CN107065432A - 一种制备铬版掩膜版的方法 - Google Patents

一种制备铬版掩膜版的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN107065432A
CN107065432A CN201710392184.4A CN201710392184A CN107065432A CN 107065432 A CN107065432 A CN 107065432A CN 201710392184 A CN201710392184 A CN 201710392184A CN 107065432 A CN107065432 A CN 107065432A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
mask
plate
transparent substrate
mask plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710392184.4A
Other languages
English (en)
Inventor
赵海轮
曹乾涛
路波
董航荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
CETC 41 Research Institute
Original Assignee
CETC 41 Research Institute
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by CETC 41 Research Institute filed Critical CETC 41 Research Institute
Priority to CN201710392184.4A priority Critical patent/CN107065432A/zh
Publication of CN107065432A publication Critical patent/CN107065432A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明涉及集成电路制备技术领域，具体涉及一种用于制备铬版掩膜版的方法，在清洗干净的透明基底上表面涂覆正性光致抗蚀剂，根据设计的版图，使用曝光设备对光致抗蚀剂进行曝光和显影，形成光致抗蚀剂图案，并进行坚膜处理，在透明基底上淀积形成掩膜金属层，剥离光致抗蚀剂，使得抗蚀剂以及抗蚀剂上面的金属层均被去除，得到带有设计图案的掩膜版。本发明省掉了铬版掩膜版制作时铬膜的湿法或干法刻蚀工艺，缩短了制备工艺流程，节约了生产和设备成本；制备的掩膜版的线条边缘更加整齐笔直，提高器件的图形质量；同时也提高了制版工艺能力，拓宽了制版工艺窗口。

Description

一种制备铬版掩膜版的方法
技术领域
本发明涉及集成电路制备技术领域，具体涉及一种用于制备铬版掩膜版的方法。
背景技术
掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版制作(简称制版)是通过图形发生器完成图形的复制。在设计完成集成电路的版图以后，设计者得到的是一组标准的制版数据，将这组数据传送给图形发生器(一种制版设备)，图形发生器(Pattern Generator，PG)根据数据，将设计的版图结果分层转移至掩膜版。制版的目的就是产生一套分层的版图掩膜，为将来进行图形转移(即光刻)做准备。
铬版掩膜版具有坚硬耐磨、光反差好以及化学性质稳定等优点，应用非常广泛。现有铬版掩膜版制备的主要工艺过程为：在石英或玻璃等透明基材上利用真空加热蒸发或者溅射淀积形成铬薄膜层，在其上涂覆光致抗蚀剂，利用激光或者电子束根据设计的版图对光致抗蚀剂进行曝光，显影形成抗蚀剂图案，然后利用湿法或者干法刻蚀工艺刻蚀去除未被抗蚀剂覆盖的铬膜，最终剥离抗蚀剂，得到带有图案的铬版掩膜版。
现有技术中，必须使用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀铬膜，从而带来工艺过程复杂的问题。因此，为了减少工序，更简单快捷地制备铬版掩膜版，急需开发一种适用于制备铬版掩膜版的简单方法。
发明内容
根据现有技术的不足，本发明提供了一种制备铬版掩膜版的方法，解决了现有技术中必须使用干法或湿法刻蚀工艺刻蚀铬膜，从而带来工艺过程复杂的问题。
本发明的制备铬版掩膜版的方法，通过依次执行以下步骤实现：
步骤101：准备透明基底，并对其进行清洗干净；
步骤102：在透明基底上表面涂覆正性光致抗蚀剂；
步骤103：根据设计的版图，使用曝光设备对光致抗蚀剂进行曝光；
步骤104：对光致抗蚀剂进行显影，形成光致抗蚀剂图案，并进行坚膜处理；
步骤105：在带有光致抗蚀剂的透明基底上淀积形成掩膜金属层；
步骤106：剥离光致抗蚀剂，使得抗蚀剂以及抗蚀剂上面的金属层均被去除，得到带有设计图案的掩膜版。
可选地，步骤101中所述的透明基底材料为石英或石英玻璃或硼硅玻璃或白玻璃或钠钙玻璃，透明基底厚度为1mm～1.5mm；
可选地，步骤102中所述的光致抗蚀剂的涂覆方式为旋转涂布法或喷雾式涂布法；
可选地，步骤103中所述的曝光光束为紫外激光或深紫外激光或电子束；
可选地，步骤105中所述的掩膜金属层结构包括遮光层和吸光层，其中遮光层为厚度60～80nm的Cr薄膜，吸光层为厚度20～30nm的CrO薄膜；
可选地，步骤105中所述的金属层淀积方式为蒸发或溅射。
本发明的制备铬版掩膜版电路图形的方法，省掉了铬版掩膜版制作时铬膜的湿法或干法刻蚀工艺，缩短了制备工艺流程，节约了生产和设备成本；制备的掩膜版的线条边缘更加整齐笔直，提高器件的图形质量；同时也提高了制版工艺能力，拓宽了制版工艺窗口。
附图说明
图1为本发明提供的一种制备铬版掩膜版的方法流程图；
图2a-图2f为本发明提供的一种制备铬版掩膜版方法的一个具体实施例的工艺步骤图。
其中，301：透明基底；302：正性光致抗蚀剂；303：曝光光束；304：掩膜金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示，本实施例的制备铬版掩膜版的方法，包括依次执行如下步骤：
步骤101，提供一透明基底301，透明基底301材料为石英玻璃，厚度为1.4mm。将透明基底301放置于铬酸中浸泡48小时，去除透明基底301表面的有机杂质，然后用清洗剂把透明基底301表面其他污染物去除干净，如图2a所示。
步骤102，采用旋转涂布法，使用匀胶机在透明基底301上表面涂覆一层均匀的正性光致抗蚀剂302，如图2b所示。正性光致抗蚀剂302为S-1805型光致抗蚀剂，匀胶机转速6000rpm/s，匀胶时间为30s，然后在110℃恒温热板上前烘3min。
步骤103，将涂覆正性光致抗蚀剂302的透明基底301固定在曝光设备平台的中心位置，采用激光光束303按照设计的版图对正性光致抗蚀剂302进行曝光，激光曝光功率为90mJ/cm2，焦距为0，如图2c所示。
步骤104，在显影液中用沉浸法去除被曝光过的光致抗蚀剂302，浸泡时间约为20s；然后采用热板进行后烘坚膜处理，热板温度为120℃，坚膜时间为3min，如图2d所示。
步骤105，将带有光致抗蚀剂302图案的透明基底301载入到磁控溅射镀膜机中，然后淀积掩膜金属层304，如图2e所示。磁控溅射镀膜机的功率为500W，真空度为5×10-7Pa以下，溅射温度为50℃，氩气体积流量为30sccm～40sccm，氧气体积流量为70sccm～100sccm。淀积的掩膜金属层304包括遮光层和吸光层，其中遮光层为Cr薄膜，厚度为80nm，吸光层为CrO薄膜，厚度为20nm。
步骤106，将淀积掩膜金属层304的透明基底301浸入光致抗蚀剂剥离液中，浸泡30min，然后超声清洗1min，去除非图形区域的正性光致抗蚀剂302和其上表面的掩膜金属层304，从而得到设计图案的掩膜版，其中光致抗蚀剂剥离液为丙酮，如图2f所示。
本实施例的制备铬版掩膜版的方法，省掉了铬版掩膜版制作时铬膜的湿法或干法刻蚀工艺，缩短了制备工艺流程，节约了生产和设备成本；制备的掩膜版的线条边缘更加整齐笔直，提高器件的图形质量；同时也提高了制版工艺能力，拓宽了制版工艺窗口。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应视为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于，依次执行如下步骤：
步骤(101)：准备透明基底，并对其进行清洗干净；
步骤(102)：在透明基底上表面涂覆正性光致抗蚀剂；
步骤(103)：根据设计的版图，使用曝光设备对光致抗蚀剂进行曝光；
步骤(104)：对光致抗蚀剂进行显影，形成光致抗蚀剂图案，并进行坚膜处理；
步骤(105)：在带有光致抗蚀剂的透明基底上淀积形成掩膜金属层；
步骤(106)：剥离光致抗蚀剂，使得抗蚀剂以及抗蚀剂上面的金属层均被去除，得到带有设计图案的掩膜版。
2.如权利要求1所述的一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于：所述步骤(101)中所述的透明基底材料为石英或石英玻璃或硼硅玻璃或白玻璃或钠钙玻璃，透明基底厚度为1mm～1.5mm。
3.如权利要求1所述的一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于：所述步骤(102)中所述的光致抗蚀剂的涂覆方式为旋转涂布法或喷雾式涂布法。
4.如权利要求1所述的一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于：所述步骤(103)中所述的曝光光束为紫外激光或深紫外激光或电子束。
5.如权利要求1所述的一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于：所述步骤(105)中所述的掩膜金属层结构包括遮光层和吸光层，其中遮光层为厚度60～80nm的Cr薄膜，吸光层为厚度20～30nm的CrO薄膜。
6.如权利要求1或5所述的一种制备铬版掩膜版的方法，其特征在于：所述步骤(105)中所述的金属层淀积方式为蒸发或溅射。
CN201710392184.4A 2017-05-27 2017-05-27 一种制备铬版掩膜版的方法 Pending CN107065432A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710392184.4A CN107065432A (zh) 2017-05-27 2017-05-27 一种制备铬版掩膜版的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710392184.4A CN107065432A (zh) 2017-05-27 2017-05-27 一种制备铬版掩膜版的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107065432A true CN107065432A (zh) 2017-08-18

Family

ID=59616669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710392184.4A Pending CN107065432A (zh) 2017-05-27 2017-05-27 一种制备铬版掩膜版的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN107065432A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109016794A (zh) * 2017-11-16 2018-12-18 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
WO2019119598A1 (zh) * 2017-12-21 2019-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜
CN110286559A (zh) * 2019-07-10 2019-09-27 深圳市华星光电技术有限公司 Uv掩膜板及其制作方法
CN110610901A (zh) * 2019-08-22 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN114613666A (zh) * 2020-12-09 2022-06-10 山东华光光电子股份有限公司 一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法
CN118754455A (zh) * 2024-06-17 2024-10-11 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种复合材质的掩膜装置及镀膜玻璃的掩膜方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1392905A (zh) * 2000-09-26 2003-01-22 伊斯曼柯达公司 金属掩膜的制造方法及金属掩模
CN1397986A (zh) * 2001-07-23 2003-02-19 北京大学 金属剥离方法
CN102181838A (zh) * 2011-05-05 2011-09-14 深圳市科利德光电材料股份有限公司 铬版制造工艺
CN103646854A (zh) * 2013-12-12 2014-03-19 中国科学院微电子研究所 一种改善基于Cr掩模刻蚀工艺的方法
CN104597719A (zh) * 2015-01-12 2015-05-06 北京同方生物芯片技术有限公司 基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法
CN105807557A (zh) * 2016-05-23 2016-07-27 中国科学院光电技术研究所 一种用于光学曝光的高分辨率柔性复合掩模板及其制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1392905A (zh) * 2000-09-26 2003-01-22 伊斯曼柯达公司 金属掩膜的制造方法及金属掩模
CN1397986A (zh) * 2001-07-23 2003-02-19 北京大学 金属剥离方法
CN102181838A (zh) * 2011-05-05 2011-09-14 深圳市科利德光电材料股份有限公司 铬版制造工艺
CN103646854A (zh) * 2013-12-12 2014-03-19 中国科学院微电子研究所 一种改善基于Cr掩模刻蚀工艺的方法
CN104597719A (zh) * 2015-01-12 2015-05-06 北京同方生物芯片技术有限公司 基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法
CN105807557A (zh) * 2016-05-23 2016-07-27 中国科学院光电技术研究所 一种用于光学曝光的高分辨率柔性复合掩模板及其制备方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109016794A (zh) * 2017-11-16 2018-12-18 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
CN109016794B (zh) * 2017-11-16 2023-08-25 武汉华工图像技术开发有限公司 一种大面积无缝微缩制版工艺及全息母版
WO2019119598A1 (zh) * 2017-12-21 2019-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 金属光掩膜的制作方法以及金属光掩膜
CN110286559A (zh) * 2019-07-10 2019-09-27 深圳市华星光电技术有限公司 Uv掩膜板及其制作方法
CN110610901A (zh) * 2019-08-22 2019-12-24 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制备方法
CN114613666A (zh) * 2020-12-09 2022-06-10 山东华光光电子股份有限公司 一种长寿命铬版光刻掩膜版及其制备方法
CN118754455A (zh) * 2024-06-17 2024-10-11 福耀玻璃工业集团股份有限公司 一种复合材质的掩膜装置及镀膜玻璃的掩膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230194788A1 (en) Grating, method for manufacturing grating, and optical waveguide
CN105259733B (zh) 一种用于曲面图形化的柔性掩膜板制备方法
CN107193184A (zh) 一种用于制备高精度铬版掩膜版电路图形的方法
CN102929459B (zh) 一种金属点残留少的电容触摸屏的金属电极制作方法
CN101276778A (zh) 一种利用光敏胶层制作空气桥的方法
CN105446075B (zh) 一种半导体基板光刻工艺
CN109946771B (zh) 一种三角形手性结构及其制备方法
CN111522208A (zh) 使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法
CN104597719B (zh) 基于正性光刻胶的镍阳模具制作方法
CN101251713A (zh) 深紫外光刻制作“t”型栅的方法
CN115373215A (zh) 一种采用光刻方法制备薄膜掩模版的方法及其应用
CN102096316A (zh) 一种利用岛型结构掩模提高超衍射光刻分辨力和光刻质量的方法
CN101825845A (zh) 一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法
CN116054770B (zh) 剥离工艺制备叉指电极的方法
CN103698973A (zh) 柔性光刻掩模板的制备方法
JP3157772B2 (ja) メタル配線のリペア方法
CN116339075A (zh) 一种铜mesh正性光阻蚀刻方法
CN101625522B (zh) 在厚负性高分辨率电子束抗蚀剂hsq上制作密集图形的方法
JPS63310513A (ja) 酸化錫透明電極の製造法
CN107703718A (zh) 一种大面积玻璃衬底上倒梯形截面光刻胶掩膜的制备方法
JP3645112B2 (ja) 現像液、リンス液、及びこれらを用いたパターン形成方法
CN108594595A (zh) 一种具有微纳图形结构的掩膜板制作方法和纳米光刻方法
JPS61204933A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS5829619B2 (ja) シヤシンシヨツコクヨウホトマスク
CN121704143A (zh) 一种基于拼接曝光的大尺寸光学窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170818

RJ01 Rejection of invention patent application after publication