CN102127748B - 薄膜沉积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备可被简单应用于大规模生产大尺寸显示装置并提高生产良率。薄膜沉积设备包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，被设置成与所述沉积源喷嘴单元相对，所述图案化缝隙片包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的多个图案化缝隙。在基底或者薄膜沉积设备沿第一方向彼此相对移动的同时执行沉积，沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片彼此一体地形成。

Description

薄膜沉积设备
本申请要求于2010年1月11日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0002381号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用被包含于此。
技术领域
本发明的各方面涉及一种薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备可被简单地用于大规模生产大尺寸的显示装置并提高生产良率(manufacturing yield)。
背景技术
与其它显示装置相比，有机发光显示装置视角更大、对比度特性更好并且响应速度更快，因此有机发光显示装置作为下一代显示装置而备受瞩目。有机发光显示装置通常具有堆叠结构，所述堆叠结构包括阳极、阴极以及置于阳极和阴极之间的发射层。当分别从阳极和阴极注入的空穴和电子在发射层中复合并由此发光时，所述装置显示彩色图像。然而，这种结构难以实现高发光效率。因此，在发射层和每个电极之间可选择地另外设置中间层。中间层的示例包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。
此外，实际上很难在诸如发射层和中间层的有机薄膜中形成精细图案。因此，红色发光效率、绿色发光效率和蓝色发光效率根据有机薄膜而改变。出于这些原因，通过利用传统的薄膜沉积设备在诸如5G或更大尺寸的母玻璃的大基底上形成有机薄膜图案是不容易的。因此，难以制造驱动电压、电流密度、亮度、色纯度、发光效率、寿命特性令人满意的大型有机发光显示装置。因此，在这方面需要改善。
有机发光显示装置包括设置在彼此相对布置的第一电极和第二电极之间的中间层，所述中间层包括发射层。中间层、第一电极和第二电极可以利用各种方法形成，例如，利用沉积方法。当利用沉积方法来制造有机发光显示装置时，为了形成具有期望图案的薄膜，具有与待形成的薄膜的图案相同的图案的精细金属掩模(FMM)被设置为紧密地接触基底，并且在FMM上沉积薄膜材料。
发明内容
本发明的各方面提供一种可被容易地制造的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备可被简单地应用于大规模生产大尺寸的显示装置并提高了生产良率和沉积效率。
根据本发明的方面，提供一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备，所述设备包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，被设置成与所述沉积源喷嘴单元相对，所述图案化缝隙片包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的多个图案化缝隙，其中，在基底或薄膜沉积设备相对于彼此沿第一方向的移动的同时执行沉积，沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片彼此一体地形成。
根据本发明的方面，沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片可通过连接构件彼此连接。
根据本发明的方面，连接构件可引导被排出的沉积材料的运动。
根据本发明的方面，连接构件可密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间，使所述空间与外部空气分离。
根据本发明的方面，薄膜沉积设备可与基底分开预定距离。
根据本发明的方面，当基底或薄膜沉积设备相对于彼此沿第一方向运动的同时，从薄膜沉积设备排出的沉积材料可被连续地沉积在基底上。
根据本发明的方面，薄膜沉积设备的图案化缝隙片可比基底小。
根据本发明的方面，薄膜沉积设备还可包括设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的校正板，以阻挡从沉积源排出的沉积材料中的至少一部分。
根据本发明的方面，校正板可被设置成使得形成在基底上的薄膜在整个基底上可具有恒定的厚度。
根据本发明的方面，校正板的高度可以随着远离图案化缝隙片的中间部分而逐渐减小。
根据本发明的方面，校正板可被形成为具有圆弧形状或者余弦曲线形状。
根据本发明的方面，校正板可被形成为在图案化缝隙片的中间部分阻挡的沉积材料比在图案化缝隙片的端部阻挡的沉积材料多。
根据本发明的方面，所述多个图案化缝隙可被形成为具有彼此不同的长度。
根据本发明的方面，所述多个图案化缝隙可被设置成使得形成在基底上的薄膜在整个基底上可具有恒定的厚度。
根据本发明的方面，沉积在基底上的沉积材料的量可根据图案化缝隙的长度被控制。
根据本发明的方面，位于图案化缝隙片的中间部分的图案化缝隙的长度短于位于图案化缝隙片的端部的图案化缝隙的长度。
根据本发明的方面，多个沉积源喷嘴可以以预定角度倾斜。
根据本发明的方面，所述多个沉积源喷嘴可包括布置在沿第一方向形成的两行中的沉积源喷嘴，在所述两行中的沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。
根据本发明的方面，所述多个沉积源喷嘴可包括布置在沿第一方向形成的两行中的沉积源喷嘴，布置在位于图案化缝隙片的第一侧的行中的沉积源喷嘴被布置为面向图案化缝隙片的第二侧，布置在位于图案化缝隙片的第二侧的另一行中的沉积源喷嘴被布置为面向图案化缝隙片的第一侧。
根据本发明的方面，所述沉积源可包括：第一沉积源，排出主体材料；第二沉积源，设置在第一沉积源的一侧并排出掺杂剂材料。
根据本发明的方面，从第一沉积源排出的主体材料的至少一部分以及从第二沉积源排出的掺杂剂材料的至少一部分可互相混合。
根据本发明的方面，第一沉积源和第二沉积源可被设置为沿第一方向彼此平行。
根据本发明的方面，所述沉积源喷嘴单元可包括：第一沉积源喷嘴单元，设置在第一沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴。
根据本发明的方面，第一沉积源喷嘴单元和第二沉积源喷嘴单元中的每个沉积源喷嘴单元中的多个沉积源喷嘴可以以预定角度倾斜。
根据本发明的方面，第一沉积源喷嘴单元中的沉积源喷嘴和第二沉积源喷嘴单元中的沉积源喷嘴可倾斜成相互面对。
根据本发明的方面，第一沉积源喷嘴单元的沉积源喷嘴和第二沉积源喷嘴单元的沉积源喷嘴可以以如下方式倾斜，即，使得主体材料和掺杂剂材料在整个基底上以恒定的混合比混合。
根据本发明的方面，第一沉积源和第二沉积源可被分别形成为线性源。
根据本发明的方面，第一沉积源可被形成为线性源，第二沉积源可被形成为一个或多个点源。
