JP6034607B2 - 蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6034607B2
JP6034607B2 JP2012159480A JP2012159480A JP6034607B2 JP 6034607 B2 JP6034607 B2 JP 6034607B2 JP 2012159480 A JP2012159480 A JP 2012159480A JP 2012159480 A JP2012159480 A JP 2012159480A JP 6034607 B2 JP6034607 B2 JP 6034607B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deposition source
vapor deposition
organic layer
substrate
vapor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2012159480A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013032587A (ja
JP2013032587A5 (ja
Inventor
▲うん▼ ▲てつ▼ 成
▲うん▼ ▲てつ▼ 成
茂 顯 金
茂 顯 金
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of JP2013032587A publication Critical patent/JP2013032587A/ja
Publication of JP2013032587A5 publication Critical patent/JP2013032587A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6034607B2 publication Critical patent/JP6034607B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45574Nozzles for more than one gas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563Gas nozzles
    • C23C16/45576Coaxial inlets for each gas
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

本発明は、蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法に係り、詳細には、大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率を向上する有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法に関する。
ディスプレイ装置のうち、有機発光表示装置は、視野角が広く、かつコントラストに優れるだけではなく、応答速度が速いという長所を有し、次世代ディスプレイ装置として注目されている。
一般的に、有機発光表示装置は、アノードとカソードとから注入される正孔と電子とが発光層で再結合して発光する原理を用いて色相を具現することができるように、アノードとカソードとの間に発光層を挿入した積層型構造を有している。このような構造では、高効率で発光を達成し難いために、それぞれの電極と発光層との間に、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層などの中間層を選択的に追加挿入して使用している。
しかし、発光層及び中間層などの有機薄膜の微細パターンを形成することは非常に困難であり、また発光層及び中間層によって赤色、緑色及び青色の発光効率が変わってしまうために、従来の有機層蒸着装置では、大面積にパターニングすることが現実的に非常に困難である。従って、満足すべきレベルの駆動電圧、電流密度、輝度、色純度、発光効率及び寿命などを有する大型有機発光表示装置を製造することができず、その改善が急務である。
前述の背景技術は、発明者が、本発明の導出のために保有していたり、あるいは本発明の導出過程で習得したりした知見であり、必ずしも本発明の出願前に一般公衆に公開されたことではない。
本発明は、製造が容易であり、有機発光表示装置のための大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率及び蒸着効率の向上した蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
前記のような課題を達成するための本発明の一実施形態によれば、蒸着物質を放射する第1蒸着源、及び前記第1蒸着源上にスタックされた形態に配列され、前記第1蒸着源と異なる蒸着物質を放射する第2蒸着源;被蒸着体に向かう第2蒸着源の一側に配置され、前記第2蒸着源から形成された複数個の第2蒸着源ノズルを含む第2蒸着源ノズル部;及び前記第2蒸着源の一側に配置され、前記第1蒸着源から前記第2蒸着源を貫通して形成された第1蒸着源ノズルを含む第1蒸着源ノズル部;を含む蒸着源アセンブリを提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記第2蒸着源の温度は、前記第1蒸着源の温度より高く維持される。
本発明の他の特徴によれば、前記被蒸着体に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれは、前記第2蒸着源ノズルそれぞれと交互に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記被蒸着体に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれが、前記第2蒸着源ノズルそれぞれの内部に同芯型に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ホスト物質を放射し、前記第2蒸着源は、ドーパント物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ドーパント物質を放射し、前記第2蒸着源は、ホスト物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、各蒸着源に備わった前記ホスト物質の量は、前記ドーパント物質の量よりも多い。
前記のような課題を達成するための本発明の一実施形態によれば、基板上に有機層を形成するための有機層蒸着装置において、蒸着物質を放射する蒸着源;前記蒸着源の一側に配置されて複数個の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部;及び前記蒸着源ノズル部と対向するように配置され、複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシート;を含み、前記蒸着源は、第1蒸着源、及び前記第1蒸着源上にスタックされた形態に配列される第2蒸着源を含み、前記蒸着源ノズル部は、前記基板に向かう第2蒸着源の一側に配置され、前記第2蒸着源から形成された複数個の第2蒸着源ノズルを含む第2蒸着源ノズル部、及び前記第2蒸着源の一側に配置され、前記第1蒸着源から前記第2蒸着源を貫通して形成された第1蒸着源ノズルを含む第1蒸着源ノズル部;を含み、前記基板は、前記有機層蒸着装置と所定距離離隔されて配置され、前記有機層蒸着装置に対して相対的に移動可能であることを特徴とする有機層蒸着装置を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記第2蒸着源の温度は、前記第1蒸着源の温度より高く維持される。
本発明の他の特徴によれば、前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれは、前記第2蒸着源ノズルそれぞれと交互に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれが、前記第2蒸着源ノズルそれぞれの内部に同芯型に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記有機層蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは、連結部材によって結合されて一体に形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドすることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記連結部材は、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシート間の空間を、外部から密閉するように形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成され、前記有機層蒸着装置は、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間に、前記第1方向に沿って配置され、前記蒸着源ノズル部と、前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板を具備する遮断板アセンブリをさらに含む。
本発明の他の特徴によれば、前記複数枚の遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に沿って延びるように形成されたことを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記遮断板アセンブリは、複数枚の第1遮断板を具備する第1遮断板アセンブリと、複数枚の第2遮断板を具備する第2遮断板アセンブリと、を含むことを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記複数枚の第1遮断板及び前記複数枚の第2遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に形成され、前記蒸着源ノズル部と、前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画することを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記有機層蒸着装置は、チャンバをさらに含み、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートは、前記チャンバの内側に固定結合され、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記基板が固定された静電チャックを、前記第1方向に沿って移動させる第1循環部をさらに含む。
本発明の他の特徴によれば、前記第1循環部は、内部に前記蒸着源が収容されるフレーム;及び前記フレームの内側面から突設され、前記パターニングスリットシートを支持するシート支持台;を含む。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ホスト物質を放射し、前記第2蒸着源は、ドーパント物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ドーパント物質を放射し、前記第2蒸着源は、ホスト物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、各蒸着源に備わった前記ホスト物質の量は、前記ドーパント物質の量よりも多い。
前記のような課題を達成するための本発明の一実施形態によれば、蒸着物質を放射する蒸着源、前記蒸着源の一側に配置され、複数個の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部、及び前記蒸着源ノズル部と対向するように配置され、複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートを含み、前記蒸着源は、第1蒸着源、及び前記第1蒸着源上にスタックされた形態に配列される第2蒸着源を含み、前記蒸着源ノズル部は、前記基板に向かう第2蒸着源の一側に配置され、前記第2蒸着源から形成された複数個の第2蒸着源ノズルを含む第2蒸着源ノズル部、及び前記第2蒸着源の一側に配置され、前記第1蒸着源から前記第2蒸着源を貫通して形成された第1蒸着源ノズルを含む第1蒸着源ノズル部を含む有機層蒸着装置において、被蒸着用基板を前記パターニングスリットシートから所定距離離隔して配置する段階と、前記有機層蒸着装置と前記基板とのうちいずれか一側を他側に対して相対的に移動しつつ、前記有機層蒸着装置で放射される蒸着物質を前記基板上に蒸着する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明の他の特徴によれば、前記第2蒸着源の温度は、前記第1蒸着源の温度より高く維持される。
本発明の他の特徴によれば、前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれは、前記第2蒸着源ノズルそれぞれと交互に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれが、前記第2蒸着源ノズルそれぞれの内部に同芯型に配置される。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ホスト物質を放射し、前記第2蒸着源は、ドーパント物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、前記第1蒸着源は、ドーパント物質を放射し、前記第2蒸着源は、ホスト物質を放射する。
本発明の他の特徴によれば、各蒸着源に備わった前記ホスト物質の量は、前記ドーパント物質の量よりも多い。
本発明の他の特徴によれば、前記有機層蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成され、前記有機層蒸着装置は、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間に、前記第1方向に沿って配置され、前記蒸着源ノズル部と、前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板を具備する遮断板アセンブリをさらに含む。
本発明の他の特徴によれば、前記有機層蒸着装置は、チャンバをさらに含み、前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートは、前記チャンバの内側に固定結合され、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、前述の有機層蒸着装置によって製造された有機発光表示装置を提供する。
本発明の蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法によれば、製造が容易であり、大型基板量産工程に容易に適用され、製造収率及び蒸着効率が向上する。
本発明の一実施形態に係る蒸着源アセンブリを概略的に図示した斜視図である。 図1の蒸着源アセンブリの概略的な側断面図である。 図1の蒸着源アセンブリの概略的な側断面図である。 図1の蒸着源アセンブリの動作を概略的に図示した断面図である。 本発明の他の実施形態に係る蒸着源アセンブリを概略的に図示した斜視図である。 図4の蒸着源アセンブリの概略的な側断面図である。 図4の蒸着源アセンブリの動作を概略的に図示した断面図である。 本発明の一実施形態に係る有機層蒸着装置の有機層蒸着アセンブリを概略的に図示した斜視図である。 図7の有機層蒸着アセンブリの概略的な側断面図である。 図7の有機層蒸着アセンブリの概略的な平断面図である。 本発明の他の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリを示す図面である。 本発明のさらに他の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリを示す図面である。 本発明のさらに他の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリを示す図面である。 図12の有機層蒸着アセンブリの概略的な正面図である。 本発明の有機層蒸着装置を利用して製造されたアクティブマトリックス型有機発光表示装置の断面図である。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野で当業者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、さまざまな異なる形態で具現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されるものではない。
図1は、本発明の一実施形態に係る蒸着源アセンブリ201を概略的に図示した斜視図であり、図2Aは、図1のI−Iに沿って切り取った側断面図であり、図2Bは、図1のII−IIに沿って切り取った側断面図である。図3は、図1の蒸着源アセンブリ201の動作を概略的に図示した断面図である。
図1ないし図2Bを参照すれば、本発明の一実施形態による蒸着源アセンブリ201は、蒸着源110と蒸着源ノズル部120とを含む。
蒸着源110は、第1蒸着源110aと第2蒸着源110bとからなってもよい。第1蒸着源110aと第2蒸着源110bとは、それぞれ蒸着物質115a,115bを気化させ、被蒸着体500(図3)上に薄膜を形成する。
詳細には、第1蒸着源110aは、蒸着物質としてホスト物質115aを具備し、第2蒸着源110bは、蒸着物質としてドーパント物質115bを具備することができる。ホスト物質115aとドーパント物質115bとの気化温度が互いに異なるために、ホスト物質115aとドーパント物質115bとを同時に蒸着するために、蒸着源及びノズル部を複数で構成する。
ホスト物質115aとしては、トリス(8−ヒドロキシ−キノリラト)アルミニウム(Alq3)、9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(AND)、3−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン(TBADN)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(DPVBi)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジメチルフェニル(p−DMDPVBi)、Tert(9,9−ジアリールフルオレン)s(TDAF)、2−(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(BSDF)、2,7−ビス(9,9’−スピロビフルオレン−2−イル)−9,9’−スピロビフルオレン(TSDF)、ビス(9,9−ジアリールフルオレン)s(BDAF)、4,4’−ビス(2,2−ジフェニル−エテン−1−イル)−4,4’−ジ−(tert−ブチル)フェニル(p−TDPVBi)、1,3−ビス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(mCP)、1,3,5−トリス(カルバゾール−9−イル)ベンゼン(tCP)、4,4’、4”−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(TcTa)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)ビフェニル(CBP)、4,4’−ビス(9−カルバゾリル)−2,2’−ジメチル−ビフェニル(CBDP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジメチル−フルオレン(DMFL−CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−4CBP)、4,4’−ビス(カルバゾール−9−イル)−9,9−ジ−トリル−フルオレン(DPFL−CBP)、9,9−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール)フルオレン(FL−2CBP)などが使われてもよい。
ドーパント物質115bとしては、4,4’−ビス[4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル(DPAVBi)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(ADN)、3−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(TBADN)などが使われてもよい。
ホスト物質115aは、ドーパント物質115bより多くの量が使われる。ドーパント物質115bの含有量は、薄膜形成材料によって可変であるが、ドーパント物質115bが薄膜形成材料(ホストとドーパントとの総重量)100重量部を基準として、3ないし20重量部であることが望ましい。もしドーパント物質115bの含有量が前記範囲を外れると、有機発光素子の発光特性が低下しうる。従って、ホスト物質115aを収容する第1蒸着源110aの体積が、ドーパント物質115bを収容する第2蒸着源110bの体積より大きい。
一方、第1蒸着源110aと第2蒸着源110bは、上下に配列される。すなわち、第2蒸着源110bは、第1蒸着源110a上にスタックされた形態に配列される。一方、図1ないし図2Bでは、ホスト物質115aが、第1蒸着源110aに備わった形態を開示しているが、本願は、これに限定されるものではなく、ホスト物質115aが第2蒸着源110bに収容されることも可能である。ただし、その場合には、図1ないし図2Bに図示された態様と異なり、第2蒸着源110bの体積が第1蒸着源110aの体積より大きくなければならない。
このような蒸着源の配列に関し、従来、第1蒸着源110aと第2蒸着源110bとが左右に並んで一列に配列されて、蒸着されるホスト物質115aとドーパント物質115bとのドーピングが均一にならないという問題があった。すなわち、放射されたホスト物質115aとドーパント物質115bとが重畳される部分の面積が狭く、特に、重畳される部分の両縁には、ホスト物質115aまたはドーパント物質115bだけ単独で存在する領域が生じてしまい、ドーピング均一度(doping uniformity)が低下するという問題があった。しかし、図1の蒸着源110によれば、第1蒸着源110aと第2蒸着源110bとが上下に配列され、ホスト物質115aとドーパント物質115bとが所定の領域に対し、それぞれ均一に放射されることによって、ドーピング均一度を高く確保できるという効果がある。
第1蒸着源110aは、その内部にホスト物質115aが充填されるルツボ112aと、ルツボ112aを加熱させてルツボ112a内部に充填されたホスト物質115aをルツボ112aの一側、詳細には被蒸着体に向かって蒸発させるためのヒータ113aと、を含む。ヒータ113aは、ルツボ112aを取り囲む冷却ブロック111aに含まれ、冷却ブロック111aは、ルツボ112aからの熱が外部、すなわちチャンバ内部に発散することを最大限抑制するためのものである。一方、第2蒸着源110bも同一に、その内部にドーパント物質115bが充填されるルツボ112bと、ルツボ112bを加熱させ、ルツボ112b内部に充填されたドーパント物質115bをルツボ112bの一側、詳細には被蒸着体に向かって蒸発させるためのヒータ113bと、を含む。ヒータ113bは、ルツボ112bを取り囲む冷却ブロック111bに含まれる。
ここで、上部に位置する第2蒸着源110bは、下部に位置する第1蒸着源110aに比べ、高温度に維持される。すなわち、上部に位置する第2蒸着源110bに気化温度が比較的高い物質を配置し、下部に位置する第1蒸着源110aに気化温度が比較的低い物質を配置する。なぜならば、下部の第1蒸着源110aの蒸着源ノズルは、上部の第2蒸着源110bを貫通して形成されるために、上部の第2蒸着源110bの温度が低い場合、ノズル内部で蒸着物質が固相に変わり、ノズルがふさがる心配があるためである。従って、第2蒸着源110bに含まれたヒータ113bの熱量が、第1蒸着源110aに含まれたヒータ113aの熱量より高くなければならない。
第2蒸着源110bの一側、詳細には、第2蒸着源110bで、被蒸着体(基板500(図3))に向かう側には、蒸着源ノズル部120が配置される。詳細には、第1蒸着源110aは、第2蒸着源110bの下部に配置されるために、第1蒸着源ノズル121aを含む第1蒸着源ノズル部は、第2蒸着源110bを貫通して第2蒸着源110bの一側、詳細には第2蒸着源110bで、被蒸着体に向かう側に配置される。第2蒸着源ノズル121bを含む第2蒸着源ノズル部も、第2蒸着源110bの一側に配置される。そして、蒸着源ノズル部120には、複数個の蒸着源ノズルが形成される。蒸着源ノズル121a,121bは、ルツボに収められた蒸着物質を被蒸着体に放射させる通路に該当し、各蒸着源から被蒸着体に向かうように延びて形成される。
ここで、第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bは、被蒸着体に向かう第2蒸着源110bの一側に一列に配列される。また、図1からも分かるように、第1蒸着源ノズル121aそれぞれは、第2蒸着源ノズル121bそれぞれと交互に配置される。こうすることで、所定の放射領域で、ホスト物質115aとドーパント物質115bとが互いに均一に蒸着される。
かような構成によって、図3に図示されたように、基板全体にわたって、ホスト物質115aとドーパント物質115bとの混合比率が均一になるという効果を得ることができる。そして、ホスト物質115aとドーパント物質115bとが均一な割合で含まれていた混合物で薄膜層を形成する場合、色座標、光効率、駆動電圧、寿命のいずれの面でも向上した特性を達成することができる。
図4は本発明の他の実施形態に係る蒸着源アセンブリ202を概略的に図示した斜視図であり、図5は図4のIII−IIIに沿って切り取った側断面図である。図6は、図4の蒸着源アセンブリ202の動作を概略的に図示した断面図である。
図4ないし図6を参照すれば、蒸着源110の構成は、図1の蒸着源アセンブリ201と同一であるが、蒸着源ノズル部120に含まれたノズルの形態及び配置が図1と異なる。すなわち、図4の蒸着源アセンブリ202は、被蒸着体に向かう第2蒸着源110bの一側に、第1蒸着源ノズル121a’及び前記第2蒸着源ノズル121b’が一列に配列される。また、図5から分かるように、第1蒸着源ノズル121a’それぞれが、第2蒸着源ノズル121b’それぞれの内部に同芯型に配置される。これにより、図6を参照すれば、ホスト物質115aの放射領域及びドーパント物質の115bの放射領域が重畳される部分を広く形成することによって、図1の蒸着源アセンブリ201より、ホスト物質115aとドーパント物質115bとをさらに均一に蒸着できる。なお、図1を参照して説明した本発明の第1実施形態での構成要素と対応する構成要素は、第1実施形態で説明したところと同一または類似した機能を有するので、これらについての説明は省略する。
次に、本発明の一実施形態による有機層蒸着装置の有機層蒸着アセンブリについて説明する。図7は有機層蒸着装置の有機層蒸着アセンブリ100を概略的に図示した斜視図であり、図8は図7の有機層蒸着アセンブリ100の概略的な側断面図であり、図9は図7の有機層蒸着アセンブリ100の概略的な平断面図である。
有機層蒸着アセンブリ100は、有機層蒸着装置の蒸着部に含まれるものであり、蒸着部は、複数個の蒸着チャンバを具備することができ、各蒸着チャンバには、複数個の有機層蒸着アセンブリ100が配置されてもよい。有機層蒸着アセンブリ100の個数は、蒸着物質及び蒸着条件によって変更できる。また、蒸着チャンバは、蒸着が進められる間、真空に維持される。一方、被蒸着体である基板500は、静電チャック600によって固定され、蒸着チャンバに移送される。
図7ないし図9を参照すれば、本発明の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ100は、蒸着源アセンブリ201、遮断板アセンブリ130及びパターニングスリットシート150を含む。
ここで、図7ないし図9には、説明の便宜のために、蒸着チャンバを図示していないが、図7ないし図9のあらゆる構成は、適切な真空度が維持されるチャンバ内に配置されることが望ましい。これは、蒸着物質の直進性を確保するためである。
かような蒸着チャンバ内には、被蒸着体である基板500が、静電チャック600によって移送される。基板500は、平板表示装置用基板にもなるが、多数の平板表示装置を形成することができるマザーガラス(mother glass)のような大面積基板が適用されてもよい。
ここで、本発明の一実施形態では、基板500が有機層蒸着アセンブリ100に対して相対的に移動するが、望ましくは、有機層蒸着アセンブリ100に対して、基板500を矢印A側に移動させることができる。
従来、既存FMM(fine metal mask)蒸着方法では、マスクのサイズが基板サイズと同一であるか、あるいはそれよりも大きくなければならなかった。従って、基板サイズが増大するほど、マスクも大型化せねばならないが、かような大型のマスク製作は容易ではない。また、マスクを拡張して精密なパターンにアライン(align)するのも容易ではない。
かような問題点を解決するために、本発明の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ100は、有機層蒸着アセンブリ100と基板500とが互いに相対的に移動しつつ、蒸着がなされることを一つの特徴とする。言い換えれば、有機層蒸着アセンブリ100と対向するように配置された基板500が、Y軸方向に沿って移動しつつ、連続して蒸着を行うのである。すなわち、基板500が図7の矢印A側に移動しつつ、スキャニング(scanning)方式で蒸着が行われるのである。ここで図面には、基板500が蒸着チャンバ内で、Y軸方向に移動しつつ蒸着がなされると図示されているが、本発明の思想は、それに限定されるものではなく、基板500は固定されており、有機層蒸着アセンブリ100自体が、Y軸方向に移動しつつ蒸着を行うことも可能である。
従って、本発明の有機層蒸着アセンブリ100では、従来のFMMに比べて、はるかに小さくパターニングスリットシート150を作ることができる。すなわち、本発明の有機層蒸着アセンブリ100の場合、基板500がY軸方向に沿って連続的に移動しつつ、すなわちスキャニング方式で蒸着を行うため、パターニングスリットシート150のX軸方向への幅、及び基板500のX軸方向への幅のみ実質的に同一に形成されさえすれば、パターニングスリットシート150のY軸方向の長さは、基板500の長さよりはるかに短く形成されても差し支えない。もちろん、パターニングスリットシート150のX軸方向への幅が、基板500のX軸方向への幅より小さく形成されても、基板500と有機層蒸着アセンブリ100とのX軸方向への相対的移動によるスキャニング方式によって、十分に基板500全体に対して蒸着が可能である。
このように、従来のFMMに比べて、はるかに小さくパターニングスリットシート150を作ることができるために、本発明のパターニングスリットシート150は、その製造が容易である。すなわち、パターニングスリットシート150のエッチング作業や、その後の精密引っ張り作業及び溶接作業、移動作業及び洗浄作業などのあらゆる工程で、小サイズのパターニングスリットシート150が、FMM蒸着方法に比べて有利である。また、これは、ディスプレイ装置が大型化するほどさらに有利になる。
このように、有機層蒸着アセンブリ100と基板500とが互いに相対的に移動しつつ蒸着がなされるためには、有機層蒸着アセンブリ100と基板500とが一定距離離隔されていることが望ましい。これについては、後で詳細に述べることとする。
なお、チャンバ内で、基板500と対向する側には、蒸着物質115a,115bが収納及び加熱される蒸着源アセンブリ201が配置される。図7の蒸着源アセンブリ201で、図1の蒸着源アセンブリ201を図示したが、それは例示的なものに過ぎず、図4に図示された蒸着源アセンブリ202でもある。また、パターニングスリットシート150のパターニングスリットは、X軸方向に沿って形成されてもよい。
前述のように、蒸着源110は、第1蒸着源110a、及び第1蒸着源110a上に配置された第2蒸着源110bを含む。それぞれの蒸着源110a,110bは、その内部に蒸着物質115a,115bが充填されるルツボ112a,112bと、このルツボ112a,112bを加熱させるヒータ113a,113bとが備わり、蒸着物質の円滑な放射のために、上部に位置する第2蒸着源110bの温度は、第1蒸着源110aに比べて高く維持される。また、ホスト物質115a及びドーパント物質115bは、第1蒸着源110aまたは第2蒸着源110bのどこに備わっても差し支えないが、ホスト物質115aの量がドーパント物質115bの量よりも多くなければならないために、ホスト物質115aを具備する蒸着源の体積がさらに大きくなければならない。
前述のように、蒸着源110の一側、詳細には、第2蒸着源110bで、基板500に向かう側には、蒸着源ノズル部120が配置される。蒸着源ノズル部120は、X軸方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル121a,121bが形成される。また、蒸着源ノズル部120は、第1蒸着源ノズル121aを含む第1蒸着源ノズル部、及び第2蒸着源ノズル121bを含む第2蒸着源ノズル部を含む。第1蒸着源ノズル121aは、第2蒸着源110bを貫通して、第2蒸着源110bの一側に形成され、第1蒸着源ノズル121aそれぞれは、第2蒸着源ノズル121bそれぞれと交互に配置される。これにより、所定の放射領域で、ホスト物質とドーパント物質とが互いに均一に蒸着される。
蒸着源ノズル部120の一側には、遮断板アセンブリ130が備わる。遮断板アセンブリ130は、複数枚の遮断板131と、遮断板131の外側に備わる遮断板フレーム132とを含む。複数枚の遮断板131は、X軸方向に沿って互いに平行に配置される。ここで、複数枚の遮断板131は、等間隔に形成される。また、それぞれの遮断板131は、図面で見たとき、YZ平面に沿って配置されており、望ましくは、長方形で備わる。このように配置された複数枚の遮断板131は、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間の空間を複数個の蒸着空間Sに区画する。すなわち、本発明の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ100は、遮断板131によって、図9から分かるように、ホスト物質及びドーパント物質が噴射されるそれぞれの第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組別に蒸着空間Sが分離される。
ここで、それぞれの遮断板131は、第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組間に配置される。これは言い換えれば、互いに隣接している遮断板131間に、ホスト物質を放射する蒸着源ノズル121b、及びドーパント物質を放射する蒸着源ノズル121aが1つのグループに配置される。望ましくは、第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組は、互いに隣接している遮断板131間の真ん中に位置する。しかし、本発明は、必ずしもそれに限定されるものではなく、互いに隣接している遮断板131間に、複数の第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組が配置しても差し支えない。ただし、その場合にも、複数の第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組を、互いに隣接している遮断板131間の真ん中に位置させることが望ましい。
このように、遮断板131が蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間の空間を、複数個の蒸着空間Sに区画することによって、1つの第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組から排出される蒸着物質は、他の第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組から排出された蒸着物質と混合されず、パターニングスリット151を通過し、基板500に蒸着される。すなわち、遮断板131は、各第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組を介して排出される蒸着物質が分散されずに、Z軸方向に直進するように、蒸着物質の移動経路をガイドする役割を行う。
従って、遮断板131を具備し、蒸着物質の直進性を確保することによって、基板に形成される陰影(shadow)(蒸着物質の進行方向の変化によって堆積量が変化する部分)のサイズを大幅に小さくすることができ、有機層蒸着アセンブリ100と基板500とを一定程度離隔させることが可能になる。これについては、後に詳細に述べることとする。
一方、蒸着源110と基板500との間には、パターニングスリットシート150及びフレーム155がさらに備わる。フレーム155は、ほぼ窓枠のような形態で形成され、その内側に、パターニングスリットシート150が結合される。そして、パターニングスリットシート150には、X軸方向に沿って複数個のパターニングスリット151が形成される。各パターニングスリット151は、Y軸方向に沿って延びている。蒸着源110内で気化され、第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組を通過した蒸着物質115a,115bは、パターニングスリット151を通過し、被蒸着体である基板500側に向かう。
パターニングスリットシート150は、金属薄板で形成され、引っ張られた状態でフレーム155に固定される。パターニングスリット151は、ストライプタイプでパターニングスリットシート150にエッチングにより形成される。ここで、パターニングスリット151の個数は、基板500に形成される蒸着パターンの個数に対応することが望ましい。
ここで、前述の遮断板アセンブリ130とパターニングスリットシート150とは、互いに一定距離離隔されるように形成され、遮断板アセンブリ130とパターニングスリットシート150とは、別途の連結部材135によって互いに連結される。
前述のように、本発明の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ100は、基板500に対して相対的に移動しつつ蒸着を行い、このような相対移動をするために、パターニングスリットシート150は、基板500から一定程度離隔されるように形成される。そして、パターニングスリットシート150と基板500とを離隔させる場合に発生する陰影という問題を解決するために、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート150との間に遮断板131を具備し、蒸着物質の直進性を確保することによって、基板に形成される陰影のサイズを大幅に減少さる。
従来のFMM蒸着方法では、基板に陰影を生じさせないために、基板にマスクを密着させて蒸着工程を進めた。しかし、このように基板にマスクを密着させる場合、基板とマスクとの接触によって基板にすでに形成されていたパターンが引っかかれて不良が生じるという問題が存在した。また、マスクを基板に対して移動させられないために、マスクが基板と同じサイズに形成されねばならなかった。従って、ディスプレイ装置が大型化されることによって、マスクのサイズも大きくならなければならないが、かような大型マスクを形成することが容易ではないという問題が存在した。
かような問題を解決するために、本発明の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ100では、パターニングスリットシート150が被蒸着体である基板500と所定間隔をおいて離隔されるように配置される。これは、遮断板131を具備し、基板500に生成される陰影を小さくすることによって実現可能になる。
かような有機層蒸着装置を利用し、有機発光表示装置の有機層などの薄膜を形成することが可能であるが、これについては、図14に関連して詳細に説明する。
図10は、本発明の他の一実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ800を概略的に図示した斜視図である。
図10に図示された実施形態に係る有機層蒸着アセンブリ800は、蒸着源アセンブリ201、第1遮断板アセンブリ830、第2遮断板アセンブリ840及びパターニングスリットシート850を含む。ここで、蒸着源アセンブリ201、第1遮断板アセンブリ830及びパターニングスリットシート850の詳細な構成は、前述の図7による実施形態と同一であるので、詳細な説明を省略する。本実施形態では、第1遮断板アセンブリ830の一側に、第2遮断板アセンブリ840が備わるという点で、前述の実施形態と区別される。
詳細には、第2遮断板アセンブリ840は、複数枚の第2遮断板841と、第2遮断板841の外側に備わる第2遮断板フレーム842とを含む。複数枚の第2遮断板841は、X軸方向に沿って互いに平行に備わる。そして、複数枚の第2遮断板841は、等間隔に形成される。また、それぞれの第2遮断板841は、図面で見たとき、YZ平面と平行に、言い換えれば、X軸方向に垂直になるように形成される。
このように配置された複数枚の第1遮断板831及び第2遮断板841は、蒸着源ノズル部120とパターニングスリットシート850との間の空間を区画する役割を行う。すなわち、第1遮断板831及び第2遮断板841によって、蒸着物質が噴射されるそれぞれの第1蒸着源ノズル121a及び第2蒸着源ノズル121bの組別に蒸着空間が分離されることを一つの特徴とする。
ここで、それぞれの第2遮断板841は、それぞれの第1遮断板831と、一対一で対応するように配置される。言い換えれば、それぞれの第2遮断板841は、それぞれの第1遮断板831とアラインされて互いに平行に配置される。すなわち、互いに対応する第1遮断板831と第2遮断板841は、互いに同じ平面上に位置する。図面には、第1遮断板831の長さと、第2遮断板841のX軸方向の幅とが同じであるように図示されているが、本発明の思想は、これに限定されるものではない。すなわち、パターニングスリット851との精密なアラインが要求される第2遮断板841は、相対的に薄く形成される一方、精密なアラインが要求されない第1遮断板831は、相対的に厚く形成され、その製造を容易にするのも可能である。
図11は、本発明のさらに他の一実施形態による有機層蒸着アセンブリ900を概略的に図示した斜視図である。
図11を参照すれば、本発明のさらに他の一実施形態による有機層蒸着アセンブリ900は、蒸着源アセンブリ201及びパターニングスリットシート950を含む。
前述のように蒸着源110は、第1蒸着源110a、及び第1蒸着源110a上に配置された第2蒸着源110bを含む。それぞれの蒸着源110a,110bは、その内部に蒸着物質115a,115bが充填されるルツボ112a,112bと、このルツボ112a,112bを加熱させるヒータ113a,113bとが備わり、蒸着物質の円滑な放射のために、上部に位置する第2蒸着源110bの温度は、第1蒸着源110aに比べて高く維持される。また、ホスト物質115a及びドーパント物質115bは、第1蒸着源110aまたは第2蒸着源110bのどちらに備わっても差し支えないが、ホスト物質115aの量が、ドーパント物質115bの量よりも多くなければならないために、ホスト物質115aを具備する蒸着源の体積がさらに大きくなければならない。
前述のように、蒸着源110の一側、詳細には、第2蒸着源110bで基板500に向かう側には、蒸着源ノズル部120が配置される。蒸着源ノズル部120は、Y軸方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル121a,121bが形成される。一方、蒸着源ノズル部120は、第1蒸着源ノズル121aを含む第1蒸着源ノズル部、及び第2蒸着源ノズル121bを含む第2蒸着源ノズル部を含む。第1蒸着源ノズル121aは、第2蒸着源110bを貫通し、第2蒸着源110bの一側に開口するように形成され、第1蒸着源ノズル121aそれぞれは、第2蒸着源ノズル121bそれぞれと交互に配置される。これにより、所定の放射領域で、ホスト物質とドーパント物質とが互いに均一に蒸着される。
一方、蒸着源110と基板500との間には、パターニングスリットシート950及びフレーム955がさらに備わり、パターニングスリットシート950には、X軸方向に沿って、複数個のパターニングスリット951が形成される。そして、蒸着源110、蒸着源ノズル部120及びパターニングスリットシート950は、連結部材935によって結合される。
本実施形態は、前述の実施形態に比べ、蒸着源ノズル部120に備わった複数個の蒸着源ノズル121a,121bの配置が異なるが、これについて詳細に説明する。
蒸着源110の一側、詳細には、蒸着源110で基板500に向かう側には、蒸着源ノズル部120が配置される。そして、蒸着源ノズル部120には、Y軸方向、すなわち基板500のスキャン方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル121a,121bが形成される。
このように、蒸着源ノズル部120上に、Y軸方向、すなわち基板500のスキャン方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル121a,121bが形成される場合、パターニングスリットシート950のそれぞれのパターニングスリット951を通過する蒸着物質によって形成されるパターンのサイズは、蒸着源ノズル121a,121b1つのサイズにだけ依存するので(すなわち、X軸方向には、蒸着源ノズル121a,121bが一つ分だけ存在する)、陰影が発生しなくなる。また、多数個の蒸着源ノズル121a,121bがスキャン方向に存在するので、個別蒸着源ノズル間のフラックス(flux)差が生じても、その差が相殺され、蒸着均一度が一定に維持されるという効果を得る。併せて、図7などに図示された実施形態に備わった遮断板アセンブリが備わらないために、遮断板アセンブリに蒸着物質が蒸着しなくなり、蒸着物質の利用効率が向上するという効果を得る。
図12は有機層蒸着装置の第1循環部610及び有機層蒸着アセンブリ1100を概略的に示す斜視図であり、図13は図12の正面図である。ここで、図13では、説明の便宜のために、第1チャンバが省略された状態で図示されている。
図12及び図13を参照すれば、本発明のさらに他の実施形態による有機層蒸着装置は、第1循環部610と、蒸着部730の有機層蒸着アセンブリ1100とを含む。ここで、第1循環部610は、基板が固定された静電チャックを蒸着部に移動させる構成に該当する。
詳細には、有機層蒸着アセンブリ1100は、蒸着源アセンブリ201及びパターニングスリットシート150を含む。
前述のように、蒸着源110は、第1蒸着源110a及び第1蒸着源110a上に配置された第2蒸着源110bを含む。それぞれの蒸着源110a,110bは、その内部に蒸着物質115a,115bが充填されるルツボ112a,112bと、このルツボ112a,112bを加熱させるヒータ113a,113bとが備わり、蒸着物質の円滑な放射のために、上部に位置する第2蒸着源110bの温度は、第1蒸着源110aに比べ、高く維持される。またホスト物質115a及びドーパント物質115bは、第1蒸着源110aまたは第2蒸着源110bのどちらに備わっても差し支えないが、ホスト物質115aの量が、ドーパント物質115bの量よりも多くなければならないために、ホスト物質115aを具備する蒸着源の体積がより大きくなければならない。
前述のように、蒸着源110の一側、詳細には、第2蒸着源110bで基板500に向かう側には、蒸着源ノズル部120が配置される。蒸着源ノズル部120は、Y軸方向に沿って、複数個の蒸着源ノズル121a,121bが形成される。一方、蒸着源ノズル部120は、第1蒸着源ノズル121aを含む第1蒸着源ノズル部、及び第2蒸着源ノズル121bを含む第2蒸着源ノズル部を含む。第1蒸着源ノズル121aは、第2蒸着源110bを貫通し、第2蒸着源110bの一側に形成され、第1蒸着源ノズル121aそれぞれは、第2蒸着源ノズル121bそれぞれと交互に配置される。これにより、所定の放射領域で、ホスト物質とドーパント物質とが互いに均一に蒸着される。
一方、蒸着源110と基板500との間には、パターニングスリットシート150及びフレーム155がさらに備わり、パターニングスリットシート150には、X軸方向に沿って複数個のパターニングスリット151が形成される。本実施形態では、蒸着源110、蒸着源ノズル部120及びパターニングスリットシート150が一体に形成されるのではなく、蒸着部730内にそれぞれ別途の部材で形成されるという点で、前述の実施形態と区別される。これについては、後に詳細に説明する。
次に、第1循環部610についてさらに詳細に説明する。第1循環部610は、基板500を固定している静電チャック600を移動させる役割を行う。ここで、第1循環部610は、下部プレート613及び上部プレート617を含むフレーム611と、フレーム611の内側に形成されたシート支持台615と、フレーム611の上側に形成されたガイド支持台621と、ガイド支持台621上に形成された1対のガイドレール623と、1対のガイドレール623上に形成された複数個のガイドブロック625と、を含む。これらについての詳細な説明は、次の通りである。
フレーム611は、第1循環部610の基底部をなし、ほぼ中空の箱状に形成される。ここで、下部プレート613は、前記フレーム611の下部面を形成し、下部プレート613上には、蒸着源110が配置される。一方、上部プレート617は、フレーム611の上部面を形成し、蒸着源110から蒸発された蒸着物質115a,115bがパターニングスリットシート150を通過し、基板500に蒸着されるように、上部プレート617には、開口部617aが形成される。かようなフレーム611の各部分は、別途の部材で形成されて結合されもするし、始めから一体型に形成されもする。
ここで、図面には図示されていないが、蒸着源110が配置された下部プレート613は、カセット形式に形成され、フレーム611から外部に取り出されるように形成されもする。従って、蒸着源110の交替が容易になる。
シート支持台615は、フレーム611の内側面から突設され、パターニングスリットシート150を支持する役割を行うことができる。また、シート支持台615は、蒸着源ノズル121a,121bを介して排出される蒸着物質115a,115bが分散しないように、蒸着物質の移動経路をガイドすることもできる。
一方、前述のように本発明では、基板が固定された静電チャックが、チャンバ内部で直線動しつつ蒸着が行われる。この場合、既存の移送方式であるローラやコンベヤを使用することもでき、さらに、図12及び図13に図示されたように、基板の精密な移送のために、ガイドレールとガイドブロックとからなるリニアモーション・システム(linear motion system)を利用することもできる。
詳細には、上部プレート617上に形成されたガイド支持台621と、ガイド支持台621上に形成された1対のガイドレール623は、蒸着部730の第1チャンバを貫通するように設置される。
ガイド支持台621の上部は、ほぼ扁平な平面に形成されており、ガイド支持台621の上部面上には、1対のガイドレール623が形成されている。そして、ガイドレール623には、ガイドブロック625が嵌め込まれ、ガイドブロック625が、ガイドレール623に沿って往復動する。
ガイドブロック625には、所定の駆動部(図示せず)が含まれる。駆動部(図示せず)は、ガイドレール623に沿ってガイドブロック625を移動させる部材であり、それ自体で駆動力を提供するものであり、別途の駆動源からの駆動力をガイドブロック625に伝達するものであってもよい。
ここで、ガイドレール623としてLM(linear motion)レールを具備し、ガイドブロック625としてLMブロックを具備し、所定のLMシステムを構成することができる。LMシステムは、過去のスライディング案内システムに比べ、摩擦係数が小さく、位置誤差がほとんど発生せず、位置決定度が非常に高い移送システムであり、本明細書では、かようなLMシステムについては、その詳細な説明を省略する。
かような本発明によって、マスクを基板より小さく形成した後、マスクを基板に対して移動させつつ蒸着を行わせることにより、マスク製作が容易になるという効果を得る。また、基板とマスクとの接触による不良を防止する効果を得る。また工程中、基板とマスクとを密着させる時間が不要となるために、製造速度が向上するという効果を得る。
また、有機層蒸着アセンブリ1100を構成する蒸着源アセンブリ201及びパターニングスリットシート150が一体に形成されるのではなく、蒸着部730内にそれぞれ別途の部材で形成される。かような構成によって、蒸着物質115a,115bの充填のための蒸着源110の取り付け及び取り出し、洗浄または交替のためのパターニングスリットシート150の取り付け及び取り出しなどが容易に行われるという効果を得る。
図14は、本発明の有機層蒸着装置を利用して製造されたアクティブマトリックス型有機発光表示装置の断面を図示したものである。
図14を参照すれば、前記アクティブマトリス型の有機発光表示装置10は、基板500上に形成される。基板500は、透明な素材、例えば、ガラス材、プラスチック材または金属材から形成される。基板500上には、全体的にバッファ層のような絶縁膜31が形成されている。
絶縁膜31上には、図14から分かるように、TFT(thin film transistor)40と、キャパシタ50と、有機発光素子60とが形成される。なお、符号番号51,52は、それぞれキャパシタの下部電極と上部電極とである。
絶縁膜31の上面には、所定パターンに配列された半導体活性層41が形成されている。半導体活性層41は、ゲート絶縁膜32によって埋め込められている。活性層41は、p型またはn型の半導体によって備わる。
ゲート絶縁膜32の上面には、活性層41と対応する所に、TFT40のゲート電極42が形成される。そして、ゲート電極42を覆うように、層間絶縁膜33が形成される。層間絶縁膜33が形成された後には、ドライエッチングなどのエッチング工程によって、ゲート絶縁膜32と層間絶縁膜33とをエッチングし、コンタクトホールを形成し、活性層41の一部を露出させる。
次に、層間絶縁膜33上に、ソース/ドレイン電極43が形成されるが、コンタクトホールを介して露出された活性層41に接触するように形成される。ソース/ドレイン電極43を覆うように保護膜34が形成され、エッチング工程を介して、ドレイン電極43の一部が露出される。保護膜34上には、保護膜34の平坦化のために、別途の絶縁膜をさらに形成することもできる。
一方、有機発光素子60は電流のフローによって、赤色、緑色、青色の光を発光して所定の画像情報を表示するためのものとして、保護膜34上に、第1電極61を形成する。第1電極61は、TFT40のドレイン電極43と電気的に連結される。
そして、第1電極61を覆うように、画素定義膜35が形成される。この画素定義膜35に、所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に、発光層を含む有機層63を形成する。そして有機層63上には、第2電極62を形成する。
画素定義膜35は、各画素を区画するものであり、有機物から形成され、第1電極61が形成されている基板の表面、特に、保護層34の表面を平坦化する。
第1電極61と第2電極62は、互いに絶縁されており、発光層を含む有機層63に、互いに異なる極性の電圧を加えて発光がなされる。
発光層を含む有機層63は、低分子または高分子の有機物が使われるが、低分子有機物を使用する場合、ホール注入層(HIL:hole injection layer)、ホール輸送層(HTL:hole transport layer)、発光層(EML:emission layer)、電子輸送層(ETL:electron transport layer)、電子注入層(EIL:electron injection layer)などが単一あるいは複合の構造に積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(CuPc)、N,N−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)、トリス−8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(tris−8−hydroxyquinoline aluminum)(Alq3)などを始めとして多様に適用可能である。
かような有機発光膜を形成した後には、第2電極62を、やはり同じ蒸着工程で形成することができる。
一方、第1電極61はアノード電極の機能を行い、第2電極62はカソード電極の機能を行うことができるが、もちろん、該第1電極61と該第2電極62との極性は、反対になっても差し支えない。そして、第1電極61は各画素の領域に対応するようにパターニングされ、第2電極62はあらゆる画素を覆うように形成される。
第1電極61は、透明電極または反射型電極でもって備わるが、透明電極として使われるときには、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化インジウム亜鉛(IZO)、ZnOまたはInで備わり、反射型電極として使われるときには、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及びそれらの化合物で反射層を形成した後、その上に、ITO、IZO、ZnOまたはInで透明電極層を形成することができる。かような第1電極61は、スパッタリング法などによって成膜された後、フォトリソグラフィ法などによってパターニングされる。
第2電極62も、透明電極または反射型電極で備わるが、透明電極として使われるときには、この第2電極62がカソード電極として使われるので、仕事関数が小さい金属、すなわち、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びそれらの化合物が、発光層を含む有機層63側に向かうように蒸着された後、その上に、ITO、IZO、ZnOまたはInなどで補助電極層やバス電極ラインを形成することができる。そして、反射型電極として使われるときには、その上に、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg、及びそれらの化合物を全面蒸着して形成する。このとき、蒸着は、前述の発光層を含む有機層63の場合と同じの方法で行うことができる。
本発明は、それ以外にも、有機TFTの有機膜または無機膜などの蒸着にも使用され、その他の多様な素材の成膜工程に適用可能である。
図7ないし図13では、図1に図示された蒸着源アセンブリ201が含まれた有機層蒸着装置について図示して説明したが、図1の蒸着源アセンブリ201の代わりに、図4に図示された蒸着源アセンブリ202を含むこともできる。その場合、図7ないし図10の実施形態による有機層蒸着装置で、遮断板131は、隣接している同芯型蒸着源ノズル121a,121bは間に配置される。言い換えれば、互いに隣接している遮断板131間に、1つの同芯型蒸着源ノズル121a,121bが配置される。
本明細書では、本発明について、限定された実施形態を中心に説明したが、本発明の範囲内で、多様な実施形態が可能である。また、説明していないが、均等な手段もまた、本発明にそのまま結合されるものである。従って、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によって決まる。
本発明の蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法、例えば、有機発光素子関連の技術分野に効果的に適用可能である。
100 有機層蒸着アセンブリ、
110,110’ 蒸着源、
110a 第1蒸着源、
110b,110b’ 第2蒸着源、
111a,111b,111b’ 冷却ブロック、
112a,112b,112b’ ルツボ、
113a,113b ヒータ、
115a, ホスト物質、
115b ドーパント物質、
120,120’ 蒸着源ノズル部、
121a,121a’ 第1蒸着源ノズル、
121b,121b’ 第2蒸着源ノズル、
130 遮断板アセンブリ、
131 遮断板、
132 遮断板フレーム、
135 連結部材、
150 パターニングスリットシート、
151 パターニングスリット、
155 フレーム、
201,202 蒸着源アセンブリ、
500 基板、
600 静電チャック。

Claims (18)

  1. 基板上に有機層を形成するための有機層蒸着装置において、
    蒸着物質を放射する蒸着源と、
    前記蒸着源の一側に配置され、複数個の蒸着源ノズルが形成される蒸着源ノズル部と、
    前記蒸着源ノズル部と対向するように配置され、複数個のパターニングスリットが形成されるパターニングスリットシートと、を含み、
    前記蒸着源は、第1蒸着源、及び前記第1蒸着源上にスタックされた形態に配列される第2蒸着源を含み、
    前記蒸着源ノズル部は、前記基板に向かう第2蒸着源の一側に配置され、前記第2蒸着源から形成された複数個の第2蒸着源ノズルを含む第2蒸着源ノズル部と、前記第2蒸着源の一側に配置され、前記第1蒸着源から前記第2蒸着源を貫通して形成された第1蒸着源ノズルを含む第1蒸着源ノズル部と、を含み、
    前記基板は、前記有機層蒸着装置と所定距離離隔されて配置され、前記有機層蒸着装置に対して相対的に移動可能であり、
    前記第2蒸着源の温度は、前記第1蒸着源の温度より高く維持されることを特徴とする有機層蒸着装置。
  2. 前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれは、前記第2蒸着源ノズルそれぞれと交互に配置されることを特徴とする請求項に記載の有機層蒸着装置。
  3. 前記基板に向かう前記第2蒸着源の一側に、前記第1蒸着源ノズル及び前記第2蒸着源ノズルが一列に配列され、前記第1蒸着源ノズルそれぞれが、前記第2蒸着源ノズルそれぞれの内部に同芯型に配置されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機層蒸着装置。
  4. 前記有機層蒸着装置の前記パターニングスリットシートは、前記基板より小さく形成されることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  5. 前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  6. 前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシートは、連結部材によって結合されて一体に形成されることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  7. 前記連結部材は、前記蒸着物質の移動経路をガイドすることを特徴とする請求項に記載の有機層蒸着装置。
  8. 前記連結部材は、前記蒸着源、前記蒸着源ノズル部及び前記パターニングスリットシート間の空間を、外部から密閉するように形成されることを特徴とする請求項またはに記載の有機層蒸着装置。
  9. 前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、
    前記パターニングスリットシートには、前記第1方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成され、
    前記有機層蒸着装置は、前記蒸着源ノズル部と前記パターニングスリットシートとの間に、前記第1方向に沿って配置され、前記蒸着源ノズル部と、前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画する複数枚の遮断板を具備する遮断板アセンブリをさらに含むことを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  10. 前記複数枚の遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に沿って延びるように形成されたことを特徴とする請求項に記載の有機層蒸着装置。
  11. 前記遮断板アセンブリは、複数枚の第1遮断板を具備する第1遮断板アセンブリと、複数枚の第2遮断板を具備する第2遮断板アセンブリと、を含むことを特徴とする請求項または10に記載の有機層蒸着装置。
  12. 前記複数枚の第1遮断板及び前記複数枚の第2遮断板それぞれは、前記第1方向と実質的に垂直である第2方向に形成され、前記蒸着源ノズル部と、前記パターニングスリットシートとの間の空間を複数個の蒸着空間に区画することを特徴とする請求項11に記載の有機層蒸着装置。
  13. 前記有機層蒸着装置は、チャンバをさらに含み、
    前記蒸着源ノズル部には、第1方向に沿って、複数個の蒸着源ノズルが形成され、前記パターニングスリットシートは、前記チャンバの内側に固定結合され、前記第1方向に対して垂直である第2方向に沿って、複数個のパターニングスリットが形成されることを特徴とする請求項1〜12のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  14. 前記基板が固定された静電チャックを第1方向に沿って移動させる第1循環部をさらに含むことを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  15. 前記第1循環部は、
    内部に前記蒸着源が収容されるフレームと、
    前記フレームの内側面から突設され、前記パターニングスリットシートを支持するシート支持台と、を含むことを特徴とする請求項14に記載の有機層蒸着装置。
  16. 前記第1蒸着源はホスト物質を放射し、前記第2蒸着源はドーパント物質を放射することを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  17. 前記第1蒸着源はドーパント物質を放射し、前記第2蒸着源はホスト物質を放射することを特徴とする請求項1〜15のいずれか一項に記載の有機層蒸着装置。
  18. 前記第1蒸着源及び第2蒸着源に備わった前記ホスト物質の量は、前記ドーパント物質の量よりも多いことを特徴とする請求項16または請求項17に記載の有機層蒸着装置。
JP2012159480A 2011-08-02 2012-07-18 蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法 Active JP6034607B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110076990A KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2011-08-02 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
KR10-2011-0076990 2011-08-02

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013032587A JP2013032587A (ja) 2013-02-14
JP2013032587A5 JP2013032587A5 (ja) 2015-07-16
JP6034607B2 true JP6034607B2 (ja) 2016-11-30

Family

ID=47610886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012159480A Active JP6034607B2 (ja) 2011-08-02 2012-07-18 蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9206501B2 (ja)
JP (1) JP6034607B2 (ja)
KR (1) KR20130015144A (ja)
CN (1) CN102912316B (ja)
TW (1) TWI563105B (ja)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100994118B1 (ko) * 2009-01-13 2010-11-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101193186B1 (ko) 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR101942471B1 (ko) * 2012-06-15 2019-01-28 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
CN104099571A (zh) * 2013-04-01 2014-10-15 上海和辉光电有限公司 蒸发源组件和薄膜沉积装置和薄膜沉积方法
TWI612689B (zh) 2013-04-15 2018-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102098619B1 (ko) * 2013-05-31 2020-05-25 삼성디스플레이 주식회사 도가니 장치 및 이를 포함하는 증착 장치
CN103681488A (zh) * 2013-12-16 2014-03-26 合肥京东方光电科技有限公司 阵列基板及其制作方法,显示装置
US9812665B2 (en) * 2015-09-02 2017-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus, and apparatus and method of manufacturing the same
KR102654923B1 (ko) * 2016-01-18 2024-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN105483620B (zh) * 2015-11-27 2018-03-30 京东方科技集团股份有限公司 喷嘴部件、蒸镀装置及制作有机发光二极管器件的方法
KR102524502B1 (ko) * 2016-02-24 2023-04-24 주성엔지니어링(주) 원료 처리 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와, 이를 이용한 기판 처리 방법
KR102488260B1 (ko) * 2016-03-07 2023-01-13 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 표시 장치의 제조 방법
CN107058973A (zh) * 2017-03-10 2017-08-18 常州大学 大面积钙钛矿薄膜的制备设备
KR102120265B1 (ko) * 2018-06-12 2020-06-08 셀로코아이엔티 주식회사 표시장치용 증착장비 및 이를 포함하는 제조시스템
KR20200045600A (ko) 2018-10-22 2020-05-06 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
DE102021119435A1 (de) 2021-07-27 2023-02-02 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Dampfverteilungsvorrichtung und Verdampfungsvorrichtung
US20240200186A1 (en) * 2022-12-20 2024-06-20 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus

Family Cites Families (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3125279B2 (ja) 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH0598425A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
FR2695943B1 (fr) 1992-09-18 1994-10-14 Alsthom Cge Alcatel Procédé de dépôt en phase vapeur d'un film en verre fluoré sur un substrat.
KR970054303A (ko) 1995-12-27 1997-07-31 김광호 Ccd 고체촬상소자의 제조방법
US6274198B1 (en) 1997-02-24 2001-08-14 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Shadow mask deposition
US6099649A (en) 1997-12-23 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition hot-trap for unreacted precursor conversion and effluent removal
JP2000068054A (ja) 1998-08-26 2000-03-03 Hokuriku Electric Ind Co Ltd El素子の製造方法
KR20000019254A (ko) 1998-09-08 2000-04-06 석창길 화학 기상 증착 장치의 박막 두께 균일도 개선을 위한 장치
JP2001052862A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法と装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
AU3331700A (en) 1999-10-29 2001-05-08 E. One Co., Ltd. Scent diffusion apparatus and method thereof
KR100302159B1 (ko) 1999-10-29 2001-09-22 최중호 향발생장치 및 방법
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100653515B1 (ko) 1999-12-30 2006-12-04 주식회사 팬택앤큐리텔 이동통신 시스템의 단말기
TW593622B (en) 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
KR20020000201A (ko) 2000-06-23 2002-01-05 최승락 레이저와 기상을 이용한 엘씨디 세정 방법
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
KR100726132B1 (ko) 2000-10-31 2007-06-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
US6468496B2 (en) 2000-12-21 2002-10-22 Arco Chemical Technology, L.P. Process for producing hydrogen peroxide
KR100625403B1 (ko) 2000-12-22 2006-09-18 주식회사 하이닉스반도체 버추얼 채널 에스디램
KR100698033B1 (ko) 2000-12-29 2007-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 전계발광소자 및 그 제조 방법
KR100405080B1 (ko) 2001-05-11 2003-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 결정화방법.
KR100463212B1 (ko) 2001-05-19 2004-12-23 주식회사 아이엠티 건식 표면 클리닝 장치
JP2003003250A (ja) 2001-06-22 2003-01-08 Alps Electric Co Ltd 真空蒸着重合装置及びこれを用いた有機被膜の形成方法
JP2003077662A (ja) 2001-06-22 2003-03-14 Junji Kido 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法および製造装置
JP3705237B2 (ja) 2001-09-05 2005-10-12 ソニー株式会社 有機電界発光素子を用いた表示装置の製造システムおよび製造方法
TW591202B (en) 2001-10-26 2004-06-11 Hermosa Thin Film Co Ltd Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method
US20030101937A1 (en) 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US20030168013A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Eastman Kodak Company Elongated thermal physical vapor deposition source with plural apertures for making an organic light-emitting device
JP2003297562A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法
US6749906B2 (en) 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
US20030232563A1 (en) 2002-05-09 2003-12-18 Isao Kamiyama Method and apparatus for manufacturing organic electroluminescence device, and system and method for manufacturing display unit using organic electroluminescence devices
JP4292777B2 (ja) 2002-06-17 2009-07-08 ソニー株式会社 薄膜形成装置
KR100908232B1 (ko) 2002-06-03 2009-07-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
JP4440563B2 (ja) 2002-06-03 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電子発光素子の薄膜蒸着用マスクフレーム組立体
JP2004043898A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Canon Electronics Inc 蒸着用マスク、および有機エレクトロルミネセンス表示装置
KR100397196B1 (ko) 2002-08-27 2003-09-13 에이엔 에스 주식회사 유기 반도체 장치의 유기물질 증착원 장치 및 그 방법
JP2004091858A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Toyota Industries Corp 真空蒸着装置及び方法並びに蒸着膜応用製品の製造方法
JP2004103269A (ja) 2002-09-05 2004-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置の製造方法
TWI252706B (en) 2002-09-05 2006-04-01 Sanyo Electric Co Manufacturing method of organic electroluminescent display device
JP2004103341A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2004107764A (ja) 2002-09-20 2004-04-08 Ulvac Japan Ltd 薄膜形成装置
JP4139186B2 (ja) 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP2004143521A (ja) 2002-10-24 2004-05-20 Sony Corp 薄膜形成装置
KR100532657B1 (ko) 2002-11-18 2005-12-02 주식회사 야스 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의증착을 위한 증발 영역조절장치
JP2004183044A (ja) 2002-12-03 2004-07-02 Seiko Epson Corp マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器
JP2004199919A (ja) 2002-12-17 2004-07-15 Tohoku Pioneer Corp 有機el表示パネルの製造方法
KR100646160B1 (ko) 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 순차측면결정화를 위한 마스크 및 이를 이용한 실리콘결정화 방법
US20040144321A1 (en) 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
JP3966292B2 (ja) 2003-03-27 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3915734B2 (ja) 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP2004349101A (ja) 2003-05-22 2004-12-09 Seiko Epson Corp 膜形成方法、膜形成装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100517255B1 (ko) 2003-06-20 2005-09-27 주식회사 야스 유기 발광소자 박막 제작을 위한 선형 노즐 증발원
US6837939B1 (en) 2003-07-22 2005-01-04 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source using pellets of organic material for making OLED displays
JP2005044592A (ja) 2003-07-28 2005-02-17 Toyota Industries Corp 蒸着用マスク、この蒸着用マスクを用いた成膜方法及びこの蒸着用マスクを用いた成膜装置
EP2381011B1 (en) 2003-08-04 2012-12-05 LG Display Co., Ltd. Evaporation source for evaporating an organic electroluminescent layer
KR100656845B1 (ko) 2003-08-14 2006-12-13 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
US20050056535A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Makoto Nagashima Apparatus for low temperature semiconductor fabrication
KR20050028943A (ko) 2003-09-17 2005-03-24 삼성전자주식회사 저압 화학기상증착 장치의 압력조절 시스템
US7339139B2 (en) 2003-10-03 2008-03-04 Darly Custom Technology, Inc. Multi-layered radiant thermal evaporator and method of use
KR20050039140A (ko) 2003-10-24 2005-04-29 삼성전자주식회사 바라트론 센서
KR100520159B1 (ko) 2003-11-12 2005-10-10 삼성전자주식회사 다중 안테나를 사용하는 직교주파수분할다중 시스템에서간섭신호 제거 장치 및 방법
KR200342433Y1 (ko) 2003-12-04 2004-02-21 현대엘씨디주식회사 고압 분사형 유기물 증착 도가니
JP4441282B2 (ja) 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機el表示デバイスの製造方法
JP2005235568A (ja) 2004-02-19 2005-09-02 Seiko Epson Corp 蒸着装置及び有機el装置の製造方法
US7087914B2 (en) * 2004-03-17 2006-08-08 Cymer, Inc High repetition rate laser produced plasma EUV light source
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
JP4366226B2 (ja) 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機elパネルの製造方法、有機elパネルの成膜装置
JP2005293968A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2005296737A (ja) 2004-04-07 2005-10-27 Mikuni Corp ビートプレート
JP4455937B2 (ja) 2004-06-01 2010-04-21 東北パイオニア株式会社 成膜源、真空成膜装置、有機elパネルの製造方法
JP4545504B2 (ja) 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR20060008602A (ko) 2004-07-21 2006-01-27 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착 방법
KR100579406B1 (ko) 2004-08-25 2006-05-12 삼성에스디아이 주식회사 수직 이동형 유기물 증착 장치
WO2006027830A1 (ja) 2004-09-08 2006-03-16 Toray Industries, Inc. 有機電界発光装置およびその製造方法
KR101070539B1 (ko) 2004-09-08 2011-10-05 도레이 카부시키가이샤 증착 마스크 및 이를 사용한 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
KR100700641B1 (ko) 2004-12-03 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 레이저 조사 장치, 패터닝 방법 및 그를 이용한 레이저열전사 패터닝 방법과 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법
KR20060073367A (ko) 2004-12-24 2006-06-28 엘지전자 주식회사 클리닝룸의 유기물 처리장치
KR100796148B1 (ko) 2005-01-05 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 수직이동형 증착시스템
KR100600357B1 (ko) 2005-01-05 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 증착시스템용 증착원의 구동축 밀폐장치 및 이를 구비한증착시스템
KR100645719B1 (ko) 2005-01-05 2006-11-14 삼성에스디아이 주식회사 물질증착용 증착원 및 이를 구비한 증착장치
JP4384109B2 (ja) 2005-01-05 2009-12-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸着システム用蒸着源の駆動軸及びこれを具備した蒸着システム
KR101200693B1 (ko) 2005-01-11 2012-11-12 김명희 대면적 유기박막 제작용 선형 다점 도가니 장치
KR20060083510A (ko) 2005-01-17 2006-07-21 삼성전자주식회사 결함성 부산물들을 제거하는 포토마스크 장비
JP4440837B2 (ja) 2005-01-31 2010-03-24 三星モバイルディスプレイ株式會社 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置
KR100703427B1 (ko) 2005-04-15 2007-04-03 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 채용한 증착장치
US7918940B2 (en) 2005-02-07 2011-04-05 Semes Co., Ltd. Apparatus for processing substrate
KR100719314B1 (ko) 2005-03-31 2007-05-17 세메스 주식회사 기판 이송 장치 및 기판 상에 유기 박막을 증착하는 장치
KR100687007B1 (ko) 2005-03-22 2007-02-26 세메스 주식회사 유기전계 발광 소자 제조에 사용되는 유기 박박 증착 장치
JP2006275433A (ja) 2005-03-29 2006-10-12 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 吸収式小型冷却及び冷凍装置
KR100637714B1 (ko) 2005-03-31 2006-10-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR100773249B1 (ko) 2005-04-18 2007-11-05 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 형성용 마스크
KR100797787B1 (ko) 2005-06-03 2008-01-24 주식회사 아이엠티 레이저를 이용한 건식세정시스템
JP4655812B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-23 カシオ計算機株式会社 楽音発生装置、及びプログラム
KR100711885B1 (ko) 2005-08-31 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 증착원 및 이의 가열원 제어방법
KR20070035796A (ko) 2005-09-28 2007-04-02 엘지전자 주식회사 유기 전계발광 표시소자의 제조장치
JP4767000B2 (ja) * 2005-11-28 2011-09-07 日立造船株式会社 真空蒸着装置
KR100696547B1 (ko) 2005-12-09 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 증착 방법
JP5064810B2 (ja) 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR20070080635A (ko) 2006-02-08 2007-08-13 주식회사 아바코 유기물증발 보트
KR20070084973A (ko) 2006-02-22 2007-08-27 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR20070098122A (ko) 2006-03-31 2007-10-05 삼성전자주식회사 반도체 제조설비
KR20070105595A (ko) 2006-04-27 2007-10-31 두산메카텍 주식회사 유기박막 증착장치
KR100770653B1 (ko) 2006-05-25 2007-10-29 에이엔 에스 주식회사 박막형성용 증착장치
KR101248004B1 (ko) 2006-06-29 2013-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자의 증착 스템과, 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR100800125B1 (ko) 2006-06-30 2008-01-31 세메스 주식회사 유기발광소자 증착장비의 소스셔터 및 기판 제어방법
KR100980729B1 (ko) 2006-07-03 2010-09-07 주식회사 야스 증착 공정용 다중 노즐 증발원
KR100723627B1 (ko) 2006-08-01 2007-06-04 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치의 증발원
KR100815265B1 (ko) 2006-08-28 2008-03-19 주식회사 대우일렉트로닉스 마이크로 히터 및 도가니 제조 방법, 그리고 이들을 구비한유기물 진공 증착 장치
JP4971723B2 (ja) 2006-08-29 2012-07-11 キヤノン株式会社 有機発光表示装置の製造方法
US7322248B1 (en) 2006-08-29 2008-01-29 Eastman Kodak Company Pressure gauge for organic materials
US20080241805A1 (en) 2006-08-31 2008-10-02 Q-Track Corporation System and method for simulated dosimetry using a real time locating system
JP5063969B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置、蒸着装置の制御装置、蒸着装置の制御方法および蒸着装置の使用方法
KR100823508B1 (ko) 2006-10-19 2008-04-21 삼성에스디아이 주식회사 증발원 및 이를 구비한 증착 장치
KR100839380B1 (ko) 2006-10-30 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 진공 증착 장치
JP4768584B2 (ja) 2006-11-16 2011-09-07 財団法人山形県産業技術振興機構 蒸発源およびこれを用いた真空蒸着装置
US20080131587A1 (en) 2006-11-30 2008-06-05 Boroson Michael L Depositing organic material onto an oled substrate
KR20080060400A (ko) 2006-12-27 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 광 발생장치의 제조 방법
KR20080061132A (ko) 2006-12-28 2008-07-02 엘지디스플레이 주식회사 유기막 증착 장치
KR20080062212A (ko) 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 유기 박막 증착 장치
JP4909152B2 (ja) 2007-03-30 2012-04-04 キヤノン株式会社 蒸着装置及び蒸着方法
JP5081516B2 (ja) 2007-07-12 2012-11-28 株式会社ジャパンディスプレイイースト 蒸着方法および蒸着装置
JP5282038B2 (ja) 2007-09-10 2013-09-04 株式会社アルバック 蒸着装置
JP5201932B2 (ja) 2007-09-10 2013-06-05 株式会社アルバック 供給装置、及び有機蒸着装置
KR20090038733A (ko) 2007-10-16 2009-04-21 주식회사 실트론 Soi 웨이퍼의 표면 거칠기 개선을 위한 열처리 방법 및이를 위한 열처리 장치
KR100790718B1 (ko) 2007-11-05 2008-01-02 삼성전기주식회사 고출력 반도체 레이저소자
KR100928136B1 (ko) 2007-11-09 2009-11-25 삼성모바일디스플레이주식회사 유기물 선형 증착 장치
JP5046882B2 (ja) 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 インライン式成膜装置
KR100994114B1 (ko) 2008-03-11 2010-11-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 방법
KR101108151B1 (ko) 2009-04-30 2012-01-31 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치
TWI472639B (zh) 2009-05-22 2015-02-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
TWI475124B (zh) 2009-05-22 2015-03-01 Samsung Display Co Ltd 薄膜沉積設備
KR101074790B1 (ko) 2009-05-22 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101084168B1 (ko) 2009-06-12 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR20100130786A (ko) 2009-06-04 2010-12-14 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조방법
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5328726B2 (ja) * 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR101174877B1 (ko) 2009-08-27 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
KR101084184B1 (ko) * 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130015144A (ko) 2013-02-13
JP2013032587A (ja) 2013-02-14
US9206501B2 (en) 2015-12-08
CN102912316A (zh) 2013-02-06
US20130032829A1 (en) 2013-02-07
TWI563105B (en) 2016-12-21
CN102912316B (zh) 2016-05-11
TW201307591A (zh) 2013-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6034607B2 (ja) 蒸着源アセンブリ、有機層蒸着装置及びそれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101760897B1 (ko) 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP5364731B2 (ja) 薄膜蒸着装置
JP6049774B2 (ja) 薄膜蒸着装置及び有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR101174875B1 (ko) 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
JP5676175B2 (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5985796B2 (ja) 薄膜蒸着装置及び有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR101840654B1 (ko) 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101084168B1 (ko) 박막 증착 장치
US9249493B2 (en) Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
JP5847437B2 (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR20130004830A (ko) 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2014019954A (ja) 有機層蒸着装置、これを用いる有機発光ディスプレイ装置の製造方法、及びこれによって製造された有機発光ディスプレイ装置
JP2011047035A (ja) 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
KR20120131548A (ko) 유기층 증착 장치
KR20120131543A (ko) 유기층 증착 장치, 유기층 증착 장치용 프레임 시트 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20120057290A (ko) 박막 증착 장치
KR101889919B1 (ko) 유기층증착장치
KR20140142087A (ko) 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기발광 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150529

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150529

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160322

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160517

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161028

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6034607

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250