CN108118289B - 用于沉积的掩模及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
用于沉积的掩模及其制造方法。在本发明的实施方式中公开了用于沉积的掩模及其制造方法。所公开的用于沉积掩模包括:沉积部分,其包括多个沉积图案;外周部分,其被构造成围绕所述沉积部分的外边缘;以及至少一个延伸部分,其设置在所述沉积部分与所述外周部分之间的边界处,其中,所述延伸部分的厚度小于所述外周部分的厚度。因此,可以增强用于沉积的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界部分的强度。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及一种用于沉积的掩模及其制造方法。
背景技术
随着信息化社会的发展,需要新的图像显示装置来解决传统阴极射线管(CRT)的诸如重量大、体积大等的缺点。因此,诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、等离子体显示面板(PDP)、表面传导电子发射显示器(SED)等各种类型的平板显示器已经吸引了大量的关注。
这些显示器具有在其上形成有多个精细图案的至少一个基板。为了形成精细图案,需要使用掩模的沉积处理。
通常,将在沉积处理中所使用的掩模用作掩模组件,该掩模组件包括掩模和焊接到掩模的一个表面的掩模框架。当掩模和掩模框架焊接在一起时,掩模可能由于其厚度很小(10μm)而引起,因此难以将掩模焊接到掩模框架。
此外,由于掩模的厚度小,当使用激光将掩模和掩模框架焊接在一起时,掩模的施加了激光的区域可能会发生热变形。掩模的热变形可能会造成掩模的沉积部分和沉积图案的变形,这可导致要沉积的膜的精度裂化。此外,由于掩模的热变形,在掩模与用于沉积的基板之间可能形成间隙,这会造成阴影效应。
因此,需要能够解决这些问题的掩模。
发明内容
本发明的实施方式的目的是提供一种用于沉积的掩模及其制造方法,其可以解决当将掩模焊接到掩模框架时发生的爆裂和热变形的问题。
根据本发明的一个实施方式,提供了一种用于沉积的掩模及其制造方法,所述掩模包括沉积部分,其包括多个沉积图案。此外,根据实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述掩模包括外周部分,所述外周部分被构造成围绕所述沉积部分的外边缘。此外,根据实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述掩模包括设置在所述沉积部分与所述外周部分之间的边界处的至少一个延伸部分。此外,根据实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述掩模包括位于所述外周部分上的焊接线。另外,在根据实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法中,所述延伸部分的厚度可以小于所述外周部分的厚度。
根据本发明的另一个实施方式,提供了一种用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括在基板上形成第一构图电极和第二构图电极。此外,根据本发明的另一个实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括在所述基板的没有设置多个构图电极的区域上形成具有倒锥形的光致抗蚀剂图案。此外,根据本发明的另一个实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括采用掩模材料仅对设置在所述基板的外周上的第一构图电极进行初次电镀。另外,根据本发明的另一个实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括采用掩模材料对所述第一构图电极和所述第二构图电极进行二次电镀。另外,根据本发明的另一个实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括将掩模框架焊接到形成在所述第一构图电极上的掩模材料的一个表面。另外,根据本发明的另一个实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法,所述方法包括去除所述基板以及所述第一构图电极和所述第二构图电极。
在根据本发明的实施方式的用于沉积的掩模及其制造方法中,掩模的外周部分的厚度大于掩模的沉积部分的厚度,使得在将掩模和掩模框架焊接在一起时,可以防止掩模发生热变形。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更加明显,在附图中:
图1是根据本发明的实施方式的掩模和掩模框架的示意性平面图。
图2是沿图1的A-B线截取的截面图。
图3是示出根据第一实施方式的包括有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
图4是示出根据第二实施方式的包括有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
图5是示出根据第三实施方式的包括有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
图6是示出根据第四实施方式的包括有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
图7、图8、图9、图10、图11、图12和图13示出了根据第一实施方式的形成的掩模的处理和将掩模框架焊接到掩模的处理。
图14是配备有掩模和掩模框架的沉积设备的截面图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图详细描述本发明的实施方式。通过举例的方式提供以下实施方式,使得本发明的思想可以充分传达给本领域的技术人员。因此,本发明不限于以下所述的实施方式,也可以以其它形式来具体实施。此外,在附图中,为了便于描述,可以夸大地表示装置的尺寸、厚度等。在整个说明书中,相同的附图标记指定相同的元件。
通过参考下面结合附图详细描述的本发明的实施方式,本发明的优点和特征及其实现方法将是显而易见的。然而,本发明不限于下面阐述的实施方式,而是可以以各种不同的形式来实施。提供以下实施方式仅用于完全公开本发明,并且向本领域技术人员通知本发明的范围,并且本发明仅由所附权利要求的范围来限定。在整个说明书中,相同或相似的附图标记指定相同或相似的元件。在附图中,为了便于描述,可以夸大各层和各个区域的维度和相对尺寸。
当一个元件或一层被称为在另一元件“上方”或“上”时,该元件可以“直接在”在另一元件或层“上方”或“上”,或者可以存在中间元件或层。相反,当一个元件被称为“直接在”或“直接在”另一元件或层“上方”或“上”,不存在中间元件或层。
如图所示,为了使得用于描述一个元件或特征与另一元件的关系的描述更加容易,可以在本文中使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“上面”、“上方”的空间相对术语。应当理解,除了附图中所示的方向之外,在使用或操作中,空间相对术语旨在包括元件的不同方向。例如,如果附图中的元件被翻转,则被描述为在另一元件“下方”或“下面”的元件将被定向为在另一元件“上方”。因此,示例性术语“下方”可以包括上下方向。
图1是根据本发明的实施方式的掩模和掩模框架的示意性平面图。参照图1,根据本发明的实施方式的掩模100包括外周部分110和沉积部分120。外周部分110设置成围绕沉积部分120的外边缘。另外,外周部分110包括位于其部分区域中的焊接线300。可以沿着焊接线300施加激光束以将掩模(100)和掩模框架(200)焊接在一起。虽然已经将激光束描述为施加至焊接线300,但是本发明的实施方式不限于此,并且可以沿着焊接线300使用诸如加压、等离子体处理、加热型焊接等各种方法。然而,为了便于说明,将例示沿着焊接线300施加激光束以将掩模100和掩模框架200焊接在一起。
沉积部分120包括多个沉积图案121。多个沉积图案121可以在沉积部分120中设置成彼此间隔开。
掩模框架200设置在掩模100的外周上。掩模框架200可以与掩模100联接,并且可以用于支撑掩模100。掩模框架200可以由金属、合成树脂等制成。掩模框架200可以具有矩形形状并且可以具有至少一个开口。
尽管图1中的掩模框架200被示出为具有矩形形状,但是根据本发明的实施方式的掩模框架200的形状不限于此,并且掩模框架200可以具有各种形状,诸如圆形、六边形形状等等。
掩模100的沉积部分120可以设置成与掩模框架200的开口对应。已经穿过掩模框架200的开口的沉积材料可以通过掩模100的沉积图案121沉积到基板上。
图1公开了具有多个狭缝的掩模图案的沉积图案121。然而,对于本领域技术人员而言显而易见的是,根据本发明的实施方式的沉积图案121不限于此,并且可以对其进行各种改进。也就是说,沉积图案121可以具有在前侧开口的掩模图案,或者可以具有点状的掩模图案。图1所示的沉积图案121的数量、布置和形状仅是说明性的,本发明的实施方式不限于此。
金属掩模100通常使用电铸方法制造。将简要描述使用电铸的掩模制造方法。在基板上形成构图电极。光致抗蚀剂被施加到基板的没有电极的区域。
然后,将金属电极(阳极)和具有构图电极的基板浸没在电解质溶液中,向该电解质溶液施加电流。结果,将金属电镀到基板的构图电极上,因此可以制造出金属掩模。使用激光将制造出的金属掩模焊接到掩模框架。此后,可以去除基板以形成焊接到掩模框架的掩模。
同时,由于通过上述方法形成的掩模的厚度小(10μm),因此当使用激光将掩模和掩模框架焊接在一起时,掩模可能会破裂,因此难以将掩模焊接到掩模框架。此外,由于掩模的厚度小,当使用激光将掩模和掩模框架焊接在一起时,掩模的施加了激光束的区域可能会发生热变形。掩模的热变形可能会造成掩模的沉积部分及其沉积图案的变形,这可能造成要沉积的膜的精度裂化。
此外,由于掩模的热变形,在掩模与用于沉积的基板之间可能形成间隙,这会导致阴影效应。阴影效应是指由于掩模100与通过掩模100沉积材料的基板之间的间隙的增加而将材料沉积在基板的不期望的区域上的现象。
根据本发明的实施方式的掩模100以解决这些问题为目标,该掩模100可以包括位于外周部分110与施加激光的掩模100的沉积部分120之间的边界处的至少一个图案。下面将参照图2描述该构造。
图2是沿图1的A-B线截取的截面图。参照图2,根据本发明的实施方式的掩模100包括外周部分110和沉积部分120。
掩模100的外周部分110的厚度H1可以与沉积部分120的厚度H2不同。具体地说,掩模100的外周部分110的厚度H1可以大于沉积部分120的厚度H2。围绕沉积部分120设置的外周部分110包括焊接线300,当将外周部分110焊接到掩模框架200时,将激光施加到该焊接线300。
如图2所示,由于包括有施加了激光的区域的外周部分110的厚度H1大于沉积部分120的厚度H2,因此即使将激光施加到外周部分110,也可以防止掩模破裂或热变形。
如上所述,根据本发明的实施方式的掩模100和掩模框架200可以通过激光焊接来焊接在一起。具体地说,掩模框架200的一个表面可以焊接到掩模100的外周部分110的第二区域112的一部分。以这种方式,焊接到掩模100的外周部分110的掩模框架200可以支撑掩模100。
根据本发明的实施方式的掩模100可以在其一个表面上具有延伸部分,该延伸部分位于外周部分110与沉积部分120之间的边界处。当掩模100和掩模框架200焊接在一起时,延伸部分可以增强掩模100的外周部分110和沉积部分120的强度。下面将参照图3来描述延伸部分。
图3是示出根据第一实施方式的包括有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。图3示出了与图1的区域X相对应的区域。
参照图3,根据第一实施方式的延伸部分400可以设置在掩模100的外周部分110与沉积部分120之间的边界处。至少一个延伸部分400可以设置在掩模100的外周部分110与沉积部分120之间的边界处。
延伸部分400可以从沉积部分120延伸到外周部分110所在的区域。在这种情况下,延伸部分400可以具有与沉积部分120相同的厚度。即,延伸部分400的厚度可以小于外周部分110的厚度。由此,薄的延伸部分400被厚的外周部分110阻止,以防止掩模100的沉积部分120在掩模100和掩模框架200被焊接在一起时移动。
具体地说,在沿着与其厚度方向垂直的方向拉动掩模100时,用激光将掩模框架焊接到掩模100。此时,掩模100的外周部分110和沉积部分120可能由于施加到掩模100的激光而部分地热变形。
热变形可能会造成掩模100的外周部分110和沉积部分120的一些区域的翘曲。在使用掩模100的沉积处理中,掩模100的外周部分110和沉积部分120的翘曲可能会使沉积的精度降低。
因此,需要防止掩模100的外周部分110和沉积部分120的翘曲。为了实现这一点,根据本发明的实施方式的掩模100包括:至少一个延伸部分400,所述至少一个延伸部分400位于掩模100的外周部分110与沉积部分120之间的边界处,使得所述延伸部分400可以被外周部分110阻止,以增强外周部分110与沉积部分120之间的边界处的掩模100的强度。换句话说,由于延伸部分400比外周部分110更薄,因此薄的延伸部分400被厚的外周部分110阻止,使得该延伸部分400不能移动。
根据第一实施方式的延伸部分400包括至少一个第一图案401和第二图案402,所述至少一个第一图案401沿第一方向延伸,所述第二图案402沿与第一方向交叉的第二方向延伸。在这种情况下,第一图案401和第二图案402可以为条形。
具体地说,如图3所示,沿第一方向延伸的多个第一图案401(例如四个第一图案401)可以被设置为彼此间隔开,并且沿第二方向延伸的第二图案402可以被设置为与第一图案401交叠。即,多个第一图案401可以通过第二图案402彼此连接。
在这种情况下,第一图案401延伸的第一方向与焊接线300延伸的方向相同。基于焊接线300延伸的方向的第一图案401的宽度L1可以大于第二图案402的宽度L2。也就是说,在图3中,第一图案401可以具有四个子图案,并且延伸部分400的子图案中的离沉积部分最远的一个子图案可以设置成更靠近焊接线300。
换句话说,由于基于焊接线300延伸的方向的延伸部分400的第一图案401的宽度L1大于该延伸部分400的第二图案402的宽度L2,因此延伸部分400的第一图案401可以位于更靠近焊接线300的位置。
由于通过沿着焊接线300施加激光来掩模100将焊接到掩模框架,所以在掩模100的与焊接线300相邻的区域中可能发生最大的热变形。根据第一实施方式的掩模100具有如下构造:即具有较大宽度(基于焊接线延伸的方向)的延伸部分400的第一图案401被布置在与焊接线300相邻的位置,这使得能够进一步增强掩模100的外周部分110与沉积部分120之间的边界部分的强度。
具体地说,利用在与掩模100的厚度方向垂直的方向上施加至掩模100的应力来将掩模100焊接到掩模框架上。由于在将掩模100和掩模框架焊接在一起时所施加的激光可能使掩模100发生热变形,并且同时可以在与掩模100的厚度方向垂直的方向上向掩模100施加更大的应力。
根据第一实施方式的掩模100的延伸部分400在与焊接线300相邻的区域中具有很大的宽度。因此,即使在与掩模100的厚度方向垂直的方向上向掩模100施加应力,但是由于在可能发生最大热变形的区域中,在与向掩模100施加的应力垂直的方向上通过外周部分110使延伸部分400的大表面区域被阻止,因此也可增强与焊接线300相邻的区域中的掩模的强度。
上述延伸部分400的形状不限于此,也可以如图4至图6所示那样构造延伸部分400。图4是示出根据第二实施方式的包括具有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
参照图4,根据第二实施方式的延伸部分450可以设置在掩模101的外周部分111与沉积部分121之间的边界处。至少一个延伸部分450可以设置在掩模101的外周部分111与沉积部分121之间的边界处。
延伸部分450可以从沉积部分121延伸到外周部分111所在的区域。在这种情况下,延伸部分450可以具有与沉积部分121相同的厚度。即,延伸部分450的厚度可以小于外周部分111的厚度。
根据第二实施方式的延伸部分450包括沿第一方向延伸的至少一个第一图案401和沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二图案402。第一图案401包括至少一个突起403,所述突起403位于第一图案401的至少一个端部上并且沿着第二方向延伸。
具体地说,如图4所示,在第一方向上延伸并且在其一个端部上具有至少一个突起403的多个第一图案401(例如,三个第一图案401)可以被布置为彼此间隔开,并且在第二方向上延伸的第二图案402可以位于第一图案401的中心。即,多个第一图案401可以通过第二图案402彼此连接。
在这种情况下,由于基于焊接线300延伸的方向,延伸部分450的第一图案401的宽度L3大于延伸部分450的第二图案402的宽度L4,因此延伸部分450的第一图案401可以位于靠近焊接线300的位置。
根据本实施方式的延伸部分450在每个第一图案401的至少一个端部上具有至少一个突起403。因此,即使在将掩模101焊接到掩模框架时在与掩模101的厚度方向垂直的方向上向掩模101施加应力,但是由于通过外周部分111使延伸部分450的大表面区域被阻止,因此也可增强与焊接线300相邻的区域中的掩模的强度。
图5是示出根据第三实施方式的包括具有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
参照图5,根据第三实施方式的至少一个延伸部分500可以设置在掩模102的外周部分112与沉积部分122之间的边界处。根据第三实施方式的延伸部分500至少包括至少一个第一图案501和第二图案502,所述第一图案501沿第一方向延伸,所述第二图案502沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
具体地说,如图5所示,可以将沿第一方向延伸的多个第一图案501(例如,三个第一图案501)设置成彼此间隔开,并且沿第二方向延伸的第二图案502可以位于第一图案501的中心。即,多个第一图案501可以通过第二图案502彼此连接。
在这种情况下,第一图案501可以具有梯形形状。第一图案501可以布置成使得第一图案501的具有最大宽度的表面501a面对焊接线300。通过将第一图案501布置成使得第一图案501的具有最大宽度面的表面501a面对焊接线300,即使在与掩模102的厚度方向垂直的方向上向掩模102施加应力,但是由于在可能发生最大热变形的区域中,在与向掩模102施加的应力垂直的方向上通过外周部分112使延伸部分500的大表面区域被阻止,因此也可增强与焊接线300相邻的区域中的掩模的强度。
尽管图3至图5中的延伸部分的第一图案和第二图案示出为具有条形形状或梯形形状,但是根据本发明的实施方式的延伸部分的第一图案和第二图案不限于此,并且可以具有各种形状,诸如条形、多边形等等。这里,包括有第一图案和第二图案的每个延伸部分的最宽表面被布置成与焊接线相邻,使得可以增强掩模的外周部分与沉积部分之间的边界部分的强度。
图6是示出根据第四实施方式的包括具有延伸部分的掩模的外周部分与沉积部分之间的边界的视图。
参照图6,根据第四实施方式的至少一个延伸部分550可以设置在掩模103的外周部分113与沉积部分123之间的边界处。根据第四实施方式的延伸部分550可以具有平面梯形形状。
在这种情况下,延伸部分550的具有最大宽度的表面501a可以设置成面对焊接线300。通过如上所述地布置延伸部分550,由于在可能发生最大热变形的区域中,沿垂直于掩模103的施加到掩模103的应力的方向通过外周部分113阻止了延伸部分550的大表面积,因此即使在与掩模103的厚度方向垂直的方向上对掩模103施加应力,也可以增强与焊接线300相邻的区域中的掩模的强度。
如图3至图6所示,根据本发明的实施方式的延伸部分400、450、500和550可以设置在外周部分110、111、112和113与沉积部分120、121、122和123之间的边界处。延伸部分400、450、500和550可以具有各种形状。
延伸部分400、450、500和550的位于最靠近焊接线300的表面的宽度可以大于其最远离焊接线300的宽度。因此,当将掩模110、101、102和103焊接到掩模框架时,即使在与其厚度方向垂直的方向上将应力施加到掩模100、101、102和103,也可以通过外周部分110、111、112和113阻止延伸部分400、450、500和550的大表面区域。因此,可以增强与焊接线300相邻的区域中的掩模100、101、102和103的强度,从而防止当掩模被焊接到掩模框架时掩模100、101、102和103的变形。
接下来,将描述根据本发明的实施方式的形成掩模和掩模框架的方法。图7至图13示出了根据第一实施方式的形成的掩模的处理和将掩模框架焊接到掩模的处理。
参照图7,在基板1000上形成电极材料层,然后构图。在构图电极600和650中,设置在基板1000的外周上的构图电极600(以下称为第一构图电极)可以是与掩模的外周部分对应的区域,除了设置在基板1000的外周上的构图电极600之外的剩余的构图电极650(以下称为第二构图电极)可以是与掩模的沉积部分对应的区域。
将光致抗蚀剂施加到基板1000。光致抗蚀剂图案700保留在除了第一构图电极和第二构图电极600与650之外的区域中。在这种情况下,有机基板1000上的光致抗蚀剂图案700可以具有倒锥形。
参照图8,使用电铸处理(以下称为初次电铸处理)在第一构图电极600上形成掩模的一部分。掩模的形成部分可以是对应于稍后形成的掩模外周部分的第一区域的部分111a的区域。也就是说,在初次电铸处理中,仅形成稍后形成的掩模外周部分的一部分,并且不形成与掩模的沉积部分相对应的区域。
参照图9,稍后将形成的掩模的外周部分110的剩余部分(具体地说,掩模外周部分的第一区域111和第二区域112的剩余部分)和掩模沉积部分120使用电铸处理(以下称为二次电铸处理)来形成。
掩模的外周部分110的第一区域111和沉积部分120在其至少一侧具有斜率。因此,外周部分110的第一区域111的至少一侧和掩模的沉积部分120的至少一侧可以与具有倒锥形形状的光致抗蚀剂图案700接触,并且掩模的外周部分110的第一区域111的侧表面和掩模的与光致抗蚀剂图案700接触的沉积部分120的侧表面(与具有倒锥形的光致抗蚀剂图案的侧表面接触的区域)可以具有斜坡。因此,可以调整待沉积的材料通过的掩模的孔的尺寸。
如上所述,掩模的外周部分可以通过初次电铸处理和二次电铸处理来形成,并且掩模的沉积部分120可以仅通过二次电铸处理来形成。也就是说,在初次电铸处理中,与掩模的沉积部分120对应的区域中的第二构图电极650不应该用金属电镀,因此必须提供装置以将电流施加到形成掩模的沉积部分120和外周部分110的各个区域。
将参照图10描述该构造。参照图10,第一构图金属(阴极)600通过第一金属(阳极)119进行电镀。第二构图金属(阴极)650通过第二金属(阳极)129进行电镀。此外,设置在掩模的沉积部分120与外周部分110之间的边界处的延伸部分400可以在二次电铸处理中形成。
也就是说,延伸部分400与用于沉积部分120的电流装置相同的电流装置连接,并且在初次电铸处理中与延伸部分400对应的区域不进行电镀。因此,延伸部分400的厚度可以与沉积部分120的厚度相同,并且可以小于外周部分110的厚度。
第一金属119和第二金属129可以包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、殷钢合金、铬镍铁合金、钴钒合金、铁合金、镍合金、镍-磷(Ni-P)合金和镍-磷-聚四氟乙烯(Ni-P-PTFE)合金,但本实施方式不限于此。
因此,掩模也可以包括铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS),殷钢合金、铬镍铁合金、钴钒合金、铁合金、镍合金、镍-磷(Ni-P)合金和镍-磷-聚四氟乙烯(Ni-P-PTFE)合金,但本实施方式不限于此。
参照图11,去除形成在基板1000上的光致抗蚀剂图案。可以通过去除光致抗蚀剂图案来暴露基板1000的上表面的一部分。基板1000的上表面的暴露区域可以是对应于用于使稍后形成的沉积材料通过的掩模的孔的区域。
参照图12,掩模100和掩模框架200使用激光器800焊接在一起。激光器800可以沿着形成在掩模100的第二区域(图11的附图标记112)的上表面上的激光焊接线施加。
参照图13,通过在掩模100和掩模框架200焊接在一起之后去除基板和基板上的第一构图电极和第二构图电极,最终形成掩模100和掩模框200。
在最终形成的掩模100中,沉积部分120的具有最大宽度L2的区域和外周部分110的具有最大宽度L1的第一区域111的区域可以位于同一平面中。这里,沉积部分120的最大宽度L2表示沉积部分120在一沉积图案和与该沉积图案相邻的另一沉积图案之间的最大宽度L2,或者表示沉积部分120在一沉积图案与外周部分110之间的最大宽度L2。掩模外周部分110的具有最大宽度L1的第一区域111的区域与沉积部分120的具有最大宽度L2的区域之间的空间可以用作沉积材料通过的孔150,并且可以通过孔150将沉积材料沉积到基板(例如,TFT基板或滤色器基板)上。
如图7至图9所示,具有倒锥形的光致抗蚀剂图案700按照对应于掩模100的孔150的方式形成在基板1000上。掩模100的孔150可以通过调整光致抗蚀剂图案700的锥度而最终形成为大或小,并且小尺寸的孔150对于形成精细图案是有利的。此外,不同的电流装置可以分别连接到第一构图电极600和第二构图电极650,以形成具有不同厚度的掩模的延伸部分和外周部分110。
下面将描述使用上述掩模100和掩模框架200将材料沉积到基板(例如,TFT基板或滤色器基板)上的处理。图14是配备有掩模和掩模框架的沉积设备的截面图。
参照图14,沉积设备包括用于提供在基板910上执行沉积处理的空间的腔室950、设置在腔室950内的沉积材料源900、设置在基板910的一个表面上的掩模100以及焊接到掩模100的一个表面的掩模框架200。
为了制造高分辨率显示装置,重要的是减少或去除在沉积处理中发生的阴影效应。为此,必须使彼此接触的基板910与掩模100之间的间隙最小化,以防止掩模100与基板910分离。即,有必要增强基板910和掩模100彼此紧密接触的程度。
根据本发明的掩模100具有其中焊接到掩模框架200的外周部分的厚度大于沉积部分的厚度的构造。因此,当将掩模和掩模框架焊接在一起时,可以防止掩模的热变形,从而防止掩模100与基板910之间的分离。
此外,根据本发明,通过使掩模100的热变形最小化,可以防止掩模上的沉积图案的位置的变化。也就是说,当使用掩模100进行沉积处理时,通过防止掩模上的沉积图案的位置的变化,可以将沉积材料精确地沉积到基板910上。
结合实施方式描述的特定特征、结构或效果包括在本发明的至少一个实施方式中而不一定在所有实施方式中。此外,本发明的任何具体实施方式的特定特征、结构或效果可以以任何合适的方式与一个或多个其它实施方式组合,或者可以由实施方式所属领域的技术人员来改变。因此,应当理解,与这种组合或变化相关联的内容落在本发明的精神和范围内。
虽然已经参考一些示例性实施方式描述了本发明,但是应当理解,这些实施方式仅以例示方式给出而不限制本发明的范围,并且在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以由本领域技术人员进行各种修改、变化和更改。例如,可以修改在实施方式中具体示出的部件。此外,与这些修改、变化和更改相关的差异应当被解释为落在由所附权利要求限定的本发明的精神和范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0161162的优先权,出于所有目的将该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文,如同在此完全阐述一样。
Claims (19)
1.一种用于沉积的掩模,所述掩模包括:
沉积部分,其包括多个沉积图案;
外周部分,其被构造成包围所述沉积部分的外边缘;
焊接线,该焊接线被设置为在所述外周部分中围绕所述沉积部分;以及
至少一个延伸部分,其位于所述沉积部分与所述外周部分之间的边界处;
其中,所述延伸部分具有比所述外周部分的厚度小的厚度,并且
其中,所述外周部分具有比所述多个沉积图案的厚度大的厚度。
2.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述延伸部分从所述沉积部分延伸至所述外周部分所在的区域。
3.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述沉积部分的整个区域具有与所述延伸部分的厚度相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述沉积部分的位于所述沉积图案和与所述沉积图案相邻的具有最大宽度的其它沉积图案之间的区域、或者所述沉积部分的位于所述沉积图案与具有最大宽度的外周部分之间的区域以及所述外周部分的最大宽度的区域位于同一平面中。
5.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述延伸部分和所述沉积部分是通过同一电铸处理形成的。
6.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述延伸部分的在基于所述焊接线延伸的方向上具有最大宽度的表面被设置为与所述焊接线相邻。
7.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述延伸部分包括沿第一方向布置的至少一个第一图案以及沿与所述第一方向交叉的第二方向布置并且与所述第一图案交叠的至少一个第二图案。
8.根据权利要求7所述的掩模,其中,所述第一图案延伸的所述第一方向与所述焊接线延伸的方向相同。
9.根据权利要求8所述的掩模,其中,所述第一图案包括在该第一图案的至少一个端部上形成的至少一个突起。
10.根据权利要求8所述的掩模,其中,所述第一图案和所述第二图案具有条形形状或多边形形状。
11.根据权利要求1所述的掩模,其中,所述延伸部分具有梯形形状。
12.一种掩模组件,所述掩模组件包括:
根据权利要求1至11中的任一项所述的掩模;以及
掩模框架,其设置在所述掩模的外周上,
其中,所述掩模框架结合到所述外周部分的一个表面。
13.一种制造根据权利要求1至11中的任一项所述的用于沉积的掩模的方法,所述方法包括如下步骤:
在基板上对第一电极和第二电极进行构图;
在所述基板的所述第一电极与所述第二电极之间的区域上形成光致抗蚀剂图案;
将掩模材料初次电镀在位于所述基板的外周上的所述第一电极上;
将掩模材料二次电镀在所述第一电极和所述第二电极上,其中,在所述二次电镀的步骤中形成所述至少一个延伸部分;
沿着围绕所述沉积部分的焊接线将掩模框架焊接到所述掩模的位于所述外周部分中的一个表面;以及
去除所述基板以及所述第一电极和所述第二电极。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述沉积部分与所述外周部分之间的边界处设置所述延伸部分。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述第一电极和所述第二电极与不同的电流装置连接。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,在所述第一电极与所述第二电极之间的边界处,所述第二电极包括沿第一方向布置的至少一个第一图案以及沿与所述第一方向交叉的第二方向布置并且与所述第一图案交叠的至少一个第二图案。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一图案包括在该第一图案的至少一个端部上形成的至少一个突起。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,所述第一图案和所述第二图案具有条形形状或多边形形状。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,在构图的所述第一电极与构图的所述第二电极之间的边界处,构图的所述第二电极具有至少一个梯形形状。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160161162A KR102609073B1 (ko) | 2016-11-30 | 2016-11-30 | 증착용 마스크 및 그 제조방법 |
KR10-2016-0161162 | 2016-11-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108118289A CN108118289A (zh) | 2018-06-05 |
CN108118289B true CN108118289B (zh) | 2020-07-28 |
Family
ID=62189987
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710564248.4A Active CN108118289B (zh) | 2016-11-30 | 2017-07-12 | 用于沉积的掩模及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10301715B2 (zh) |
KR (1) | KR102609073B1 (zh) |
CN (1) | CN108118289B (zh) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106086785B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-02-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法、掩膜组件 |
KR102574297B1 (ko) * | 2018-03-29 | 2023-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 어셈블리 및 이를 사용하여 제조된 유기 발광 표시 장치 |
KR102514115B1 (ko) * | 2018-06-12 | 2023-03-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체 |
KR102254374B1 (ko) * | 2018-07-10 | 2021-05-24 | 주식회사 오럼머티리얼 | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 oled 화소 형성용 마스크 |
TWI826497B (zh) * | 2018-08-09 | 2023-12-21 | 南韓商Tgo科技股份有限公司 | 遮罩支撑模板與其製造方法及框架一體型遮罩的製造方法 |
KR20200065142A (ko) * | 2018-11-29 | 2020-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이의 제조 방법 |
KR20200082919A (ko) | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 및 이의 제조 방법 |
CN109778116B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件 |
US11560616B2 (en) * | 2019-11-05 | 2023-01-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Mask device, mask plate, and frame |
KR20220055538A (ko) * | 2020-10-26 | 2022-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 어셈블리 및 마스크 어셈블리의 제작 방법 |
CN112267092B (zh) * | 2020-10-27 | 2023-04-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
KR20220056914A (ko) * | 2020-10-28 | 2022-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 및 이를 포함하는 증착 장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101291795B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2013-07-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 섀도우마스크 형성방법 및 그 섀도우마스크를 포함하는증착장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 |
JP2012059631A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Hitachi Displays Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス用マスク |
-
2016
- 2016-11-30 KR KR1020160161162A patent/KR102609073B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-07-12 CN CN201710564248.4A patent/CN108118289B/zh active Active
- 2017-08-04 US US15/669,095 patent/US10301715B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180062487A (ko) | 2018-06-11 |
US10301715B2 (en) | 2019-05-28 |
KR102609073B1 (ko) | 2023-12-05 |
US20180148823A1 (en) | 2018-05-31 |
CN108118289A (zh) | 2018-06-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |