CN1392905A

CN1392905A - 金属掩膜的制造方法及金属掩模

Info

Publication number: CN1392905A
Application number: CN01802920A
Authority: CN
Inventors: 小川洁
Original assignee: Eastman Kodak Co
Current assignee: Eastman Kodak Co
Priority date: 2000-09-26
Filing date: 2001-09-25
Publication date: 2003-01-22
Also published as: EP1327705A4; US7025865B2; KR20030009324A; WO2002027073A1; TW497004B; EP1327705A1; US20020164534A1; US20060204904A1; KR100803455B1

Abstract

本发明提供可制作多片、相同精度的在制造工序中的尺寸管理容易、高精度的金属掩模的金属掩模的制造方法。该制造方法的特征在于，在玻璃基板1的表面形成具有掩模图案2a的Cr膜2，然后在Cr膜2上形成干膜4，接着以Cr膜2为掩模，从玻璃基板1一侧将干膜4曝光，在干膜4上形成与掩模图案2a相同形状的掩模图案4a，接着在Cr膜2上形成金属镀层6，剥离该金属镀层6从而制成金属掩模7。

Description

金属掩模的制造方法及金属掩模

技术领域

本发明涉及适合用于各种电子器件的制造工序，尤其是电致发光(EL)元件的制造工序的金属掩模的制造方法。

背景技术

过去，在电致发光(EL)元件等电子器件的制造工序中，为了形成各种金属的蒸镀膜，采用在铬、不锈钢等的金属膜上形成所要求的图案的金属掩模。

该金属掩模采用以下的方法制造。

(1)在不锈钢薄板等薄的金属板上形成抗蚀剂膜，将该抗蚀剂膜曝光制成所要求的掩模图案，用该掩模蚀刻不锈钢薄板，制成形成所要求的图案的金属掩模。

(2)在不锈钢等导电性材料的表面形成抗蚀剂膜，将该抗蚀剂膜曝光制成所要求的掩模图案，然后，用电镀法在该导电性材料的上面形成金属镀层，从前述导电性材料的上面剥离该金属镀层，制成形成有所要求的图案的金属掩模。

然而，在过去的金属掩模制造方法中，由于曝光时掩模的精度和蚀刻的精度对作为最终制品的金属掩模的图案精度影响很大，故在各工序中必须高精度地管理图案的尺寸精度。可是，在过去的方法中，由于在线膨胀系数大的铬、不锈钢等的金属上形成金属掩模，所以产生于金属材料上的微小温度差使制得的每个金属掩模的尺寸精度不同，存在很难获得相同尺寸精度的金属掩模的问题。

另外，在要求多片高精度的尺寸精度、且尺寸偏差小的金属掩模时，对构成金属掩模的材料、在制作金属掩模时成为母材的不锈钢等的金属材料的尺寸随时间的变化容易造成影响，存在很难稳定地制作相同尺寸精度的金属掩模的问题。

例如，制作多片掩模图案的尺寸精度相同的金属掩模时，制作的当初可获得高精度且精度一致的金属掩模，但随着制作在尺寸上产生随时间的变化而使尺寸精度渐渐降低，最终不仅尺寸的精度降低而且尺寸的偏差也变大。因此，很难得到多片高精度且偏差小的金属掩模。

本发明是鉴于上述情况而完成的，目的是提供制作工序中尺寸管理容易、可按相同的精度制作多片高精度的金属掩模的金属掩模的制造方法。

发明的内容

本发明的一个方案，其特征是，在透明板或透明薄膜的一个主面上形成具有掩模图案的导电膜，然后，在该导电膜上形成感光膜，再次前述导电膜作为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述感光膜曝光，在该感光膜上形成与前述掩模图案相同形状的掩模图案，然后，在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层后制成金属掩模。

本发明的另一方案，其特征是，准备在透明板或透明薄膜的一个主面上形成导电膜的基体材料，在该基体材料的导电膜上形成第1抗蚀剂膜，然后在第1抗蚀剂膜上形成第1掩模图案，接着以该抗蚀剂膜为掩模，蚀刻前述导电膜，其后除去该第1抗蚀剂膜，接着在前述导电膜上形成第2抗蚀剂膜，以该导电膜为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述第2抗蚀剂膜曝光，在前述第2抗蚀剂膜上形成第2掩模图案，通过电镀在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层制成金属掩模。

