WO2011148750A1 - 蒸着マスク及びこれを用いた有機el素子の製造方法と製造装置 - Google Patents

蒸着マスク及びこれを用いた有機el素子の製造方法と製造装置 Download PDF

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WO2011148750A1
WO2011148750A1 PCT/JP2011/060150 JP2011060150W WO2011148750A1 WO 2011148750 A1 WO2011148750 A1 WO 2011148750A1 JP 2011060150 W JP2011060150 W JP 2011060150W WO 2011148750 A1 WO2011148750 A1 WO 2011148750A1
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vapor deposition
opening
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mask
substrate
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井上智
川戸伸一
林信弘
園田通
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シャープ株式会社
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing an organic EL element that can be used for an organic EL (Electro Luminescence) display, for example. Moreover, this invention relates to the vapor deposition mask which can be preferably used for manufacture of an organic EL element.
  • a thin-film organic EL element is provided on a substrate on which a TFT (thin film transistor) is provided.
  • TFT thin film transistor
  • an organic EL layer including red (R), green (G), and blue (B) light emitting layers is laminated between a pair of electrodes.
  • a TFT is connected to one of the pair of electrodes.
  • An image is displayed by applying a voltage between the pair of electrodes to cause each light emitting layer to emit light.
  • an organic EL element In order to manufacture an organic EL element, it is necessary to form a light emitting layer made of an organic light emitting material that emits light of each color in a predetermined pattern.
  • a vacuum deposition method for example, a vacuum deposition method, an ink jet method, and a laser transfer method are known.
  • a vacuum evaporation method is often used in a low molecular organic EL display (OLED).
  • a mask also referred to as a shadow mask in which openings having a predetermined pattern are formed is used.
  • the deposition surface of the substrate to which the mask is closely fixed is opposed to the deposition source.
  • vapor deposition particles film forming material from the vapor deposition source are vapor deposited on the vapor deposition surface through the opening of the mask, thereby forming a thin film having a predetermined pattern.
  • Vapor deposition is performed for each color of the light emitting layer (this is called “separate vapor deposition”).
  • Patent Documents 1 and 2 describe a method in which a mask is sequentially moved with respect to a substrate to perform separate deposition of light emitting layers of respective colors.
  • a mask having a size equivalent to that of the substrate is used, and the mask is fixed so as to cover the deposition surface of the substrate during vapor deposition.
  • the mask and the frame for holding it become huge and its weight increases, which makes it difficult to handle and may hinder productivity and safety.
  • the vapor deposition apparatus and its accompanying apparatus are similarly enlarged and complicated, the apparatus design becomes difficult and the installation cost becomes high.
  • the vapor deposition particles are generally discharged from a plurality of vapor deposition source openings in order to uniformly reach the vapor deposition particles on the deposition surface of the large substrate.
  • the vapor deposition particles flying from various directions enter the opening of the mask.
  • vapor deposition particles adhere to the inner peripheral surface of the opening, the opening size gradually decreases, and finally the opening is clogged. In order to prevent this, it is necessary to frequently replace or clean the mask, which reduces the throughput in mass production.
  • An object of the present invention is to provide a vapor deposition mask in which the opening size is reduced or clogged due to adhesion of vapor deposition particles. Moreover, the objective of this invention is providing the manufacturing method and manufacturing apparatus of an organic EL element which can manufacture an organic EL element efficiently on a large sized substrate.
  • the vapor deposition mask of the present invention is a vapor deposition mask for forming vapor-deposited particles on a substrate to form a film having a predetermined pattern on the substrate.
  • the vapor deposition mask has a plurality of mask openings through which the vapor deposition particles pass.
  • the vapor deposition mask includes a first layer, a second layer, and a third layer in this order.
  • a plurality of first openings, a plurality of second openings, and a plurality of third openings are formed in the first layer, the second layer, and the third layer, respectively.
  • the first opening, the second opening, and the third opening communicate with each other to form the mask opening.
  • the opening dimension of the second opening is larger than both the opening dimension of the first opening and the opening dimension of the third opening.
  • the method for producing an organic EL element of the present invention is a method for producing an organic EL element having a film with a predetermined pattern on a substrate, and includes a vapor deposition step in which vapor deposition particles are deposited on the substrate to form the film.
  • the vapor deposition step uses a vapor deposition unit including a vapor deposition source having a vapor deposition source opening that emits the vapor deposition particles, and a vapor deposition mask disposed between the vapor deposition source opening and the substrate, In a state where the deposition mask is spaced apart from the deposition mask by a predetermined distance, one of the substrate and the deposition unit is moved relative to the other while passing through a plurality of mask openings formed in the deposition mask. It is a step of attaching the vapor deposition particles to the substrate.
  • the vapor deposition mask of the present invention is used as the vapor deposition mask.
  • the organic EL element manufacturing apparatus of the present invention is an organic EL element manufacturing apparatus having a film with a predetermined pattern on a substrate, and a vapor deposition source having a vapor deposition source opening for emitting vapor deposition particles for forming the film. And a deposition unit having a deposition mask disposed between the deposition source opening and the substrate, and the substrate and the deposition unit are spaced apart from each other by a predetermined interval. And a moving mechanism for moving one of them relative to the other. And the said vapor deposition mask is said vapor deposition mask of this invention, It is characterized by the above-mentioned.
  • the first opening of the first layer, the second opening of the second layer, and the third opening of the third layer communicate with each other to form a mask opening, and the second opening includes the first opening and the third opening.
  • the opening size is larger than the opening. Therefore, even if vapor deposition particles adhere to the inner peripheral surface of the second opening, the effective opening size of the mask opening hardly changes and the occurrence of clogging can be prevented.
  • the emission angle of the vapor deposition particles passing through the mask opening can be limited. If this vapor deposition mask is applied to a new vapor deposition method (details will be described later) in which vapor deposition is performed through the vapor deposition mask while moving one of the substrate and the vapor deposition unit relative to the other, coating on a large substrate is performed. Separate vapor deposition can be performed efficiently.
  • the manufacturing method and manufacturing apparatus of the organic EL element of the present invention uses the new evaporation method, an evaporation mask smaller than the substrate can be used. Accordingly, it is possible to perform separate deposition on a large substrate.
  • the manufacturing method and manufacturing apparatus of the organic EL element of the present invention uses the above-described vapor deposition mask of the present invention as the vapor deposition mask, the opening size of the mask opening may be reduced or the mask opening may be clogged. Is reduced, and an organic EL element can be efficiently manufactured.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of pixels constituting the organic EL display shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is a flowchart showing the manufacturing process of the organic EL display in the order of steps.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the basic concept of the new vapor deposition method. 6 is a cross-sectional view of the vapor deposition apparatus shown in FIG. 5 on a plane perpendicular to the traveling direction of the substrate.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of pixels constituting the organic EL display shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display along the line III-III
  • FIG. 7 is a cross-sectional view for explaining the cause of blurring occurring at the edge of the coating in the new vapor deposition method of FIG. 8A to 8C are enlarged cross-sectional views sequentially showing a process in which a mask opening having a high aspect ratio is clogged with a vapor deposition material.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a schematic configuration of the organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the organic EL device manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention along the line XX of FIG. FIG. 11A to FIG.
  • FIG. 11C are enlarged cross-sectional views sequentially showing a state in which the vapor deposition material adheres to the inner peripheral surface of the mask opening of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12A is a plan view showing an example of a mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12B is a plan view showing another example of the mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12C is a plan view showing still another example of the mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12A is a plan view showing an example of a mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12B is a plan view showing another example of the mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12D is a plan view showing still another example of the mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 12E is a plan view showing still another example of the mask opening pattern of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 13A is an enlarged cross-sectional view showing a mask opening and its peripheral portion of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • 13B to 13E are cross-sectional views showing examples of different cross-sectional shapes of the inner peripheral surfaces of the first opening, the second opening, and the third opening.
  • FIG. 14A to 14D are enlarged cross-sectional views showing an example of a method of manufacturing a vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 15 is a schematic view showing a method for manufacturing the first layer and the third layer constituting the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 16A is a plan view of the second layer shown in FIG. 14B.
  • FIG. 16B is a plan view of the first layer obtained by the method shown in FIG.
  • FIG. 16C is a plan view showing a state where the first layer is bonded onto the second layer shown in FIG. 14C.
  • FIG. 17A to 17E are enlarged cross-sectional views showing another example of the manufacturing method of the vapor deposition mask according to Embodiment 1 of the present invention in the order of steps.
  • FIG. 18A is an enlarged cross-sectional view showing vapor deposition particles passing through a mask opening of a vapor deposition mask according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 18B is an enlarged cross-sectional view showing vapor deposition particles passing through a mask opening of another vapor deposition mask according to Embodiment 2 of the present invention.
  • 19A to 19F are enlarged cross-sectional views showing an example of a deposition mask manufacturing method according to Embodiment 2 of the present invention in the order of steps.
  • the second layer is thicker than both the first layer and the third layer.
  • a vapor deposition mask can be made thick, ensuring the precision of the mask opening pattern of a vapor deposition mask.
  • the upper limit of the emission angle of the vapor deposition particles emitted from the mask opening of the vapor deposition mask can be lowered, so that even if the vapor deposition mask and the substrate are separated from each other, Occurrence can be suppressed.
  • the opening size of the first opening may be the same as the opening size of the third opening. Thereby, generation
  • the opening size of the first opening may be different from the opening size of the third opening.
  • a vapor deposition mask can be easily produced with few processes.
  • the first layer and the third layer are preferably made of the same material. Thereby, it can suppress that a vapor deposition mask warps with the heat
  • the vapor deposition mask has a thickness of 1.2 mm or more. By increasing the thickness of the vapor deposition mask in this way, it is possible to further suppress the blurring of the edge of the coating.
  • each of the first layer and the third layer is preferably 0.1 mm or less.
  • the first opening and the third opening having minute opening dimensions can be formed in the first layer and the third layer with high accuracy. Further, since it is possible to suppress the deposition particles from adhering to the inner peripheral surfaces of the first opening and the third opening, the deposition size of the mask opening is reduced or the mask opening is clogged due to the deposition particles. Can be suppressed.
  • the film is a light emitting layer constituting an organic EL element.
  • an organic EL element with a high aperture ratio and little light emission unevenness can be manufactured.
  • This organic EL display is a bottom emission type that extracts light from the TFT substrate side, and is a full color by controlling light emission of pixels (sub-pixels) composed of red (R), green (G), and blue (B) colors.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of an organic EL display.
  • FIG. 2 is a plan view showing a configuration of pixels constituting the organic EL display shown in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT substrate constituting the organic EL display along the line III-III in FIG.
  • the organic EL display 1 includes an organic EL element 20, an adhesive layer 30, and a sealing substrate 40 connected in this order on a TFT substrate 10 on which a TFT 12 (see FIG. 3) is provided. It has a provided configuration.
  • the center of the organic EL display 1 is a display area 19 for displaying an image, and an organic EL element 20 is disposed in the display area 19.
  • the organic EL element 20 is sealed between the pair of substrates 10 and 40 by bonding the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is laminated to the sealing substrate 40 using the adhesive layer 30. As described above, since the organic EL element 20 is sealed between the TFT substrate 10 and the sealing substrate 40, entry of oxygen and moisture into the organic EL element 20 from the outside is prevented.
  • the TFT substrate 10 includes a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate as a supporting substrate.
  • the insulating substrate 11 does not need to be transparent.
  • a plurality of wirings 14 including a plurality of gate lines laid in the horizontal direction and a plurality of signal lines laid in the vertical direction and intersecting the gate lines are provided. It has been.
  • a gate line driving circuit (not shown) for driving the gate line is connected to the gate line
  • a signal line driving circuit (not shown) for driving the signal line is connected to the signal line.
  • sub-pixels 2R, 2G, and 2B made of organic EL elements 20 of red (R), green (G), and blue (B) colors are provided in each region surrounded by the wirings 14, respectively. They are arranged in a matrix.
  • the sub-pixel 2R emits red light
  • the sub-pixel 2G emits green light
  • the sub-pixel 2B emits blue light.
  • Sub-pixels of the same color are arranged in the column direction (vertical direction in FIG. 2), and repeating units composed of sub-pixels 2R, 2G, and 2B are repeatedly arranged in the row direction (left-right direction in FIG. 2).
  • the sub-pixels 2R, 2G, and 2B constituting the repeating unit in the row direction constitute the pixel 2 (that is, one pixel).
  • Each sub-pixel 2R, 2G, 2B includes a light-emitting layer 23R, 23G, 23B responsible for light emission of each color.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B extend in a stripe shape in the column direction (vertical direction in FIG. 2).
  • the configuration of the TFT substrate 10 will be described.
  • the TFT substrate 10 is formed on a transparent insulating substrate 11 such as a glass substrate, a TFT 12 (switching element), a wiring 14, an interlayer film 13 (interlayer insulating film, planarizing film), an edge cover 15, and the like. Is provided.
  • the TFT 12 functions as a switching element that controls the light emission of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, and is provided for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the TFT 12 is connected to the wiring 14.
  • the interlayer film 13 also functions as a planarizing film, and is laminated on the entire surface of the display region 19 on the insulating substrate 11 so as to cover the TFT 12 and the wiring 14.
  • a first electrode 21 is formed on the interlayer film 13.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the TFT 12 through a contact hole 13 a formed in the interlayer film 13.
  • the edge cover 15 is formed on the interlayer film 13 so as to cover the pattern end of the first electrode 21.
  • the edge cover 15 has a short circuit between the first electrode 21 and the second electrode 26 constituting the organic EL element 20 because the organic EL layer 27 is thinned or electric field concentration occurs at the pattern end of the first electrode 21. This is an insulating layer for preventing this.
  • the edge cover 15 is provided with openings 15R, 15G, and 15B for each of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 serve as light emitting areas of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B.
  • each of the sub-pixels 2R, 2G, 2B is partitioned by the edge cover 15 having an insulating property.
  • the edge cover 15 also functions as an element isolation film.
  • the organic EL element 20 will be described.
  • the organic EL element 20 is a light emitting element that can emit light with high luminance by low voltage direct current drive, and includes a first electrode 21, an organic EL layer 27, and a second electrode 26 in this order.
  • the first electrode 21 is a layer having a function of injecting (supplying) holes into the organic EL layer 27. As described above, the first electrode 21 is connected to the TFT 12 via the contact hole 13a.
  • the organic EL layer 27 includes a hole injection layer / hole transport layer 22, light emitting layers 23 ⁇ / b> R, 23 ⁇ / b> G, between the first electrode 21 and the second electrode 26 from the first electrode 21 side. 23B, the electron transport layer 24, and the electron injection layer 25 are provided in this order.
  • the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the first electrode 21 may be a cathode and the second electrode 26 may be an anode.
  • the organic EL layer 27 is configured. The order of each layer is reversed.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 has both a function as a hole injection layer and a function as a hole transport layer.
  • the hole injection layer is a layer having a function of increasing the efficiency of hole injection into the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole transport layer is a layer having a function of improving the efficiency of transporting holes to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 is uniformly formed on the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 so as to cover the first electrode 21 and the edge cover 15.
  • the hole injection layer / hole transport layer 22 in which the hole injection layer and the hole transport layer are integrated is provided.
  • the hole transport layer may be formed as a layer independent of each other.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B correspond to the columns of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15, respectively. Is formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are layers having a function of emitting light by recombining holes injected from the first electrode 21 side and electrons injected from the second electrode 26 side. .
  • Each of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B includes a material having high light emission efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the electron injection layer 25 is a layer having a function of increasing the efficiency of electron injection from the second electrode 26 to the light emitting layers 23R, 23G, and 23B.
  • the electron transport layer 24 is formed on the light emitting layers 23R, 23G, 23B and the hole injection / hole transport layer 22 so as to cover the light emitting layers 23R, 23G, 23B and the hole injection / hole transport layer 22. It is uniformly formed over the entire surface of the display area 19 in the substrate 10.
  • the electron injection layer 25 is uniformly formed on the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 on the electron transport layer 24 so as to cover the electron transport layer 24.
  • the second electrode 26 is a layer having a function of injecting electrons into the organic EL layer 27.
  • the second electrode 26 is formed uniformly over the entire surface of the display region 19 in the TFT substrate 10 on the electron injection layer 25 so as to cover the electron injection layer 25.
  • the organic layers other than the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are not essential as the organic EL layer 27, and may be selected according to the required characteristics of the organic EL element 20.
  • the organic EL layer 27 may further include a carrier blocking layer as necessary. For example, by adding a hole blocking layer as a carrier blocking layer between the light emitting layers 23R, 23G, and 23B and the electron transport layer 24, holes are prevented from passing through the electron transport layer 24, and the light emission efficiency is improved. can do.
  • the configuration of the organic EL element 20 is not limited to the above-exemplified layer configurations (1) to (8), and a desired layer configuration can be adopted according to the characteristics required for the organic EL element 20, for example. .
  • the first electrode 21 is an anode and the second electrode 26 is a cathode.
  • the organic EL the order of layer stacking is reversed from the description below.
  • the materials constituting the first electrode 21 and the second electrode 26 are also reversed from the following description.
  • the TFT 12 and the wiring 14 are formed on the insulating substrate 11 by a known method.
  • the insulating substrate 11 for example, a transparent glass substrate or a plastic substrate can be used.
  • the thickness of the insulating substrate 11 can be, for example, 0.7 to 1.1 mm, and the vertical and horizontal dimensions can be, for example, 500 mm ⁇ 400 mm, but is not limited thereto.
  • a rectangular glass plate having a thickness of about 1 mm and a vertical and horizontal dimension of 500 ⁇ 400 mm can be used.
  • a photosensitive resin is applied on the insulating substrate 11 so as to cover the TFT 12 and the wiring 14, and the interlayer film 13 is formed by patterning using a photolithography technique.
  • an insulating material such as an acrylic resin or a polyimide resin can be used.
  • the acrylic resin include Optomer series manufactured by JSR Corporation.
  • a polyimide resin the photo nice series by Toray Industries, Inc. is mentioned, for example.
  • the polyimide resin is generally not transparent but colored. For this reason, when the bottom emission type organic EL display 1 as shown in FIG. 3 is manufactured, it is preferable to use a transparent resin such as an acrylic resin as the interlayer film 13.
  • the thickness of the interlayer film 13 is not particularly limited as long as the step on the upper surface of the TFT 12 can be eliminated. In one embodiment, the interlayer film 13 having a thickness of about 2 ⁇ m can be formed using an acrylic resin.
  • a contact hole 13 a for electrically connecting the first electrode 21 to the TFT 12 is formed in the interlayer film 13.
  • the first electrode 21 is formed on the interlayer film 13. That is, an ITO (Indium (Tin Oxide: indium tin oxide) film, for example, is formed as a conductive film (electrode film) on the interlayer film 13 by a sputtering method or the like to a thickness of, for example, 100 nm.
  • the ITO film is etched using ferric chloride as an etchant. Thereafter, the photoresist is stripped using a resist stripping solution, and substrate cleaning is further performed. Thereby, a matrix-like first electrode 21 is obtained on the interlayer film 13.
  • transparent conductive materials such as IZO (IndiumInZinc Oxide) and gallium-doped zinc oxide (GZO); gold (Au), nickel (Ni ), Or a metal material such as platinum (Pt).
  • a vacuum deposition method As a method for laminating the conductive film, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • a vacuum deposition method As a method for laminating the conductive film, in addition to the sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD (chemical vapor deposition) method, a plasma CVD method, a printing method, or the like can be used.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the first electrode 21 having a thickness of about 100 nm can be formed by sputtering using ITO.
  • the edge cover 15 having a predetermined pattern is formed.
  • the edge cover 15 can use, for example, the same insulating material as that of the interlayer film 13 and can be patterned by the same method as that of the interlayer film 13.
  • the edge cover 15 having a thickness of about 1 ⁇ m can be formed using acrylic resin.
  • the TFT substrate 10 and the first electrode 21 are manufactured (step S1).
  • the TFT substrate 10 that has undergone step S1 is subjected to vacuum baking for dehydration, and further subjected to oxygen plasma treatment for cleaning the surface of the first electrode 21.
  • a hole injection layer and a hole transport layer are formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 on the TFT substrate 10 by vapor deposition. (S2).
  • an open mask having the entire display area 19 opened is closely fixed to the TFT substrate 10 and the TFT substrate 10 and the open mask are rotated together.
  • the material of the transport layer is deposited on the entire surface of the display area 19 of the TFT substrate 10.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may be integrated as described above, or may be layers independent of each other.
  • the thickness of the layer is, for example, 10 to 100 nm per layer.
  • Examples of the material for the hole injection layer and the hole transport layer include benzine, styrylamine, triphenylamine, porphyrin, triazole, imidazole, oxadiazole, polyarylalkane, phenylenediamine, arylamine, oxazole, anthracene, and fluorenone. , Hydrazone, stilbene, triphenylene, azatriphenylene, and derivatives thereof; polysilane compounds; vinyl carbazole compounds; heterocyclic conjugated monomers, oligomers, or polymers such as thiophene compounds and aniline compounds; It is done.
  • 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl ( ⁇ -NPD) is used to form a hole injection layer / hole transport layer 22 having a thickness of 30 nm. Can be formed.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed in a stripe shape on the hole injection / hole transport layer 22 so as to cover the openings 15R, 15G, and 15B of the edge cover 15 (S3).
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are vapor-deposited so that a predetermined region is separately applied for each color of red, green, and blue (separate vapor deposition).
  • a material having high luminous efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex is used.
  • a material having high luminous efficiency such as a low molecular fluorescent dye or a metal complex.
  • the thickness of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B can be set to 10 to 100 nm, for example.
  • the vapor deposition mask of the present invention and the method and apparatus for producing an organic EL element using the vapor deposition mask can be particularly suitably used for separate vapor deposition of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B. Details of the method of forming the light emitting layers 23R, 23G, and 23B using the present invention will be described later.
  • the electron transport layer 24 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the hole injection layer / hole transport layer 22 and the light emitting layers 23R, 23G, and 23B (S4).
  • the electron transport layer 24 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2.
  • an electron injection layer 25 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the electron transport layer 24 (S5).
  • the electron injection layer 25 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2.
  • Examples of the material of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 include quinoline, perylene, phenanthroline, bisstyryl, pyrazine, triazole, oxazole, oxadiazole, fluorenone, and derivatives and metal complexes thereof; LiF (lithium fluoride) Etc. can be used.
  • the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 may be formed as an integrated single layer or may be formed as independent layers.
  • the thickness of each layer is, for example, 1 to 100 nm.
  • the total thickness of the electron transport layer 24 and the electron injection layer 25 is, for example, 20 to 200 nm.
  • Alq tris (8-hydroxyquinoline) aluminum
  • LiF lithium fluoride
  • the second electrode 26 is formed on the entire surface of the display region 19 of the TFT substrate 10 by vapor deposition so as to cover the electron injection layer 25 (S6).
  • the second electrode 26 can be formed by the same method as in the hole injection layer / hole transport layer forming step S2 described above.
  • a material (electrode material) of the second electrode 26 a metal having a small work function is preferably used. Examples of such electrode materials include magnesium alloys (MgAg, etc.), aluminum alloys (AlLi, AlCa, AlMg, etc.), metallic calcium, and the like.
  • the thickness of the second electrode 26 is, for example, 50 to 100 nm. In one embodiment, the second electrode 26 having a thickness of 50 nm can be formed using aluminum.
  • a protective film may be further provided on the second electrode 26 so as to cover the second electrode 26 and prevent oxygen and moisture from entering the organic EL element 20 from the outside.
  • a material for the protective film an insulating or conductive material can be used, and examples thereof include silicon nitride and silicon oxide.
  • the thickness of the protective film is, for example, 100 to 1000 nm.
  • the organic EL element 20 including the first electrode 21, the organic EL layer 27, and the second electrode 26 can be formed on the TFT substrate 10.
  • the TFT substrate 10 on which the organic EL element 20 is formed and the sealing substrate 40 are bonded together with an adhesive layer 30 to encapsulate the organic EL element 20.
  • an insulating substrate such as a glass substrate or a plastic substrate having a thickness of 0.4 to 1.1 mm can be used.
  • step S3 of forming the light emitting layers 23R, 23G, and 23B by separate deposition will be described.
  • New vapor deposition method As a method for separately depositing the light emitting layers 23R, 23G, and 23B, the present inventors replaced the evaporation method in which a mask having the same size as the substrate is fixed to the substrate at the time of deposition, as in Patent Documents 1 and 2.
  • a new vapor deposition method (hereinafter referred to as “new vapor deposition method”) in which vapor deposition is performed while moving the substrate relative to the vapor deposition source and the vapor deposition mask was studied.
  • FIG. 5 is a perspective view showing the basic concept of the new vapor deposition method.
  • the vapor deposition source 960 and the vapor deposition mask 970 constitute a vapor deposition unit 950.
  • the relative position of the vapor deposition source 960 and the vapor deposition mask 970 is constant.
  • the substrate 10 moves in one direction 10a at a constant speed on the opposite side of the vapor deposition mask 970 from the vapor deposition source 960.
  • a plurality of vapor deposition source openings 961 for emitting vapor deposition particles 991 are formed on the upper surface of the vapor deposition source 960, and a plurality of mask openings 975 are formed in the vapor deposition mask 970.
  • the vapor deposition particles 991 emitted from the vapor deposition source opening 961 pass through the mask opening 975 and adhere to the substrate 10.
  • the dimension D of the deposition mask 970 in the moving direction 10a of the substrate 10 can be set regardless of the dimension of the substrate 10 in the same direction. Therefore, an evaporation mask 970 smaller than the substrate 10 can be used. For this reason, even if the substrate 10 is increased in size, it is not necessary to increase the size of the vapor deposition mask 970, so that the problem of the self-weight deflection and extension of the vapor deposition mask 970 does not occur. Further, the vapor deposition mask 970 and a frame for holding the vapor deposition mask 970 do not become large and heavy. Therefore, the problems of the conventional vapor deposition methods described in Patent Documents 1 and 2 are solved, and separate vapor deposition on a large substrate becomes possible.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the vapor deposition apparatus of FIG. 5 on a plane perpendicular to the moving direction 10a of the substrate 10.
  • reference numeral 955 denotes a holding device that holds the substrate 10
  • 956 denotes a moving mechanism that moves the substrate 10 held by the holding device 955 in the direction of the arrow 10a.
  • a plurality of vapor deposition source openings 961 and a plurality of mask openings 975 are arranged in the left-right direction on the paper surface of FIG.
  • the vapor deposition particles 991 are emitted from each vapor deposition source opening 961 with a certain spread (directivity). That is, in FIG.
  • the number of vapor deposition particles 991 emitted from the vapor deposition source opening 961 is the largest in the direction directly above the vapor deposition source opening 961, and gradually increases as the angle (emergence angle) formed with respect to the direct upward direction increases. Less. Each vapor-deposited particle 991 emitted from the vapor deposition source opening 961 goes straight in the respective emission direction.
  • the flow of the vapor deposition particles 991 emitted from the vapor deposition source opening 961 is conceptually indicated by arrows.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the coating film 990 formed on the substrate 10 by the vapor deposition particles 991 that have passed through a certain mask opening 975, in a plane perpendicular to the moving direction 10a of the substrate 10 as in FIG.
  • the vapor deposition particles 991 flying from various directions pass through the mask opening 975.
  • the number of vapor deposition particles 991 reaching the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 is the largest in the region directly above the mask opening 975, and gradually decreases as the distance from the vapor deposition particle 991 increases. Therefore, as shown in FIG.
  • a constant thickness portion 990c having a constant and maximum thickness is formed in a region directly above the mask opening 975 on the deposition surface 10e of the substrate 10, and constant on both sides thereof.
  • a gradually decreasing thickness portion 990e is formed which gradually decreases as the distance from the thickness portion 990c increases. The gradually decreasing thickness portion 990e causes blurring of the edge of the coating film 990.
  • the thickness gradually decreasing portion 990e is generated in the openings 15R, 15G, and 15B of the sub-pixels 2R, 2G, and 2B, light emission unevenness occurs and the element lifetime is shortened. In order to prevent this, if the opening width is narrowed, the opening ratio is lowered and the luminance is lowered.
  • the aperture ratio of the pixel is required to be 25% or more.
  • an allowable blur rate B Is preferably 25% or less.
  • the gap G between the vapor deposition mask 970 and the substrate 10 is preferably 0.3 mm or more in order to move one relative to the other without colliding the vapor deposition mask 970 and the substrate 10, About 3 mm is sufficient.
  • the thickness Tm of the vapor deposition mask 970 is 1.2 mm or more, particularly 12 mm or more.
  • the general thickness of a vapor deposition mask used for manufacturing an organic EL element is 100 ⁇ m or less. Therefore, it can be said that the thickness of the vapor deposition mask far exceeding 1 mm is considerably thick.
  • the opening width Wo of the mask opening 975 is assumed to be about 100 ⁇ m, for example. It is generally very difficult to form such a fine mask opening 975 on the vapor deposition mask 970 having a thickness of about several millimeters, which is 10 times or more the opening width Wo, and is not suitable for mass production, resulting in high cost. .
  • FIG. 8A is a cross-sectional view showing a state immediately after the start of film formation on the substrate 10 using the vapor deposition mask 970 in which the mask opening 975 having a high aspect ratio is formed.
  • vapor deposition material layer 992 is formed by adhering vapor deposition particles 991 to the inner peripheral surface of mask opening 975 as shown in FIG. 8B.
  • the vapor deposition material layer 992 narrows the effective opening width of the mask opening 975 (the width of the portion of the mask opening 975 through which the vapor deposition particles 991 can pass).
  • the opening width Wo of the mask opening 975 is about 100 ⁇ m
  • the thickness of the vapor deposition material layer 992 reaches about 5 ⁇ m
  • the width and thickness of the film formed on the substrate 10 may be adversely affected.
  • the time further elapses the vapor deposition material layer 992 becomes thicker.
  • the opening width Wo of the mask opening 975 is about 100 ⁇ m and the thickness of the vapor deposition material layer 992 reaches about 50 ⁇ m, as shown in FIG.
  • the material layer 992 closes the mask opening 975 and causes clogging.
  • the aspect ratio of the mask opening 975 increases, the number of vapor deposition particles 991 that collide with the inner wall surface of the mask opening 975 increases, so that the vapor deposition material layer 992 is easily formed.
  • the opening width of the mask opening 975 is narrow, the formation of a slight vapor deposition material layer 992 results in clogging in a short time.
  • the present inventors have found a vapor deposition mask configuration having a mask opening that is high in aspect ratio and hardly clogs. If this vapor deposition mask is applied to a new vapor deposition method (see FIG. 5), the width We of the gradually decreasing portion of the film can be reduced even if the vapor deposition mask and the substrate are separated from each other. It has been found that the problem of the new vapor deposition method, which causes blurring, can be solved. As a result, an organic EL element having a high aperture ratio can be formed on a large substrate, and a large organic EL display with high brightness can be provided.
  • FIG. 9 is a perspective view showing a schematic configuration of the organic EL element manufacturing apparatus according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the horizontal axis along the width direction of the substrate 10 is the X axis
  • the horizontal axis perpendicular to the X axis is the Y axis
  • the vertical axis parallel to the X and Y axes is the Z axis.
  • the XYZ rectangular coordinate system to be set is set.
  • the XY plane is parallel to the deposition surface 10e of the substrate 10 (see FIG. 10 described later).
  • a vapor deposition mask 70 is arranged facing the vapor deposition source 60 in the Z-axis direction.
  • the relative positions of the vapor deposition source 60 and the vapor deposition mask 70 are constant.
  • the vapor deposition source 60 and the vapor deposition mask 70 constitute a vapor deposition unit 50.
  • the substrate 10 is held by a holding device (not shown).
  • a holding device similarly to the holding device 955 shown in FIG. 6, an electrostatic chuck that holds the surface of the substrate 10 opposite to the deposition surface 10 e with an electrostatic force can be used.
  • substrate 10 can be hold
  • the holding device for holding the substrate 10 is not limited to the electrostatic chuck, and other devices may be used.
  • the substrate 10 held by the holding device is separated from the vapor deposition mask 70 by a predetermined interval on the side opposite to the vapor deposition source 60 with respect to the vapor deposition mask 70 by a movement mechanism (not shown) (see the movement mechanism 956 in FIG. 6). In this state, it is moved (scanned) in one direction 10a at a constant speed.
  • the moving direction of the substrate 10 coincides with the positive direction of the Y axis.
  • the movement of the substrate 10 may be a reciprocating movement, or may be a unidirectional movement toward only one of them.
  • the configuration of the moving mechanism is not particularly limited.
  • a known transport driving mechanism such as a feed screw mechanism that rotates a feed screw with a motor or a linear motor can be used.
  • the vapor deposition unit 50, the substrate 10, the holding device that holds the substrate 10, and the moving mechanism that moves the substrate 10 are housed in a vacuum chamber (not shown).
  • the vacuum chamber is a sealed container, and its internal space is decompressed and maintained in a predetermined low pressure state.
  • the vapor deposition source 60 includes a plurality of vapor deposition source openings 61 on the upper surface (that is, the surface facing the vapor deposition mask 70).
  • the plurality of vapor deposition source openings 61 are arranged at equal intervals along the X axis.
  • Each vapor deposition source opening 61 opens upward along the Z axis, and emits vapor deposition particles 91 serving as a material of the light emitting layer toward the vapor deposition mask 70.
  • the vapor deposition source opening only needs to be able to discharge the vapor deposition particles 91 toward the vapor deposition mask 70, and the opening shape, number, arrangement, and the like are not limited to those in FIG.
  • the vapor deposition source opening may be a single slit-like opening extending in the X-axis direction.
  • slit-like openings extending in the X-axis direction may be formed at a plurality of different positions in the Y-axis direction.
  • a plurality of rows of vapor deposition source openings arranged on a straight line parallel to the X axis may be arranged at different positions in the Y axis direction.
  • FIG. 12A is a plan view of the vapor deposition mask 70.
  • a plurality of mask openings 75 are formed in the vapor deposition mask 70 at different positions in the X-axis direction.
  • the plurality of mask openings 75 are arranged along the X-axis direction.
  • Each mask opening 75 is a slit-like opening extending in the Y-axis direction.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the organic EL element manufacturing apparatus according to the present embodiment along a plane parallel to the XZ plane including the XX line passing through the plurality of vapor deposition source openings 61 shown in FIG.
  • the vapor deposition mask 70 includes a first layer 71, a second layer 72, and a third layer 73 in this order from the substrate 10 side toward the vapor deposition source 60 side.
  • the first layer 71 has a plurality of first openings 71h
  • the second layer 72 has a plurality of second openings 72h
  • the third layer 73 has a plurality of third openings 73h.
  • the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h communicate with each other, whereby the mask opening 75 of the vapor deposition mask 70 is formed.
  • the opening size of the second opening 72h is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h.
  • the light emitting layers 23R, 23G, and 23B are formed as follows.
  • the substrate 10 In a state where the vapor deposition particles 91 are released from the plurality of vapor deposition source openings 61 of the vapor deposition source 60, the substrate 10 is moved in the Y-axis direction.
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 pass through the plurality of mask openings 75 formed in the vapor deposition mask 70 and pass through the vapor deposition surface of the substrate 10 (that is, the side of the substrate 10 facing the vapor deposition mask 70). Surface) 10e.
  • the vapor deposition particles 91 adhere to the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 to form a plurality of striped films 90 parallel to the Y-axis direction.
  • a striped film corresponding to each color of red, green, and blue on the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 90 (that is, the light emitting layers 23R, 23G, and 23B) can be formed.
  • substrate 10 moves with respect to the stationary vapor deposition unit 50
  • this invention is not limited to this,
  • substrate 10 is moved relatively with respect to the other. Just do it.
  • the position of the substrate 10 may be fixed and the vapor deposition unit 50 may be moved, or both the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 may be moved.
  • the substrate 10 is disposed above the vapor deposition unit 50, but the relative positional relationship between the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 is not limited thereto.
  • the substrate 10 may be disposed below the vapor deposition unit 50, or the vapor deposition unit 50 and the substrate 10 may be disposed to face each other in the horizontal direction.
  • each vapor deposition particle 91 is emitted from the vapor deposition source opening 61 with a spread (directivity). Since the space including the vapor deposition unit 50 is maintained at a predetermined degree of vacuum, each vapor deposition particle 91 flies almost straight in the respective discharge direction. Therefore, as shown in FIG. 10, in each mask opening 75 of the vapor deposition mask 70, in addition to the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source opening 61 located immediately below the mask opening 75, vapor deposition located obliquely below. The vapor deposition particles 91 released from the source opening 61 also fly.
  • the vapor deposition particles 91 having various incident angles are incident on the mask opening 75.
  • the “incident angle” of the vapor deposition particles 91 is defined as an angle formed by the traveling direction of the vapor deposition particles 91 incident on the mask opening 75 with respect to the Z axis in the projection view on the XZ plane.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view showing a state immediately after the formation of the film 90 on the substrate 10 using the vapor deposition mask 70 is started.
  • the vapor deposition particles 91 incident at a large incident angle out of the vapor deposition particles 91 incident on the third opening 73h collide with and adhere to the inner peripheral surface of the mask opening 75, and therefore cannot pass through the first opening 71a. Therefore, after a while has elapsed since the start of vapor deposition, as shown in FIG. 11B, the vapor deposition material layer 92 is formed by the vapor deposition particles 91 adhering to the inner peripheral surface of the mask opening 75.
  • the vapor deposition material layer 92 is the second opening of the second layer 72. It is formed on the inner peripheral surface of 72 h and the lower surface (surface on the second layer 72 side) around the first opening 71 h of the first layer 71. As the time further elapses, as shown in FIG. 11C, the vapor deposition material layer 92 becomes thick, but the effective opening size of the mask opening 75 becomes small, or the mask opening 75 is blocked by the vapor deposition material layer 92 and clogged. There is nothing to do.
  • the thickness (dimension in the Z-axis direction) of the second layer 72 can be increased. That is, it is possible to make the second layer 72 thicker than both the first layer 71 and the third layer 73 so that the thickness of the vapor deposition mask 70 is 1.2 mm or more, which is the desirable thickness described above.
  • the “emission angle” of the vapor deposition particles 91 is defined as an angle formed by the traveling direction of the vapor deposition particles 91 emitted from the mask opening 75 with respect to the Z axis in the projection view on the XZ plane.
  • the emission angle of the vapor deposition particles 91 is determined by the first opening 71 h of the first layer 71 and the third opening 73 h of the third layer 73.
  • the vapor deposition mask 70 of this embodiment limits the emission angle of the vapor deposition particles 91 that can pass through the mask opening 75 by increasing the thickness of the second layer 72. Specifically, only the vapor deposition particles 91 emitted from a limited number (preferably one) of the vapor deposition source openings 61 positioned directly below the mask opening 75 are selectively passed through the mask opening 75. As a result, in the present embodiment, the upper limit value of the emission angle of the vapor deposition particles 91 emitted from the mask opening 75 is smaller than that in the new vapor deposition method shown in FIGS. Therefore, even if the vapor deposition mask 70 and the substrate 10 are separated from each other, the width We of the gradually decreasing thickness portion 990e shown in FIG. 7 can be reduced, and blurring of the edges on both sides of the striped film 90 can be prevented. It can be greatly suppressed.
  • a mask opening pattern of a vapor deposition mask used for separate vapor deposition of the light emitting layers 23R, 23G, and 23B is required to have an accuracy of ⁇ 10 ⁇ m or less.
  • the thickness of the vapor deposition mask is preferably 0.1 mm or less due to processing limitations and the like.
  • the first layer 71 and the third layer 73 can be made thin (preferably 0.1 mm or less) while maintaining the high aspect ratio of the mask opening 75. Accuracy can be achieved. Thereby, the positional accuracy of the film 90 formed on 10e on the deposition surface of the substrate 10 is ensured.
  • the vapor deposition particles 91 adhere to the inner peripheral surface of the first opening 71h and the inner peripheral surface of the third opening 73h to an extent that causes a practical problem. There is almost no.
  • the second layer 72 is preferably thicker than both the first layer 71 and the third layer 73, and more preferably 0.1 mm or more thicker than the first layer 71 and the third layer 73.
  • the pattern accuracy of the second opening 72h deteriorates due to processing restrictions and the like.
  • the opening size of the second opening 72h is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h, the second opening 72a emits the vapor deposition particles 91 emitted from the mask opening 75. Has no effect on. Therefore, the relatively low pattern accuracy of the second opening 72h does not adversely affect the position accuracy of the film 90 and the like.
  • the mask opening pattern accuracy required for the relatively thin first layer 71 and the third layer 73 can be ensured, and the relatively thick second layer.
  • the layer 72 can ensure a high aspect ratio of the mask opening 75. Therefore, when the vapor deposition mask 70 is applied to the above-described new vapor deposition method, it is possible to form a high-quality film 90 with less blurring at the edges on both sides. Moreover, it is possible to prevent the opening size of the mask opening 75 from being reduced or clogged due to the adhesion of the vapor deposition particles 91.
  • the opening dimension of the second opening 72h may be larger than both the opening dimension of the first opening 71h and the opening dimension of the third opening 73h.
  • the protruding lengths L1 and L3 of the edge of the first opening 71h and the edge of the third opening 73h with respect to the inner peripheral surface of the second opening 72h are assumed thicknesses of the vapor deposition material layer 92. However, it is generally preferably 0.2 mm or more. However, if the protruding lengths L1 and L3 are too large, the edge of the first opening 71h and the edge of the third opening 73h may be deformed by gravity or the like, and the distance between the Z-axis directions may change. is there.
  • the opening dimension in the X-axis direction of the first opening 71h and the opening dimension in the X-axis direction of the third opening 73h can be set to about 100 ⁇ m, and the opening dimension in the X-axis direction of the second opening 72h can be set to about 1 mm or more. .
  • the opening size of the second opening 72h needs to be larger than the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h.
  • the opening size of the second opening 72h is preferably larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h.
  • a plurality of slit-like mask openings 75 extending in the X-axis direction and parallel to each other are formed in the vapor deposition mask 70.
  • the mask opening pattern formed in the vapor deposition mask 70 is not limited to this, and is arbitrarily set within a range in which the striped film 90 parallel to the Y-axis direction can be formed on the vapor deposition surface 10 e of the substrate 10. be able to.
  • the mask openings 75 may be arranged in a sawtooth shape shown in FIG. 12B, a triangular wave shape shown in FIG. 12C, or a zigzag shape shown in FIG. 12D.
  • the pitch 90 in the X-axis direction of the coating 90 to be formed is narrow, and if a plurality of mask openings 75 are arranged in the X-axis direction, the second openings 72h adjacent in the X-axis direction interfere with each other.
  • the staggered arrangement pattern of the mask openings 75 shown in FIG. 12D may be arranged in a plurality of rows in the Y-axis direction.
  • the plurality of mask openings 75 are arranged at the same position in the X-axis direction, and the plurality of mask openings 75 are responsible for forming the common coating film 90.
  • the pattern shown in FIG. 12D is arranged in a plurality of rows in the Y-axis direction, but any of the patterns in FIGS. 12A to 12C may be arranged in a plurality of rows in the Y-axis direction.
  • the mask opening pattern formed in the vapor deposition mask 70 is not limited to the above-described example, and an arbitrary pattern can be adopted.
  • the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h correspond to each other one to one.
  • the X-axis direction positions of the first opening 71h and the third opening 73h match.
  • the first opening 71h and the third opening 73h are X so that the vapor deposition particles 91 that have passed through the first opening 71h cannot enter the third opening 73h having a different X-axis direction position from the first opening 71h.
  • a plurality of first openings 71h and a plurality of third openings 73h may be formed in one common second opening 72h. Note that it is preferable that the first opening 71h and the third opening 73h have a one-to-one correspondence because the deposition mask 70 can be easily manufactured.
  • each mask opening 75 formed in the vapor deposition mask 70 does not have to be a slit extending in the X-axis direction.
  • the X-axis direction dimension of the mask opening 75 (especially the first opening 71h and the third opening 73h) affects the X-axis direction dimension (width) of the striped film 90, and the mask opening 75 (particularly the first opening 71h and the third opening 73h).
  • the dimension in the Y-axis direction of the three openings 73h) affects the thickness of the striped film 90.
  • the inner peripheral surfaces of the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h are drawn so that the opening dimension is constant in the Z-axis direction. It is not limited to. That is, in the cross-sectional view of the vapor deposition mask 70 showing the mask opening 75 and its peripheral portion shown in FIG. 13A, a portion 71p including the inner peripheral surface of the first opening 71h, a portion 72p including the inner peripheral surface of the second opening 72h,
  • the cross-sectional shape of at least one of the portions 73p including the inner peripheral surface of the third opening 73h may be, for example, the shapes shown in FIGS. 13B to 13E. That is, in FIG.
  • the opening dimension is minimum at both end portions in the Z-axis direction
  • in FIG. 13C the opening dimension is minimum at three different locations in the Z-axis direction
  • in FIG. 13D the opening dimension is the upper end in the Z-axis direction
  • the opening size is minimum at the lower end (deposition on the deposition source 60 side) in the Z-axis direction.
  • the cross-sectional shapes of the inner peripheral surfaces of the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h can vary depending on, for example, the method of forming the opening.
  • the dimensions of the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h in the present invention are defined by the opening dimension at the position where the opening dimension is minimum.
  • the second layer 72 between the first layer 71 and the third layer 73 constituting both surface layers may be composed of a plurality of layers.
  • the opening dimension of the second opening formed in each of the plurality of layers constituting the second layer 72 may be larger than both the opening dimension of the first opening 71h and the opening dimension of the third opening 73h.
  • the material of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 constituting the vapor deposition mask 70 is not particularly limited, but in order to reduce dimensional change (expansion) and deformation of the vapor deposition mask 70 due to heat during vapor deposition. In general, it is preferable to use a material having a small thermal expansion coefficient. This is because when the dimensional change or deformation occurs in the vapor deposition mask 70, the film 90 formed on the vapor deposition surface 10e of the substrate 10 is displaced. Table 1 shows materials that can be used as the material of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 and their thermal expansion coefficients.
  • the vapor deposition mask 70 with less dimensional change and deformation (for example, warpage) due to heat during vapor deposition can be realized.
  • the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 need not be the same material. However, when the thermal expansion coefficients of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 are different from each other, the vapor deposition mask 70 is formed so that the first layer 71 or the third layer 73 becomes a convex curved surface by the heat during vapor deposition. May be warped. Therefore, it is preferable that the first layer 71 and the third layer 73 constituting both surface layers of the vapor deposition mask 70 have the same thermal expansion coefficient or a small difference between the thermal expansion coefficients. More preferably, at least the first layer 71 and the third layer 73 are made of the same material.
  • non-alkali glass can be used as the material of the second layer 72 and polyimide can be used as the material of the first layer 71 and the third layer 73. Thereby, it can prevent that the vapor deposition mask 70 warps with the heat
  • the materials of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 are selected in consideration of the formation method of the first opening 71h, the second opening 72h, and the third opening 73h in addition to the thermal expansion coefficient. It is preferable.
  • ⁇ Manufacturing method of vapor deposition mask> A method for manufacturing the vapor deposition mask 70 will be described. However, the following manufacturing method is only an example, and the vapor deposition mask 70 can of course be manufactured by a method other than the following manufacturing method.
  • a first layer 71 having a first opening 71h, a second layer 72 having a second opening 72h, and a third layer 73 having a third opening 73h are separately formed. Then, these are bonded together.
  • the order in which the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 are created is arbitrary.
  • 14A to 14D are enlarged cross-sectional views showing the manufacturing method 1 of the vapor deposition mask 70 in the order of steps.
  • FIG. 14A a thick plate material 72a for preparing the second layer 72 is prepared.
  • an invar material having a thickness of 5 mm with a nickel content of 36% by weight can be used as the thick plate material 72a.
  • a through-hole as the second opening 72h is formed in a predetermined pattern by a drill using an NC processing machine (Numerical Control Machining) in the thick plate material 72a.
  • FIG. 14B is an enlarged sectional view of the second layer 72 in which the second opening 72h is formed
  • FIG. 16A is a plan view thereof.
  • the coating 90 to be formed on the substrate 10 has a narrow pitch in the X-axis direction, the second openings 72h adjacent to each other are prevented from interfering with each other, as shown in FIG. 16A.
  • An opening 72h is arranged.
  • FIG. 15 is a schematic view showing a method for manufacturing the first layer 71 and the third layer 73.
  • the manufacturing method of the 1st layer 71 is demonstrated, the 3rd layer 73 can also be manufactured by the same method.
  • a roll-shaped wound product of the thin plate material 71a for preparing the first layer 71 is prepared.
  • a long invar material having a nickel content of 36% by weight and a thickness of 50 ⁇ m can be used as the thin plate material 71a.
  • the thin plate material 71a is unwound from the wound product, and is passed through an exposure developing unit 77a, an etching unit 77b, a peeling cleaning unit 77c, and a dividing unit 77d in this order. Between each unit, in order to adjust the tension of the thin plate material 71a or prevent meandering, a nip roll 77e that holds the thin plate material 71a in close contact with the front and back surfaces thereof is disposed.
  • a known photo process is performed. That is, a predetermined resist pattern is formed on the thin plate material 71a by applying a photoresist to the thin plate material 71a by a slit coating method, then exposing a predetermined pattern with an exposure device, and then developing with a weak alkaline solution. To do.
  • the thin plate material 71a is etched into a predetermined pattern using a ferric chloride solution. Thereby, a through-hole is formed in the thin plate material 71a, and this becomes the first opening 71h.
  • the photoresist on the thin plate material 71a is peeled off with a strong alkaline solution, washed with pure water, and blown with nitrogen.
  • the thin plate material 71a is cut into a predetermined size outside the region where the plurality of first openings 71h are formed with a metal blade.
  • the first layer 71 as shown in FIG. 16B is obtained.
  • the opening position of the first opening 71h formed in the first layer 71 is the same as the opening position of the second opening 72h of the second layer 72 shown in FIG. 16A, but the opening dimension of the first opening 71h is It is smaller than the opening size of the two openings 72h.
  • the third layer 73 can also be manufactured by the same method as the first layer 71.
  • the sizes and positions of the openings of the first opening 71h and the third opening 73h can be matched.
  • the first layer 71 is aligned and superimposed on one surface of the second layer 72 and fixed by spot welding. At this time, it is preferable to spot weld 76 the first layer 71 and the second layer 72 while pulling the periphery of the first layer 71 outward so that the first layer 71 does not sag.
  • FIG. 16C is a plan view showing the first layer 71 fixed on the second layer 72.
  • a surrounding rectangular broken line 76 indicates a spot welding point for fixing the first layer 71 and the second layer 72.
  • the spot welding 76 is preferably performed outside the region where the first and second openings 71h and 72h are formed.
  • the integrated product of the first layer 71 and the second layer 72 is turned upside down, and the third layer 73 is aligned and superimposed on the other surface of the second layer 72 and fixed by spot welding 76.
  • the spot welding method of the third layer 73 can be the same as the spot welding method of the first layer 71 described with reference to FIG. 14C.
  • the vapor deposition mask 70 of the present embodiment is obtained.
  • the first layer 71 is first welded to the second layer 72 and then the third layer 73 is welded.
  • the third layer 73 may be welded first.
  • 17A to 17E are enlarged cross-sectional views showing the manufacturing method 2 of the vapor deposition mask 70 in the order of steps.
  • a thick plate material 72a for preparing the second layer 72 is prepared.
  • the thick plate material 72a the same Invar material having a nickel content of 36% by weight as the thick plate material 72a described in FIG.
  • through holes as second openings 72h are formed in a predetermined pattern in the thick plate material 72a to obtain the second layer 72.
  • the method for forming the second opening 72h may be the same as the method described with reference to FIG.
  • the thin plate material 71 a to be the first layer 71 is superimposed on one surface of the second layer 72 and fixed by spot welding 76.
  • an invar material having a nickel content of 36% by weight and a thickness of 50 ⁇ m can be used as the thin plate material 71a.
  • the thin plate material 71a is cut into a predetermined shape in advance. Unlike the manufacturing method 1, the first opening 71h is not formed in the thin plate material 71a.
  • spot welding 76 is performed on the thin plate material 71 a and the second layer 72 while pulling the periphery of the thin plate material 71 a outward so that the thin plate material 71 a is not slackened. It is preferable.
  • the integrated product of the thin plate material 71a and the second layer 72 is turned upside down, and the thin plate material 73a to be the third layer 73 is superimposed on the other surface of the second layer 72 as shown in FIG. 17D. And fixed by spot welding 76.
  • the thin plate material 73a the same material as the thin plate material 71a can be used.
  • the spot welding method of the thin plate material 73a can be made the same as the spot welding method of the thin plate material 71a.
  • a laser processing machine capable of precise position control is used to irradiate a predetermined position with a laser 78 to form through holes in the thin plate materials 71a and 73a.
  • the laser 78 may be irradiated from either side of the thin plate materials 71a and 73a.
  • a 300 W YAG laser can be used as the laser light source.
  • This through hole becomes the first opening 71h and the third opening 73h.
  • the invar material having a small thermal expansion coefficient is used as the material of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73.
  • the composition of the invar material may be different from the above.
  • materials other than the Invar material may be used.
  • the materials of the first layer 71, the second layer 72, and the third layer 73 are not necessarily the same, and at least one of these materials may be different from the other materials.
  • the material needs to be capable of forming the openings 71h, 72h, and 73h.
  • the first opening 71h and the third opening 73h of the vapor deposition mask 70 have the same opening dimension.
  • the first opening 71h and the third opening 73h of the vapor deposition mask 70 have different opening dimensions. Except for this, the present embodiment is the same as the first embodiment. The present embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment.
  • FIG. 18A is an enlarged cross-sectional view showing the vapor deposition particles 91 that pass through the mask opening 75 of the vapor deposition mask 70 according to the present embodiment.
  • the opening dimension of the first opening 71h formed in the first layer 71 disposed on the substrate 10 side is the same as that of the third layer 73 disposed on the vapor deposition source 60 (see FIG. 9) side. It is larger than the opening size of the three openings 73h.
  • the opening size of the second opening 72h formed in the second layer 72 is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h.
  • the vapor deposition particles 91 emitted from the vapor deposition source are sorted when passing through the third opening 73h having a relatively small opening size.
  • the vapor deposition particles 91 that have entered the third opening 73h at a large incident angle and passed through the third opening 73h are mainly around the inner peripheral surface of the second opening 72h of the second layer 72 or the first opening 71h of the first layer 71. Since it collides with and adheres to the lower surface (the surface on the second layer 72 side), it cannot pass through the first opening 71h.
  • the opening size of the second opening 72h is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h, so that the vapor deposition particles 91 are formed on the inner peripheral surface of the mask opening 75.
  • the opening size of the mask opening 75 is not reduced, and the mask opening 75 is not clogged.
  • FIG. 18B is an enlarged cross-sectional view showing vapor deposition particles 91 passing through a mask opening 75 of another vapor deposition mask 70 according to the present embodiment.
  • the opening size of the first opening 71 h formed in the first layer 71 disposed on the substrate 10 side is the third dimension disposed on the vapor deposition source 60 (see FIG. 9) side.
  • the opening size of the third opening 73 h formed in the layer 73 is smaller.
  • the opening size of the second opening 72h formed in the second layer 72 is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h.
  • the opening size of the third opening 73h is larger than that in FIG. 18A, a relatively large number of vapor deposition particles 91 pass through the third opening 73h.
  • the opening size of the first opening 71h is small, the vapor deposition particles 91 that have entered the third opening 73h at a large incident angle and have passed through the third opening 73h are mainly the inner peripheral surface of the second opening 72h of the second layer 72 or the first surface. It collides with and adheres to the lower surface (surface on the second layer 72 side) around the first opening 71h of the first layer 71, and cannot pass through the first opening 71h.
  • the opening size of the second opening 72h is larger than both the opening size of the first opening 71h and the opening size of the third opening 73h, so that the vapor deposition particles 91 are formed on the inner peripheral surface of the mask opening 75.
  • the opening size of the mask opening 75 is not reduced, and the mask opening 75 is not clogged.
  • the vapor deposition particles 91 incident on the third opening 73h at a large incident angle cannot pass through the first opening 71h.
  • the occurrence of blurring at the edges on both sides can be suppressed.
  • the width We of the gradually decreasing thickness portion 990e shown in FIG. 7 is slightly larger than that of the first embodiment, but to the extent that there is no practical problem by increasing the thickness of the second layer 72 and the like. It is possible to suppress it.
  • the opening dimension of the first opening 71h closest to the substrate 10 is small. Therefore, when the emission angles of the vapor deposition particles 91 that pass through the first opening 71h are the same, the width We of the gradually decreasing thickness portion 990e shown in FIG. 7 is smaller in FIG. 18B than in FIG. 18A.
  • a method for manufacturing the vapor deposition mask 70 of this embodiment will be described.
  • the following manufacturing method is merely an example, and the vapor deposition mask 70 can of course be manufactured by a method other than the following manufacturing method.
  • FIGS. 19A to 19F are enlarged cross-sectional views showing an example of a method of manufacturing the vapor deposition mask 70 according to the present embodiment in the order of steps.
  • a thick plate material 72b to be the second layer 72 is prepared.
  • an alkali-free glass substrate can be used as the thick plate material 72b.
  • a Corning 1737 substrate having a thickness of 0.7 mm may be used. It is preferable that foreign matters such as organic substances are removed from the thick plate material 72b in advance by a method such as IPA ultrasonic cleaning or pure water cleaning.
  • the thick plate material 72b is turned upside down to form a photosensitive resin layer 71b on the other surface of the thick plate material 72b.
  • the photosensitive resin layer 71b can be formed by the same method using the same material as the photosensitive resin layer 73b.
  • the exposure dose can be 100 mJ / cm 2 .
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the development time can be 30 seconds.
  • the photosensitive resin layer 71b disposed on the exposure lamp 80 side is directly exposed, compared to the photosensitive resin layer 71b exposed through the photosensitive resin layer 71b and the thick plate material 72b. The light intensity of exposure is strong. Accordingly, a larger opening is formed in the photosensitive resin layer 71b than the photosensitive resin layer 73b.
  • post-baking is performed.
  • the photosensitive resin layer 71b and the photosensitive resin layer 73b become the first layer 71 and the third layer 73, and the openings formed therein become the first opening 71h and the third opening 73h.
  • the thick plate material 72b is wet-etched. In one embodiment, it can be soaked in 10: 1 buffered hydrofluoric acid (BHF) at room temperature for 60 hours and then washed with pure water for 5 minutes. Since the thick plate material 72b is etched from both sides through the first opening 71h and the third opening 73h, a through hole having an opening size larger than that of the first opening 71h and the third opening 73h is formed. This through hole becomes the second opening 72h.
  • BHF buffered hydrofluoric acid
  • the vapor deposition mask 70 can be easily manufactured with a small number of steps, so that the cost can be reduced.
  • the second embodiment is the same as the first embodiment except for the above.
  • Various changes described in the first embodiment can be applied to the present embodiment as they are or after being appropriately changed.
  • the application field of the present invention is not particularly limited, and can be used for any apparatus using an organic EL element. Especially, it can utilize especially preferably for an organic EL display.

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Abstract

 蒸着マスク(70)は、第1層(71)、第2層(72)、及び第3層(73)をこの順に備える。第1層、第2層、及び第3層には、それぞれ複数の第1開口(71h)、複数の第2開口(72h)、及び複数の第3開口(73h)が形成されている。第1開口、第2開口、及び第3開口が互いに連通してマスク開口(75)を構成する。第2開口の開口寸法は、第1開口の開口寸法及び第3開口の開口寸法のいずれよりも大きい。これにより、蒸着粒子の付着によって、マスク開口の開口寸法が小さくなったりマスク開口が目詰まりしたりするのを防止することができる。

Description

蒸着マスク及びこれを用いた有機EL素子の製造方法と製造装置
 本発明は、例えば有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等に利用可能な有機EL素子の製造方法及び製造装置に関する。また、本発明は、有機EL素子の製造に好ましく使用することができる蒸着マスクに関する。
 近年、フラットパネルディスプレイの大型化、高画質化、低消費電力化が求められており、低電圧で駆動でき、高画質な有機ELディスプレイは高い注目を浴びている。例えばフルカラーのアクティブマトリクス方式の有機ELディスプレイでは、TFT(薄膜トランジスタ)が設けられた基板上に薄膜状の有機EL素子が設けられている。有機EL素子では、一対の電極の間に赤(R)、緑(G)、青(B)の発光層を含む有機EL層が積層されている。一対の電極の一方にTFTが接続されている。そして、一対の電極間に電圧を印加して各発光層を発光させることにより画像表示が行われる。
 有機EL素子を製造するためには、各色に発光する有機発光材料からなる発光層を所定パターンで形成する必要がある。
 発光層を所定パターンで形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、インクジェット法、レーザー転写法が知られている。例えば、低分子型有機ELディスプレイ(OLED)では、真空蒸着法が用いられることが多い。
 真空蒸着法では、所定パターンの開口が形成されたマスク(シャドウマスクとも称される)が使用される。マスクが密着固定された基板の被蒸着面を蒸着源に対向させる。そして、蒸着源からの蒸着粒子(成膜材料)を、マスクの開口を通して被蒸着面に蒸着させることにより、所定パターンの薄膜が形成される。蒸着は発光層の色ごとに行われる(これを「塗り分け蒸着」という)。
 例えば特許文献1,2には、基板に対してマスクを順次移動させて各色の発光層の塗り分け蒸着を行う方法が記載されている。このような方法では、基板と同等の大きさのマスクが使用され、蒸着時にはマスクは基板の被蒸着面を覆うように固定される。
特開平8-227276号公報 特開2000-188179号公報
 このような従来の塗り分け蒸着法では、基板が大きくなればそれに伴ってマスクも大型化する必要がある。しかしながら、マスクを大きくすると、マスクの自重撓みや延びにより、基板とマスクとの間に隙間が生じ易い。そのため、高精度なパターンニングを行うのが難しく、蒸着位置のズレや混色が発生して高精細化の実現が困難である。
 また、マスクを大きくすると、マスクやこれを保持するフレーム等が巨大になってその重量も増加するため、取り扱いが困難になり、生産性や安全性に支障をきたすおそれがある。また、蒸着装置やそれに付随する装置も同様に巨大化、複雑化するため、装置設計が困難になり、設置コストも高額になる。
 そのため、従来の塗り分け蒸着法では大型基板への対応が難しく、例えば、60インチサイズを超えるような大型基板に対しては量産レベルで塗り分け蒸着できる方法が実現できていない。
 また、大型基板に蒸着する場合には、大型基板の被蒸着面に蒸着粒子を均一に到達させるために、一般に複数の蒸着源開口から蒸着粒子を放出させる。この場合、マスクの開口には様々な方向から飛来した蒸着粒子が入射する。その結果、開口の内周面に蒸着粒子が付着し、開口寸法が徐々に小さくなり、遂には開口が目詰まりしてしまうという問題がある。これを防ぐためには、頻繁にマスクを交換し又は清掃する必要があり、量産においてはスループットを低下させる。
 本発明の目的は、蒸着粒子の付着によって開口寸法が小さくなったり目詰まりしたりすることが低減された蒸着マスクを提供することにある。また、本発明の目的は、大型基板に有機EL素子を効率良く製造することができる、有機EL素子の製造方法及び製造装置を提供することにある。
 本発明の蒸着マスクは、蒸着粒子を基板に付着させて前記基板上に所定パターンの被膜を形成するための蒸着マスクである。前記蒸着マスクには前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されている。前記蒸着マスクは、第1層、第2層、及び第3層をこの順に備える。前記第1層、前記第2層、及び前記第3層には、それぞれ複数の第1開口、複数の第2開口、及び複数の第3開口が形成されている。前記第1開口、前記第2開口、及び前記第3開口が互いに連通して前記マスク開口を構成する。そして、前記第2開口の開口寸法は、前記第1開口の開口寸法及び前記第3開口の開口寸法のいずれよりも大きいことを特徴とする。
 本発明の有機EL素子の製造方法は、基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造方法であって、前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有する。前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程である。そして、前記蒸着マスクとして上記の本発明の蒸着マスクを用いることを特徴とする。
 本発明の有機EL素子の製装置は、基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造装置であって、前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備える。そして、前記蒸着マスクが上記の本発明の蒸着マスクであることを特徴とする。
 本発明の蒸着マスクは、第1層の第1開口、第2層の第2開口、第3層の第3開口が連通してマスク開口を構成し、第2開口は第1開口及び第3開口よりも開口寸法が大きい。従って、第2開口の内周面に蒸着粒子が付着しても、マスク開口の有効な開口寸法はほとんど変化せず、また、目詰まりの発生を防ぐことができる。
 蒸着マスクを構成する第2層を厚くすることで蒸着マスクの厚さを厚くすれば、マスク開口を通過する蒸着粒子の出射角度を制限することができる。この蒸着マスクを、基板及び蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら蒸着マスクを介して蒸着を行う新蒸着法(詳細は後述する)に適用すれば、大型基板に対する塗り分け蒸着を効率良く行うことができる。
 本発明の有機EL素子の製造方法及び製造装置は、上記新蒸着法を用いるので、基板より小さな蒸着マスクを使用することができる。従って、大型基板に対して塗り分け蒸着することができる。
 更に、本発明の有機EL素子の製造方法及び製造装置は、蒸着マスクとして本発明の上記の蒸着マスクを用いるので、マスク開口の開口寸法が小さくなったり、マスク開口が目詰まりしたりする可能性が低減され、有機EL素子を効率良く製造することができる。
図1は、有機ELディスプレイの概略構成を示す断面図である。 図2は、図1に示す有機ELディスプレイを構成する画素の構成を示す平面図である。 図3は、図2のIII-III線に沿った有機ELディスプレイを構成するTFT基板の矢視断面図である。 図4は、有機ELディスプレイの製造工程を工程順に示すフローチャートである。 図5は、新蒸着法の基本概念を示した斜視図である。 図6は、基板の走行方向に垂直な面での、図5に示した蒸着装置の断面図である。 図7は、図5の新蒸着法において、被膜の端縁に生じるボヤケの発生原因を説明する断面図である。 図8A~図8Cは、高アスペクト比のマスク開口が蒸着材料によって目詰まりする過程を順に示した拡大断面図である。 図9は、本発明の実施形態1に係る有機EL素子の製造装置の概略構成を示した斜視図である。 図10は、図9のX-X線に沿った本発明の実施形態1に係る有機EL素子の製造装置の拡大断面図である。 図11A~図11Cは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口の内周面に蒸着材料が付着する様子を順に示した拡大断面図である。 図12Aは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口パターンの一例を示した平面図である。 図12Bは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口パターンの別の例を示した平面図である。 図12Cは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口パターンの更に別の例を示した平面図である。 図12Dは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口パターンの更に別の例を示した平面図である。 図12Eは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口パターンの更に別の例を示した平面図である。 図13Aは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクのマスク開口及びその周辺部分を示した拡大断面図である。図13B~図13Eは、第1開口、第2開口、第3開口の内周面の別の断面形状の例を示した断面図である。 図14A~図14Dは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクの製造方法の一例を工程順に示した拡大断面図である。 図15は、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクを構成する第1層及び第3層の製造方法を示した概略図である。 図16Aは、図14Bに示した第2層の平面図である。 図16Bは、図15に示した方法によって得られた第1層の平面図である。 図16Cは、図14Cに示した、第2層上に第1層を貼り合わせた状態を示した平面図である。 図17A~図17Eは、本発明の実施形態1に係る蒸着マスクの製造方法の別の例を工程順に示した拡大断面図である。 図18Aは、本発明の実施形態2に係る蒸着マスクのマスク開口を通過する蒸着粒子を示した拡大断面図である。図18Bは、本発明の実施形態2に係る別の蒸着マスクのマスク開口を通過する蒸着粒子を示した拡大断面図である。 図19A~図19Fは、本発明の実施形態2に係る蒸着マスクの製造方法の一例を工程順に示した拡大断面図である。
 上記の本発明の蒸着マスクにおいて、前記第2層は、前記第1層及び前記第3層のいずれよりも厚いことが好ましい。これにより、蒸着マスクのマスク開口パターンの精度を確保しながら、蒸着マスクを厚くすることができる。蒸着マスクを厚くすることにより、蒸着マスクのマスク開口から出射する蒸着粒子の出射角度の上限を低くすることができるので、蒸着マスクと基板とが離間していても、被膜の端縁のボヤケの発生を抑えることができる。
 前記第1開口の開口寸法は前記第3開口の開口寸法と同じであってもよい。これにより、被膜の端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。
 あるいは、前記第1開口の開口寸法は前記第3開口の開口寸法と異なっていてもよい。これにより、蒸着マスクを少ない工程数で簡便に作成することができる場合がある。
 前記第1層及び前記第3層は同一の材料からなることが好ましい。これにより、蒸着時の熱により蒸着マスクが反るのを抑えることができる。
 蒸着マスクが1.2mm以上の厚さを有することが好ましい。蒸着マスクをこのように厚くすることにより、被膜の端縁のボヤケの発生を更に抑えることができる。
 前記第1層及び前記第3層の厚さは、いずれも0.1mm以下であることが好ましい。第1層及び第3層を薄くすることにより、第1層及び第3層に微小な開口寸法を有する第1開口及び第3開口を精度よく形成することができる。また、第1開口及び第3開口の内周面に蒸着粒子が付着するのを抑えることができるので、蒸着粒子が付着することによって、マスク開口の開口寸法が小さくなったり、マスク開口が目詰まりしたりするのを抑えることができる。
 前記被膜が有機EL素子を構成する発光層であることが好ましい。これにより、高開口率で発光ムラの少ない有機EL素子を製造することができる。
 以下に、本発明を好適な実施形態を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されないことはいうまでもない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態の構成部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明は以下の各図に示されていない任意の構成部材を備え得る。また、以下の各図中の部材の寸法は、実際の構成部材の寸法および各部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
 (有機ELディスプレイの構成)
 本発明を適用して製造可能な有機ELディスプレイの一例を説明する。この有機ELディスプレイは、TFT基板側から光を取り出すボトムエミッション型で、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色からなる画素(サブ画素)の発光を制御することによりフルカラーの画像表示を行う有機ELディスプレイである。
 まず、上記有機ELディスプレイの全体構成について以下に説明する。
 図1は、有機ELディスプレイの概略構成を示す断面図である。図2は、図1に示す有機ELディスプレイを構成する画素の構成を示す平面図である。図3は、図2のIII-III線に沿った有機ELディスプレイを構成するTFT基板の矢視断面図である。
 図1に示すように、有機ELディスプレイ1は、TFT12(図3参照)が設けられたTFT基板10上に、TFT12に接続された有機EL素子20、接着層30、封止基板40がこの順に設けられた構成を有している。有機ELディスプレイ1の中央が画像表示を行う表示領域19であり、この表示領域19内に有機EL素子20が配置されている。
 有機EL素子20は、当該有機EL素子20が積層されたTFT基板10を、接着層30を用いて封止基板40と貼り合わせることで、これら一対の基板10,40間に封入されている。このように有機EL素子20がTFT基板10と封止基板40との間に封入されていることで、有機EL素子20への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
 TFT基板10は、図3に示すように、支持基板として、例えばガラス基板等の透明な絶縁基板11を備える。但し、トップエミッション型の有機ELディスプレイでは、絶縁基板11は透明である必要はない。
 絶縁基板11上には、図2に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線14が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。絶縁基板11上には、これら配線14で囲まれた各領域に、赤(R)、緑(G)、青(B)の色の有機EL素子20からなるサブ画素2R,2G,2Bが、マトリクス状に配置されている。
 サブ画素2Rは赤色光を発射し、サブ画素2Gは緑色光を発射し、サブ画素2Bは青色光を発射する。列方向(図2の上下方向)には同色のサブ画素が配置され、行方向(図2の左右方向)にはサブ画素2R,2G,2Bからなる繰り返し単位が繰り返して配置されている。行方向の繰り返し単位を構成するサブ画素2R,2G,2Bが画素2(すなわち、1画素)を構成する。
 各サブ画素2R,2G,2Bは、各色の発光を担う発光層23R,23G,23Bを備える。発光層23R,23G,23Bは、列方向(図2の上下方向)にストライプ状に延設されている。
 TFT基板10の構成を説明する。
 TFT基板10は、図3に示すように、ガラス基板等の透明な絶縁基板11上に、TFT12(スイッチング素子)、配線14、層間膜13(層間絶縁膜、平坦化膜)、エッジカバー15等を備える。
 TFT12はサブ画素2R,2G,2Bの発光を制御するスイッチング素子として機能するものであり、サブ画素2R,2G,2Bごとに設けられる。TFT12は配線14に接続される。
 層間膜13は、平坦化膜としても機能するものであり、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上の表示領域19の全面に積層されている。
 層間膜13上には、第1電極21が形成されている。第1電極21は、層間膜13に形成されたコンタクトホール13aを介して、TFT12に電気的に接続されている。
 エッジカバー15は、層間膜13上に、第1電極21のパターン端部を被覆するように形成されている。エッジカバー15は、第1電極21のパターン端部で有機EL層27が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機EL素子20を構成する第1電極21と第2電極26とが短絡することを防止するための絶縁層である。
 エッジカバー15には、サブ画素2R,2G,2B毎に開口15R,15G,15Bが設けられている。このエッジカバー15の開口15R,15G,15Bが、各サブ画素2R,2G,2Bの発光領域となる。言い換えれば、各サブ画素2R,2G,2Bは、絶縁性を有するエッジカバー15によって仕切られている。エッジカバー15は、素子分離膜としても機能する。
 有機EL素子20について説明する。
 有機EL素子20は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第1電極21、有機EL層27、第2電極26をこの順に備える。
 第1電極21は、有機EL層27に正孔を注入(供給)する機能を有する層である。第1電極21は、前記したようにコンタクトホール13aを介してTFT12と接続されている。
 有機EL層27は、図3に示すように、第1電極21と第2電極26との間に、第1電極21側から、正孔注入層兼正孔輸送層22、発光層23R,23G,23B、電子輸送層24、電子注入層25をこの順に備える。
 本実施形態では、第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としているが、第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極としてもよく、この場合は有機EL層27を構成する各層の順序は反転する。
 正孔注入層兼正孔輸送層22は、正孔注入層としての機能と正孔輸送層としての機能とを併せ持つ。正孔注入層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔注入効率を高める機能を有する層である。正孔輸送層は、発光層23R,23G,23Bへの正孔輸送効率を高める機能を有する層である。正孔注入層兼正孔輸送層22は、第1電極21およびエッジカバー15を覆うように、TFT基板10における表示領域19の全面に一様に形成されている。
 本実施形態では、正孔注入層と正孔輸送層とが一体化された正孔注入層兼正孔輸送層22を設けているが、本発明はこれに限定されず、正孔注入層と正孔輸送層とが互いに独立した層として形成されていてもよい。
 正孔注入層兼正孔輸送層22上には、発光層23R,23G,23Bが、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、それぞれ、サブ画素2R,2G,2Bの列に対応して形成されている。発光層23R,23G,23Bは、第1電極21側から注入されたホール(正孔)と第2電極26側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。発光層23R,23G,23Bは、それぞれ、低分子蛍光色素や金属錯体等の発光効率が高い材料を含む。
 電子輸送層24は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。
 電子注入層25は、第2電極26から発光層23R,23G,23Bへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
 電子輸送層24は、発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22を覆うように、これら発光層23R,23G,23Bおよび正孔注入層兼正孔輸送層22上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。また、電子注入層25は、電子輸送層24を覆うように、電子輸送層24上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
 本実施形態では、電子輸送層24と電子注入層25とは互いに独立した層として設けられているが、本発明はこれに限定されず、両者が一体化された単一の層(即ち、電子輸送層兼電子注入層)として設けられていてもよい。
 第2電極26は、有機EL層27に電子を注入する機能を有する層である。第2電極26は、電子注入層25を覆うように、電子注入層25上に、TFT基板10における表示領域19の全面にわたって一様に形成されている。
 なお、発光層23R,23G,23B以外の有機層は有機EL層27として必須ではなく、要求される有機EL素子20の特性に応じて取捨選択すればよい。また、有機EL層27は、必要に応じて、キャリアブロッキング層を更に有していてもよい。例えば、発光層23R,23G,23Bと電子輸送層24との間にキャリアブロッキング層として正孔ブロッキング層を追加することで、正孔が電子輸送層24に抜けるのを阻止し、発光効率を向上することができる。
 有機EL素子20は、例えば、下記(1)~(8)に示すような層構成を採用することができる。
(1)第1電極/発光層/第2電極
(2)第1電極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/第2電極
(3)第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/第2電極
(4)第1電極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(5)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(6)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/第2電極
(7)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
(8)第1電極/正孔注入層/正孔輸送層/電子ブロッキング層(キャリアブロッキング層)/発光層/正孔ブロッキング層/電子輸送層/電子注入層/第2電極
 上記の層構成において、例えば正孔注入層と正孔輸送層とは一体化された単一層であってもよい。また、電子輸送層と電子注入層とは一体化された単一層であってもよい。
 また、有機EL素子20の構成は、上記例示の層構成(1)~(8)に限定されず、例えば有機EL素子20に要求される特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
 (有機ELディスプレイの製造方法)
 次に、有機ELディスプレイ1の製造方法について以下に説明する。
 図4は、上記の有機ELディスプレイ1の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
 図4に示すように、本実施形態にかかる有機ELディスプレイ1の製造方法は、例えば、TFT基板・第1電極の作製工程S1、正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2、発光層の形成工程S3、電子輸送層の形成工程S4、電子注入層の形成工程S5、第2電極の形成工程S6、封止工程S7をこの順に備えている。
 以下に、図4の各工程を説明する。但し、以下に示す各構成要素の寸法、材質、形状等はあくまで一例に過ぎず、本発明はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では第1電極21を陽極とし、第2電極26を陰極としており、これとは逆に第1電極21を陰極とし、第2電極26を陽極とする場合には、有機EL層の積層順は以下の説明と反転する。同様に、第1電極21および第2電極26を構成する材料も以下の説明と反転する。
 最初に、絶縁基板11上に公知の方法でTFT12及び配線14等を形成する。絶縁基板11としては、例えば透明なガラス基板あるいはプラスチック基板等を用いることができる。絶縁基板11の厚さは例えば0.7~1.1mm、縦横寸法は例えば500mm×400mmとすることができるが、これに限定されない。一実施例では、厚さが約1mm、縦横寸法が500×400mmの矩形形状のガラス板を用いることができる。
 次いで、TFT12及び配線14を覆うように絶縁基板11上に感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングを行うことで、層間膜13を形成する。層間膜13の材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂等の絶縁性材料を用いることができる。アクリル樹脂としては、例えば、JSR株式会社製のオプトマーシリーズが挙げられる。また、ポリイミド樹脂としては、例えば、東レ株式会社製のフォトニースシリーズが挙げられる。但し、ポリイミド樹脂は一般に透明ではなく、有色である。このため図3に示すようなボトムエミッション型の有機ELディスプレイ1を製造する場合には、層間膜13としてはアクリル樹脂等の透明性樹脂を用いることが好ましい。層間膜13の厚さは、TFT12の上面の段差を解消することができればよく、特に限定されない。一実施例では、アクリル樹脂を用いて厚さ約2μmの層間膜13を形成することができる。
 次に、層間膜13に、第1電極21をTFT12に電気的に接続するためのコンタクトホール13aを形成する。
 次に、層間膜13上に、第1電極21を形成する。即ち、層間膜13上に導電膜(電極膜)として、例えばITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)膜を、スパッタ法等により、例えば100nmの厚さで成膜する。次いで、ITO膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングを行った後、塩化第二鉄をエッチング液として、ITO膜をエッチングする。その後、レジスト剥離液を用いてフォトレジストを剥離し、さらに基板洗浄を行う。これにより、層間膜13上にマトリクス状の第1電極21が得られる。
 第1電極21に用いられる導電膜材料としては、ITO以外に、IZO(Indium Zinc Oxide:インジウム亜鉛酸化物)、ガリウム添加酸化亜鉛(GZO)等の透明導電材料;金(Au)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)等の金属材料;を用いることもできる。
 導電膜の積層方法としては、スパッタ法以外に、真空蒸着法、CVD(chemical vapor deposition、化学蒸着)法、プラズマCVD法、印刷法等を用いることができる。
 一実施例では、スパッタ法により、ITOを用いて、厚さ約100nmの第1電極21を形成することができる。
 次に、所定パターンのエッジカバー15を形成する。エッジカバー15は、例えば層間膜13と同様の絶縁材料を使用することができ、層間膜13と同様の方法でパターニングすることができる。一実施例では、アクリル樹脂を用いて、厚さ約1μmのエッジカバー15を形成することができる。
 以上により、TFT基板10および第1電極21が作製される(工程S1)。
 次に、工程S1を経たTFT基板10を、脱水のために減圧ベーク処理し、更に第1電極21の表面洗浄のために酸素プラズマ処理する。
 次に、上記TFT基板10上に、正孔注入層および正孔輸送層(本実施形態では正孔注入層兼正孔輸送層22)を、TFT基板10の表示領域19の全面に蒸着法により形成する(S2)。
 具体的には、表示領域19の全面が開口したオープンマスクを、TFT基板10に密着固定し、TFT基板10とオープンマスクとを共に回転させながら、オープンマスクの開口を通じて正孔注入層および正孔輸送層の材料をTFT基板10の表示領域19の全面に蒸着する。
 正孔注入層と正孔輸送層とは、前記したように一体化されていてもよく、互いに独立した層であってもよい。層の厚みは、一層あたり例えば10~100nmである。
 正孔注入層および正孔輸送層の材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、アザトリフェニレン、およびこれらの誘導体;ポリシラン系化合物;ビニルカルバゾール系化合物;チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の、複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、またはポリマー;等が挙げられる。
 一実施例では、4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル(α-NPD)を使用して、厚さ30nmの正孔注入層兼正孔輸送層22を形成することができる。
 次に、正孔注入層兼正孔輸送層22上に、エッジカバー15の開口15R,15G,15Bを覆うように、発光層23R,23G,23Bをストライプ状に形成する(S3)。発光層23R,23G,23Bは、赤、緑、青の各色別に、所定領域を塗り分けるように蒸着される(塗り分け蒸着)。
 発光層23R,23G,23Bの材料としては、低分子蛍光色素、金属錯体等の発光効率が高い材料が用いられる。例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、およびこれらの誘導体;トリス(8-キノリノラト)アルミニウム錯体;ビス(ベンゾキノリノラト)ベリリウム錯体;トリ(ジベンゾイルメチル)フェナントロリンユーロピウム錯体;ジトルイルビニルビフェニル;等が挙げられる。
 発光層23R,23G,23Bの厚さは、例えば10~100nmにすることができる。
 本発明の蒸着マスク及びこれを用いた有機EL素子の製造方法と製造装置は、この発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着に特に好適に使用することができる。本発明を使用した発光層23R,23G,23Bの形成方法の詳細は後述する。
 次に、正孔注入層兼正孔輸送層22および発光層23R,23G,23Bを覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子輸送層24を蒸着法により形成する(S4)。電子輸送層24は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
 次に、電子輸送層24を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に電子注入層25を蒸着法により形成する(S5)。電子注入層25は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。
 電子輸送層24および電子注入層25の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、およびこれらの誘導体や金属錯体;LiF(フッ化リチウム);等を用いることができる。
 前記したように電子輸送層24と電子注入層25とは、一体化された単一層として形成されてもよく、または独立した層として形成されてもよい。各層の厚さは、例えば1~100nmである。また、電子輸送層24および電子注入層25の合計厚さは、例えば20~200nmである。
 一実施例では、Alq(トリス(8-ヒドロキシキノリン)アルミニウム)を使用して厚さ30nmの電子輸送層24を形成し、LiF(フッ化リチウム)を使用して厚さ1nmの電子注入層25を形成することができる。
 次に、電子注入層25を覆うように、TFT基板10の表示領域19の全面に第2電極26を蒸着法により形成する(S6)。第2電極26は、上記した正孔注入層・正孔輸送層の形成工程S2と同様の方法により形成することができる。第2電極26の材料(電極材料)としては、仕事関数の小さい金属等が好適に用いられる。このような電極材料としては、例えば、マグネシウム合金(MgAg等)、アルミニウム合金(AlLi、AlCa、AlMg等)、金属カルシウム等が挙げられる。第2電極26の厚さは、例えば50~100nmである。一実施例では、アルミニウムを用いて厚さ50nmの第2電極26を形成することができる。
 第2電極26上には、第2電極26を覆うように、外部から酸素や水分が有機EL素子20内に浸入することを阻止するために、保護膜を更に設けてもよい。保護膜の材料としては、絶縁性や導電性を有する材料を用いることができ、例えば窒化シリコンや酸化シリコンが挙げられる。保護膜の厚さは、例えば100~1000nmである。
 以上により、TFT基板10上に、第1電極21、有機EL層27、および第2電極26からなる有機EL素子20を形成できる。
 次いで、図1に示すように、有機EL素子20が形成されたTFT基板10と、封止基板40とを、接着層30にて貼り合わせ、有機EL素子20を封入する。封止基板40としては、例えば厚さが0.4~1.1mmのガラス基板あるいはプラスチック基板等の絶縁基板を用いることができる。
 かくして、有機ELディスプレイ1が得られる。
 このような有機ELディスプレイ1において、配線14からの信号入力によりTFT12をON(オン)させると、第1電極21から有機EL層27へ正孔が注入される。一方、第2電極26から有機EL層27へ電子が注入される。正孔と電子とは発光層23R,23G,23B内で再結合し、エネルギーを失活する際に所定の色の光を出射する。各サブ画素2R,2G,2Bの発光輝度を制御することで、表示領域19に所定の画像を表示することができる。
 以下に、発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着により形成する工程S3を説明する。
 (新蒸着法)
 発光層23R,23G,23Bを塗り分け蒸着する方法として、本発明者らは、特許文献1,2のような、蒸着時に基板と同等の大きさのマスクを基板に固定する蒸着方法に代えて、蒸着源及び蒸着マスクに対して基板を移動させながら蒸着を行う新規な蒸着方法(以下、「新蒸着法」という)を検討した。
 図5は、新蒸着法の基本概念を示した斜視図である。
 蒸着源960と蒸着マスク970とで蒸着ユニット950を構成する。蒸着源960と蒸着マスク970との相対的位置は一定である。基板10が、蒸着マスク970に対して蒸着源960とは反対側を一定速度で一方向10aに移動する。蒸着源960の上面には、それぞれが蒸着粒子991を放出する複数の蒸着源開口961が形成されており、蒸着マスク970には、複数のマスク開口975が形成されている。蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991は、マスク開口975を通過して基板10に付着する。発光層23R,23G,23Bの各色別に繰り返して蒸着を行うことにより、発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着を行うことができる。
 このような新蒸着法によれば、蒸着マスク970の、基板10の移動方向10aの寸法Dを、基板10の同方向の寸法とは無関係に設定することができる。従って、基板10よりも小さい蒸着マスク970を用いることができる。このため、基板10を大型化しても蒸着マスク970を大型化する必要がないので、蒸着マスク970の自重撓みや延びの問題が発生しない。また、蒸着マスク970やこれを保持するフレーム等が巨大化・重量化することもない。従って、特許文献1,2に記載された従来の蒸着法の問題が解決され、大型基板に対する塗り分け蒸着が可能になる。
 しかしながら、本発明者らの更なる検討の結果、図5に示した新蒸着法は、特許文献1,2の蒸着法に比べて、形成される被膜(蒸着膜)の端縁にボヤケが生じやすいという問題があることが判明した。この問題の発生原因を以下に説明する。
 図6は、基板10の移動方向10aに垂直な面での、図5の蒸着装置の断面図である。図6において、955は基板10を保持する保持装置、956は保持装置955で保持された基板10を矢印10aの向きに移動させる移動機構である。図6の紙面の左右方向に、複数の蒸着源開口961及び複数のマスク開口975が並んでいる。各蒸着源開口961から蒸着粒子991はある広がり(指向性)をもって放出される。即ち、図6において、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子991の数は、蒸着源開口961の真上方向において最も多く、真上方向に対するなす角度(出射角度)が大きくなるにしたがって徐々に少なくなる。蒸着源開口961から放出された各蒸着粒子991は、それぞれの放出方向に向かって直進する。図6では、蒸着源開口961から放出される蒸着粒子991の流れを矢印で概念的に示している。従って、各マスク開口975には、その真下に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991が最も多く飛来するが、これに限定されず、斜め下方に位置する蒸着源開口961から放出された蒸着粒子991も飛来する。
 図7は、あるマスク開口975を通過した蒸着粒子991によって基板10上に形成される被膜990の、図6と同様に基板10の移動方向10aに垂直な面での断面図である。上述したように、様々な方向から飛来した蒸着粒子991がマスク開口975を通過する。基板10の被蒸着面10eに到達する蒸着粒子991の数は、マスク開口975の真上の領域で最も多く、これから遠くなるにしたがって徐々に少なくなる。従って、図7に示すように、基板10の被蒸着面10eには、マスク開口975の真上の領域に、厚さが一定且つ最大である一定厚み部分990cが形成され、その両側に、一定厚み部分990cより遠くなるにしたがって徐々に薄くなる厚み漸減部分990eが形成される。そして、この厚み漸減部分990eが被膜990の端縁のボヤケを生じさせる。
 厚み漸減部分990eがサブ画素2R,2G,2Bの開口15R,15G,15B内で生じると、発光ムラが生じたり、素子寿命が短くなったりする。これを防ぐために、開口幅を狭くすると、開口率が低下し輝度が低下してしまう。
 従って、厚み漸減部分990eの幅Weを小さくする必要がある。そのためには、以下の方法が考えられる。
 第1の方法として、蒸着マスク970と基板10との間隔Gを小さくすることが考えられる。しかしながら、新蒸着法では、蒸着マスク970に対して基板10を相対的に移動させる必要があるので、蒸着マスク970と基板10との間隔Gをゼロにすることはできない。
 第2の方法として、蒸着マスク970を厚くすることが考えられる。図7に示すように、蒸着マスク970の厚さをTm、マスク開口975の開口幅をWo(これは、一定厚み部分990cの幅と一致する。)とすると、厚み漸減部分990eの幅Weは、
   We=G・Wo/Tm   ・・・(1)
で求められる。従って、蒸着マスク970の厚さTmを大きくすると、厚み漸減部分990eの幅Weは小さくなる。
 一定厚み部分990cに対して一方の側の厚み漸減部分990eの幅Weの一定厚み部分990cの幅Woに対する割合を許容ボヤケ率B(%)とすると、許容ボヤケ率Bは、
   B=(We/Wo)×100   ・・・(2)
で求められる。上記式(1)及び式(2)より、蒸着マスク970の厚さTmは、
   Tm=100G/B   ・・・(3)
で求められる。
 例えば有機ELディスプレイでは、画素の開口率は25%以上であることが求められる。ある発光層に、この発光層に対して隣に位置する、異なる色の発光層材料が混入する「混色」を生じさせることなく、開口率25%以上を実現するためには、許容ボヤケ率Bは25%以下であることが望ましい。
 一方、蒸着マスク970と基板10との間隔Gは、蒸着マスク970と基板10とが衝突することなく一方を他方に対して相対的に移動させるためには0.3mm以上であることが好ましく、3mm程度あれば十分である。
 従って、上記式(3)より、蒸着マスク970の厚さTmは、1.2mm以上、特に12mm以上であることが望ましい。現在、有機EL素子の製造に使用される蒸着マスクの一般的な厚みは100μm以下であるから、上記の1mmを遥かに越える蒸着マスクの厚みはかなり厚いといえる。
 マスク開口975の開口幅Woは例えば100μm程度が想定される。このような微細なマスク開口975を、その開口幅Woの10倍以上も厚い、厚さ数mm程度の蒸着マスク970に形成することは一般に極めて困難であり、量産に適さず、高コストとなる。
 また、仮にこのような高アスペクト比(=厚さTm/開口幅Wo)のマスク開口975を形成することができたとしても、マスク開口975が蒸着材料によって目詰まりしやすいという別の問題が発生する。これを図8A~図8Cを用いて説明する。
 図8Aは、高アスペクト比のマスク開口975が形成された蒸着マスク970を用いて基板10上に被膜の形成を開始した直後の状態を示した断面図である。蒸着開始からしばらく時間が経過すると、図8Bに示すように、マスク開口975の内周面に蒸着粒子991が付着することによって蒸着材料層992が形成される。蒸着材料層992は、マスク開口975の有効開口幅(マスク開口975のうち、蒸着粒子991が通過できる部分の幅)を狭める。例えばマスク開口975の開口幅Woが100μm程度の場合、蒸着材料層992の厚みが5μm程度に達すると、基板10に形成される被膜の幅や厚みに悪影響を及ぼす可能性がある。更に時間が経過すると、蒸着材料層992が更に厚くなり、例えばマスク開口975の開口幅Woが100μm程度の場合に、蒸着材料層992の厚みが50μm程度に達すると、図8Cに示すように蒸着材料層992がマスク開口975を塞ぎ、目詰まりを生じさせる。
 マスク開口975のアスペクト比が大きくなると、マスク開口975の内壁面に衝突する蒸着粒子991が増えるので、蒸着材料層992が形成されやすい。しかも、マスク開口975の開口幅が狭いので、僅かな蒸着材料層992の形成によって短時間で目詰まりに至ってしまう。
 本発明者らは、上記の問題を解決するべく鋭意検討した結果、高アスペクト比でありながら、目詰まりしにくいマスク開口を備えた蒸着マスクの構成を見出した。そして、この蒸着マスクを新蒸着法(図5参照)に適用すれば、蒸着マスクと基板とが離間していても、被膜の漸減部分の幅Weを小さくすることができるので、被膜の端縁にボヤケが生じるという新蒸着法の問題を解消できることを見出した。その結果、大型基板に高開口率の有機EL素子を形成することが可能となり、高輝度の大型有機ELディスプレイを提供することが可能となった。
 以下に、本発明の好適な実施形態を説明する。
 (実施形態1)
 <有機EL素子の製造方法及び製造装置>
 図9は、本発明の実施形態1に係る有機EL素子の製造装置の概略構成を示した斜視図である。以下の説明の便宜のため、基板10の幅方向に沿った水平方向軸をX軸、X軸と垂直な水平方向軸をY軸、X軸及びY軸に平行な上下方向軸をZ軸とするXYZ直交座標系を設定する。XY面は基板10の被蒸着面10e(後述する図10を参照)と平行である。
 蒸着源60に対してZ軸方向に対向して蒸着マスク70が配置されている。蒸着源60と蒸着マスク70との相対的位置は一定である。蒸着源60及び蒸着マスク70は蒸着ユニット50を構成する。
 基板10は、図示しない保持装置により保持される。保持装置としては、図6に示した保持装置955と同様に、基板10の被蒸着面10eとは反対側の面を静電気力で保持する静電チャックを用いることができる。これにより、基板10の自重による撓みが実質的にない状態で基板10を保持することができる。但し、基板10を保持する保持装置は、静電チャックに限定されず、これ以外の装置であってもよい。
 保持装置に保持された基板10は、図示しない移動機構(図6の移動機構956を参照)によって、蒸着マスク70に対して蒸着源60とは反対側を、蒸着マスク70から一定間隔だけ離間した状態で、一定速度で一方向10aに移動(走査)される。本実施形態1では、基板10の移動方向は、Y軸の正の方向と一致する。但し、基板10の移動は、往復移動であってもよく、あるいは、いずれか一方のみに向かう単方向移動であってもよい。移動機構の構成は特に制限はない。例えばモータで送りネジを回転させる送りネジ機構やリニアモータ等、公知の搬送駆動機構を用いることができる。
 上記の蒸着ユニット50と、基板10と、基板10を保持する保持装置と、基板10を移動させる移動機構とは、図示しない真空チャンバ内に収納される。真空チャンバは密封された容器であり、その内部空間は減圧されて所定の低圧力状態に維持される。
 蒸着源60は、その上面(即ち、蒸着マスク70に対向する面)に、複数の蒸着源開口61を備える。複数の蒸着源開口61は、X軸に沿って等間隔で配置されている。各蒸着源開口61は、Z軸に沿って上方に向かって開口しており、蒸着マスク70に向かって発光層の材料となる蒸着粒子91を放出する。なお、本発明において、蒸着源開口は、蒸着マスク70に向かって蒸着粒子91を放出することができればよく、その開口形状、個数、配置等は図9に限定されない。例えば、蒸着源開口は、X軸方向に延びたスリット状のただ1つの開口であってもよい。あるいは、X軸方向に延びたスリット状の開口がY軸方向の異なる複数位置に形成されていてもよい。また、X軸と平行な直線上に並んだ複数の蒸着源開口の列が、Y軸方向の異なる位置に複数列配置されていてもよい。
 図12Aは、蒸着マスク70の平面図である。蒸着マスク70には、X軸方向の異なる位置に複数のマスク開口75が形成されている。複数のマスク開口75はX軸方向に沿って配置されている。各マスク開口75はY軸方向に延びたスリット状の開口である。
 図10は、図9に示した複数の蒸着源開口61を通るX-X線を含むXZ面と平行な面に沿った、本実施形態に係る有機EL素子の製造装置の断面図である。
 蒸着マスク70は、基板10側から蒸着源60側に向かって、第1層71、第2層72、第3層73をこの順に備える。第1層71には複数の第1開口71hが形成され、第2層72には複数の第2開口72hが形成され、第3層73には複数の第3開口73hが形成されている。第1開口71h、第2開口72h、第3開口73hが互いに連通することによって、蒸着マスク70のマスク開口75が形成されている。第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きい。
 以上のように構成された本実施形態の有機EL素子の製造装置を用いて、発光層23R,23G,23B(図3参照)は以下のようにして形成される。
 蒸着源60の複数の蒸着源開口61から蒸着粒子91を放出した状態において、基板10をY軸方向に移動させる。蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91は、蒸着マスク70に形成された複数のマスク開口75を通過して、基板10の被蒸着面(即ち、基板10の蒸着マスク70に対向する側の面)10eに到達する。その結果、基板10の被蒸着面10eに蒸着粒子91が付着して、Y軸方向に平行な複数のストライプ状の被膜90が形成される。
 赤、緑、青の各色別に蒸着材料91を変えて3回の蒸着(塗り分け蒸着)を行うことにより、基板10の被蒸着面10eに赤、緑、青の各色に対応したストライプ状の被膜90(即ち、発光層23R,23G,23B)を形成することができる。
 上記の実施形態では、不動の蒸着ユニット50に対して基板10が移動するが、本発明はこれに限定されず、蒸着ユニット50及び基板10のうちの一方を他方に対して相対的に移動させればよい。例えば、基板10の位置を一定とし、蒸着ユニット50を移動させてもよく、あるいは、蒸着ユニット50及び基板10の両方を移動させてもよい。
 上記の実施形態では、蒸着ユニット50の上方に基板10を配置したが、蒸着ユニット50と基板10との相対的位置関係はこれに限定されない。例えば、蒸着ユニット50の下方に基板10を配置してよく、あるいは、蒸着ユニット50と基板10とを水平方向に対向して配置してもよい。
 <蒸着マスク>
 本実施形態の蒸着マスク70の作用について説明する。
 本実施形態においても、図5及び図6に示した新蒸着法と同様に、蒸着源開口61から蒸着粒子91がある広がり(指向性)をもって放出される。蒸着ユニット50を含む空間は所定の真空度に維持されているので、各蒸着粒子91はそれぞれの放出方向にほぼまっすぐに飛行する。従って、図10に示すように、蒸着マスク70の各マスク開口75には、当該マスク開口75の真下に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91に加えて、斜め下方に位置する蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91も飛来する。即ち、マスク開口75には、様々な入射角度の蒸着粒子91が入射する。ここで、蒸着粒子91の「入射角度」は、XZ面への投影図において、マスク開口75に入射する蒸着粒子91の進行方向がZ軸に対してなす角度で定義される。
 図11Aは、蒸着マスク70を用いて基板10上に被膜90の形成を開始した直後の状態を示した断面図である。第3開口73hに入射した蒸着粒子91のうち大きな入射角度で入射した蒸着粒子91は、マスク開口75の内周面に衝突し付着するので、第1開口71aを通過することはできない。従って、蒸着開始からしばらく時間が経過すると、図11Bに示すように、マスク開口75の内周面に蒸着粒子91が付着することによって蒸着材料層92が形成される。本実施形態では、第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きいので、蒸着材料層92は、第2層72の第2開口72hの内周面及び第1層71の第1開口71hの周囲の下面(第2層72側の面)に形成される。更に時間が経過すると、図11Cに示すように、蒸着材料層92は厚くなるが、マスク開口75の有効な開口寸法が小さくなったり、マスク開口75が蒸着材料層92で塞がれて目詰まりしたりすることはない。
 マスク開口75が目詰まりしにくいので、第2層72の厚み(Z軸方向寸法)を大きくすることが可能となる。即ち、第2層72を第1層71及び第3層73のいずれよりも厚くして、蒸着マスク70の厚さを上述した望ましい厚さである1.2mm以上にすることが可能となる。
 蒸着マスク70を厚くすると、マスク開口75のアスペクト比が大きくなるので、マスク開口75を通過できる蒸着粒子91の出射角度は小さくなる。ここで、蒸着粒子91の「出射角度」は、XZ面への投影図において、マスク開口75から出射する蒸着粒子91の進行方向がZ軸に対してなす角度で定義される。蒸着粒子91の出射角度は、第1層71の第1開口71hと第3層73の第3開口73hとによって決定される。
 このように、本実施形態の蒸着マスク70は、第2層72を厚くすることにより、マスク開口75を通過できる蒸着粒子91の出射角度を制限する。具体的には、マスク開口75の真下に位置する限られた数(好ましくは1つ)の蒸着源開口61から放出された蒸着粒子91のみを選択的に当該マスク開口75を通過させる。その結果、本実施形態では、マスク開口75から出射する蒸着粒子91の出射角度の上限値は、図5及び図6に示した新蒸着法に比べて小さくなる。従って、蒸着マスク70と基板10とが離間していても、図7に示した厚み漸減部分990eの幅Weを小さくすることができ、ストライプ状の被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を大幅に抑制することができる。
 一般に、発光層23R,23G,23Bの塗り分け蒸着に使用する蒸着マスクのマスク開口パターンには±十数μm以下の精度が要求される。このような精度を実現するためには、加工上の制約等のために、蒸着マスクの厚さは0.1mm以下であることが好ましい。本実施形態では、マスク開口75の高アスペクト比を維持したまま、第1層71及び第3層73を薄く(好ましくは0.1mm以下)することができるので、マスク開口パターンに必要な上記の精度を実現することができる。これによって、基板10の被蒸着面に10eに形成される被膜90の位置精度を確保している。
 また、第1層71及び第3層73を薄くすることにより、第1開口71hの内周面及び第3開口73hの内周面に、実用上問題となる程度に蒸着粒子91が付着することはほとんどない。
 一方、第2層72は、第1層71及び第3層73のいずれよりも厚いことが好ましく、更には、第1層71及び第3層73より0.1mm以上厚いことが好ましい。第2層72を厚くすると、加工上の制約等のために、第2開口72hのパターン精度は劣化する。しかしながら、第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きいので、第2開口72aはマスク開口75から出射する蒸着粒子91の出射角度に対して何ら影響しない。従って、第2開口72hの相対的に低いパターン精度は被膜90の位置精度等に対して悪影響を及ぼさない。
 このように、本実施形態の蒸着マスク70によれば、相対的に薄い第1層71及び第3層73で必要とされるマスク開口パターン精度を確保することができ、相対的に厚い第2層72でマスク開口75の高アスペクト比を確保することができる。従って、蒸着マスク70を上述した新蒸着法に適用したときに、両側の端縁のボヤケの発生が少ない高品質の被膜90を形成することができる。しかも、蒸着粒子91の付着によってマスク開口75の開口寸法が小さくなったり目詰まりしたりするのを防止することができる。
 第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きければよい。図11Aに示すように、第2開口72hの内周面に対する第1開口71hの端縁及び第3開口73hの端縁の突き出し長さL1,L3は、蒸着材料層92の想定される厚さ等を考慮して設定することができるが、一般に0.2mm以上であることが好ましい。但し、突き出し長さL1,L3が大きすぎると、第1開口71hの端縁及び第3開口73hの端縁が重力等より変形して、両者のZ軸方向間隔が変化してしまう可能性がある。例えば、第1開口71hのX軸方向の開口寸法及び第3開口73hのX軸方向の開口寸法を100μm程度、第2開口72hのX軸方向の開口寸法を1mm程度以上に設定することができる。
 図7で説明した厚み漸減部分990eは被膜のX軸方向の両側端縁に形成される。従って、本発明では、少なくともX軸方向(幅方向)において、第2開口72hの開口寸法が第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法より大きいことが必要である。しかしながら、Y軸方向(長さ方向)においても、同様に、第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きいことが好ましい。これにより、マスク開口75の内周面に蒸着材料層92が形成されることによって、マスク開口75のY軸方向の開口寸法が小さくなり、被膜90の厚さが薄くなる等の問題の発生を防止することができる。
 上記の実施形態では、図12Aに示すように、蒸着マスク70に、X軸方向に延びた、互いに平行な複数のスリット状のマスク開口75が形成されていた。しかしながら、蒸着マスク70に形成されるマスク開口パターンはこれに限定されず、基板10の被蒸着面10eにY軸方向と平行なストライプ状の被膜90を形成することができる範囲で任意に設定することができる。
 例えば、マスク開口75を、図12Bに示すノコギリ刃状や、図12Cに示す三角波状、図12Dに示す千鳥状に配置してもよい。これらのマスク開口パターンは、形成しようとする被膜90のX軸方向ピッチが狭く、複数のマスク開口75をX軸方向に並べると、X軸方向に隣り合う第2開口72hが干渉してしまう場合に好ましく採用することができる。
 あるいは、図12Eに示すように、図12Dに示したマスク開口75の千鳥配置パターンをY軸方向に複数列配置してもよい。この場合、複数のマスク開口75が同じX軸方向位置に配置され、これら複数のマスク開口75は共通する被膜90の形成を担う。図12Eでは、図12Dに示したパターンをY軸方向に複数列配置したが、図12A~図12CのいずれかのパターンをY軸方向に複数列配置してもよい。
 蒸着マスク70に形成されるマスク開口パターンは上述した例に限定されず、任意のパターンを採用することができる。
 図12A~図12Eにおいて、矩形状の破線76は、第1層71と第2層72と第3層73とを固定するためのスポット溶接箇所を示す。
 図12A~図12Eでは、第1開口71hと第2開口72hと第3開口73hとが一対一に対応していた。しかしながら、本発明では、第1開口71hと第3開口73hとのX軸方向位置が一致していればよい。例えば、第1開口71hを通過した蒸着粒子91が、この第1開口71hとX軸方向位置が異なる第3開口73hに入射することができないほどに、第1開口71h及び第3開口73hがX軸方向に離れて配置されている場合には、共通する1つの第2開口72h内に、複数の第1開口71h及び複数の第3開口73hが形成されていてもよい。なお、第1開口71hと第3開口73hとが一対一に対応していることは、蒸着マスク70の製造が容易になるので好ましい。
 蒸着マスク70に形成される個々のマスク開口75の開口形状は、X軸方向に延びたスリット状である必要はない。マスク開口75(特に第1開口71h及び第3開口73h)のX軸方向寸法は、ストライプ状の被膜90のX軸方向寸法(幅)に影響し、マスク開口75(特に第1開口71h及び第3開口73h)のY軸方向寸法は、ストライプ状の被膜90の厚さに影響する。
 図10及び図11では、第1開口71h、第2開口72h、第3開口73hの各内周面は、開口寸法がZ軸方向に一定であるように描かれているが、本発明はこれに限定されない。即ち、図13Aに示すマスク開口75及びその周辺部分を示した蒸着マスク70の断面図において、第1開口71hの内周面を含む部分71p、第2開口72hの内周面を含む部分72p、第3開口73hの内周面を含む部分73pのうちの少なくとも1つの断面形状が、例えば図13B~図13Eに示す形状であってもよい。即ち、図13Bでは、開口寸法はZ軸方向の両端部分で最小となり、図13Cでは、開口寸法はZ軸方向の異なる3箇所で最小となり、図13Dでは、開口寸法はZ軸方向の上側端(基板10側端)で最小となり、図13Eでは、開口寸法はZ軸方向の下側端(蒸着源60側端)で最小となる。第1開口71h、第2開口72h、第3開口73hの内周面の断面形状は、例えばその開口の形成方法によって変化しうる。本発明における第1開口71h、第2開口72h、第3開口73hの寸法は、開口寸法が最小となる位置での開口寸法で定義される。
 上記の実施形態では、蒸着マスク70が第1層71、第2層72、第3層73の3層からなる例を説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば両表層を構成する第1層71及び第3層73との間の第2層72が複数の層で構成されていてもよい。この場合、第2層72を構成する複数層のそれぞれに形成された第2開口の開口寸法が、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きければよい。
 蒸着マスク70を構成する第1層71、第2層72、第3層73の材料は特に制限はないが、蒸着時の熱による蒸着マスク70の寸法変化(膨張)や変形を少なくするために、一般に熱膨張係数が小さな材料を用いることが好ましい。蒸着マスク70に寸法変化や変形が生じると、基板10の被蒸着面10eに形成される被膜90が位置ズレするからである。表1に第1層71、第2層72、第3層73の材料として使用可能な材料とその熱膨張係数を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 例えば、第1層71、第2層72、第3層73を全てインバー材で構成すると、蒸着時の熱による寸法変化や変形(例えば反り)が少ない蒸着マスク70を実現できる。
 第1層71、第2層72、第3層73は全て同一材料である必要はない。但し、第1層71、第2層72、第3層73の各熱膨張係数が互いに異なると、蒸着時の熱によって第1層71又は第3層73が凸曲面となるように蒸着マスク70が反ってしまうかも知れない。従って、蒸着マスク70の両表層を構成する第1層71及び第3層73の熱膨張係数は同一であるか、または両者の熱膨張係数差が小さいことが好ましい。より好ましくは、少なくとも第1層71及び第3層73は同一材料で構成する。例えば、第2層72の材料として無アルカリガラスを用い、第1層71及び第3層73の材料としてポリイミドを用いることができる。これにより、蒸着時の熱によって蒸着マスク70が反るのを防ぐことができる。
 第1層71、第2層72、第3層73の材料は、その熱膨張係数の他に、第1開口71h、第2開口72h、第3開口73hの形成方法等を考慮して選択することが好ましい。
 <蒸着マスクの製造方法>
 蒸着マスク70の製造方法を説明する。但し、以下の製造方法は例示に過ぎず、蒸着マスク70は以下の製造方法以外の方法で製造することももちろん可能である。
 [製造方法1]
 本製造方法1では、第1開口71hが形成された第1層71、第2開口72hが形成された第2層72、第3開口73hが形成された第3層73をそれぞれ別個に作成し、次いで、これらを貼り合わせる。第1層71、第2層72、第3層73の作成順序は任意である。
 図14A~図14Dは、このような蒸着マスク70の製造方法1を工程順に示した拡大断面図である。
 第2層72の製造方法を説明する。図14Aに示すように、第2層72を作成するための厚板材72aを準備する。一実施例では、厚板材72aとして、ニッケル含有量が36重量%である厚さ5mmのインバー材を用いることができる。厚板材72aにNC加工機(Numerical Control machining)を用いてドリルにより第2開口72hとしての貫通孔を所定パターンに形成する。図14Bは、第2開口72hが形成された第2層72の拡大断面図、図16Aはその平面図である。本例では、基板10に形成しようとする被膜90のX軸方向ピッチが狭いために隣り合う第2開口72hが干渉するのを回避するため、図16Aに示すように、ノコギリ刃状に第2開口72hを配置している。
 第1層71及び第3層73の製造方法を説明する。図15は、第1層71及び第3層73の製造方法を示した概略図である。以下、第1層71の製造方法を説明するが、第3層73もこれと同じ方法で製造することができる。
 最初に、第1層71を作成するための薄板材71aのロール状の巻回物を準備する。一実施例では、薄板材71aとして、ニッケル含有量が36重量%である厚さ50μmの長尺のインバー材を用いることができる。この巻回物から薄板材71aを巻き出して、露光現像ユニット77a、エッチングユニット77b、剥離洗浄ユニット77c、分断ユニット77dを順に通過させる。各ユニット間には、薄板材71aの張力を調製したり、蛇行を防止したりするために、薄板材71aをその表裏面に密着して把持するニップロール77eが配置されている。
 露光現像ユニット77aでは、公知のフォトプロセスが行われる。すなわち、薄板材71aにフォトレジストをスリットコート法により塗布し、次いで、露光装置により所定パターンを露光し、次いで、弱アルカリ溶液で現像することで、薄板材71aの上に所定のレジストパターンを形成する。
 次に、エッチングユニット77bで、塩化第二鉄溶液を用いて薄板材71aを所定のパターンにエッチングする。これにより、薄板材71aに貫通孔が形成され、これが第1開口71hとなる。
 次に、剥離洗浄ユニット77cで、薄板材71a上のフォトレジストを強アルカリ溶液で剥離し、純水により水洗し、窒素ブローを行う。
 次に、分断ユニット77dで、金属刃物で薄板材71aを、複数の第1開口71hが形成された領域外で所定のサイズに切断する。かくして、図16Bに示すような第1層71が得られる。第1層71に形成された第1開口71hの開口位置は、図16Aに示した第2層72の第2開口72hの開口位置と同じであるが、第1開口71hの開口寸法は、第2開口72hの開口寸法よりも小さい。
 第3層73も上記第1層71と同じ方法により製造することができる。第1層71及び第3層73に対して露光現像ユニット77aで同じフォトマスクを用いることにより、第1開口71h及び第3開口73hの開口の寸法及び位置を一致させることができる。
 次いで、図14Cに示すように、第2層72の一方の面に第1層71を位置合わせして重ね合わせて、スポット溶接により固定する。このとき、第1層71に弛みが発生しないように第1層71の周囲を外方向に引っ張りながら、第1層71と第2層72とをスポット溶接76することが好ましい。
 図16Cは、第2層72上に固定された第1層71を示した平面図である。周囲の矩形状の破線76は、第1層71と第2層72とを固定するためのスポット溶接箇所を示す。スポット溶接76は、第1,第2開口71h,72hが形成された領域の外側で行うことが好ましい。
 次いで、第1層71と第2層72との一体化物を上下反転させて、第2層72の他方の面に第3層73を位置合わせして重ね合わせて、スポット溶接76により固定する。第3層73のスポット溶接方法は、図14Cで説明した第1層71のスポット溶接方法と同じにすることができる。
 かくして、図14Dに示すように、本実施形態の蒸着マスク70が得られる。
 上記の製造方法1では、第2層72に、最初に第1層71を溶接し、次いで第3層73を溶接したが、第3層73を先に溶接してもよい。
 [製造方法2]
 本製造方法2では、第2開口72hが形成された第2層72の両面に、第1開口71hが形成されていない薄板材71a及び第3開口73hが形成されていない薄板材73aを貼り合わせ、次いで、両薄板材71a,73aに貫通孔を形成する。
 図17A~図17Eは、このような蒸着マスク70の製造方法2を工程順に示した拡大断面図である。
 最初に、図17Aに示すように、第2層72を作成するための厚板材72aを準備する。一実施例では、厚板材72aとして、製造方法1の図14Aで説明した厚板材72aと同じ、ニッケル含有量が36重量%である厚さ5mmのインバー材を用いることができる。
 次いで、図17Bに示すように、厚板材72aに第2開口72hとしての貫通孔を所定パターンに形成して第2層72を得る。第2開口72hの形成方法は、製造方法1の図14Bで説明した方法と同じであってもよい。
 次いで、図17Cに示すように、第2層72の一方の面に、第1層71となる薄板材71aを重ね合わせて、スポット溶接76により固定する。一実施例では、薄板材71aとして、ニッケル含有量が36重量%である厚さ50μmのインバー材を用いることができる。薄板材71aは、予め所定形状に切断されている。製造方法1と異なり、薄板材71aには、第1開口71hは形成されていない。製造方法1の図14Cで説明したのと同様に、薄板材71aに弛みが発生しないように薄板材71aの周囲を外方向に引っ張りながら、薄板材71aと第2層72とをスポット溶接76することが好ましい。
 次いで、薄板材71aと第2層72との一体化物を上下反転させて、図17Dに示すように、第2層72の他方の面に、第3層73となる薄板材73aを重ね合わせて、スポット溶接76により固定する。薄板材73aとして、薄板材71aと同じ材料を用いることができる。また、薄板材73aのスポット溶接方法は、薄板材71aのスポット溶接方法と同じにすることができる。
 次いで、図17Eに示すように、精密な位置制御を行えるレーザー加工機で、所定位置にレーザー78を照射して、薄板材71a,73aに貫通孔を形成する。レーザー78は薄板材71a,73aのいずれの側から照射してもかまわない。一実施例では、レーザー光源として300WのYAGレーザーを用いることができる。この貫通孔が第1開口71h及び第3開口73hとなる。貫通孔の端縁に加工屑が発生する場合は、貫通孔を形成した後、純水で洗浄し、窒素ブローし、120℃の大気オーブンで30分加熱することで、当該加工屑を取り除くことができる。
 かくして、本実施形態の蒸着マスク70が得られる。
 上記の製造方法2では、第2層72に、最初に薄板材71aを溶接し、次いで薄板材73aを溶接したが、薄板材73aを先に溶接してもよい。
 上記の製造方法1,2では、第1層71、第2層72、第3層73の材料として熱膨張係数が小さなインバー材を用いたが、インバー材の組成は上記と異なっていてもよい。また、インバー材以外の材料を用いてもよい。第1層71、第2層72、第3層73の材料が全て同一である必要はなく、これらのうちの少なくとも1つの材料が他の材料と異なっていてもよい。但し、開口71h,72h,73hを形成可能な材料である必要がある。
 (実施形態2)
 実施形態1では、蒸着マスク70の第1開口71hと第3開口73hとは開口寸法が同じであった。これに対して、本実施形態2では、蒸着マスク70の第1開口71hと第3開口73hとは開口寸法が異なる。これを除いて、本実施形態は実施形態1と同じである。実施形態1と異なる点を中心に本実施形態を説明する。
 図18Aは、本実施形態に係る蒸着マスク70のマスク開口75を通過する蒸着粒子91を示した拡大断面図である。図18Aでは、基板10側に配された第1層71に形成された第1開口71hの開口寸法は、蒸着源60(図9参照)側に配された第3層73に形成された第3開口73hの開口寸法よりも大きい。実施形態1と同様に、第2層72に形成された第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きい。
 蒸着源から放出された蒸着粒子91は、相対的に開口寸法が小さな第3開口73hを通過する際に選別される。そして、第3開口73hに大きな入射角度で入射してこれを通過した蒸着粒子91は、主として第2層72の第2開口72hの内周面又は第1層71の第1開口71hの周囲の下面(第2層72側の面)に衝突し付着するので、第1開口71hを通過することができない。実施形態1と同様に、第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きいので、マスク開口75の内周面に蒸着粒子91が付着することによって、マスク開口75の開口寸法が小さくなったり、マスク開口75が目詰まりしたりすることはない。
 図18Bは、本実施形態に係る別の蒸着マスク70のマスク開口75を通過する蒸着粒子91を示した拡大断面図である。図18Bでは、図18Aとは逆に、基板10側に配された第1層71に形成された第1開口71hの開口寸法は、蒸着源60(図9参照)側に配された第3層73に形成された第3開口73hの開口寸法よりも小さい。実施形態1と同様に、第2層72に形成された第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きい。
 本例では、第3開口73hの開口寸法が図18Aに比べて大きいので、相対的に多くの蒸着粒子91が第3開口73hを通過する。しかしながら、第1開口71hの開口寸法が小さいので、第3開口73hに大きな入射角度で入射してこれを通過した蒸着粒子91は、主として第2層72の第2開口72hの内周面又は第1層71の第1開口71hの周囲の下面(第2層72側の面)に衝突し付着し、第1開口71hを通過することができない。実施形態1と同様に、第2開口72hの開口寸法は、第1開口71hの開口寸法及び第3開口73hの開口寸法のいずれよりも大きいので、マスク開口75の内周面に蒸着粒子91が付着することによって、マスク開口75の開口寸法が小さくなったり、マスク開口75が目詰まりしたりすることはない。
 実施形態1と同様に、図18A及び図18Bでも、第3開口73hに大きな入射角度で入射した蒸着粒子91は第1開口71hを通過することができないので、基板10に形成される被膜90の両側の端縁のボヤケの発生を抑えることができる。図18A及び図18Bでは、図7に示した厚み漸減部分990eの幅Weは、実施形態1に比べればやや大きくなるが、第2層72の厚みを大きくする等により実用上問題とならない程度に抑えることは可能である。
 図18Bでは、基板10に最も近い第1開口71hの開口寸法が小さい。従って、第1開口71hを通過する蒸着粒子91の出射角度が同じ場合には、図18Bでは、図18Aに比べて、図7に示した厚み漸減部分990eの幅Weは小さくなる。
 本実施形態の蒸着マスク70の製造方法を説明する。但し、以下の製造方法は例示に過ぎず、蒸着マスク70は以下の製造方法以外の方法で製造することももちろん可能である。
 図19A~図19Fは、本実施形態に係る蒸着マスク70の製造方法の一例を工程順に示した拡大断面図である。
 最初に、図19Aに示すように、第2層72となる厚板材72bを準備する。厚板材72bとして例えば無アルカリガラス基板を用いることができる。一実施例では、厚さ0.7mmのコーニング社の1737基板を用いることができる。厚板材72bは、あらかじめIPA超音波洗浄、純水洗浄などの方法により、有機物などの異物を除去しておくことが好ましい。
 次いで、図19Bに示すように、厚板材72bの一方の面に感光性樹脂層73bを形成する。一実施例では、東レ株式会社製の感光性ポリイミドDL-1000をスピンコート法で塗布することができる。スピン回転数は例えば1300rpmで8秒間である。その後120℃のホットプレートで2分間プリベークを行うことが好ましい。
 次いで、図19Cに示すように、厚板材72bを上下反転させて、厚板材72bの他方の面に、感光性樹脂層71bを形成する。感光性樹脂層71bは感光性樹脂層73bと同じ材料を用いて同じ方法で形成することができる。
 次いで、図19Dに示すように、露光マスク82を介して露光ランプ80を用いて所定パターンに露光する。一実施例では、露光量は100mJ/cmとすることができる。
 次いで、図19Eに示すように、アルカリ溶液で現像し、露光された領域の感光性樹脂層71b,73bを除去する。一実施例では、現像液として2.38%のTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)を用いることができ、現像時間は30秒とすることができる。図19Dの露光工程において、露光ランプ80側に配された感光性樹脂層71bは直接露光されるので、感光性樹脂層71b及び厚板材72bを介して露光される感光性樹脂層73bに比べて、露光の光強度が強い。従って、感光性樹脂層71bには、感光性樹脂層73bに比べて大きな開口が形成される。その後、ポストベークを行う。一実施例では、大気雰囲気中でオーブンにより220℃で1時間行うことができる。かくして、感光性樹脂層71b及び感光性樹脂層73bが第1層71及び第3層73となり、これらに形成された開口が第1開口71h及び第3開口73hとなる。
 次いで、図19Fに示すように、厚板材72bをウェットエッチングする。一実施例では、10:1バッファードフッ酸(BHF)に室温で60時間浸し、その後純水で5分間水洗することができる。第1開口71h及び第3開口73hを介して厚板材72bがその両面からエッチングされるため、第1開口71h及び第3開口73hよりも大きな開口寸法を有する貫通孔が形成される。この貫通孔は第2開口72hとなる。
 かくして、本実施形態の蒸着マスク70が得られる。
 上記の製造方法によれば、少ない工程数で簡便に蒸着マスク70を製造することができるので、コストの削減が可能となる。
 本実施形態2は、上記以外は実施形態1と同じである。実施形態1に記載した各種変更は、そのまま又は適宜変更して本実施形態に適用することができる。
 以上に説明した実施形態は、いずれもあくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものであって、本発明はこのような具体例にのみ限定して解釈されるものではなく、その発明の精神と請求の範囲に記載する範囲内でいろいろと変更して実施することができ、本発明を広義に解釈すべきである。
 本発明の利用分野は特に制限はなく、有機EL素子を用いるあらゆる装置に利用することができる。中でも、有機ELディスプレイに特に好ましく利用することができる。
23R,23G,23B 発光層
10 基板
10e 被蒸着面
50 蒸着ユニット
60 蒸着源
61 蒸着源開口
70 蒸着マスク
71 第1層
71h 第1開口
72 第2層
72h 第2開口
73 第3層
73h 第3開口
75 マスク開口
90 被膜
91 蒸着粒子

Claims (10)

  1.  蒸着粒子を基板に付着させて前記基板上に所定パターンの被膜を形成するための蒸着マスクであって、
     前記蒸着マスクには前記蒸着粒子が通過する複数のマスク開口が形成されており、
     前記蒸着マスクは、第1層、第2層、及び第3層をこの順に備え、
     前記第1層、前記第2層、及び前記第3層には、それぞれ複数の第1開口、複数の第2開口、及び複数の第3開口が形成されており、
     前記第1開口、前記第2開口、及び前記第3開口が互いに連通して前記マスク開口を構成し、
     前記第2開口の開口寸法は、前記第1開口の開口寸法及び前記第3開口の開口寸法のいずれよりも大きいことを特徴とする蒸着マスク。
  2.  前記第2層は、前記第1層及び前記第3層のいずれよりも厚い請求項1に記載の蒸着マスク。
  3.  前記第1開口の開口寸法は前記第3開口の開口寸法と同じである請求項1に記載の蒸着マスク。
  4.  前記第1開口の開口寸法は前記第3開口の開口寸法と異なる請求項1に記載の蒸着マスク。
  5.  前記第1層及び前記第3層は同一の材料からなる請求項1に記載の蒸着マスク。
  6.  1.2mm以上の厚さを有する請求項1に記載の蒸着マスク。
  7.  前記第1層及び前記第3層の厚さは、いずれも0.1mm以下である請求項1に記載の蒸着マスク。
  8.  基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造方法であって、
     前記基板上に蒸着粒子を付着させて前記被膜を形成する蒸着工程を有し、
     前記蒸着工程は、前記蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源と、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクとを備えた蒸着ユニットを用いて、前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記蒸着マスクに形成された複数のマスク開口を通過した前記蒸着粒子を前記基板に付着させる工程であり、
     前記蒸着マスクとして請求項1~7のいずれかに記載の蒸着マスクを用いることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
  9.  前記被膜が発光層である請求項8に記載の有機EL素子の製造方法。
  10.  基板上に所定パターンの被膜を有する有機EL素子の製造装置であって、
     前記被膜を形成するための蒸着粒子を放出する蒸着源開口を備えた蒸着源、及び、前記蒸着源開口と前記基板との間に配置された蒸着マスクを備えた蒸着ユニットと、
     前記基板と前記蒸着マスクとを一定間隔だけ離間させた状態で、前記基板及び前記蒸着ユニットのうちの一方を他方に対して相対的に移動させる移動機構とを備え、
     前記蒸着マスクが請求項1~7のいずれかに記載の蒸着マスクであることを特徴とする有機EL素子の製造装置。
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