CN109023242A - 一种开口掩膜板 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种开口掩膜板，涉及显示技术，该开口掩膜板包括多个单元，每个单元均包括半刻蚀部分和实材保留部分，在开口掩膜板的至少一个单元中，所述实材保留部分位于该单元的开口区域四周，所述半刻蚀部分位于该单元所对应的基板上的凸出膜层处。由于实材保留部分位于开口区域四周，使得在蒸镀喷淋时，蒸镀材料进入开口掩膜板覆盖区域的面积更小，从而减小开口掩膜板的外Shadow效应。

Description

一种开口掩膜板
技术领域
本公开一般涉及电子技术，尤其涉及一种开口掩膜板。
背景技术
在OLED显示面板的Open mask(开口掩膜板)设计中，利用Open Mask进行蒸镀得到的膜层的内外Shadow(阴影)都需要进行考虑。外Shadow会造成膜层叠加或干涉，可能影响封装效果及其他边缘不良。特别对于金属材料Shadow外扩至OLED封装区域，由于金属化合物膜层与封装使用的无机膜层粘附力较小，会引起膜层Peeling，造成封装失效从而导致产品信赖性较低。通常来讲，金属化合物膜层(如LiF)外Shadow至封装区域时，外观检查会出现牛顿环等现象，此时表面LiF膜层与封装膜层间已经出现间隙，在信赖性测试时，很容易造成封装失效，从而影响内部OLED器件的正常工作。
所以，改善Open Mask的外Shadow效应是亟待解决的问题。
目前的开口掩膜板通常如图1所示，本发明的发明人发现，其半刻蚀部分位于开口区域四周，这样的设计会使得外Shadow较大，影响产品性能。
发明内容
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种开口掩膜板，以减小开口掩膜板的外Shadow效应。
本发明实施例提供一种开口掩膜板，包括多个单元，每个单元均包括半刻蚀部分和实材保留部分，其中：
在开口掩膜板的至少一个单元中，所述实材保留部分位于该单元的开口区域四周，所述半刻蚀部分位于该单元所对应的基板上的凸出膜层处。
进一步，在非开口区域，两个相邻单元的实材保留部分之间，全部为半刻蚀部分。
进一步，所述开口掩膜板的实材保留部分厚度为145-155um。
更进一步，所述所述开口掩膜板的实材保留部分厚度减去开口掩膜板的半刻蚀部分厚度的差值至少为10um。
更进一步，所述开口掩膜板的半刻蚀部分厚度为70-80um。
优选的，所述开口掩膜板的实材保留部分的宽度大于或等于0.5mm。
优选的，所述开口掩膜板的半刻蚀部分的宽度大于或等于0.5mm。
优选的，在使用所述开口掩膜板进行蒸镀时，蒸镀所使用的喷嘴喷洒的最大角度为，与水平面呈53度。
本发明实施例提供一种开口掩膜板，包括多个单元，每个单元均包括半刻蚀部分和实材保留部分，在开口掩膜板的至少一个单元中，所述实材保留部分位于该单元的开口区域四周，所述半刻蚀部分位于该单元所对应的基板上的凸出膜层处。由于实材保留部分位于开口区域四周，使得在蒸镀喷淋时，蒸镀材料进入开口掩膜板覆盖区域的面积更小，从而减小开口掩膜板的外Shadow效应。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为现有技术中的开口掩膜板结构示意图；
图2为本发明实施例提供的开口掩膜板结构示意图；
图3为本发明实施例提供的开口掩膜板俯视图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
请参考图2，本发明实施例提供的开口掩膜板，包括多个单元，每个单元均包括半刻蚀部分201和实材保留部分202，其中：
在开口掩膜板的至少一个单元中，实材保留部分202位于该单元的开口区域四周，半刻蚀部分201位于该单元所对应的基板203上的凸出膜层204处。
由于实材保留部分202位于该单元的开口区域四周，使得在蒸镀喷淋时，蒸镀材料进入开口掩膜板覆盖区域的面积更小，从而减小Open Mask的外Shadow效应。半刻蚀部分用于避开基板上的凸出膜层，避免开口掩膜板与凸出膜层挤压或者摩擦，造成膜层结构损坏及造成Particle。
开口掩膜板的俯视图如图3所示，开口掩膜板包括多个单元，图3示例性地表示出了其中两个相邻的单元，每个单元对应一个开口区域301，每个开口区域被实材保留部分202包围，实材保留部分202又被半刻蚀部分201包围。
图2中，外Shadow的宽度为B，可以看出，远小于图1中外Shadow的宽度A，在使用开口掩膜板进行蒸镀时，需要用喷嘴进行喷洒，由于喷嘴喷洒时液体呈一定角度喷洒，所以会出现外Shadow，一般情况下，蒸镀时喷嘴喷洒的最大角度为，与水平面呈53度，此时，A值为200um左右。
本发明实施例中，开口区域边缘的实材保留部分可用于阻挡外Shadow，在相同的蒸镀条件(如温度，角度)下，B值必然小于A值。
对于如图1所示的开口掩膜板，在实际的蒸镀结果中发现，除去理论计算的A值为外Shadow，在基板上还发现大于A值以外的区域仍然存在部分金属粒子。对于该现象，一般推理是：由于半刻区域在基板接触面，金属粒子除了按照固定角度附着在基板上外，仍有小部分金属由于自由移动“飘散”到A以外的区域，如图1所示的设计的半刻蚀部分刚好为其“飘散”提供了空间。
对于如图2所示的开口掩膜板，在开口区域周围为一定宽度的实材保留部分，用于阻挡金属粒子的“飘散”现象，同时从角度上计算，外Shadow的B值也远小于A值。
如图1所示和如图2所示的两种设计，对于基板上凸出膜层皆在开口掩膜板上相应位置进行半刻蚀。基板上凸出膜层通常是用于OLED器件封装时形成壁垒，所以应该保证其完整性。相应区域的半刻蚀，可有效避免凸出膜层与开口掩膜板造成挤压和摩擦，造成壁垒被破坏。
在实际应用中，在非开口区域，除了开口区域四周的实材保留部分202外，两个相邻单元的实材保留部分202之间也可以存在其它实材保留部分202，只要在凸出膜层204处进行半刻蚀形成半刻蚀部分201即可。
优选的，如图2所示，在非开口区域，两个相邻单元的实材保留部分202之间，全部为半刻蚀部分201。
实材保留部分202的数量尽可能少，可以减少工艺难度，同时，实材保留部分202数量尽可能的少，并且，实材保留部分202的宽度尽可能的小，可以使得开口掩膜板的重量更小，从而在张网时可有效改善开口掩膜板的下垂量，即平坦度(Flatness)提升。提升平坦度可进一步确保在蒸镀工艺中开口掩膜板与基板的贴合紧密度，进一步确保整面的Shadow减小。
一般情况下，对于如图1所示的开口掩膜板，其平坦度为350um，对于如图2所示的开口掩膜板，其平坦度能够达到250um。
通常情况下，开口掩膜板的整体厚度为145-155um，其中开口掩膜板的整体厚度为150um较常见，其实材保留部分202厚度与开口掩膜板的整体厚度相同，同样为145-155um，图2中标示的H1即为实材保留部分202的厚度。
半刻蚀部分201的存在主要为了避开凸出膜层204，一般半刻蚀部分201只要刻蚀掉10um，即可达到避开凸出膜层204的目的，所以，开口掩膜板的实材保留部分202厚度减去开口掩膜板的半刻蚀部分201厚度的差值至少为10um，在实材保留部分厚度为150um时，开口掩膜板的半刻蚀部分201厚度小于140um，图2中标示的H2即为半刻蚀部分201的厚度。
通常来讲，为了工艺制作上的方便，开口掩膜板的半刻蚀部分厚度一般为70-80um。
开口掩膜板的实材保留部分202的宽度越小，开口掩膜板的重量越轻，越有利于提升开口掩膜板整面的平坦度，为降低开口掩膜板制作的工艺难度，一般情况下，开口掩膜板的实材保留部分202的宽度大于或等于0.5mm，图2中标示的D1即为实材保留部分202的宽度。
通常情况下，开口掩膜板的半刻蚀部分201的宽度大于或等于0.5mm，图2中标示的D2即为半刻蚀部分201的宽度。
以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (8)

1.一种开口掩膜板，其特征在于，包括多个单元，每个所述单元均包括半刻蚀部分和实材保留部分，其中：
在开口掩膜板的至少一个单元中，所述实材保留部分位于该单元的开口区域四周，所述半刻蚀部分位于该单元所对应的基板上的凸出膜层处。
2.如权利要求1所述的开口掩膜板，其特征在于，在非开口区域，两个相邻的所述单元的实材保留部分之间，全部为半刻蚀部分。
3.如权利要求1所述的开口掩膜板，其特征在于，所述开口掩膜板的实材保留部分厚度为145-155um。
4.如权利要求3所述的开口掩膜板，其特征在于，所述开口掩膜板的实材保留部分厚度减去所述开口掩膜板的半刻蚀部分厚度的差值至少为10um。
5.如权利要求4所述的开口掩膜板，其特征在于，所述开口掩膜板的半刻蚀部分厚度为70-80um。
6.如权利要求1所述的开口掩膜板，其特征在于，所述开口掩膜板的实材保留部分的宽度大于或等于0.5mm。
7.如权利要求1所述的开口掩膜板，其特征在于，所述开口掩膜板的半刻蚀部分的宽度大于或等于0.5mm。
8.如权利要求1所述的开口掩膜板，其特征在于，在使用所述开口掩膜板进行蒸镀时，蒸镀所使用的喷嘴喷洒的最大角度为，与水平面呈53度。
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