根据本发明的方面，第一沉积源可以是多个点源，第二沉积源可以是一个或多个点源，形成第一沉积源的所述多个点源可形成旋转式装置。
根据本发明的方面，所述薄膜沉积设备可包括多个薄膜沉积组件，每个薄膜沉积组件包括薄膜沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片。
根据本发明的方面，提供一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备，所述设备包括：包括多个薄膜沉积组件的薄膜沉积设备。每个薄膜沉积设备包括：沉积源，排出沉积材料；沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；图案化缝隙片，被设置成与所述沉积源喷嘴单元相对，所述图案化缝隙片包括沿与第一方向垂直的第二方向布置的多个图案化缝隙，其中，基底或薄膜沉积设备沿第一方向彼此相对移动，以执行沉积。
根据本发明的方面，每个薄膜沉积组件中的沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片可互相一体地形成。
根据本发明的方面，各个薄膜沉积组件中的沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片可通过连接构件彼此连接。
根据本发明的方面，连接构件可引导被排出的沉积材料的移动。
根据本发明的方面，连接构件可密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间。
根据本发明的方面，薄膜沉积设备可与基底分开预定距离。
根据本发明的方面，当基底或薄膜沉积设备沿第一方向彼此相对移动的同时，从薄膜沉积设备排出的沉积材料可被连续地沉积在基底上。
根据本发明的方面，多个薄膜沉积组件的图案化缝隙片可比基底小。
根据本发明的方面，多个薄膜沉积组件中的沉积源可分别容纳不同的沉积材料。
根据本发明的方面，分别容纳在多个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料可同时沉积在基底上。
根据本发明的方面，薄膜沉积组件的数量可以至少是三个，分别容纳在所述至少三个薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料可包括用于形成红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的材料。
根据本发明的方面，多个薄膜沉积组件的沉积源的沉积温度可以能被独立地控制。
根据本发明的方面，从多个薄膜沉积组件的沉积源排出的沉积材料的沉积量可以能被独立地控制。
本发明的其他方面和/或优点将部分地在下面的描述中阐述，部分地将通过该描述显而易见，或者可通过实施本发明而了解。
附图说明
通过下面结合附图对实施例进行的描述，本发明的这些和/或其他方面和优点将会变得更加清楚和更容易理解，附图中：
图1是根据本发明实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图2是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积设备的示意性侧视图；
图3是根据本发明实施例的图1中的薄膜沉积设备的示意性平面图；
图4是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备中的图案化缝隙片的平面图；
图5是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备中的图案化缝隙片的平面图；
图6是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图7是示意性地示出根据本发明实施例的薄膜沉积设备中沉积源喷嘴没有倾斜时形成在基底上的沉积层的分布图案的曲线图；
图8是示意性地示出根据本发明实施例的薄膜沉积设备中沉积源喷嘴倾斜时形成在基底上的沉积层的分布图案的曲线图；
图9是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图10是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图11是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图12是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图13是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备的示意性透视图；
图14是根据本发明实施例的利用薄膜沉积设备制造的有源矩阵型有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在将对本发明的的实施例作出详细说明，本发明的示例在附图中示出，其中，相同的标号始终指示相同的元件。下面通过参照附图描述各实施例，以解释本发明。
图1是根据本发明实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图，图2是薄膜沉积设备100的示意性侧视图，图3是薄膜沉积设备100的示意性平面图。薄膜沉积设备100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150。
虽然为了便于解释在图1、图2和图3中没有示出室，但是薄膜沉积设备100的所有组件均可以设置在室内，所述室保持在适当的真空度下。为了使沉积材料基本上沿着直线运动穿过薄膜沉积设备100，所述室保持在适当的真空下。
具体地讲，为了将从沉积源110发射并通过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150排出的沉积材料115以期望图案沉积到基底400上，需要所述室保持在与利用精细金属掩模(FMM)的沉积方法中的状态相同的高真空状态下。另外，图案化缝隙片150的温度必须充分地低于沉积源110的温度。在这点上，图案化缝隙片150的温度可以为大约100℃或更低。图案化缝隙片150的温度应该充分得低，以减小图案化缝隙片150的热膨胀。
基底400构成其上将要沉积有沉积材料115的靶。基底400设置在所述室中。基底400可以为用于平板显示器的基底。用于制造多个平板显示器的诸如母玻璃的大基底可以用作基底400。也可以采用其它基底。这种基底的示例包括5G或更大的尺寸，但是本发明不限于此。
在本发明的当前实施例中，可以在基底400和/或薄膜沉积设备100彼此相对移动的同时执行沉积。具体地讲，在传统的FMM沉积方法中，FMM的尺寸必须等于基底的尺寸。因此，FMM的尺寸必须随着基底变大而增加。然而，既不容易制造大的FMM，也不容易将FMM延展为与图案准确地对准。
为了克服这个问题，在示出的薄膜沉积设备100中，可以在薄膜沉积设备100和/或基底400彼此相对移动的同时执行沉积。换句话说，可以在被设置为面对薄膜沉积设备100的基底400沿Y轴方向移动的同时连续执行沉积。在基底400沿图1中的箭头A的方向相对于沉积源110移动的同时以扫描方式执行沉积。虽然基底400被示出为在执行沉积时沿图1中的Y轴方向移动，但是本发明不限于此。可以在薄膜沉积设备100沿Y轴方向移动而基底400被固定、或者薄膜沉积设备100和基底400均移动的同时执行沉积。
因此，在根据本发明的当前实施例的薄膜沉积设备100中，图案化缝隙片150可以显著小于传统沉积方法中使用的FMM。换句话说，在根据本发明当前实施例的薄膜沉积设备100中，在基底400沿Y轴方向运动的同时连续地执行沉积，即，以扫描的方式执行沉积。因此，图案化缝隙片150在X轴方向上的长度和Y轴方向上的长度可以显著小于基底400在X轴方向上的长度和Y轴方向上的长度。如上所述，由于图案化缝隙片150可被形成为显著小于在传统沉积方法中使用的FMM，所以制造在本发明的实施例中使用的图案化缝隙片150是相对容易的。换句话说，与利用较大的FMM的传统沉积方法相比，在所有工艺(包括蚀刻和后续的其它工艺，例如，精确延展、焊接、移动和清洁工艺)中使用比传统沉积方法中使用的FMM小的图案化缝隙片150更加方便。这对于相对大的显示装置更加有利。
为了如上所述在薄膜沉积设备100或基底400彼此相对移动的同时执行沉积，薄膜沉积设备100和基底400可以彼此分开预定距离。这将在后面进行详细的描述。
沉积源110容纳并且加热沉积材料115。沉积源110设置在所述室的与设置有基底400的一侧相对的一侧。随着沉积源110中容纳的沉积材料115被蒸发，沉积材料115沉积在基底400上。
具体地说，沉积源110包括坩埚111和加热器112。坩埚111填充有沉积材料115。加热器112加热坩埚111，以蒸发容纳在坩埚111中的沉积材料115。蒸发的沉积材料115朝着坩埚111的一侧移动，具体地说，朝着沉积源喷嘴单元120移动。
沉积源喷嘴单元120设置在沉积源110的一侧，具体地说，设置在沉积源110的面向基底400的一侧。另外，沉积源喷嘴单元120包括在Y轴方向(即，基底400的扫描方向)以等间隔布置的多个沉积源喷嘴121。在沉积源110中蒸发的沉积材料115向着基底400穿过沉积源喷嘴单元120的沉积源喷嘴121。如上所描述的，当多个沉积源喷嘴121沿Y轴方向形成在沉积源喷嘴单元120上时，由穿过图案化缝隙片151中的每个图案化缝隙151而排出的沉积材料115形成的图案的尺寸仅仅受到一个沉积源喷嘴121的尺寸的影响。即，可以考虑到沿X轴方向存在一个沉积源喷嘴121，因此在基底400上不存在阴影区。另外，由于多个沉积源喷嘴单元121沿基底400的扫描方向Y形成，所以即使多个沉积源喷嘴单元121的通量之间存在差异，该差异也可以被补偿，进而可恒定地保持沉积均匀性。
图案化缝隙片150被保持在框架155中。图案化缝隙片150和框架155设置在沉积源110和基底400之间。框架155可以形成为与窗口框架类似的格子形状，但是本发明不限于此。图案化缝隙片150被结合在框架155的内侧。图案化缝隙片150包括沿X轴方向布置成行的多个图案化缝隙151，各个缝隙151沿Y轴方向延伸。在沉积源110中蒸发的沉积材料115向着基底400穿过沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150。可以通过蚀刻来制造图案化缝隙片150，这与制造FMM(具体地说，条纹式FMM)的传统方法中采用的方法相同。这里，图案化缝隙151的总数可以大于沉积源喷嘴121的总数，但是本发明不限于此。
此外，沉积源110(和结合到沉积源110的沉积源喷嘴单元120)以及图案化缝隙片150可被形成为彼此分开预定距离。可选地，沉积源110(和结合到沉积源110的沉积源喷嘴单元120)以及图案化缝隙片150可以通过连接构件135连接，如所示出的。即，沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150可以通过经由连接构件135彼此连接而一体地形成。连接构件135引导通过沉积源喷嘴121排出的沉积材料115沿Z轴方向和Y轴方向运动，而不沿X轴方向流动。在图1到图3中，连接构件135形成在沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150的左侧和右侧上，以引导沉积材料115不沿X轴方向流动。然而，本发明不限于此。即，连接构件135可被形成为密封型的盒子形状，以沿着X轴方向和Y轴方向引导沉积材料115的流动。
如上所描述的，薄膜沉积设备100在相对于基底400被移动的同时执行沉积。为了相对于基底400移动薄膜沉积设备100，图案化缝隙片150与基底400分开预定距离。
具体地说，在利用FMM的传统沉积方法中，为了防止阴影区域在基底上形成，利用与基底紧密接触的FMM执行沉积。然而，当利用与基底紧密接触的FMM时，所述接触可导致缺陷。另外，在传统的沉积方法中，由于掩模不能相对于基底移动，所以掩模的尺寸必须与基底的尺寸相同。因此，掩模的尺寸必须随着显示装置变得更大而增加。然而，不容易制造这样大的掩模。
为了克服这个问题，在根据本发明的当前实施例的薄膜沉积设备100中，图案化缝隙片150被设置为与基底400分开预定距离。
如上所描述的，根据本发明的方面，掩模被形成为比基底小，并且在掩模相对于基底移动的同时执行沉积。因此，可以容易地制造掩模。另外，可以防止在传统沉积方法中出现的由于基底和FMM之间的接触而引起的缺陷。另外，由于在沉积工艺期间不必使用与基底紧密接触的FMM，所以可以提高制造速度。
图4是根据本发明实施例的薄膜沉积设备中的图案化缝隙片150的平面图。在本发明的当前实施例中，校正板(correction plate)157进一步设置在图案化缝隙片150的侧部。如所示出的，存在两个校正板157，但是本发明不限于此。
特别地，为了确保基底400上形成的薄膜的均匀性，图1和图4中示出的本发明的当前实施例的薄膜沉积设备还包括校正板157。在排出有机材料(沉积材料)的过程中，最大量的有机材料通过与沉积源喷嘴121垂直的部分被排出，排出的有机材料的量根据余弦法则朝图案化缝隙片150的两端逐渐减小。因此，当薄膜沉积设备不包括校正板157时，沉积层很可能被形成为具有鼓起的中间部分。
为了使沉积层的厚度较少地不均匀，校正板157设置在图案化缝隙片150的每一侧。校正板157在图案化缝隙片150的表面上形成为圆弧或者余弦曲线。校正板157阻挡从沉积源喷嘴121朝图案化缝隙151排出的沉积材料115中的一部分。即，由于由薄膜沉积设备形成的沉积层具有鼓起的中间部分，所以必须阻挡朝着图案化缝隙片150的中间部分排出的沉积材料的一部分，以形成厚度均匀的沉积层。因此，校正板157设置在沉积材料的路线上，以阻挡沉积材料的一部分。虽然示出两个校正板157，但是应当理解，校正板157可以是具有开口的单个板，所述开口作为到图案化缝隙片150的中心的距离的函数而逐渐变宽。
这里，由于校正板157被形成为具有圆弧或者余弦曲线形状，所以与朝着图案化缝隙片150的左侧部分和右侧部分排出的沉积材料相比，朝着图案化缝隙片150的中间部分排出的沉积材料被阻挡得更多。然后，校正板157可被设置为使得沉积层的最薄部分(即，由通过图案化缝隙片150的两侧排出的沉积材料形成的沉积材料形成的沉积层的部分)变成沉积层的整个厚度。
如上所描述的，由于校正板157被设置在沉积材料的流路上，可以校正通过薄膜沉积设备100形成的沉积层。即，为了在很多沉积材料被另外沉积的部分阻挡较多的沉积材料，增大校正板157的高度，为了在较少的沉积材料被沉积的部分阻挡较少的沉积材料，减小校正板175的高度。因此，可以调节沉积材料的沉积量，使得沉积层的厚度可以均匀。
