CN106637074A - 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法 - Google Patents

蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106637074A
CN106637074A CN201710015069.5A CN201710015069A CN106637074A CN 106637074 A CN106637074 A CN 106637074A CN 201710015069 A CN201710015069 A CN 201710015069A CN 106637074 A CN106637074 A CN 106637074A
Authority
CN
China
Prior art keywords
evaporation
mask
pixel
opening
mask plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710015069.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106637074B (zh
Inventor
王徐亮
李伟丽
甘帅燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority to CN201710015069.5A priority Critical patent/CN106637074B/zh
Publication of CN106637074A publication Critical patent/CN106637074A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106637074B publication Critical patent/CN106637074B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法，通过在OLED基板上设置标记；蒸镀掩膜板的掩膜片上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素，蒸镀掩膜板的支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记，由此通过所述蒸镀掩膜板执行蒸镀工艺时，蒸镀的单色像素将同时形成于所述标记上，由此通过测量蒸镀的单色像素与所述标记之间的偏移即可得到蒸镀像素的偏移情况。通过该方法获取蒸镀像素的偏移情况无需特别制作母玻璃板，从而降低了成本；此外，能够实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，准确反应实时蒸镀效果。

Description

蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法
技术领域
本发明涉及OLED显示器制造技术领域，特别涉及一种蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法。
背景技术
OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电致发光显示(Organic Electroluminesence Display)。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基层，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。而且OLED显示器可以做得更轻更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。OLED显示器由M*N(M和N均为自然数)个发光像素单元按照矩阵结构排列组合而成，对于彩色OLED显示器每个发光像素又包括红色像素(R)、绿色像素(G)和蓝色像素(B)。OLED显示器根据驱动方式分为主动式驱动(有源驱动)OLED(AMOLED)和被动式驱动(无源驱动)OLED(PMOLED)。
在制造OLED显示器的过程中，需要通过蒸镀掩膜板对红色像素、绿色像素和蓝色像素分别进行蒸镀。为了检验蒸镀效果、判断一些不良产生的原因，需要测量蒸镀像素的偏移情况。目前常用的测量蒸镀像素偏移情况的方法是：制作母玻璃板，在所述母玻璃板上蒸镀单色像素，通过蒸镀后的母玻璃板来判断蒸镀掩膜板对位后的像素偏移情况(也即测量蒸镀像素的偏移情况)。
这种方法需要单独制作母玻璃板，增加了人力、物力和时间成本；此外，无法实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，不能准确反应实时蒸镀效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法，以解决现有技术中测量蒸镀像素的偏移情况的成本较高并且不能准确反应实时蒸镀效果的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种蒸镀掩膜板，用以在OLED基板上蒸镀单色像素，所述蒸镀掩膜板包括：框架、固定于所述框架上的掩膜片及固定于所述框架上的支撑掩膜；其中，所述掩膜片包括有源区和过渡区，所述过渡区上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素；所述支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的固定区设置有标识，所述标识用以标示蒸镀颜色。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的两端固定区均设置有标识。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述第一开口的数量为多个。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖一个或者多个所述第一开口。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述支撑掩膜的数量为多个，其中，一个或者多个支撑掩膜上设置有第二开口。
可选的，在所述的蒸镀掩膜板中，所述有源区具有第三开口，所述第三开口用于蒸镀单色像素。
本发明还提供一种OLED基板，所述OLED基板上设置有标记。
可选的，在所述的OLED基板中，所述标记位于所述OLED基板上的非显示区。
本发明还提供一种测量蒸镀像素偏位的方法，所述测量蒸镀像素偏位的方法包括：
采用如上所述的蒸镀掩膜板对如上所述的OLED基板执行蒸镀单色像素工艺；
测量蒸镀后的OLED基板上标记与覆盖标记的单色像素之间的偏移，从而得到蒸镀像素的偏移情况。
在本发明提供的蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法中，通过在OLED基板上设置标记；蒸镀掩膜板的掩膜片上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素，蒸镀掩膜板的支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记，由此通过所述蒸镀掩膜板执行蒸镀工艺时，蒸镀的单色像素将同时形成于所述标记上，由此通过测量蒸镀的单色像素与所述标记之间的偏移即可得到蒸镀像素的偏移情况。通过该方法获取蒸镀像素的偏移情况无需特别制作母玻璃板，从而降低了人力、物力和时间成本；此外，能够实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，准确反应实时蒸镀效果。
附图说明
图1是本发明实施例的蒸镀掩膜板的部分结构示意图；
图2是本发明实施例的掩膜片的结构示意图；
图3是本发明实施例的OLED基板的结构示意图；
图4是本发明实施例的蒸镀不同颜色的单色像素时所用的支撑掩膜的比较示意图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的蒸镀掩膜板、OLED基板及测量蒸镀像素偏位的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
请参考图1至图3，其中，图1为是本发明实施例蒸镀掩膜板的部分结构示意图；图2为本发明实施例掩膜片的结构示意图；图3为本发明实施例的OLED基板的结构示意图。如图1至图2所述，所述蒸镀掩膜板1包括：框架10、固定于所述框架10上的掩膜片20及固定于所述框架10上的支撑掩膜30；其中，所述掩膜片20包括有源区21和过渡区22，所述过渡区22上设置有第一开口(图2中未示出)，所述第一开口用于蒸镀单色像素；所述支撑掩膜30上设置有第二开口31，所述第二开口31在所述掩膜片20上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口31在所述OLED基板4上的投影覆盖所述OLED基板上的标记40。
优选的，所述支撑掩膜30的固定区设置有标识32，所述标识32用以标示蒸镀颜色。即具体实现时，所述标识32可以通过红、绿、蓝等颜色来制作，具体可以与蒸镀的单向像素的颜色一致，从而方便、清楚的示出了当前蒸镀掩膜板1所要蒸镀的单色像素的颜色。更优的，所述支撑掩膜30的两端固定区均设置有标识32。由此，在制作蒸镀掩膜板1的过程中，左右移动所述支撑掩膜30均能够方便的获悉当前蒸镀掩膜板1所要蒸镀的单色像素的颜色。
请继续参考图1和图2，进一步的，所述第一开口的数量为多个，即在此每个过渡区22上均设置有多个第一开口。进一步的，所述有源区21具有第三开口(图2未示出)，所述第三开口用于蒸镀单色像素。较佳的，所述第三开口与所述第一开口的开口形式相似，例如，所述第三开口的形状、大小与所述第一开口的形状、大小相同；同时，每个有源区21具有多个第三开口，每个过渡区22具有多个第一开口，相邻两个第三开口之间的距离与相邻两个第一开口之间的距离相同。
在本申请实施例中，所述第二开口31在所述掩膜片20上的投影覆盖一个或者多个所述第一开口。当所述第二开口31覆盖一个第一开口时，通过所述蒸镀掩膜板1蒸镀单色像素时，将通过所述第二开口31和一个第一开口形成一个蒸镀单色像素(当然，还将通过有源区21上的第三开口形成多个正常的、需要的单色像素)；当所述第二开口31覆盖多个第一开口时，通过所述蒸镀掩膜板1蒸镀单色像素时，将通过所述第二开口31和多个第一开口形成多个蒸镀单色像素。
进一步的，所述支撑掩膜30的数量为多个，其中，一个或者多个支撑掩膜30上设置有第二开口31。请继续参考图1，图1中示出了三个支撑掩膜30，且每个支撑掩膜30上均设置有第二开口31。在本申请的其他实施例中，也可以仅有其中一个或者两个支撑掩膜30上设置有第二开口31，而在另外一个或者两个支撑掩膜30上不设置第二开口31，对此并不做限定。
综上可见，在本申请的设计中，只要通过第二开口31和第一开口蒸镀至少一个额外的单色像素即可。
接着，请继续参考图3，在本申请实施例中，所述标记40位于所述OLED基板4上的非显示区，从而可以完全不影响后续形成的OLED显示器的质量与显示效果。进一步的，可以在所述OLED基板4上形成一个或者多个标记40，一个或者多个标记40均位于非显示区。优选的，所述标记40通过低温多晶硅制程工艺形成，例如，在形成像素限定层的同时形成所述标记40。由此既能够很方便的形成所述标记40，又无需增加额外的制造工序。
接着，便可采用所述蒸镀掩膜板1对所述OLED基板4执行蒸镀单色像素工艺；测量蒸镀后的OLED基板上标记与覆盖标记的单色像素之间的偏移，从而得到蒸镀像素的偏移情况。可见，通过该方法获取蒸镀像素的偏移情况无需特别制作母玻璃板，从而降低了人力、物力和时间成本；此外，能够实际监控蒸镀过程中每块OLED基板对应像素的偏移情况，准确反应实时蒸镀效果。
通过上述方法便可实现单色像素的蒸镀以及测量蒸镀像素的偏移情况。对于一般的红、绿、蓝三色或者更多色的蒸镀工艺而言，接着便可继续其他单色的蒸镀。其中，蒸镀不同单色像素所使用的蒸镀掩膜板以及蒸镀方法、像素偏移的检测方法基本相同。其差别仅在于，由于蒸镀不同的单色像素，支撑掩膜上的第二开口的位置具有一定的偏移。
具体的，请参考图4，其为本发明实施例的蒸镀不同颜色的单色像素时所用的支撑掩膜的比较示意图。如图4所示，支撑掩膜30a、支撑掩膜30b、支撑掩膜30c、支撑掩膜30d和支撑掩膜30e分别用于蒸镀不同颜色的单色像素，可见，这几者的第二开口之间具有一定的偏移，从而实现蒸镀不同颜色的单色像素。此时，通过每个支撑掩膜上的标识可以很方便的看出各支撑掩膜用以蒸镀的单色像素的颜色。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种蒸镀掩膜板，用以在OLED基板上蒸镀单色像素，其特征在于，所述蒸镀掩膜板包括：框架、固定于所述框架上的掩膜片及固定于所述框架上的支撑掩膜；其中，所述掩膜片包括有源区和过渡区，所述过渡区上设置有第一开口，所述第一开口用于蒸镀单色像素；所述支撑掩膜上设置有第二开口，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖所述第一开口，所述第二开口在所述OLED基板上的投影覆盖所述OLED基板上的标记。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述支撑掩膜的固定区设置有标识，所述标识用以标示蒸镀颜色。
3.如权利要求2所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述支撑掩膜的两端固定区均设置有标识。
4.如权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第一开口的数量为多个。
5.如权利要求4所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第二开口在所述掩膜片上的投影覆盖一个或者多个所述第一开口。
6.如权利要求1～5中任一项所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述支撑掩膜的数量为多个，其中，一个或者多个支撑掩膜上设置有第二开口。
7.如权利要求1～5中任一项所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述有源区具有第三开口，所述第三开口用于蒸镀单色像素。
8.一种OLED基板，其特征在于，所述OLED基板上设置有标记。
9.如权利要求8所述的OLED基板，其特征在于，所述标记位于所述OLED基板上的非显示区。
10.一种测量蒸镀像素偏位的方法，其特征在于，所述测量蒸镀像素偏位的方法包括：
采用如权利要求1～7中任一项所述的蒸镀掩膜板对如权利要求8或9所述的OLED基板执行蒸镀单色像素工艺；
测量蒸镀后的OLED基板上标记与覆盖标记的单色像素之间的偏移，从而得到蒸镀像素的偏移情况。
CN201710015069.5A 2017-01-09 2017-01-09 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法 Active CN106637074B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710015069.5A CN106637074B (zh) 2017-01-09 2017-01-09 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710015069.5A CN106637074B (zh) 2017-01-09 2017-01-09 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106637074A true CN106637074A (zh) 2017-05-10
CN106637074B CN106637074B (zh) 2019-02-22

Family

ID=58843568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710015069.5A Active CN106637074B (zh) 2017-01-09 2017-01-09 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106637074B (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109285972A (zh) * 2018-09-28 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种发光材料的位置调整方法及装置
WO2019019728A1 (zh) * 2017-07-28 2019-01-31 昆山维信诺科技有限公司 掩膜板
WO2019062116A1 (zh) * 2017-09-29 2019-04-04 昆山国显光电有限公司 蒸镀掩膜板、oled面板及系统及蒸镀监控方法
CN109825802A (zh) * 2019-04-10 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法
CN113151779A (zh) * 2021-03-12 2021-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制备方法
CN114381688A (zh) * 2021-12-30 2022-04-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 掩膜版组件及掩膜版、蒸镀边界确认及蒸镀偏位校正方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700660B1 (ko) * 2005-04-06 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 그의 제조 방법
KR20100073734A (ko) * 2008-12-23 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 새도우 마스크의 제조 방법
CN102760842A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 三星移动显示器株式会社 用于薄膜沉积的掩模框架组件
CN204401095U (zh) * 2014-12-31 2015-06-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩膜板
JP2016108578A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
CN106169535A (zh) * 2015-05-19 2016-11-30 三星显示有限公司 掩模以及利用其使有机发光显示设备的像素图案化的方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100700660B1 (ko) * 2005-04-06 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 그의 제조 방법
KR20100073734A (ko) * 2008-12-23 2010-07-01 엘지디스플레이 주식회사 새도우 마스크의 제조 방법
CN102760842A (zh) * 2011-04-25 2012-10-31 三星移动显示器株式会社 用于薄膜沉积的掩模框架组件
JP2016108578A (ja) * 2014-12-02 2016-06-20 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク準備体、フレーム付き蒸着マスク及び有機半導体素子の製造方法
CN204401095U (zh) * 2014-12-31 2015-06-17 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩膜板
CN106169535A (zh) * 2015-05-19 2016-11-30 三星显示有限公司 掩模以及利用其使有机发光显示设备的像素图案化的方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019019728A1 (zh) * 2017-07-28 2019-01-31 昆山维信诺科技有限公司 掩膜板
CN109585695B (zh) * 2017-09-29 2020-01-24 昆山国显光电有限公司 蒸镀掩膜板、oled面板及系统及蒸镀监控方法
KR102194553B1 (ko) * 2017-09-29 2020-12-23 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 증착 마스크, oled 패널 및 시스템, 증착 모니터링 방법
CN109585695A (zh) * 2017-09-29 2019-04-05 昆山国显光电有限公司 蒸镀掩膜板、oled面板及系统及蒸镀监控方法
US11374173B2 (en) 2017-09-29 2022-06-28 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. Evaporation mask, OLED panel and system, and evaporation monitoring method
KR20190095456A (ko) * 2017-09-29 2019-08-14 쿤산 고-비젼녹스 옵토-일렉트로닉스 씨오., 엘티디. 증착 마스크, oled 패널 및 시스템, 증착 모니터링 방법
WO2019062116A1 (zh) * 2017-09-29 2019-04-04 昆山国显光电有限公司 蒸镀掩膜板、oled面板及系统及蒸镀监控方法
EP3690974A4 (en) * 2017-09-29 2020-11-25 Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. EVAPORATION MASK, OLED BOARD, SYSTEM AND EVAPORATION METHOD
CN109285972A (zh) * 2018-09-28 2019-01-29 京东方科技集团股份有限公司 一种发光材料的位置调整方法及装置
US11239423B2 (en) 2018-09-28 2022-02-01 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method and device for modifying film deposition position
CN109825802B (zh) * 2019-04-10 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法
CN109825802A (zh) * 2019-04-10 2019-05-31 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制备方法
CN113151779A (zh) * 2021-03-12 2021-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制备方法
CN114381688A (zh) * 2021-12-30 2022-04-22 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 掩膜版组件及掩膜版、蒸镀边界确认及蒸镀偏位校正方法
CN114381688B (zh) * 2021-12-30 2024-04-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 掩膜版组件及掩膜版、蒸镀边界确认及蒸镀偏位校正方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106637074B (zh) 2019-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106637074A (zh) 蒸镀掩膜板、oled基板及测量蒸镀像素偏位的方法
CN107359176B (zh) 一种有机发光显示面板及显示装置
WO2015096370A1 (zh) 显示面板及其驱动方法和显示装置
CN105070739B (zh) 显示背板及其制作方法、显示装置
CN104617231B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106816453A (zh) 有机发光二极管显示装置
CN109585490B (zh) 像素界定层、喷墨打印方法、显示基板及其制造方法、显示装置
CN106816449A (zh) Oled显示屏及其像素结构、oled显示屏的制作方法
CN103311269A (zh) 一种oled像素限定结构及其制作方法
CN103545344B (zh) 像素结构及其制造方法、发光器件、阵列基板和显示装置
WO2016149969A1 (zh) 一种oled显示用基板及显示装置
WO2016127560A1 (zh) 一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置
CN107086239A (zh) 像素结构及其制备方法和显示装置
CN105702707B (zh) 显示基板、显示装置及掩膜版
CN205645816U (zh) 双面oled显示器
TWI559526B (zh) 有機發光元件及像素陣列
CN106024846A (zh) 显示基板、显示基板的制造方法及显示装置
US11647660B2 (en) Color filter substrate and fabricating method thereof
CN107968103A (zh) 像素结构及其制造方法、显示装置
CN110400827A (zh) 一种像素排布结构及制作方法、显示面板、显示装置
CN107681040A (zh) 显示面板与结构装置
CN109860438A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN108878472A (zh) 一种oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN106157877A (zh) 像素结构和显示装置
CN105679796A (zh) 显示面板及制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant