CN103311269B - 一种oled像素限定结构及其制作方法 - Google Patents

一种oled像素限定结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103311269B
CN103311269B CN201310205843.0A CN201310205843A CN103311269B CN 103311269 B CN103311269 B CN 103311269B CN 201310205843 A CN201310205843 A CN 201310205843A CN 103311269 B CN103311269 B CN 103311269B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
area
pix
pixel
limits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310205843.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103311269A (zh
Inventor
王辉锋
刘则
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201310205843.0A priority Critical patent/CN103311269B/zh
Publication of CN103311269A publication Critical patent/CN103311269A/zh
Priority to US14/345,540 priority patent/US10446622B2/en
Priority to PCT/CN2013/087386 priority patent/WO2014190685A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103311269B publication Critical patent/CN103311269B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/127—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or patterning of the active layer specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292—Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/84—Parallel electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/86—Series electrical configurations of multiple OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种OLED像素限定结构及其制作方法，以解决制作像素界定层时，由于像素限定区尺寸较小，需要控制液滴精确下落到像素限定区，从而增加了设备投入，导致成本较高，并且像素限定区难以形成厚度均一的薄膜的问题。本发明实施例中的像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区，其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通；由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通，液滴落入连通的亚像素限定区内，通过液体的流动性，使连通的亚像素限定区内充满液体；且由于至少两个亚像素限定区连通，增加了液体的流动性，在亚像素限定区内更易形成厚度均匀的薄膜；从而提高了显示背板的发光质量。

Description

一种OLED像素限定结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种OLED像素限定结构及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)具有自发光、快速响应、宽视角和可制作在柔性衬底上等独特特点，以OLED为基础的显示器正成为显示领域的主流。
OLED显示背板包括TFT基板、ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)像素电极、发光层和阴极等。在TFT基板上制作像素界定层，其每个像素限定区对应一个像素电极。每个像素限定区和每个像素限定区对应的像素电极越细小越密集，产品的分辨率也就越高，但是细化的像素界定区却受到打印技术的限制。以像素限定区的尺寸30μm×90μm为例，当打印机喷墨头形成的液滴直径等于30μm时，此时与像素的尺寸处于同一水平，在用喷墨打印机制备OLED器件时，需要控制液滴精确下落到像素限定区，并且落入像素限定区内的液滴在干燥后薄膜厚度均一。
现有技术中，控制液滴精确下落到像素限定区，需要高对位精度的打印设备，这需要增加设备投入，导致成本较高；并且由于像素限定区的尺寸较小，液体流动性较差，很难形成厚度均一的薄膜，影响显示背板的发光质量。
发明内容
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构，以解决制作像素界定层时，由于像素限定区尺寸较小，需要控制液滴精确下落到像素限定区，增加了设备投入，导致成本较高，并且像素限定区难以形成厚度均一的薄膜，影响显示背板的发光质量的问题。
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构，该像素限定结构包括像素界定层；
像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区，其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通。
本发明实施例提供一种OLED像素限定结构的制作方法，该方法包括：
在像素电极上涂覆一层光刻胶，形成像素限定光刻胶薄膜；
对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理，形成像素界定层；其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进行连通。
本发明实施例中的OLED像素限定结构包括像素界定层；像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区，其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通；由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通，液滴落入连通的亚像素限定区内，通过液体的流动性，使连通的亚像素限定区内充满液体；且由于至少两个亚像素限定区连通，增加了液体的流动性，在亚像素限定区内更易形成厚度均匀的薄膜；从而提高了显示背板的发光质量。
附图说明
图1为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的示意图；
图2为本发明实施例中一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通的示意图；
图3为本发明实施例中相互连通的两个同种颜色的亚像素限定区之间没有像素界定层的示意图；
图4为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素电极部分重叠的OLED像素限定结构的示意图；
图5为本发明实施例中亚像素限定区与对应的像素电极全部重叠的OLED像素限定结构的示意图；
图6为本发明实施例中亚像素限定区的亚像素发光层的示意图；
图7为本发明实施例中OLED像素限定结构的显示示意图；
图8为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的制作方法的流程示意图；
图9为本发明实施例中基板上涂覆像素限定光刻胶薄膜的剖面示意图；
图10为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的具体制作方法的流程示意图。
具体实施方式
本发明实施例中的OLED像素限定结构包括像素界定层；像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区，其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通；由于将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通，液滴落入连通的亚像素限定区内，通过液体的流动性，使连通的亚像素限定区内充满液体；且由于至少两个亚像素限定区连通，增加了液体的流动性，在亚像素限定区内更易形成厚度均匀的薄膜；从而提高了显示背板的发光质量。
下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。
如图1所示，为本发明实施例中一种OLED像素限定结构，以像素限定结构中每一列的亚像素限定区为同种颜色的亚像素限定区，且亚像素限定区包括红色亚像素限定区R，绿色亚像素限定区G，蓝色亚像素限定区B为例，其他情况与之类似；该像素限定结构包括像素界定层110，像素界定层110包括不同颜色的亚像素限定区101；其中同种颜色的至少两个亚像素限定区101连通，图中虚线所示为一个亚像素限定区，实线所示为连通后的亚像素限定区。
同种颜色的至少两个亚像素限定区101连通包括两种情况，下面分别进行介绍。
情况一、一个亚像素限定区101通过通道与同种颜色的亚像素限定区101连通，亚像素限定区之间的通道宽度小于亚像素限定区的宽度。
如图2所示，以同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区为例，图中R代表红色亚像素限定区，G代表绿色亚像素限定区，B代表蓝色亚像素限定区。一个亚像素限定区101通过通道与相邻的同种颜色的亚像素限定区101连通，每个亚像素限定区101通过通道至多与相邻的两个同种颜色的亚像素限定区101连通；或同种颜色的亚像素限定区101通过通道互相连通，即一个亚像素限定区101至少与两个同种颜色的亚像素限定区101连通；不同列的同种颜色的亚像素限定区101也可以通过通道连通。其他方式排列的亚像素限定区通过小于亚像素限定区的宽度的通道的连通方式，与同列亚像素限定区的连通方式类似，在此不再赘述。
情况二、相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区101之间的通道宽度等于亚像素限定区的宽度。
如图3所示，以同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区为例，将相邻的同列同种颜色的两个亚像素限定区101之间的像素界定层去除，形成一个亚像素限定区集合，或将相邻的同列同种颜色的亚像素限定区101之间的像素界定层去除，形成两个或两个以上亚像素限定区集合。不同列的同种颜色的亚像素限定区集合可以通过通道连通。其他方式排列的亚像素限定区通过等于亚像素限定区的宽度的通道的连通方式，与同列亚像素限定区的连通方式类似，在此不再赘述。
该像素限定结构还包括处于亚像素限定区101下的像素电极120；像素电极120和亚像素限定区101一一对应，亚像素限定区101与对应的像素电极120部分重叠或全部重叠。如图4所示，为亚像素限定区101与对应的像素电极120部分重叠的情况，该像素限定结构包括像素界定层110，像素电极120，TFT基板130，其中像素界定层110中包括亚像素限定区101；像素电极120在TFT基板130之上，亚像素限定区101位于像素电极120之上，亚像素限定区101与像素电极120部分重叠；TFT基板130未被像素电极120覆盖的区域，以及像素电极120未被亚像素限定区101覆盖的区域上为像素界定层110。如图5所示，为亚像素限定区101与对应的像素电极120全部重叠的情况，像素限定结构包括像素界定层110，像素电极120，TFT基板130，其中像素界定层110中包括亚像素限定区101；像素电极120在TFT基板130之上，亚像素限定区101位于TFT基板130之上，亚像素限定区101与像素电极120完全重叠；TFT基板130未被像素电极120覆盖的区域上为像素界定层110。
现有喷墨打印技术中，由于喷墨液滴尺寸的限制以及打印机本身打印精度的局限，制备高分辨率、高质量的显示器件非常困难。本发明实施例中，相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区101之间没有像素界定层，形成亚像素限定区集合时，可以减小喷墨打印设备打印精度误差带来的不利影响，从而提高显示背板的发光质量。在一个亚像素限定区集合中，亚像素限定区集合的发光面积，由像素电极的面积进行控制；当一个像素电极处于打开状态，则该像素电极对应的亚像素限定区集合中对应的区域被点亮；亚像素限定区集合中的其它区域，若对应的像素电极未打开则不发光。
如图6所示，亚像素限定区101中含有有机发光材料形成的亚像素发光层102，由于至少两个同种颜色的亚像素限定区连通，因此更易形成厚度均一的亚像素发光层；并且不同颜色的亚像素发光层102的厚度不同。
较佳地，在亚像素发光层上形成第二电极。如图7所示，为本发明实施例中，相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区之间去除像素界定层后的像素限定结构，将像素限定结构中全部像素电极打开后，OLED像素限定结构的显示示意图，其中701为覆盖有第二电极的亚像素发光层，702为基板。
本发明实施例中，以OLED像素限定结构中，一列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区为例，其他情况，如一行亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区，或相邻亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区的情况与之类似，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种OLED像素限定结构的制作方法，由于制作方法解决问题的原理与本发明实施例一种OLED像素限定结构相似，因此方法的实施可以参见装置的实施，重复之处不再赘述。
如图8所示，为本发明实施例中一种OLED像素限定结构的制作方法，该方法包括：
步骤801：在像素电极上涂覆一层光刻胶，形成像素限定光刻胶薄膜；
步骤802：对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理，形成像素界定层；其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进行连通。
其中步骤801在像素电极上涂覆一层光刻胶之前，还包括：在基板上形成像素电极。
步骤801具体包括：在含有像素电极的基板上旋涂或刮涂聚合物光刻胶溶液，在低温条件下去除溶液中的溶剂，形成像素限定光刻胶薄膜。如图9所示，901为基板，902为像素电极，903为像素限定光刻胶薄膜。
步骤802：对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理，包括：像素限定光刻胶薄膜经过曝光、显影形成像素限定区，其中，同种颜色的至少两个亚像素限定区连通。
如图2，图3所示，同种颜色的至少两个亚像素限定区连通包括两种情况：情况一、一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通，亚像素限定区之间的通道宽度小于亚像素限定区的宽度。一个亚像素限定区通过通道与相邻的同种颜色的亚像素限定区连通，每个亚像素限定区通过通道至多与相邻的两个同种颜色的亚像素限定区连通；或同种颜色的亚像素限定区通过通道互相连通，即一个亚像素限定区至少与两个同种颜色的亚像素限定区连通；不同列的同种颜色的亚像素限定区也可以通过通道连通。
情况二、相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区之间的通道宽度等于亚像素限定区的宽度。同列同种颜色的亚像素限定区形成一个亚像素限定区集合，或同列同种颜色的亚像素限定区形成两个或两个以上亚像素限定区集合。不同列同种颜色的亚像素限定区集合可以通过通道连通。
步骤802中对光刻胶薄膜图形化处理后，形成像素界定层，对像素界定层进行高温退火处理，其中像素界定层中含有不同颜色的亚像素限定区。
步骤802还包括：将不同颜色的有机发光材料溶液滴入对应的亚像素限定区中，由于连通的亚像素限定区更有利于液体的流动，因此同色的有机发光材料溶液的成膜厚度也易于趋于一致，去除有机发光材料溶液中的溶剂，形成如图5所示的厚度均一的亚像素发光层，其中不同颜色的亚像素发光层的厚度不同。有机发光材料溶液滴落在连通的亚像素限定区内，就可以通过液体的流动性形成厚度均一的亚像素发光层，因此对设备的精确度要求降低，也降低了设备成本。
如图10所示，为本发明实施例中，一种OLED像素限定结构的具体制作方法，该方法包括：
步骤1001：在基板上形成所需数量的像素电极；
步骤1002：在像素电极和未被像素电极覆盖的基板上旋涂光刻胶溶液；
步骤1003：在低温条件下去除光刻胶溶液中的溶剂，形成像素限定光刻胶薄膜；
步骤1004：对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理，将同种颜色的像素限定光刻胶薄膜对应的至少两个亚像素限定区连通；
步骤1005：形成含有不同颜色的亚像素限定区的像素界定层；
步骤1006：将有机发光材料溶液滴入亚像素限定区；
步骤1007：去除有机发光材料溶液中的溶剂，形成亚像素限定区发光层；
步骤1008：通过蒸镀、打印在亚像素限定区发光层上沉积第二电极，形成OLED像素限定结构。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种OLED像素限定结构，其特征在于，该像素限定结构包括像素界定层；
所述像素界定层包括不同颜色的亚像素限定区，其中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通；
在同一像素限定结构中，同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区，同列的相同颜色的亚像素限定区通过通道连通，且不同列的同种颜色的亚像素限定区通过通道连通，不同列的同种颜色的亚像素限定区互不相邻。
2.如权利要求1所述的像素限定结构，其特征在于，一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通。
3.如权利要求2所述的像素限定结构，其特征在于，所述通道的宽度小于或等于亚像素限定区的宽度。
4.如权利要求2所述的像素限定结构，其特征在于，所述通道是去除两个亚像素限定区之间部分或全部像素界定层后形成的。
5.如权利要求1～4任一所述的像素限定结构，其特征在于，所述亚像素限定区中含有不同颜色的有机发光材料形成的亚像素发光层，不同颜色的亚像素限定区的亚像素发光层的厚度不同。
6.一种OLED像素限定结构的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在像素电极上涂覆一层光刻胶，形成像素限定光刻胶薄膜；
对像素限定光刻胶薄膜进行图形化处理，形成像素界定层；其中将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区进行连通；
其中，在同一像素限定结构中，同列亚像素限定区为相同颜色的亚像素限定区，同列的相同颜色的亚像素限定区通过通道连通，且不同列的同种颜色的亚像素限定区通过通道连通，不同列的同种颜色的亚像素限定区互不相邻。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将像素界定层中同种颜色的至少两个亚像素限定区连通，包括：
将一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述将一个亚像素限定区通过通道与同种颜色的亚像素限定区连通，包括：
将相互连通的相邻两个同种颜色的亚像素限定区之间部分或全部像素界定层去除，使亚像素限定区之间的通道的宽度小于或等于亚像素限定区的宽度。
CN201310205843.0A 2013-05-29 2013-05-29 一种oled像素限定结构及其制作方法 Active CN103311269B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310205843.0A CN103311269B (zh) 2013-05-29 2013-05-29 一种oled像素限定结构及其制作方法
US14/345,540 US10446622B2 (en) 2013-05-29 2013-11-19 OLED pixel defining structure with at least two intercommunicated sub-pixel defining zones of same color, manufacturing method thereof and array substrate
PCT/CN2013/087386 WO2014190685A1 (zh) 2013-05-29 2013-11-19 Oled像素限定结构、其制作方法及阵列基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310205843.0A CN103311269B (zh) 2013-05-29 2013-05-29 一种oled像素限定结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103311269A CN103311269A (zh) 2013-09-18
CN103311269B true CN103311269B (zh) 2017-06-09

Family

ID=49136294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310205843.0A Active CN103311269B (zh) 2013-05-29 2013-05-29 一种oled像素限定结构及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10446622B2 (zh)
CN (1) CN103311269B (zh)
WO (1) WO2014190685A1 (zh)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103311269B (zh) 2013-05-29 2017-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素限定结构及其制作方法
CN103811533B (zh) * 2014-01-29 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及显示装置
TWI521271B (zh) 2014-07-31 2016-02-11 友達光電股份有限公司 畫素陣列
CN104299968B (zh) 2014-09-22 2017-04-26 京东方科技集团股份有限公司 电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置
JP6539848B2 (ja) * 2014-10-20 2019-07-10 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネルの製造方法
CN104465671B (zh) * 2014-12-26 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
KR20160130048A (ko) * 2015-04-30 2016-11-10 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
CN104882468B (zh) * 2015-06-09 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置
TWI791481B (zh) * 2017-01-30 2023-02-11 德商麥克專利有限公司 形成有機電致發光（ｅｌ）元件之方法
CN106876437B (zh) 2017-03-06 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示面板及显示基板的制作方法
EP3616241A4 (en) 2017-04-27 2021-01-20 BOE Technology Group Co., Ltd. ARRAY SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING AN ARRAY SUBSTRATE, DISPLAY BOARD, AND METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY BOARD
CN108807457B (zh) 2017-04-27 2020-04-21 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板以及制作方法、oled器件及其制作方法、显示装置
CN109427847B (zh) * 2017-08-29 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 发光层的制造方法、电致发光器件及显示装置
CN109671738B (zh) * 2017-10-13 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制作方法和显示装置
CN108520891B (zh) 2018-04-20 2020-08-04 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的喷墨打印方法、阵列基板、显示装置
CN108511505B (zh) * 2018-05-31 2021-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种像素界定层、显示基板及其制作方法、显示装置
CN109148533B (zh) * 2018-08-21 2020-09-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种有机发光二极管显示器
KR102640196B1 (ko) * 2018-10-12 2024-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN109449314B (zh) * 2018-10-30 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示面板
KR20200060588A (ko) * 2018-11-21 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110767831B (zh) * 2018-12-28 2022-10-04 昆山国显光电有限公司 透明oled基板、显示面板、阵列基板、显示屏及显示装置
CN110767699B (zh) 2018-12-28 2020-11-06 昆山国显光电有限公司 透明oled基板、显示面板、oled基板、显示屏及显示装置
KR20200133123A (ko) * 2019-05-17 2020-11-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110265563B (zh) * 2019-06-20 2021-11-16 京东方科技集团股份有限公司 用于在其上喷墨打印发光层的基板、发光器件、和用于制备基板的方法
CN110323261B (zh) * 2019-07-04 2022-09-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
US11114515B2 (en) 2019-07-23 2021-09-07 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof
CN110323265B (zh) * 2019-07-23 2020-12-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法
CN110416433B (zh) * 2019-08-02 2022-04-08 京东方科技集团股份有限公司 像素界定单元、像素界定结构、显示结构及显示装置
CN110473899B (zh) * 2019-08-16 2022-03-01 昆山国显光电有限公司 显示面板、显示装置及显示面板制备方法
JP2021086769A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光デバイス及びそれを備えたディスプレイパネル及びその製造方法
CN111341807B (zh) * 2020-02-28 2023-01-24 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构、oled显示面板
CN111463353B (zh) * 2020-03-20 2023-06-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN111640772B (zh) * 2020-06-10 2022-06-14 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN113594207B (zh) * 2020-07-28 2024-02-09 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素排列结构、掩膜板及显示面板
CN113611723A (zh) * 2020-07-28 2021-11-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素结构及显示器件
CN113013368B (zh) * 2021-02-20 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
TWI765788B (zh) * 2021-07-28 2022-05-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
US20240090270A1 (en) * 2021-11-26 2024-03-14 Hefei Boe Joint Technology Co., Ltd. Display panel, display device and method for preparing display panel
TWI800258B (zh) * 2022-02-15 2023-04-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN117678343A (zh) * 2022-06-30 2024-03-08 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709243A (zh) * 2012-05-18 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115529A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
CN101543136B (zh) * 2007-05-30 2012-05-23 松下电器产业株式会社 有机电致发光显示屏和其制造方法
CN101543135B (zh) 2007-05-31 2011-04-13 松下电器产业株式会社 有机电致发光元件和其制造方法
JP2009071176A (ja) * 2007-09-14 2009-04-02 Casio Comput Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
CN101158776A (zh) * 2007-10-15 2008-04-09 友达光电股份有限公司 彩色滤光片结构及其制作方法
KR101542398B1 (ko) * 2008-12-19 2015-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 그 제조 방법
TWI381091B (zh) * 2009-07-09 2013-01-01 Compal Electronics Inc 防盜鎖固定座
JP5126185B2 (ja) * 2009-08-26 2013-01-23 カシオ計算機株式会社 塗布装置
KR101933952B1 (ko) * 2011-07-01 2018-12-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
DE102011109568A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Rena Gmbh Abluftsystem und Verfahren dazu
US8836223B2 (en) * 2012-04-18 2014-09-16 Universal Display Corporation OLED panel with fuses
KR101929040B1 (ko) * 2012-05-31 2018-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
CN103311269B (zh) * 2013-05-29 2017-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种oled像素限定结构及其制作方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102709243A (zh) * 2012-05-18 2012-10-03 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160043150A1 (en) 2016-02-11
CN103311269A (zh) 2013-09-18
WO2014190685A1 (zh) 2014-12-04
US10446622B2 (en) 2019-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103311269B (zh) 一种oled像素限定结构及其制作方法
CN104465671B (zh) 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN103762224B (zh) 有机电致发光显示面板
CN103700685B (zh) 一种显示面板、显示装置
CN105051932B (zh) 高分辨率有机发光二极管器件
CN105242442B (zh) 量子点彩膜的制备方法
CN105372867A (zh) 量子点彩膜基板的制作方法
CN206584932U (zh) 有机发光二极管显示装置
CN101020386B (zh) 确保喷墨头喷嘴喷出的墨量一致的墨滴均一化方法
KR20080058909A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN103928497A (zh) Oled显示器件及其制作方法、显示装置
CN105118845A (zh) 有机电致发光显示基板及制备方法、显示面板、显示装置
CN105259696A (zh) 彩色滤光基板的制作方法
CN108258012A (zh) 电致发光显示装置
CN108648675A (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
TWI628647B (zh) 顯示幕及其驅動方法
CN111640772B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN106637074A (zh) 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法
US9269752B2 (en) Organic electroluminescence display
KR102434635B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 이의 제조방법
WO2021227153A1 (zh) 显示面板
KR100738103B1 (ko) 컬러 필터의 제조방법
CN106476433A (zh) 液滴排出方法以及有机el装置的制造方法
CN102393592A (zh) 全彩显示面板的像素单元及制作面板的彩色滤光层的方法
CN107785401A (zh) 彩膜基板的制作方法、彩膜基板及显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant