CN101864552A - 用于薄膜沉积的掩模框架组件及相关方法 - Google Patents

用于薄膜沉积的掩模框架组件及相关方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，所述组件包括：框架，包括开口部分和支撑部分；掩模，具有在与所述开口部分对应的位置处的沉积区，其中，所述掩模包括第一层和第二层，所述第一层包括所述沉积区和设置在所述沉积区外部的外围部分，所述第二层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二层的第一表面的至少一部分面向所述第一层并接触所述外围部分，所述第二表面被焊接到所述框架的支撑部分。

Description

用于薄膜沉积的掩模框架组件及相关方法
技术领域
实施例涉及一种用于薄膜沉积的掩模框架组件以及相关的方法。
背景技术
根据发光层的材料，电致发光显示装置可分为无机电致发光显示装置和有机电致发光显示装置。由于与无机电致发光显示装置相比，有机电致发光显示装置可具有更高的亮度和更快的响应时间，并且还能够显示彩色图像，所以近年来在有机电致发光显示装置的领域中取得了相当的发展。
通常，作为平板显示装置的有机发光显示装置为自发光显示装置。由于例如有机发光显示装置的视角宽、对比度高、驱动电压低、重量轻、外观薄且响应时间快，所以有机发光显示装置作为下一代显示装置已经受到了很多关注。
关于有机发光显示装置的制造，可利用例如真空沉积法来形成有机层和/或电极。可利用例如蚀刻法来制造在真空沉积法中使用的掩模。然而，由于有机发光显示装置已被开发出较高的分辨率，所以掩模中的开口会具有较窄的宽度和较小的分布。因此，当使用蚀刻法时，由于可通过形成掩模的材料的厚度来确定在掩模中形成的开口的宽度，所以会需要较薄的材料，以制造适于制造分辨率较高的产品的掩模。
发明内容
实施例提出了一种用于薄膜沉积的掩模框架组件以及相关的方法，它们实质上克服了现有技术的一个或多个缺陷、限制和/或缺点。
实施例的特征在于提供了一种易于焊接到框架的用于薄膜沉积的掩模框架组件。
可通过提供一种用于薄膜沉积的掩模框架组件来实现上述和其它特征和优点的至少一个，所述用于薄膜沉积的掩模框架组件包括：框架，包括开口部分和支撑部分；掩模，包括在与所述开口部分对应的位置处的沉积区，其中，所述掩模包括第一层和第二层，所述第一层包括所述沉积区和设置在所述沉积区外部的外围部分，所述第二层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第二层的第一表面的至少一部分面向所述第一层并接触所述外围部分，所述第二表面被焊接到所述框架的支撑部分。
所述掩模可包括至少两个单位掩模带，每个单位掩模带具有相对的端部，仅所述至少两个单位掩模带的相对的端部与所述框架的支撑部分成为一体。
所述第一层和所述第二层可包含不同的材料。
所述第二层可包含镍铁合金。
所述第一层可包括与所述第二层上的被焊接到所述框架的支撑部分的焊接点对应的焊接图案。
所述第二层还可包括所述第一表面上的第一焊接凸出，所述焊接图案可具有端部，所述第一焊接凸出可具有中心，所述第一焊接凸出的中心与所述焊接图案的端部可分隔开。
所述第一层的至少一部分可接触所述第二层。
所述第二层还可包括第二焊接凸出，所述第二焊接凸出可具有中心，所述第二焊接凸出的中心可与所述第一层分隔开。
所述第一层和所述第二层可相互成为一体。
所述掩模还可包括设置在所述第一层和所述第二层之间的粘合层。
还可通过提供一种制造有机发光显示装置的方法来实现以上和其它特征和优点的至少一个，所述方法包括：在基底上形成第一电极和第二电极，使得第一电极和第二电极相互面对；在第一电极和第二电极之间形成有机层，其中，形成有机层或第二电极的步骤包括利用实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件来沉积所述层。
还可通过提供一种用于制造用于薄膜沉积的掩模框架组件的方法来实现以上和其它特征和优点的至少一个，所述方法包括：准备框架，使得框架包括开口部分和支撑部分；制备掩模，使得所述掩模包括第一层和第二层，所述第一层包括在与所述开口部分对应的位置处的沉积区和设置在沉积区外部的外围部分，所述第二层包括彼此相对的第一表面和第二表面，其中，所述第二层的第一表面的至少一部分接触所述第一层的外围部分，并且所述第二层的第二表面被焊接到所述框架的支撑部分。
所述掩模可包括至少两个单位掩模带，每个单位掩模带可具有相对的端部，仅所述至少两个单位掩模带的相对的端部可被焊接到所述框架的支撑部分。
准备所述掩模的步骤可包括：准备导电基底；在所述导电基底上设置所述第二层，使得所述导电基底的端部的至少一部分接触所述第二层；将抗蚀剂涂覆于所述导电基底和所述第二层；图案化所述抗蚀剂；通过电镀法在所述导电基底、所述抗蚀剂和所述第二层上形成所述第一层；去除所述抗蚀剂；将包括所述第一层和所述第二层的掩模与所述导电基底分离。
图案化所述抗蚀剂的步骤可包括在所述导电基底上形成第一图案和在所述第二层上形成第二图案。
图案化抗蚀剂的步骤可包括在所述导电基底上形成第一图案和在所述第二层的外围上形成第三图案，所述第一层的至少一部分接触所述第二层。
准备所述掩模的步骤可包括准备所述第一层，准备所述第二层，然后将所述第一层粘附到所述第二层。
将所述第一层粘附到所述第二层的步骤可包括准备粘合层，将粘合层设置在所述第一层和所述第二层之间。
所述第一层和所述第二层包含不同的材料。
所述第二层可包含镍铁合金。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施例，以上和其它特征和优点对于本领域的普通技术人员来说将会变得更清楚，其中：
图1示出了根据实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图2示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图3示出了图2中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图；
图4示出了沿图3的线I-I截取的剖视图；
图5示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图6示出了图5中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图；
图7示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图8示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图9示出了图8中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图；
图10示出了沿图9中的线II-II截取的剖视图；
图11示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图12示出了图11中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图；
图13示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图14示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图；
图15示出了利用电镀形成掩模的方法的流程图；
图16示出了利用电镀制造掩模的方法的剖视图，其中，所述掩模在第一层上具有焊接图案；
图17示出了利用电镀制造掩模的方法的剖视图，其中，所述掩模的所述第一层的至少一部分接触第二层；
图18示出了设置在矩形导电基底周围的第二层的透视图；
图19示出了设置在导电基底两端上沿纵向方向延伸的第二层的透视图；
图20示出了图16的方法中的操作(b)的透视图，其中，当制造具有一体(即，单体)结构的掩模时，第二图案抗蚀剂形成在第二图案抗蚀剂被焊接到框架的焊接点上；
图21示出了图16的方法中的操作(b)的透视图，其中，当制造具有多体结构的掩模时，第二图案抗蚀剂形成在第二图案抗蚀剂被焊接到框架的焊接点上；
图22示出了图17的方法中的操作(b)的透视图，其中，当制造具有单体结构的掩模时，第三图案抗蚀剂形成在第二层周围；
图23示出了图17的方法中的操作(b)的透视图，其中，当制造具有多体结构的掩模时，第三图案抗蚀剂形成在第二层的周围；
图24示出了通过将第一层附着到第二层而形成具有两层结构的掩模的方法的流程图；
图25示出了通过利用粘合层将第一层粘合到第二层而形成具有两层结构的方法的流程图；
图26示出了根据实施例的有机发光显示装置的剖视图。
具体实施方式
2009年4月16日在韩国知识产权局提交的题目为“Mask Frame Assemblyfor Thin Film Deposition，Method of Manufacturing the Same，and Method ofManufacturing Organic Light Emitting Display Device”的第10-2009-0033191号韩国专利申请通过引用完全包含于此。
在下文中将参照附图更充分地描述示例实施例，然而，示例实施例可以以不同的形式来实施，并不应该被解释为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使本公开将是彻底的和完整的，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。
在附图中，为了示出的清晰，可夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是，当层或元件被称作在另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或者也可以存在中间层。此外，还应该理解的是，当层被称作在另一层“下方”时，它可以直接在另一层下方，也可以存在一个或多个中间层。此外，还应该理解的是，当层被称作在两层“之间”时，它可以是所述两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终表示相同的元件。
图1示出了根据实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解透视图。参照图1，掩模框架组件可包括掩模100和框架200。框架200包括开口部分210和支撑部分220。掩模100包括沉积区110，其位置与开口部分210对应。
掩模100可包括第一层100a和第二层100b。第一层100a可包括沉积区110，沉积区110可具有多个沉积开口部分111，多个沉积开口部分111用于在大面积的基底(未示出)上一次形成例如多个有机发光显示装置的图案。第一层100a还可包括设置在沉积区110周围的外围部分120a。第二层100b可包括焊接部分120b和开口部分115。外围部分120a可设置在第一层100a的沉积区110的外部，并且可接触第二层100b的焊接部分120b。
尽管每个沉积开口部分111可包括具有图1中的多个切口的掩模图案，但是沉积开口部分111可包括具有例如前开口(open front)的掩模图案或点形的掩模图案。因此，图1中的沉积开口部分111的数量、构造和形状为示例性的，实施例不限于此。
第二层100b的第一表面可接触至少一部分第一层100a，第二层100b的第二表面可被焊接到框架200的支撑部分220。可通过形成第一层100a和第二层100b，然后通过例如焊接、粘合或在第一层100a和第二层100b之间插入粘合层将第一层100a固定到第二层100b来形成掩模100。可选择地，可通过利用例如电镀法同时形成第一层100a和第二层100b来形成掩模100，这将在后面参照图15至图23进行解释。因此，尽管图1中分开示出第一层100a和第二层100b，但是第一层100a和第二层100b可单独形成，随后被固定在一起，或者可同时形成第一层100a和第二层100b。
第一层100a和第二层100b可包含不同的材料。因此，第二层100b可包含焊接性比第一层100a的焊接性高的材料，例如镍铁合金(64FeNi，Invar)。
为了避免掩模100附着到框架200时第一层100a的变形，第一层100a可具有各种形状。因此，仅可将第二层100b焊接到框架200。因此，对于将第二层100b焊接到框架200，可使用同一激光焊接设备，与第一层100a的形状无关。另外，由于第二层100b的焊接部分120b不会影响第一层100a，所以可将由于焊接对经掩模沉积的所得图案所产生的不利影响最小化，并可提高掩模100的精确度。
第一层100a可具有与第二层100b的开口部分115对应的图案孔(patternaperture)。另外，第一层100a可小于第二层100b，从而第二层100b延伸超过第一层100a的部分可被焊接到框架200。在每种情况下，掩模100可包括一条掩模带或多个单位掩模带(即，具有多体结构的掩模)，多个单位掩模带可沿预定的方向分开。下面将参照图5至图13来解释这些示例。
图2示出了根据实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解透视图。参照图2，与第二层100b的焊接点对应的第一焊接图案130a可形成在第一层100c上。
第一层100c可包括沉积区110、沉积开口部分111和外围部分120c。设置在沉积区110外部的外围部分120c可包括第一焊接图案130a，第一焊接图案130a在与焊接部分120b被焊接到框架200的支撑部分220的焊接点(未示出)对应的区域中可穿过外围部分120c。
图3示出了图2中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图。图4示出了沿图3的线I-I截取的剖视图。
参照图3和图4，第一焊接图案130a可穿过第一层100c的外围部分120c，从而当第二层100b被焊接到框架200时，在第二层100b上产生的第一焊接凸出140a的中心可与第一焊接图案130a的边缘分隔开。第一焊接图案130a可足够大到不与第一焊接凸出140a接触。每个第一焊接凸出140a的高度可小于第一层100c的厚度。
第二层100b和第一层100c之间的接触部分可设置在沉积区110的外部，从而不会阻碍沉积。由于第一层100c和第二层100b可形成具有两层结构的掩模100，所以当第二层100b被焊接到框架200时，掩模100可因此被固定到框架200。
可利用例如电镀法同时制造第一层100c和第二层100b。可选择地，可单独地制造第一层100c和第二层100b，随后通过例如焊接或粘附将第一层100c和第二层100b彼此固定。如果单独地制造第一层100c和第二层100b，然后将它们彼此焊接，则焊接部分120b可设置在沉积区110的外面，从而在薄膜沉积过程中不会阻碍例如掩模100和大面积基底之间的粘附。
图5示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图。参照图5，掩模100可包括设置在第一层100d上的第二焊接图案130b，第一层100d可包括多个单位掩模带(即，具有多体结构的掩模)。第二焊接图案130b可对应于第二层100b的焊接点(未示出)。单位掩模带可沿预定的方向分开。
图6示出了图5中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图。可通过例如电镀来形成包括多个单位掩模带的第一层100d，第一层100d可以以不同的方式被固定到第二层100b。第一层100d可通过例如电焊、激光焊或通过利用粘合剂被附着到第二层100b。第一层100d和第二层100b之间的接触部分可设置在沉积区110的外部。因此，将第一层100d附着到第二层100b时可产生的焊接凸出140b不会阻碍例如薄膜沉积时掩模100和大面积基底之间的粘附。
第二层100b可对应于框架200。尽管在图5中示出了具有单体结构的框架200，但是框架200可包括至少两个部分。另外，在实现过程中，单位掩模带可被对齐并焊接以在单位掩模带之间形成预定的间隙。
图7示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图。参照图7，掩模100可包括第一层100e和第二层100f。第一层100e可包括与第二层100f的焊接点(未示出)对应的第三焊接图案130c。两层100e和100f可包括多个单位掩模带(即，具有多体结构的掩模)，所述多个掩模带可沿预定的方向分隔开。
尽管图7中的掩模100像图5中的掩模100一样可具有多体结构，但是在图7中，第二层100f可与第一层100e分隔开。换句话说，第二层100f可包括与第一层100e的多个单位掩模带对应的多个单位掩模带，第一层100e的多个单位掩模带可沿预定的方向分隔开。从而，第二层100f和第一层100e可形成具有多体结构的掩模。
由于第一层100e和第二层100f可彼此附着以形成掩模100，所以当第二层100f被焊接到框架200时，第一层100e可被固定。由于第一层100e可具有第三焊接图案130c，所以第二层100f被焊接到框架200时在第二层100f上产生的焊接凸出的中心可与第三焊接图案130c的边缘分隔开。
第一层100e和第二层100f可利用例如电镀法同时形成，或者可单独形成，然后以各种方式相互粘附。由于延伸的掩模100可被支撑在框架200上，所以框架200应具有足够的硬度。
图8示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解透视图。如图8所示，第一层100g的至少一部分可接触第二层100b。此外，第一层100g可小于第二层100b。
第一层100g可包括沉积区110、沉积开口部分111和外围部分120f。第二层100b可包括第二层开口部分115和焊接部分120b。第二层100b的焊接部分120b可设置在与第一层100g的外围部分120f对应的位置处。焊接部分120b可延伸超过外围部分120f附着到第二层100b的接触部分250a。参照图8，第二层100b的焊接部分120b可被焊接到框架200的支撑部分220并形成为与框架200的支撑部分220对应。
图9示出了图8中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图。用于薄膜沉积的掩模框架组件可包括框架200和掩模100。掩模100可包括第一层100g和第二层100b。图10示出了沿图9中的线II-II截取的剖视图。
参照图8至图10，掩模100可包括彼此接触的第一层100g和第二层100b。当第二层100b被焊接到框架200时，掩模100可被固定到框架200。在第二层100b接触第一层100g的地方，第二层100b可足够大到延伸超过第一层100g的外围部分120f，从而焊接过程中会产生的第二焊接凸出240a不接触第一层100g。另外，每个第二焊接凸出240a的高度可小于第一层100g的厚度，从而不会阻碍例如薄膜沉积时第一层100g和大面积基底之间的粘附。此外，第二焊接凸出240a可形成在沉积区110的外部，从而不会阻碍例如薄膜沉积时第一层100g和大面积基底之间的粘附。
第一层100g和第二层100b可通过例如电镀法同时形成，或者可单独地形成，然后通过例如粘合剂或通过焊接而相互固定。第二层100b的焊接部分120b可足够大到不会在焊接过程中对第一层100g的沉积区110产生不利影响。第一层100g的外部部分120f可为接触第二层100b的区域。
图11示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图。图12示出了图11中的用于薄膜沉积的掩模框架组件的组装的透视图。参照图11和图12，掩模100可包括多个单位掩模带(即，具有多体结构的掩模)，多个单位掩模带可沿预定的方向分隔开。掩模100的第二层100i可延伸超过第一层100h。
第一层100h可通过例如电镀法形成，并可以以多种方式被固定到第二层100i。第一层100h可通过例如电焊、激光焊或通过使用粘合剂被附着到第二层100i。第一层100h和第二层100i之间的接触部分可设置在沉积区110的外部，从而掩模100附着到框架200时会产生的焊接凸出240b不会阻碍在薄膜沉积过程中掩模100和大面积基底之间的粘附。
第二层100i的焊接点230a可被焊接到框架200的支撑部分220。第二层100i可足够大，从而焊接凸出240b不会到达第一层100h。在实现过程中，单位掩模带可被对齐并焊接以在单位掩模带之间形成预定的间隙。
图13示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图。参照图13，掩模100可包括形成第一层100j和第二层100k的单位掩模带(即，具有多体结构的掩模)。单位掩模带可沿预定的方向分隔开。尽管在图13中示出了第二层100k具有单体结构，但是实施例不限于此，并且第二层100k可包括至少两个部分。
可通过单独形成第一层100j和第二层100k，然后通过例如焊接或粘附将第一层100j附着到第二层100k来形成掩模100。掩模100可通过例如焊接第二层100k的第二焊接点230b而被附着到框架200。第二焊接点230b可设置在第一层100j被附着到第二层100k的接触部分250b的外部，从而由焊接产生的焊接凸出(未示出)不会接触第一层100j。
图14示出了根据另一实施例的用于薄膜沉积的掩模框架组件的分解的透视图。参照图14，粘附层180可设置在第一层100a和第二层100b之间。如图14所示，掩模100可形成为利用粘附层180将第一层100a附着到第二层100b。
图15示出了利用电镀形成掩模100的方法的流程图。图16示出了利用电镀形成掩模100的方法的剖视图，掩模100在第一层上具有焊接图案。图16中示出的方法可被用于形成具有在第一层的外围部分上的焊接图案的掩模100，如图2至图4或者图7所示。
图17示出了利用电镀制造掩模100的方法的剖视图，其中，掩模100的第一层的至少一部分接触第二层。当图17中示出的方法被用于形成掩模100时，第一层的至少一部分可接触第二层，第二层可足够大到延伸超过第一层的外围部分，如图8至图12所示。现在将参照图15至图19来解释制造掩模的方法。
首先，可准备导电基底410或510。为了制造具有单体结构的掩模，导电基底410或510可具有基本上是正方形的形状，如图18所示。为了制造具有单体结构的掩模，导电基底410或510可具有沿纵向方向延伸的矩形形状，如图19所示。
在操作S310，可将第二层430或530设置成导电基底410或510的至少一部分接触第二层430或530的至少一部分。当掩模具有单体结构时，第二层430或530可设置在导电基底410或510周围，如图18所示。可选择地，当掩模具有多体结构时，第二层430或530可设置在导电基底410或510的两端，如图19所示。
在操作S320，可将抗蚀剂420或520涂覆在导电基底410或510和第二层430或530上，如图16和图17中的操作(a)所示。可将包括例如干膜抗蚀剂(DFR)的各种抗蚀剂涂覆到导电基底410或510和第二层430或530上。
在操作S330，可通过曝光和/或显影抗蚀剂420或520来执行图案化，如图16和图17中的操作(b)所示。图案化可包括在导电基底410或510上形成第一抗蚀剂图案450a或550a以及在第二层430形成第二抗蚀剂图案460a或在第二层530上形成第三抗蚀剂图案560a。根据掩模开口部分，可以以多种方式在导电基底410或510上形成第一抗蚀剂图案450a或550a。可在第二层430上形成第二抗蚀剂图案460a，使得第二层430被焊接到框架时产生的焊接凸出的中心可与第一层440的焊接图案分隔开。然而，可在第二层530上形成第三抗蚀剂图案560a，使得第二层530被焊接到框架时产生的焊接凸出的中心可与第一层540分隔开。
由于焊接凸出的中心可与第一层440或540分隔开，所以焊接凸出不会接触或者几乎不会接触第一层440或540，可将由于例如焊接凸出的热而导致的第一层440或540的变形最小化。图20至图23示出了在导电基底410和第二层430上形成第二抗蚀剂图案460a或在导电基底510和第二层530上形成第三抗蚀剂图案560a的方法。然而，实施例不限于此，并可以按照不同的方式来改变形成第二抗蚀剂图案460a或第三抗蚀剂图案560a的方法以及第二抗蚀剂图案460a或第三抗蚀剂图案560a的形状。
图20示出了图16中示出的用于形成具有单体结构的掩模的方法的操作(b)的透视图。参照图20，可在第二层430的将被焊接到框架的预计的焊接点处形成第二抗蚀剂图案460a。如果期望多体结构的掩模，则可在位于导电基底410端部沿纵向方向延伸的第二导电层430上形成第二抗蚀剂图案460a，参照图21。第二抗蚀剂图案460a可以形成在第二层430的将被焊接到框架的预计的焊接点处。例如，在电镀过程中去除抗蚀剂之后，第二抗蚀剂图案460a可形成图2至图4的第一焊接图案130a或图7的第三焊接图案130c。
图22示出了图17中的用于形成具有单体结构的掩模的方法的操作(b)的透视图。参照图22，第三抗蚀剂图案560a可沿第二层530的外围形成在第二层530上。如果期望多体结构的掩模，则可在第二层530的端部处形成第三抗蚀剂图案560a，如图23所示。例如，在电镀过程中去除抗蚀剂之后，第三抗蚀剂图案560a可形成用于将第二层100b/100i焊接到框架的空间，该空间可足够大到延伸超过第一层100g或100h，如图8至图12所示。在操作S340，可通过如图16和图17中的操作(c)示出的电镀法来形成第一层440或540。
在操作S350中，如图16和图17中的操作(d)所示，可去除抗蚀剂图案。如果从第一层440去除第一抗蚀剂图案450a和第二抗蚀剂图案460a或从第一层540去除第一抗蚀剂图案550a和第三抗蚀剂图案560a，则第一图案450b和第二图案460b可分别形成在第一层440上，或第一图案550b和第三图案560b可分别形成在第一层540上。
例如，参照图16，第二图案460b可形成为图2至图4中的第一焊接图案130a或图7中的第三焊接图案130c。另外，图17中的第三图案560b可形成为具有与第一层100g或100h的外围和第二层的边缘之间的距离(如图8至图12所示)对应的宽度的空间。
在操作S360中，可从第一层440或540和第二层430或530去除导电基底410或510。在操作S370中，可清洗并干燥所得结构，从而形成具有双层结构的掩模，在所述双层结构中，第一层440或540和第二层430或530可相互结合。
图24示出了通过将第一层100a附着到第二层100b来形成具有双层结构的掩模的方法的流程图。为了制造掩模100，在操作S610中，可通过电镀法形成第一层100b。在操作S620中，可与第一层100a分开单独形成第二层100b。在操作S630中，可通过例如电焊或激光焊或者利用粘合剂将第一层100a和第二层100b相互附着。可在第一层100a的沉积区110的外部执行焊接，从而不会阻碍例如薄膜沉积过程中大面积基底和第一层100a之间的粘附。
图25示出了具有包括第一层100a和第二层100b的双层结构的掩模100的方法的流程图，可利用粘合层将第一层100a和第二层100b相互粘附。参照图25，在操作S710，可单独准备第一层100a和第二层100b。在操作S720，可将粘合层设置在第一层100a和第二层100b之间。在操作S730，可通过粘合层将第一层100a和第二层100b相互粘附。
图26示出了根据实施例的有机发光显示装置的局部剖视图。图26的有机发光显示装置可为有源矩阵(AM)型，其子像素示出在图26中。子像素可包括至少一个薄膜晶体管(TFT)和电致发光(EL)元件。电致发光(EL)元件可为自发光器件，并可为有机发光器件。然而，子像素不限于图26示出的结构，并且可以按各种方式来修改TFT的数量和结构。现在将详细解释图26的有机电致发光显示装置(OLED)。
参照图26，缓冲层830可设置在基底820上，TFT可设置在缓冲层830上。TFT可包括半导体有源层831、覆盖有源层831的栅极绝缘层832和栅极绝缘层832上的栅电极833。层间绝缘层834可覆盖栅电极833，源电极和漏电极835可设置在层间绝缘层834上。源电极和漏电极835可分别通过层间绝缘层834和栅极绝缘层832中的接触孔接触半导体有源层831的源区和漏区。源电极和漏电极835可连接到第一电极层821。第一电极层821可为OLED的阳极。第一电极层821可设置在平坦化层837上，像素限定层838可覆盖第一电极层821。在像素限定层838中形成预定的开口之后，可形成OLED元件的有机层826，并且将第二电极层827沉积在所得的结构上。第二电极层827可为OLED的共电极。
OLED的有机层826可包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)有机发光层，以产生全色图像。可使用根据实施例的包括沉积开口部分111的用于薄膜沉积的掩模框架组件来改善大面积基底和掩模100之间的粘附性并获得高精度图案，其中，沉积开口部分111包括具有多个切口的掩模图案。此外，根据实施例的包括沉积开口部分111的用于薄膜沉积的掩模框架组件可改善大面积基底和掩模100之间的粘附性并可获得高精度图案，其中，沉积开口部分111包括在第二层827具有前开口的掩模图案。
根据实施例的有机发光装置可被密封以防止例如外部氧和湿气的渗透。实施例不限于图26的有机发光显示装置，并且可以按各种方式来修改有机发光显示装置的结构。
当通过电镀法来制造掩模时，与使用蚀刻法时的情况相比，在掩模中形成的开口可具有更高的精度和更小的分布。因此，近年来已经使用了电镀法，以实现高分辨率产品。然而，当使用电镀法时，由于难以形成与沉积的入射角一致的锥角，并且在沉积过程中会出现阴影，所以应该使用更薄的材料。
另外，与蚀刻法不同，可在电镀法中使用镍，因此焊接到框架的掩模和框架之间的粘附性会是差的。当薄金属板通过例如激光焊被附着到框架时，掩模和框架之间的接触表面会受热变形，从而会在接触表面上形成预定尺寸的小的焊接凸出。因此，当为了沉积例如有机发光材料或金属材料而在大面积基底上使掩模对齐时，焊接凸出会对大面积基底和掩模之间的粘附产生不利的影响，并且会由于阴影而形成低质量的图案。
这里已经公开了示例性实施例，尽管采用了特定的术语，但是使用这些术语并将它们解释为仅为普通和描述性的意思，而不是为了限制的目的。因此，本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上作出各种修改。

Claims (20)

1.一种用于薄膜沉积的掩模框架组件，所述组件包括：
框架，包括开口部分和支撑部分；
掩模，包括在与所述开口部分对应的位置处的沉积区，
其中，所述掩模包括第一层和第二层，所述第一层包括所述沉积区和设置在所述沉积区周围的外围部分，所述第二层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，
所述第二层的第一表面的至少一部分面向所述第一层并接触所述外围部分，
所述第二表面被焊接到所述框架的支撑部分。
2.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述掩模包括至少两个单位掩模带，每个单位掩模带具有相对的端部，仅所述至少两个单位掩模带的相对的端部与所述框架的支撑部分成为一体。
3.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一层和所述第二层包含不同的材料。
4.根据权利要求3所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第二层包含镍铁合金。
5.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一层包括与所述第二层上的被焊接到所述框架的支撑部分的焊接点对应的焊接图案。
6.根据权利要求5所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第二层还包括所述第一表面上的第一焊接凸出，所述焊接图案具有端部，所述第一焊接凸出具有中心，所述第一焊接凸出的中心与所述焊接图案的端部分隔开。
7.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一层的至少一部分接触所述第二层。
8.根据权利要求7所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第二层还包括第二焊接凸出，所述第二焊接凸出具有中心，所述第二焊接凸出的中心与所述第一层分隔开。
9.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述第一层和所述第二层相互成为一体。
10.根据权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件，其中，所述掩模还包括设置在所述第一层和所述第二层之间的粘合层。
11.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括：
在基底上形成第一电极和第二电极，使得第一电极和第二电极相互面对；
在第一电极和第二电极之间形成有机层，其中，形成有机层或第二电极的步骤包括利用如权利要求1所述的用于薄膜沉积的掩模框架组件来沉积所述层。
12.一种制造用于薄膜沉积的掩模框架组件的方法，所述方法的步骤包括：
准备框架，使得框架包括开口部分和支撑部分；
制备掩模，使得所述掩模包括第一层和第二层，所述第一层包括在与所述开口部分对应的位置处的沉积区和设置在沉积区外部的外围部分，所述第二层包括彼此相对的第一表面和第二表面，其中，所述第二层的第一表面的至少一部分接触所述第一层的外围部分，并且所述第二层的第二表面被焊接到所述框架的支撑部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述掩模包括至少两个单位掩模带，每个单位掩模带具有相对的端部，仅所述至少两个单位掩模带的相对的端部被焊接到所述框架的支撑部分。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，准备所述掩模的步骤包括：
准备导电基底；
在所述导电基底上设置所述第二层，使得所述导电基底的端部的至少一部分接触所述第二层；
将抗蚀剂涂覆于所述导电基底和所述第二层；
图案化所述抗蚀剂；
通过电镀法在所述导电基底、所述抗蚀剂和所述第二层上形成所述第一层；
去除所述抗蚀剂；
将包括所述第一层和所述第二层的掩模与所述导电基底分离。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，图案化所述抗蚀剂的步骤包括在所述导电基底上形成第一图案和在所述第二层上形成第二图案。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，
图案化抗蚀剂的步骤包括在所述导电基底上形成第一图案和在所述第二层的外围上形成第三图案，所述第一层的至少一部分接触所述第二层。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，准备所述掩模的步骤包括准备所述第一层，准备所述第二层，然后将所述第一层粘附到所述第二层。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，将所述第一层粘附到所述第二层的步骤包括准备粘合层，将粘合层设置在所述第一层和所述第二层之间。
19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第一层和所述第二层包含不同的材料。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二层包含镍铁合金。
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