CN113169288B - 合金板和包括合金板的沉积掩模 - Google Patents

合金板和包括合金板的沉积掩模 Download PDF

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Abstract

在根据一个实施例的合金金属板中，将相对于合金金属板的(111)表面的衍射强度定义为I(111)，将相对于合金金属板的(200)表面的衍射强度定义为作为I(200)，将相对于合金金属板的(220)表面的衍射强度定义为I(220)，I(200)的衍射强度比由以下等式1定义，并且I(220)的衍射强度比由以下等式2定义：[等式1]A＝A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}；I(220)的衍射强度比由下面的等式2定义，[等式2]B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}，其中A的值为0.5至0.6，B的值为0.3至0.5，并且A可以大于B。另外，在根据实施例的用于沉积OLED像素的沉积掩模的铁‑镍(Fe‑Ni)合金金属板中，金属板由多个晶粒形成，并且在金属板的整个面积上测得的晶粒的最大面积为700μm 2以下。

Description

合金板和包括合金板的沉积掩模
技术领域
实施例涉及一种铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板以及一种由该合金金属板制造的用于OLED像素沉积的沉积掩模。
背景技术
通过将显示装置应用于各种装置来使用显示装置。例如，通过不仅将显示装置应用于例如智能电话和平板电脑的小型装置，还将其应用于例如电视、监控器和公共显示器(PD)的大型装置，来使用显示装置。特别地，近来对每英寸500像素(PPI)以上的超高清(UHD)的需求增加了，并且高分辨率显示设备已经应用于小型装置和大型装置。因此，对于用来实现低功率和高分辨率的技术的兴趣正在增加。
根据驱动方法，通常使用的显示装置可以大致分为液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)等。
LCD是一种通过使用液晶来驱动的显示装置，并且具有在液晶的下部设置有光源(包括冷阴极荧光灯(CCFL)、发光二极管(LED)等)的结构。LCD是一种通过使用设置在光源上的液晶来控制从光源发射的光量来驱动的显示装置。
另外，OLED是一种通过使用有机材料来驱动的显示装置，不需要单独的光源，并且有机材料本身可以用作光源并可以以低功耗来驱动。另外，OLED作为可以表现出无限的对比度、具有比LCD快约1000倍的响应速度、并且可以以优异的视角代替LCD的显示装置，因此受到关注。
特别地，在OLED的发射层中包括的有机材料可以通过被称为精细金属掩模(FMM)的沉积掩模而沉积在基板上，并且所沉积的有机材料可以形成为与在沉积掩模上形成的图案相对应的图案以用作像素。具体地，沉积掩模包括在与像素图案相对应的位置处形成的通孔，并且例如红色、绿色、蓝色的有机材料可以通过通孔沉积在基板上。因此，可以在基板上形成像素图案。
可以通过由铁(Fe)和镍(Ni)合金制成的金属板来制造沉积掩模。例如，可以由称为因瓦(invar)的铁-镍合金制成沉积掩模。如上所述，沉积掩模可以包括用于有机材料沉积的通孔，并且可以通过蚀刻工艺形成该通孔。
同时，在金属板的表面上形成通孔之前，使用酸类蚀刻剂对金属板的表面进行蚀刻，从而执行表面处理工艺以去除残留在金属板表面上的杂质，例如异物和锈迹。
可以通过利用这样的表面处理工艺蚀刻金属板的表面来去除杂质。
此时，当金属板的表面未被均匀地蚀刻时，可能出现凹痕(dent)现象，其中在金属板的表面上产生多个凹坑(pit)。当随着凹坑的深度增加而形成通孔时，这种凹痕现象可能导致缺陷。
因此，存在在金属板的表面上形成的通孔的特性(例如直径、形状和深度)不均匀的问题，因此存在通过通孔的有机物的量减少并且沉积效率降低的问题。另外，存在由于沉积在基板上的有机物制造的不均匀而可能出现沉积失败的问题。
因此，需要可以解决上述问题的新型合金金属板以及包括该金属板的沉积掩模。
发明内容
技术问题
实施例旨在提供一种铁-镍合金金属板以及一种通过其制造的用于OLED像素沉积的沉积掩模，所述铁-镍合金金属板可以减小金属板的表面凹坑并且通过控制表面凹坑的深度来提高通过金属板制造的沉积掩模的效率。
技术方案
在根据实施方式的合金金属板中，将合金金属板的(111)平面的衍射强度定义为I(111)，将合金金属板的(200)平面的衍射强度定义为I(200)，将合金金属板的(220)平面的衍射强度定义为I(220)，I(200)的衍射强度比由以下等式1定义，并且I(220)的衍射强度比由以下等式2定义。此时，A为0.5至0.6，B为0.3至0.5，并且A的值可以大于B的值。
[等式1]
A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}
