KR20090038733A - Ｓｏｉ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치 - Google Patents

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김인겸
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Abstract

본 발명은 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법으로서, 챔버 내부에 SOI 웨이퍼를 투입하는 단계; 및 환원성 가스와 함께 Si 가스를 상기 챔버 내부에 흘려주면서 상기 SOI 웨이퍼를 가열하여 열처리하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 방법을 개시한다.
SOI 웨이퍼, 표면 거칠기, 환원성 가스, Si 가스, 저온 열처리

Description

ＳＯＩ 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및 이를 위한 열처리 장치{Heat treatment method for improvement of surface roughness of SOI-wafer and apparatus for the same}
본 발명은 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 표면 거칠기를 개선하기 위한 발명으로서, 더욱 상세하게는 SOI 웨이퍼의 표면에 잔류하는 손상층과 표면 미소 거칠기를 개선하기 위한 열처리 방법과 이를 위한 열처리 장치에 관한 것이다.
SOI 웨이퍼는 실리콘 기판(Si-sub) 위에 절연성의 산화막(BOX, buried oxide)과 단결정의 상부 Si층(Top Si)을 형성한 웨이퍼로서, 최근 반도체 소자의 집적화 및 고속도, 저전력 소모의 디바이스의 수요가 높아지면서 그 사용량이 증가하고 있다.
SOI 웨이퍼를 제작한 후에는 SOI 웨이퍼의 표면에 잔류하는 손상층과 표면 미소 거칠기 특성을 개선하여 두께 균일도를 유지하는 공정을 수행하는데, 이와 관련하여 종래에는 US 6461939호에 개시된 바와 같이 이온주입과 층 전이기술을 적용하여 SOI 웨이퍼를 제작하고 수소나 아르곤 가스 등의 환원가스 분위기에서 1100℃ 이상의 고온 열처리를 수행하는 방식이 사용되었다.
또한, 층 전이시에 발생한 많은 결함과 악화된 표면 미소 거칠기를 개선하는 방법으로서, 산화성 분위기 하에서의 열처리를 통해 SOI 웨이퍼 위에 산화막을 형성했다가 다시 이 산화막을 제거하는 공정을 수행하여 손상층의 전부 또는 일부를 산화하여 제거하는 희생 산화 기술이 사용되기도 한다. 희생 산화 기술은 산화막의 제거시 손상층을 효과적으로 제거할 수 있고, 이어서 환원성 분위기 하의 열처리를 수행함으로써 SOI 웨이퍼 표면에 잔류하는 손상층을 회복시킬 수 있으며, 표면 미소 거칠기를 개선할 수 있다.
그런데 종래 기술과 같이 SOI 웨이퍼에 대하여 고온 열처리를 실시하게 되면 상부 Si층(Top Si)이 100㎚ 이내 정도로 얇은 경우 표면 거칠기를 개선하는 데 한계가 있으며, 오히려 도 1에 도시된 바와 같이 표면 거칠기 특성이 악화되는 문제가 발생하게 된다.
대안으로, 고온 열처리를 진행하지 않고 표면거칠기를 개선하는 방법으로서 SOI 웨이퍼의 표면에 대하여 폴리싱(polishing) 공정을 실시하는 방법도 사용되고 있긴 하나, 이 방법은 미세 거칠기 개선 효과가 미미하고 공정비용이 많이 소요되는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 열처리에 의해 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 특성이 악화되는 현상을 방지할 수 있는 열처리 방법 및 이를 위한 열처리 장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 종래 기술에 비해 저온에서 열처리를 수행할 수 있는 구성을 통해 SOI 웨이퍼의 두께와 무관하게 표면 거칠기 특성을 개선할 수 있는 열처리 방법 및 이를 위한 열처리 장치를 제공하는 데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 챔버 내부에 환원성 가스와 Si 가스를 동시에 흘려주면서 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼에 대하여 열처리 공정을 실시하는 열처리 방법과 그 열처리 장치를 개시한다.
본 발명에 따르면, 챔버 내부에 SOI 웨이퍼를 투입하는 제1단계; 및 환원성 가스와 함께 Si 가스를 상기 챔버 내부에 흘려주면서 상기 SOI 웨이퍼를 가열하여 열처리하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법이 제공된다.
상기 제2단계에서는, (a) 히팅소스(heating source)를 구동하여 상기 SOI 웨이퍼의 온도를 상승시키는 단계; (b) 환원성 가스 분위기 하에서 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si층(Top Si) 위에 자연산화막을 제거하는 단계; (c) 환원성 가스 분위기 하에서 Si 가스를 흘려주는 단계; 및 (d) 상기 SOI 웨이퍼를 저온 열처리하는 단계;를 수행하는 것이 바람직하다.
바람직하게, 상기 SOI 웨이퍼를 챔버 내부에 투입하기 전에는 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si층(Top Si) 위에 존재하는 자연산화막을 제거하는 단계가 더 수행될 수 있다.
상기 단계 (c)에서는, 환원성 가스와 Si 가스를 모두 흘려주는 공정구간과 환원성 가스만 흘려주는 공정구간이 반복되도록 가스를 흘려주는 것이 바람직하다.
또한, 상기 단계 (c)에서는 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si층(Top Si) 위에 1㎛/min 이하의 비율로 Si이 증착되도록 상기 Si 가스를 공급하는 것이 바람직하다.
상기 단계 (d)에서, 상기 저온 열처리는 600℃ 이상 1000℃ 미만의 온도에서 수행하는 것이 바람직하다.
상기 환원성 가스로는 H2, He 및 Ar 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 사용하고, 상기 Si 가스로는 SiH2Cl2, SiH4 및 Si2H6 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 사용할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 실리콘 기판(Si-sub); 상기 실리콘 기판 위에 형성된 절연막; 상기 절연막 위에서 단결정층을 이루는 상부 Si층(Top Si); 및 상기 상부 Si층(Top Si) 위에 위치하고, 환원성 가스 분위기 하에서의 Si 증착에 의해 형성된 열처리층;을 포함하는 SOI 웨이퍼가 제공된다.
본 발명의 또 다른 측면에 따르면, SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 장치로서, 기밀 구조를 갖는 본체 챔버; 상기 챔버 내부에 마련되어 SOI 웨이퍼의 가열을 위한 열을 제공하는 히팅소스(heating source); 및 상기 챔버에 마련되는 환원성 가스 도입부 및 Si 가스 도입부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치가 제공된다.
상기 환원성 가스 도입부 및 Si 가스 도입부에는, 상기 챔버 내부로의 가스 유입여부를 조절하는 밸브와, 상기 밸브와 상기 챔버 사이에 개재되어 챔버 내부로 흐르는 유량을 조절하는 가스유량조절기가 구비되는 것이 바람직하다.
상기 환원성 가스 도입부에 공급되는 환원성 가스로는 H2, He 및 Ar 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 채용되고, 상기 Si 가스 도입부에 공급되는 상기 Si 가스는 SiH2Cl2, SiH4 및 Si2H6 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이 채용될 수 있다.
상기 열처리 장치에는 상기 환원성 가스와 Si 가스를 모두 흘려주는 공정구간과 환원성 가스만 흘려주는 공정구간이 반복되도록 가스의 공급을 제어하는 유량 제어부;가 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 열처리 장치에는 600℃ 이상 1000℃ 미만의 온도로 상기 SOI 웨이퍼를 가열하도록 상기 히팅소스를 제어하는 저온 열처리 제어부;가 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 SOI 웨이퍼에 대한 열처리시 환원성 가스 분위기 하에서 Si 가스를 흘려줌으로써 SOI 웨이퍼 표면에서 이동 가능한 Si 원자를 제공해 주게 되므로 1000℃ 미만의 저온에서도 표면 미소 거칠기를 개선할 수 있다.
또한, 환원성 가스와 함께 흘려주는 Si 가스의 유량을 조절하여 SOI 웨이퍼 표면에 Si이 빠르게 증착되는 것을 방지함으로써 Si 원자의 표면 이동 효과를 높일 수 있는 장점이 있다.
이와 같은 본 발명은 극미세 박막을 가진 SOI 구조의 Si 웨이퍼와 같이 고온 열처리가 불가능한 제품이나 폴리싱이 불가능한 Si으로 구성되어 있는 물품의 표면 거칠기를 개선할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 2에는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열처리 장치의 구성도이 도시되어 있다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열처리 장치는 기밀 구조를 갖는 본체 챔버(100)와, 챔버(100) 내부에 마련되어 SOI 웨이퍼(1)의 열처리를 위한 열을 제공하는 히팅소스(heating source)(110)와, 챔버(100)의 외부에 마련된 환원성 가스 도입부(120) 및 Si 가스 도입부(130)를 포함한다.
히팅소스(110)로는 예컨대, 전기에너지를 열에너지로 전환하는 전열선을 내장한 형태의 히터가 채용된다. SOI 웨이퍼(1)에 대하여 안정적으로 열을 제공할 수 있도록 히팅소스(110)는 최대 1200℃까지 2시간 이상 가열 가능한 히팅 성능을 구비하는 것이 바람직하다.
환원성 가스 도입부(120)에는 챔버(100) 내부로 H2, Ar 등에 해당하는 환원성 가스의 유입 여부를 조절하는 밸브(121,123)와, 각 밸브(121,123)와 챔버(100) 사이에 개재되어 챔버(100) 내부로 흐르는 환원성 가스의 유량을 예컨대, sccm 범위로 미세하게 조절해 줄 수 있는 가스유량조절기(122,124)가 구비된다. 비록 도면에는 환원성 가스로서 H2과 Ar을 유입시키기 위한 구성이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않고 He을 유입시킬 수 있는 밸브와 가스유량조절기가 더 포함될 수 있으며, H2, Ar 및 He 중 어느 하나만을 유입시킬 수 있도록 구성될 수도 있음은 물론이다.
Si 가스 도입부(130)에는 환원성 가스 분위기 하에서 챔버(100) 내부로 DCS(dicholorosilane; SiH2Cl2 등), SiH4 및 Si2H6 등의 Si기가 포함된 가스(이하, 'Si 가스'라 칭함)에 대한 유입을 조절하는 밸브(131,133,135)와, 각 밸브(131,133,135)와 챔버(100) 사이에 개재되어 챔버(100) 내부로 흐르는 Si 가스의 유량을 미세하게 조절하는 가스유량조절기(132,134,136)가 구비된다. 비록 도면에는 Si 가스로서 DCS, SiH4 및 Si2H6 를 유입하기 위한 구성이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않고 DCS, SiH4 및 Si2H6 중 어느 하나만을 유입시킬 수 있도록 구성될 수도 있음은 물론이다.
도면에는 미도시되었으나, 열처리 장치에는 도 3에 도시된 바와 같이 환원성 가스와 Si 가스를 모두 흘려주는 공정구간(A)과 환원성 가스만 흘려주는 공정구간(B)이 반복되도록 밸브 또는 가스유량조절기의 작동을 제어하는 유량 제어부가 바람직하게 구비된다.
또한, 600℃ 이상 1000℃ 미만의 저온으로 SOI 웨이퍼(1)를 가열하도록 히팅소스(110)의 작동을 제어하는 저온 열처리 제어부(미도시)가 바람직하게 구비된다.
본 발명에 따르면 상기와 같은 구성을 갖는 열처리 장치를 이용하여 상부 Si층(Top Si) 두께가 100nm 이하인 SOI 웨이퍼(1)에 대하여 환원성 가스 분위기 하에서 Si 가스를 흘려주면서 1000℃ 미만의 저온 열처리를 수행할 수 있다.
이를 위해, 먼저 열처리 장치의 챔버(100) 내부에 SOI 웨이퍼(1)를 투입한 이후에 히팅소스(110)를 구동하여 SOI 웨이퍼(1)의 온도를 점차 상승시키고, 환원성 가스 분위기 하에서 SOI 웨이퍼(1)의 상부 Si층(Top Si) 위에 존재하는 자연산화막을 제거하는 과정을 수행한다. 여기서, SOI 웨이퍼(1)를 챔버(100) 내부에 투입하기 전에 습식화학(wet chemical) 제거공정을 수행하여 SOI 웨이퍼(1)의 상부 Si층(Top Si) 위에 존재하는 자연산화막을 제거하게 되면 보다 저온에서 열처리를 진행할 수 있다.
자연산화막을 제거한 후에는 환원성 가스 도입부(120)와 Si 가스 도입부(130)를 통해 챔버(100) 내부에 환원성 가스와 Si 가스를 동시에 흘려주면서 히팅소스(110)의 온도를 600℃ 이상으로 상승시켜 SOI 웨이퍼(1)에 대하여 열처리를 수행한다.
여기서, 종래 기술과 같이 환원성 가스만을 흘려주는 경우에도 SOI 웨이퍼(1) 표면에서 Si 원자가 원자간 결합을 끊고 탈착되어 안정한 다른 위치로 이동하면서 표면 거칠기가 향상되기는 하지만, Si 결합을 끊는 데 상당한 에너지가 필요하므로 1100℃ 이상의 고온 열처리가 요구된다. 그러나, 본 발명과 같이 환원성 가스와 함께 Si 원자가 포함된 가스(특히 수소결합을 하고 있는 Si 가스)를 흘려주는 경우에는 Si이 결합을 끊지 않고도 표면에서 이동 가능한 Si 원자를 제공해 주기 때문에 보다 저온에서 열처리가 가능한 것이다.
본 발명에 있어서 Si 가스에 의해 제공되는 Si 원자의 표면 이동 효과를 높이기 위해서는 Si이 증착되는 비율을 1㎛/min 이하로 느리게 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 효과적인 표면 거칠기 개선을 위해서 가열 온도 및 시간, 각 가스의 유량 등을 적절히 조절해야 하며, 도 3에 도시된 공정구간 A와 B를 반복적으로 수행하는 것이 바람직하다. 도 3에서 구간 A는 환원성 가스 분위기 하에서 표면이동을 활성화시키기 위한 Si가스를 공급하는 공정을 나타내며, 구간 B는 공급된 Si 원자가 충분이 이동할 수 있는 시간여유를 갖도록 환원성 가스만 흘려주는 공정을 나타낸다.
SOI 웨이퍼(1)에 대한 저온 열처리는 600℃ 이상에서 수분 내지 수시간 동안 진행하고, 열처리 종료 후 SOI 웨이퍼(1)를 챔버(100)로부터 꺼내면 표면 거칠기 개선 작업이 완료된다.
위의 과정들을 통해 표면 미소 거칠기가 개선된 SOI 웨이퍼(1)는 도 4에 도시된 바와 같은 구성을 갖는다. 즉, 실리콘 기판(Si-sub)(1a) 위에 절연막에 해당 하는 산화막(BOX, buried oxide)(1b)과 단결정의 상부 Si층(Top Si)(1c)이 순차적으로 형성되고, 환원성 가스 분위기 하에서 Si 가스를 증착하는 처리를 통해 상부 Si층(Top Si)(1c) 위에 Si을 포함하는 열처리층(1d)이 형성된 구조를 갖는다.
열처리층(1d)은 수 옴스트롱(Å)에서 수백 나노미터(nm)의 두께로 형성된다. 여기서, 상부 Si층(Top Si)(1c)은 열처리에 의한 Si 탈착, 식각 등으로 두께가 얇아지므로 SOI 웨이퍼(1)의 전체 두께는 감소되거나 열처리 전과 동일하게 유지될 수 있다.
이상의 설명과 같이 본 발명은 환원성 가스 분위기 하에서 Si기가 포함된 가스를 흘려줌으로써 별도의 폴리싱 공정없이 표면 미소 거칠기를 개선할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 따르면 높이 편차(RMS)가 52.3Å으로서 표면 상태가 좋지 않은 SOI 웨이퍼(1)(도 5 참조)에 대하여 저온 열처리를 수행함으로써 높이 편차(RMS)가 2.3Å가 되도록(도 6 참조) 표면 미소 거칠기를 개선할 수 있다.
이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 상술한 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.
도 1은 얇은 상부 Si층(Top Si)을 갖는 SOI 웨이퍼에 대하여 고온 열처리를 수행한 경우의 표면 상태를 나타내는 사진이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열처리 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명에 따라 제공되는 챔버 내 분위기 가스 공급방법을 개략적으로 도시한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제작된 SOI 웨이퍼의 구성을 도시한 단면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 열처리 방법의 적용 전과 후의 웨이퍼 표면 상태를 나타내는 사진이다.
<도면의 주요 참조 부호에 대한 설명>
1: SOI 웨이퍼 100: 챔버
110: 히팅소스 120: 환원성 가스 도입부
130: Si 가스 도입부

Claims (13)

  1. SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법에 있어서,
    챔버 내부에 SOI 웨이퍼를 투입하는 제1단계; 및
    환원성 가스와 함께 Si 가스를 상기 챔버 내부에 흘려주면서 상기 SOI 웨이퍼를 가열하여 열처리하는 제2단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계에서,
    (a) 히팅소스(heating source)를 구동하여 상기 SOI 웨이퍼의 온도를 상승시키는 단계;
    (b) 환원성 가스 분위기 하에서 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si층(Top Si) 위에 자연산화막을 제거하는 단계;
    (c) 환원성 가스 분위기 하에서 Si 가스를 흘려주는 단계; 및
    (d) 상기 SOI 웨이퍼를 저온 열처리하는 단계;를 수행하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 SOI 웨이퍼를 챔버 내부에 투입하기 전에 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si 층(Top Si) 위에 존재하는 자연산화막을 제거하는 단계;를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 단계 (c)에서, 환원성 가스와 Si 가스를 모두 흘려주는 공정구간과 환원성 가스만 흘려주는 공정구간이 반복되도록 가스를 흘려주는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 단계 (c)에서, 상기 SOI 웨이퍼의 상부 Si층(Top Si) 위에 1㎛/min 이하의 비율로 Si이 증착되도록 상기 Si 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 단계 (d)에서, 상기 저온 열처리는 600℃ 이상 1000℃ 미만의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 환원성 가스로는 H2, He 및 Ar 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 사 용하고,
    상기 Si 가스로는 SiH2Cl2, SiH4 및 Si2H6 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 SOI 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법.
  8. 실리콘 기판(Si-sub);
    상기 실리콘 기판 위에 형성된 절연막;
    상기 절연막 위에서 단결정층을 이루는 상부 Si층(Top Si); 및
    상기 상부 Si층(Top Si) 위에 위치하고, 환원성 가스 분위기 하에서의 Si 가스 증착에 의해 형성된 열처리층;을 포함하는 SOI 웨이퍼.
  9. SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 장치에 있어서,
    기밀 구조를 갖는 본체 챔버;
    상기 챔버 내부에 마련되어 SOI 웨이퍼의 가열을 위한 열을 제공하는 히팅소스(heating source); 및
    상기 챔버에 마련되는 환원성 가스 도입부 및 Si 가스 도입부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 환원성 가스 도입부 및 Si 가스 도입부에는, 상기 챔버 내부로의 가스 유입여부를 조절하는 밸브와, 상기 밸브와 상기 챔버 사이에 개재되어 챔버 내부로 흐르는 유량을 조절하는 가스유량조절기가 구비된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 환원성 가스 도입부에 공급되는 환원성 가스는 H2, He 및 Ar 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상이고,
    상기 Si 가스 도입부에 공급되는 상기 Si 가스는 SiH2Cl2, SiH4 및 Si2H6 중 선택된 어느 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  12. 제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 환원성 가스와 Si 가스를 모두 흘려주는 공정구간과 환원성 가스만 흘려주는 공정구간이 반복되도록 가스의 공급을 제어하는 유량 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
  13. 제9항에 있어서,
    600℃ 이상 1000℃ 미만의 온도로 상기 SOI 웨이퍼를 가열하도록 상기 히팅 소스를 제어하는 저온 열처리 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.
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