CN106086785B - 掩膜板及其制作方法、掩膜组件 - Google Patents

掩膜板及其制作方法、掩膜组件 Download PDF

Info

Publication number
CN106086785B
CN106086785B CN201610617389.3A CN201610617389A CN106086785B CN 106086785 B CN106086785 B CN 106086785B CN 201610617389 A CN201610617389 A CN 201610617389A CN 106086785 B CN106086785 B CN 106086785B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask plate
bending
mask
edge
alleviated
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610617389.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106086785A (zh
Inventor
林治明
王震
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd, Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201610617389.3A priority Critical patent/CN106086785B/zh
Publication of CN106086785A publication Critical patent/CN106086785A/zh
Priority to PCT/CN2017/088040 priority patent/WO2018019045A1/zh
Priority to US15/745,338 priority patent/US10662519B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN106086785B publication Critical patent/CN106086785B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005—Masking devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Abstract

本发明提供了一种掩膜板及其制作方法、掩膜组件，该掩膜板包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，所述边缘区域上设置有弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲。本发明提供的掩膜板，通过在掩膜板上设置弯曲缓解结构，当该掩膜板焊接在框架上被拉伸时，通过弯曲缓解结构可以有效缓解掩膜板上蒸镀有效区的边缘卷曲，避免在蒸镀过程中在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。

Description

掩膜板及其制作方法、掩膜组件
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、掩膜组件。
背景技术
目前，有机电致发光显示器件(Organic Electroluminesecent Display，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，已经逐渐成为显示领域的主流。
OLED显示面板包括阵列排布的多个子像素单元，每一个子像素单元包括阳极、发光层和阴极，其中，发光层采用有机发光材料形成，目前主要采用掩膜板(例如精细金属掩膜版，英文为Fine metal mask，简称FMM)并通过蒸镀工艺制作在各子像素单元中，在进行蒸镀工艺时，掩膜板必须焊接在框架上放在蒸镀机里面使用，掩膜板和框架焊接在一起称为MFA(Mask Frame Assemble，掩膜组件)，当掩膜板焊接在框架上时，掩膜板在框架的作用下通常处于被拉伸的状态，从而容易使掩膜板上蒸镀有效区两侧的边缘存在不同程度的卷曲问题，在蒸镀工艺中，容易在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是：如何解决现有的掩膜板安装在框架时，由于掩膜板被拉伸而造成的蒸镀有效区边缘卷曲问题。
(二)技术方案
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，所述边缘区域上设置有弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲。
优选地，所述弯曲缓解结构包括第一条状结构，且所述第一条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向不平行。
优选地，所述第一条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向垂直。
优选地，所述弯曲缓解结构还包括与所述第一条状结构相交叉的第二条状结构。
优选地，所述第二条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向平行。
优选地，每一个所述弯曲缓解结构包括多个所述第一条状结构。
优选地，所述边缘区域包括在所述第一边沿的延伸方向上相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域与所述蒸镀有效区中心的距离大于所述第二区域与所述蒸镀有效区中心的距离，所述第一区域上相邻两个第一条状结构之间的距离大于所述第二区域上相邻两个第一条状结构之间的距离。
优选地，每一个掩膜单元包括多个所述弯曲缓解结构。
优选地，所述弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度。
优选地，所述弯曲缓解结构的周边为镂空区域。
优选地，所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元按照所述第一边沿的延伸方向排列。
优选地，所述弯曲缓解结构与所述掩膜单元的蒸镀有效区为相同材料。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种掩膜组件，其特征在于，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安装在所述框架上并配置为在所述第一边沿的延伸方向被拉伸。
为解决上述技术问题，本发明还提供了一种掩膜板的制作方法，包括形成至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，还包括在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲。
优选地，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过半刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度。
优选地，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过全刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为镂空区域。
(三)有益效果
本发明提供的掩膜板，通过在掩膜板上设置弯曲缓解结构，当该掩膜板焊接在框架上被拉伸时，通过弯曲缓解结构可以有效缓解掩膜板上蒸镀有效区的边缘卷曲，避免在蒸镀过程中在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。
附图说明
图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图；
图2是本发明实施方式提供的一种掩膜板上弯曲缓解结构的示意图；
图3是图2中弯曲缓解结构被拉伸时的示意图；
图4是本发明实施方式提供的另一种掩膜板上弯曲缓解结构的示意图；
图5是本发明实施方式提供的一种掩膜组件的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
本发明实施方式提供了一种掩膜板，该掩膜板包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，所述边缘区域上设置有弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲(即减小蒸镀有效区的边缘卷曲程度)。
本发明实施方式提供的掩膜板，通过在掩膜板上设置弯曲缓解结构，当该掩膜板焊接在框架上被拉伸时，通过弯曲缓解结构可以有效缓解掩膜板上蒸镀有效区的边缘卷曲，避免在蒸镀过程中在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。
例如，可以在掩膜板的上述边缘区域设置一个或多个条状结构作为弯曲缓解结构，并且该条状结构的延伸方向与第一边沿的延伸方向不平行，当该掩膜板按照第一边沿的延伸方向被拉伸时，该条状结构会产生弯曲变形，使蒸镀有效区产生向外的拉伸效果，进而缓解蒸镀有效区边缘的卷曲状态。优选地，该条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向垂直。
参见图1，图1是本发明实施方式提供的一种掩膜板的示意图，该掩膜板的形状为矩形，其包括两条第一边沿1a和两条第二边沿1b，其上设置有多个掩膜单元(FMM SheetCell)100，该多个掩膜单元按照第一边沿1a的延伸方向排列，其中，每一个掩膜单元100包括蒸镀有效区110以及位于蒸镀有效区110与掩膜板第一边沿1a之间的边缘区域，该边缘区域上设置有弯曲缓解结构120，该弯曲缓解结构120用于当掩膜板按照所述第一边沿1a的延伸方向被拉伸时缓解蒸镀有效区的边缘卷曲；
参见图2，图2是图1中虚线框内的放大示意图，其中，每一个弯曲缓解结构120包括第二条状结构121以及与第二条状结构121相交叉的第一条状结构122，且第一条状结构122的延伸方向与第一边沿1a的延伸方向不平行；
如图3所示，当该掩膜板按照第一边沿1a的延伸方向被拉伸时，拉伸力F和F’通过第二条状结构121进行传动，带动第一条状结构122进行形变，第一条状结构122的弯曲变形，会带动掩膜单元边缘区域的外边沿向内收缩，所以产生力f和f’，由于弯曲缓解结构120与掩膜单元的蒸镀有效区110是相互连接的，所以内缩的力f会通过相互作用力使蒸镀有效区110产生向外的拉伸效果，进而缓解蒸镀有效区110边缘的卷曲状态；
优选地，在上述的弯曲缓解结构120中，第一条状结构122的延伸方向与第一边沿1a的延伸方向垂直，第二条状结构121的延伸方向与第一边沿1a的延伸方向平行，即第一条状结构122与第二条状结构121可以垂直设置，以提高缓解蒸镀有效区边缘卷曲的效果，另外，还可以如图2所示，每一个弯曲缓解结构120可以包括多个第一条状结构122。
优选地，在同一个掩膜单元中，所述边缘区域包括在所述第一边沿的延伸方向上相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域与所述蒸镀有效区中心的距离大于所述第二区域与所述蒸镀有效区中心的距离，所述第一区域上相邻两个第一条状结构之间的距离大于所述第二区域上相邻两个第一条状结构之间的距离，即对于同一个掩膜单元，可以在其中边缘区域的中间部分(即边缘区域上距离蒸镀有效区中心较近的部分)设置较多的第一条状结构，从而在该位置上提高缓解边缘卷曲的效果，使该位置上边缘卷曲缓解效果更为突出，这样有利于提高整个边缘区域的边缘卷曲缓解效果。
另外，每一个弯曲缓解结构120也可以只包括第一条状结构122，而不再设置第二条状结构121，从而相应的降低弯曲缓解结构的制作难度。
为进一步地提高缓解蒸镀有效区边缘卷曲的效果，每一个掩膜单元100可以包括多个弯曲缓解结构120，每一个掩膜单元中弯曲缓解结构的个数可以根据其上蒸镀有效区边缘卷曲的程度进行设置，例如，可以在每一个掩膜单元中蒸镀有效区域的两侧各设置一个弯曲缓解结构，也可以如图1所示，在每一个掩膜单元中的蒸镀有效区域的两侧各设置两个弯曲缓解结构。
本发明实施方式提供的掩膜板，通过在其上设置弯曲缓解结构，该弯曲缓解结构包括第二条状结构以及与第二条状结构相交叉的第一条状结构，在拉伸的过程中，通过第二条状结构传输拉伸力，使第一条状结构产生弯曲，带动掩膜单元的边缘区域的外边界向内移动，进而产生内缩的趋势，在内缩的过程中，会带动掩膜单元的蒸镀有效区向外拉伸，从而缓解蒸镀有效区边缘的卷曲状态，避免在蒸镀过程中在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。
为形成上述的弯曲缓解结构，可以对现有的掩膜板的边缘区域进行刻蚀，通过刻蚀工艺形成上述的弯曲缓解结构，弯曲缓解结构与掩膜单元的蒸镀有效区为相同材料；
例如，可以对掩膜板的边缘区域进行半刻蚀(Half Etching)，在经过半刻蚀工艺后，弯曲缓解结构为形成的边缘区域的凸起结构，弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度，即弯曲缓解结构的表面高度高于其周边区域的表面高度；
优选地，还可以对弯曲缓解结构的周边进行全刻蚀(Full Etching)，使，即使弯曲缓解结构的周边为镂空区域，其结构如图4所示，从而使弯曲缓解结构的第一条状结构122获取更大的弯曲效果，对掩膜板的蒸镀有效区产生更大的拉伸作用，进而更好的缓解蒸镀有效区边缘的卷曲状态。
此外，本发明实施方式还提供了一种掩膜组件，包括框架以及上述的掩膜板，所述掩膜板安装在所述框架上并配置为在所述第一边沿的延伸方向被拉伸。
参见图5，图5是本发明实施方式提供的一种掩膜组件的示意图，该掩膜组件包括框架2以及多个掩膜板1，掩膜板1焊接在框架2上并在框架2的作用下处于被拉伸的状态，其中，掩膜板1可以为上述结构的掩膜板，从而可以有效缓解掩膜板上蒸镀有效区的边缘卷曲，避免在蒸镀过程中在蒸镀的产品的对应位置上产生不良。
此外，本发明实施方式还提供了一种掩膜板的制作方法，包括形成至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，还包括在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲。
例如，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过半刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度。
例如，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过全刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为镂空区域。
以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (15)

1.一种掩膜板，包括至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，其特征在于，所述边缘区域上设置有弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲；所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元按照所述第一边沿的延伸方向排列。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述弯曲缓解结构包括第一条状结构，且所述第一条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向不平行。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向垂直。
4.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述弯曲缓解结构还包括与所述第一条状结构相交叉的第二条状结构。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述第二条状结构的延伸方向与所述第一边沿的延伸方向平行。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其特征在于，每一个所述弯曲缓解结构包括多个所述第一条状结构。
7.根据权利要求6所述的掩膜板，其特征在于，所述边缘区域包括在所述第一边沿的延伸方向上相邻的第一区域和第二区域，所述第一区域与所述蒸镀有效区中心的距离大于所述第二区域与所述蒸镀有效区中心的距离，所述第一区域上相邻两个第一条状结构之间的距离大于所述第二区域上相邻两个第一条状结构之间的距离。
8.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，每一个掩膜单元包括多个所述弯曲缓解结构。
9.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度。
10.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述弯曲缓解结构的周边为镂空区域。
11.根据权利要求1-10任一所述的掩膜板，其特征在于，所述弯曲缓解结构与所述掩膜单元的蒸镀有效区为相同材料。
12.一种掩膜组件，其特征在于，包括框架以及权利要求1-11任一所述的掩膜板，所述掩膜板安装在所述框架上并配置为在所述第一边沿的延伸方向被拉伸。
13.一种掩膜板的制作方法，包括形成至少一个掩膜单元，所述掩膜单元包括蒸镀有效区以及位于所述蒸镀有效区与所述掩膜板第一边沿之间的边缘区域，其特征在于，还包括在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构，所述弯曲缓解结构用于当所述掩膜板按照所述第一边沿的延伸方向被拉伸时缓解所述蒸镀有效区的边缘卷曲；所述掩膜板包括多个掩膜单元，所述多个掩膜单元按照所述第一边沿的延伸方向排列。
14.根据权利要求13所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过半刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为非镂空区域，所述非镂空区域的厚度小于所述弯曲缓解结构的厚度。
15.根据权利要求13所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述边缘区域上形成弯曲缓解结构包括：
通过全刻蚀工艺在所述边缘区域上形成所述弯曲缓解结构的图案，所述弯曲缓解结构的周边为镂空区域。
CN201610617389.3A 2016-07-29 2016-07-29 掩膜板及其制作方法、掩膜组件 Active CN106086785B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610617389.3A CN106086785B (zh) 2016-07-29 2016-07-29 掩膜板及其制作方法、掩膜组件
PCT/CN2017/088040 WO2018019045A1 (zh) 2016-07-29 2017-06-13 掩膜板及其制作方法、掩膜组件
US15/745,338 US10662519B2 (en) 2016-07-29 2017-06-13 Mask, method for manufacturing the same, and mask assembly

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610617389.3A CN106086785B (zh) 2016-07-29 2016-07-29 掩膜板及其制作方法、掩膜组件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106086785A CN106086785A (zh) 2016-11-09
CN106086785B true CN106086785B (zh) 2019-02-01

Family

ID=57479757

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610617389.3A Active CN106086785B (zh) 2016-07-29 2016-07-29 掩膜板及其制作方法、掩膜组件

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10662519B2 (zh)
CN (1) CN106086785B (zh)
WO (1) WO2018019045A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106086785B (zh) 2016-07-29 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、掩膜组件
CN108666420B (zh) * 2017-03-27 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法
CN108977761B (zh) * 2017-06-02 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、掩膜装置及其制造方法和掩膜制造设备
CN109423600B (zh) * 2017-08-25 2020-01-07 京东方科技集团股份有限公司 掩膜条及其制备方法、掩膜板
CN107641786B (zh) * 2017-09-27 2020-04-14 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及掩模板制作方法
CN108149190B (zh) * 2017-12-06 2020-06-30 信利（惠州）智能显示有限公司 掩膜板及其制作方法
CN108417525B (zh) * 2018-03-08 2021-10-29 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版以及具有槽体结构的显示屏及其制造方法
CN109023242A (zh) * 2018-10-15 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 一种开口掩膜板
CN109055893B (zh) * 2018-10-26 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及蒸镀设备
CN110212013B (zh) * 2019-07-19 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 Oled背板结构和oled背板结构的制作方法
CN111304585B (zh) * 2020-02-28 2022-06-14 昆山国显光电有限公司 掩膜版
CN111778476B (zh) * 2020-07-14 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 支撑用掩膜板及制备方法、掩膜板组件

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006092752A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Sony Corp コンビネーションマスクの製造方法
JP4915312B2 (ja) * 2007-08-08 2012-04-11 ソニー株式会社 蒸着用マスクの製造方法
KR101182239B1 (ko) 2010-03-17 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 마스크 및 이를 포함하는 마스크 조립체
KR101156442B1 (ko) * 2010-04-29 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 프레임 조립체
KR101820020B1 (ko) 2011-04-25 2018-01-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
KR102024853B1 (ko) 2012-09-03 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 및 마스크 조립체
KR102002494B1 (ko) * 2012-11-30 2019-07-23 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 어셈블리
KR102106336B1 (ko) * 2013-07-08 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크
KR20150067882A (ko) * 2013-12-10 2015-06-19 한국전자통신연구원 전자소자의 장착이 가능한 유연기판의 제조 방법
CN103668056B (zh) * 2013-12-31 2016-04-06 信利半导体有限公司 一种掩膜板及其制作方法
CN104062842B (zh) 2014-06-30 2019-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
CN204434717U (zh) * 2014-12-05 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板
CN204434720U (zh) * 2015-01-09 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种新型掩膜板结构
KR102541449B1 (ko) * 2015-12-22 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리
CN106086785B (zh) * 2016-07-29 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、掩膜组件
KR102609073B1 (ko) * 2016-11-30 2023-12-05 엘지디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN106086785A (zh) 2016-11-09
US20190010601A1 (en) 2019-01-10
US10662519B2 (en) 2020-05-26
WO2018019045A1 (zh) 2018-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106086785B (zh) 掩膜板及其制作方法、掩膜组件
TWI671414B (zh) 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
CN109321880A (zh) 一种掩膜板
CN206279261U (zh) 一种掩膜集成框架及蒸镀装置
CN106048521B (zh) 一种金属掩膜板的制备方法及金属掩膜板
US9605336B2 (en) Mask, method for manufacturing the same and process device
CN205420527U (zh) 一种蒸镀掩模板及显示基板
WO2020113751A1 (zh) 一种掩膜板
TW201445000A (zh) 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
US20190032192A1 (en) Metallic stencil and evaporation mask device
CN109023235B (zh) 掩模基板、掩膜组件、显示面板和显示装置
US20210147976A1 (en) Fine metal mask and method for manufacturing the same, mask assembly and display substrate
CN109423600B (zh) 掩膜条及其制备方法、掩膜板
WO2021073191A1 (zh) 一种掩膜版
US20210404048A1 (en) Mask sheet and pixel structure
CN206721352U (zh) 一种掩膜板
CN108179380B (zh) 一种掩膜版
WO2020147164A1 (zh) Oled显示面板
WO2023093104A1 (zh) 掩膜板及掩膜组件
WO2024000893A1 (zh) 掩膜版及掩膜版的制作方法
US20230295790A1 (en) Full Mask Sheet, Mask Sheet Assembly and Evaporation Device
CN106399934A (zh) 异形oled产品蒸镀掩模板
CN111411323B (zh) 一种掩膜板
CN113584429B (zh) 一种掩膜板及其制作方法
CN108914055B (zh) 一种掩模板及蒸镀设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant