CN102912316B - 沉积源组件和有机层沉积设备 - Google Patents

沉积源组件和有机层沉积设备 Download PDF

Info

Publication number
CN102912316B
CN102912316B CN201210272044.0A CN201210272044A CN102912316B CN 102912316 B CN102912316 B CN 102912316B CN 201210272044 A CN201210272044 A CN 201210272044A CN 102912316 B CN102912316 B CN 102912316B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sedimentary origin
sedimentary
organic layer
origin
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210272044.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102912316A (zh
Inventor
成沄澈
金茂显
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN102912316A publication Critical patent/CN102912316A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102912316B publication Critical patent/CN102912316B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供了一种沉积源组件、一种有机层沉积设备、一种通过利用所述有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法和一种利用所述制造有机发光显示装置的方法制造的有机发光显示装置。这里，所述有机层沉积设备包括沉积源组件。沉积源组件包括：第一沉积源，用于排放沉积材料；第二沉积源，堆叠在第一沉积源上，并且排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料；第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面，并且包括多个第二沉积源喷嘴；第一沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面，并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。

Description

沉积源组件和有机层沉积设备
本申请要求于2011年8月2日提交到韩国知识产权局的第10-2011-0076990号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被完全包含于此。
技术领域
本发明的一个或多个方面涉及一种沉积源组件、一种有机层沉积设备和一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法，更具体地讲，涉及一种可以简单地应用于大规模制造大尺寸显示装置并且提高了制造良率的有机层沉积设备以及一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示装置的方法。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置具有更大的视角、更好的对比度特性和更快的响应速度，因此作为下一代显示装置而备受关注。
有机发光显示设备通常具有包括阳极、阴极及设置在阳极和阴极之间的发射层的堆叠结构。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并由此发射光时，所述设备显示彩色图像。然而，仅采用这种结构难以实现高发光效率，因此可以在发射层和每个电极之间另外设置包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等的中间层。
然而，很难以精细图案形成诸如发射层和中间层的有机薄膜。另外，红色、绿色和蓝色的发光效率会根据发射层和中间层而改变。因此，很难通过利用相当的有机层沉积设备来执行大面积的有机薄膜的图案化。因此，制造具有满意的驱动电压、电流密度、亮度、色纯度、发光效率和寿命特性的大尺寸的有机发光显示设备受到限制。因此，急需解决这个图案化问题。
上面描述的背景技术是本申请的发明人为了获得本发明已经实现或者是在获得本发明的过程中已经实现的技术信息。因此，该背景技术不能被认为是在申请本发明之前已经对公众公开的背景技术。
发明内容
本发明的实施例的方面涉及一种沉积源组件、一种可以简单地应用于大规模生产大尺寸的显示装置并且提高制造良率和沉积效率的有机层沉积设备、以及一种通过利用该有机层沉积设备制造有机发光显示设备的方法。
根据本发明的实施例，提供了一种沉积源组件，所述沉积源组件包括：第一沉积源，用于排放沉积材料；第二沉积源，堆叠在第一沉积源上，第二沉积源用于排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料；第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面，并且包括多个第二沉积源喷嘴；第一沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面，并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。
可以从第一沉积源排放主体材料，可以从第二沉积源排放掺杂剂材料。
可以从第一沉积源排放掺杂剂材料，可以从第二沉积源排放主体材料。
包含在第一或第二沉积源中的主体材料的量可以大于包含另一个沉积源中的掺杂剂材料的量。
第二沉积源的温度可以保持为比第一沉积源的温度高。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对沉积目标的侧面按行布置并且可以交替布置。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对沉积目标的侧面按行布置，多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴可以同心地包括在多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
根据本发明的另一实施例，提供了一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备，所述有机层沉积设备包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的侧面并且包括多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，设置为面对沉积源喷嘴单元并且包括多个图案化缝隙。所述沉积源包括第一沉积源和堆叠在第一沉积源上的第二沉积源。沉积源喷嘴单元包括：第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对基底的侧面，第二沉积源喷嘴单元包括多个第二沉积源喷嘴；第一沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对基底的侧面，第一沉积源喷嘴单元包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。基底设置为与有机层沉积设备分开设定距离，以相对于有机层沉积设备运动。
可以从第一沉积源排放主体材料，可以从第二沉积源排放掺杂剂材料。
可以从第一沉积源排放掺杂剂材料，可以从第二沉积源排放主体材料。
包含在第一或第二沉积源中的主体材料的量可以大于包含另一个沉积源中的掺杂剂材料的量。
第二沉积源的温度可以保持为比第一沉积源的温度高。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对基底的侧面按行布置并且可以交替布置。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对基底的侧面按行布置，多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴可以同心地包括在多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
图案化缝隙片可以比基底小。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置。多个图案化缝隙可以沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片可以经由连接构件整体地形成为一体。
连接构件可以引导沉积材料的运动。
连接构件可以形成为密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置。多个图案化缝隙也可以沿着第一方向布置。所述有机层沉积设备还可以包括障碍板组件，所述障碍板组件包括在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间沿着第一方向设置的多个障碍板。多个障碍板将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的排放空间划分为多个子沉积空间。
多个障碍板可以沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸。
障碍板组件可以包括：第一障碍板组件，包括多个第一障碍板；第二障碍板组件，包括多个第二障碍板。
为了将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的沉积空间划分为多个子沉积空间，多个第一障碍板和多个第二障碍板可以沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸。
有机层沉积设备还可以包括室。多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置。图案化缝隙片可以与室的内侧固定地结合，多个图案化缝隙片可以沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
所述有机层沉积设备还可以包括第一传送单元，所述第一传送单元用于沿着第一方向移动固定有基底的静电吸盘。
第一传送单元可以包括：框架，沉积源设置在框架中；片支撑单元，形成为从框架的内侧表面突出并且支撑图案化缝隙片。
根据本发明的另一实施例，提供了一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：将有机层沉积设备设置为与作为沉积目标的基底分开设定距离。有机发光显示设备包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的侧面并且包括多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，设置为面对沉积源喷嘴单元并且包括多个图案化缝隙。所述沉积源包括第一沉积源和堆叠在第一沉积源上的第二沉积源。沉积源喷嘴单元包括第二沉积源喷嘴单元和第一沉积源喷嘴单元，第二沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的侧面，第二沉积源喷嘴单元包括多个第二沉积源喷嘴，第一沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的侧面，第一沉积源喷嘴单元包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。在有机层沉积设备或基底相对于另一个运动的同时在基底上沉积沉积材料。
可以从第一沉积源排放主体材料，可以从第二沉积源排放掺杂剂材料。
可以从第一沉积源排放掺杂剂材料，可以从第二沉积源排放主体材料。
包含在第一或第二沉积源中的主体材料的量大于包含在另一个沉积源中的掺杂剂材料的量。
第二沉积源的温度可以被保持为比第一沉积源的温度高。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对基底的侧面按行布置并且可以交替布置。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以在第二沉积源的面对基底的侧面按行布置，多个第一沉积源喷嘴中的每个可以同心地包括在多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
图案化缝隙片可以比基底小。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置，多个图案化缝隙片沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置。多个图案化缝隙可以沿着第一方向布置。所述有机层沉积设备还可以包括障碍板组件，所述障碍板组件包括设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间沿着第一方向设置的多个障碍板。多个障碍板将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的排放空间划分为多个子沉积空间。
有机层沉积设备还可以包括室。多个第一沉积源喷嘴和多个第二沉积源喷嘴可以沿着第一方向布置。图案化缝隙片可以与室的内侧固定地结合，多个图案化缝隙片可以沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
根据本发明的另一实施例，提供了一种利用有机层沉积设备制造的有机发光显示设备。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明实施例的沉积源组件的示意性切开透视图；
图2A和图2B是根据本发明实施例的图1中的沉积源组件的示意性侧面剖视图；
图3是示出根据本发明另一实施例的图1中的沉积源组件的操作的示意性剖视图；
图4是根据本发明另一实施例的沉积源组件的示意性切开透视图；
图5是图4中的沉积源组件的示意性侧面剖视图；
图6是示出根据本发明另一实施例的图4中的沉积源组件的操作的示意性剖视图；
图7是根据本发明实施例的包括在有机层沉积设备中的有机层沉积组件的示意性切开透视图；
图8是图7中的有机层沉积组件的示意性侧面剖视图；
图9是图7中的有机层沉积组件的示意性平面剖视图；
图10是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性切开透视图；
图11是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件的示意性切开透视图；
图12是根据本发明另一实施例的包括在有机层沉积设备中的有机层沉积组件和第一传送单元的示意性切开透视图；
图13是图12中的有机层沉积组件的示意性平面剖视图；
图14是根据本发明实施例的通过利用有机层沉积设备制造的有源矩阵有机发光显示设备的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例，从而本领域普通技术人员可以容易地实现本发明的示例性实施例。可以以各种形式实施本发明，因此本发明不限于这里提出的实施例。
图1是根据本发明实施例的沉积源组件201的示意性切开透视图。图2A是沿图1中的线I-I截取的侧面剖视图。图2B是沿图1中的线II-II截取的侧面剖视图。图3是示出根据本发明另一实施例的图1中的沉积源组件201的操作的示意性剖视图。
参照图1至图2B，沉积源组件201包括沉积源110和沉积源喷嘴单元120。
沉积源110可以包括第一沉积源110a和第二沉积源110b。第一沉积源110a和第二沉积源110b蒸发沉积材料115a和115b，从而分别在沉积目标(图3中示出的基底500)上形成薄膜。
具体地讲，第一沉积源110a可以包含主体材料作为沉积材料115a，第二沉积源110b可以包含掺杂剂材料作为沉积材料115b。由于主体材料115a和掺杂剂材料115b在不同的温度下蒸发，所以可以使用多个沉积源和多个喷嘴单元来共同地或同时沉积主体材料115a和掺杂剂材料115b。
主体材料115a的示例可以包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4′-双(2，2-二苯基-乙烯-1-基)-联苯(DPVBi)、4，4′-双[2，2-二(4-甲基苯基)-乙烯-1-基]联苯(p-DMDPVBi)、三(9，9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(BSDF)、2，7-二(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(TSDF)、二(9，9-二芳基芴)(BDAF)、4，4′-二[2-(4-叔丁基-苯基)-乙烯-1-基]联苯(p-TDPVBi)、1，3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4′-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4，4′-双(咔唑-9-基)-2，2′-二甲基联苯(CBDP)、2，7-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、2，7-双(咔唑-9-基)-9，9-双[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴(FL-4CBP)、2，7-双(咔唑-9-基)-9，9-二甲苯基-芴(DPFL-CBP)、9，9-双[4-(咔唑-9-基)-苯基]芴(FL-2CBP)等。
掺杂剂材料115b的示例可以包括4，4′-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、9，10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)等。
在当前实施例中，主体材料115a的量大于掺杂剂材料115b的量。尽管掺杂剂材料115b的含量可以根据用于形成薄膜的材料而改变，但是在按重量计100份的薄膜形成材料(主体材料115a和掺杂剂材料115b的总重量)中，可以包含按重量计大约3份至大约20份的掺杂剂材料115b。在一个实施例中，如果掺杂剂材料115b的含量超出上述范围，则有机发光显示设备的发光特性劣化。因此，包含主体材料115a的第一沉积源110a的尺寸大于包含掺杂剂材料115b的第二沉积源110b的尺寸。
第一沉积源110a和第二沉积源110b沿着竖直方向设置。换而言之，第二沉积源110b堆叠在第一沉积源110a上。图1至图2B示出了主体材料115a包含在第一沉积源110a中，但是本发明的方面不限于此，主体材料115a可以包含在第二沉积源110b中。然而，在这种情况下，与图1至图2B中不同，第二沉积源110b的尺寸应该大于第一沉积源110a的尺寸。
同样地，在另一实施例中，第一沉积源110a和第二沉积源110b按行水平设置，因此主体材料115a和掺杂剂材料115b没有均匀地沉积。换而言之，在其上将主体材料115a和掺杂剂材料115b排放为彼此叠置的区域小，具体地，这个区域的边缘可能仅被主体材料115a或掺杂剂材料115b涂覆，从而降低掺杂均匀性。然而，在图1至图2B示出的实施例中，由于第一沉积源110a和第二沉积源110b竖直设置在图1的沉积源110中，所以主体材料115a和掺杂剂材料115b可以均匀地排放到期望区域上，从而保证或保障掺杂均匀性。
具体地讲，第一沉积源110a包括填充有主体材料115a的坩埚112a以及加热坩埚112a以朝向坩埚112a的侧面(例如，上侧)(具体地，朝向沉积目标)蒸发主体材料115a的加热器113a。加热器113a包括在包裹或覆盖坩埚112a的冷却块111a中，冷却块111a保护或防止来自坩埚112a的热辐射到外部(例如，室(未示出))。类似地，第二沉积源110b包括填充有掺杂剂材料115b的坩埚112b以及加热坩埚112b以朝向坩埚112b的侧面(具体地，朝向沉积目标)蒸发掺杂剂材料115b的加热器113b。加热器113b包括在包裹或覆盖坩埚112b的冷却块111b中。
设置在第一沉积源110a上的第二沉积源110b保持在比第一沉积源110a的温度高的温度。换而言之，在相对高的温度下蒸发的材料包含在第二沉积源110b中，在相对低的温度下蒸发的材料包含在第二沉积源110b下方的第一沉积源110a中。这是因为第一沉积源110a的沉积源喷嘴形成为穿过第一沉积源110a上的第二沉积源110b。因此，当第二沉积源110b的温度低时，第一沉积源110a的沉积源喷嘴中的沉积材料会变成固体状态并且会阻挡沉积源喷嘴。因此，包括在第二沉积源110b中的加热器113b产生的热的强度应该比包括在第一沉积源110a中的加热器113a产生的热的强度高。
沉积源喷嘴单元120设置在第二沉积源110b的侧面，具体地讲，设置在第二沉积源110b的面对沉积目标(图3中的基底500)的侧面。具体地，由于第一沉积源110a设置在第二沉积源110b下方，所以包括多个第一沉积源喷嘴121a的第一沉积源喷嘴单元穿过第二沉积源110b，并且位于第二沉积源110b的侧面，具体地，位于第二沉积源110b的面对沉积目标的侧面。包括多个第二沉积源喷嘴121b的第二沉积源喷嘴单元也位于第二沉积源110b的所述侧面。沉积源喷嘴单元120包括多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b。多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b是包含在坩埚112a和112b中的主体材料115a和掺杂剂材料115b朝向沉积目标排放所经过的通道。因此，多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b形成为分别从第一沉积源110a和第二沉积源110b朝向沉积目标延伸。
在当前实施例中，多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b在第二沉积源110b的面对沉积目标的侧面按行布置。参照图2A和图2B，多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b交替地布置，从而主体材料115a和掺杂剂材料115b可以均匀地沉积在设定或预定的排放区域中。
通过上面描述的结构，主体材料115a和掺杂剂材料115b的混合比例在整个基底500中可以是恒定的，如图3中所示。如果通过利用以恒定混合比例混合的主体材料115a和掺杂剂材料115b的混合物来形成薄膜，则薄膜在色坐标、发光效率、驱动电压和寿命方面可以展现出改进的特性。
图4是根据本发明另一实施例的沉积源组件202的示意性切开透视图。图5是沿着图4中的线III-III截取的侧面剖视图。图6是根据本发明另一实施例的图4中的沉积源组件202的示意性剖视图。
参照图4至图6，除了包括在沉积源喷嘴单元120′中的多个喷嘴的形状和布置之外，沉积源110′具有与包括在图1的沉积源组件201中的沉积源110的结构相同的结构。换而言之，在图4的沉积源组件202中，多个第一沉积源喷嘴121a′和多个第二沉积源喷嘴121b′在第二沉积源110b′的面对沉积目标的侧面沿行布置，其中，第二沉积源110b′包括坩埚112b′和冷却块111b′。另外，参照图5，多个第一沉积源喷嘴121a′中的每个以同心的方式设置在多个第二沉积源喷嘴121b′之一中。参照图6，第一区域(在其上排放主体材料115a)和第二区域(在其上排放掺杂剂材料115b)大。因此，与利用图1的沉积源组件201时相比，利用沉积源组件202时可以将主体材料115a和掺杂剂材料115b更均匀地沉积。沉积源组件202的其它元件与图1的沉积源组件201的其它元件在它们的操作和结构方面相同或相似，因此不在这里描述。
下面描述根据本发明实施例的有机层沉积设备的有机层沉积组件。图7是根据本发明实施例的有机层沉积设备的有机层沉积组件100的示意性切开透视图。图8是图7中的有机层沉积组件的示意性侧面剖视图。图9是图7中的有机层沉积组件100的示意性平面剖视图。
有机层沉积组件100包括在有机层沉积设备的沉积单元(未示出)中。尽管未示出，但是沉积单元可以包括多个沉积室，多个有机层沉积组件100可以分别设置在多个沉积室中。有机层沉积组件100的总数可以根据沉积材料和沉积条件改变。每个沉积室在沉积工艺期间保持在真空状态。作为沉积目标的基底500可以固定在静电吸盘600上，然后与静电吸盘600一起被传送到沉积室。
参照图7至图9，有机层沉积组件100包括沉积源组件201、障碍板组件130和图案化缝隙片150。
尽管为了方便解释，在图7至图9中没有示出室，但是有机层沉积组件100的所有组件可以设置在保持在适当真空度的室中。为了使主体材料115a和掺杂剂材料115b穿过有机层沉积组件100沿着基本上直线运动，所述室保持在适当的真空。
在所述室中，作为沉积目标的基底500通过静电吸盘600传送。基底500可以为平板显示器的基底。用于制造多个平板显示器的诸如母玻璃的大基底可以用作基底500。也可以采用其它基底。
在当前实施例中，基底500可以相对于有机层沉积组件100运动。例如，如图7中所示，基底500可以相对于有机层沉积组件100沿着箭头A的方向运动。
在利用精细金属掩模(FMM)的相当的沉积方法中，FMM的尺寸必须大于或等于基底的尺寸。因此，FMM的尺寸必须随着基底变大而增加。然而，不能容易地制造大的FMM，也不能将FMM扩展为与精细图案精确地对准。
为了克服这个问题，在有机层沉积组件100中，可以在有机层沉积组件100或基底500相对于另一个运动的同时执行沉积。换而言之，可以在设置为例如面对有机层沉积组件100的基底500沿着Y轴方向运动的同时连续地执行沉积。换而言之，可以在基底500沿着图7中的箭头A的方向运动的同时以扫描方式执行沉积。尽管基底500被示出为在执行沉积时沿着图7中的Y轴方向运动，但是本发明的方面不限于此。例如，可以在有机层沉积组件100沿着Y轴方向运动而基底500固定时执行沉积。
因此，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，图案化缝隙片150可以明显地比在相当的沉积方法中使用的FMM小。即，在有机层沉积组件100中，在基底500沿着Y轴方向运动的同时，连续地执行沉积，即，以扫描的方式执行沉积。因此，只要图案化缝隙片150沿着X轴方向的宽度和基底500沿着X轴方向的宽度基本上彼此相等，图案化缝隙片150沿着Y轴方向的长度可以明显小于基底500的长度。然而，即使当图案化缝隙片150沿着X轴方向的宽度小于基底500沿着X轴方向的宽度，也可以在基底500或有机层沉积组件100相对于另一个运动的同时以扫描方式对整个基底500执行沉积。
如上所述，由于图案化缝隙片150可以形成为明显地比在相当的沉积方法中采用的FMM小，所以制造在本发明中使用的图案化缝隙片150相对容易。换而言之，与采用较大FMM的相当的沉积方法相比，采用比在传统沉积方法中采用的FMM小的图案化缝隙片150，在包括蚀刻和其它后续工艺(例如，精确扩展、焊接、移动和清洁工艺)的所有工艺中更方便。这对于相对大的显示设备来说更有利。
为了在如上所述有机层沉积组件100或基底500相对于另一个运动的同时执行沉积，有机层沉积组件100和基底500可以彼此分开设定或预定的距离。后面将对此进行详细描述。
包含并加热主体材料115a和掺杂剂材料115b的沉积源组件201设置在所述室的与设置有基底500的侧面相对的侧面。尽管图7中的有机层沉积组件100采用图1中示出的沉积源组件201，但是本发明的方面不限于此，可以采用图4中示出的沉积源组件202。
如上所述并且参照图12，沉积源110包括第一沉积源110a和设置在第一沉积源110a上的第二沉积源110b。第一沉积源110a包括填充有主体材料115a的坩埚112a和加热坩埚112a的加热器113a。第二沉积源110b包括填充有掺杂剂材料115b的坩埚112b和加热坩埚112b的加热器113b。为了顺利地排放主体材料115a和掺杂剂材料115b，位于第一沉积源110a上的第二沉积源110b的温度保持为高于第一沉积源110a的温度。尽管主体材料115a和掺杂剂材料115b中的每个可以包含在第一沉积源110a和第二沉积源110b中的任何一个中，但是主体材料115a的量应该大于掺杂剂材料115b的量，因此包含主体材料115a的沉积源的尺寸应该大于包含掺杂剂材料115b的沉积源的尺寸。
如上所述，沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧，具体地讲，设置在第二沉积源110b的面向基底500的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿着X轴方向布置的多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b。沉积源喷嘴单元120包括含有多个第一沉积源喷嘴121a的第一沉积源喷嘴单元和含有多个第二沉积源喷嘴121b的第二沉积源喷嘴单元。多个第一沉积源喷嘴121a穿过第二沉积源110b并且位于第二沉积源110b的一侧。多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b交替地设置。因此，主体材料115a和掺杂剂材料115b可以均匀地沉积在预定的排放区域上。
障碍板组件130设置在沉积源喷嘴单元120的侧面。障碍板组件130包括多个障碍板131以及覆盖障碍板131的侧面的障碍板框架132。多个障碍板131可以沿着X轴方向以相等的间隔彼此平行地布置。每个障碍板131可以布置为平行于图7中的YZ平面，并且可以具有矩形形状。如上所述布置的多个障碍板131将沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间的沉积空间划分为多个子沉积空间S。参照图9，在有机层沉积组件100中，沉积空间被障碍板131划分为分别对应于多对第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b的子沉积空间S，其中，主体材料115a和掺杂剂材料115b通过多对第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b排放。
障碍板131可以分别设置在相邻的成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b之间。换而言之，用于排放主体材料115a的多个第一沉积源喷嘴121a中的一个和用于排放掺杂剂材料115b的多个第二沉积源喷嘴121b中的一个在两个相邻的障碍板131之间设置为一组。成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b可以分别位于两个相邻的障碍板131之间的中点处。然而，本发明的方面不限于这种结构，多个成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b可以设置在两个相邻的障碍板131之间。在这种情况下，多个成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b也可以位于两个相邻的障碍板131之间的中点处。
如上所述，由于障碍板131将沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间的沉积空间划分为多个子沉积空间S，所以通过一对第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b排放的主体材料115a和掺杂剂材料151b没有与通过其它对第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b排放的主体材料115a和掺杂剂材料115b混合，并且穿过图案化缝隙151沉积在基底500上。换而言之，障碍板131将通过成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b排放的主体材料115a和掺杂剂材料115b引导为沿着Z轴方向直线运动，而不是沿着X轴方向流动。
如上所述，通过安装障碍板131，主体材料115a和掺杂剂材料115b被迫直线运动，从而与没有安装障碍板的情况相比，在基底500上可以形成较小的阴影区。因此，有机层沉积组件100和基底500可以彼此分开设定或预定的距离。稍后将对此进行详细描述。
图案化缝隙片150和框架155设置在沉积源110和基底500之间。框架155的形状可以类似于窗口框架。图案化缝隙片150约束在框架155内部。图案化缝隙片150包括沿着X轴方向布置的多个图案化缝隙151。图案化缝隙151沿着Y轴方向延伸。在沉积源110中蒸发并且穿过成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b的主体材料115a和掺杂剂材料115b朝向基底500穿过图案化缝隙151。
图案化缝隙片150可以由金属薄膜形成。图案化缝隙片150固定到框架155，从而对图案化缝隙片155施加张力。可以通过将图案化缝隙片150蚀刻为条形图案来形成图案化缝隙151。图案化缝隙151的数量可以等于将要在基底500上形成的沉积图案的数量。
障碍板组件130和图案化缝隙片150可以设置为彼此分隔开设定或预定的距离。可选地，障碍板组件130和图案化缝隙片150可以通过连接构件135连接。
如上所述，根据当前实施例的有机层沉积组件100在相对于基底500运动的同时执行沉积。为了使有机层沉积组件100相对于基底500运动，图案化缝隙片150设置为与基底500分隔开设定或预定距离。另外，为了防止(或保护以免)当图案化缝隙片150和基底500彼此分开设置时在基底500上形成相对大的阴影区域，在沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150之间布置障碍板131，以强迫主体材料115a和掺杂剂材料115b沿着直线方向运动。因此，可以急剧减小可能在基底500上形成的阴影区域的尺寸。
在利用FMM的相当的沉积方法中，为了防止(或保护以免)在基底上形成阴影区域，采用与基底紧密接触的FMM执行沉积。然而，当采用与基底紧密接触的FMM时，这种接触会引起缺陷，例如，在形成在基底上的图案上的划伤。另外，在相当的沉积方法中，因为掩模不能相对于基底运动，所以掩模的尺寸必须与基底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必须随着显示设备变大而增加。然而，不容易制造这种大掩模。
为了克服这个问题，在根据当前实施例的有机层沉积组件100中，图案化缝隙片150设置为与基底500分开设定或预定距离。这可以通过安装障碍板131来实现，以减小将要形成在基底500上的阴影区域的尺寸。
通过利用如上所述的有机层沉积设备可以形成诸如有机层的薄膜，以制造有机发光显示设备。下面参照图14对此进行详细描述。
图10是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件800的示意性切开透视图。参照图10，有机层沉积组件800包括沉积源组件201、第一障碍板组件830、第二障碍板组件840和图案化缝隙片850。沉积源组件201、第一障碍板组件830和图案化缝隙片850具有与如上参照图7描述的前述实施例中的元件相同的结构，因此这里将不提供对这些元件的详细描述。根据当前实施例的有机层沉积组件800与根据前面实施例的图7中的有机层沉积组件100的区别在于第二障碍板组件840设置在第一障碍板组件830的一侧。
具体地讲，第二障碍板组件840包括多个第二障碍板841以及覆盖多个第二障碍板841的侧面的第二障碍板框架842。多个第二障碍板841可以沿着X轴方向以相等的间隔彼此平行地布置。
另外，多个第二障碍板841中的每个可以形成为沿着图10中的YZ平面(即，垂直于X轴方向)延伸。
如上所述布置的多个第一障碍板831和多个第二障碍板841划分沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片850之间的沉积空间。换而言之，通过多个第一障碍板831和多个第二障碍板841将沉积空间划分为分别对应于成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b的子沉积空间，其中，主体材料115a和掺杂剂材料115b通过成对的第一沉积源喷嘴121a和第二沉积源喷嘴121b排放。
多个第二障碍板841可以设置为分别对应于多个第一障碍板831。换而言之，多个第二障碍板841可以分别相对于多个第一障碍板831对齐。即，每对对应的第一障碍板831和第二障碍板841可以位于相同的平面上。多个第一障碍板831和多个第二障碍板841分别示出为沿着X轴方向具有相同的厚度，但是本发明的方面不限于此。换而言之，需要与图案化缝隙851精确对准的第二障碍板841可以形成为相对薄，而不需要与图案化缝隙151精确对准的第一障碍板831可以形成为相对厚。这样使得有机层沉积组件800的制造更容易。
图11是根据本发明另一实施例的有机层沉积组件900的示意性分开透视图。参照图11，有机层沉积组件900包括沉积源组件201和图案化缝隙片950。
如上所述，参照图11，沉积源110包括第一沉积源110a和设置在第一沉积源110a上的第二沉积源110b。第一沉积源110a包括填充有主体材料115a的坩埚112a以及加热坩埚112a的加热器113a。第二沉积源110b包括填充有掺杂剂材料115b的坩埚112b以及加热坩埚112b的加热器113b。为了顺利地排放主体材料115a和掺杂剂材料115b，位于第一沉积源110a上的第二沉积源110b的温度保持为高于第一沉积源110a的温度。尽管主体材料115a和掺杂剂材料115b中的每个可以包含在第一沉积源110a和第二沉积源110b中的任何一个中，但是主体材料115a的量应该大于掺杂剂材料115b的量，因此包含主体材料115a的沉积源的尺寸应该大于包含掺杂剂材料115b的沉积源的尺寸。
如上所述，沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧，具体地讲，设置在第二沉积源110b的面向基底500的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿着X轴方向布置的多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b。沉积源喷嘴单元120包括含有多个第一沉积源喷嘴121a的第一沉积源喷嘴单元和含有多个第二沉积源喷嘴121b的第二沉积源喷嘴单元。多个第一沉积源喷嘴121a穿过第二沉积源110b并且位于第二沉积源110b的一侧。多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b交替地设置。因此，主体材料115a和掺杂剂材料115b可以均匀地沉积在设定或预定的排放区域上。
图案化缝隙片950和框架955进一步设置在沉积源110和基底500之间。图案化缝隙片950包括沿着X轴方向布置的多个图案化缝隙951。沉积源110和沉积源喷嘴单元120经过连接构件935与图案化缝隙片950结合。也就是说，沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片950可以经由连接构件935整体地形成为一体。连接构件935被构造为引导沉积材料的运动。另外，连接构件935可以形成为密封沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片950之间的空间。
当前实施例与前述实施例在包括在沉积源喷嘴单元120中的多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b的布置方面有所不同。下面对此进行详细描述。
沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的侧面，具体地讲，设置在沉积源110的面对基底500的侧面。沉积源喷嘴单元120包括沿着Y轴方向(即，基底500的扫描方向)的多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b。
如上所述，当沿着Y轴方向(即，基底500的扫描方向)在沉积源喷嘴单元120上形成多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b时，由通过图案化缝隙片950的多个图案化缝隙951中的每个排放的主体材料115a和掺杂剂材料115b形成的图案的尺寸受多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b中的一个的尺寸影响(因为沿着X轴方向只有一行多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b)。因此，在基底500上不会形成阴影区域。另外，由于多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b沿着基底500的扫描方向布置，所以即使多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b之间的流量存在差别，也可以补偿这种差别，并且可以一直保持沉积均匀性。另外，有机层沉积组件900不包括在诸如图7中示出的障碍板组件，沉积材料不沉积在障碍板组件上，从而提高了主体材料115a和掺杂剂材料115b的利用效率。
图12是根据本发明实施例的包括在有机层沉积设备中的有机层沉积组件1100和第一传送单元610的示意性分开透视图。图13是图12中的有机层沉积设备的示意性分开平面图。在图13中，为了便于解释，没有示出第一室。
参照图12和图13，有机层沉积设备包括第一传送单元610和沉积单元730的有机层沉积组件1100。第一传送单元610被构造为将固定有基底500的静电吸盘600朝向沉积单元730移动。
具体地讲，有机层沉积组件1100包括沉积源组件201和图案化缝隙片150。
如上所述，参照图12，沉积源110包括第一沉积源110a和设置在第一沉积源110a上的第二沉积源110b。第一沉积源110a包括填充有主体材料115a的坩埚112a以及加热坩埚112a的加热器113a。第二沉积源110b包括填充有掺杂剂材料115b的坩埚112b以及加热坩埚112b的加热器113b。为了顺利地排放主体材料115a和掺杂剂材料115b，位于第一沉积源110a上的第二沉积源110b的温度保持为高于第一沉积源110a的温度。尽管主体材料115a和掺杂剂材料115b中的每个可以包含在第一沉积源110a和第二沉积源110b中的任何一个中，但是主体材料115a的量应该大于掺杂剂材料115b的量，因此包含主体材料115a的沉积源的尺寸应该大于包含掺杂剂材料115b的沉积源的尺寸。
如上所述，沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧，具体地讲，设置在第二沉积源110b的面向基底500的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿着X轴方向布置的多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b。沉积源喷嘴单元120包括含有多个第一沉积源喷嘴121a的第一沉积源喷嘴单元和含有多个第二沉积源喷嘴121b的第二沉积源喷嘴单元。多个第一沉积源喷嘴121a穿过第二沉积源110b并且位于第二沉积源110b的一侧。多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b交替地设置。因此，主体材料115a和掺杂剂材料115b可以均匀地沉积在设定或预定的排放区域上。
图案化缝隙片150和框架155进一步设置在沉积源110和基底500之间。图案化缝隙片150包括沿着X轴方向布置的多个图案化缝隙151。当前实施例与前述实施例的不同之处在于沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150不是集成在一个单元中，但是分开地包括在沉积单元730中。下面将对此进行详细描述。
现在将详细描述第一传送单元610。第一传送单元610使得固定有基底500的静电吸盘600移动。第一传送单元610包括：框架611，包括下板613和上板617；片支撑单元615，设置在框架611中；引导支撑单元621，设置在框架611上；一对引导轨623，设置在引导支撑单元621上；多个引导块625，设置在一对引导轨623上。
具体地讲，框架611形成第一传送单元610的基础，并且形成为中空的盒子形状。下板613形成框架611的下表面，沉积源110可以设置在下板613上。上板617形成框架611的上表面，并且可以具有开口617a，从而在沉积源110中蒸发的主体材料115a和掺杂剂材料115b可以穿过图案化缝隙片150，然后沉积在基底500上。框架611的元件可以单独地制造然后彼此结合，或者可以制造为集成在一个单元中。
尽管未示出，但是其上设置有沉积源110的下板613形成为卡式(cassette)形状，从而可以从框架611中取出下板613。因此，可以用另一沉积源容易地更换沉积源110。
片支撑单元615可以从框架611的内侧表面突出，并且可以支撑图案化缝隙片150。片支撑单元615可以将通过多个第一沉积源喷嘴121a和多个第二沉积源喷嘴121b排放的主体材料115a和掺杂剂材料115b引导为直线运动，而不是沿着X轴方向流动。
如上所述，在当前的实施例中，在静电吸盘600(固定有基底500)在室内直线运动的同时执行沉积。在一种情况下，可以使用通常用来传送目标的棍子或传送器。另外，可以使用包括引导轨和引导块的如图12和图13中示出的线性运动(LM)系统来精确地传送基底500。
具体地讲，位于上板617上的引导支撑单元621以及位于引导支撑单元621上的一对引导轨623安装为穿过沉积单元730的第一室。
引导支撑单元621的上部具有基本平面的形状，一对引导轨623设置在引导支撑单元621上。一对引导块625分别与一对引导轨623接合，从而一对引导块625可以沿着一对引导轨623进行往复运动。
一对引导块625中的每个可以包括驱动器(未示出)。驱动器沿着引导轨623移动引导块625，并且可以产生并向引导块625施加驱动力，或者可以从单独的驱动源接收驱动力然后将驱动力施加到引导块625。
一对LM轨可以用作一对引导轨623，并且一对LM块可以用作一对引导块625，从而形成LM系统。与相当的滑动引导系统相比，由于LM系统具有低摩擦系数并且几乎不导致定位误差发生，所以LM系统是提供非常高的定位精确度的传送系统。在本说明书中，不提供对LM系统的详细描述。
如上所述，根据本发明的实施例，掩模形成为比基底小，并且在掩模相对于基底运动的同时执行沉积。因此，可以容易地制造掩模。另外，可以减少或防止在相当的沉积方法中发生的由于基底和掩模之间的接触导致的缺陷。另外，由于在沉积工艺期间不必将掩模设置为与基底紧密接触，所以可以缩短制造时间。
另外，构成有机层沉积组件1100的沉积源组件201和图案化缝隙片150不是一体的一个单元，而是分开地包括在沉积单元730中。因此，沉积源110可以容易地附于有机层沉积组件1100并且可以容易地从有机层沉积组件1100拆下，从而用主体材料115a和掺杂剂材料115b填充沉积源110。另外，图案化缝隙片150可以容易地附于有机层沉积组件1100并且容易地从有机层沉积组件1100拆下，以清洁图案化缝隙片150或用另外的图案化缝隙片更换图案化缝隙片150。
图14是根据本发明实施例的利用有机层沉积设备制造的有源矩阵有机发光显示设备10的剖视图。参照图14，有源矩阵有机发光显示设备10形成在图7、图10、图11或图12的基底500上。基底500可以由透明材料(例如，玻璃、塑料)或金属形成。绝缘层31(例如，缓冲层)形成在基底500的整个表面上。
参照图14，薄膜晶体管(TFT)40、电容器50和有机发光二极管(OLED)60设置在绝缘层31上。
半导体有源层41以预定的图案形成在绝缘层31上。栅极绝缘层32形成为覆盖半导体有源层41。半导体有源层41可以包括p型或n型半导体材料。
电容器50的第一电容器电极51形成在栅极绝缘层32的区域上，TFT40的栅极42形成在栅极绝缘层32的与半导体有源层41对应的另一区域上。层间绝缘层33形成为覆盖第一电容器电极51和栅极42。然后，栅极绝缘层32和层间绝缘层33通过例如干蚀刻而被蚀刻，以形成用于暴露半导体有源层41的部分的接触孔。
然后，电容器50的第二电容器电极52和源极/漏极43形成在层间绝缘层33上。源极/漏极43形成在层间绝缘层33上，以接触通过接触孔暴露的半导体有源层41。钝化层34形成为覆盖源极/漏极43，并且被蚀刻为暴露漏极43的一部分。还可以在钝化层34上形成另外的绝缘层(未示出)，从而使钝化层34平坦化。
当电流流过OLED60时，OLED60通过发射红光、绿光或蓝光来显示设定或预定的图像信息。OLED60包括设置在钝化层34上的第一电极61。第一电极61电连接到TFT40的漏极43。
像素限定层35形成为覆盖第一电极61。在像素限定层35中形成开口，然后在由开口限定的区域中形成包括发射层在内的有机层63。第二电极62形成在有机层63上。
限定各个像素的像素限定层35由有机材料形成。像素限定层35使基底500的形成有第一电极61的区域的表面平坦化，具体地讲，使钝化层34的表面平坦化。
第一电极61和第二电极62彼此绝缘，并且分别对有机层63施加相反极性的电压，以诱导发光。
有机层63可以由低分子量有机材料或高分子量有机材料形成。如果采用低分子量有机材料，则有机层63可以具有包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一个的单层或多层结构。可用的有机材料的示例可以包括铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。
在形成有机层63之后，可以根据与用来形成有机层63的沉积方法相同的方法来形成第二电极62。
第一电极61可以用作阳极，第二电极62可以用作阴极，反之亦然。第一电极61可以被图案化，以与单个像素区域对应，第二电极62可以形成为覆盖所有的像素。
第一电极61可以形成为透明电极或反射电极。透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)形成。反射电极可以通过由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)和/或它们的混合物形成反射层然后在反射层上由ITO、IZO、ZnO和/或In2O3形成透明电极层来形成。可以通过例如溅射形成层然后例如通过光刻将该层图案化来形成第一电极61。
第二电极62也可以形成为透明电极或反射电极。当第二电极62形成为透明电极时，第二电极62用作阴极。可以通过在有机层63的表面上沉积具有低功函数的金属(例如，锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的混合物)并且在其上由ITO、IZO、ZnO、In2O3等形成辅助电极层或汇流电极线来形成透明电极。当第二电极62形成为反射电极时，可以通过在有机层63上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物来形成反射层。第二电极62可以根据用来形成有机层63的沉积方法相同的方法来形成。
根据本发明上述实施例的有机层沉积设备可以用于形成有机TFT的有机层或无机层，并且用来由各种材料形成层。
在图7至图13的实施例中，采用了图1中的沉积源组件201，但是可以采用图4中的沉积源组件202来代替沉积源组件201。在这种情况下，在图7至图10的有机层沉积组件100和800的每个中，每个障碍板131(或831)可以设置在两个相邻的沉积源喷嘴单元之间，每个沉积源喷嘴单元包括多个第一沉积源喷嘴121a′中的一个和多个第二沉积源喷嘴121b′中的一个。换而言之，以同中心的方式包括在对应的第二沉积源喷嘴121b′中的多个第一沉积源喷嘴121a′中的每个可以设置在两个相邻的障碍板131之间。
如上所述，根据本发明的实施例，可以容易地制造有机层沉积设备，并且可以将有机层沉积设备简单地应用于大规模制造大尺寸的显示装置，并且可以通过使用有机层沉积设备来制造有机发光显示设备。有机层沉积设备可以提高制造良率和沉积效率。
尽管已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对此进行形式和细节上的各种改变。

Claims (39)

1.一种沉积源组件，所述沉积源组件包括：
第一沉积源，用于排放沉积材料；
第二沉积源，堆叠在第一沉积源上，第二沉积源用于排放与第一沉积源排放的沉积材料不同的沉积材料；
第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的侧面，并且包括多个第二沉积源喷嘴；
第一沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面，并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴。
2.根据权利要求1所述的沉积源组件，其中，第一沉积源被构造为排放主体材料，第二沉积源被构造为排放掺杂剂材料。
3.根据权利要求2所述的沉积源组件，其中，包含在第一沉积源中的主体材料的量大于包含在第二沉积源中的掺杂剂材料的量。
4.根据权利要求1所述的沉积源组件，其中，第一沉积源被构造为排放掺杂剂材料，第二沉积源被构造为排放主体材料。
5.根据权利要求4所述的沉积源组件，其中，包含在第二沉积源中的主体材料的量大于包含在第一沉积源中的掺杂剂材料的量。
6.根据权利要求1所述的沉积源组件，其中，第二沉积源被构造为保持在比第一沉积源的温度高的温度。
7.根据权利要求1所述的沉积源组件，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面按行布置并且交替布置。
8.根据权利要求1所述的沉积源组件，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对沉积目标的所述侧面按行布置，所述多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴以同心的方式包括在所述多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
9.一种用于在基底上形成有机层的有机层沉积设备，所述有机层沉积设备包括：
沉积源，用于排放沉积材料；
沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的侧面；
图案化缝隙片，设置为面对沉积源喷嘴单元、比基底小并且具有多个图案化缝隙，
其中，沉积源包括第一沉积源和堆叠在第一沉积源上的第二沉积源，
其中，沉积源喷嘴单元包括第一沉积源喷嘴单元和第二沉积源喷嘴单元，第二沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的侧面并且包括多个第二沉积源喷嘴，第一沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的所述侧面，并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴，
其中，有机层沉积设备设置为与基底分开设定距离，
其中，基底或有机层沉积设备被构造为相对于另一个运动。
10.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，第一沉积源被构造为排放主体材料，第二沉积源被构造为排放掺杂剂材料。
11.根据权利要求10所述的有机层沉积设备，其中，包含在第一沉积源中的主体材料的量大于包含在第二沉积源中的掺杂剂材料的量。
12.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，第一沉积源被构造为排放掺杂剂材料，第二沉积源被构造为排放主体材料。
13.根据权利要求12所述的有机层沉积设备，其中，包含在第二沉积源中的主体材料的量大于包含在第一沉积源中的掺杂剂材料的量。
14.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，第二沉积源被构造为保持在比第一沉积源的温度高的温度。
15.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置并且交替布置。
16.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置，所述多个第一沉积源喷嘴中的每个第一沉积源喷嘴以同心的方式包括在所述多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
17.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置，所述多个图案化缝隙沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
18.根据权利要求17所述的有机层沉积设备，其中，沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片经由连接构件整体地形成一体。
19.根据权利要求18所述的有机层沉积设备，其中，连接构件被构造为引导沉积材料的运动。
20.根据权利要求19所述的有机层沉积设备，其中，连接构件形成为密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间。
21.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置，
所述多个图案化缝隙沿着第一方向布置，
所述有机层沉积设备还包括障碍板组件，所述障碍板组件包括在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间沿着第一方向设置的多个障碍板，所述多个障碍板将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的排放空间划分为多个子沉积空间。
22.根据权利要求21所述的有机层沉积设备，其中，所述多个障碍板沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸。
23.根据权利要求21所述的有机层沉积设备，其中，障碍板组件包括：
第一障碍板组件，包括多个第一障碍板；
第二障碍板组件，包括多个第二障碍板。
24.根据权利要求23所述的有机层沉积设备，其中，所述多个第一障碍板和所述多个第二障碍板沿着与第一方向基本垂直的第二方向延伸，以将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的沉积空间划分为多个子沉积空间。
25.根据权利要求9所述的有机层沉积设备，其中，有机层沉积设备还包括室，
所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置，
图案化缝隙片与室的内侧固定地结合，
所述多个图案化缝隙沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
26.根据权利要求25所述的有机层沉积设备，所述有机层沉积设备还包括第一传送单元，所述第一传送单元用于沿着第一方向移动固定有基底的静电吸盘。
27.根据权利要求26所述的有机层沉积设备，其中，第一传送单元包括：
框架，沉积源设置在框架中；
片支撑单元，形成为从框架的内侧表面突出并且支撑图案化缝隙片。
28.一种制造有机发光显示设备的方法，所述方法包括：
将有机层沉积设备设置为与作为沉积目标的基底分开设定距离，其中，有机发光显示设备包括：沉积源，用于排放沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的侧面；图案化缝隙片，设置为面对沉积源喷嘴单元、比基底小并且具有多个图案化缝隙，其中，所述沉积源包括第一沉积源和堆叠在第一沉积源上的第二沉积源，其中，沉积源喷嘴单元包括第一沉积源喷嘴单元和第二沉积源喷嘴单元，第二沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的侧面并且包括多个第二沉积源喷嘴，第一沉积源喷嘴单元设置在第二沉积源的面对基底的所述侧面，并且包括形成为穿过第二沉积源的多个第一沉积源喷嘴；
在有机层沉积设备或基底相对于另一个运动的同时在基底上沉积沉积材料。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，从第一沉积源排放主体材料，从第二沉积源排放掺杂剂材料。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，包含在第一沉积源中的主体材料的量大于包含在第二沉积源中的掺杂剂材料的量。
31.根据权利要求28所述的方法，其中，从第一沉积源排放掺杂剂材料，从第二沉积源排放主体材料。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，包含在第二沉积源中的主体材料的量大于包含在第一沉积源中的掺杂剂材料的量。
33.根据权利要求28所述的方法，其中，第二沉积源的温度被保持为比第一沉积源的温度高。
34.根据权利要求28所述的方法，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置并且交替布置。
35.根据权利要求28所述的方法，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴在第二沉积源的面对基底的所述侧面按行布置，所述多个第一沉积源喷嘴中的每个以同心的方式包括在所述多个第二沉积源喷嘴中的对应的第二沉积源喷嘴中。
36.根据权利要求28所述的方法，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置，所述多个图案化缝隙沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
37.根据权利要求28所述的方法，其中，所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴沿着第一方向布置，
所述多个图案化缝隙沿着第一方向布置，
所述有机层沉积设备还包括障碍板组件，所述障碍板组件包括在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间沿着第一方向设置的多个障碍板，所述多个障碍板将沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的排放空间划分为多个子沉积空间。
38.根据权利要求28所述的方法，其中，有机层沉积设备还包括室，
所述多个沉积源喷嘴沿着第一方向布置，
图案化缝隙片与室的内侧固定地结合，
所述多个图案化缝隙沿着与第一方向垂直的第二方向布置。
39.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备利用根据权利要求9所述的有机层沉积设备制造。
CN201210272044.0A 2011-08-02 2012-08-01 沉积源组件和有机层沉积设备 Active CN102912316B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110076990A KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2011-08-02 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR10-2011-0076990 2011-08-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102912316A CN102912316A (zh) 2013-02-06
CN102912316B true CN102912316B (zh) 2016-05-11

Family

ID=47610886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210272044.0A Active CN102912316B (zh) 2011-08-02 2012-08-01 沉积源组件和有机层沉积设备

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9206501B2 (zh)
JP (1) JP6034607B2 (zh)
KR (1) KR20130015144A (zh)
CN (1) CN102912316B (zh)
TW (1) TWI563105B (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) * 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR101942471B1 (ko) * 2012-06-15 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
TWI612689B (zh) * 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102098619B1 (ko) * 2013-05-31 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치
CN103681488A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法，显示装置
KR102654923B1 (ko) * 2016-01-18 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US9812665B2 (en) * 2015-09-02 2017-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus, and apparatus and method of manufacturing the same
CN105483620B (zh) * 2015-11-27 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 喷嘴部件、蒸镀装置及制作有机发光二极管器件的方法
KR102524502B1 (ko) * 2016-02-24 2023-04-24 주성엔지니어링(주) 원료 처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와, 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102488260B1 (ko) * 2016-03-07 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN107058973A (zh) * 2017-03-10 2017-08-18 常州大学 大面积钙钛矿薄膜的制备设备
KR102120265B1 (ko) * 2018-06-12 2020-06-08 셀로코아이엔티 주식회사 표시장치용 증착장비 및 이를 포함하는 제조시스템
KR102702138B1 (ko) 2018-10-22 2024-09-04 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
DE102021119435A1 (de) 2021-07-27 2023-02-02 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Dampfverteilungsvorrichtung und Verdampfungsvorrichtung
KR20240098261A (ko) * 2022-12-20 2024-06-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101997092A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备和制造有机发光显示装置的方法

Family Cites Families (142)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH0598425A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
FR2695943B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel Procédé de dépôt en phase vapeur d'un film en verre fluoré sur un substrat.
KR970054303A (ko) 1995-12-27 1997-07-31 김광호 Ccd 고체촬상소자의 제조방법
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
KR20000019254A (ko) 1998-09-08 2000-04-06 석창길 화학 기상 증착 장치의 박막 두께 균일도 개선을 위한 장치
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法と装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
WO2001030404A1 (en) 1999-10-29 2001-05-03 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
KR100726132B1 (ko) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
KR100698033B1 (ko) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조 방법
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US6955726B2 (en) 2002-06-03 2005-10-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and mask frame assembly for evaporation
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004091858A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
TWI252706B (en) 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004107764A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100532657B1 (ko) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의증착을 위한 증발 영역조절장치
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3915734B2 (ja) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP2004349101A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100517255B1 (ko) 2003-06-20 2005-09-27 주식회사 야스 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
KR100656845B1 (ko) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
EP2381011B1 (en) 2003-08-04 2012-12-05 LG Display Co., Ltd. Evaporation source for evaporating an organic electroluminescent layer
US20050056535A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Makoto Nagashima Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
KR20050028943A (ko) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
US7339139B2 (en) 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
KR20050039140A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 바라트론 센서
KR100520159B1 (ko) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 다중 안테나를 사용하는 직교주파수분할다중 시스템에서간섭신호 제거 장치 및 방법
KR200342433Y1 (ko) 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 고압 분사형 유기물 증착 도가니
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
JP4366226B2 (ja) 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP2005293968A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
JP4455937B2 (ja) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP4545504B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
EP1802177A4 (en) 2004-09-08 2010-04-14 Toray Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
KR101070539B1 (ko) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 증착 마스크 및 이를 사용한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
KR100600357B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템용 증착원의 구동축 밀폐장치 및 이를 구비한증착시스템
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR101200693B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-12 김명희 대면적 유기박막 제작용 선형 다점 도가니 장치
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
JP4440837B2 (ja) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100703427B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
KR100719314B1 (ko) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 기판 상에 유기 박막을 증착하는 장치
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 건식세정시스템
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
JP4767000B2 (ja) * 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
KR20070084973A (ko) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR20070098122A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
KR100980729B1 (ko) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
JP4971723B2 (ja) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機発光表示装置の製造方法
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
JP5063969B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR100839380B1 (ko) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
JP4909152B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP4974832B2 (ja) 2007-09-10 2012-07-11 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置
EP2190264A4 (en) 2007-09-10 2011-11-23 Ulvac Inc EXPANSION UNIT
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Ｓｏｉ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
KR100790718B1 (ko) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
JP5046882B2 (ja) 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 インライン式成膜装置
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR101108151B1 (ko) 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치
KR101084168B1 (ko) 2009-06-12 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101074790B1 (ko) 2009-05-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
JP5620146B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
KR20100130786A (ko) 2009-06-04 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101174877B1 (ko) 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101997092A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 三星移动显示器株式会社 薄膜沉积设备和制造有机发光显示装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201307591A (zh) 2013-02-16
JP6034607B2 (ja) 2016-11-30
US20130032829A1 (en) 2013-02-07
US9206501B2 (en) 2015-12-08
CN102912316A (zh) 2013-02-06
KR20130015144A (ko) 2013-02-13
TWI563105B (en) 2016-12-21
JP2013032587A (ja) 2013-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102912316B (zh) 沉积源组件和有机层沉积设备
US9660191B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN102867924B (zh) 有机层沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN102286727B (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
CN102127748B (zh) 薄膜沉积设备
TWI471432B (zh) 薄膜沉積設備及使用其製造有機發光顯示裝置之方法
CN102169968B (zh) 薄膜沉积设备、有机发光显示装置及其制造方法
CN103474447B (zh) 薄膜沉积设备、制造有机发光显示装置的方法及显示装置
JP4959961B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
CN103340013B (zh) 蒸镀装置和蒸镀方法
US8871542B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
CN102195007B (zh) 薄膜沉积装置
US9018647B2 (en) Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8859043B2 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
WO2011148750A1 (ja) 蒸着マスク及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法と製造装置
CN103255371A (zh) 有机层沉积设备和利用其制造有机发光显示设备的方法
WO2012086456A1 (ja) 蒸着方法、蒸着装置、及び有機ｅｌ表示装置
CN103210113A (zh) 蒸镀装置、蒸镀方法和有机el显示装置
JP6199967B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2018120362A1 (zh) Oled基板及其制作方法
CN103189542A (zh) 蒸镀方法、蒸镀装置和有机el显示装置
JP6042988B2 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPWO2012086480A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4338335B2 (ja) 真空蒸着装置
KR101642991B1 (ko) 열전사 공정에 이용되는 전사장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant