CN108179379A - 掩膜板及掩膜板制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供了一种掩膜板及掩膜板制备方法，该掩模板的全蚀刻区包括多个开口单元，每一开口单元的周围均设置有半蚀刻区。本发明实施例提供的掩模板通过在开口单元的周围设置半蚀刻区的方式，使粘附到玻璃基板上的蒸镀残留颗粒在玻璃基板的传动过程中落入到掩膜板的半蚀刻区范围内，从而有效防止了蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，并且有效提高了蒸镀良率。

Description

掩膜板及掩膜板制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜板及掩膜板制备方法。

背景技术

在显示装置的玻璃基板蒸镀过程中，清洗不干净的玻璃基板上容易残留蒸镀颗粒，玻璃基板上残留的颗粒以及玻璃基板传送通道上残留的颗粒极易借助玻璃基板的传动而被带入不同的蒸镀腔室(包括通用金属掩膜板腔室和精密金属掩膜板腔室等)，从而造成掩膜板的损伤。

尤其是当颗粒被带入精密金属掩膜板腔室时，被带入精密金属掩膜板腔室的颗粒极易使精密金属掩膜板网面压出凹痕，从而直接造成产品出现固定性彩斑等不可逆转的损伤。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例致力于提供一种掩膜板及掩膜板制备方法，以解决蒸镀过程中产生的蒸镀颗粒极易造成掩膜板或产品的损伤的问题。

第一方面，本发明一实施例提供一种掩膜板，该掩模板包括全蚀刻区和不蚀刻区，其中，全蚀刻区包括多个开口单元，每一开口单元的周围均设置有半蚀刻区。

在本发明一实施例中，开口单元位于掩膜板的开口显示区，不蚀刻区紧邻开口单元的外围设置。

在本发明一实施例中，该掩模板进一步包括支撑柱，支撑柱设置于半蚀刻区范围内。

在本发明一实施例中，半蚀刻区包括多个各自独立的半蚀刻单元，各半蚀刻单元的轮廓、尺寸相同。

在本发明一实施例中，各半蚀刻单元均匀排布于开口单元和不蚀刻区之间。

在本发明一实施例中，半蚀刻单元的轮廓为椭圆形、圆形、矩形中的至少一种。

在本发明一实施例中，半蚀刻单元的轮廓为长条形，多个半蚀刻单元平行排布于开口单元和不蚀刻区之间。

第二方面，本发明一实施例还提供一种掩膜板制备方法，该方法包括获取一掩膜板基材；在掩膜板基材的待蚀刻区域进行蚀刻操作形成开口单元；在形成开口单元的掩模板基材的待半蚀刻区域进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。

在本发明一实施例中，该方法进一步包括在半蚀刻区的范围内设置支撑柱。

在本发明一实施例中，在形成开口单元的掩模板基材的待半蚀刻区域进行半蚀刻操作形成半蚀刻区包括沿掩膜板基材的开口单元的外围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。

本发明实施例提供的掩模板通过在开口单元的周围设置半蚀刻区的方式，使粘附到玻璃基板上的蒸镀残留颗粒在玻璃基板的传动过程中落入到掩膜板的半蚀刻区范围内，从而有效防止了蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，并且有效提高了蒸镀良率。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例提供的掩膜板的结构示意图。

图2所示为本发明第二实施例提供的掩膜板的结构示意图。

图3所示为本发明第三实施例提供的掩膜板的结构示意图。

图4所示为本发明第三实施例提供的掩膜板的实际应用示意图。

图5所示为本发明第四实施例提供的掩膜板的结构示意图。

图6所示为本发明第五实施例提供的掩膜板制备方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1所示为本发明第一实施例提供的掩膜板的结构示意图。如图1所示，本发明第一实施例提供的掩模板1包括在掩模板基材上开设的若干矩形的开口单元11以及紧邻开口单元11的若干相互平行设置的长条形不蚀刻区12，同时，开口单元11和不蚀刻区12之间为半蚀刻区13。

其中，开口单元11(即全蚀刻区)指的是掩模板基材上通过蚀刻操作全部蚀刻掉的区域，不蚀刻区12指的是掩模板基材上不进行任何蚀刻操作的区域，半蚀刻区13指的是掩模板基材上通过蚀刻操作刻蚀掉一定厚度的区域。

应当理解，半蚀刻区13所蚀刻掉的具体厚度可根据实际情况自行设定，本发明实施例对此不进行统一限定。

注意，长条形的不蚀刻区12之间亦可为相互交叉的位置关系，本发明实施例对此不作统一限定。

应当理解，在实际的蒸镀过程中，开口单元11所对应的待蒸镀玻璃基板的区域为玻璃基板需要蒸镀有机材料等物质的显示区，也就是说，开口单元11位于掩模板1的具体位置及其具体形状应根据实际的待蒸镀玻璃基板的具体情况进行设定。因此，本发明实施例对开口单元11的具体位置及具体形状不作统一限定，以充分提高本发明实施例提供的掩模板的适应能力和应用广泛性。

此外，应当理解，将不蚀刻区12设定为长条形且多个不蚀刻区12紧邻开口单元11分布的形式能够保证玻璃基板受到的支撑力更均匀，从而充分防止玻璃基板出现过度下垂现象，同时亦能够实现更加精准地控制掩模板的张网力的目的。

在实际的蒸镀过程中，如果在掩模板1上方流转的玻璃基板(图中未示出)上有残留的颗粒，那么颗粒会随着玻璃基板的流转而直接掉入半蚀刻区13范围内，也就是说，半蚀刻区13的设置有效防止了玻璃基板上残留的颗粒随着玻璃基板的流转而被带入不同蒸镀腔室的情况，从而有效避免了残留颗粒对其他蒸镀腔室的掩模板(尤其是精密金属掩模板)可能造成的损伤。

本发明第一实施例提供的掩模板通过在开口单元的周围设置半蚀刻区的方式，使粘附到玻璃基板上的蒸镀残留颗粒在玻璃基板的传动过程中落入到掩膜板的半蚀刻区范围内，从而有效防止了蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况的发生，并且有效提高了蒸镀良率。

图2所示为本发明第二实施例提供的掩膜板的结构示意图。在本发明第一实施例的基础上延伸出本发明第二实施例，本发明第二实施例与第一实施例基本相同，下面仅重点叙述不同之处，相同之处不再赘述。

如图2所示，半蚀刻区包括多个各自独立的长条形半蚀刻单元131，并且各半蚀刻单元131的轮廓、尺寸相同。

应当理解，半蚀刻单元131的具体轮廓及尺寸可根据实际情况自行设定，从而充分提高本发明实施例提供的掩模板1的适应能力和应用广泛性。

优选地，半蚀刻单元131的轮廓包括但不限于为椭圆形、圆形、矩形中的至少一种。

优选地，各半蚀刻单元131均匀排布于掩模板1的开口单元和不蚀刻区之间，从而实现在保证不蚀刻区与玻璃基板的充分贴合的同时尽可能借助传动的玻璃基板将残留颗粒带入到半蚀刻单元131内的目的。应当理解，本发明实施例通过保证不蚀刻区与玻璃基板的充分贴合的方式使玻璃基板受到更加均匀的支撑力，从而充分保证玻璃基板的蒸镀均一性，提高蒸镀良率。

本发明第二实施例提供的掩模板通过将半蚀刻区划分为多个各自独立的半蚀刻单元的方式，实现了在保证不蚀刻区与玻璃基板的充分贴合的同时尽可能降低残留颗粒可能对掩模板或蒸镀产品造成的损伤的目的。

图3所示为本发明第三实施例提供的掩膜板的结构示意图。在本发明第一实施例的基础上延伸出本发明第三实施例，本发明第三实施例与第一实施例基本相同，下面仅重点叙述不同之处，相同之处不再赘述。

如图3所示，本发明第三实施例提供的掩模板1的不蚀刻区22紧邻开口单元11的外围设置。

应当理解，设置于开口单元11的外围的不蚀刻区22的具体宽度可根据实际情况自行设定，以充分提高本发明实施例提供的掩模板的适应能力和应用广泛性，本发明实施例对此不进行统一限定。

图4所示为本发明第三实施例提供的掩膜板的实际应用示意图。如图4所示，在实际的蒸镀过程中，掩模板1置于框架4上，待蒸镀的玻璃基板3置于掩模板1上，在玻璃基板3的传动过程中(即流片过程中)，残留在玻璃基板3或玻璃基板传动通道(图中未示出)上的颗粒5会随着玻璃基板3的传动被带入到半蚀刻区13之间，从而有效防止了沾附到玻璃基板3的颗粒5随着玻璃基板3的传动被带入下一蒸镀腔室的情况的发生，进而有效避免了颗粒5对玻璃基板3甚至下一蒸镀腔室的掩模板的损伤。

注意，半蚀刻区13的蚀刻空间应当能够完全容纳颗粒5，以便实现半蚀刻区13对颗粒5的容纳作用。

本发明第三实施例提供的掩模板通过将不蚀刻区紧邻开口单元的外围设置，并将掩模板除不蚀刻区和开口单元以外的区域设定为半蚀刻区的方式，既保证了玻璃基板具有足够的支撑力以防止出现玻璃基板下垂量过大的情况，又有效防止了蒸镀残留颗粒对掩模板或玻璃基板造成损伤的情况的发生，比如，半蚀刻区的存在有效防止了蒸镀残留颗粒借助掩膜板的开口单元滑动到玻璃基板侧，从而对玻璃基板等结构造成直接损伤的情况。

优选地，在本发明一实施例中，半蚀刻区紧邻开口单元的外围设置。本发明实施例通过将半蚀刻区紧邻开口单元的外围设置的方式实现了第一时间让蒸镀残留颗粒落入到半蚀刻区范围内的目的，从而最大程度地降低了蒸镀残留颗粒对掩模板或玻璃基板可能造成的损伤。

图5所示为本发明第四实施例提供的掩膜板的结构示意图。在本发明第三实施例的基础上延伸出本发明第四实施例，本发明第四实施例与第三实施例基本相同，下面仅重点叙述不同之处，相同之处不再赘述。

如图5所示，本发明第四实施例提供的掩模板进一步包括设置于半蚀刻区13范围内的若干支撑柱23，其中，支撑柱23靠近矩形开口单元11的边角设置。

应当理解，支撑柱23垂直于其延展方向的横断面的具体形状包括但不限于为圆形、椭圆形、矩形、菱形，以充分提高本发明实施例提供的掩膜板的适应能力和应用广泛性，本发明实施例对此不进行统一限定。

优选地，支撑柱23设置于半蚀刻区13靠近开口单元11的范围内，以便充分保障玻璃基板的下垂量处于合理范围内，防止出现玻璃基板过度下垂现象。

此外，应当理解，支撑柱23的高度不应大于不蚀刻区22的高度，以避免支撑柱23影响不蚀刻区22与玻璃基板的贴合效果，进而影响玻璃基板蒸镀的均一性。

优选地，各支撑柱23的高度等于不蚀刻区22的高度，从而更好地保证了玻璃基板与不蚀刻区22具备良好的贴合效果。

本发明第四实施例提供的掩模板通过在半蚀刻区范围内设置若干支撑柱的方式，使待蒸镀的玻璃基板与掩模板具备了更好地贴合效果，从而为提高蒸镀均一性和良率提供了前提条件。

图6所示为本发明第五实施例提供的掩膜板制备方法的流程示意图。如图6所示，本发明第五实施例提供的掩模板制备方法包括：

步骤S1：获取一掩膜板基材。

步骤S2：在掩膜板基材的待蚀刻区域进行蚀刻操作形成开口单元。

步骤S3：在形成开口单元的周围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。

实际制备过程中，首先获取一掩模板基材，然后在获取的掩模板基材上按照实际产品需求在待蚀刻区域进行蚀刻操作形成开口单元，最后在设置完毕开口单元的周围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区以承载残留颗粒。

本发明第五实施例提供的掩模板制备方法通过首先在掩模板基材上设置开口单元，然后基于设置的开口单元在开口单元的周围设置半蚀刻区的方式，实现了包含半蚀刻区的掩模板的制备，从而为防止蒸镀过程中残留的颗粒对掩模板或蒸镀产品造成损伤的情况提供了前提条件，进而有效提高了蒸镀良率。

应当理解，掩模板的半蚀刻区以及开口单元的形成方式包括但不限于为光刻法等形成方式，本发明实施例对此不再详细叙述。

在本发明一实施例提供的掩模板制备方法中，进一步包括在半蚀刻区的范围内设置支撑柱步骤。应当理解，支撑柱的设置能够使待蒸镀的玻璃基板与掩模板具备更好地贴合效果，从而为提高蒸镀均一性和良率提供了前提条件。

在本发明另一实施例中，在形成开口单元的周围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区包括沿掩膜板基材的开口单元的外围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。应当理解，将半蚀刻区设置到开口单元的外围既保证了玻璃基板具有足够的支撑力以防止出现玻璃基板下垂量过大的情况，又有效防止了蒸镀残留颗粒对掩模板或玻璃基板造成损伤的情况的发生。

应当理解，本发明上述实施例所提及的掩膜板包括但不限于为通用金属掩膜板、精密金属掩膜板等掩膜板，本发明实施例对此不进行统一限定。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜板，包括全蚀刻区和不蚀刻区，其特征在于，所述全蚀刻区包括多个开口单元，每一所述开口单元的周围均设置有半蚀刻区。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述开口单元位于所述掩膜板的开口显示区，所述不蚀刻区紧邻所述开口单元的外围设置。

3.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，进一步包括支撑柱，所述支撑柱设置于所述半蚀刻区范围内。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半蚀刻区包括多个各自独立的半蚀刻单元，各所述半蚀刻单元的轮廓、尺寸相同。

5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，各所述半蚀刻单元均匀排布于所述开口单元和所述不蚀刻区之间。

6.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述半蚀刻单元的轮廓为椭圆形、圆形、矩形中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半蚀刻单元的轮廓为长条形，多个所述半蚀刻单元平行排布于所述开口单元和所述不蚀刻区之间。

8.一种掩膜板制备方法，其特征在于，包括：

获取一掩膜板基材；

在所述掩膜板基材的待蚀刻区域进行蚀刻操作形成开口单元；

在形成所述开口单元的周围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。

9.根据权利要求8所述的掩膜板制备方法，其特征在于，进一步包括：

在所述半蚀刻区的范围内设置支撑柱。

10.根据权利要求8或9所述的掩膜板制备方法，其特征在于，所述在形成所述开口单元的周围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区，包括：

沿所述掩膜板基材的所述开口单元的外围进行半蚀刻操作形成半蚀刻区。