TW201307591A - 沉積源組件、有機層沉積裝置、以及利用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法 - Google Patents

沉積源組件、有機層沉積裝置、以及利用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201307591A
TW201307591A TW101124760A TW101124760A TW201307591A TW 201307591 A TW201307591 A TW 201307591A TW 101124760 A TW101124760 A TW 101124760A TW 101124760 A TW101124760 A TW 101124760A TW 201307591 A TW201307591 A TW 201307591A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
deposition source
deposition
organic layer
nozzles
substrate
Prior art date
Application number
TW101124760A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI563105B (en
Inventor
Un-Cheol Sung
Mu-Hyun Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW201307591A publication Critical patent/TW201307591A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI563105B publication Critical patent/TWI563105B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45576—Coaxial inlets for each gas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

揭露一種有機層沉積裝置、及使用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法。於此，有機層沉積裝置包含沉積源組件。沉積源組件包含第一沉積源，其係用以排出第一沉積材料、第二沉積源，其堆疊於第一沉積源上且排出不同於第一沉積材料之第二沉積材料、第二沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對沉積靶且包含複數個第二沉積源噴嘴、以及第一沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對沉積靶且包含形成以穿透第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴。

Description

沉積源組件、有機層沉積裝置、以及利用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2011年8月2日向韓國智慧財產局提出，申請案號為10-2011-0076990之韓國申請案之所有權益，其揭露之全部內容將納於此做為參照。
本發明之一或多個態樣係有關於一種沉積源組件、有機層沉積裝置、及利用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法，更具體地，係有關於一種有機層沉積裝置，其可簡易地應用於大量製造大尺寸顯示裝置因而改善產量、及使用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法。
有機發光顯示裝置相較於其他顯示裝置具有較大的視角、較佳的對比性質、以及較快的反應率，且因此備受注目以作為下一世代之顯示裝置。
別地自陽極與陰極注入之電洞與電子於發射層再結合時，光因此而發射，而該裝置則顯示影像。然而，僅以此結構係難以達到高發光效率，且因此，包含電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層、電洞注入層、或類似層之中介層可額外地插設於發射層與各個電極之間。
然而，在精細的圖樣中，係難以形成例如發射層及中介層之有機薄膜。同時，紅光、綠光、以及藍光之發光效率可根據發射層與中介層而有所不同。據此，其係難以藉由使用可比較的有機層沉積裝置執行大面積之有機薄膜的圖樣化。故，具有良好的驅動電壓、電流密度、亮度、色純度、發光效率、以及壽命特性之大尺寸有機發光顯示裝置的製造是有所限制的。因此，解決此圖樣化(patterning)問題係為當務之急。
上述背景技術係為本申請案發明人已達成而推導本發明或已於本發明推導過程達成之技術性資訊。因此，其並不可視為在本發明申請前已公開為公眾所知悉之背景技術。
本發明實施例之態樣係針對一種沉積源組件以及一種有機層沉積裝置，其可簡易地應用於大尺寸顯示裝置的大量製造因而改善產量與沉積效率，以及使用該有機層沉積裝置製造有機發光顯示裝置之方法。
根據本發明之一實施例，其係提供一種沉積源組件，包含第一沉積源，用以排出第一沉積材料；第二沉積源，其堆疊於第一沉積源上，該第二沉積源係用於排出不同於第一沉積材料之第二沉積材料；第二沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對沉積靶，且包含複數個第二沉積源噴嘴；以及第一沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對沉積靶，且包含形成以穿過第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴。
主體材料可自第一沉積源而排出，且摻雜物材料可自第二沉積源排出。
摻雜物材料可自第一沉積源而排出，且主體材料可自第二沉積源排出。
包含於第一沉積源或第二沉積源之主體材料的含量可大於包含於其他沉積源之摻雜物材料的含量。
第二沉積源之溫度可維持以高於第一沉積源之溫度。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側以面對沉積靶，且係交替地排列。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側以面對沉積靶，且複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係可同心地包含於複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
根據本發明另一實施例，其係提供一種用於形成有機層於基板上之有機層沉積裝置，該裝置包含用於排出主體材料之沉積源；沉積源噴嘴單元，設置於沉積源之一側上且包含複數個沉積源噴嘴；以及圖樣縫片，設置以面對沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣縫。沉積源包含第一沉積源、以及堆疊於第一沉積源上之第二沉積源。沉積源噴嘴單元包含第二沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對基板，第二沉積源噴嘴單元包含複數個第二沉積源噴嘴；以及第一沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對基板，第一沉積源噴嘴單元包含形成以穿過第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴。基板係藉由一設定距離與有機層沉積裝置分隔，以相對於有機層沉積裝置而移動。
主體材料可自第一沉積源而排出，且摻雜物材料可自第二沉積源排出。
摻雜物材料可自第一沉積源而排出，且主體材料可自第二沉積源排出。
包含於第一沉積源或第二沉積源中之主體材料的含量可大於包含於其他沉積源中之摻雜物材料的含量。
第二沉積源之溫度可維持以高於第一沉積源之溫度。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側以面對基板，且可交替地排列。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側以面對基板，且該複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係同心地包含於複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
圖樣縫片可小於基板之尺寸。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向。複數個圖樣縫可排列於垂直於第一方向之第二方向。
沉積源、沉積源噴嘴單元、以及圖樣縫片可透過連接構件而整體地形成為一體。
連接構件可引導沉積材料的移動。
連接構件可形成以密封沉積源、沉積源噴嘴單元、以及圖樣縫片之間之空間。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向。複數個圖樣縫片亦可排列於第一方向。裝置可更包含隔板組件，其包含設置於第一方向之沉積源噴嘴單元與圖樣縫片之間的複數個隔板。複數個隔板係用以將沉積源噴嘴單元與圖樣縫片之間之沉積空間分隔為複數個次沉積空間。
複數個隔板可延伸於實質上垂直於第一方向之第二方向。
隔板組件可包含包括複數個第一隔板之第一隔板組件；以及包括複數個第二隔板之第二隔板組件。
複數個第一隔板與複數個第二隔板可延伸於實質上垂直於第一方向之第二方向上，以將沉積源噴嘴單元與圖樣縫片之間之沉積空間分隔為複數個次沉積空間。
有機層沉積裝置可更包含一腔室(chamber)。複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向。圖樣縫片可固定地與腔室之內側接合，且複數個圖樣縫可排列於垂直於第一方向之第二方向。
裝置可更包含第一傳送單元，用以於第一方向移動固定於基板上之靜電卡盤。
第一傳送單元可包含框架，其上設置有沉積源；以及板片支撐單元，形成以自框架之內側表面突出，且支撐圖樣縫片。
根據本發明之另一實施例，其係提供一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含以設定距離將有機層沉積裝置與作為沉積靶之基板分隔。有機層沉積裝置包含沉積源，用以排出沉積材料；沉積源噴嘴單元，設置於沉積源之一側上；及圖樣縫片，設置以面對沉積源噴嘴單元且包含複數個圖樣縫。沉積源包含第一沉積源；及堆疊於該第一沉積源上之第二沉積源。沉積源噴嘴單元包含第二沉積源噴嘴單元，設置於該沉積源之一側上以面對基板，第二沉積源噴嘴單元包含複數個第二沉積源噴嘴；及第一沉積源噴嘴單元，設置於第二沉積源之一側上以面對基板，且包含形成以穿過第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴。沉積源材料係於有機層沉積裝置或基板彼此相對移動時沉積於基板上。
主體材料可自第一沉積源排出，且摻雜物材料可自第二沉積源排出。
摻雜物材料可自第一沉積源排出，且主體材料可自第二沉積源排出。
包含於第一沉積源或第二沉積源中之主體材料的含量可大於包含於另一沉積源中之摻雜物材料的含量。
第二沉積源之溫度可維持以高於第一沉積源之溫度。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側上以面對基板，且可交替地排列。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可以一直線排列於第二沉積源之一側上以面對基板，且複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係同心地包含於複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
圖樣縫片可小於基板之尺寸。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向，且圖樣縫排列於垂直於第一方向之第二方向。
複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向。複數個圖樣縫可排列於第一方向。設置可更包含隔板組件，其包括設置於第一方向之沉積源噴嘴單元與圖樣縫片之間之複數個隔板。複數個隔板係用於將沉積源噴嘴單元與圖樣縫片之間之沉積空間分隔為複數個次沉積空間。
有機層沉積裝置可更包含腔室。複數個第一沉積源噴嘴與複數個第二沉積源噴嘴可排列於第一方向。圖樣縫片可固定地與腔室之內側接合，且複數個圖樣縫可排列於垂直於第一方向之第二方向上。
根據本發明之另一實施例，其係提供一種使用該有機層沉積裝置所製造之有機發光顯示裝置。
後文中，本發明之例示性實施例將參閱附圖以更詳細地描述而使所屬技術領域具有通常知識者可輕易地完成。本發明可以各種型式而實施且因而不為於此所載之實施例所限制。
第1圖係根據本發明一實施例之沉積源組件201之透視剖面示意圖。第2A圖係截取第1圖之I-I沿線之剖面側視示意圖。第2B圖係截取第1圖之II-II沿線之剖面側視示意圖。第3圖係根據本發明另一實施例，描繪第1圖之沉積源組件201的操作之剖面示意圖。
參閱第1圖至第2B圖，沉積源組件201包含沉積源110與沉積源噴嘴單元120。
沉積源110可包含第一沉積源110a與第二沉積源110b。第一沉積源110a與第二沉積源110b汽化(vaporize)沉積材料115a、115b以分別地形成薄膜於沉積靶(deposition target) (第3圖中所繪示之基板500)上。
具體來說，第一沉積源110a可包含主體材料(host material)以作為沉積材料115a，而第二沉積源110b可包含摻雜物材料(dopant material)以作為沉積材料115b。由於主體材料115a與摻雜物材料115b係於不同的溫度下而汽化，可能使用複數個沉積源與複數個噴嘴單元以同時地或同步地沉積主體材料115a與摻雜物材料115b。
主體材料115a之範例可包含三(8-羥基喹林)鋁(tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminum, Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene, ADN)、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene, TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二甲苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-
dimethylphenyl, DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二甲苯基(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-
dimethylphenyl, p-DMDPVBi)、三(9,9-二芳基芴)(tert(9,9-diarylfluorene), TDAF)、2-(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'旋環二芴(2-(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-

spirobifluorene, BSDF)、2,7-雙(9,9'-旋環雙芴-2-基)-9,9'-旋環雙芴(2,7-bis(9,9'-spirobifluorene-2-yl)-9,9'-
spirobifluorene, TSDF)、雙(9,9-二芳基芴)(bis(9,9-diarylfluorene), BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯乙烯-1-基)-4,4'-二(三級丁基)苯(4,4'-bis(2,2-diphenyl-ethene-1-yl)-4,4'-di-
(tert-butyl)phenyl, p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene, mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(1,3,5-tris(carbazol-9-yl)benzene, tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(4,4',4"-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine, TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl, CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl, CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dimethyl-fluorene, DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9'-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9'-bis(9-phenyl-9H-
carbazol) fluorene, FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(4,4'-bis(carbazol-9-yl)-9,9-di-tolyl-fluorene, DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(9,9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene, FL-2CBP)或其相似物。
摻雜物材料115b之範例可包含4,4'-雙[4-(二-p-甲苯基胺)苯乙烯]聯苯(4,4'-bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl, DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、3-三級丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、或其相似物。
在本實施例中，主體材料115a的含量係大於摻雜物材料115b。雖然摻雜物材料115b的含量可依據用於形成薄膜的材料而有所改變，於100重量份之薄膜型成材料(主體材料115a與摻雜物材料115b之總重量)中可包含約3~20重量份之摻雜物材料115b。在一實施例中，當摻雜物材料115b之含量超過上述範圍時，有機發光顯示裝置之發光特性會下降。因此，包含主體材料115a之第一沉積源110a的尺寸係大於包含摻雜物材料115b之第二沉積源110b。
第一沉積源110a與第二沉積源110b係以縱向(vertical direction)而設置。換句話說，第二沉積源110b係堆疊於第一沉積源110a上。第1圖至第2B圖繪示之主體材料115a係包含於第一沉積源110a中，但本發明之態樣並不限於此，主體材料115a可包含於第二沉積源110b中。然而，在此情況下，不同於第1圖至第2B圖，第二沉積源110b之尺寸應大於第一沉積源110a。
相較地，在另一實施例中，第一沉積源110a與第二沉積源110b係水平地設置於一直線上，且因此，主體材料115a與摻雜物材料115b並非均勻地沉積。換句話說，主體材料115a與摻雜物材料115b排出且彼此重疊的區域係小的，且具體地，此區域的邊緣可能僅塗佈主體材料115a或摻雜物材料115b，因而降低摻雜的均勻性。然而，在顯示於第1圖至第2B圖之實施例中，由於第一沉積源110a與第二沉積源110b係垂直地設置於第1圖之沉積源110中，故主體材料115a與摻雜物材料115b可均勻地排出於預期的區域上，因此而確保或保證摻雜的均勻性。
具體來說，第一沉積源110a包含填充主體材料115a之坩堝(crucible)112a、以及加熱器113a，其加熱坩堝112a以將主體材料115a朝向坩堝112a之一側(例如上側)汽化，尤其是朝向沉積靶。加熱器113a係包含於包裹或覆蓋坩堝112a之冷卻區塊(cooling block)111a中，且冷卻區塊111a保護或避免來自坩堝112a之熱輻射至外側，例如至腔室(chamber)(圖未示)。同樣地，第二沉積源110b包含填充摻雜物材料115b之坩堝(crucible)112b、以及加熱器113b，其加熱坩堝112b以將摻雜物材料115b朝向坩堝112b之一側(例如上側)汽化，尤其是朝向沉積靶。加熱器113b係包含於包裹或覆蓋坩堝112b之冷卻區塊111b中。
設置於第一沉積源110a上之第二沉積源110b係保持於高於第一沉積源110a之溫度。換句話說，於相對高的溫度下汽化之材料係包含於第二沉積源110b中，且於相對低的溫度下汽化之材料係包含於第二沉積源110b下的第一沉積源110a中。此係因為第一沉積源110a之沉積源噴嘴係形成以穿過第一沉積源110a上之第二沉積源110b。因此，當第二沉積源110b之溫度為低時，在第一沉積源110a之沉積源噴嘴中的沉積材料可能會被改變成為固態狀態且阻塞於沉積源噴嘴中。因此，包含於第二沉積源110b之加熱器113b所產生的熱強度應高於包含在第一沉積源110a中之加熱器113a所產生之熱強度。
沉積源噴嘴單元120係設置於第二沉積源110b之一側上，且尤其是，於第二沉積源110b面對沉積靶(第3圖之基板500)之一側上。明確而言，由於第一沉積源110a係設置於第二沉積源110b下，第一沉積源噴嘴單元包含穿過第二沉積源110b之複數個第一沉積源噴嘴121a且位於第二沉積源110b之一側上，且尤其是，於第二沉積源110b面對沉積靶之一側上。包含複數個第二沉積噴嘴121b之第二沉積源噴嘴單元亦位於第二沉積源110b之一側上。沉積源噴嘴單元120包含複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b。包含於坩堝112a、坩堝112b中之主體材料115a與摻雜物材料115b透過作為通道之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b而朝向沉積靶排出。因此，複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b被形成以分別地自第一沉積源110a與第二沉積源110b朝向沉積靶而延伸。
在本實施例中，複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b係以一直線排列於第二沉積源110b面對沉積靶之一側上。參閱第2A圖與第2B圖，複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b係交替地排列以使主體材料115a與摻雜物材料115b可平均地沉積於設定的或預定的排出區域。
透過上述結構，主體材料115a與摻雜物材料115b之混合比例於整個基板500可為恆定，如第3圖所示。當薄膜藉由使用由主體材料115a與摻雜物材料115b以恆定的混合比例所混合之混合物而形成時，薄膜在顏色座標(color coordinate)、發光效率、驅動電壓、以及壽命上可具有改良的特性。
第4圖為根據本發明另一實施例之沉積源組件202之透視剖面示意圖。第5圖係截取第4圖之III-III沿線之剖面側視圖。第6圖係根據本發明另一實施例之第4圖之沉積源組件202的操作剖面示意圖。
參閱第4圖至第6圖，除了包含於沉積源噴嘴單元120'中之複數個噴嘴的型狀與配置以外，沉積源110'具有與包含於第1圖之沉積源組件201之沉積源110相似的結構。換句話說，在第4圖之沉積源組件202中，複數個第一沉積噴嘴121a'與複數個第二沉積噴嘴121b'系以一直線排列於第二沉積源110b'面對沉積靶之一側上且包含坩堝112b'與冷卻區塊111b'。同時，參閱第5圖，複數個第一沉積噴嘴121a'中的每一個係同心地(concentrically)設置於複數個第二沉積源噴嘴121b'其中之一中。參閱第6圖，第一區域(主體材料115a係排出於其上)與第二區域(摻雜物材料115b係排出於其上)很大。因此，當使用沉積源組件202時，其主體材料115a與摻雜物材料115b可較使用第1圖之沉積源組件201時更均勻地沉積。沉積源組件202之其他元件的操作與結構係與第1圖之沉積源組件201相同或相似，且因此不於此描述。
根據本發明實施例之有機層沉積裝置的有機層沉積組件將於下文中描述。第7圖為根據本發明一實施例之有機層沉積裝置之有機層沉積組件100的透視剖面示意圖。第8圖為第7圖之有機層沉積組件的剖面側視示意圖。第9圖為第7圖之有機層沉積組件100的剖面平面示意圖。
有機層沉積組件100係包含於有機層沉積裝置中之沉積單元(圖未示)。雖然未顯示，沉積單元可包含複數個沉積腔室(deposition chamber)，且複數個有機層沉積組件100可分別地設置於複數個沉積腔室中。有機層沉積組件100之總數目可根據沉積材料與沉積條件而變化。各個沉積腔室於沉積製程中係維持真空狀態。作為沉積靶之基板500可固定於靜電卡盤(electrostatic chuck) 600上且接著與靜電卡盤600共同傳輸至沉積腔室中。
參閱第7圖至第9圖，有機層沉積組件100包含沉積源組件201、隔板組件(barrier plate assembly) 130、以及圖樣縫片(patterning slit sheet) 150。
雖然為了便於闡述，腔室未繪示於第7圖至第9圖，有機層沉積組件100之所有構件可設置於維持在適度的真空下之腔室內。腔室維持於適度的真空以使主體材料115a與摻雜物材料115b通過有機層沉積組件100實質的直線移動。
在腔室中，作為沉積靶之基板500係藉由靜電卡盤600而傳輸。基板500可為用於平板顯示器之基板。大型基板，例如用於製造複數個平板顯示器之母玻璃(mother glass)可用以作為基板500。亦可使用其他基板。
在本實施例中，基板500可相對於有機層沉積組件100而移動。舉例而言，如第7圖所示，基板500可相對於有機層沉積組件100以箭頭A的方向移動。
在使用精密金屬遮罩(fine metal mask, FMM)的比較沉積方法中，精密金屬遮罩的尺寸必須大於或等於基板的尺寸。因此，精密金屬遮罩的尺寸必須隨著基板變大而增加。然而，製造大型的精密金屬遮罩以及延伸精密金屬遮罩以準確地對準精密圖樣皆係不簡單的。
為了克服此問題，在有機層沉積組件100中，可於有機層沉積組件100與基板500彼此相對地移動時而執行沉積。換句話說，可於設置以面對有機層沉積組件100之基板500移動於Y軸方向時連續地執行沉積。換句話說，可於基板500於第7圖中之箭頭A的方向移動時，以掃描方式執行沉積。雖然當執行沉積時，基板500被描繪為移動於第7圖中之Y軸方向，本發明之態樣並不限於此。舉例而言，可於有機層沉積組件100移動於Y軸方向時執行沉積，其中基板500係固定的。
因此，在根據本實施例之有機層沉積組件100中，圖樣縫片150可顯著地小於用於比較沉積方法中之精密金屬遮罩。也就是說，在有機層沉積組件100中，沉積係於基板500移動於Y軸方向時連續地執行，即以掃描方式執行。因此，圖樣縫片150在Y軸方向的長度可顯著地小於基板500的長度，而圖樣縫片150在X軸方向的寬度與基板500在X軸方向的寬度係實質上彼此相同。然而，即使當圖樣縫片150在X軸方向的寬度小於基板500在X軸方向的寬度時，當基板500或有機層沉積組件100彼此相對移動時，仍可以掃描方式執行沉積於整個基板500上。
如上所述，由於圖樣縫片150可形成以顯著地小於用於比較沉積方法中之精密金屬遮罩，因而製造用於本發明之圖樣縫片150係相對地簡單。換句話說，相較於使用在比較沉積方法中之精密金屬遮罩，在包含蝕刻及例如精密延展(precise extension)、焊接、移動、以及清潔製程等其他後續製程的所有製造過程中，使用較用在傳統沉積方法之精密金屬遮罩小的圖樣縫片150係較方便的。此對於相對大型的顯示設備係較有利的。
為了如上所述於有機層沉積組件100或基板500彼此相對移動時執行沉積，有機層沉積組件100與基板500可藉由一設定或預定距離而彼此分隔。稍後將詳細描述。
包含主體材料115a與摻雜物材料115b且將其加熱之沉積源組件201係設置於腔室之一側上，該側係相對於基板500所設置之一側。雖然第7圖之有機層沉積組件100使用繪示於第1圖之沉積源組件201，本發明之態樣並不限於此，且可使用繪示於第4圖之沉積源組件202。
如上所述，且參閱第12圖，沉積源110包含第一沉積源110a以及設置於第一沉積源110a上之第二沉積源110b。第一沉積源110a包含填充主體材料115a之坩堝112a、以及加熱坩堝112a之加熱器113a。第二沉積源110b包含填充摻雜物材料115b之坩堝112b、以及加熱坩堝112b之加熱器113b。為了順利地排出主體材料115a與摻雜物材料115b，第一沉積源110a上之第二沉積源110b的溫度係維持以高於第一沉積源110a的溫度。雖然各個主體材料115a與摻雜物材料115b可包含於任意的第一沉積源110a與第二沉積源110b中，主體材料115a之含量應大於摻雜物材料115b之含量，且因此，包含主體材料115a之沉積源的尺寸應大於包含摻雜物材料115b之沉積源的尺寸。
如上所述，沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之一側上，且具體是，於第二沉積源110b面對基板500之一側上。沉積源噴嘴單元120包含排列於X軸方向之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包含包括複數個第一沉積源噴嘴121a之第一沉積源噴嘴單元、以及包括複數個第二沉積源噴嘴121b之第二沉積源噴嘴單元。複數個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源110b且位於第二沉積源110b之一側上。複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b係交替地設置。因此，主體材料115a與摻雜物材料115b可均勻地沉積於預定的排出區域上。
隔板組件130係設置於沉積源噴嘴單元120之一側上。隔板組件130包含複數個隔板131、以及覆蓋隔板131之側邊的隔板架(barrier plate frame) 132。複數個隔板131可以相同的間距而彼此平行排列於X軸方向。各個隔板131於第7圖中可排列以與YZ平面平行且可具有矩形之形狀。複數個隔板131如上所述排列以將沉積源噴嘴單元120與圖樣縫片150之間的沉積空間分隔為複數個次沉積空間(sub-deposition space) S。參閱第9圖，在有機層沉積組件100中，沉積空間係藉由隔板區分為次沉積空間S，其係分別地對應至複數個成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b，而主體材料115a與摻雜物材料115b係透過複數個成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b而排出。
隔板131可分別地設置於鄰近成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b之間。換句話說，其中一個用於排出主體材料115a之第一沉積源噴嘴121a、以及其中一個用於排出摻雜物材料115b之第二沉積源噴嘴121b係作為一組而設置於兩鄰近隔板131之間。成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b可分別地位於兩鄰近隔板131之間的中點上。然而，本發明之態樣並不限於此結構，成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b可設置於兩鄰近隔板131之間。在此情況下，成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b亦可位於兩鄰近隔板131之間的中點上。
如上所述，由於隔板131將沉積源噴嘴單元120與圖樣縫片150之間之沉積空間分隔為複數個次沉積空間S，因此透過其中一個成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b所排出之主體材料115a與摻雜物材料115b不會與透過另一成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b所排出之主體材料115a與摻雜物材料115b混合，並且通過圖樣縫片151而沉積於基板500上。換句話說，隔板131引導透過成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b所排出之主體材料115a與摻雜物材料115b於Z軸方向直線移動，而不會於X軸方向流動。
如上所述，主體材料115a與摻雜物材料115b係藉由隔板131的安裝而被驅使以直線移動，因而相較於無隔板安裝的情況下，可能於基板500上形成較小的陰影區。故，有機層沉積組件100與基板500可藉由設定或預定的距離而彼此分隔。稍後將詳細描述。
圖樣縫片150與框架155係設置於沉積源110與基板500之間。框架155之形狀可與窗型結構(window frame)類似。圖樣縫片150係裝於框架155內部。圖樣縫片150包含排列於X軸方向之複數個圖樣縫(patterning slit) 151。圖樣縫151延伸於Y軸方向。於沉積源110中汽化且通過成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b所排出之主體材料115a與摻雜物材料115b朝向基板500而通過圖樣縫151。
圖樣縫片150可由金屬薄膜而形成。圖樣縫片150固定於框架155以使拉力施加於其上。圖樣縫151可藉由蝕刻圖樣縫片150而形成為條紋圖樣(stripe pattern)。圖樣縫151的數目可等同於將形成於基板500上之沉積圖樣的數目。
隔板組件130與圖樣縫片150可藉由設定或預定的距離以彼此分隔設置。或者，隔板組件130與圖樣縫片150可透過連接構件而連接。
如上所述，根據本實施例之有機層沉積組件100係在相對於基板500而移動時執行沉積。為了相對於基板500而移動有機層沉積組件100，圖樣縫片150係藉由設定或預定的距離而與基板500彼此分隔設置。此外，為了避免(或防護)當圖樣縫片150與基板500彼此分隔設置時，形成相對大的陰影區於基板500上，隔板131係排列於沉積源噴嘴單元120與圖樣縫片150之間以驅使主體材料115a與摻雜物材料115b於直線方向移動。因此，可能形成於基板500上之陰影區的大小可大幅地減少。
在使用精密金屬遮罩之比較沉積方法中，為了避免(或防護)基板上之陰影區的形成，沉積係在精密金屬遮罩緊密接觸基板的情況下執行。然而，當精密金屬遮罩緊密接觸基板而使用時，此接觸可能造成缺陷，例如形成於基板上之圖樣的刮痕。此外，在比較沉積方法中，由於遮罩無法相對於基板而移動，因此遮罩的尺寸必須與基板的尺寸相同。故，遮罩的尺寸必須隨著顯示裝置的變大而增加。然而，如此大型的遮罩係難以製造的。
為了克服此問題，在根據本實施例之有機層沉積組件100中，圖樣縫片150係以設定或預定的距離與基板500彼此分隔設置。此可藉由安裝隔板131而促使形成於基板500上之陰影區的大小減少。
例如有機層的薄膜可形成以藉由如上所述之有機層沉積裝置而製造有機發光顯示裝置。此將參閱以下第14圖而詳細描述。
第10圖為根據本發明另一實施例之有機層沉積組件800之透視剖面示意圖。參閱第10圖，有機層沉積組件800包含沉積源組件201、第一隔板組件830、第二隔板組件840、以及圖樣縫片850。沉積源組件201、第一隔板組件830、以及圖樣縫片850具有與上述參閱第7圖之先前實施例相同之結構，且因此，其詳細地描述將不於此提供。根據本實施例之有機層沉積組件800與根據先前實施例之第7圖之有機層沉積組件100相異在於第二隔板組件840係設置於第一隔板組件830之一側上。
具體來說，第二隔板組件840包含複數個第二隔板841、以及覆蓋複數個第二隔板841之側邊的第二隔板架842。複數個第二隔板841可以相同的間距於X軸方向彼此平行而排列。
此外，複數個第二隔板841的每一個於第10圖中可形成以於YZ平面延伸，意即垂直於X軸方向。
如上所述而排列之複數個第一隔板831與複數個第二隔板841分隔沉積源噴嘴單元120與圖樣縫片850之間之沉積空間。換句話說，沉積空間係藉由複數個第一隔板831與複數個第二隔板841而區分為次沉積空間，其係分別地對應至成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b，而主體材料115a與摻雜物材料115b係透過成對的第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b而排出。
複數個第二隔板841可設置以分別地對應至複數個第一隔板831。換句話說，複數個第二隔板841可分別地相對於複數個第一隔板831而對齊。意即，每一對相對應的第一隔板831與第二隔板841可位於相同平面。複數個第一隔板831與複數個第二隔板841被分別地繪示以於X軸方向具有相同的厚度，但本發明之態樣並不限於此。換句話說，必須準確地對齊圖樣縫片851之第二隔板841可較薄的形成，而不需精確地對齊圖樣縫片851之第一隔板831可較厚的形成。此使有機層沉積組件800的製造較容易。
第11圖為根據本發明另一實施例之有機層沉積組件900之透視剖面示意圖。參閱第11圖，有機層沉積組件900包含沉積源組件201與圖樣縫片950。
如上所述，參閱第12圖，沉積源110包含第一沉積源110a以及設置於第一沉積源110a上之第二沉積源110b。第一沉積源110a包含填充主體材料115a之坩堝112a、以及加熱坩堝112a之加熱器113a。第二沉積源110b包含填充摻雜物材料115b之坩堝112b、以及加熱坩堝112b之加熱器113b。為了順利地排出主體材料115a與摻雜物材料115b，第一沉積源110a上之第二沉積源110b的溫度係維持以高於第一沉積源110a的溫度。雖然各個主體材料115a與摻雜物材料115b可包含於任意的第一沉積源110a與第二沉積源110b中，主體材料115a之含量應大於摻雜物材料115b之含量，且因此，包含主體材料115a之沉積源的尺寸應大於包含摻雜物材料115b之沉積源的尺寸。
如上所述，沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之一側上，且具體是，於第二沉積源110b面對基板500之一側上。沉積源噴嘴單元120包含排列於X軸方向之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包含包括複數個第一沉積源噴嘴121a之第一沉積源噴嘴單元、以及包括複數個第二沉積源噴嘴121b之第二沉積源噴嘴單元。複數個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源110b且位於第二沉積源110b之一側上。複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b係交替地設置。因此，主體材料115a與摻雜物材料115b可均勻地沉積於設定或預定的排出區域上。
圖樣縫片950與框架955係更設置於沉積源110與基板500之間。圖樣縫片950包含排列於X軸方向之複數個圖樣縫951。沉積源110與沉積源噴嘴單元120係透過連接構件935而與圖樣縫片950結合。
本實施例與先前實施例不同在於包含於沉積源噴嘴單元120中之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b的配置。此將於下文中詳細描述。
沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之一側上，且具體是，於沉積源110面對基板500之一側上。沉積源噴嘴單元120包含於Y軸方向，意即，基板500之掃描方向上之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b。
如上所述，當複數個第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b係以Y軸方向，意即，基板500的掃描方向而形成於沉積源噴嘴單元120上時，則透過圖樣縫片950之各個複數個圖樣縫951排出之主體材料115a與摻雜物材料115b所形成之圖樣的尺寸係由複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b其中之一的尺寸所影響(由於僅有一行複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b於X軸方向)。因此，並無陰影區可形成於基板500上。此外，由於複數個第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b係排列於基板500之掃描方向，因此即便複數個第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b之間的流量不同，此差異仍可被補償且可維持恆定的沉積均勻度。再者，有機層沉積組件900不包含如第7圖所示之隔板組件，沉積材料不會沉積於隔板組件上，因而改善主體材料115a與摻雜物材料115b之利用效率。
第12圖係為根據本發明一實施例之包含於有機層沉積裝置中之有機層沉積組件1100與第一傳送單元(first conveyor unit) 610的透視剖面示意圖。第13圖為第12圖之有機層沉積組件的剖面側視示意圖。在第13圖中，第一腔室為便於解釋而未繪示。
參閱第12圖與第13圖，有機層沉積裝置包含第一傳送單元610、以及沉積單元730之有機層沉積組件1100。第一傳送單元610被建構至沉積單元730以移動固定於基板500上之靜電卡盤600。
具體來說，有機層沉積組件1100包含沉積源組件201與圖樣縫片150。
參閱第12圖，如上所述，沉積源110包含第一沉積源110a以及設置於第一沉積源110a上之第二沉積源110b。第一沉積源110a包含填充主體材料115a之坩堝112a、以及加熱坩堝112a之加熱器113a。第二沉積源110b包含填充摻雜物材料115b之坩堝112b、以及加熱坩堝112b之加熱器113b。為了順利地排出主體材料115a與摻雜物材料115b，第一沉積源110a上之第二沉積源110b的溫度係維持以高於第一沉積源110a的溫度。雖然各個主體材料115a與摻雜物材料115b可包含於任意的第一沉積源110a與第二沉積源110b中，主體材料115a之含量應大於摻雜物材料115b之含量，且因此，包含主體材料115a之沉積源的尺寸應大於包含摻雜物材料115b之沉積源的尺寸。
如上所述，沉積源噴嘴單元120係設置於沉積源110之一側上，且具體是，於第二沉積源110b面對基板500之一側上。沉積源噴嘴單元120包含排列於X軸方向之複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b。沉積源噴嘴單元120包含包括複數個第一沉積源噴嘴121a之第一沉積源噴嘴單元、以及包括複數個第二沉積源噴嘴121b之第二沉積源噴嘴單元。複數個第一沉積源噴嘴121a穿過第二沉積源110b且位於第二沉積源110b之一側上。複數個第一沉積源噴嘴121a與複數個第二沉積源噴嘴121b係交替地設置。因此，主體材料115a與摻雜物材料115b可均勻地沉積於設定或預定的排出區域上。
更進一步設置圖樣縫片150與框架155於沉積源110與基板500之間。圖樣縫片150包含排列於X軸方向之複數個圖樣縫151。本實施例係與先前實施例不同在於沉積源110、沉積源噴嘴單元120、以及圖樣縫片150並非結合為一單元，而是分別地包含於沉積單元730中。此將於後文中詳細描述。
現將詳細描述第一傳送單元610。第一傳送單元610使固定於基板500上之靜電卡盤600移動。第一傳送單元610包含包括下板613與上板617之框架611、設置於框架611中之板片支撐單元615(sheet support unit)、設置於框架611上之引導支撐單元621、設置於引導支撐單元612上之一對引導軌623、以及設置於引導軌623上之複數個導塊625。
具體來說，框架611形成為第一傳送單元610之基座，且係形成為中空盒體型狀。下板613形成為框架611之下表面且沉積源110可設置於下板613上。上板617形成為框架611之上表面，且可具有孔洞617a以使在沉積源110中汽化之主體材料115a與摻雜物材料115b可通過圖樣縫片150且接著沉積於基板500上。框架611之元件可獨立地製造且於後彼此結合，或可整合為一單元而製造。
雖然未顯示，其上設置有沉積源110之下板613係形成為卡匣(cassette)形狀以使下板613可由框架611取出。因此，其可輕易地將沉積源110與另一沉積源交換。
板片支撐單元615可自框架611之內側表面突出，且可支撐圖樣縫片150。板片支撐單元615可引導透過複數個第一沉積源噴嘴121a與第二沉積源噴嘴121b所排出之主體材料115a與摻雜物材料115b直線地移動，且不流動於X軸方向。
如上所述，在本實施例中，沉積係於靜電卡盤600(固定於基板500上)直線移動於腔室中而執行。在一些情況下，可使用一般用於傳輸物件之滾輪或傳送機。相反地，直線移動(linear motion, LM)系統係如第12圖與第13圖所示，其包含引導軌與導塊，可用以精準地傳送基板500。
具體來說，上板617上之引導支撐單元621、以及引導支撐單元621上之引導軌623被安裝以穿過沉積單元730之第一腔室。
引導支撐單元621之上部分具有一實質平面形狀，且一對引導軌623係設置於引導支撐單元621上。一對導塊625分別與該對引導軌623接合，因而該對導塊625可沿著該對引導軌623進行往復運動。
成對的導塊625中的每一個可包含驅動器(未顯示)。驅動器沿著引導軌623移動導塊625，且可產生並供應驅動力量至導塊625，或可自另外的驅動源接收驅動力量後施加該驅動力量至導塊625。
成對的直線移動軌可用於作為成對的引導軌623，且成對的直線移動塊可用於作為成對的導塊625，因而形成直線移動系統。由於直線移動系統具有低摩擦係數(friction coefficient)且難以導致位置錯誤的發生，因此相較於比較滑動導向系統(sliding guide system)提供非常高的定位準確度。在本發明中，並未提供直線移動系統之詳細描述。
如上所述，根據本發明之實施例，遮罩係形成以小於基板，且沉積係在遮罩相對於基板移動時執行。因此，遮罩可簡易地製造。此外，可降低或防止發生在比較沉積方法中由於基板與遮罩接觸所造成的缺陷。再者，由於在沉積製程中不須將遮罩設置以緊密地接觸基板，故可降低製造時間。
同時，構成有機層沉積組件1100之沉積源組件201與圖樣縫片150並非結合為一單元，而是分別地包含於沉積單元730。因此，沉積源110可輕易地連接有機層沉積組件1100或與其分離因而使主體材料115a與摻雜物材料115b填入沉積源110中。同時，圖樣縫片150可輕易地連接有機層沉積組件1100或與其分離以清潔圖樣縫片150或將圖樣縫片150與其他的圖樣縫片交換。
第14圖為根據本發明實施例，使用有機層沉積裝置製造之主動矩陣有機發光顯示裝置10之剖面圖。參閱第14圖，主動矩陣有機發光顯示裝置10係形成於第7圖、第10圖、第11圖、或第12圖之基板500上。基板500可由透明材料所形成，例如玻璃、塑膠、或金屬。例如緩衝層之絕緣層31係形成於基板500之整個表面上。
參閱第14圖，薄膜電晶體(TFT) 40、電容器50、以及有機發光二極體(OLED) 60係設置於絕緣層31上。
半導體主動層41係形成於絕緣層31上之預定圖樣中。閘極絕緣層32係形成以覆蓋半導體主動層41。半導體主動層41可包含p-型或n-型半導體材料。
電容器50之第一電容電極51係形成於閘極絕緣層32之一區域上，且薄膜電晶體40之閘極電極42係形成於相對於半導體主動層41之閘極絕緣層32的另一區域上。層間絕緣層33係形成以覆蓋第一電容電極51與閘極電極42。接著，閘極絕緣層32與層間絕緣層33是藉由例如乾蝕刻而蝕刻，以形成用於暴露部分半導體主動層41之接觸孔。
接著，電容器50之第二電容電極52與源極/汲極電極43係形成於層間絕緣層33上。源極/汲極電極43係形成於層間絕緣層33上以接觸透過接觸孔所暴露之半導體主動層41。鈍化層34係形成以覆蓋源極/汲極電極43，且被蝕刻以暴露部分源極/汲極電極43。額外的絕緣層(未顯示)可更形成於鈍化層34上以平坦化鈍化層34。
當電流流通於其中時，有機發光二極體60藉由發射紅、綠、或藍光以顯示設定或預定影像資訊。有機發光二極體60包含設置於鈍化層34上之第一電極61。第一電極61係電性連接至薄膜電晶體40之源極/汲極電極43。
像素定義層35係形成以覆蓋第一電極61。開口係形成於像素定義層35中，且接著包含發光層之有機層63係形成於藉由開口所定義之區域中。第二電極62形成於有機層63上。
定義個別的像素之像素定義層35係由有機材料所形成。像素定義層35平坦化其中形成有第一電極61之基板500之區域的表面，且具體是，鈍化層34之表面。
第一電極61與第二電極62係彼此絕緣，且分別地施加相反極性之電壓至有機層63以導致發光。
有機層63可由低分子量有機材料或高分子量有機材料所形成。若使用低分子量材料，則有機層63可具有單一或多層結構包含至少一選自由電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、以及電子注入層(EIL)所組成之群組。可使用之有機材料的範例包含銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)、三(8-羥基喹林)鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)或其類似物。
在形成有機層63後，第二電極62可根據用於形成有機層62之相同沉積方法而形成。
第一電極61可作用如陽極且第二電極62可作用如陰極，反之亦然。第一電極61可圖樣化以對應至各別地像素區域，且第二電極62可形成以覆蓋所有像素。
第一電極61可形成為透明電極或反射電極。透明電極可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(zinc oxide, ZnO)、及/或氧化銦(In2O3)所形成。反射電極可藉由形成由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻及/或其化合物所形成之反射層後形成氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、及/或氧化銦之透明電極層於反射層上而形成。第一電極61可藉由例如濺鍍(sputtering)形成一層後以例如光微影(photolithography)圖樣化該層而形成。
第二電極62亦可形成為透明電極或反射電極。當第二電極62形成為透明電極時，第二電極62作用如陰極。透明電極可藉由沉積具有低功函數之金屬，例如鋰、鈣、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、銀、鎂、或其化合物於有機層63之表面，並由氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、及/或氧化銦形成輔助電極層或匯流排電極線(bus electrode line)於其上而形成。當第二電極62係形成為反射電極時，反射層可藉由沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、銀、鎂、或其化合物於有機層上而形成。第二電極62可根據用於形成有機層63之沉積方法而形成。
根據本發明之上述實施例之有機層沉積裝置可應用於形成有機薄膜電晶體之有機或無機層、以及由各種材料形成層。
在第7圖至第13圖之實施例中，係使用第1圖之沉積源組件201，但除了沉積源組件201，亦可使用第4圖之沉積源組件202。在此情況下，在各個第7圖至第10圖之有機層沉積組件100與800中，各個隔板組件131(或831)可設置於兩鄰近沉積源噴嘴單元之間，該沉積源噴嘴單元各包含複數個第一沉積源噴嘴121a'其中之一與複數個第二沉積源噴嘴121b'其中之一。換句話說，同心地包含於個別地第二沉積源噴嘴121b'之複數個第一沉積源噴嘴121a'的每一個可設置於兩鄰近隔板131之間。
如上所述，根據本發明之實施例，有機層沉積裝置可被簡易地製造且可簡單地應用於大量製造大尺寸顯示裝置，且有機發光顯示裝置可藉由使用有機層沉積裝置而製造。有機層沉積裝置可改善生產量與沉積效率。
雖然本發明已參閱其例示性實施例而具體地顯示且描述，其將被所屬領域具有通常知識者所了解的是，各種型式與細節的改變可在不脫離藉由下列申請專利範圍及其等效物所定義之本發明的精神與範疇下而進行。
10．．．主動矩陣有機發光裝置
31．．．絕緣層
32．．．閘極絕緣層
33．．．層間絕緣層
34．．．鈍化層
35．．．像素定義層
40．．．薄膜電晶體
41．．．半導體主動層
42．．．閘極電極
43．．．源極/汲極電極
50．．．電容器
51．．．第一電容電極
52．．．第二電容電極
60．．．有機發光二極體
61．．．第一電極
62．．．第二電極
63．．．有機層
100、800、900、1100．．．有機層沉積組件
110、110’．．．沉積源
110a、110a’．．．第一沉積源
110b、110b’．．．第二沉積源
111a、111b、111b’．．．冷卻區塊
112a、112b、112b’．．．坩堝
113a、113b．．．加熱器
115a．．．主體材料
115b．．．摻雜物材料
120、120’．．．沉積源噴嘴單元
121a、121a’．．．第一沉積源噴嘴
121b、121b’．．．第二沉積源噴嘴
130．．．隔板組件
131．．．隔板
132．．．隔板架
135、935．．．連接構件
150、850、950．．．圖樣縫片
151、851、951．．．圖樣縫
155、855、955、611．．．框架
201、202．．．沉積源組件
500．．．基板
600．．．靜電卡盤
610．．．傳送單元
613．．．下板
615．．．板片支撐單元
617．．．上板
617a．．．孔洞
621．．．引導支撐單元
623．．．引導軌
625．．．導塊
730．．．沉積單元
830．．．第一隔板組件
831．．．第一隔板
832．．．第一隔板架
840．．．第二隔板組件
841．．．第二隔板
842．．．第二隔板組件
S．．．次沉積區域
A．．．方向
本發明之上述及其他特徵將藉由詳細描述例示性實施例及參閱其附圖而更加顯而易見，其中：
第1圖為根據本發明實施例之沉積源組件之透視剖面示意圖；
第2A圖與第2B圖係根據本發明實施例之第1圖之沉積源組件的剖面側視示意圖；
第3圖係描繪根據本發明另一實施例之第1圖之沉積源組件的操作剖面示意圖；
第4圖係根據本發明另一實施例之沉積源組件的透視剖面示意圖；
第5圖係為第4圖之沉積源組件的剖面側視示意圖；
第6圖係描繪根據本發明另一實施例之第4圖之沉積源組件的操作剖面示意圖；
第7圖為根據本發明實施例之包含於有機層沉積裝置中之有機層沉積組件的透視剖面示意圖；
第8圖為第7圖之有機層沉積組件的剖面側視示意圖；
第9圖為第7圖之有機層沉積組件的剖面平面示意圖；
第10圖為根據本發明另一實施例之有機層沉積組件之透視剖面示意圖；
第11圖為根據本發明另一實施例之有機層沉積組件之透視剖面示意圖；
第12圖為根據本發明另一實施例之包含於有機層沉積裝置中之有機層沉積組件與第一傳送單元的透視剖面示意圖；
第13圖為第12圖之有機層沉積組件的剖面側視示意圖；以及
第14圖為根據本發明實施例，使用有機層沉積裝置製造之主動矩陣有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
110．．．沉積源
110a．．．第一沉積源
110b．．．第二沉積源
111a、111b．．．冷卻區塊
112a、112b．．．坩堝
113a、113b．．．加熱器
115a．．．主體材料
115b．．．摻雜物材料
120．．．沉積源噴嘴單元
121a．．．第一沉積源噴嘴
121b．．．第二沉積源噴嘴
201．．．沉積源組件

Claims (39)

  1. 一種沉積源組件，其包含：
    一第一沉積源，用以排出一第一沉積材料；
    一第二沉積源，其堆疊於該第一沉積源上且用於排出不同於該第一沉積材料之一第二沉積材料；
    一第二沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源一側以面對一沉積靶，且包含複數個第二沉積源噴嘴；以及
    一第一沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源該側以面對該沉積靶，且包含形成以穿過該第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該第一沉積源係配置以排出一主體材料，且該第二沉積源係配置以排出一摻雜物材料。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之沉積源組件，其中包含於該第一沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第二沉積源中之該摻雜物材料。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該第一沉積源係配置以排出一摻雜物材料，而該第二沉積源係配置以排出一主體材料。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之沉積源組件，其中包含於該第二沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第一沉積源中之該摻雜物材料。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該第二沉積源係配置以維持較該第一沉積源高之一溫度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源之該側以面對該沉積靶，且係交替地排列。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之沉積源組件，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源之該側以面對該沉積靶，且該複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係同心地包含於該複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
  9. 一種用於形成有機層於一基板上之有機層沉積裝置，該有機層沉積裝置包含：
    一沉積源，用以排出一沉積材料；
    一沉積源噴嘴單元，設置於該沉積源之一側上；以及
    一圖樣縫片，設置以面對該沉積源噴嘴單元且尺寸小於該基板並具有複數個圖樣縫，
    其中該沉積源包含：
    一第一沉積源；以及
    一第二沉積源，堆疊於該第一沉積源上，
    其中該沉積源噴嘴單元包含：
    一第二沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源一側以面對該基板，且包含複數個第二沉積源噴嘴；以及
    一第一沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源該側以面對該基板，且包含形成以穿過該第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴；且
    其中該有機層沉積裝置係藉由一設定距離以與該基板分別設置；以及
    其中該基板或該有機層沉積裝置係配置以彼此相對移動。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該第一沉積源係配置以排出一主體材料，且該第二沉積源係配置以排出一摻雜物材料。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機層沉積裝置，其中包含於該第一沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第二沉積源中之該摻雜物材料的含量。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該第一沉積源係配置以排出一摻雜物材料，且該第二沉積源係配置以排出一主體材料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之有機層沉積裝置，其中包含於該第二沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第一沉積源中之該摻雜物材料的含量。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該第二沉積源係配置以維持較該第一沉積源高之一溫度。
  15. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源該側以面對該基板，且係交替地排列。
  16. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源該側以面對該基板，且該複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係同心地包含於該複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
  17. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係排列於一第一方向，且該複數個圖樣縫係排列在垂直於該第一方向之一第二方向上。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機層沉積裝置，其中該沉積源、該沉積源噴嘴單元、以及該圖樣縫片係透過一連接構件而整體地形成為一體。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機層沉積裝置，其中該連接構件係配置以引導該沉積材料之移動。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機層沉積裝置，其中該連接構件係形成以密封該沉積源、該沉積源噴嘴單元、以及該圖樣縫片之間之空間。
  21. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係排列於一第一方向，
    該複數個圖樣縫片係排列於該第一方向，以及
    該有機層沉積裝置更包含一隔板組件，其包含設置於該第一方向之該沉積源噴嘴單元與該圖樣縫片之間的複數個隔板，該複數個隔板係用以將該沉積源噴嘴單元與該圖樣縫片之間之一沉積空間分隔為複數個次沉積空間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個隔板延伸於實質上垂直於該第一方向之一第二方向。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之有機層沉積裝置，其中該隔板組件包含：
    一第一隔板組件，其包含複數個第一隔板；以及
    一第二隔板組件，其包含複數個第二隔板。
  24. 如申請專利範圍第23項所述之有機層沉積裝置，其中該複數個第一隔板與該複數個第二隔板延伸於實質上垂直於該第一方向之一第二方向上，以將該沉積源噴嘴單元與該圖樣縫片之間之該沉積空間分隔為該複數個次沉積空間。
  25. 如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置，其中該有機層沉積裝置更包含一腔室；
    該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴排列於一第一方向；
    該圖樣縫片係固定地與該腔室之一內側接合；以及
    該複數個圖樣縫係排列於垂直於該第一方向之一第二方向。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之有機層沉積裝置，更包含一第一傳送單元，用以於該第一方向移動固定於該基板上之一靜電卡盤。
  27. 如申請專利範圍第26項所述之有機層沉積裝置，其中該第一傳送單元包含：
    一框架，其上設置有該沉積源；以及
    一板片支撐單元，形成以自該框架之一內側表面突出，且支撐該圖樣縫片。
  28. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包含：
    以一設定距離將一有機層沉積裝置與作為一沉積靶之一基板分隔，
    其中該有機層沉積裝置含：
    一沉積源，用以排出一沉積材料；
    一沉積源噴嘴單元，設置於該沉積源之一側上；及
    一圖樣縫片，設置以面對該沉積源噴嘴單元，且其尺寸小於該基板，並包含複數個圖樣縫，
    其中該沉積源包含：
    一第一沉積源；及
    一第二沉積源，堆疊於該第一沉積源上，
    其中該沉積源噴嘴單元包含：
    一第二沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源一側以面對該基板，且包含複數個第二沉積源噴嘴；及
    一第一沉積源噴嘴單元，設置於該第二沉積源該側以面對該基板，且包含形成以穿過該第二沉積源之複數個第一沉積源噴嘴；以及
    當該有機層沉積裝置或該基板彼此相對而移動時沉積該沉積材料於該基板上。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中一主體材料係自該第一沉積源排出，且一摻雜物材料係自該第二沉積源排出。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中包含於該第一沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第二沉積源中之該摻雜物材料的含量。
  31. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中一摻雜物材料係自該第一沉積源排出，且一主體材料係自該第二沉積源排出。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之方法，其中包含於該第二沉積源中之該主體材料的含量係大於包含於該第一沉積源中之該摻雜物材料的含量。
  33. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該第二沉積源之溫度係維持以高於該第一沉積源之溫度。
  34. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源該側以面對該基板，且係交替地排列。
  35. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係以一直線排列於該第二沉積源該側以面對該基板，且各該複數個第一沉積源噴嘴中的每一個係同心地包含於該複數個第二沉積源噴嘴中對應的一個。
  36. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係排列於一第一方向，且
    該複數個圖樣縫係排列於垂直於該第一方向之一第二方向上。
  37. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該複數個第一沉積源噴嘴與該複數個第二沉積源噴嘴係排列於一第一方向，
    該複數個圖樣縫係排列於該第一方向，且
    該有機層沉積裝置更包含一隔板組件，其包括設置於該第一方向之該沉積源噴嘴單元與該圖樣縫片之間之複數個隔板，該複數個隔板係用於將該沉積源噴嘴單元與該圖樣縫片之間之一沉積空間分隔為複數個次沉積空間。
  38. 如申請專利範圍第28項所述之方法，其中該有機層沉積裝置更包含一腔室，
    該複數個沉積源噴嘴係排列於一第一方向，
    該圖樣縫片係固定地與該腔室之一內側接合，且
    該複數個圖樣縫係排列於垂直於該第一方向之一第二方向上。
  39. 一種使用如申請專利範圍第9項所述之有機層沉積裝置所製造之有機發光顯示裝置。
TW101124760A 2011-08-02 2012-07-10 Deposition source assembly, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus TWI563105B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110076990A KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2011-08-02 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201307591A true TW201307591A (zh) 2013-02-16
TWI563105B TWI563105B (en) 2016-12-21

Family

ID=47610886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101124760A TWI563105B (en) 2011-08-02 2012-07-10 Deposition source assembly, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9206501B2 (zh)
JP (1) JP6034607B2 (zh)
KR (1) KR20130015144A (zh)
CN (1) CN102912316B (zh)
TW (1) TWI563105B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR101942471B1 (ko) * 2012-06-15 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
TWI612689B (zh) * 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102098619B1 (ko) * 2013-05-31 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치
CN103681488A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法，显示装置
KR102654923B1 (ko) * 2016-01-18 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US9812665B2 (en) * 2015-09-02 2017-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus, and apparatus and method of manufacturing the same
CN105483620B (zh) * 2015-11-27 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 喷嘴部件、蒸镀装置及制作有机发光二极管器件的方法
KR102524502B1 (ko) * 2016-02-24 2023-04-24 주성엔지니어링(주) 원료 처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와, 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102488260B1 (ko) * 2016-03-07 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN107058973A (zh) * 2017-03-10 2017-08-18 常州大学 大面积钙钛矿薄膜的制备设备
KR102120265B1 (ko) * 2018-06-12 2020-06-08 셀로코아이엔티 주식회사 표시장치용 증착장비 및 이를 포함하는 제조시스템
KR20200045600A (ko) 2018-10-22 2020-05-06 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
DE102021119435A1 (de) 2021-07-27 2023-02-02 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Dampfverteilungsvorrichtung und Verdampfungsvorrichtung

Family Cites Families (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH0598425A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
FR2695943B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel Procédé de dépôt en phase vapeur d'un film en verre fluoré sur un substrat.
KR970054303A (ko) 1995-12-27 1997-07-31 김광호 Ccd 고체촬상소자의 제조방법
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd Ｅｌ素子の製造方法
KR20000019254A (ko) 1998-09-08 2000-04-06 석창길 화학 기상 증착 장치의 박막 두께 균일도 개선을 위한 장치
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法と装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
WO2001030404A1 (en) 1999-10-29 2001-05-03 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
KR100726132B1 (ko) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
KR100698033B1 (ko) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조 방법
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
JP4440563B2 (ja) 2002-06-03 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立体
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004091858A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
TWI252706B (en) 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004107764A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100532657B1 (ko) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의증착을 위한 증발 영역조절장치
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3915734B2 (ja) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP2004349101A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100517255B1 (ko) 2003-06-20 2005-09-27 주식회사 야스 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
KR100656845B1 (ko) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
EP2369035B9 (en) 2003-08-04 2014-05-21 LG Display Co., Ltd. Evaporation source
US20050056535A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Makoto Nagashima Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
KR20050028943A (ko) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
US7339139B2 (en) 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
KR20050039140A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 바라트론 센서
KR100520159B1 (ko) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 다중 안테나를 사용하는 직교주파수분할다중 시스템에서간섭신호 제거 장치 및 방법
KR200342433Y1 (ko) 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 고압 분사형 유기물 증착 도가니
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機ｅｌ装置の製造方法
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
JP4366226B2 (ja) 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
JP2005293968A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
JP4455937B2 (ja) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機ｅｌパネルの製造方法
JP4545504B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
EP1802177A4 (en) 2004-09-08 2010-04-14 Toray Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
KR101070539B1 (ko) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 증착 마스크 및 이를 사용한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
KR100600357B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템용 증착원의 구동축 밀폐장치 및 이를 구비한증착시스템
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
KR101200693B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-12 김명희 대면적 유기박막 제작용 선형 다점 도가니 장치
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
JP4440837B2 (ja) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100703427B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100719314B1 (ko) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 기판 상에 유기 박막을 증착하는 장치
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 건식세정시스템
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
JP4767000B2 (ja) * 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
KR20070084973A (ko) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR20070098122A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
KR100980729B1 (ko) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
JP4971723B2 (ja) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機発光表示装置の製造方法
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
JP5063969B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR100839380B1 (ko) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
JP4909152B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
EP2190264A4 (en) 2007-09-10 2011-11-23 Ulvac Inc EXPANSION UNIT
JP4974832B2 (ja) 2007-09-10 2012-07-11 株式会社アルバック 蒸着源、蒸着装置
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Ｓｏｉ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
KR100790718B1 (ko) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
JP5046882B2 (ja) 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 インライン式成膜装置
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR101108151B1 (ko) 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치
KR101074790B1 (ko) 2009-05-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
KR101084168B1 (ko) 2009-06-12 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
JP5623786B2 (ja) 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置
KR20100130786A (ko) 2009-06-04 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101174877B1 (ko) 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN102912316B (zh) 2016-05-11
JP2013032587A (ja) 2013-02-14
TWI563105B (en) 2016-12-21
KR20130015144A (ko) 2013-02-13
CN102912316A (zh) 2013-02-06
US9206501B2 (en) 2015-12-08
US20130032829A1 (en) 2013-02-07
JP6034607B2 (ja) 2016-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9206501B2 (en) Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using an organic layer deposition apparatus having stacked deposition sources
US9748483B2 (en) Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US10287671B2 (en) Thin film deposition apparatus
TWI527285B (zh) 有機發光顯示元件
US8859043B2 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR101097311B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
US20120299016A1 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display device using the organic layer deposition apparatus
US8833294B2 (en) Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
US20150217319A1 (en) Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly For The Organic Layer Deposition Apparatus, And Method Of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using The Frame Sheet Assembly
US8865252B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8883259B2 (en) Thin film deposition apparatus
US20110053301A1 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US20130217164A1 (en) Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
TW201447009A (zh) 有機層沉積設備與利用其製造有機發光顯示裝置之方法
KR101889919B1 (ko) 유기층증착장치