另外，前述第2抗蚀剂膜优选是干膜。

此外，在前述第2抗蚀剂膜上形成的掩模图案，含有上述导电膜上的空间随着远离导电膜而变得狭小的开口部分。

另外，本发明的另一方案，其特征是，准备在绝缘基板或透明板或透明薄膜的一个主面上形成导电膜的基体材料，在该基体材料的导电膜上形成第1抗蚀剂膜，然后，在该第1抗蚀剂膜上形成第1掩模图案，接着以该抗蚀剂膜为掩模，蚀刻前述导电膜，其后除去该第1抗蚀剂膜，接着通过电镀在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，制成具有与前述第1掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

此外，掩模图案在前述第1抗蚀剂膜上的形成，优选采用电子束曝光法或激光束曝光法。

另外，掩模图案在前述第1抗蚀剂膜上的形成，优选采用使用了母掩模的曝光法。

另外，本发明的另一方案，其特征是在透明板或透明薄膜的一个主面上形成具有掩模图案的导电膜。然后，在该导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，制成具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

此外，本发明的另一方案，其特征是在绝缘基板的一个主面上形成具有规定的掩模图案的导电膜，在该导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，获得具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

另外，前述导电膜由以铬为主成分的金属膜构成为好。

此外，前述导电膜优选由ITO膜构成。

另外，本发明的另一方案是关于采用上述的制造方法制造的金属掩模的方案。

此外，本发明的另一方案，其特征是，它是将在具有形成于绝缘基板上的规定的掩模图案的导电膜上形成的金属镀层剥离而获得的金属掩模，该金属掩模具有由所剥离的面向相反一侧扩展成锥状的开口，最宽阔的开口部分位于所剥离的面一侧。

根据本发明，在透明板或透明薄膜的一主面形成具有掩模图案的导电膜，然后，在该导电膜上形成感光膜，接着以前述导电膜为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述感光膜曝光，在该感光膜上形成与前述掩模图案相同形状的掩模图案。由此，可在透明板或透明薄膜上的没有导电膜的区域形成感光膜。因此，作为透明板或透明薄膜，选择玻璃等热膨胀率小的材质是容易的，没有掩模图案的尺寸随时间的变化。据此，金属掩模制造工序中的掩模图案的尺寸管理变得容易。

另外，以感光膜为掩模，在导电膜上形成金属镀层，通过剥离该金属镀层，容易得到具有与感光膜上所形成的掩模图案相同形状的图案的金属掩模。

在此，通过反复实施在导电膜上形成金属镀层、剥离该金属镀层的工序，可制作多片且相同精度的高精度的金属掩模。

另外，根据本发明，在绝缘基板的一主面形成具有掩模图案的导电膜，然后，在该导电膜上形成具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属镀层，剥离该金属镀层制成金属掩模。据此，作为绝缘基板，可采用玻璃和陶瓷等热膨胀率小的材料，于是，金属掩模制造工序中的掩模图案的尺寸管理变得容易。另外，由于采用该方法可简化工序，故可降低制造成本。

此外，金属掩模开口部分的侧面成为锥状，可提高掩模图案的精度。尤其是通过在靠近导电膜的一侧构成金属掩模，并使开口最小，掩模图案准确地与导电膜相同。

另外，通过使感光膜形成为锥状，可容易获得开口为锥状的金属掩模。

附图的简单说明

图1是表示本发明第1实施方案的金属掩模的制造方法的图。

图2是表示第1实施方案的详细工艺的图。

图3是说明使用了扩散板的工艺的图。

图4是说明开口为锥状的金属掩模的图。

图5是表示第1实施方案的变形例的工艺的图。

图6是表示本发明第2实施方案的金属掩模的制造方法图。

图7是表示第2实施方案的详细工艺的图。

图8是表示第2实施方案得到的金属掩模的开口部分的形状的图。

图9是表示第3实施方案的金属掩模的制造方法图。

实施发明的最佳方案

根据附图说明本发明的金属掩模的制造方法的各实施方案。

第1的实施方案

根据图1说明本发明第1实施方案的EL元件用蒸镀用金属掩模的制造方法。

首先，如图1(a)所示，通过蒸镀或溅射在玻璃基板1的表面(一个主面)形成作为导电材料的例如厚0.1μm的Cr(铬)膜(导电膜)2，采用旋转式涂布法在该Cr膜2上，形成例如厚0.7μm的感光材料(第1的抗蚀剂膜)3。

然后，用电子束曝光法、激光束曝光法，在感光材料3上直接形成掩模图案3a。接着以该感光材料3为掩模，蚀刻Cr膜2，如图1(b)所示，在该Cr膜2上形成与前述掩模图案3a相同形状的掩模图案2a，其后，剥离(除去)感光材料3。在该工艺中，一般可适当选择使用已知的方法。例如，用上述的电子束曝光法或激光束曝光法，在感光材料3的规定的区域扫描电子束或激光束，使其区域感光。另外，也可以使用母掩模，只对规定的区域照射光，将感光材料3进行感光。

然后，在该Cr膜2上层压(形成)厚50μm的干膜4，以该Cr膜2为掩7膜，从玻璃基板1一侧照射光5，将干膜4曝光。结果，如图1(c)所示，在干膜4上形成与掩模图案2a相同形状的掩模图案4a。

接着，如图1(d)所示，对Cr膜2进行前处理后，通过电镀在该Cr膜2上形成例如由Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金等构成的金属镀层6。金属镀层6的厚度是30μm～50μm左右。其后，剥离该金属镀层6，制成形成了与掩模图案4a相同形状的掩模图案7a的金属掩模7。

再者，如果反复进行图1(c)～图1(d)的工序，则可制作多片且相同精度的高精度的金属掩模7。

采用本实施方案的金属掩模的制造方法，在玻璃基板1的表面形成具有掩模图案2a的Cr膜2，在该Cr膜2上层压干膜4，以该Cr膜2为掩模，从玻璃基板1一侧照射光5将干膜4曝光，在干膜4上形成与掩模图案2a相同形状的掩模图案4a，通过玻璃基板1成为Cr膜2的基础(壁)，可以使掩模图案的尺寸随时间的变化丧失。其结果，可容易地进行金属掩模制造工序中的掩模图案的尺寸管理。

再者，玻璃基板1的热膨胀率是1μm/℃左右，是不锈钢等的1/8左右，通过使用玻璃基板1可以抑制因热产生的精度恶化。另外，玻璃的材质也可使用各种玻璃，但钠钙玻璃等因价廉而优选。另一方面，石英玻璃价格高，但具有热膨胀率小、光的透过好、难于损伤等的优点。

另外，通过电镀在Cr膜2上形成金属镀层6，其后，剥离该金属镀层6，可容易获得形成了与掩模图案4a相同形状的掩模图案7a的金属掩模7。

此外，通过反复实施该工序，可制作多片且相同精度的高精度的金属掩模7。

以下，用图2更详细地说明利用形成了Cr膜2的玻璃基板1制造金属掩模时的顺序。

首先，对形成Cr膜2的玻璃基板1，进行除去其残留于表面的金属镀层6的残渣等污染物的表面处理(S11)。该表面处理，在洗涤器中，例如，通过与硝酸(HNO₃)的20％溶液接触5分钟而进行。然后，通过水喷啉洗净表面(S12)。例如，通过在洗涤机中进行2次30秒左右的喷淋，进行该洗净，该洗净后，进行干燥处理(S13)。例如用干燥机吹60℃的热风5分钟进行该干燥。该干燥处理完成后，进行预加热(S14)。例如，在燃烧室内在45℃保持5分钟进行该预加热。

这样，对形成了Cr膜2的玻璃基板1，完成洗净及预加热时，在Cr膜2上层压形成干膜(干膜光子抗蚀剂)4(S15)。该干膜的层压，例如通过干膜层压机，在100℃下进行。另外，干膜4的厚度为50μm左右。

然后，对干膜4由背面进行曝光(S16)。即，通过从玻璃基板1的背面照射规定的光(能量80mJ)，以Cr膜2为掩模将干膜4进行感光。于是，将感光的干膜4显影，除去未感光的部分(S17)。例如，使之与碳酸钠(NaCO₃)的1％溶液接触40秒进行该显影。通过样地显影，Cr膜2露出，关于其他的部分，干膜4残留。即，Cr膜2是0.1μm左右，干膜4是50μm左右，在Cr膜2的周围形成干膜4的壁。

接着，用干燥机干燥全部(S18)。该干燥，例如定为在45℃干燥5分钟。然后，用显微镜检查干燥后的干膜4的残留部分是否恰当(S19)。该检查如果是NG，则除去干膜4(S20)，返回到S11。

另一方面，在S19的判断中，如果是OK，则Cr膜2露出，所以进行预加热(S21)后，以Cr膜2为电极，外加直流电压，将金属镀层6电镀在Cr膜2上(S22)。例如，在电镀浴中用4小时电镀镍(Ni)。

在此，由于在Cr膜2上方以外的部分，残留干膜4，所以利用该干膜4的壁，可形成金属镀层6，可准确地规定金属镀层6的形状。

然后，从Cr膜2上，剥离作为遮蔽屏(金属掩模)的Ni的金属镀层6(S23)。具有剥离了金属掩模的Cr膜2的玻璃基板1进行药品洗净后，除去干膜4(S24)，返回到S11。

对在S23中所得的金属掩模经在洗涤机中的水洗(S25)、用干燥机进行的干燥(S26)后，在测定器中进行各种测定(S27)。

在该S27的测定中，如果是NG，则其金属掩模不能使用，故废弃(S28)。在S27的判定中，是OK时，再用彩色激光显微镜等，检查金属掩模是否有孔等的缺陷(S29)。在该S29的判定中，是NG时，也转移到S28，废弃其金属掩模。

另一方面，在S29的判定中，是OK时，将其金属掩模进行包装(S30)、出厂(S31)。

在此，在S16中将干膜4进行感光时，通过移动玻璃基板1，利用从玻璃基板1的背面所照射的光来形成，并且使被感光的干膜4的区域慢慢地扩展为好。即，如果照射的光不是完全的平行光，则通过移动玻璃基板1，所照射的光会有一些绕入Cr膜2的背侧，感光的区域扩展。另外，使照射的光在Cr膜2的附近对焦，其后即使扩展一些地设定可进行同样的感光。又，在玻璃基板1的背面一侧设置衍射板或散射板。由此，使照射光转换成使平行光线朝向各种方向的散射光而进行曝光也可以。据此，从Cr膜2的开口通过的光从开口扩展后，可将干膜4感光。

另外，曝光时，如图3所示，在干膜4的与玻璃基板1相反的方向配置漫反射板10，对干膜4照射由该漫反射板(扩散板)10产生的反射光也是优选的。即，通过这种构成，使穿过干膜4的光被漫反射板10反射，再次向玻璃基板1照射。因此，随着离开玻璃基板1，被感光的区域扩大。

又，通过适当选择干膜4的蚀刻方法，可进行这种锥状的干膜4的蚀刻。

并且，这样一来，在S17的显影中，如图4(a)所示，朝上方可残留更宽阔面积的干膜4。因此，通过电镀而形成的金属镀层6，如图4(b)所示，在Cr膜2上具有面积最宽阔、向上方面积变小的锥状的侧面。为此，由被剥离的金属镀层6构成的金属掩模7，如图3所示，开口最小的地方变成与Cr膜2同样的形状，从此处向厚度方向(图中的上方)开口变大。

这样的金属掩模，在使用时规定开口是开口最小的情况，此时，与Cr膜2相同地被形成。因此，可得到精度非常高的金属掩模。

又，这样的金属掩模，在蒸镀掩模中利用时，可进行适当的蒸镀。即，EL面板增大时，进行蒸镀的基板也增大。在这样的大基板上进行蒸镀时，如果金属掩模的开口是笔直的孔，则在周边部分和中心部分，在蒸镀量上容易产生差别。然而，使金属掩模的开口成锥状，在周边部分可蒸镀来自斜方向的蒸发物，可谋求蒸镀量的均匀化。再者，金属掩模以开口小的一侧为基板侧进行蒸镀。据此，进行蒸镀的面积本身可维持到准确的状态。

再者，S24在S23的金属掩模的剥离工序之前进行也可以。即，如图5所示，在S22中进行电镀后，除去干膜4(S24)。然后，在除去干膜4后，剥离金属掩模7(S23)。然后玻璃基板1直接返回到S11的表面处理。再者，此时，要使在S24中使用的药品对金属掩模7没有影响。

第2的实施方案

根据图6说明本发明第2实施方案的EL元件用蒸镀用金属掩模的制造方法。

首先，与上述的第1实施方案的制造方法一样，如图6(a)所示，例如在厚0.1μm的Cr膜2上，形成例如厚0.7μm的感光材料(第1的抗蚀剂膜)3。

然后，用电子束曝光法、激光束曝光法等，直接在感光材料3上形成掩模图案3a。接着以该感光材料3为掩模，蚀刻Cr膜2，如图6(b)所示，在该Cr膜2上形成与前述掩模图案3a相同形状的掩模图案2a，其后，剥离(除去)感光材料3。

接着，如图6(c)所示，对该Cr膜2进行前处理后，通过电镀在该Cr膜2上形成金属镀层11。该金属镀层11，例如由Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金等构成，形成与掩模图案2a相同形状的掩模图案11a。

其后，如图6(d)所示，从Cr膜2上剥离金属镀层11，制成形成了与掩模图案2a相同形状的掩模图案12a的金属掩模12。

再者，反复实施图6(c)～图6(d)的工序，则可用简单的工序制作多片、相同精度的金属掩模12。

根据本实施方案的金属掩模的制造方法，通过电镀在Cr膜2上形成金属镀层11，其后从前述Cr膜2上剥离金属镀层11，可以容易地进行金属掩模制造工序中的掩模图案的尺寸管理。而且，由于工序被简化，故可降低制造成本。

在该第2实施方案中，将利用形成了Cr膜2的玻璃基板1来制造金属掩模时的顺序示于图7。

如上所述，在本第2实施方案中，没有干膜4的层压形成及曝光、显影等的工序。因此，与图2相比，S14～S20的处理被省略，同时没有S24的处理。剩余的工序基本上在与第1实施方案同样的条件下进行。

在此，S22的电镀在没有干膜4的状态下进行。因此，金属镀层11在Cr膜2上被形成，如图8所示，也延伸到Cr膜2的侧方。因此，在S23中获得的金属掩模的形状达不到与Cr膜2准确地相同的形状。因此，在该第2实施方案中，形成Cr膜2时，考虑通过电镀使开口部分变小的情况而确定尺寸为好。

第3的实施方案

在上述的第1实施方案，使用干膜4形成了成为金属镀层6的导向物的掩模图案4a。也可以用湿的抗蚀剂代替之。根据图9(a)～图9(d)说明该工艺。

首先，如图9(a)所示，采用蒸镀或溅射，在玻璃基板1的表面形成例如厚0.1μm的Cr膜2。用旋转涂布法等在该Cr膜2上形成例如厚0.7μm的感光材料3。

然后，用电子束曝光法、激光束曝光法，在感光材料3上直接形成掩模图案3a。接着以该感光材料3为掩模，蚀刻Cr膜2，如图9(b)所示，在该Cr膜2上形成与前述掩模图案3a相同形状的掩模图案2a。

其后，如图9(b)所示，从感光材料3的上形成第2的感光材料8。该第2感光材料8是液体状，也可遍及到掩模图案2a、3a的开口中。并且，在该状态下，从玻璃基板1的背面进行曝光。据此，与Cr膜2的掩模图案2a对应的第2感光材料8被曝光。

然后，在该曝光完成后，由上方进行干蚀刻。此时，第2感光材料8，其未曝光的部分被蚀刻。另外，感光材料3被蚀刻。因此，通过干蚀刻，如图9(c)所示，第2感光材料的曝光的部分作为掩模图案8a被形成。

接着，通过进行电镀，在Cr膜2上形成金属镀层6，将其剥离，获得金属掩模7。

根据该实施方案，在不利用干膜的情况下，使用湿的感光材料，可获得金属掩模7。

以上制得的金属掩模，适合作为EL板的蒸镀掩模而被利用。即，EL面板在玻璃基板上按象素具有EL元件。该EL元件在阴极与阳极间有电子输送层、发光层、空穴输送层。另外，有源型的EL面板，为了控制各EL元件中的发光，与各EL元件对应，具有薄膜晶体管(TFT)。在形成具有这样EL元件的EL面板中，按规定的图案顺次层压所需的材料层。并且，从象素越小越能进行高精细的显示，所以本发明的金属掩模适合用作材料层压中的掩模。

尤其是，作为金属掩模，通过使用镍等的磁性体，可用磁力固定金属掩模，可容易地在将材料层压的表面固定金属掩模。因此，本发明的金属掩模适合作为EL面板用的蒸镀掩模使用。

以上，基于附明对本发明的金属掩模的制造方法的各实施方案进行了说明。但具体的构成并不限定于上述的各实施方案，在不超出本发明要旨的范围内可进行设计的变更等。

例如，在第1及第2实施方案的金属掩模的制造方法中，虽然定为使用了玻璃基板1的构成，但该玻璃基板1只要是可将Cr等导电材料成膜即可，除该玻璃基板1以外，也可以很好地使用耐热性树脂板、耐热性树脂薄膜等。再者，在第2实施方案中，未从玻璃基板1的背面进行曝光。因此，也可以使用不透明的基板代替玻璃基板1。例如，可以采用陶瓷基板等。

另外，代替采用电子束曝光法、激光束曝光法等在感光材料3上直接形成掩模图案3a，使用母掩模将感光材料3进行曝光，在该感光材料3上形成掩模图案3a也可以。

此外，制成在玻璃基板1的表面，顺序形成Cr膜2及感光材料3的构成，事先，在玻璃基板1的表面备好形成Cr膜2的基体材料，在该基体材料的Cr膜2上形成感光材料3也可以。另外，也可以形成以Cr为主成分的Cr基合金、或ITO膜代替Cr膜2。

另外，此处使用了干膜4，但该干膜4只要是具有感光性的材料即可，例如也可以用液体状的抗蚀剂等的液体感光树脂等。

再者，构成金属镀层6、11的金属，只要是能通过电镀而形成的金属即可，并不限定于Ni、Ni-Co合金、Ni-W合金。例如，可采用Ta(钽)、Mo(钼)、W(钨)等。

另外，在上述的实施方案中，利用了电镀，但也可以采用非电解的镀敷。

产业上的利用可能性

如以上说明，采用本发明，在透明板或透明薄膜的一主面形成具有掩模图案的导电膜，然后，在该导电膜上形成感光膜，接着以前述导电膜为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述感光膜进行曝光，形成与前述掩模图案相同形状的掩模图案。由此，在透明板或透明薄膜上的没有导电膜的区域可形成感光膜。因此，作为透明板或透明薄膜，选择玻璃等热膨胀率小的材质是容易的，掩模图案的尺寸随时间的变化变得没有。据此，金属掩模制造过程中的掩模图案的尺寸管理变得容易。

另外，以感光膜作为掩模，在导电膜上形成金属镀层，通过剥离该金属镀层，容易获得具有与感光膜上所形成的掩模图案相同形状的图案的金属掩模。

在此，通过反复实施在导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层的工序，可制作多片且相同精度的高精度的金属掩模。

另外，根据本发明，在绝缘基板的一主面形成具有掩模图案的导电膜。然后，在该导电膜上形成具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属镀层，剥离该金属镀层，制成金属掩模。据此，作为绝缘基板，可以用玻璃和陶瓷等热膨胀率小的材料。因此，在金属掩模的制造工序中的掩模图案的尺寸管理变得容易。再者，采用该方法，工序被简化，故可降低制造成本。

此外，通过金属掩模的开口部分的侧面变成锥状，可提高掩模图案的精度。尤其是，通过在靠近导电膜的一侧使开口最小地构成金属掩模，掩模图案准确地与导电膜一致。

另外，使感光膜形成为锥状，可容易获得开口为锥状的金属掩模。

由以上看出，采用本发明，可制作多片、相同精度的在制造工序中的尺寸管理容易、高精度的金属掩模，并且可降低制造成本。

Claims

1.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，在透明板或透明薄膜的一个主面上，形成具有掩模图案的导电膜，然后在该导电膜上形成感光膜，接着以前述导电膜为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述感光膜曝光，在该感光膜上形成与前述掩模图案相同形状的掩模图案，接着，在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层从而制成金属掩模。

2.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，准备在透明板或透明薄膜的一个主面上形成了导电膜的基体材料，在该基体材料的导电膜上形成第1抗蚀剂膜，然后在该第1抗蚀剂膜上形成第1掩模图案，接着以该抗蚀剂膜为掩模，蚀刻前述导电膜，其后除去该第1抗蚀剂膜，接着，在前述导电膜上形成第2抗蚀剂膜，以该导电膜为掩模，从前述透明板或透明薄膜一侧将前述第2抗蚀剂膜曝光，在前述第2抗蚀剂膜上形成第2掩模图案，通过电镀在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层从而制成金属掩模。

3.权利要求2记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，前述第2抗蚀剂膜是干膜。

4.权利要求1～3的任1项记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，在前述第2抗蚀剂膜上形成的掩模图案，含有上述导电膜上的空间随着远离导电膜而变得狭小的开口部分。

5.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，准备在透明板或透明薄膜的一个主面上形成了导电膜的基体材料，在该基体材料的导电膜上形成第1抗蚀剂膜，然后在该第1抗蚀剂膜上形成第1掩模图案，接着以该抗蚀剂膜为掩模，蚀刻前述导电膜、其后除去该第1抗蚀剂膜，接着，通过电镀在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，从而制成具有与前述第1掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

6.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，准备在绝缘基板的一个主面上形成了导电膜的基体材料，在该基体材料的导电膜上形成第1抗蚀剂膜，然后在该第1抗蚀剂膜上形成第1掩模图案，接着以该抗蚀剂膜为掩模，蚀刻前述导电膜，其后除去该第1抗蚀剂膜。接着，通过电镀在前述导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，从而制成具有与前述第1掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

7.权利要求2～6的任1项记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，掩模图案在前述第1抗蚀剂膜上的形成是采用电子束曝光法或激光束曝光法来进行的。

8.权利要求2～6的任1项记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，掩模图案在前述第1抗蚀剂膜上的形成，是采用使用了母掩模的曝光法来进行的。

9.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，在透明板或透明薄膜的一个主面上形成具有掩模图案的导电膜，然后在该导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，制成具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

10.一种金属掩模的制造方法，其特征在于，在绝缘基板的一个主面上形成具有所规定的掩模图案的导电膜，在该导电膜上形成金属镀层，剥离该金属镀层，制成具有与前述掩模图案相同形状的掩模图案的金属掩模。

11.权利要求1～10的任1项记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，前述导电膜由以铬为主成分的金属膜构成。

12.权利要求1～10的任1项记载的金属掩模的制造方法，其特征在于，前述导电膜由ITO膜构成。

13.一种金属掩模，其特征在于，它是采用权利要求1～12的任1项所记载的制造方法来制造的。

14.一种金属掩模，其特征在于，它是将在具有形成于绝缘基板上的所规定的掩模图案的导电膜上形成的金属镀层剥离而获得的金属掩模，金属掩模具有从所剥离的面向相反一侧扩展成锥状的开口，最宽阔的开口部分位于所剥离的面一侧。