制御することによって、ＥＬディ
スプレイパネル２５を用いて所望の表示を行うことがで
きる。
対して、所定のＩＴＯ透明電極１１と所定の上部電極１
３とを選択して電圧を印加すれば、選択されたＩＴＯ透
明電極１１と上部電極１３との交差箇所に位置する有機
層１２が発光する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１、
上部電極１３の選択を制御することによって、ＥＬディ
スプレイパネル２５を用いて所望の表示を行うことがで
きる。
【０００５】この従来の有機ＥＬ素子の製造方法を以下
に説明する。一般には、ガラス基板２上にＩＴＯがコー
ティングされたものが用意されており、このガラス基板
２をフォトレジストを用いてエッチングし、所定のパタ
ーンのＩＴＯ透明電極１１を形成する。そして、ＩＴＯ
透明電極１１が形成されたガラス基板２を真空中に置
き、蒸着技術によって有機層１２、上部電極１３を形成
する。その後、窒素雰囲気中でシールを固定して封止す
る。このように、有機層１２および上部電極１３を真空
中において形成し、窒素雰囲気中でシールを行って封止
するため、シール内に水分が入り込むことを防止でき
る。
に説明する。一般には、ガラス基板２上にＩＴＯがコー
ティングされたものが用意されており、このガラス基板
２をフォトレジストを用いてエッチングし、所定のパタ
ーンのＩＴＯ透明電極１１を形成する。そして、ＩＴＯ
透明電極１１が形成されたガラス基板２を真空中に置
き、蒸着技術によって有機層１２、上部電極１３を形成
する。その後、窒素雰囲気中でシールを固定して封止す
る。このように、有機層１２および上部電極１３を真空
中において形成し、窒素雰囲気中でシールを行って封止
するため、シール内に水分が入り込むことを防止でき
る。
【０００６】しかし、従来の有機ＥＬ素子の製造方法で
はＩＴＯ透明電極１１に不純物が付着してしまう。すな
わち、ＩＴＯ透明電極１１はフォトレジストを用いたエ
ッチングによって形成されるため、ＩＴＯ透明電極１１
表面に不純物が付着した状態でＩＴＯ透明電極１１上に
有機層１２が形成される。
はＩＴＯ透明電極１１に不純物が付着してしまう。すな
わち、ＩＴＯ透明電極１１はフォトレジストを用いたエ
ッチングによって形成されるため、ＩＴＯ透明電極１１
表面に不純物が付着した状態でＩＴＯ透明電極１１上に
有機層１２が形成される。
【０００７】ＩＴＯ透明電極１１に不純物が付着してい
ると、ＩＴＯ透明電極１１表面の電位が変化して素子特
性が変ってしまう。有機ＥＬ素子は、たとえば100Vの高
電圧で動作する無機ＥＬ素子等とは異なり数Ｖの低電圧
で動作する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１表面の電
位が僅かでも変化して素子特性が変ってしまうとその影
響を大きく受け、期待されている有機ＥＬ素子の正確な
動作が実現されなくなり、有機ＥＬ素子の信頼性を著し
く低下させる。そこで本発明は、信頼性の高い有機ＥＬ
素子の製造方法の提供を目的とする。
ると、ＩＴＯ透明電極１１表面の電位が変化して素子特
性が変ってしまう。有機ＥＬ素子は、たとえば100Vの高
電圧で動作する無機ＥＬ素子等とは異なり数Ｖの低電圧
で動作する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１表面の電
位が僅かでも変化して素子特性が変ってしまうとその影
響を大きく受け、期待されている有機ＥＬ素子の正確な
動作が実現されなくなり、有機ＥＬ素子の信頼性を著し
く低下させる。そこで本発明は、信頼性の高い有機ＥＬ
素子の製造方法の提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】請求項１
に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、アノード電
極を形成するステップ、有機ＥＬ層を形成するステップ
およびカソード電極を形成するステップの全てを外気に
触れない環境化で行う。
に係る有機ＥＬ素子の製造方法においては、アノード電
極を形成するステップ、有機ＥＬ層を形成するステップ
およびカソード電極を形成するステップの全てを外気に
触れない環境化で行う。
【０００９】このように、各ステップを外気に触れない
環境化で行うことによって、素子の動作を阻害する不純
物が付着することを防止でき、素子の特性の変化を回避
して、信頼性の高い有機ＥＬ素子を得ることができる。
特に、アノード電極に不純物が付着することを防止し
て、素子の特性変化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を
高めることができる。
環境化で行うことによって、素子の動作を阻害する不純
物が付着することを防止でき、素子の特性の変化を回避
して、信頼性の高い有機ＥＬ素子を得ることができる。
特に、アノード電極に不純物が付着することを防止し
て、素子の特性変化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を
高めることができる。
【００１０】請求項２に係る有機ＥＬ素子の製造方法に
おいては、アノード電極を形成するステップ、有機ＥＬ
層を形成するステップおよびカソード電極を形成するス
テップの全てを真空中で行う。
おいては、アノード電極を形成するステップ、有機ＥＬ
層を形成するステップおよびカソード電極を形成するス
テップの全てを真空中で行う。
【００１１】このように、各ステップを真空中で行うこ
とによって、素子の動作を阻害する不純物が付着するこ
とを防止でき、素子の特性の変化を回避して、信頼性の
高い有機ＥＬ素子を得ることができる。特に、アノード
電極に不純物が付着することを防止して、素子の特性変
化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を高めることができ
る。
とによって、素子の動作を阻害する不純物が付着するこ
とを防止でき、素子の特性の変化を回避して、信頼性の
高い有機ＥＬ素子を得ることができる。特に、アノード
電極に不純物が付着することを防止して、素子の特性変
化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を高めることができ
る。
【００１２】請求項３に係る有機ＥＬ素子の製造方法に
おいては、少なくとも前記アノード電極を形成するステ
ップを外気に触れない環境化または真空中で行う。この
ため、アノード電極に不純物が付着することを防止し
て、素子の特性変化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を
高めることができる。
おいては、少なくとも前記アノード電極を形成するステ
ップを外気に触れない環境化または真空中で行う。この
ため、アノード電極に不純物が付着することを防止し
て、素子の特性変化を回避し、有機ＥＬ素子の信頼性を
高めることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造
方法の一実施形態をＥＬディスプレイのＥＬディスプレ
イパネル２５の製造を例に説明する。図１は本実施形態
において用いる処理装置３の概念図であり、図１Ａは平
面図、図１Ｂは側面断面図である。また、図２は有機Ｅ
Ｌ素子を用いたＥＬディスプレイパネル２５を示す斜視
図である。
方法の一実施形態をＥＬディスプレイのＥＬディスプレ
イパネル２５の製造を例に説明する。図１は本実施形態
において用いる処理装置３の概念図であり、図１Ａは平
面図、図１Ｂは側面断面図である。また、図２は有機Ｅ
Ｌ素子を用いたＥＬディスプレイパネル２５を示す斜視
図である。
【００１４】図２に示すように、ＥＬディスプレイパネ
ル２５においては、ガラス基板２上に複数の短冊状のＩ
ＴＯ透明電極１１が矢印９３方向に沿って配置されてい
る。そして、ＩＴＯ透明電極１１の上部には、矢印９３
方向が属する平面上であって当該矢印９３方向と直交す
る矢印９４方向に沿って、複数の短冊状の有機層１２が
配置されている。さらに、各有機層１２上には複数の短
冊状の上部電極１３が重畳して配置されている。
ル２５においては、ガラス基板２上に複数の短冊状のＩ
ＴＯ透明電極１１が矢印９３方向に沿って配置されてい
る。そして、ＩＴＯ透明電極１１の上部には、矢印９３
方向が属する平面上であって当該矢印９３方向と直交す
る矢印９４方向に沿って、複数の短冊状の有機層１２が
配置されている。さらに、各有機層１２上には複数の短
冊状の上部電極１３が重畳して配置されている。
【００１５】なお、図１および図２は、基板であるガラ
ス基板２上に配置されるアノード電極としてのＩＴＯ透
明電極１１、有機ＥＬ層としての有機層１２、カソード
電極としての上部電極１３を模式的に示すための図であ
り、実際には微細なＩＴＯ透明電極１１、有機層１２、
上部電極１３がガラス基板２上に多数配置されている。
ス基板２上に配置されるアノード電極としてのＩＴＯ透
明電極１１、有機ＥＬ層としての有機層１２、カソード
電極としての上部電極１３を模式的に示すための図であ
り、実際には微細なＩＴＯ透明電極１１、有機層１２、
上部電極１３がガラス基板２上に多数配置されている。
【００１６】ＥＬディスプレイパネル２５に対して、所
定のＩＴＯ透明電極１１と所定の上部電極１３とを選択
して電圧を印加すれば、選択されたＩＴＯ透明電極１１
と上部電極１３との交差箇所に位置する有機層１２が発
光する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１、上部電極１
３の選択を制御することによって、ＥＬディスプレイパ
ネル２５を用いて所望の表示を行うことができる。
定のＩＴＯ透明電極１１と所定の上部電極１３とを選択
して電圧を印加すれば、選択されたＩＴＯ透明電極１１
と上部電極１３との交差箇所に位置する有機層１２が発
光する。したがって、ＩＴＯ透明電極１１、上部電極１
３の選択を制御することによって、ＥＬディスプレイパ
ネル２５を用いて所望の表示を行うことができる。
【００１７】本実施形態におけるＥＬディスプレイパネ
ル２５の製造方法を以下に説明する。図１Ａに示すよう
に、処理装置３は搬送室３０、ＩＴＯ透明電極形成室３
１、前処理室３２、有機層形成室３３、上部電極形成室
３４、封止室３５を備えている。
ル２５の製造方法を以下に説明する。図１Ａに示すよう
に、処理装置３は搬送室３０、ＩＴＯ透明電極形成室３
１、前処理室３２、有機層形成室３３、上部電極形成室
３４、封止室３５を備えている。
【００１８】各室の間にはそれぞれ開閉可能なゲートが
位置しており、ゲートの開閉によって各室の連通または
分離が選択できるようになっている。また、各室には真
空ポンプが接続されており、真空状態とすることができ
る。図１Ｂは搬送室３０、ＩＴＯ透明電極形成室３１、
有機層形成室３３を示しており、各室にはそれぞれ真空
ポンプ３７、３８、３９が接続されており、開閉可能な
ゲート２７、２８によって仕切られている。
位置しており、ゲートの開閉によって各室の連通または
分離が選択できるようになっている。また、各室には真
空ポンプが接続されており、真空状態とすることができ
る。図１Ｂは搬送室３０、ＩＴＯ透明電極形成室３１、
有機層形成室３３を示しており、各室にはそれぞれ真空
ポンプ３７、３８、３９が接続されており、開閉可能な
ゲート２７、２８によって仕切られている。
【００１９】ＥＬディスプレイパネル２５を製造する場
合、まずガラス基板２をＩＴＯ透明電極形成室３１内に
収納する。そして、真空ポンプを駆動させて搬送室３
０、ＩＴＯ透明電極形成室３１、前処理室３２、有機層
形成室３３、上部電極形成室３４を真空状態とする。Ｉ
ＴＯ透明電極形成室３１内にはシャドーマスク２１が位
置しており、シャドーマスク２１はガラス基板２に対し
て近接して、または接触して配置される。このシャドー
マスク２１にＩＴＯ透明電極１１のパターンが形成され
ている。
合、まずガラス基板２をＩＴＯ透明電極形成室３１内に
収納する。そして、真空ポンプを駆動させて搬送室３
０、ＩＴＯ透明電極形成室３１、前処理室３２、有機層
形成室３３、上部電極形成室３４を真空状態とする。Ｉ
ＴＯ透明電極形成室３１内にはシャドーマスク２１が位
置しており、シャドーマスク２１はガラス基板２に対し
て近接して、または接触して配置される。このシャドー
マスク２１にＩＴＯ透明電極１１のパターンが形成され
ている。
【００２０】そして、ＩＴＯ透明電極形成室３１内に設
けられている蒸発源１４から蒸発原子１５が蒸発し、シ
ャドーマスク２１を通して蒸発原子１５がガラス基板２
上に与えられる。これによって、ガラス基板２上には所
定のパターンのＩＴＯ透明電極１１（図２参照）が形成
される。
けられている蒸発源１４から蒸発原子１５が蒸発し、シ
ャドーマスク２１を通して蒸発原子１５がガラス基板２
上に与えられる。これによって、ガラス基板２上には所
定のパターンのＩＴＯ透明電極１１（図２参照）が形成
される。
【００２１】次に、ＩＴＯ透明電極形成室３１内のガラ
ス基板２は搬送室３０を通じて前処理室３２内に搬送さ
れる。図１Ｂに示すように、搬送室３０内には搬送アー
ム４が設けられている。この搬送アーム４は伸縮自在で
あり、先端に掴み部が位置している。ガラス基板２を搬
送する場合、搬送室３０内の搬送アーム４が延びてＩＴ
Ｏ透明電極形成室３１内のガラス基板２を掴み、一旦搬
送室３０内に導き入れた後、方向を転換し、搬送アーム
４が延びてガラス基板２を前処理室３２に収納する。
ス基板２は搬送室３０を通じて前処理室３２内に搬送さ
れる。図１Ｂに示すように、搬送室３０内には搬送アー
ム４が設けられている。この搬送アーム４は伸縮自在で
あり、先端に掴み部が位置している。ガラス基板２を搬
送する場合、搬送室３０内の搬送アーム４が延びてＩＴ
Ｏ透明電極形成室３１内のガラス基板２を掴み、一旦搬
送室３０内に導き入れた後、方向を転換し、搬送アーム
４が延びてガラス基板２を前処理室３２に収納する。
【００２２】上述のように、このとき搬送室３０、前処
理室３２内はすでに真空状態であり、ＩＴＯ透明電極１
１が形成されたガラス基板２が外気に触れることはな
い。そして、前処理室３２内においてはＥＬディスプレ
イパネル２５の適正な動作を得るために、ガラス基板２
に対してアルゴンプラズマ処理や酸素プラズマ処理等の
前処理が施され、ＩＴＯ透明電極１１表面の状態が整え
られる。
理室３２内はすでに真空状態であり、ＩＴＯ透明電極１
１が形成されたガラス基板２が外気に触れることはな
い。そして、前処理室３２内においてはＥＬディスプレ
イパネル２５の適正な動作を得るために、ガラス基板２
に対してアルゴンプラズマ処理や酸素プラズマ処理等の
前処理が施され、ＩＴＯ透明電極１１表面の状態が整え
られる。
【００２３】この後、ＩＴＯ透明電極１１が形成された
ガラス基板２は搬送室３０内の搬送アーム４によって有
機層形成室３３内に搬送される。有機層形成室３３内に
もＩＴＯ透明電極形成室３１と同様にシャドーマスク２
２が位置しており、所定の箇所にセットされたガラス基
板２に対して近接して、または接触して配置される。こ
のシャドーマスク２２に有機層１２のパターンが形成さ
れている。
ガラス基板２は搬送室３０内の搬送アーム４によって有
機層形成室３３内に搬送される。有機層形成室３３内に
もＩＴＯ透明電極形成室３１と同様にシャドーマスク２
２が位置しており、所定の箇所にセットされたガラス基
板２に対して近接して、または接触して配置される。こ
のシャドーマスク２２に有機層１２のパターンが形成さ
れている。
【００２４】そして、有機層形成室３３内に設けられて
いる蒸発源１６から蒸発原子１７が蒸発し、シャドーマ
スク２２を通して蒸発原子１７がガラス基板２、ＩＴＯ
透明電極１１上に与えられる。これによって、ガラス基
板２上には所定のパターンの有機層１２（図２参照）が
形成される。
いる蒸発源１６から蒸発原子１７が蒸発し、シャドーマ
スク２２を通して蒸発原子１７がガラス基板２、ＩＴＯ
透明電極１１上に与えられる。これによって、ガラス基
板２上には所定のパターンの有機層１２（図２参照）が
形成される。
【００２５】続いて、ＩＴＯ透明電極１１、有機層１２
が形成されたガラス基板２は、搬送室３０内の搬送アー
ム４によって掴まれ、搬送室３０を通じて上部電極形成
室３４内にセットされる。この上部電極形成室３４内に
も、有機層形成室３３と同様、シャドーマスクが位置し
ており、セットされたガラス基板２に対して近接して、
または接触して配置される。有機層形成室３３内に位置
するシャドーマスクに上部電極１３のパターンが形成さ
れている。そして、この状態でガラス基板２に対し、上
部電極形成室３４内に設けられている蒸発源から蒸発原
子を与えて有機層１２上に上部電極１３を形成する。
が形成されたガラス基板２は、搬送室３０内の搬送アー
ム４によって掴まれ、搬送室３０を通じて上部電極形成
室３４内にセットされる。この上部電極形成室３４内に
も、有機層形成室３３と同様、シャドーマスクが位置し
ており、セットされたガラス基板２に対して近接して、
または接触して配置される。有機層形成室３３内に位置
するシャドーマスクに上部電極１３のパターンが形成さ
れている。そして、この状態でガラス基板２に対し、上
部電極形成室３４内に設けられている蒸発源から蒸発原
子を与えて有機層１２上に上部電極１３を形成する。
【００２６】こうして、ガラス基板２上に図２に示すよ
うなＩＴＯ透明電極１１、有機層１２および上部電極１
３を形成し、ガラス基板２を搬送アーム４によって搬送
し封止室３５内にセットする。
うなＩＴＯ透明電極１１、有機層１２および上部電極１
３を形成し、ガラス基板２を搬送アーム４によって搬送
し封止室３５内にセットする。
【００２７】このとき、封止室３５内には窒素が充満し
ており、この封止室３５内でガラス基板２にはガラスキ
ャップや金属キャップ等のシール（図示せず）が取り付
けられ、ガラス基板２上でＩＴＯ透明電極１１、有機層
１２、上部電極１３は封止される。シールはエポキシ樹
脂、紫外線硬化樹脂等によってガラス基板２に接着して
固定する。
ており、この封止室３５内でガラス基板２にはガラスキ
ャップや金属キャップ等のシール（図示せず）が取り付
けられ、ガラス基板２上でＩＴＯ透明電極１１、有機層
１２、上部電極１３は封止される。シールはエポキシ樹
脂、紫外線硬化樹脂等によってガラス基板２に接着して
固定する。
【００２８】このように、窒素雰囲気中においてシール
の工程が行われ、ＩＴＯ透明電極１１、有機層１２およ
び上部電極１３がガラス基板２上で封止されるため、内
部に窒素が封止された状態になる。したがって、改めて
窒素を封入する必要がなく当該工程を削減することがで
き、製造効率を高めることができる。
の工程が行われ、ＩＴＯ透明電極１１、有機層１２およ
び上部電極１３がガラス基板２上で封止されるため、内
部に窒素が封止された状態になる。したがって、改めて
窒素を封入する必要がなく当該工程を削減することがで
き、製造効率を高めることができる。
【００２９】以上のように、ＩＴＯ透明電極１１、有機
層１２、上部電極１３を形成する各工程を真空中で行
い、また外気に触れない環境下で行うことによって、Ｅ
Ｌディスプレイパネル２５の動作を阻害する不純物が付
着することを防止でき、ＥＬディスプレイパネル２５の
特性の変化を回避して、信頼性の高い有機ＥＬ素子を得
ることができる。特に、ＩＴＯ透明電極１１に不純物が
付着することを防止して、素子の特性変化を回避し、有
機ＥＬ素子の信頼性を高めることができる。
層１２、上部電極１３を形成する各工程を真空中で行
い、また外気に触れない環境下で行うことによって、Ｅ
Ｌディスプレイパネル２５の動作を阻害する不純物が付
着することを防止でき、ＥＬディスプレイパネル２５の
特性の変化を回避して、信頼性の高い有機ＥＬ素子を得
ることができる。特に、ＩＴＯ透明電極１１に不純物が
付着することを防止して、素子の特性変化を回避し、有
機ＥＬ素子の信頼性を高めることができる。
【００３０】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、
上記実施形態で例示したものに限定されない。たとえ
ば、上記実施形態においては、真空中で有機層１２を形
成したが、窒素雰囲気中で有機層１２を形成することも
できる。すなわち、ＩＴＯ透明電極１１、上部電極１３
を真空中で形成し、有機層１２を窒素雰囲気中で形成
し、その後、窒素雰囲気中でシールを行う。この場合、
有機層１２をスピンコートによって形成してもよい。
上記実施形態で例示したものに限定されない。たとえ
ば、上記実施形態においては、真空中で有機層１２を形
成したが、窒素雰囲気中で有機層１２を形成することも
できる。すなわち、ＩＴＯ透明電極１１、上部電極１３
を真空中で形成し、有機層１２を窒素雰囲気中で形成
し、その後、窒素雰囲気中でシールを行う。この場合、
有機層１２をスピンコートによって形成してもよい。
【００３１】また、上記実施形態では、蒸着によってＩ
ＴＯ透明電極１１、有機層１２および上部電極１３を形
成したが、たとえばスパッタ技術を用いて形成すること
も可能である。さらに、上記実施形態では、単色のＥＬ
ディスプレイパネル２５を例示したが、カラーＥＬディ
スプレイパネルに本発明を適用することもできる。
ＴＯ透明電極１１、有機層１２および上部電極１３を形
成したが、たとえばスパッタ技術を用いて形成すること
も可能である。さらに、上記実施形態では、単色のＥＬ
ディスプレイパネル２５を例示したが、カラーＥＬディ
スプレイパネルに本発明を適用することもできる。
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法の一実施
形態をＥＬディスプレイのＥＬディスプレイパネル２５
の製造に用いる処理装置３の概念図であり、Ａは平面
図、Ｂは側面断面図である。
形態をＥＬディスプレイのＥＬディスプレイパネル２５
の製造に用いる処理装置３の概念図であり、Ａは平面
図、Ｂは側面断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子を用いたＥＬディスプレイパネル
２５を示す斜視図である。
２５を示す斜視図である。
２・・・・・ガラス基板 １１・・・・・ＩＴＯ透明電極 １２・・・・・有機層 １３・・・・・上部電極
Claims (3)
- 【請求項１】基板上にアノード電極を形成するステッ
プ、 アノード電極上に有機ＥＬ層を形成するステップ、 有機ＥＬ層上にカソード電極を形成するステップ、 を備えた有機ＥＬ素子の製造方法において、 前記アノード電極を形成するステップ、前記有機ＥＬ層
を形成するステップおよび前記カソード電極を形成する
ステップの全てを外気に触れない環境化で行う、 ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項２】基板上にアノード電極を形成するステッ
プ、 アノード電極上に有機ＥＬ層を形成するステップ、 有機ＥＬ層上にカソード電極を形成するステップ、 を備えた有機ＥＬ素子の製造方法において、 前記アノード電極を形成するステップ、前記有機ＥＬ層
を形成するステップおよび前記カソード電極を形成する
ステップの全てを真空中で行う、 ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。 - 【請求項３】基板上にアノード電極を形成するステッ
プ、 アノード電極上に有機ＥＬ層を形成するステップ、 有機ＥＬ層上にカソード電極を形成するステップ、 を備えた有機ＥＬ素子の製造方法において、 少なくとも前記アノード電極を形成するステップを外気
に触れない環境化または真空中で行う、 ことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323041A JP2000150149A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US09/432,570 US6338979B1 (en) | 1998-11-13 | 1999-11-12 | Method of manufacturing organic EL device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323041A JP2000150149A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000150149A true JP2000150149A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18150459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10323041A Pending JP2000150149A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6338979B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000150149A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002260857A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および薄膜形成装置 |
| US7871930B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| WO2014185224A1 (ja) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
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| KR101720077B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2017-03-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치의 검사 방법 및 제조 방법 |
| CN104009188B (zh) * | 2014-05-13 | 2016-07-13 | 清华大学 | 一种提高ito透明导电薄膜空穴注入能力的方法及其应用 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1992010073A1 (en) * | 1990-11-30 | 1992-06-11 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence device |
| US5276380A (en) * | 1991-12-30 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent image display device |
| JPH05307997A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Pioneer Electron Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5652067A (en) * | 1992-09-10 | 1997-07-29 | Toppan Printing Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| JP2701738B2 (ja) * | 1994-05-17 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜ｅｌ素子 |
| US5818068A (en) * | 1994-09-22 | 1998-10-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor circuit and an active matrix type display device |
| US5693428A (en) * | 1995-02-06 | 1997-12-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| US5834894A (en) * | 1995-09-14 | 1998-11-10 | Casio Computer Co., Ltd. | Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage |
| US5688551A (en) * | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
| JP3290584B2 (ja) * | 1996-02-07 | 2002-06-10 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| DE69615410T2 (de) * | 1996-07-10 | 2002-06-20 | International Business Machines Corp., Armonk | Siloxan und siloxanderivate als einkapslungsmaterial für lichtemittierende organische bauelemente |
| US6072450A (en) * | 1996-11-28 | 2000-06-06 | Casio Computer Co., Ltd. | Display apparatus |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10323041A patent/JP2000150149A/ja active Pending
-
1999
- 1999-11-12 US US09/432,570 patent/US6338979B1/en not_active Expired - Fee Related
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| US7871930B2 (en) | 2000-12-28 | 2011-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8273583B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8367439B2 (en) | 2000-12-28 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US8980660B2 (en) | 2000-12-28 | 2015-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| US9412948B2 (en) | 2000-12-28 | 2016-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light emitting device and thin film forming apparatus |
| WO2014185224A1 (ja) * | 2013-05-17 | 2014-11-20 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
| JPWO2014185224A1 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-02-23 | 旭硝子株式会社 | 有機ｌｅｄ素子、有機ｌｅｄ素子の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6338979B1 (en) | 2002-01-15 |
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