KR101542398B1 - 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 장치는 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 구조물, 상기 박막 구조물 위에 위치하며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 각각 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위치하는 제1 발광 부재, 상기 제3 영역에 형성되어 있는 제2 발광 부재를 포함하고, 상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고, 상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가진다.
유기 발광 소자, 청색, 색필터

Description

유기 발광 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF}
본 발명은 유기 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치는 복수의 화소를 포함하며, 각 화소는 유기 발광 소자(organic light emitting element)와 이를 구동하기 위한 복수의 박막 트랜지스터를 포함한다.
유기 발광 소자는 애노드와 캐소드 및 그 사이의 유기 발광 부재 등을 포함하는데, 유기 발광 부재는 적색, 녹색, 청색 등 삼원색의 빛을 내거나 흰색의 빛을 낸다.
유기 발광 부재를 형성하기 위하여, 각 발광 색마다 별도로 금속 마스크를 이용하여 패터닝하거나, 잉크젯 방식으로 형성한다.
그러나, 표시 장치의 크기가 커지고, 해상도가 높아지면서, 유기 발광 부재를 형성하기 위한 마스크의 크기도 커지고 화소의 크기는 줄고 있다. 따라서, 크기가 큰 금속 마스크가 증착 공정 동안 영역 별로 휘거나, 작은 화소 영역에 대응하도록 정확하게 정렬하기 어려워지고 있다. 또한, 잉크젯 인쇄 방식을 이용할 경 우, 용액 형태의 발광 부재를 이용하여야 하는데, 증착 방식에 이용되는 발광 부재에 비하여 발광 특성이 낮은 단점이 있다.
따라서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 유기 발광 부재를 간단히 형성하면서도, 높은 발광 특성 및 높은 표시 특성을 달성할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 장치는 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 구조물, 상기 박막 구조물 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 각각 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성되어 있는 제1 발광 부재, 상기 제3 영역에 형성되어 있는 제2 발광 부재를 포함하고, 상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고, 상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가진다.
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재와 약 580nm 내지640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재가 적층된 구조일 수 있다.
상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적과 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 서로 거의 같을 수 있다.
상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적과 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 서로 다를 수 있다.
상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적의 약 2배일 수 있다.
상기 제2 발광 부재는 약 460nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터 및 상기 박막 구조물 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역에 각각 위치하는 제1 반투과 부재, 제2 반투과 부재 및 제3 반투과 부재, 상기 제1 반투과 부재 위에 형성되어 있는 보조 부재, 상기 보조 부재, 상기 제2 반투과 부재 및 상기 제3 반투과 부재 위에 각각 형성되어 있는 제1 화소 전극, 제2 화소 전극 및 제3 화소 전극, 그리고 상기 제1 유기 발광 부재 및 상기 제2 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 발광 부재의 두께는 상기 제2 유기 발광 부재의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 보조 부재와 상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 화 소 전극은 동일한 층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 장치는 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 구조물, 상기 박막 구조물 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 각각 위치하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 형성되어 있는 제1 발광 부재, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 형성되어 있는 제2 발광 부재를 포함하고, 상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고, 상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가진다.
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재와 약 580nm 내지640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재가 적층된 구조일 수 있다.
상기 제2 발광 부재는 약 460nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터 및 상기 박막 구조물 위에 형성되어 있는 절연막, 상기 절연막 위에 형성되어 있으며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역에 각각 위치하는 제1 반투과 부재, 제2 반투과 부재 및 제3 반투과 부재, 상기 제1 반투과 부재 위에 형성되어 있는 보조 부재, 상 기 보조 부재, 상기 제2 반투과 부재 및 상기 제3 반투과 부재 위에 각각 형성되어 있는 제1 화소 전극, 제2 화소 전극 및 제3 화소 전극, 그리고 상기 제1 유기 발광 부재 및 상기 제2 유기 발광 부재 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 유기 발광 부재의 두께는 상기 제2 유기 발광 부재의 두께보다 두꺼울 수 있다.
상기 보조 부재와 상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 화소 전극은 동일한 층으로 이루어질 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판 위에 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터를 형성하는 단계, 제1 개구부를 가지는 제1 금속 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 제1 발광 부재를 적층하는 단계, 그리고 제2 개구부를 가지는 제2 금속 마스크를 이용하여, 상기 제3 영역에 제2 발광 부재를 적층하는 단계를 포함하고, 상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고, 상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 발광 부재의 적층 단계는 상기 제1 금속 마스크를 이용하여, 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재를 적층하는 단계와, 약 580nm 내지 640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재를 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 금속 마스크의 상기 제1 개구부의 면적과 상기 제2 금속 마스크의 상기 제2 개구부의 면적은 서로 거의 같을 수 있다.
상기 제1 금속 마스크의 상기 제1 개구부의 면적은 상기 제2 금속 마스크의 상기 제2 개구부의 면적보다 약 2배 클 수 있다.
상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역에 각기 제1 반투과 부재, 제2 반투과 부재 및 제3 반투과 부재를 형성하는 단계, 상기 제1 반투과 부재 위에 보조 부재를 형성하는 단계, 상기 보조 부재, 상기 제2 반투과 부재 및 상기 제3 반투과 부재 위에 각각 제1 화소 전극, 제2 화소 전극 및 제3 화소 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 유기 발광 부재 및 상기 제2 유기 발광 부재 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 보조 부재와 상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 화소 전극은 동일한 층으로 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판 위에 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터를 형성하는 단계, 제1 개구부를 가지는 제1 금속 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 제1 발광 부재를 적층하는 단계, 그리고 제2 개구부를 가지는 제2 금속 마스크를 이용 하여, 상기 제3 영역에 제2 발광 부재를 적층하는 단계를 포함하고,
상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다.
상기 제1 발광 부재의 적층 단계는 상기 제1 금속 마스크를 이용하여, 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재를 적층하는 단계와, 약 580nm 내지 640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재를 적층하는 단계를 포함할 수있다.
이와 같이 함으로써, 표시 장치의 유기 발광 부재를 쉽게 형성하면서도, 우수한 특성을 가지는 유기 발광 장치를 제공할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 배치에 대하여 설명한다.
도 1은 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1(a)는 화소의 배치를 나타내고, 도 1(b)는 도 1(a)에 도시한 화소에 배치되어 있는 발광 부재를 나타낸다.
도 1(a)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치는 적색을 표시하는 적색 화소(R), 녹색을 표시하는 녹색 화소(G), 그리고 청색을 표시하는 청색 화소(B)가 하나의 군(G1)을 이루어 배치되어 있으며, 이러한 화소 군(G1)은 행 및/또는 열을 따라 반복될 수 있으며, 각 군(G1)에 배치되어 있는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 배치 순서는 변화 가능하다. 도 1(a)에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 화소 군(G1)에 배치되어 있는 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)가 각기 차지하는 영역의 면적은 거의 동일하고, 청색 화소(B)가 차지하는 영역의 면적은 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)가 각기 차지하는 영역의 면적보다 클 수 있으며, 2배일 수 있다.
도 1(b)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 발광 부재(370b)가 배치되어 있다. 제1 발광 부재(370a)가 차지하는 영역의 면적과 제2 발광 부재(370b)가 차지하는 영역의 면적은 서로 거의 같을 수 있다. 제1 발광 부재(370a)와 제2 발광 부재(370b)는 유기 발광 부재일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다. 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광하는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광하는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 단일 층으로 이루어질 수 있으며, 이러한 단일 층은 백색 발광 부재와 주황색을 발광할 수 있는 안료를 포함할 수 있다. 주황색을 발광할 수 있는 안료는 적색 안료와 녹색 안료의 혼합 형태일 수 있다.
다음으로, 도 2를 참고하면, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 배치에 대하여 설명한다. 도 2는 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 2(a)는 화소의 배치를 나타내고, 도 2(b)는 도 2(a)에 도시한 화소에 배치되어 있는 발광 부재를 나타낸다.
도 2(a)를 참고하면, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 적색을 표시하는 적색 화소(R), 녹색을 표시하는 녹색 화소(G), 그리고 청색을 표시하는 청색 화소(B)가 하나의 군(G2)을 이루어 배치되어 있으며, 이러한 화소 군(G2)은 행 및/또는 열을 따라 반복될 수 있으며, 각 군(G2)에 배치되어 있는 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 배치 순서는 변화 가능하다. 도 2(a)에 도시한 바와 같이, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)가 차지하는 영역의 면적은 서로 거의 동일할 수 있다.
도 2(b)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 발광 부재(370b)가 배치되어 있다. 제1 발광 부재(370a)가 배치되어 있는 평면 면적은 제2 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면 면적보다 클 수 있으며, 약 2배일 수 있다.
앞서 도 1에 도시한 실시예와 유사하게, 제1 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다.
그러면, 도 3을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 3을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)(PX)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171), 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172) 등을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다. 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있는 것으로 도시되어 있으나, 행 방향 또는 열 방향으로 뻗거나 그물 모양으로 형성될 수 있다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 박막 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 소자(organic light emitting element)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구 동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)으로부터 받은 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)으로부터 받은 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 소자(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 소자(LD)는 예를 들면 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)로서, 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 소자(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이지만, 이들 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 소 자(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
경우에 따라서는 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 외에도 구동 트랜지스터(Qd)나 유기 발광 소자(LD)의 문턱 전압 보상을 위한 다른 트랜지스터들이 더 있을 수 있다.
그러면, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소 군의상세 구조에 대하여 도 4를 참고하여 설명한다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)를 포함한다. 적색, 녹색, 청색의 삼원색 대신 다른 색상의 삼원색 화소를 포함할 수도 있다.
도면에서 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B)와 관련된 부분들에 대해서는 각각 도면 부호의 숫자 뒤에 R, G, B를 붙였다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(Qs)가 형성되어 있다. 기판(110) 위에는 이외에도 다른 박막 구조물(112)이 형성되어 있다. 이러한 박막 구조물 중에는 구동 트랜지스터(Qd) 및 스위칭 트랜지스터(Qs)를 덮는 절연막을 포함할 수 있으며, 구동 트랜지스터(Qd) 및 스위칭 트랜지스터(Qs)의 아래에도 다른 박막 구조물이 형성될 수 있다.
박막 구조물(112) 위에는 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B)가 형성되어 있고, 색필터(230R, 230G, 230B) 및 박막 구조물(112) 위에는 덮개막(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250)은 유기물로 만들어지며, 표면이 평탄할 수 있다. 덮개막(250)에는 구동 트랜지스터(Qd) 위에 위치한 복수의 관통 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다.
덮개막(250) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 ITO, IZO, 또는 ZnO와 같은 투명한 도전체로 만들어질 수 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 덮개막(250)에 형성되어 있는 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 구동 트랜지스터(Qd) 와 전기적으로 연결되어 있으며, 애노드(anode) 역할을 할 수 있다. 각 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 적색 화소(R), 청색 화소(B), 녹색 화소(G)에서 동일한 두께를 가질 수 있다.
화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 각 화소를 정의하기 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 복수의 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있다. 제1 유기 발광 부재(370a)는 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에 배치되어 있고, 제2 발광 부재(370b)는 청색 화소(B)에 배치되어 있다. 제2 발광 부재(370b)의 두께는 제1 발광 부재(370a)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다. 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광하는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광하는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 단일 층으로 이루어질 수 있으며, 이러한 단일 층은 백색 발광 부재와 주황색을 발광할 수 있는 안료를 포함할 수 있다. 주황색을 발광할 수 있는 안료는 적색 안료와 녹색 안료의 혼합 형태일 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있는 평면 면적은 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면 면적과 거의 같거나 클 수 있으며, 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면 면적보다 큰 경우, 약 2배 정도 클 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)는 유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 유기 발광층과 유기 발광층의 발광 효율을 개선하기 위한 부대층(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 부대층은 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)에 공통될 수 있으며, 표시 장치 전면에 적층되어 있을 수 있다.
부대층은 전자 수송층, 정공 수송층, 전자 주입층 및 정공 주입층에서 선택된 하나 이상일 수 있다.
유기 발광 부재(370a, 370b) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속으로 만들어질 수 있으며 캐소드(cathode) 역할을 한다. 공통 전극(270)은 기판의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 애노드 역할을 하는 화소 전극(191R, 191G, 191B,)과 쌍을 이루어 유기 발광층(370a, 370b)에 전류를 흘려 보낸다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다.
그러나, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 반사성 금속으로 이루어진 화소 전극(191)과 투명한 도전체로 이루어진 공통 전극(270)을 포함함으로써, 기판(110)의 위쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시할 수도 있다.
그러면, 도 5를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 5는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 층상 구조는 도4에 도시한 유기 발광 표시 장치와 유사하다.
절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(Qs)를 포함하는 박막 구조물(112)이 형성되어 있고, 박막 구조물(112) 위에는 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B)가 형성되어 있고, 색필터(230R, 230G, 230B) 및 박막 구조물(112) 위에는 구동 트랜지스터(Qd) 위에 위치한 복수의 관통 구멍(도시하지 않음)을 가지는 덮개막(250)이 형성되어 있다.
그러나, 도 4에 도시한 유기 발광 표시 장치와는 달리, 덮개막(250) 위에는 반투과(translucent) 부재(193R, 193G, 193B)가 형성되어 있다. 반투과 부재(193R, 193G, 193B)는 후술하는 공통 전극(270)과 미세 공진 구조를 형성하는데, 이에 대해서는 아래에서 설명한다.
반투과 부재(193R, 193G, 193B)는 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 또는 그 합금 따위의 반사도가 높은 금속으로 만들어질 수 있으며 두께는 약 100 ~ 200 일 수 있다. 이와 같이 금속이라도 두께가 얇으면 입사광이 반사되기도 하고 투과되기도 하는 반투과 특성을 가지게 된다.
도시하지는 않았지만, 반투과 부재(193R, 193G, 193B) 및 덮개막(250) 위에는 반투과 부재(193R, 193G, 193B, 193W)의 산화를 방지하기 위한 절연막(도시하지 않음)을 포함할 수 있다.
또한, 적색 화소(R)의 반투과 부재(193R) 위에는 보조 부재(192R)가 배치되어 있다.
적색 화소(R)의 보조 부재(192R)와 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 반투과 부재(193G, 193B) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 덮개막(250)에 형성되어 있는 접촉 구멍(도시하지 않음)을 통하여 구동 트랜지스터(Qd) 와 전기적으로 연결되어 있으며, 애노드(anode) 역할을 할 수 있다. 각 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 적색 화소(R), 청색 화소(B), 녹색 화소(G)에서 동일한 두께를 가질 수 있다.
적색 화소(R)의 보조 부재(192R)는 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 같은 층으로 이루어질 수 있으며, 질화 규소(SiNx) 등과 같은 투명한 절연막으로 이루어질 수도 있다. 적색 화소(R)의 보조 부재(192R)가 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 동일한 층으로 이루어지는 경우, 화소 전극(191R, 191G, 191B) 형성 시에 하나의 포 토 마스크를 이용하여 동시에 형성할 수도 있다.
화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 각 화소를 정의하기 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 복수의 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있다. 제1 유기 발광 부재(370a)는 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에 배치되어 있고, 제2 발광 부재(370b)는 청색 화소(B)에 배치되어 있다. 제2 발광 부재(370b)의 두께는 제1 발광 부재(370a)의 두께보다 얇게 형성될 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다. 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광하는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광하는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 단일 층으로 이루어질 수 있으며, 이러한 단일 층은 백색 발광 부재와 주황색을 발광할 수 있는 안료를 포함할 수 있다. 주황색을 발광할 수 있는 안료는 적색 안료와 녹색 안료의 혼합 형태일 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있는 평면 면적은 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면 면적과 거의 같거나 클 수 있으며, 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면 면적보다 큰 경우, 약 2배 정도 클 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)는 유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 유기 발광층과 유기 발광층의 발광 효율을 개선하기 위한 부대층(도시하지 않음)을 포함할 수 있다. 유기 발광 부재(370a, 370b) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄, 은 등을 포함하는 반사성 금속으로 만들어질 수 있으며 캐소드(cathode) 역할을 한다. 공통 전극(270)은 기판의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 애노드 역할을 하는 화소 전극(191R, 191G, 191B,)과 쌍을 이루어 유기 발광층(370a, 370b)에 전류를 흘려 보낸다.
이러한 유기 발광 표시 장치는 기판(110)의 아래쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다. 유기 발광 부재(370)의 유기 발광층에서 기판(110) 쪽으로 방출된 빛은 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 보조 부재(192R)를 통과하여, 반투과 부재(193R, 193G, 193B)에 이른다. 반투과 부재(193R, 193G, 193B)는 입사광을 공통 전극(270) 쪽으로 반사하며 공통 전극(270)은 이를 다시 반사하여 반투과 부재(193R, 193G, 193B)로 보낸다. 이와 같이, 반투과 부재(193R, 193G, 193B)와 공통 전극(270) 사이에서 왕복하는 빛은 간섭 등의 광학적 과정을 거치고 적절한 조건이 되면 반투과 부재(193R, 193G, 193B) 및 색필터(230R, 230G, 230B)를 통과하여 바깥으로 나간다.
미세 공진 구조는 빛이 광로 길이(optical length)만큼 떨어져 있는 반사층과 반투명 층 사이에서 반복적으로 반사됨으로써 보강 간섭에 의해 특정 파장의 빛을 증폭하는 것이다. 여기서 공통 전극(270)은 반사층 역할을 하고 반투과 부재(193R, 193G, 193B)은 반투명 층 역할을 한다. 이러한 미세 공진 구조에 의하여, 유기 발광층에서 방출하는 빛 중 미세 공진의 공명 파장에 상응하는 파장 부근의 빛은 반투과 부재(193R, 193G, 193B)를 통해 강화되고, 다른 파장의 빛은 억제된다. 미세 공진 구조에서 강화되는 빛의 파장 범위는 빛의 경로에 따라 결정될 수 있다.
이때, 반투과 부재(193R, 193G, 193B)와 공통 전극(270)의 사이에 있는 박막들의 두께 등에 따라 빛의 경로가 달라지는데, 본 발명의 실시예에 따르면, 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)가 제일 길고, 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)가 제일 짧으며, 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)는 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)보다 짧고, 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)보다 길다.
본 발명의 실시예에서, 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)는 보조 부재(192R)의 두께만큼 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)보다 길고, 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)는 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 두께 차이만큼 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)보다 길다.
각 화소마다 미세 공진 구조를 다르게 형성함으로써, 색 재현성을 높일 수 있는데, 본 발명의 실시예에 따르면, 적색 화소(R)의 보조 부재(192R) 두께와 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 두께 차이를 조절하여, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 미세 공진 구조의 두께를 조절할 수 있다.
그러면, 도 6을 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광 부재(370a)의 구조에 대하여 설명한다. 도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광 부재의 단면을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6을 참고하면, 제1 발광 부재(370a)는 제1 서브 발광층(37a)과 제2 서브 발광층(37b)을 포함하고, 제1 서브 발광층(37a)과 제2 서브 발광층(37b)이 적층되어 있는 구조를 가진다. 제1 서브 발광층(37a)과 제2 서브 발광층(37b) 중 하나는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광할 수 있고, 제1 서브 발광층(37a)과 제2 서브 발광층(37b) 중 나머지 하나는 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광할 수 있다.
그러면, 도 5와 함께 도 7 내지 도 11을 참고하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 배치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법에 사용되는 금속 마스크의 예를 나타내는 평면도이다.
먼저, 도 5를 참고하면, 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd), 박막 구조물(112) 및 복수의 색필터(230R, 230G, 230B)를 형성한 다음, 감광성 유기물 따위로 만들어진 덮개막(250)을 도포하고 노광, 현상하여 덮개막(250) 및 박막 구조물(112)에 복수의 관통 구멍(도시하지 않음)을 형성한다.
이어, 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au), 니켈(Ni), 마그네슘(Mg) 및 이들의 합금 따위의 금속 박막(도시하지 않음)을 약 100Å 내지 400Å 정도의 얇은 두께로 적층하고, 그 위에 ITO를 증착하고 사진 식각하여, 화소 전극(191R, 191G, 191B), 보조 부재(192R) 및 반투과 부재(193R, 193G, 193B)를 완성한다. 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에서는 보조 부재(192R) 및 반투과 부재(193R, 193G, 193B)의 제조 단계는 생략 가능하고, 이 때, ITO를 증착하고 사진 식각하여, 화소 전극(191R, 191G, 191B)만을 형성할 수 있다.
이때, 적색 화소(R)에 배치되어 있는 보조 부재(192R)는 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 같은 층으로 이루어질 수 있다. 이 경우, 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 보조 부재(192R)는 동시에 형성될 수 있는데, ITO를 패터닝한 후, 적색 화소(R)에는 화소 전극(191R)과 보조 부재(192R)의 두께를 합한 두께의 ITO가 형성되고, 녹색 화소(G)와 청색 화소(B)에는 각기 화소 전극(191G, 191B)만형성되므로, 화소 전극(191G, 191B) 두께의 ITO만 남도록 사진 식각한다. 이처럼 동일한 층을 적층하고, 위치별로 높이가 다른 형태를 형성하기 위하여, 위치에 따라 다른 두께를 가지는 감광막을 형성하여 1차 식각 후, 감광막의 두께를 낮춘 후, 2차 식각하는 방법을 이용할 수 있다.
화소 전극(191R, 191G, 191B) 및 보조 부재(192R)를 완성한 후, 아래의 금속 박막을 식각하여, 반투과 부재(193R, 193G, 193B)를 완성한다.
만일, 적색 화소(R)에 배치되어 있는 보조 부재(192R)가 화소 전극(191R, 191G, 191B)과 다른 층으로 이루어질 경우, 먼저 금속 박막을 식각하여, 반투과 부 재(193R, 193G, 193B)를 완성하고, 적색 화소(R)에 보조 부재(192R)를 형성한 후, ITO를 적층하고 사진 식각하여 화소 전극(191R, 191G, 191B)을 완성한다.
그 후, 진공 증착 방식으로 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)를 형성한다. 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)는 서로 다른 챔버 내에서 서로 다른 금속 마스크를 이용하여 증착 하는데, 이에 대하여 도 7 내지 도 10, 그리고 도 11을 참고로 설명한다.
도 7 내지 도 10에서, (a)는 각 화소의 배치를 나타내고, (b)는 각 화소에 배치되어 있는 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 배치를 나타내고, (c)는 (b)에 도시한 제1 유기 발광 부재(370a)를 형성하기 위한 금속 마스크를 나타내고, (d)는 (b)에 도시한 제2 유기 발광 부재(370b)를 형성하기 위한 금속 마스크를 나타낸다.
도 7(a) 내지 도 10(a)를 참고하면, 화소의 배치는 도 1에 도시한 화소 군(G1)과 유사하고, 화소 군(G1)의 배치는 도 7(a) 내지 도 10(a)에 도시한 바와 같이 매우 다양할 수 있다. 또한, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)의 평면적은 청색 화소(B)의 평면적보다 작으며, 약 1/2 정도일 수 있다.
도 7(b) 내지 도 10(b)를 참고하면, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있다.
따라서, 도 7(c) 내지 도 10(c)에 도시한 바와 같이 제1 유기 발광 부재(370a)의 형태 및 배치에 따른 개구부(50a, 60a, 70a, 80a)를 가지는 금속 마스 크(50, 60, 70, 80)와 도 7(d) 내지 도 10(d)에 도시한 바와 같이, 제2 유기 발광 부재(370b)의 형태 및 배치에 따른 개구부(50b, 60b, 70b, 80b)를 가지는 금속 마스크(51, 61, 71, 81)의 2개의 금속 마스크만으로 유기 발광 부재를 적층할 수 있다. 이러한 금속 마스크의 개구부는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)의 형태 및 배치에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다.
만일 일반적인 유기 발광 표시 장치와 같이, 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B)에 각기 적색, 녹색, 청색을 발광하는 유기 발광 부재가 배치되어 있는 경우, 적색, 녹색, 청색을 발광하는 유기 발광 부재를 적층하기 위하여, 적색 화소 형태와 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크와, 녹색 화소 형태와 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크, 그리고 청색 화소 형태와 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크의 3개의 마스크가 필요하다. 또한, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)의 평면적은 청색 화소(B)의 평면적보다 작으며, 약 1/2 정도이므로, 개구부 크기가 작아서, 정확한 위치에 정렬하기 더욱 어렵다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 의할 경우, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)의 평면적은 청색 화소(B)의 평면적보다 작더라도, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 동일한 제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어, 유기 발광 부재를 적층하기 위한 금속 마스크의 개구부의 크기가 커지게 된다. 따라서, 유기 발광 부재를 적층할 때 금속 마스크의 정렬이 용이하다.
다음으로 도 11을 참고하여, 화소 군(G2)의 배치 및 금속 마스크에 대하여 설명한다. 도 11(a)는 각 화소의 배치를 나타내고, (b)는 각 화소에 배치되어 있 는 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 배치를 나타내고, (c)는 (b)에 도시한 제1 유기 발광 부재(370a)를 형성하기 위한 금속 마스크를 나타내고, (d)는 제2 유기 발광 부재(370b)를 형성하기 위한 금속 마스크를 나타낸다.
도 11(a)를 참고하면, 화소의 배치는 도 2에 도시한 화소 군(G2)과 유사하고, 화소 군(G2)의 배치는 도 7(a) 내지 도 10(a)에 도시한 예와 유사하게 매우 다양할 수 있다. 또한, 적색 화소(R), 녹색 화소(G), 청색 화소(B)의 평면적은 서로 거의 같을 수 있다.
도 11(b)를 참고하면, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있다. 따라서, 제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있는 평면적은 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면적의 약 2배일 수 있다.
유기 발광 부재를 적층하기 위하여, 도 11(b)에 도시한 제1 유기 발광 부재(370a)의 형태 및 배치에 따른 개구부(90a)를 가지는 금속 마스크(90)와 도 11(b) 도시한 제2 유기 발광 부재(370b)의 형태 및 배치에 따른 개구부(90b)를 가지는 금속 마스크(91)의 2개의 금속 마스크만으로 유기 발광 부재를 적층할 수 있다. 이러한 금속 마스크의 개구부는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)의 형태 및 배치에 따라 다양한 형태를 가질 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)가 배치되어 있는 평면적은 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있는 평면적의 약 2배일 수 있으므로, 금속 마스크의 개구부의 크기도 클 수 있고, 따라서, 금속 마스크의 개구부를 정확한 위치에 정렬하기 더욱 용이할 수 있다.
이처럼, 도 7 내지 도 11에 도시한 바와 같이, 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)의 형태 및 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크를 이용하여 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)를 차례로 형성한다.
이때, 앞서 설명하였듯이, 제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다.
제1 유기 발광 부재(370a)를 형성할 때, 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가지도록 하는 2가지의 유기 발광 부재를 혼합한 후, 동시에 한 층으로 적층할 수도 있고, 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층을 차례로 적층하여 형성할 수도 있다.
마지막으로, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 공통 전극(270)을 형성한다.
그러면, 도 12 내지 도 14를 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
먼저, 도 12를 참고하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 화 소 배치에 대하여 설명한다.
도 12는 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 12(a)는 화소의 배치를 나타내고, 도 12(b)는 도 12(a)에 도시한 화소에 배치되어 있는 발광 부재를 나타낸다.
도 12(a)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 화소는 앞서 도 1을 참고로 설명한 화소의 배치와 유사하다. 적색을 표시하는 적색 화소(R), 녹색을 표시하는 녹색 화소(G), 그리고 청색을 표시하는 청색 화소(B)가 하나의 군(G1)을 이루어 배치되어 있으며, 화소 군(G1)에 배치되어 있는 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)가 각기 차지하는 영역의 면적은 거의 동일하고, 청색 화소(B)가 차지하는 영역의 면적은 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)가 각기 차지하는 영역의 면적보다 클 수 있으며, 2배일 수 있다.
도 12(b)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)에 제2 발광 부재(370b)가 배치되어 있다. 즉 제2 발광 부재(370b)는 표시 장치 전면에 형성되어 있다.
앞서 설명한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 같이, 제1 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다. 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광하는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광하는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 단일 층으로 이루어질 수 있으며, 이러한 단일 층은 백색 발광 부재와 주황색을 발광할 수 있는 안료를 포함할 수 있다. 주황색을 발광할 수 있는 안료는 적색 안료와 녹색 안료의 혼합 형태일 수 있다.
다음으로, 도 13을 참고하면, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치의 화소 배치에 대하여 설명한다. 도 13은 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 13(a)는 화소의 배치를 나타내고, 도 13(b)는 도 13(a)에 도시한 화소에 배치되어 있는 발광 부재를 나타낸다.
도 13(a)를 참고하면, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 표시 장치는 적색을 표시하는 적색 화소(R), 녹색을 표시하는 녹색 화소(G), 그리고 청색을 표시하는 청색 화소(B)가 하나의 군(G2)을 이루어 배치되어 있으며, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)가 차지하는 영역의 면적은 서로 거의 동일할 수 있다.
도 13(b)를 참고하면, 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치의 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 발광 부재(370a)가 배치되어 있으며, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)에 제2 발광 부재(370b)가 배치되어 있다. 즉 제2 발광 부재(370b)는 표시 장치 전면에 형성되어 있다.
앞서 설명한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치와 같이, 제1 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
그러면, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 하나의 화소 군의 상세 구조에 대하여 도 14를 참고하여 설명한다.
도 14는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적층 구조는, 도 4에 도시한 유기 발광 표시 장치와 거의 유사하다.
절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(Qs)가 형성되어 있고, 이외의 다른 박막 구조물(112)이 형성되어 있다. 박막 구조물(112) 위에는 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B)가 형성되어 있고, 색필터(230R, 230G, 230B) 및 박막 구조물(112) 위에는 덮개막(250)이 형성되어 있다. 덮개막(250) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 각 화소를 정의하기 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 복수의 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있으며, 그 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
그러나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 4에 도시한 유기 발광 표시 장치와는 달리, 제2 발광 부재(370b)가 표시 장치 전면에 형성되어 있다.
따라서, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있다.
제2 발광 부재(370b)의 두께는 제1 발광 부재(370a)의 두께보다 얇다.
제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 제2 유기 발광 부재(370b)가 기판 전면에 형성되어 있기 때문에, 제2 유기 발광 부재(370b)를 적층하기 위한 금속 마스크가 필요 없다. 따라서, 제1 유기 발광 부재(370a)의 형태 및 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크 하나만으로 유기 발광 부재를 형성할 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 부재(370a)는 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)의 두 화소에 배치되어 금속 마스크의 개구부의 크기는 화소 크기의 약 2배 이상이어서, 금속 마스크의 개구부를 정확한 위치에 정렬하기 용이하다.
도 4에 도시한 유기 발광 표시 장치의 여러 가지 특징들이 도 14에 도시한 유기 발광 표시 장치에도 적용될 수있다.
그러면, 도 15를 참고로 하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다. 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적층 구조는, 도 5에 도시한 유기 발광 표시 장치와 거의 유사하다.
절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(Qs)가 형성되어 있고, 이외의 다른 박막 구조물(112)이 형성되어 있다. 박막 구조물(112) 위에는 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B)가 형성되어 있고, 색필터(230R, 230G, 230B) 및 박막 구조물(112) 위에는 덮개막(250)이 형성되어 있고, 덮개막(250) 위에는 반투과(translucent) 부재(193R, 193G, 193B)가 형성되어 있고, 적색 화소(R)의 반투과 부재(193R) 위에는 보조 부재(192R)이 배치되어 있다. 적색 화소(R)의 보조 부재(192R)와 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 반투과 부재(193G, 193B) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 각 화소를 정의하기 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 복수의 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있으며, 그 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
그러나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 5에 도시한 유기 발광 표시 장치와는 달리, 제2 발광 부재(370b)가 표시 장치 전면에 형성되어 있다.
따라서, 적색 화소(R)와 녹색 화소(G)에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있으며, 청색 화소(B)에는 제2 유기 발광 부재(370b)가 배치되어 있다.
제2 발광 부재(370b)의 두께는 제1 발광 부재(370a)의 두께보다 얇다.
제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있다. 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에 있으며, 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
또한, 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)가 제일 길고, 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)가 제일 짧으며, 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)는 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)보다 짧고, 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)보다 길다.
본 발명의 실시예에서, 적색 화소(R)의 광로 길이(Dr)는 보조 부재(192R)의 두께만큼 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)보다 길고, 녹색 화소(G)의 광로 길이(Dg)는 제1 유기 발광 부재(370a)의 두께만큼 청색 화소(B)의 광로 길이(Db)보다 길다.
각 화소마다 미세 공진 구조를 다르게 형성함으로써, 색 재현성을 높일 수 있는데, 본 발명의 실시예에 따르면, 적색 화소(R)의 보조 부재(192R) 두께와 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 두께 차이를 조절하여, 적색 화소(R), 녹색 화소(G) 및 청색 화소(B)의 미세 공진 구조의 두께를 조절할 수 있다.
또한, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 경우, 제2 유기 발광 부재(370b)가 기판 전면에 형성되어 있기 때문에, 제2 유기 발광 부재(370b)를 적층하기 위한 금속 마스크가 필요 없다. 따라서, 제1 유기 발광 부재(370a)의 형태 및 배치에 따른 개구부를 가지는 금속 마스크 하나만으로 유기 발광 부재를 형성할 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 부재(370a)는 적색 화소(R) 및 녹색 화소(G)의 두 화소에 배치되어 금속 마스크의 개구부의 크기는 화소 크기의 약 2배 이상이어서, 금속 마스크의 개구부를 정확한 위치에 정렬하기 용이하다.
그러면, 도 16을 참고로 하여, 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 16은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면을 간략하게 도시한 단면도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 적층 구조는 도4에 도시한 유기 발광 표시 장치와 유사하다.
절연 기판(110) 위에 복수의 구동 트랜지스터(Qd) 및 복수의 스위칭 트랜지스터(Qs)가 형성되어 있고, 이외의 다른 박막 구조물(112)이 형성되어 있다. 박막 구조물(112) 위에는 보호막(180)이 형성되어 있고, 보호막(250) 위에는 복수의 화소 전극(191R, 191G, 191B)이 형성되어 있다. 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 각 화소를 정의하기 위한 복수의 절연 부재(361)가 형성되어 있고, 복수의 절연 부재(361) 및 화소 전극(191R, 191G, 191B) 위에는 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있으며, 그 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다.
제1 발광 부재(370a)는 제1 색, 예를 들어 주황색을 발광할 수 있고, 제2 발광 부재(370b)는 제2 색, 예를 들어 청색을 발광할 수 있다. 제1 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 녹색을 발광하는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는, 따라서 적색을 발광하는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다. 또한, 제1 발광 부재(370a)는 단일 층으로 이루어질 수 있으며, 이러한 단일 층은 백색 발광 부재와 주황색을 발광할 수 있는 안료를 포함할 수 있다. 주황색을 발광할 수 있는 안료는 적색 안료와 녹색 안료의 혼합 형태일 수 있다.
그러나, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 도 4에 도시한 유기 발광 표시 장치와는 달리, 적색 색필터(230R), 녹색 색필터(230G), 청색 색필터(230B)가 대향하는 기판(210) 위에 형성되어 공통 전극(270) 위의 배치되어 있다. 또한, 화소 전극(191R, 191G, 191B)은 반사성 금속으로 이루어지며, 공통 전극(270)은 투명 한 도전체로 이루어질 수 있다. 따라서, 제1 유기 발광 부재(370a) 및 제2 유기 발광 부재(370b)에서 기판(110) 쪽으로 방출된 빛은 화소 전극(191R, 191G, 191B)에 의해 반사되어 대향하는 기판(210)의 위쪽 방향으로 바깥으로 나간다. 따라서, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(210)의 위쪽으로 빛을 내보내어 영상을 표시한다.
본 발명은 기타 다른 구조의 유기 발광 표시 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명은 유기 발광 표시 장치 이외에, 유기 발광 부재를 이용하는 조명 장치 등에도 적용될 수있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 조명 장치는 앞서 설명한 발광 파장 중 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지는 제1 유기 발광 부재(370a)와 발광 파장 중 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지는 제2 유기 발광 부재(370b)를 포함할 수 있으며, 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 영역의 공간 합에 의해 백색 광을 표시할 수 있다.
또한, 제1 유기 발광 부재(370a)의 발광 파장 중 극대치는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가질 수 있고, 제2 유기 발광 부재(370b)의 발광 파장 중 극대치는 약 460nm일 수 있다. 또한, 제1 유기 발광 부재(370a)는 약 500nm 내지 550nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제1 서브 발광층과 약 580nm 내지 640nm의 발광 극대치 파장을 가지는 제2 서브 발광층이 적층되어 있는 구조일 수 있다.
본 발명의 한 실시예에 따른 조명 장치는 각기 서로 다른 기판에 형성되어 있는 제1 유기 발광 부재(370a)와 제2 유기 발광 부재(370b)이 조립된 형태를 가질 수 있다. 이러한 경우, 일반적으로 수명이 짧은 약 460nm 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 유기 발광 부재(370b)의 수명이 다 했을 때, 제1 유기 발광 부재(370a)이 형성되어 있는 기판은 남겨둔 채, 제2 유기 발광 부재(370b)가 형성되어 있는 기판만 교체함으로써, 조명 장치의 오류 수정을 할 수 있어, 조명 장치의 전체 수명을 늘릴 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
도 1은 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 한 실시예에 따른 제1 발광 부재의 단면을 개략적으로 나 타낸 단면도이다.
도 7 내지 도 11은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 장치의 화소 배치 및 유기 발광 장치 제조 방법에 사용되는 금속 마스크의 예를 나타내는 평면도이다.
도 12는 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 13은 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 장치에서, 복수의 화소의 배치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 다른 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 단면도이다.
<도면 부호의 설명>
110: 절연 기판 112: 박막 구조물
121: 게이트선 171: 데이터선
172: 구동 전압선
191R, 191G, 191B: 화소 전극
193R, 193G, 193B: 반투과 부재
230R, 230G, 230B: 색필터 250: 덮개막
270: 공통 전극 370: 유기 발광 부재
Cst: 유지 축전기 ILD: 구동 전류
LD: 유기 발광 소자 Qs: 스위칭 트랜지스터

Claims (28)

  1. 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판,
    상기 기판 위에 위치하는 박막 구조물,
    상기 박막 구조물 위에 위치하며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 각각 대응하는 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위치하는 제1 발광 부재,
    상기 제3 영역에 위치하는 제2 발광 부재를 포함하고,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고,
    상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재와 약 580nm 내지640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재를 포함하는 유기 발광 장치.
  4. 제3항에서,
    상기 제1 서브 발광 부재와 상기 제2 서브 발광 부재는 적층되어 있는 유기 발광 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 제1 발광 부재는 주황색을 발광하는 유기 발광 장치.
  6. 제5항에서,
    상기 제1 발광 부재는 적색을 발광하는 제1 서브 발광 부재와 녹색을 발광하는 제2 서브 발광 부재를 포함하는 유기 발광 장치.
  7. 제1항에서,
    상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적과 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 서로 거의 같은 유기 발광 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적과 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 서로 다른 유기 발광 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 제1 발광 부재가 차지하는 평면 면적은 상기 제2 발광 부재가 차지하는 평면 면적의 약 2배인 유기 발광 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 제2 발광 부재는 약 460nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 제2 발광 부재는 청색을 발광하는 유기 발광 장치.
  12. 제1항에서,
    상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터 및 상기 박막 구조물 위에 위치하는 절연막,
    상기 절연막 위에 위치하며, 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역에 각각 위치하는 제1 반투과 부재, 제2 반투과 부재 및 제3 반투과 부재,
    상기 제1 반투과 부재 위에 위치하는 보조 부재,
    상기 보조 부재, 상기 제2 반투과 부재 및 상기 제3 반투과 부재 위에 각각 위치하는 제1 화소 전극, 제2 화소 전극 및 제3 화소 전극, 그리고
    상기 제1 유기 발광 부재 및 상기 제2 유기 발광 부재 위에 위치하는 공통 전극을 더 포함하는 유기 발광 장치.
  13. 제12항에서,
    상기 제1 유기 발광 부재의 두께는 상기 제2 유기 발광 부재의 두께보다 두꺼운 유기 발광 장치.
  14. 제12항에서,
    상기 보조 부재와 상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 화소 전극은 동일한 층으로 이루어진 유기 발광 장치.
  15. 제1항에서,
    상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터는 각각 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터인 유기 발광 장치.
  16. 제1항에서,
    상기 제 2 발광 부재는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 위치하는 유기 발광 장치.
  17. 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판 위에 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 각각 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터를 형성하는 단계,
    제1 개구부를 가지는 제1 금속 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 갖는 제1 발광 부재를 형성하는 단계, 그리고
    제2 개구부를 가지는 제2 금속 마스크를 이용하여, 상기 제3 영역에 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 갖는 제2 발광 부재를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 제1 발광 부재를 형성하는 단계는 상기 제1 금속 마스크를 이용하여, 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재와약 580nm 내지640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재를 적층하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  20. 제17항에서,
    상기 제1 발광 부재는 주황색을 발광하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 제1 발광 부재를 형성하는 단계는 상기 제1 금속 마스크를 이용하여, 적색을 발광하는 제1 서브 발광 부재와 녹색을 발광하는 제2 서브 발광부재를 적층하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  22. 제17항에서,
    상기 제2 발광 부재는 청색을 발광하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  23. 제17항에서,
    상기 제1 색필터, 상기 제2 색필터 및 상기 제3 색필터를 형성하는 단계는 각각 적색 필터, 녹색 필터 및 청색 필터를 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  24. 제17항에서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제2 영역에 각기 제1 반투과 부재, 제2 반투과 부재 및 제3 반투과 부재를 형성하는 단계,
    상기 제1 반투과 부재 위에 보조 부재를 형성하는 단계,
    상기 보조 부재, 상기 제2 반투과 부재 및 상기 제3 반투과 부재 위에 각각 제1 화소 전극, 제2 화소 전극 및 제3 화소 전극을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 유기 발광 부재 및 상기 제2 유기 발광 부재 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  25. 제24항에서,
    상기 보조 부재와 상기 제1 화소 전극, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 화소 전극은 동일한 층으로 동시에 형성되는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  26. 제1 영역, 제2 영역 및 제3 영역을 포함하는 기판 위에 상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 제1 색필터, 제2 색필터 및 제3 색필터를 형성하는 단계,
    금속 마스크를 이용하여, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 제1 발광 부재를 적층하는 단계, 그리고
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 제2 발광 부재를 적층하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 약 800nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지고,
    상기 제2 발광 부재는 약 400nm 내지 약 500nm의 파장 범위 내에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  27. 제26항에서,
    상기 제1 발광 부재는 약 500nm 내지 550nm와 약 580nm 내지 640nm의 2개 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 유기 발광 장치의 제조 방법.
  28. 제27항에서,
    상기 제1 발광 부재의 적층 단계는 상기 제1 금속 마스크를 이용하여, 약 500nm 내지 550nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제1 서브 발광부재를 적층하는 단계와, 약 580nm 내지 640nm의 파장 범위에서 발광 극대치를 가지는 제2 서브 발광부재를 적층하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조 방법.
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