JP2002317263A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JP2002317263A JP2002317263A JP2001119116A JP2001119116A JP2002317263A JP 2002317263 A JP2002317263 A JP 2002317263A JP 2001119116 A JP2001119116 A JP 2001119116A JP 2001119116 A JP2001119116 A JP 2001119116A JP 2002317263 A JP2002317263 A JP 2002317263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- vacuum
- mask
- evaporation
- evaporation source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 149
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 106
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 106
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 13
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 10
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 52
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150080148 RR10 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
の形状を精度良く設定できる真空蒸着装置を提供するこ
と。 【解決手段】 真空系に接続された真空容器の内部に、
蒸発源容器と基板ホルダとを、水平方向に沿って互いに
対面させ、かつ該基板ホルダの蒸発源容器に対面する側
の表面を上向きに傾斜した状態に配置させてなる真空蒸
着装置。
Description
られる真空蒸着装置に関する。
層してなるトランジスタなどの薄膜積層型デバイスは、
多くの電気製品に用いられている。これらの薄膜積層型
デバイスを構成する薄膜の形成には、真空蒸着法、スパ
ッタリング法など様々な薄膜形成方法が用いられる。ま
た形成される薄膜は、マスク法あるいはフォトリソグラ
フィー法などのパターニングにより、デバイスあるいは
回路配線に必要な形状に設定される。
クトロルミネッセンス現象を利用した有機エレクトロル
ミネッセンス素子(以下、有機EL素子と記載する)
は、自己発光型の素子であり、それを用いた表示装置は
視認性が良く、そして低消費電力であるために次世代の
表示装置として期待されている。有機EL素子は、基板
上に陽電極層、有機発光材料を含む発光層(以下、有機
発光層という)、そして陰電極層を含む機能層が形成さ
れてなる。各層の薄膜を形成する順序は前記の順序と逆
でもよい。そして陽電極層から正孔を、陰電極層から電
子を、有機発光層に注入して、電子と正孔とを有機発光
層内で再結合させることにより励起子(エキシトン)を
生成させて、この励起子が失活する際の光の放出(蛍
光、燐光)により発光する素子である。また必要に応じ
て、発光層と陽電極層の間に正孔輸送層、発光層と陰電
極層の間に電子輸送層、あるいはそれらの両方が設けら
れる。このような有機物を含む薄膜積層型デバイスにお
いては、薄膜の形成には真空蒸着法が、薄膜の形状の設
定にはマスク法が用いられる場合が多い。
縁体など)を高温で蒸発させ、これを基板の表面に付着
させて薄膜を形成する方法である。半導体デバイスの作
製においては、薄膜の形成にはスパッタリング法を用い
ることが多い。しかし、スパッタリング法により有機物
を含む薄膜を形成すると、形成途中の薄膜に高エネルギ
ーの分子が衝突するため、膜にダメージを与えてしま
う。従って有機EL素子を構成する有機物を含む薄膜
(有機発光層、正孔輸送層、電子輸送層)は、真空蒸着
法あるいはスピンコート法により形成するのが一般的で
ある。なかでも真空蒸着法は、薄膜中に不純物が混入し
難いために好ましい薄膜の形成方法である。
が設けられた金属の薄板などからなるマスクを用いる。
マスク法によるパターニングでは、マスクを基板の上に
密着させ、その上に薄膜を形成する。マスクは、基板表
面における蒸着領域を規定する。次いでマスクを取り除
くことで、マスクの上に形成された膜は取り除かれ、薄
膜の形状(蒸着パターン)が設定される。有機物を含む
薄膜は、有機溶剤、酸、アルカリなどの薬品に弱く、半
導体デバイスの作製において広く用いられているフォト
リソグラフィー法によりパターニングをすることが困難
である。従って有機EL素子を構成する薄膜は、一般に
マスク法により形状が設定される。このマスク法におい
て、製膜時にマスクと基板が充分に密着していないと、
マスクと基板の間に蒸着材料(蒸発源)の分子が入り込
み、薄膜の微細な形状を設定することが困難となる。特
に有機EL素子を発光表示装置へ応用する場合、優れた
表示品位を得るために画素サイズ(有機EL素子の大き
さ)を小さくする必要があるので、基板とマスクとを充
分に密着させることが重要となる。
真空蒸着装置と呼ばれている。図1は、一般的な真空蒸
着装置の一例の構成を模式的に示す配置図である。真空
蒸着装置は、真空系に接続された真空容器1の内部に、
蒸発源容器2と基板ホルダ3を配置してなる。蒸発源容
器2には、蒸発源4が収容される。そして基板ホルダ3
には、薄膜が形成される基板5、そして蒸着領域を規定
するマスク6が取り付けられる。真空容器1には、真空
容器の内部を減圧するために用いる真空ポンプ7および
排気バルブ8などからなる真空系が接続されている。そ
して蒸発源容器2には、加熱電源9を接続する。
においては、蒸発源容器2が真空容器内部の(重力方向
に沿って)下方に、そして基板ホルダ3が真空容器内部
の上方に配置される。これは、蒸発源容器を上方に、基
板ホルダを下方に配置すると、蒸発源容器から、蒸発す
る前の蒸着材料(固体)、あるいは加熱されて液体にな
った蒸着材料が基板表面に落下して、均一な薄膜の形成
が困難となるからである。
ず蒸発源容器2に蒸発源4を収容し、また基板フォルダ
3に、薄膜を付着させる基板5を固定する。さらにマス
ク法により薄膜の形状を設定するために、基板5の上に
必要な薄膜の形状で開口部が設けられたマスク6を密着
させて固定する。そして真空容器1の内部を真空ポンプ
7により減圧して真空状態にした後、蒸発源容器2の内
部に収容した蒸発源4を加熱する。加熱により蒸発した
分子は、真空容器1の内部を基板5の方向に(図1に示
した一般的な真空蒸着装置においては、下方から上方
へ)飛行し、そして基板5の表面に付着(蒸着)して薄
膜となる。従来、有機EL素子もこのような構成の真空
蒸着装置により作製されていた。
L素子の各層の形成においては、薄膜の形成には真空蒸
着法、そして薄膜の形状の設定にはマスク法を用いるこ
とが一般的である。ところが図1に模式的に示したよう
に、従来の真空蒸着装置の基板フォルダ3に、基板5、
そしてマスク6を取り付けると、マスク6の自重により
基板5とマスク6との間に僅かに隙間が生じる場合があ
る。この状態で薄膜を形成すると、基板5とマスク6の
隙間に蒸着材料の分子が回り込み、薄膜は必要な形状よ
りも僅かに大きく形成されてしまう。また、寸法の大き
な基板あるいはプラスチックフィルムのような柔軟な基
板を用いると、同様に基板の自重により基板がたわみ、
さらにマスクの自重によるたわみも加わって、基板とマ
スクの密着性はさらに悪化する傾向にある。
は、基板とマスクの密着性は問題とならない程度であっ
た。しかし近年、携帯型電話機に用いられる表示装置に
代表されるように、表示装置には高画質そして低価格で
あることが望まれている。表示装置を高画質にするに
は、画素サイズ、即ち有機EL素子の大きさを小さくす
る必要がある。有機EL素子の大きさを小さくするに
は、有機EL素子の各層の薄膜の形状をこれまでより精
度良く設定する必要があり、基板とマスクの密着性が問
題となる。そして表示装置を低価格とするには、同一の
大きな基板上に複数個の表示装置を作製して生産の効率
を高める必要がある。大きな基板を用いると、基板やマ
スクのたわみ量も大きくなり、基板とマスクの密着性が
問題となる。表示装置の画面サイズを大型化する場合
も、大きな基板とマスクを用いる必要があるので、同様
に基板とマスクの密着性が問題となる。また、蒸着に用
いるマスクの厚みは薄いほうが好ましい。マスクが厚い
と、蒸発源容器から蒸発した蒸着材料の分子が、マスク
の開口部の縁の部分で陰になる基板表面には付着し難い
からである。厚みの薄いマスクは、剛性が小さいのでた
わみを生じ易く、同様に基板とマスクの密着性が問題と
なる。本発明の目的は、基板とマスクの優れた密着性が
得られ、薄膜の形状を精度良く設定できる真空蒸着装置
を提供することにある。
置の真空容器内部に配置される蒸発源容器や基板ホルダ
の配置を工夫することで、基板とマスクの密着性に優れ
る真空蒸着装置を提供できることを見出した。本発明
は、真空系に接続された真空容器の内部に、蒸発源容器
と基板ホルダとを、水平方向に沿って互いに対面させ、
かつ該基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の表面を上
向きに傾斜した状態に配置させてなる真空蒸着装置にあ
る。本発明の真空蒸着装置は、基板上に陽電極層、有機
発光材料を含む発光層、そして陰電極層を含む機能層が
形成された有機エレクトロルミネッセンス素子の製造に
用いると特に有利である。本発明の真空蒸着装置の好ま
しい態様を以下に記載する。 (1)基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の表面が重
力方向を基準として30度以内で、より好ましくは1〜
10度の範囲内の角度で傾斜していること。 (2)基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の表面に蒸
着領域を規定するマスクを保持する手段が設けられてい
ること。 (3)マスクが、その表面に同一形状の複数個の開口部
を持つマスクであること。 (4)蒸発源容器が容器側面に開口部を有しているこ
と。
を複数個が搬送室を介して接続してなる複合体であっ
て、所望の真空蒸着装置に基板を挿入し、次いで取り出
す基板移動手段が該搬送室内に付設されている複合真空
蒸着装置にもある。さらにまた本発明は、真空状態にあ
る真空容器の内部に、蒸発源を収容した蒸発源容器と、
基板とマスクとを一方の表面に固定した基板ホルダと
を、水平方向に沿って互いに対向させ、かつ基板とマス
クとを上向きに傾斜配置した状態で、蒸発源を加熱する
ことにより基板の表面にマスクに対応した蒸着パターン
を形成する真空蒸着方法にもある。
例の構成を模式的に示す配置図を示す。本発明の真空蒸
着装置は、真空系に接続された真空容器21の内部に、
蒸発源容器22と基板ホルダ23とを、水平方向に沿っ
て互いに対向させ、かつ基板ホルダ23の蒸発源容器2
2に対面する側の表面を上向きに傾斜した状態に配置さ
せてなる。真空系には、真空容器21の内部を減圧して
真空状態とするための真空ポンプ27、真空ポンプ27
と真空容器21との間に配置される排気バルブ28など
が含まれる。また蒸発源容器22を加熱するために、蒸
発源容器には加熱電源29が接続される。基板ホルダ2
3の蒸発源容器22に対面する側の表面は、重力方向g
を基準として表面が上向きに傾斜(傾斜角θを図2に記
入した)している。基板ホルダ23の蒸発源容器22に
対面する側の表面は、重力方向gを基準として表面が上
向きになるように30度以内の角度で傾斜していること
が好ましく、1〜10度の範囲内の角度で傾斜している
ことがさらに好ましい。
よび薄膜の形状の設定をする場合、蒸発源容器22には
蒸発源24が収容される。そして、基板フォルダ23に
は薄膜を付着させる基板25が配置され、さらに基板2
5の上には蒸着領域を規定するマスク26が配置され
る。前記のように基板ホルダ23の蒸発源容器22に対
面する側の表面は、重力方向gを基準として表面が上向
きに傾斜している。このため、マスク26(あるいは基
板)の自重による力は、基板25とマスク26を密着さ
せる方向(基板ホルダの表面の法線方向)と、基板ホル
ダ23の表面に沿った方向に働く。このようにいずれの
方向の力も基板とマスクをたわませる方向には働かず、
両者の密着性を改善させるように働く。従って、大きな
基板やマスクを用いたり、柔軟な基板などを用いた場合
にも、基板とマスクの優れた密着性が得られる。従っ
て、真空容器21を真空ポンプ27により排気して真空
状態とし、蒸発源24を加熱してマスク26の上から薄
膜を形成し、次いでマスク26を取り除くことで、マス
クの上に形成された膜は取り除かれ、マスクに対応した
優れた寸法精度の蒸着パターンを形成することができ
る。
ることで、大きな基板上に有機EL素子を多数配置する
場合、または有機EL素子が集積された有機EL発光表
示装置を多数配置する場合に、基板上の作製位置によら
ず有機EL素子の均一な特性を得ることができる。この
ように大きな基板上に多数の有機EL素子を同時に作製
するには、マスクはその表面に同一形状の複数個の開口
部を持つマスクを用いることが好ましい。このようなマ
スクを用いることで、均一な特性を有する多数個の有機
EL素子を基板上に同時に作製することができる。以
下、本発明の真空蒸着装置の構成要素について間単に記
載する。
る材料に特に制限はなく、公知の蒸発源を用いることが
できる。蒸発源の例としては、抵抗加熱蒸発源、外熱式
るつぼ蒸発源、放射加熱蒸発源、高周波誘導加熱蒸発
源、電子衝撃および電子ビーム蒸発源などを挙げること
ができる。有機物を含む蒸着材料を蒸発させるには、蒸
発源容器として抵抗加熱蒸発源および外熱式るつぼ蒸発
源を用いることが好ましい。抵抗加熱蒸発源には、フィ
ラメント型、マルチループ型、ワイヤーバスケット型、
ボート型の蒸発源が含まれる。ボート型蒸発源として
は、ボート型蒸発源に蓋が設けられた蒸発源容器を用い
ることが好ましい。ボートの材料としては、一般にはモ
リブデン、タンタル、タングステンなどが用いられる。
外熱式るつぼ蒸発源のるつぼ(蒸発源容器)は、一般的
にはセラミックスから形成される。
5の断面図に示す。図3に示した蒸発源容器は、ボート
40に蓋41が設けられた蓋付きのボートである。この
蒸発源容器には加熱電源42が接続されている。蒸発源
容器の内部には、蒸発源43が収容される。蒸発源容器
は、図3に示した蒸発源容器の形状に限定される訳では
なく、蒸着材料の大きさや、収容する際の作業性などに
より所望の形にしてもよい。図4に示した蒸発源容器
は、抵抗加熱蒸発源の別な一例である。そして図5に示
した蒸発源容器は、外熱式るつぼ蒸発源の一例である。
発源容器と基板ホルダが対向する方向で行われる。従っ
て蒸発源容器には、容器の側面部に開口部を有している
ことが好ましい。また蒸発源容器の基板ホルダに対する
相対的な位置は、一般に薄膜を実際に基板上に形成し
て、形成した薄膜の膜厚分布を考慮して微調整する場合
が多い。従って図2においては、蒸発源容器の好ましい
配置を示しているが、さらに位置の微調整をすることも
できる。
る材料に特に制限はなく、公知の基板ホルダを用いるこ
とができる。基板ホルダは、基板ホルダの蒸発源容器に
対面する側の表面が、重力方向を基準として表面が上向
きに傾斜するように配置される。基板ホルダは、形成す
る薄膜の膜厚分布が均一となるように、基板ホルダの表
面の法線方向を中心軸として回転させることもできる。
この場合蒸発源容器を配置する位置を、回転の中心軸か
らずらすことも好ましい。基板ホルダには、基板および
マスクを保持する手段が設けられる。保持の手段は公知
の方法でよく、基板やマスクをビスもしくは両面粘着テ
ープなどを用いて基板ホルダに保持する簡単な手段を用
いてもよいし、基板やマスクを保持するクランプを駆動
して自動で保持する手段を用いてもよい。また、基板あ
るいはマスクを予め額縁状の固定具に取り付けておき、
固定具と基板ホルダを固定することにより基板あるいは
マスクを保持してもよい。
示した本発明の真空蒸着装置を用いる場合を例として以
下に説明する。説明のため、三層(陽電極層、有機発光
層、陰電極層)からなる有機EL素子を、同一の基板上
に二個作製する場合について記載する。有機EL素子の
各層の材料や膜厚などは周知であり、多くの文献に記載
されている。 (陽電極層)本発明の真空蒸着装置を用いて基板上に陽
電極層を形成することもできるが、陽電極層が予め設け
られた電極層付きの基板(以下、電極基板と記載する)
を用いることが多い。図6は、電極基板の一例の構成を
模式的に示す平面図である。図6に示した電極基板にお
いて、二つの陽電極層50、51が基板52の上に設け
られている。陽電極層は、通常の半導体デバイスと同様
にスパッタリング法とフォトリソグラフィー法により形
成される。基板の例としては、ガラス板、プラスチック
板などが挙げられる。陽電極層の材料としては、金など
の金属、もしくは、CuI、ITO(インジウムチンオ
キシド)、SnO2 、ZnOなどの電気伝導性透明材料
などが一般に用いられる。陽電極層の厚さは、材料にも
よるが、通常は、10nm〜1μm、好ましくは50〜
200nmの範囲内にある。
と呼ばれる額縁状の固定具30に、そして発光層の形状
で開口部が設けられたマスクをマスクホルダと呼ばれる
額縁状の固定具31に固定する。図7に、用いるマスク
(有機発光層用マスク)47の平面図を示す。また図7
に示したマスクには、同一形状(有機発光層の形状)で
開口部が二個48、49設けられている。そして基板が
固定されたサセプタ30を、真空蒸着装置の基板ホルダ
23にビスで固定する。さらに基板の上に、マスク47
が固定されたマスクホルダ31を配置し、マスクホルダ
31を同様に基板ホルダ23にビスで固定する。次に有
機発光材料(蒸発源)24を蒸発源容器22に収容す
る。そして真空ポンプ27により真空容器内部を真空状
態とし、加熱電源29により蒸発源容器22に収容した
蒸発源24を蒸発させ、マスクの上から有機発光層を形
成する。このとき基板ホルダ23に取り付けられたマス
クは、基板ホルダの表面が重力方向を基準として傾斜し
ているので基板と充分密着する。そしてマスクを基板か
ら取り除くことで、マスクに対応した有機発光層の蒸着
パターンが形成される。有機発光層が形成された電極基
板の平面図を図8に示す。図8において、有機発光層5
3および54が、マスク47に対応した蒸着パターンと
して形成されている。
有機材料ハンドブック(第2刷)、朝倉書店発行」39
6〜398頁に記載されている電子輸送性発光材料(表
III.2.32)、同398〜399頁に記載されてい
るホール輸送性発光材料(表III .2.33)、同39
9〜400頁に記載されている三層構造素子における発
光材料、および同403〜404頁に記載されている単
層型素子の発光材料(表III .2.36)などを挙げる
ことができる。また、発光色を調整するために有機材料
に蛍光色素をドーピングすることもできる。実用的な発
光効率を得るために、有機発光層の厚さは、10〜20
0nmの範囲であることが好ましい。
54が形成された電極基板の上に、陰電極層の形状で開
口部が設けられたマスクを用いること以外は有機発光層
の形成と同様にして、陰電極層を形成する。陰電極層の
材料としては、Na、K、Mg、Li、In、希土類金
属、Na・K合金、Mg・Ag合金、Mg・Cu合金、
Al・Li合金、Al/Al2O3混合物が一般に用いら
れる。陰電極層の厚さは、材料にもよるが、通常10n
m〜1μm、好ましくは50〜200nmの範囲内にあ
る。このようにして作製された有機EL発光素子の平面
図を図9に示す。図9において、陽電極層50と陰電極
層55との間に電圧を印加することで有機EL素子56
が、陽電極層51と陰電極層55との間に電圧を印加す
ることで有機EL素子57が発光する。有機EL発光表
示装置を作製するには、同様にして有機EL素子を多数
基板上に作製すればよい。陰電極層の形成時に有機発光
層にダメージを与えないように、陰電極層は本発明の真
空蒸着装置を用いて形成することが好ましい。
有機EL素子を効率良く製造することができる複合真空
蒸着装置について説明する。図10に本発明の複合真空
蒸着装置の一例の構成を模式的に示す平面図を示す。複
合真空蒸着装置は、本発明の真空蒸着装置を複数個が搬
送室を介して接続してなる複合体であり、所望の真空蒸
着装置に基板を挿入し、次いで取り出す基板移動手段が
該搬送室内に付設されている。図10に示した複合真空
蒸着装置においては、本発明の真空蒸着装置が搬送室5
8を介して5個(真空蒸着装置61〜65)接続されて
いる。
基板(あるいはマスク)を所望の真空蒸着装置に挿入
し、薄膜形成後の基板(あるいはマスク)を取り出す搬
送手段59が付設されている。また、基板を複合真空蒸
着装置に挿入および取り出しするための仕込み室66が
搬送室58に接続されている。それぞれの真空蒸着装置
61〜65、仕込み室66、および搬送室58は、(仕
切り弁71〜76により)独立に真空度を調節できる。
従って、それぞれの真空蒸着装置は独立に真空度を調節
して蒸着ができ、蒸着中にも別の基板あるいはマスクを
仕込み室66に準備することができる。真空蒸着装置の
真空容器の内部に、基板ホルダ81〜85および蒸発源
容器91〜95が、それぞれ配置されている。基板ホル
ダ81〜85のそれぞれは、蒸発源容器に対面する側の
表面が上向きに傾斜した状態で配置されている。なお、
各蒸着室、搬送室、および仕込み室には専用の真空系を
それぞれ接続しても良いし、一個の真空系をそれぞれの
蒸着室に排気バルブを介して接続してもよい。
製は、前記の本発明の真空蒸着装置による有機EL素子
の作製と同様にして行えばよい。例えば真空蒸着装置6
1において、陽電極層の設けられた電極基板を基板ホル
ダ81に取り付け、電極基板の上に有機発光層用のマス
クを配置する。そして蒸発源容器91に収容された有機
発光材料(蒸発源)を蒸発させて蒸着パターン(有機発
光層)を形成する。搬送手段59によりマスク、そして
基板を基板ホルダ81から取り外す。発光層の設けられ
た基板を搬送手段59により真空蒸着装置62に挿入し
て基板ホルダ82に配置し、その上に陰電極層用のマス
クを配置して同様に蒸着パターン(陰電極層)を形成す
ることで有機EL素子を作製することができる。搬送手
段59により取り外されたマスクは、仕込み室66など
に挿入して保管しておけばよい。
発光層、そして陰電極層を含む機能層が形成されてな
る。本発明の真空蒸着装置を用いることで有機EL素子
の各層を構成する薄膜(蒸着パターン)を寸法精度良く
形成することができるので、有機EL素子の複数層を順
次形成して積層する場合にも、有機EL素子の全体を寸
法精度良く作製できる。また本発明の複合真空蒸着装置
を用いることで、有機EL素子の全体(陽電極層から陰
電極層の形成まで)を真空状態を保ったままで作製でき
るため、大気中の水分や不純物などを吸着することな
く、有機EL素子を作製できる。
り、マスク法でパターニングする際の基板とマスクの密
着性が向上し、薄膜の形状を精度良く設定することがで
きる。本発明の真空蒸着装置は、特に有機EL素子の製
造に好ましく用いることができる。そして本発明の真空
蒸着装置を用いることで、大きな寸法の基板およびマス
クを用いた場合にも基板とマスクの優れた密着性が得ら
れ、薄膜を正確な形状に設定することができる。
す配置図である。
示す配置図である。
ある。
的に示す平面図である。
る。
示す平面図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 真空系に接続された真空容器の内部に、
蒸発源容器と基板ホルダとを、水平方向に沿って互いに
対面させ、かつ該基板ホルダの蒸発源容器に対面する側
の表面を上向きに傾斜した状態に配置させてなる真空蒸
着装置。 - 【請求項2】 基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の
表面が重力方向を基準として30度以内の角度で傾斜し
ていることを特徴とする請求項1に記載の真空蒸着装
置。 - 【請求項3】 基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の
表面が重力方向を基準として1〜10度の範囲内の角度
で傾斜していることを特徴とする請求項2に記載の真空
蒸着装置。 - 【請求項4】 基板ホルダの蒸発源容器に対面する側の
表面に蒸着領域を規定するマスクを保持する手段が設け
られていることを特徴とする請求項1乃至3のうちのい
ずれかの項に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項5】 マスクが、その表面に同一形状の複数個
の開口部を持つマスクであることを特徴とする請求項1
乃至4のうちのいずれかの項に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項6】 蒸発源容器が容器側面に開口部を有して
いることを特徴とする請求項1乃至5のうちのいずれか
の項に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項7】 基板上に陽電極層、有機発光材料を含む
発光層、そして陰電極層を含む機能層が形成された有機
エレクトロルミネッセンス素子の製造用である請求項1
乃至6のうちのいずれかの項に記載の真空蒸着装置。 - 【請求項8】 請求項7に記載の真空蒸着装置を複数個
が搬送室を介して接続してなる複合体であって、所望の
真空蒸着装置に基板を挿入し、次いで取り出す基板移動
手段が該搬送室内に付設されていることを特徴とする複
合真空蒸着装置。 - 【請求項9】 真空状態にある真空容器の内部に、蒸発
源を収容した蒸発源容器と、基板とマスクとを一方の表
面に固定した基板ホルダとを、水平方向に沿って互いに
対向させ、かつ該基板とマスクとを上向きに傾斜配置し
た状態で、蒸発源を加熱することにより基板の表面にマ
スクに対応した蒸着パターンを形成することを特徴とす
る真空蒸着方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001119116A JP4338335B2 (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空蒸着装置 |
KR1020020020615A KR20020081104A (ko) | 2001-04-18 | 2002-04-16 | 진공증착장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001119116A JP4338335B2 (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002317263A true JP2002317263A (ja) | 2002-10-31 |
JP4338335B2 JP4338335B2 (ja) | 2009-10-07 |
Family
ID=18969385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001119116A Expired - Lifetime JP4338335B2 (ja) | 2001-04-18 | 2001-04-18 | 真空蒸着装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4338335B2 (ja) |
KR (1) | KR20020081104A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
JP2004207234A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法、および製造装置 |
JP2009024208A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 蒸着装置及び蒸着方法並びにその方法を用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US8044411B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
CN114204001A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-18 | 电子科技大学 | 一种具有内嵌三维骨架结构的超薄富锂合金及其制备方法和应用 |
-
2001
- 2001-04-18 JP JP2001119116A patent/JP4338335B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-04-16 KR KR1020020020615A patent/KR20020081104A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002343563A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Sony Corp | 真空成膜方法および真空成膜装置 |
JP2004207234A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法、および製造装置 |
JP4712298B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US8044411B2 (en) | 2002-12-13 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8237176B2 (en) | 2002-12-13 | 2012-08-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US8482011B2 (en) | 2002-12-13 | 2013-07-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2009024208A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | 蒸着装置及び蒸着方法並びにその方法を用いてパターン形成した層を有する電子素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN114204001A (zh) * | 2021-12-07 | 2022-03-18 | 电子科技大学 | 一种具有内嵌三维骨架结构的超薄富锂合金及其制备方法和应用 |
CN114204001B (zh) * | 2021-12-07 | 2023-08-29 | 电子科技大学 | 一种具有内嵌三维骨架结构的超薄富锂合金及其制备方法和应用 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020081104A (ko) | 2002-10-26 |
JP4338335B2 (ja) | 2009-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101457653B1 (ko) | 성막장치, 제조장치, 성막방법, 및 발광장치의 제조방법 | |
CN102912316B (zh) | 沉积源组件和有机层沉积设备 | |
JP5166942B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
US6517996B1 (en) | Method of manufacturing full-color organic electro-luminescent device | |
KR101570535B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치의 제조방법 | |
US7388223B2 (en) | Flat panel display device and method of fabricating the same | |
EP1995996A1 (en) | Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element | |
CN101027941A (zh) | 有机el发光元件及其制造方法以及显示装置 | |
JP5325471B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JPH10223377A (ja) | 発光ダイオード | |
US7932113B1 (en) | Method of fabricating organic light emitting diode display | |
KR101910912B1 (ko) | 유기발광소자 제조를 위한 마스크유닛 | |
JP2003007463A (ja) | 有機電界発光表示素子の製造方法 | |
JP2002317263A (ja) | 真空蒸着装置 | |
US20040217344A1 (en) | Apparatus and method of employing self-assembled molecules to function as an electron injection layer of OLED | |
CN101894920A (zh) | 有机el发光元件以及显示装置 | |
JP2008117588A (ja) | 有機el素子、及び有機elパネルの製造方法 | |
KR100848150B1 (ko) | 유기 발광 표시 패널 및 그 제조방법 | |
JPH10125471A (ja) | El素子とその製造方法 | |
WO2012108363A1 (ja) | 坩堝、蒸着装置、蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 | |
CN101599538A (zh) | 有机el发光元件及其制造方法以及显示装置 | |
TWI358145B (en) | Apparatus for depositing organic thin film | |
JPH10162954A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2002324669A (ja) | 有機電界発光素子 | |
KR20110064716A (ko) | 열전사 공정에 이용되는 전사장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090427 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090630 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4338335 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120710 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130710 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140710 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |