CN102760842A

CN102760842A - 用于薄膜沉积的掩模框架组件

Info

Publication number: CN102760842A
Application number: CN2012100378783A
Authority: CN
Inventors: 洪宰敏
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2011-04-25
Filing date: 2012-02-17
Publication date: 2012-10-31
Anticipated expiration: 2032-02-17
Also published as: KR101820020B1; KR20120120703A; US9192959B2; US20120266813A1; US8881676B2; TW201304233A; TWI546996B; JP2012229484A; CN102760842B; JP6154572B2; US20150027367A1

Abstract

本发明公开了一种用于将沉积材料沉积在沉积基底上的掩模框架组件，该掩模框架组件包括：掩模框架，包括开口和围绕开口的多个框架；以及掩模，结合在掩模框架上。防变形单元形成在掩模的至少一个区域上。由于防变形单元形成在掩模中的沉积图案的外围部分上，所以可以减小掩模沿垂直方向的变形。因此，可以减少掩模与基底的有缺陷附着。

Description

用于薄膜沉积的掩模框架组件

本申请参照早先于2011年4月25日提交到韩国知识产权局且因此适时地被指定序列号10-2011-0038438的申请，将该申请包含于此，并要求该申请的全部权益。

技术领域

本发明涉及用于薄膜沉积的掩模框架组件，更具体地讲，涉及防止掩模变形的用于薄膜沉积的掩模框架组件。

背景技术

通常，包括薄膜晶体管(TFT)的有机发光显示装置(OLED)可以用在移动设备(诸如，数码相机、摄像机、便携式信息终端、智能手机、平板电脑或超薄膝上型电脑)以及诸如超薄电视的电子设备的显示装置中。

当从阳极和阴极注入的空穴和电子在有机发射层中复合时，OLED发射不同颜色的光。OLED是堆叠型显示装置，在OLED中，有机发射层插设在阳极和阴极之间。

然而，根据上述结构，可能不会执行高效发光，因此，在电极和有机发射层之间选择性地插设诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的中间层。

可以通过光刻方法或沉积方法来形成OLED的电极和包括有机发射层在内的中间层。

发明内容

本发明提供了用于薄膜沉积的掩模框架组件，该掩模框架组件可以减小掩模的变形，因此可以减少掩模与基底的附着过程中的缺陷。

根据本发明的方面，用于薄膜沉积的掩模框架组件包括：掩模框架，包括开口和围绕开口的多个框架；以及掩模，结合在掩模框架上，其中，防变形单元形成在掩模的至少一个区域上。

掩模可以包括多个沉积图案和肋，所述多个沉积图案沿掩模的长度方向彼此分开，肋设置在相邻的沉积图案之间以将沉积图案彼此连接，防变形单元可以是形成在每个肋上的第一虚设图案。

掩模还可以包括多个第二虚设图案，多个第二虚设图案形成在沉积图案的沿沉积图案的宽度方向的相对边缘上。

沉积图案、第一虚设图案和第二虚设图案可以形成为点型狭缝图案或条状狭缝图案。

掩模还可以包括半蚀刻部分，半蚀刻部分形成在沉积图案的沿沉积图案的宽度方向的相对边缘上。

可通过从第二表面蚀刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度来形成半蚀刻部分，第二表面与面对沉积基底的第一表面相背。

第一表面可以是接触将被图案化的沉积基底的表面。

掩模可以包括多个沉积图案和肋，所述多个沉积图案沿掩模的长度方向彼此分开，肋设置在相邻的沉积图案之间以将沉积图案彼此连接，防变形单元可以是形成在每个肋上的第一半蚀刻部分。

第一半蚀刻部分可以从肋的沿掩模宽度方向的两侧向掩模的沿掩模宽度方向的边缘延伸。

在将张力施加到掩模的状态下，掩模的相对的端部可以焊接到彼此面对地布置的框架。

多个框架可以包括：多个第一框架，布置为沿一个方向彼此面对；以及多个第二框架，布置为沿另一方向彼此面对，其中，多个第一框架和多个第二框架可以彼此连接以围绕开口。

掩模可以与多个第一框架平行地设置，并相对于多个第二框架连续地布置。

掩模可包括设置成横过掩模框架的开口的至少一个分体掩模。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，对本发明更完全的理解以及本发明许多随附的优点将易于清楚，同时变得更好理解，在附图中同样的标记表示相同或相似的组件，其中：

图1是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的透视图；

图2是图1中示出的分体掩模的平面图；

图3是局部地示出图2中的分体掩模的变型示例的平面图；

图4是局部地示出图2中的分体掩模的另一变型示例的平面图；

图5是根据本发明另一实施例的分体掩模的局部切开透视图；

图6是沿图5中的线□-□截取的分体掩模的剖视图；

图7是根据本发明另一实施例的分体掩模的局部切开透视图；

图8是沿图7中的线□-□截取的分体掩模的剖视图；

图9是沿图7中的线IX-IX截取的分体掩模的剖视图；

图10是局部地示出根据本发明另一实施例的分体掩模的平面图；

图11是示出使用根据本发明实施例的掩模框架组件的沉积状态的框图；以及

图12是通过使用根据本发明实施例的掩模框架组件沉积的有机发光显示装置(OLED)的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了本发明的说明性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，且不应该被解释为局限于在这里所提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，这些实施例将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的标记始终代表相同的元件。

将理解的是，尽管在这里使用了术语“第一”和“第二”来描述不同的元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被称作第二元件，类似地，第二元件可被称作第一元件。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

在下文中，将参照附图描述根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件。

用于形成普通有机发光显示装置(OLED)的光刻方法是将光致抗蚀剂施加到基底部分的湿蚀刻方法。然而，在光刻方法中，在将光致抗蚀剂与基底分开时，湿气会渗透到有机发射层中。因此，会极大地劣化OLED的诸如寿命的特性。

用于解决光刻方法的以上问题的方法之一是沉积方法。在沉积方法中，在基底上排布其图案与将要形成在基底上的薄膜的图案相同的精细金属掩模(FMM)，并在基底上以期望图案沉积用于形成薄膜的原料。

使用与掩模框架结合的大尺寸掩模作为沉积掩模。在大尺寸掩模上形成与基底的整个表面对应的薄膜图案。然而，如果FMM变大，则用于形成图案的蚀刻误差也增加。因此，图像质量劣化。

近来，已使用通过将掩模分成多个棒并将所述多个棒附于掩模框架而形成的分体掩模。当将分体掩模附于掩模框架时，在沿分体掩模的长度方向延伸的状态下，将分体掩模焊接到掩模框架。

然而，即使在使用分体掩模时，也会在沉积图案的外围部分产生由有缺陷的沉积导致的图像质量的缺陷。该问题的主要原因可能是掩模相对于基底的附着具有缺陷。

即，当分体掩模沿基底的长度方向延伸时，多个沉积图案在基底上下垂，然后，沉积图案的外围部分(即，与两个相邻的沉积图案之间的区域对应的肋)向外弯曲。因此，不能充分地执行掩模与基底的附着。因此，需要将掩模的变形最小化。

图1是根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的透视图，图2是图1中示出的分体掩模的平面图。

参照图1和图2，掩模框架组件100包括掩模框架110和掩模130。掩模130包括多个分体掩模120。

开口115形成在掩模框架110中，多个框架111至114彼此连接以围绕开口115。

框架111至114包括第一框架111、第二框架112、第三框架113和第四框架114，第一框架111和第二框架112沿X轴方向彼此面对并沿Y轴方向彼此平行地布置，第三框架113和第四框架114沿Y轴方向彼此面对并沿X轴方向彼此平行地布置。第一框架111至第四框架114分别彼此连接以形成方形框架。

另一方面，掩模框架110可以由在分体掩模120的焊接过程中很少变形的材料形成，例如，可以由具有高刚性的金属形成。

掩模130结合到掩模框架110。为了通过使用掩模130执行高精度的图案化操作，需要通过提高掩模130与位于掩模130上的基底140之间的附着程度来减少阴影。因此，可以将掩模130形成为薄板。掩模130可以由不锈钢、不胀钢、镍(Ni)、钴(Co)、Ni合金和Ni-Co合金形成。

掩模130可以包括沿Y轴方向彼此分开的多个分体掩模120，以防止掩模130因自重而下垂。在本实施例中，如所描述的，将分体掩模120形成为条。然而，本发明不限于此。即，可以使用宽度小于掩模延伸的长度的掩模。

多个分体掩模120沿与X轴方向垂直的Y轴方向被划分，其中，多个分体掩模120沿X轴方向延伸。即，每个分体掩模120的两端固定在第一框架111和第二框架112上，并且多个分体掩模120沿Y轴方向连续地布置以覆盖开口115。

防变形单元形成在每个分体掩模120中的至少一个区域上，用来防止分体掩模120因与沉积基底140接触而变形。

下面将对此进行更详细的描述。

进一步地参照图1和图2，每个分体掩模120是形成为条的金属板。其上形成有沿分体掩模120的长度方向彼此分开的多个沉积图案121的沉积区域125设置在分体掩模120上。沉积图案121包括多个狭缝。形成在沉积图案121中的图案不限于所述狭缝，例如，可以形成为点。

可以通过电铸方法形成沉积图案121，从而可以执行精细图案化操作并可以获得表面平整度。另外，可以通过蚀刻方法或激光处理方法来制造沉积图案121。当通过蚀刻方法制造沉积图案121时，可以通过使用光致抗蚀剂在薄板上形成图案与沉积图案121的图案相同的抗蚀剂层并使用抗蚀剂层作为掩模蚀刻薄板来形成沉积图案121，或者可以通过在将具有所述图案的膜附在薄板上之后蚀刻薄板来形成沉积图案121。

肋122形成在两个相邻的沉积图案121之间以将多个沉积区域125彼此连接。沿着分体掩模120延伸所沿的X轴方向，肋122形成在沉积区域125之间。周围部分123形成在分体掩模120沿其宽度方向的两个边缘上。焊接部分124形成在分体掩模120的两个端部上。

分体掩模120沿X轴方向布置以横过开口115。当将预定的张力沿X轴方向施加到分体掩模120时，将每个分体掩模120的焊接部分124焊接到第一框架111和第二框架112上。因此，掩模130被固定在掩模框架110上。

防变形部分形成在肋122上。防变形部分对应于形成在肋122上的虚设图案210。沿长度方向(即，X轴方向)设置在沉积图案121之间的间隙G₁比沿长度方向设置在虚设图案210之间的间隙G₂窄。虚设图案210的间隙G₁比间隙G₂窄，以通过增大其上形成有沉积图案121的沉积区域125来确保期望尺寸的显示区域的形成。

在制造掩模130时，有利的是，虚设图案210具有与沉积图案121的图案相同的图案。因此，虚设图案210可以是条状狭缝图案或点型狭缝图案。然而，本发明不限于此，虚设图案210可以具有各种形状。

另一方面，如果不期望在沉积基底140上沉积与虚设图案210对应的图案，则可以在沉积过程中使用阻挡掩模来阻挡虚设图案210。

根据本申请的申请人进行的实验，在使用其上未形成虚设图案的传统掩模框架组件时，并且在将预定的张力施加到分体掩模的状态下将分体掩模固定在掩模框架上时，肋因其中形成有沉积图案的沉积区域的下垂而从沉积区域向沉积基底凸出大约10μm。

另一方面，当如本实施例中使用具有分体掩模120的掩模130时，其上形成有沉积图案121的沉积区域和其上形成有虚设图案210的肋122同等变形。因此，其上形成有虚设图案210的肋122不向沉积基底140凸出，并且与沉积图案121维持在相同的水平。

因此，可以改善分体掩模120的平整度，并且可以防止掩模130与沉积基底140的接触具有缺陷。因此，可以改善图案的位置精度，并且还改善了沉积质量。

图3是示出图2中的分体掩模的变型示例的平面图。

参照图3，其中形成有多个沉积图案311的多个沉积区域315沿分体掩模310的长度方向形成在分体掩模310中。沉积图案311包括多个条状狭缝。

肋312形成在两个相邻的沉积图案311之间以将多个沉积区域315彼此连接。肋312沿分体掩模310延伸所沿的方向形成在沉积区域315之间。周围部分313形成在分体掩模310沿其宽度方向的两个边缘上。

防变形单元形成在其中形成有沉积图案311的沉积区域的外围部分上。防变形单元包括形成在肋312上的第一虚设图案314和形成在周围部分313上的第二虚设图案316。

像图2中示出的虚设图案210一样，第一虚设图案314的长度比沉积图案311的长度短，并且第一虚设图案314具有与沉积图案311基本相同的形状。

第二虚设图案316可以是形成在周围部分313上的条状狭缝图案或点型狭缝图案。

第二虚设图案316可以形成为沿分体掩模310的边缘延伸，或者它可以形成在除分体掩模310的边缘317之外的沉积区域315的边缘上(其中，分体掩模310的边缘317沿分体掩模310的宽度方向从肋312延伸)，这是因为在可以安装诸如支撑板的另一构件时，会对从肋312向分体掩模310的边缘延伸的部分317执行焊接操作。

图4是局部地示出图2中的分体掩模的另一变型示例的平面图。

参照图4，其中形成有多个沉积图案411的沉积区域415沿分体掩模410的长度方向形成在分体掩模410上。肋412形成在两个相邻的沉积图案411之间以将沉积区域415彼此连接。周围部分413形成在分体掩模410的沿分体掩模410宽度方向的两个边缘上。

防变形单元形成在其中形成有沉积图案411的沉积区域415的外围部分上。每个防变形单元包括形成在肋412上的虚设图案414和形成在周围部分413上的半蚀刻部分416。

如上所述，虚设图案414的长度小于沉积图案411的长度，并且虚设图案414可以具有与沉积图案411基本相同的形状。

半蚀刻部分416形成在周围部分413上，并且形成有半蚀刻部分416的部分的厚度小于分体掩模410中其他部分的厚度。蚀刻有半蚀刻部分416的表面与将被图案化的沉积基底(图1中的140)所接触的表面相背。后面将更详细地描述半蚀刻部分416。

当使用具有以上结构的分体掩模410时，可以减小变形(即，与形成有沉积图案411的沉积区域415相比，形成在肋412上的虚设图案414向沉积基底140凸出)。这样，可以维持掩模410的表面平整度。同时，形成在周围部分413上的半蚀刻部分416可以进一步地防止掩模410的变形。

图5是根据本发明另一实施例的分体掩模的局部切开透视图，图6是沿图5中的线□-□截取的分体掩模的剖视图。

参照图5和图6，分体掩模510包括其上形成有多个沉积图案511的沉积区域515。沉积区域515沿分体掩模510的长度方向彼此分开。多个条状狭缝形成在每个沉积图案511中。

肋512形成在两个相邻的沉积区域515之间以将沉积区域515彼此连接。肋512沿分体掩模510延伸所沿的方向形成在沉积区域515之间。周围部分513形成在分体掩模510的沿分体掩模510宽度方向的两个边缘上。焊接部分518形成在分体掩模510的端部上。

防变形单元形成在沉积区域515的外围部分上。每个防变形单元与形成在肋512上的半蚀刻部分514对应。通过从背对其上安装有沉积基底140的第一表面501的第二表面502半蚀刻形成有肋512的部分来形成半蚀刻部分514。半蚀刻部分514的厚度t₁可以是分体掩模510中其他部分的厚度t₂的一半。

根据本申请的申请人得到的实验结果，当使用其中未形成有虚设图案的传统掩模框架组件时，在将预定的张力施加到分体掩模的状态下将分体掩模固定在掩模框架上时，其上形成有沉积图案的沉积区域发生下垂。这样，肋相对于沉积区域向沉积基底凸出大约10μm。

另一方面，当使用本实施例的分体掩模510时，肋512中其上形成有半蚀刻部分514的部分与形成有沉积图案511的沉积区域515相比下垂大约3μm。

如上所述，由于基底140附于沉积区域515，所以可以发生沉积区域515与基底140的表面接触，因此，可以改善沉积质量。相反，未执行沉积的肋512可以与基底140分开。然而，由于不对肋512执行沉积，所以肋512与基底140之间的分开不影响沉积质量。

图7是根据本发明另一实施例的分体掩模的局部切开透视图，图8是沿图7中的线□-□截取的分体掩模的剖视图，图9是沿图7中的线IX-IX截取的分体掩模的剖视图。

参照图7至图9，沿分体掩模710的长度方向，分体掩模710包括在其上形成有多个沉积图案711的沉积区域715。每个沉积图案711包括多个条状狭缝。

肋712形成在两个相邻的沉积区域715之间以将沉积区域715彼此连接。周围部分713形成在分体掩模710的沿分体掩模710宽度方向的两个边缘上。

防变形单元形成在沉积区域715的周围部分上。每个防变形单元包括形成在肋712上的第一半蚀刻部分714和形成在周围部分713上的第二半蚀刻部分716。

像图5中的半蚀刻部分514一样，通过从背对其上安装有沉积基底140的第一表面701的第二表面702半蚀刻形成有肋712的部分来形成第一半蚀刻部分714。第一半蚀刻部分714的厚度t₁是分体掩模710的其他部分的厚度t₂的大约一半。

第二半蚀刻部分716形成在沉积区域715的两个边缘上。像第一半蚀刻部分714一样，通过从第二表面702半蚀刻周围部分713来形成第二半蚀刻部分716。第二半蚀刻部分716的厚度t₃是分体掩模710中未被半蚀刻的部分的厚度t₁的大约一半。

另一方面，不对从其上形成有第一半蚀刻部分714的肋712向分体掩模710的两个边缘延伸的部分717进行半蚀刻，这是因为在安装诸如支撑板的另一构件时要对部分717执行焊接工艺。

然而，当使用本实施例的分体掩模710时，肋712中其上形成有第一半蚀刻部分714的部分以及周围部分713中其上形成有第二半蚀刻部分716的部分与其上形成有沉积图案711的沉积区域715相比下垂大约1.5μm。

因此，提高了沉积基底140相对于沉积区域715的粘附力，从而改善了沉积质量。

图10是局部地示出根据本发明另一实施例的分体掩模的平面图。即，图10是图7中的分体掩模710的变型示例。

参照图10，在分体掩模1000上，其上形成有多个沉积图案1011的沉积区域1015沿分体掩模1000的长度方向设置在分体掩模1000上。肋1012形成在两个相邻的沉积图案1011之间，周围部分1013形成在分体掩模1000的沿分体掩模1000宽度方向的两个边缘上。

防变形单元形成在其上形成有沉积图案1011的沉积区域1015的外围部分上。防变形单元可以包括形成在肋1012上的第一半蚀刻部分1014、形成在沉积区域1015的两个边缘上的第二半蚀刻部分1016以及形成在从肋1012向分体掩模1000的两个边缘延伸的部分上的第三半蚀刻部分1017。

不同于图7中的分体掩模710，也对从肋1012向分体掩模1000的两个边缘延伸的部分进行半蚀刻。因此，半蚀刻部分围绕其上形成有沉积图案1011的沉积区域1015。

图11是示出使用根据本发明实施例的掩模框架组件的沉积工艺的框图。

参照图11，准备真空室1100以通过使用掩模框架组件100来形成OLED中的有机发射层或电极。

沉积源1110位于真空室1100的下部，掩模框架组件100安装在沉积源1110的上部。沉积基底140位于掩模130的上部。附加的支撑构件1120可以形成在掩模框架组件100的边缘上用于固定掩模框架组件100。

下面将描述将沉积材料沉积在基底140的期望位置上的工艺。

首先，将掩模框架组件100固定在支撑构件1120上，并将沉积基底140设置在掩模130上方。

然后，当从位于真空室1100下部的沉积源1110向掩模框架组件100喷射沉积材料时，沉积材料以形成在掩模130上的期望图案(对应于图2中的沉积图案121)沉积在沉积基底140的表面上。

由于在掩模130的每个分体掩模120中，作为防变形单元的虚设图案210形成在其上形成有沉积图案121的沉积区域125之间的肋122上，所以沉积区域125可以完全地附于沉积基底140，因此可以改善沉积质量。

子像素包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和OLED。TFT的结构不限于图12中示出的示例，并且可以对TFT的数量和结构做各种改变。

参照图12，缓冲层1202形成在基底1201上。基底1201由玻璃材料或塑料材料形成。具有预定图案的半导体有源层1203形成在缓冲层1202上。栅极绝缘层1204形成在半导体有源层1203上，并且栅电极1205形成在栅极绝缘层1204的预定区域上。

栅电极1205连接到施加TFT的导通/截止信号的栅极线(未示出)。层间电介质1206形成在栅电极1205上，并且源电极1207和漏电极1208形成为通过接触孔分别接触半导体有源层1203的源区1209和漏区1210。

由SiO₂或SiN_x构成的钝化层1211形成在源电极1207和漏电极1208上。由诸如压克力、聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)的有机材料构成的平坦化层1212形成在钝化层1211上。

像素电极1213(即，有机发光显示装置的阳极)形成在平坦化层1212上，像素限定层(PDL)1216由有机材料形成以覆盖像素电极1213。预定的开口形成在PDL 1216中，然后，有机层1214形成在PDL 1216的上部上以及像素电极1213的上部上，其中，像素电极1213的上部通过形成在PDL 1216中的开口暴露到外部。有机层1214包括发射层。本发明不限于上述结构，可以使用其他的结构。

OLED根据电流的流动发射红光、绿光和蓝光来显示预定的图像信息。OLED包括像素电极1213、对电极1215和有机层1214，像素电极1213是连接到TFT的漏电极1208的第一电极，用来接收正电压，对电极1215是形成为覆盖所有像素并提供负电压的第二电极，有机层1214设置在像素电极1213和对电极1215之间以发射光。

像素电极1213和对电极1215通过有机层1214彼此绝缘，它们将相反极性的电压施加到有机层1214，使有机层1214发射光。

像素电极1213用作阳极，对电极1215用作阴极。可以调换像素电极1213和对电极1215的极性。

可以将像素电极1213形成为透明电极或反射电极。

这样的透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)形成。可以通过由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物形成反射层并通过在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的层来形成这样的反射电极。

也可以将对电极1215形成为透明电极或反射电极。

当对电极1215为透明电极时，对电极1215用作阴极。为此，可以通过在有机层1214的表面上沉积具有低逸出功的诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的混合物的金属，并通过在其上由诸如ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等的透明电极形成材料形成辅助电极层或汇流电极线来形成透明电极。当对电极1215为反射电极时，可以通过在有机层1214的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物来形成反射层。

另一方面，可以将形成为透明电极或反射电极的像素电极1213形成为与每个子像素的开口对应。另外，可以通过在显示区域上整体地形成透明电极或反射电极来形成对电极1215。然而，对电极1215可以不整体地形成在显示区域上，而可以以各种图案形成。可以调换像素电极1213和对电极1215的位置。

有机层1214可以包括低分子量有机层或高分子量有机层。

当使用低分子量有机层时，有机层1214可以具有单层或多层结构，其包括从由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)组成的组中选择的至少一种。可用的有机材料的示例包括铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可以通过真空沉积来形成低分子量有机层。

当使用高分子量有机层时，有机层1214可以主要具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以由聚(乙撑二氧噻吩)(PEDOT)形成，EML可以由聚苯撑乙烯撑(PPV)或聚芴形成。可以通过丝网印刷、喷墨印刷等来形成HTL和EML。

有机层1214不限于以上示例，并可以对有机层1214做各种改变。

根据本发明实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件，可以得到以下优点。

由于防变形单元形成在掩模中的沉积图案的外围部分上，所以可以减小掩模沿垂直方向的变形。因此，可以减少掩模与基底的有缺陷附着。

此外，由于可以改善掩模与基底的附着，所以改善了沉积质量。因此，可以改善图像质量。

虽然已参照本发明的示例性实施例具体地示出和描述了本发明，但本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在此可以做形式和细节上的各种改变。

Claims

1.一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，所述掩模框架组件包括：

掩模框架，包括开口和围绕开口的多个框架；以及

掩模，结合到掩模框架，

其中，防变形单元形成在掩模的至少一个区域上。

2.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，掩模包括多个沉积图案和肋，所述多个沉积图案沿掩模的长度方向彼此分开，肋设置在相邻的沉积图案之间用于将沉积图案彼此连接，其中，防变形单元包括形成在每个肋上的第一虚设图案。

3.如权利要求2所述的掩模框架组件，其中，掩模还包括多个第二虚设图案，所述多个第二虚设图案形成在沉积图案的沿沉积图案的宽度方向的相对边缘上。

4.如权利要求3所述的掩模框架组件，其中，沉积图案、第一虚设图案和第二虚设图案形成为点型狭缝图案和条状狭缝图案之一。

5.如权利要求2所述的掩模框架组件，其中，掩模还包括半蚀刻部分，半蚀刻部分形成在沉积图案的沿沉积图案的宽度方向的相对边缘上。

6.如权利要求5所述的掩模框架组件，其中，通过从第二表面蚀刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度来形成半蚀刻部分，第二表面与面对沉积基底的第一表面相背。

7.如权利要求6所述的掩模框架组件，其中，第一表面是接触将被图案化的沉积基底的表面。

8.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，掩模包括多个沉积图案和肋，所述多个沉积图案沿掩模的长度方向彼此分开，肋设置在相邻的沉积图案之间用于将沉积图案彼此连接，其中，防变形单元包括形成在每个肋上的第一半蚀刻部分。

9.如权利要求8所述的掩模框架组件，其中，第一半蚀刻部分从肋的沿掩模宽度方向的两侧向掩模的沿掩模宽度方向的边缘延伸。

10.如权利要求8所述的掩模框架组件，其中，通过从第二表面蚀刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度来形成第一半蚀刻部分，第二表面与面对沉积基底的第一表面相背。

11.如权利要求8所述的掩模框架组件，其中，掩模还包括第二半蚀刻部分，第二半蚀刻部分设置在沉积图案的沿沉积图案的宽度方向的相对边缘上。

12.如权利要求11所述的掩模框架组件，其中，通过从第二表面蚀刻掩模以具有比掩模的其他部分小的厚度来形成第一半蚀刻部分和第二半蚀刻部分，第二表面与面对沉积基底的第一表面相背。

13.如权利要求12所述的掩模框架组件，其中，第一表面是接触将被图案化的沉积基底的表面。

14.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，在将张力施加到掩模的状态下，掩模的相对的端部焊接到彼此面对地布置的框架。

15.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，所述多个框架包括：

多个第一框架，布置为沿第一方向彼此面对；以及

多个第二框架，布置为沿第二方向彼此面对，

其中，多个第一框架和多个第二框架彼此连接以围绕掩模框架的开口。

16.如权利要求15所述的掩模框架组件，其中，掩模与多个第一框架平行地设置，并相对于多个第二框架连续地布置。

17.如权利要求1所述的掩模框架组件，其中，掩模包括设置成横过掩模框架的开口的至少一个分体掩模。