根据图1和图4中示出的本发明的实施例，形成在基底400上的薄膜的均匀性在大约1％到大约2％的误差范围内，因此可以提高薄膜沉积设备的质量和可靠性。
图5是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备中的图案化缝隙片150的平面图。在本发明的当前实施例中，位于图案化缝隙片150的中间部分的图案化缝隙151a的长度小于位于图案化缝隙片150的两个端部的图案化缝隙151b的长度，以确保形成在基底400上的薄膜的均匀性。
如上所描述的，可通过利用图案化缝隙片150调节沉积材料的沉积量，使得整个沉积层的厚度可以为恒定的，在所述图案化缝隙片150中，位于所述中间部分的图案化缝隙151a的长度与位于图案化缝隙片150的两个端部的图案化缝隙151b的长度可彼此不同，如同前述的实施例。在根据图1和图5中示出的本发明的当前实施例的薄膜沉积设备100中，形成在基底400上的薄膜的均匀性在大约1％到大约2％的误差范围内。因此可以提高薄膜沉积设备100的质量和可靠性。
图6是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备100的透视图。参照图6，薄膜沉积设备100包括沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150。具体地说，沉积源110包括坩埚111和加热器112。坩埚111填充有沉积材料115。加热器112加热坩埚111，以蒸发容纳在坩埚111中的沉积材料115。蒸发的沉积材料115朝着坩埚111的一侧移动，具体地说，朝着沉积源喷嘴单元120移动。
沉积源喷嘴单元120具有平坦的形状并设置在沉积源110的一侧。沉积源喷嘴单元120包括沿Y轴方向布置的多个沉积源喷嘴121。图案化缝隙片150和框架155进一步设置在沉积源110和基底400之间，图案化缝隙片150包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙151。沉积源110、沉积源喷嘴单元120和图案化缝隙片150通过连接构件135彼此连接。
形成在沉积源喷嘴单元120上的多个沉积源喷嘴121以预定角度倾斜。具体地说，沉积源喷嘴121可包括布置在两行中的沉积源喷嘴121a和沉积源喷嘴121b，沉积源喷嘴121a和沉积源喷嘴121b彼此交替地布置。这里，沉积源喷嘴121a和沉积源喷嘴121b可以在XZ平面上倾斜预定角度。然而，本发明不限于与喷嘴121的行数的联系，应当理解，喷嘴也可在YZ平面上进一步倾斜。
如果采用图4的校正板157或者图5的图案化缝隙151的长度，则由于沉积材料被校正板157或者图案化缝隙151阻挡，所以沉积材料的利用效率可能劣化。因此，在图6中示出的本发明的当前实施例中，沉积源喷嘴121a和沉积源喷嘴121b以预定角度布置成倾斜状态。这里，第一行中的沉积源喷嘴121a可朝着第二行中的沉积源喷嘴121b倾斜，第二行中的沉积源喷嘴121b可朝着第一行中的沉积源喷嘴121a倾斜。即，布置在图案化缝隙片150的左侧的行中的沉积源喷嘴121a被布置成面向图案化缝隙片150的右侧，布置在图案化缝隙片150的右侧的行中的沉积源喷嘴121b被布置成面向图案化缝隙片150的左侧。虽然示出为具有相同角度，但应当理解，各行121a、121b不必具有相同的角度。
图7是示出沉积源喷嘴121没有倾斜时形成在基底400上的沉积层的分布的曲线图。图8是示出沉积源喷嘴121倾斜时形成在基底400上的沉积层的分布的曲线图。当互相对比图7和图8时，与沉积源喷嘴121没有倾斜时形成在基底400的两个端部上的沉积层厚度相比，沉积源喷嘴121倾斜时形成在基底400的两个端部上的沉积层厚度相对较大。因此，沉积层的均匀性在沉积源喷嘴121倾斜时得以改善。因此，可调节沉积材料的沉积量，使得沉积层在基底的中间部分和端部的厚度的差异可被减小且沉积层的整个厚度可以恒定。此外，可以提高沉积材料的利用效率。
图9是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图。参照图9，薄膜沉积设备100包括第一沉积源110、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源160、第二沉积源喷嘴单元170和图案化缝隙片150。图案化缝隙片150和框架155设置在第一沉积源110和第二沉积源160与基底400之间。图案化缝隙片150包括布置在沿X轴方向的行中的多个图案化缝隙151。另外，第一沉积源110、第二沉积源160、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源喷嘴单元170和图案化缝隙片150通过连接构件135彼此连接。
在薄膜沉积设备100中，第一沉积源110容纳主体材料115，第二沉积源160容纳掺杂剂材料(未示出)。这样，主体材料115和掺杂剂材料可同时沉积在基底400上。即，由于主体材料115和掺杂剂材料(未示出)在彼此不同的温度蒸发，所以多个沉积源110和160以及多个沉积源喷嘴单元120和170被设置成同时沉积主体材料115和掺杂剂材料。
具体地说，第一沉积源110和第二沉积源160容纳所述沉积材料并加热所述沉积材料。第一沉积源110和第二沉积源160被设置在所述室的与设置有基底400的一侧相对的一侧。随着容纳在第一沉积源110和第二沉积源160中的沉积材料蒸发，沉积材料沉积在基底400上。
特别地，第一沉积源110包括坩埚111和加热器112，坩埚111填充有主体材料115。加热器112加热坩埚111，以蒸发主体材料115。蒸发的主体材料115朝着坩埚111的一侧移动，具体地说，朝着第一沉积源喷嘴单元120移动。第二沉积源160包括坩埚161和加热器(未示出)，坩埚161填充有掺杂剂材料(未示出)。加热器(未示出)加热坩埚161，以蒸发掺杂剂材料(未示出)。蒸发的掺杂剂材料(未示出)朝着坩埚161的一侧移动，具体地说，朝着第二沉积源喷嘴单元170移动。
主体材料的示例可包括三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、9，10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN，3-tert-butyl-9，10-di(naphth-2-yl)anthracene)、4，4′-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1′-联苯(DPVBi，4，4′-bis(2，2-diphenyl-vinyl)-1，1′-biphenyl)、4，4′-二(2，2-联苯-乙烯-1-基)-4，4′-二甲基苯基(p-DMDPVBi，4，4′-bis(2，2-diphenyl-ethene-1-yl)-4，4′-dimethylphenyl)、叔(9，9-二芳基芴)(TDAF，tert(9，9-diarylfluorene)s)、2-(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(BSDF，2-(9，9′-spirobifluorene-2-yl)-9，9′-spirobifluorene)、2，7-二(9，9′-螺二芴-2-基)-9，9′-螺二芴(TSDF，2，7-bis(9，9′-spirobifluorene-2-yl)-9，9′-spirobifluorene)、二(9，9-二芳基芴)(BDAF，bis(9，9-diarylfluorene)s)、4，4′-二(2，2-联苯-乙烯-1-基)-4，4′-二-(叔丁基)苯基)(p-TDPVBi，4，4′-bis(2，2-diphenyl-ethene-1-yl)-4，4′-di-(tert-butyl)phenyl)、1，3-二(咔唑-9-基)苯(mCP，1，3-bis(carbazol-9-yl)benzene)、1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP，1，3，5-tris(carbazol-9-yl)benzene))、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa，4，4′，4″-tris(carbazol-9-yl)triphenylamine)、4，4′-二(咔唑-9-基)联苯(CBP，4，4′-bis(carbazol-9-yl)biphenyl)、4，4′-二(9-咔唑)-2，2′-二甲基-联苯(CBDP，4，4′-bis(9-carbazolyl)-2，2′-dimethyl-biphenyl)、4，4′-二(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP，4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-dimethyl-fluorene)、4，4′-二(咔唑-9-基)-9，9-二(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP，4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene)、4，4′-二(咔唑-9-基)-9，9-二-甲苯基-芴(DPFL-CBP，4，4′-bis(carbazol-9-yl)-9，9-di-tolyl-fluorene)、9，9-二(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP，9，9-bis(9-phenyl-9H-carbazol)fluorene)等。
掺杂剂材料的示例可包括DPAVBi(4，4′-二[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、ADN(9，10-二(萘-2-基)蒽)、TBADN(3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)等。
Figure BSA00000428115000131
如上所描述的，薄膜沉积设备100的特征在于第一沉积源110容纳主体材料115、第二沉积源160容纳掺杂剂材料(未示出)。设置第一沉积源110和第二沉积源160，使得主体材料115和掺杂剂材料被同时沉积在基底400上。由于主体材料115和掺杂剂材料可被同时沉积在基底400上，所以沉积工艺可被简化并被迅速地执行，这提高了薄膜沉积设备100的效率。
图10是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图。参照图10，薄膜沉积设备100包括第一沉积源110、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源160、第二沉积源喷嘴单元170和图案化缝隙片150。图案化缝隙片150和框架155设置在第一沉积源110和第二沉积源160与基底400之间。图案化缝隙片150包括布置在沿X轴方向的行中的多个图案化缝隙151。另外，第一沉积源110、第二沉积源160、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源喷嘴单元170和图案化缝隙片150通过连接构件135彼此连接。在薄膜沉积设备100中，第一沉积源110容纳主体材料115且第二沉积源160容纳掺杂剂材料(未示出)，以使主体材料115和掺杂剂材料可同时沉积在基底400上。
薄膜沉积设备100与前面在图9中示出的实施例在如下方面不同，即，多个沉积源喷嘴121′和171′分别形成在第一沉积源喷嘴单元120和第二沉积源喷嘴单元170上。沉积源喷嘴121′和171′以预定角度倾斜。即，沉积源喷嘴121′和171′在YZ平面上以预定角度倾斜。
虽然掺杂剂材料的含量可基于形成薄膜的材料而改变，但是可在100重量份的薄膜形成材料(主体材料和掺杂剂材料的总重量)中包含大约3重量份到大约20重量份的掺杂剂材料。如果掺杂剂材料的含量超过上面描述的范围，则有机发光显示装置的发光特性会劣化。然而，当沉积源喷嘴121和171如在参照图9描述的前述实施例中平行于Z轴布置时，掺杂剂材料在沉积工艺的初始阶段沉积在基底400上，掺杂剂材料和主体材料在沉积工艺的中间阶段交替地沉积在基底400上，主体材料在沉积工艺的后期阶段沉积在基底400上。即，主体材料和掺杂剂材料的混合比可根据基底400的区域而改变。
因此，在根据图10中示出的本发明的当前实施例的薄膜沉积设备100中，沉积源喷嘴121′和171′以预定角度倾斜，第一沉积源喷嘴单元120的沉积源喷嘴121′和第二沉积源喷嘴单元170的沉积源喷嘴171′可倾斜成面向彼此。即，第一沉积源喷嘴单元120的沉积源喷嘴121′可倾斜成面向第二沉积源喷嘴单元170，第二沉积源喷嘴单元170的沉积源喷嘴171′可被倾斜成面向第一沉积源喷嘴单元120。
通过上面描述的结构，在沉积材料中主体材料115和掺杂剂材料的混合比在整个基底400上可以是恒定的。另外，如果利用主体材料115和掺杂剂材料以恒定混合比混合的混合物来形成薄膜，则考虑到色坐标、光学效率、驱动电压和寿命，薄膜可表现出改善的特性。
图11是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图。参照图11，薄膜沉积设备100包括第一沉积源110、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源180、第二沉积源喷嘴181和图案化缝隙片150。图案化缝隙片150和框架155设置在第一沉积源110和第二沉积源180与基底400之间。图案化缝隙片150包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙151。另外，第一沉积源110、第二沉积源180、第一沉积源喷嘴单元120、第二沉积源喷嘴181和图案化缝隙片150通过连接构件135彼此连接。第一沉积源110容纳主体材料115。第二沉积源180容纳掺杂剂材料(未示出)，以使主体材料115和掺杂剂材料可被同时沉积在基底400上。
图11中示出的薄膜沉积设备100与前面在图9中示出的薄膜沉积设备100有如下不同，即，第二沉积源180是点源而非线性源。如上所描述的，可在100重量份的薄膜形成材料(主体材料和有机材料的总重量)中包含大约3重量份到大约20重量份的掺杂剂材料。即，由于与薄膜形成材料中的主体材料相比，掺杂剂材料相对较少，所以为了容纳掺杂剂材料没有必要使用具有大容量的线性源。因此，在图11中示出的薄膜沉积设备100中，容纳主体材料的第一沉积源110形成为线性源，容纳掺杂剂材料的第二沉积源180形成为点源。
这里，虽然在图11中设置了第二沉积源180(即，点源)，但是本发明不限于此。即，根据需要的掺杂剂材料的含量可设置多个第二沉积源。
如上所描述的，由于第二沉积源180形成为点源，所以薄膜沉积设备100可具有简单的结构且薄膜沉积设备100的制造成本可降低。
图12是根据本发明另一实施例的薄膜沉积设备100的示意性透视图。参照图12，薄膜沉积设备100包括第一沉积源190、第一沉积源喷嘴191、第二沉积源180、第二沉积源喷嘴181和图案化缝隙片150。图案化缝隙片150和框架155设置在第一沉积源190和第二沉积源180与基底400之间。图案化缝隙片150包括沿X轴方向布置的多个图案化缝隙151。另外，第一沉积源190、第二沉积源180、沉积源喷嘴181和191容纳在沉积源容纳单元195中。沉积源容纳单元195和图案化缝隙片150通过连接构件135彼此连接。在薄膜沉积设备100中，第一沉积源190容纳主体材料(未示出)且第二沉积源180容纳掺杂剂材料(未示出)，以使主体材料和掺杂剂材料可同时沉积在基底400上。
图12中示出的薄膜沉积设备100与图11中示出的薄膜沉积设备100有如下不同，即，第一沉积源190是点源而非线性源。具体地说，随着沉积源180和190与基底400之间的距离增加，点源比线性源可更加有利于执行沉积。因此，容纳主体材料的第一沉积源190和第一沉积源喷嘴191可被形成为多个点源。具体地说，其上形成第一沉积源喷嘴191的第一沉积源190可形成为旋转式装置。如上所描述的，由于第一沉积源190和第二沉积源180可被形成为多个点源，所以薄膜沉积设备100可具有简单的结构且可降低薄膜沉积设备100的制造成本。
图13是根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件1000的示意性透视图。参照图13，薄膜沉积组件1000包括多个薄膜沉积设备100、200和300。各个薄膜沉积设备100、200和300具有与图1到图3中示出的薄膜沉积设备100的结构一样的结构。换句话说，薄膜沉积组件1000包括多个沉积源，所述多个沉积源同时排出用于形成R发射层、G发射层和B发射层的沉积材料。
具体地说，薄膜沉积组件1000包括第一薄膜沉积设备100、第二薄膜沉积设备200和第三薄膜沉积设备300。第一薄膜沉积设备100、第二薄膜沉积设备200和第三薄膜沉积设备300中的每个的结构与参照图1到图3描述的薄膜沉积设备100的结构相同，因此这里将不提供对其的详细描述。
第一薄膜沉积设备100、第二薄膜沉积设备200和第三薄膜沉积设备300的沉积源110可分别容纳不同的沉积材料。第一薄膜沉积设备100可容纳用于形成R发射层的沉积材料，第二薄膜沉积设备200可容纳用于形成G发射层的沉积材料，第三薄膜沉积设备300可容纳用于形成B发射层的沉积材料。
换句话说，在制造有机发光显示装置的传统方法中，分离室(separatechamber)和掩模被用于形成各种颜色发射层。然而，当使用根据本发明的当前实施例的薄膜沉积组件1000时，R发射层、G发射层和B发射层可利用单个多沉积源同时形成。因此，制造有机发光显示装置所花费的时间急剧减少。另外，可利用更少的室来制造有机发光显示装置，从而使设备成本也显著减小。
第一薄膜沉积设备100的图案化缝隙片150、第二薄膜沉积设备200的图案化缝隙片250和第三薄膜沉积设备300的图案化缝隙片350可被布置成相对于彼此偏移恒定距离，以使与图案化缝隙片150、250和350对应的沉积区域在基底400上不交叠。换句话说，当第一薄膜沉积设备100、第二薄膜沉积设备200和第三薄膜沉积设备300分别用于形成R发射层、G发射层和B发射层时，第一薄膜沉积设备100的图案化缝隙151、第二薄膜沉积设备200的图案化缝隙251和第三薄膜沉积设备300的图案化缝隙351被布置成相对于彼此不对齐，以在基底400的不同区域中形成R发射层、G发射层和B发射层。
另外，用于形成R发射层、G发射层和B发射层的沉积材料可具有不同的沉积温度。因此，第一薄膜沉积设备100、第二薄膜沉积设备200和第三薄膜沉积设备300中的每个的沉积源的温度可被设置为不同。
虽然根据本发明的当前实施例的薄膜沉积组件1000包括三个薄膜沉积设备100、200和300，但是本发明不限于此。换句话说，根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件可包括多个薄膜沉积设备，每个薄膜沉积设备容纳不同的沉积材料。例如，根据本发明另一实施例的薄膜沉积组件可包括五个薄膜沉积设备，所述五个薄膜沉积设备分别容纳用于R发射层、G发射层、B发射层、R发射层的辅助层(R′)和G发射层的辅助层(G′)的材料。
如上所描述的，利用多个薄膜沉积设备可同时形成多个薄膜，因此可提高生产良率和沉积效率。另外，整体的制造工艺简化，制造成本降低。
图14是根据本发明实施例的利用薄膜沉积设备制造的有源矩阵型有机发光显示装置的剖视图。参照图14，缓冲层51形成在由玻璃或塑料形成的基底50上。薄膜晶体管(TFT)和有机发光显示装置(OLED)形成在缓冲层51上。
具有预定图案的有源层52形成在缓冲层51上。栅极绝缘层53形成在有源层52上。栅电极54形成在栅极绝缘层53的预定区域中。栅电极54连接到施加TFT导通/截止信号的栅线(未示出)。层间绝缘层55形成在栅电极54上。源/漏电极56和57被形成为通过接触孔分别接触有源层52的源/漏极区域52b和52c。钝化层58在源/漏电极56和57上由SiO2、SiNx等形成。平坦化层59在钝化层58上由有机材料形成，例如，由丙烯酰基材料(acryl)、聚酰亚胺、苯并环丁烯等形成。用作OLED的阳极的像素电极61形成在平坦化层59上。由有机材料形成的像素限定层60覆盖像素电极61。开口形成在像素限定层60中，有机层62形成在像素限定层60的表面上以及像素电极61的通过所述开口暴露的表面上。有机层62包括发射层。本发明不限于上面描述的有机发光显示装置的结构，可将有机发光显示装置的各种结构应用于本发明。
随着电流流动，OLED通过发射红光、绿光和蓝光来显示预定的图像信息。OLED包括像素电极61、对电极63和有机层62。像素电极61连接到TFT的漏电极56并被施加正电源电压。对电极63被形成为覆盖整个子像素并被施加负电源电压。有机层62设置在像素电极61和对电极63之间，以发射光。像素电极61和对电极63彼此通过有机层62绝缘，并分别将相反极性的电压施加到像素电极61和对电极63，以在有机层62中引起光发射。
有机层62可包括低分子量有机层或者高分子量有机层。当使用低分子量有机层作为有机层62时，有机层62可具有包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等组成的组中选择的至少一种的单层结构或多层结构。可获得的有机材料的示例包括铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可通过真空沉积形成低分子量有机层。
当高分子量有机层用作有机层62时，有机层62可通常具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可由聚(乙烯二氧基噻吩)(PEDOT)形成，EML可由聚苯撑乙烯(PPV)或者聚芴形成。HTL和EML可通过丝网印刷或喷墨印刷等来形成。
有机层62不限于上面描述的有机层，并且可以以各种方式来实施。
像素电极61用作阳极，对电极63用作阴极。可选择地，像素电极61可用作阴极，对电极63可用作阳极。
像素电极61可形成为透明电极或者反射电极。这样的透明电极可由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或者氧化铟(In2O3)形成。这样的反射电极可通过由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物(compound)形成反射层以及在所述反射层上形成由ITO、IZO、ZnO或者In2O3制成的层来形成。
对电极63可形成为透明电极或者反射电极。当对电极63形成为透明电极时，对电极63用作阴极。为此，这种透明电极可通过将具有低功函数的金属(例如，锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或者它们的混合物)沉积在有机层62的表面上并在其上由透明电极形成材料(例如ITO、IZO、ZnO、In2O3等)形成辅助电极层或者汇流电极线(bus electrode line)来形成。当对电极63形成为反射电极时，所述反射电极可通过将Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或者它们的混合物沉积在有机层62的整个表面上来形成。
在如上所描述的有机发光显示装置中，包括发射层的有机层62可通过利用如上所述的薄膜沉积设备100(参照图1)来形成。上面描述的根据本发明的实施例的薄膜沉积设备可被应用于形成有机TFT的无机层或有机层，并可应用于形成由各种材料制成的层。
如上所描述的，根据本发明的各方面的薄膜沉积设备可被容易地制造并可被简单地应用于大规模制造大尺寸的显示装置。薄膜沉积设备可提高生产良率和沉积效率。
虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但是本领域技术人员应当理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对实施例作出各种改变，本发明的范围由权利要求和其等同物来限定。

Claims (55)

1.一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；
图案化缝隙片，被设置成与所述沉积源喷嘴单元相对，所述图案化缝隙片包括布置在沿与第一方向垂直的第二方向的行中的多个图案化缝隙，
其中，在基底和薄膜沉积设备中的一个相对于基底和薄膜沉积设备中的另一个沿第一方向移动的同时执行沉积，
其中，图案化缝隙片在使用中被布置为与基底分开预定的距离。
2.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括连接沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片的连接构件。
3.根据权利要求2所述的薄膜沉积设备，其中，连接构件引导被排出的沉积材料的移动。
4.根据权利要求2所述的薄膜沉积设备，其中，连接构件密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间，使所述空间与外部空气隔离。
5.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，薄膜沉积设备与基底分开预定距离。
6.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，当基底和薄膜沉积设备中的一个相对于基底和薄膜沉积设备中的另一个沿第一方向移动的同时，从薄膜沉积设备排出的沉积材料被连续地沉积在基底上。
7.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，薄膜沉积设备的图案化缝隙片比基底小。
8.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括设置在沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的校正板，以阻挡从沉积源排出的沉积材料中的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备，其中，校正板被设置成使得形成在基底上的薄膜在整个基底上具有恒定的厚度。
10.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备，其中，校正板的高度作为到图案化缝隙片的中间部分的距离的函数而逐渐减小。
11.根据权利要求10所述的薄膜沉积设备，其中，校正板具有圆弧形状或者余弦曲线形状。
12.根据权利要求8所述的薄膜沉积设备，其中，校正板被形成为在图案化缝隙片的中间部分阻挡的沉积材料比在图案化缝隙片的端部阻挡的沉积材料多。
13.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，所述多个图案化缝隙中的每个图案化缝隙被形成为具有与相邻的一个图案化缝隙的沿第一方向延伸的长度不同的沿第一方向延伸的长度。
14.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备，其中，所述多个图案化缝隙被设置成使得形成在基底上的薄膜在整个基底上具有恒定的厚度。
15.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备，其中，沉积在基底上的沉积材料的量根据图案化缝隙的长度来控制。
16.根据权利要求13所述的薄膜沉积设备，其中，位于图案化缝隙片的中间部分的图案化缝隙的长度短于位于图案化缝隙片的端部的图案化缝隙的长度。
17.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，多个沉积源喷嘴中的每个以相应的预定角度倾斜。
18.根据权利要求17所述的薄膜沉积设备，其中，
所述多个沉积源喷嘴包括布置在沿第一方向形成的两行中的沉积源喷嘴，
在所述两行中的沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。
19.根据权利要求17所述的薄膜沉积设备，其中，
所述多个沉积源喷嘴包括布置在沿第一方向形成的两行中的沉积源喷嘴，
布置在位于图案化缝隙片的第一侧的行中的沉积源喷嘴朝向图案化缝隙片的第二侧倾斜，
布置在位于图案化缝隙片的第二侧的另一行中的沉积源喷嘴朝向图案化缝隙片的第一侧倾斜。
20.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，所述沉积源包括：
第一沉积源，排出主体材料；
第二沉积源，设置在第一沉积源的侧面并排出掺杂剂材料。
21.根据权利要求20所述的薄膜沉积设备，其中，从第一沉积源排出的主体材料的至少一部分以及从第二沉积源排出的掺杂剂材料的至少一部分互相混合。
22.根据权利要求20所述的薄膜沉积设备，其中，第一沉积源和第二沉积源沿第一方向对齐。
23.根据权利要求22所述的薄膜沉积设备，其中，所述沉积源喷嘴单元包括：
第一沉积源喷嘴单元，设置在第一沉积源的侧部并包括沿第一方向布置的多个第一沉积源喷嘴；第二沉积源喷嘴单元，设置在第二沉积源的侧部并包括沿第一方向布置的多个第二沉积源喷嘴。
24.根据权利要求21所述的薄膜沉积设备，其中，多个沉积源喷嘴的每个以相应的预定角度倾斜。
25.根据权利要求24所述的薄膜沉积设备，其中，
第一沉积源喷嘴单元的多个第一沉积源喷嘴朝着多个第二沉积源喷嘴倾斜，
所述第二沉积源喷嘴单元的所述多个第二沉积源喷嘴朝着所述多个第一沉积源喷嘴倾斜。
26.根据权利要求24所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源喷嘴的倾斜方式是使得当主体材料和掺杂剂材料沉积在整个基底沉积上时，主体材料和掺杂剂材料以恒定的混合比混合。
27.根据权利要求24所述的薄膜沉积设备，其中，第一沉积源和第二沉积源各自包括线性源。
28.根据权利要求20所述的薄膜沉积设备，其中，
第一沉积源包括线性源，
第二沉积源包括一个或多个点源。
29.根据权利要求20所述的薄膜沉积设备，其中，
第一沉积源是包括多个点源的旋转式装置，
第二沉积源包括一个或多个点源。
30.根据权利要求1所述的薄膜沉积设备，其中，所述薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件，每个薄膜沉积组件包括薄膜沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片。
31.一种用于在基底上形成薄膜的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括多个薄膜沉积组件，每个薄膜沉积组件包括：
沉积源，排出沉积材料；
沉积源喷嘴单元，设置在沉积源的一侧并包括沿第一方向布置的多个沉积源喷嘴；
图案化缝隙片，被设置成与所述沉积源喷嘴单元相对，所述图案化缝隙片包括布置在沿与第一方向垂直的第二方向的行中的多个图案化缝隙，
其中，在基底和薄膜沉积设备中的一个相对于基底和薄膜沉积设备中的另一个沿第一方向移动的同时执行沉积。
32.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，对于每个薄膜沉积组件，每个薄膜沉积组件中的沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片一体地形成。
33.根据权利要求32所述的薄膜沉积设备，其中，每个薄膜沉积组件还包括连接沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片的连接构件。
34.根据权利要求33所述的薄膜沉积设备，其中，对于每个薄膜沉积组件，连接构件引导被排出的沉积材料的移动。
35.根据权利要求33所述的薄膜沉积设备，其中，对于每个薄膜沉积组件，连接构件密封沉积源、沉积源喷嘴单元和图案化缝隙片之间的空间。
36.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，薄膜沉积设备与基底分开预定距离。
37.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，当基底和薄膜沉积设备中的一个相对于基底和薄膜沉积设备中的另一个沿第一方向移动的同时，从薄膜沉积设备排出的沉积材料被连续地沉积在基底上。
38.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，每个图案化缝隙片比基底小。
39.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源分别包含不同的沉积材料。
40.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，分别容纳在沉积源中的沉积材料同时沉积在基底上。
41.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备还包括另外的薄膜沉积组件，所述另外的薄膜沉积组件包括另外的薄膜沉积源、另外的沉积源喷嘴单元和另外的图案化缝隙片，其中，分别容纳在薄膜沉积组件的沉积源中的沉积材料包括用于形成红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层的材料。
42.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，沉积源的沉积温度能被独立地控制。
43.根据权利要求31所述的薄膜沉积设备，其中，从沉积源排出的沉积材料的沉积量能被独立地控制。
44.一种用于在具有一定长度和一定宽度的基底上形成薄膜的薄膜沉积设备，所述薄膜沉积设备包括：
沉积源，容纳沉积材料，并通过沉积源喷嘴单元排出沉积材料；
图案化缝隙片，具有多个开口，沉积材料在通过沉积源喷嘴单元排出之后穿过所述多个开口，图案化缝隙片具有小于基底的长度的长度，
其中，通过在图案化缝隙片和基底的相对运动期间沉积沉积材料来使薄膜沿着基底的长度形成。
45.根据权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，图案化缝隙片的宽度小于基底的宽度。
46.根据权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，所述多个开口中的每个开口具有相同的尺寸。
47.根据权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，每个开口的尺寸作为到图案化缝隙片的中心的距离的函数而改变。
48.根据权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，沉积材料穿过的所述多个开口被设置在沿着图案化缝隙片的宽度延伸的行中。
49.根据权利要求48所述的薄膜沉积设备，其中，
沉积源喷嘴单元包括朝着图案化缝隙片延伸的一行喷嘴，沉积材料朝着所述多个开口穿过所述喷嘴，
所述行沿着图案化缝隙片的长度延伸。
50.根据权利要求49所述的薄膜沉积设备，其中，至少一个喷嘴的角度被设置成使得沉积材料沿不与图案化缝隙片垂直的方向从所述至少一个喷嘴喷出。
51.根据权利要求44所述的薄膜沉积设备，其中，
沉积材料包括第一材料和第二材料，
沉积源包括容纳第一材料的第一坩埚和容纳第二材料的第二坩埚。
52.一种在具有一定长度和一定宽度的基底上制造薄膜的方法，所述方法包括：
从沉积源喷嘴单元通过图案化缝隙片中的多个开口传输沉积材料，所述图案化缝隙片的长度小于基底的长度；
在图案化缝隙片与基底的相对运动期间，沿着基底的长度沉积被传输的沉积材料，以形成所述薄膜。
53.根据权利要求52所述的方法，其中：
所述沉积材料包括第一材料和第二材料，
沉积被传输的沉积材料的步骤包括同时在薄膜中沉积第一材料和第二材料。
54.根据权利要求52所述的方法，其中，传输沉积材料的步骤包括将穿过所述多个开口的中间开口的沉积材料的量调节成与穿过所述多个开口的边缘开口的沉积材料的量基本相同。
55.根据权利要求52所述的方法，所述方法还包括，当在薄膜中沉积沉积材料的同时，通过以下步骤形成另一薄膜：
从另一沉积源喷嘴单元穿过另一图案化缝隙片中的开口传输另一沉积材料，所述另一图案化缝隙片的长度小于基底的长度；
在另一图案化缝隙片与基底的相对运动期间，沿着基底的长度沉积被传输的另一沉积材料，以形成所述另一薄膜。
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