I(220)的衍射强度比由以下等式2定义。
[等式2]
B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}
另外，在根据实施例的用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板中，金属板由多个晶粒形成，并且在金属板的整个面积上测得的晶粒的最大面积为700μm2以下。
在根据实施例的用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板中，当从金属板的整个面积上测得的所有晶粒中的小晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大面积为60μm2以下。
在根据实施例的用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板中，在金属板的整个面积中测得的晶粒的最大粒径为30μm以下。
在根据实施例的用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板中，当从金属板的整个面积上测得的所有晶粒中的小晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大粒径为9μm以下。
在根据实施例的用于OLED像素沉积的沉积掩模的铁(Fe)-镍(Ni)合金金属板中，多个晶粒的每单位面积的数量为0.20ea/μm2至0.25ea/μm2。
有益效果
根据实施例的金属板可以通过控制金属板中包括的每个晶面的比率来最小化根据蚀刻方向的的蚀刻速率的差异。
因此，当蚀刻金属板时，具有高原子密度的晶面和具有低原子密度的晶面之间的蚀刻速率是不同的，因此可以最小化由不均匀蚀刻导致的表面缺陷，即，凹坑的出现和凹坑的加深。
另外，根据实施例的镍-铁合金金属板可以通过控制晶粒的面积、粒径以及尺寸来减少在表面处理之后产生的凹坑的数量。
具体地，可以将晶粒的最大面积控制到700μm2以下，并且可以将晶粒的粒径控制到30μm以下。此外，可以使晶粒的尺寸最小化并且可以增加每单位面积的晶粒的数量。
即，通过将晶粒的最大面积和粒径控制到预定尺寸以下来增加由晶粒形成的表面的晶粒密度，因此，可以使在表面处理的蚀刻工艺中产生的表面凹槽(即凹坑)最小化的形成。
因此，当使用金属板制造沉积掩模时，可以使金属板中形成的通孔具有均匀特性(例如直径、形状和深度)，从而提高了沉积掩模的沉积效率并且防止沉积失败。
附图说明
图1是根据第一实施例的金属板的截面图。
图2是示出根据第一实施例的金属板的X射线的衍射强度的曲线图。
图3和图4是示出根据第二实施例的金属板的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片的视图。
图5和图6是示出根据比较例的金属板的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片的视图。
图7是示出根据第二实施例的经表面处理的金属板的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片的视图。
图8是示出根据比较例的经表面处理的金属板的表面的扫描电子显微镜(SEM)照片的视图。
图9和图10是示出与根据第二实施例和比较例的金属板的晶粒面积相对应的曲线图的视图。
图11和图12是示出与根据第二实施例和比较例的金属板的晶体粒径相对应的曲线图的视图。
图13是示出与根据第二实施例和比较例的金属板的晶粒数量相对应的曲线图的视图。
图14至图16是用于描述根据实施例的通过使用由金属板制造的沉积掩模在基板上沉积有机材料的工艺的概念图。
图17是示出根据实施例的沉积掩模的平面图的视图。
图18是示出根据实施例的沉积掩模的有效部分的平面图的视图。
图19是示出根据实施例的沉积掩模的另一平面图的视图。
图20是在图18中沿线A-A’截取的截面图和沿线B-B’截取的截面图重叠的视图。
图21是沿着图18中的线B-B'截取的截面图。
图22是示出根据实施例的沉积掩模的制造工艺的视图。
图23和图24是示出根据实施例的由沉积掩模形成的沉积图案的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例。然而，本发明的理念和范围不限于描述的实施例的一部分，而是可以以各种其它形式来实现，并且在本发明的理念和范围内，实施例的一个或多个元件可以选择性地结合和替换。
另外，除非另有明确定义和描述，否则本发明的实施例中使用的术语(包括技术术语和科学术语)可以被解释为与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同，并且术语(例如在常用字典中定义的术语)可以被解释为具有与现有技术的上下文中的含义一致的含义。
另外，在本发明的实施例中使用的术语是用于描述实施例，而不旨在限制本发明。在本说明书中，除非在措辞中特别说明，否则单数形式也可以包括复数形式，并且当描述为“A、(和)B和C的至少一个(或多于一个)”时，其可以包括能够以A、B和C组合的全部组合中的至少一个。
此外，在描述本发明的实施例的元件时，可以使用例如第一、第二、A、B、(a)以及(b)的术语。这些术语仅用于将该元件与其它元件进行区分，并且这些术语不限于元件的实质、顺序或次序。
另外，当一个元件被描述为“连接”、“耦接”或“耦合”到其它元件时，其不仅可以包括该元件直接连接、耦接或耦合到其它元件的情况，也可以包括在该元件通过该元件与其它元件之间的另一个元件“连接”、“耦接”或“耦合”。
此外，当描述为形成或设置在每个元件的“上(上方)”或“下(下方)”时，“上(上方)”或“下(下方)”不仅可以包括两个元件彼此直接连接的情况，还包括一个或多个其它元件形成或设置在两个元件之间的情况。
此外，当表述为“上(上方)”或“下(下方)”时，基于一个元件，不仅可以包括向上方向，还可以包括向下方向。
在下文中，将参考附图描述根据实施例的铁-镍合金金属板和使用该铁-镍合金金属板的用于OLED像素沉积的沉积掩模。
首先，将参考图1和图2描述根据第一实施例的沉积掩模。
图1是根据第一实施例的合金金属板的截面图。
金属板10可以包括金属材料。例如，金属板10可以包括镍(Ni)合金。具体地，金属板10可以包括铁(Fe)和镍(Ni)的合金。
例如，金属板10可以包括大约60重量百分比(wt％)至大约65wt％的铁，并且可以包括大约35wt％至大约40wt％的镍。具体地，金属板10可包括大约63.5wt％至大约64.5wt％的铁，并且可包括大约35.5wt％至大约36.5wt％的镍。
可以使用以下方法来确认金属板10的wt％：通过选择金属板100的平面上的特定区域a*b，对与金属板100的厚度t相对应的试验片(a*b*t)进行采样，并将其溶解在强酸等中，来对每个组分的重量百分比进行测试。然而，实施例不限于此，并且可以通过各种方法来确认含量。
另外，金属板10还可以包含少量的碳(C)、硅(Si)、硫(S)、磷(P)、锰(Mn)、钛(Ti)、钴(Co)、铜(Cu)、银(Ag)、钒(V)、铌(Nb)、铟(In)和锑(Sb)中的至少一种元素。在此，少量可能意味着不超过1wt％。即，金属板10可以包括因瓦。
因瓦是包括铁和镍的合金，并且是热膨胀系数接近零的低热膨胀合金。由于因瓦的热膨胀系数非常小，因此它用于精密零件，例如掩模和精密设备。因此，使用金属板10制造的沉积掩模可以具有提高的可靠性，从而防止变形并增加寿命。
可以通过冷轧方法制造包括铁和镍的合金的金属板10。具体地，可以通过熔融、锻造、热轧、常化、一次冷轧、一次退火、二次冷轧和二次退火工艺形成金属板10，并且金属板10可以具有30μm以下的厚度。可替代地，金属板10可以通过除了上述工艺之外的附加的厚度减小工艺而具有30μm以下的厚度。
同时，金属板10可以具有矩形形状。具体地，金属板10可以具有包括长轴和短轴的矩形形状，并且可以具有大约30μm以下的厚度。
如上所述，金属板10可以包括包含铁和镍的合金，并且在包含铁和镍的合金的情况下，金属板10可以以面心立方(FCC)结构的晶体结构形成。
在FCC结构的情况下，每个表面可以具有不同的原子密度。即，金属板10对于每个晶面可以具有不同的原子密度。具体地，任何一个晶面的原子密度可以大于或小于另一晶面的原子密度。
因此，当蚀刻金属板10时，根据每个晶面的方向而蚀刻速率可以不同。由于蚀刻速率根据晶面方向的差异，当对金属板进行表面处理时，金属板的表面可能被不均匀地蚀刻。因此，在金属板的表面处理之后，如图1所示，可能在金属板的表面S上产生多个凹槽，即凹坑P。
为了解决上述问题，根据实施例的金属板可以通过控制金属板的多个晶面的比率来减少由于不均匀蚀刻导致的凹坑等。
图2是通过测量根据第一实施例的金属板的X射线衍射强度而获得的曲线图。具体地，通过使用CuKαX射线分别测量在铁-镍合金金属板的(111)、(200)和(220)平面上的衍射强度。
参考图2，可以看出，根据第一实施例的金属板的(111)面、(200)面和(220)面的峰值均不同。
具体地，可以看出，根据第一实施例的金属板10的峰值在(200)平面中最大，在(220)平面中第二大，并且在(111)平面中最小。
就是说，可以看出，在根据第一实施例的金属板10中，(200)平面大于(220)平面和(111)平面，并且(220)平面为大于(111)平面。
具体地，可以将金属板10的(220)平面的衍射强度定义为I(220)，可以将金属板10的(200)平面的衍射强度定义为I(200)，并且可以将金属板的(111)平面的衍射强度定义为I(111)。
此时，I(200)的衍射强度比可以由下面的等式1定义。
[等式1]
A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}
另外，I(220)的衍射强度比由下面的等式2定义。
[等式2]
B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}
此时，A的值可以等于或大于B的值。具体地，A的值可以大于B的值。
具体地，A可以为0.6以下，并且B可以为0.5以下。更具体地，A可以为0.5至0.6，并且B可以为0.3至0.5。
另外，A与B的比率(A/B)可以是1至2。即，A的值可以大于B的值并且小于B的值的两倍。
此外，(111)平面、(200)平面和(220)平面的方向可以对应于金属板的蚀刻方向。
作为金属板的晶面的I(220)、I(200)和I(111)的衍射强度比可能与在金属板的表面上形成的凹坑的数量和深度有关。
具体地，当满足作为金属板的晶面的I(220)、I(200)和I(111)的衍射强度比时，可以减少在金属板的表面上形成的凹坑的数量和深度。
具体地，铁-镍合金金属板可以具有各个方向上的晶面，并且(220)晶面、(200)晶面和(111)晶面的比率可以最大。
在这种情况下，金属板的(220)晶面、(200)晶面和(111)晶面的尺寸可以彼此不同，因此，每个晶面的原子的原子密度可能彼此不同。
因此，当蚀刻金属板时，在具有高原子密度的晶面和具有低原子密度的晶面之间的蚀刻速率不同，因此可能由于不均匀的蚀刻而产生凹坑。
因此，最理想的是金属板的晶面都具有相同的晶向，但这在工艺中是不可能的，因此控制每个晶面的比率很重要。
就是说，根据第一实施例的金属板可以通过理想地控制每个晶面的比率来使蚀刻速率的根据蚀刻方向的差异最小化，因此，可以使由于不均匀蚀刻而导致的表面缺陷(即，出现凹坑和凹坑的加深)最小化。
因此，当使用金属板制造沉积掩模时，可以使在金属板中形成的通孔具有均匀特性(例如直径、形状和深度)，从而提高了沉积掩模的沉积效率并防止沉积失败。
在下文中，将通过根据实施例和比较例的金属板更详细地描述本公开。这些制造示例仅是说明性的，以更详细地描述本公开。因此，本公开不限于这些制造示例。
合金金属板的制造和表面测量
制备由铁-镍合金制成的合金金属板。
随后，在如下表1中所示控制合金金属板的(220)晶面、(200)晶面和(111)晶面的衍射强度比之后，在每个示例中，测量形成通孔后的凹坑深度以及是否存在缺陷。
同时，在合金金属板的制造工艺的冷轧工艺中，可以控制合金金属板的(220)晶面、(200)晶面和(111)晶面的比率。
随后，将合金金属板的(111)平面的衍射强度定义为I(111)，将合金金属板的(200)平面的衍射强度定义为I(200)，并且将合金金属板的(220)平面的衍射强度定义为I(220)，I(200)的衍射强度比由下面的等式1定义，I(220)的衍射强度比由下面的等式定义，并且测量I(200)和I(220)的衍射强度比。
随后，使用酸类蚀刻剂对合金金属板的表面进行表面处理。
随后，测量在合金金属板的表面上形成的凹坑的深度，并且观察在形成通孔之后蚀刻是否有缺陷。
当尺寸大于或等于普通通孔尺寸的10％时，将蚀刻是否有缺陷判定为有缺陷。
[等式1]
A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}
[等式2]
B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}
[表1]
[表2]
凹坑深度(μm) 通孔质量
示例性实施例1 1.4 正常
示例性实施例2 1.2 正常
示例性实施例3 0.8 正常
示例性实施例4 1.0 正常
示例性实施例5 1.9 正常
示例性实施例6 1.8 正常
示例性实施例7 0.4 正常
比较例1 2.8 失败
比较例2 2.9 失败
比较例3 4.3 失败
比较例4 5.2 失败
比较例5 5.1 失败
比较例6 6.1 失败
参考表1和表2，在根据示例性实施例的合金金属板中，可以看出，A满足0.5至0.6的范围，B满足0.3至0.5的范围，并且A/B满足1到2的范围。
另一方面，可以看出，根据比较例的合金金属板不满足A、B和A/B中的至少一个。
另外，在根据示例性实施例的合金金属板中，可以看出在表面处理之后形成的凹坑的深度为2μm以下。因此，可以看出，当在金属板中形成通孔时，在金属板的表面中形成的凹坑产生的影响很小，因此提高了通孔的质量。
另一方面，在根据比较例的合金金属板中，可以看出，在表面处理之后形成的凹坑的深度超过2μm。当凹坑的深度超过2μm时，凹坑变得大于小表面孔的高度H1，或者以相同的方式形成，因此凹坑对通孔的影响增大。因此，可以看出，当在金属板中形成通孔时，在金属板的表面中形成的凹坑产生的影响增大，因此通孔的质量下降。
在下文中，将参考图1、图3至图13描述根据第二实施例的沉积掩模。在根据第二实施例的沉积掩模的描述中，将省略与上文根据第一实施例的沉积掩模的描述相同或相似的描述，并且用相同的附图标记来指代相同的结构。
如上所述，金属板10可以包括合金金属，该合金金属包括例如铁、镍等多种金属。
可以通过使构成多种金属的多个晶粒彼此接触而形成金属板10。
多个晶粒可以具有不同的尺寸。具体地，多个晶粒可以具有不同的面积。多个晶粒可以具有不同的粒径。另外，多个晶粒可以形成为不同的形状。此外，由于以不同的形状和尺寸形成多个晶粒，所以每单位面积的晶粒数量可以彼此不同。
这些晶粒的形状或尺寸可能与金属板10的表面质量有关。当使用金属板10制造沉积掩模时，在形成通孔之前，可以通过酸类蚀刻剂执行蚀刻工艺以去除金属板10的表面上的杂质。
此时，具有不同形状或尺寸的晶粒分布在金属板10的各个表面上，因此在表面处理工艺中，可能在金属板10的表面上形成具有凹陷表面的凹槽。这些凹槽被称为形成凹坑，并且凹坑可能是在随后的通孔形成工艺中使蚀刻质量劣化的因素。
具体地，，可以具有对于金属板10的每个表面使晶粒密集地聚集的第一区域和与第一区域相比晶粒的聚集不密集的第二区域。
此时，在第二区域的情况下，与第一区域相比，在表面处理工艺中可以提高蚀刻速率，并且第二区域可以被蚀刻得更多，因此可能在金属板10的表面上产生凹坑等。
为了解决上述问题，根据第二实施例的金属板旨在通过控制形成金属板的晶粒的面积、粒径和尺寸来减少由于不均匀蚀刻而导致的凹坑的产生。
具体地，在根据第二实施例的金属板中，可以控制形成金属板的多个晶粒的面积、粒径和每单位面积的晶粒数量。
控制金属板的晶粒面积
首先，参考图9和图10，将描述通过控制形成根据实施例的金属板10的多个晶粒的面积来减少表面凹坑。
同时，图3、图4和图7是示出根据第二实施例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。图5、图6和图8是示出用于与根据实施例的金属板进行比较的根据比较例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。
在根据第二实施例的金属板10中，可以将多个晶粒的面积控制为预定尺寸。可以在合金金属板的制造工艺的冷轧工艺中控制晶粒的面积。
此时，可以通过使用电子背散射衍射(EBSD)设备来测量晶粒的面积。可以通过使用EBSD设备测量图4和图6中的厚框区域的尺寸来测量每个晶粒的面积。
参考图9，根据第二实施例的金属板10的晶粒的最大面积可以为700μm2以下，并且整个金属板中95％的晶粒的最大面积可以为60μm2以下。
即，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大面积可以为700μm2以下，并且当从金属板的整个面积的全部晶粒中具有较小面积的晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大面积可以为60μm2以下。
具体地，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大面积可以为660μm2至700μm2。更具体地，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大面积可以为680μm2至700μm2。
另一方面，参考图10，根据比较例的金属板10的晶粒的最大面积可以为1500μm2以下，并且金属板中的全部晶粒中95％的晶粒的最大面积可以为95μm2以下。
即，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大面积可以为1500μm2以下，并且当从金属板的整个面积的全部晶粒中具有较小面积的晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大面积可以为95μm2以下。
具体地，根据第二实施例和比较例的晶粒的最大、最小和平均尺寸如表3所示。
表3
参考图3、图4和图7，在根据第二实施例的金属板的情况下，可以看出，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量少并且凹坑的尺寸小。
另一方面，参考图5、图6和图8，在根据比较例的金属板的情况下，可以看出，与本实施例相比，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量增加，并且形成的凹坑的尺寸大于本实施例中形成凹坑的尺寸。
即，参考图9和图10，可以看出，在根据比较例的金属板中，从晶粒的面积超过700μm2的区域起，凹坑的数量会快速增加，并且凹坑的尺寸增大。
即，可以看出，在图10中晶粒的面积超过700μm2的区域是产生了大量凹坑的区域。
控制金属板的晶体粒径
随后，参考图11和图12，将描述通过控制形成根据第二实施例的金属板10的多个晶粒的粒径来减少表面凹坑。
同时，图3、图4和图7是示出根据实施例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。图5、图6和图8是示出用于与根据实施例的金属板进行比较的根据比较例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。
在根据第二实施例的金属板10中，可以将多个晶粒的粒径控制为预定尺寸。可以在合金金属板的制造工艺的冷轧工艺中控制晶粒的直径。
此时，可以通过晶粒的面积间接测量晶粒的粒径。具体地，可以通过使用EBSD设备测量图4和图6中的厚框区域的尺寸来测量每个晶粒的面积。
另外，可以通过以下等式测量晶粒的粒径。
[等式]
具体地，根据第二实施例和比较例的晶粒的最大、最小和平均尺寸如表4所示。
表4
参考图11，根据第二实施例的金属板10的晶粒的最大粒径为30μm以下，并且金属板的全部晶粒中95％的晶粒的最大粒径为9μm以下。
即，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大粒径可以为30μm以下，并且当从金属板的整个面积的全部晶粒中具有较小粒径的晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大粒径可以为9μm以下。
在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大粒径可以为25μm至30μm。更具体地，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大粒径可以是26μm至29μm。
另一方面，参考图12，根据比较例的金属板10的晶粒的最大粒径为44μm以下，并且整个金属板的95％的晶粒的最大粒径可以为11μm以下。
即，在金属板10的整个面积上测得的晶粒的最大粒径可以为44μm以下，并且当从金属板的整个面积的全部晶粒中具有较小粒径的晶粒进行测量时，95％的晶粒的最大粒径可以为11μm以下。
参考图3、图4和图7，在根据第二实施例的金属板的情况下，可以看出，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量少并且凹坑的尺寸小。
另一方面，参考图5、图6和图8，在根据比较例的金属板的情况下，可以看出，与本实施例相比，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量增加，并且形成的凹坑的尺寸大于本实施例中形成的凹坑的尺寸。
即，参考图11和图12，可以看出，在根据比较例的金属板中，从晶粒的粒径超过30μm的区域起，凹坑的数量会快速增加，并且凹坑的尺寸增加。
即，可以看出，在图11中晶粒的粒径超过30μm的区域是产生了大量凹坑的区域。
控制金属板的每单位面积的晶粒数量
随后，参考图13，将描述通过控制形成根据第二实施例的金属板10的多个晶粒的每单位面积的数量来减少表面凹坑。
同时，图3、图4和图7是示出根据第二实施例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。图5、图6和图8是示出用于与根据第二实施例的金属板进行比较的根据比较例的金属板的表面处理之前和之后的照片的视图。
在根据第二实施例的金属板10中，可以将多个晶粒的每单位面积的数量控制为预定大小。
此时，对于每单位面积的晶粒的数量，在测量了整个金属板的表面的300μm*300μm的面积中的全部晶粒的数量之后，将1μm*1μm的面积定义为单位面积，测得每单位面积的晶粒数量。
具体地，根据第二实施例和比较例的晶粒的总数量和每单位面积的数量如表5所示。
表5
晶粒数量(ea) 每单位面积的晶粒数量(ea/μm2)
示例性实施例 20000～21000 0.20～0.25
比较例 10000～13000 0.10～0.15
参考表5，可以看出，根据第二实施例的金属板的每单位面积的晶粒数量大于根据比较例的金属板的每单位面积的晶粒数量。
即，每单位面积的大量晶粒可以意味着分布了许多具有小面积的晶粒。即，可以看出，根据第二实施例的金属板的晶粒的分布数量比根据比较例的金属板的晶粒的分布数量多。
参考图3、图4和图7，在根据第二实施例的金属板的情况下，可以看出，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量少并且凹坑的尺寸小。
另一方面，参考图5、图6和图8，在根据比较例的金属板的情况下，可以看出，与第二实施例相比，在表面处理之后从金属板的表面产生的凹坑的数量增加，并且形成的凹坑的尺寸大于第二实施例中形成的凹坑的尺寸。
即，参考图13，可以看出，在根据比较例的金属板中，随着晶粒的粒径增加，凹坑的数量增加，并且凹坑的尺寸增大。
根据第二实施例的镍和铁的合金金属板可以通过控制晶粒的面积、粒径和尺寸来减少在表面处理之后产生的凹坑的数量。
具体地，可以将晶粒的最大面积控制为700μm2以下，并且可以将晶粒的最大粒径控制为30μm以下。另外，可以使晶粒的尺寸最小化以增加每单位面积的晶粒数量。
即，通过将晶粒的最大面积和粒径控制为预定尺寸以下，增加了由晶粒形成的表面的粗密度或细密度，因此，可以使在表面处理的蚀刻工艺中产生的表面凹槽(即，凹坑)最小化的形成。
因此，当使用金属板制造沉积掩模时，可以使在金属板中形成的通孔具有均匀特性(例如直径、形状和深度)，从而提高了沉积掩模的沉积效率并防止沉积失败。
同时，可以使用上述金属板10来制造根据上述实施例的沉积掩模100。在下文中，将参考附图描述根据实施例的沉积掩模100。
图14至图16是用于描述根据实施例的通过使用沉积掩模100在基板300上沉积有机材料的工艺的概念图。
图14是示出包括根据实施例的沉积掩模100的有机材料沉积设备的视图，图15是示出根据实施例的沉积掩模100被拉动以放置在掩模框架200上的视图。另外，图16是示出通过沉积掩模100的多个通孔在基板300上形成多个沉积图案的视图。
参考图14至图16，有机材料沉积设备可以包括沉积掩模100、掩模框架200、基板300、有机材料沉积容器400和真空室500。
沉积掩模100可以包括金属。例如，沉积掩模100可以具有与上述金属板10相同的组成。具体地，沉积掩模100可以是包括铁(Fe)和镍(Ni)的因瓦。更具体地，沉积掩模100可以包括因瓦，该因瓦包含约63.5wt％至64.5wt％的铁和约35.5wt％至36.5wt％的镍。
沉积掩模100可以包括用于沉积的有效部分，并且该有效部分可以具有多个通孔TH。沉积掩模100可以是包括多个通孔TH的用于沉积掩模的基板。此时，通孔可以形成为与要在基板上形成的图案相对应。通孔TH不仅可以形成在位于有效部分的中心的有效区域中，还可以形成在位于有效部分的外部并且围绕有效区域的外部区域中。沉积掩模100可以包括除了有效部分之外的无效部分，该有效部分包括沉积区域。通孔可能不位于无效部分中。
掩模框架200可以包括开口。沉积掩模100的多个通孔可以设置在与开口相对应的区域上。因此，可以将供应到有机材料沉积容器400的有机材料沉积在基板300上。可以将沉积掩模100设置并固定在掩模框架200上。例如，可以以预定拉力拉动沉积掩模100以通过焊接将其固定在掩模框架200上。
可以在设置于沉积掩模100的最外部上的一端处沿相反的方向拉动沉积掩模100。在沉积掩模100中，可以在沉积掩模100的纵向方向上沿相反的方向拉动沉积掩模100的一端和与该一端相反的另一端。沉积掩模100的一端和另一端可以彼此面对并且平行设置。
沉积掩模100的一端可以是形成四个侧面的端部之一，该四个侧面设置在沉积掩模100的最外部。例如，可以以0.1kgf至2kgf的拉力拉动沉积掩模100。具体地，可以以0.4kgf至1.5kgf的拉力拉动沉积掩模100。因此，被拉动的沉积掩模100可以被固定在掩模框架200上。
然后，可以通过焊接沉积掩模100的无效部分将沉积掩模100固定到掩模框架200。随后，可以通过例如切割的方法来去除沉积掩模100的设置在掩模框架200外部的部分。
基板300可以是用于制造显示装置的基板。例如，基板300可以是用于沉积用于OLED像素图案的有机材料的基板300。可以在基板300上形成红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的有机材料图案，以形成像素，该像素是光的三原色。即，可以在基板300上形成RGB图案。尽管在附图中未示出，但是除了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的有机材料图案之外，还可以在基板300上形成白色(W)的有机材料图案(B)。即，可以在基板300上形成WRGB图案。
有机材料沉积容器400可以是坩埚。有机材料可以设置在坩埚的内部。
在将热源和/或电流供应到真空室500中的坩埚时，有机材料可以沉积在基板300上。
参考图16，沉积掩模100可以包括一个表面101和与该一个表面相对的另一表面102。
沉积掩模100的一个表面101可以包括小表面孔Vl，并且沉积掩模100的另一表面102可以包括大表面孔V2。通孔TH可以通过连通部分CA连通，小表面孔V1和大表面孔V2的边界连接到该连通部分CA。
沉积掩模100的小表面孔V1中可以包括第一内侧表面ES1。沉积掩模100的大表面孔V2中可以包括第二内侧表面ES2。可以通过使小表面孔V1中的第一内侧表面ES1与大表面孔V2中的第二内侧表面ES2连通而形成通孔。例如，一个小表面孔V1中的第一内侧表面ES1可以与一个大表面孔V2中的第二内侧表面ES2连通以形成一个通孔。
大表面孔V2的宽度可以大于小表面孔V1的宽度。此时，可以在一个表面101上测量小表面孔V1的宽度，并且可以在另一表面102上测量大表面孔V2的宽度。
小表面孔V1可以朝向基板300设置。小表面孔V1可以靠近基板300设置。因此，小表面孔V1可以具有与沉积材料(即，沉积图案DP)相对应的形状。
大表面孔V2可以朝向有机材料沉积容器400布置。因此，大表面孔V2可以以较宽的宽度容纳从有机材料沉积容器400供应的有机材料，并且可以通过宽度小于大表面孔V2的宽度的小表面孔V1，在基板300上快速地形成精细的图案。
图17是示出根据实施例的沉积掩模100的平面图的视图。参考图17，根据实施例的沉积掩模100可以包括沉积图案区域DA和非沉积区域NDA。
沉积区域DA可以是用于形成沉积图案的区域。沉积区域DA可以包括形成沉积图案的有效部分。沉积区域DA可以包括图案区域和非图案区域。
图案区域可以是包括小表面孔Vl、大表面孔V2、通孔TH和岛部IS的区域，非图案区域可以是不包括小表面孔V1、大表面孔V2、通孔TH和岛部IS的区域。在此，沉积区域DA可以包括有效部分和无效部分，该有效部分包括有效区域和稍后将描述的外部区域，在无效部分中不进行沉积。因此，有效部分可以是图案区域，无效部分可以是非图案区域。
另外，一个沉积掩模100可以包括多个沉积区域DA。例如，实施例的沉积区域DA可以包括能够形成多个沉积图案的多个有效部分。有效部分可以包括多个有效区域AA1、AA2和AA3。
多个有效区域AA1、AA2和AA3可以设置在有效部分的中心区域中。多个有效区域AA1、AA2和AA3可以包括第一有效区域AA1、第二有效区域AA2和第三有效区域AA3。在此，一个沉积区域DA可以是第一有效部分，其包括第一有效区域AA1和围绕第一有效区域AA1的第一外部区域OA1。
另外，一个沉积区域DA可以是第二有效部分，其包括第二有效区域AA2和围绕第二有效区域AA2的第二外部区域OA2。此外，一个沉积区域DA可以是第三有效部分，其包括第三有效区域AA3和围绕第三有效区域AA3的第三外部区域OA3。
在例如智能电话的小型显示装置的情况下，在沉积掩模100中包括的多个沉积区域中的任何一个沉积区域的有效部分可以是用于形成一个显示器件的一个有效部分。因此，一个沉积掩模100可以包括多个有效部分以同时形成多个显示器件。因此，根据实施例的沉积掩模100可以提高处理效率。
或者，在例如电视的大型显示装置的情况下，在一个沉积掩模100中包括的多个有效部分可以是用于形成一个显示器件的一部分。在这种情况下，多个有效部分可以用于防止由于掩模的载荷引起的变形。
多个有效区域AA1、AA2和AA3可以被设置为彼此间隔开。具体地，多个有效区域AA1、AA2和AA3可以被设置为在沉积掩模100的主轴方向上间隔开。沉积区域DA可以包括在一个沉积掩模100中包括的多个隔离区域IA1和IA2。隔离区IA1和IA2可以设置在相邻的有效部分之间。
隔离区域IA1和IA2可以是多个有效部分之间的间隔区域。例如，第一隔离区域IA1可以设置在围绕第一有效区域AA1的第一外部区域OA1与围绕第二有效区域AA2的第二外部区域OA2之间。另外，第二隔离区域IA2可以设置在围绕第二有效区域AA2的第二外部区域OA2与围绕第三有效区域AA3的第三外部区域OA3之间。即，相邻的有效部分可以通过隔离区域IA1和IA2彼此区分开，并且多个有效部分可以由一个沉积掩模100支撑。
沉积掩模100可以在沉积区域DA的纵向方向的两侧部分上包括非沉积区域NDA。根据实施例的沉积掩模100可以在沉积区域DA的水平方向的两侧上包括非沉积区域NDA。
沉积掩模100的非沉积区域NDA可以是不参与沉积的区域。非沉积区域NDA可以包括用于将沉积掩模100固定到掩模框架200的框架固定区域FA1和FA2。另外，非沉积区域NDA可以包括凹槽G1和G2以及开口部分。
如上所述，沉积区域DA可以是用于形成沉积图案的区域，并且非沉积区域NDA可以是不参与沉积的区域。在这种情况下，可以在沉积掩模100的沉积区域DA中形成与金属板10的材料不同的表面处理层，并且可以在非沉积区域NDA中不形成表面处理层。
或者，可以仅在沉积掩模100的一个表面101或与一个表面101相对的另一表面102中的任何一个上形成与金属板10的材料不同的表面处理层。
或者，可以仅在沉积掩模100的一个表面101的一部分上形成与金属板10的材料不同的表面处理层。
例如，沉积掩模100的一个表面和/或另一表面以及沉积掩模100的整个和/或一部分可以包括蚀刻速率比金属板10的材料的蚀刻速率低的表面处理层，从而提高了蚀刻因子。因此，根据实施例的沉积掩模100可以高效地形成具有精细尺寸的通孔。
作为示例，实施例的沉积掩模100可以具有400PPI以上的分辨率。详细地，沉积掩模100可以高效地形成具有500PPI以上的高分辨率的沉积图案。
在此，表面处理层可以包括与金属板10的材料不同的材料，或者可以包括具有相同元素的不同组成的金属材料。就这一点而言，将在稍后描述的沉积掩模的制造工艺中更详细地描述。
非沉积区域NDA可以包括凹槽G1和G2。例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以包括在沉积区域DA的一侧上的第一凹槽G1，并且可以包括在与沉积区域DA的该一侧相反的另一侧上的第二凹槽G2。
第一凹槽G1和第二凹槽G2可以是在沉积掩模100的深度方向上形成凹槽的区域。由于第一凹槽G1和第二凹槽G2可以具有厚度大约为沉积掩模的厚度的1/2的凹槽，因此当沉积掩模100被拉动时可以分散应力。另外，优选的是凹槽G1和G2相对于沉积掩模100的中心在X轴方向或Y轴方向上对称地形成。这样，可以使两个方向上的拉力均衡。
凹槽G1和G2可以以各种形状形成。凹槽G1和G2可以包括半圆形凹槽。凹槽G1和G2可以形成在沉积掩模100的一个表面101和与该一个表面101相对的另一表面102中的至少一个上。优选地，凹槽G1和G2可以形成在与小表面孔V1对应的一个表面101上。
因此，由于凹槽G1和G2可以与小表面孔V1同时形成，所以可以提高处理效率。另外，凹槽G1和G2可以分散可能由于大表面孔V2之间的尺寸差异而产生的应力。然而，实施例不限于此，凹槽G1和G2可以具有四边形形状。例如，第一凹槽G1和第二凹槽G2可以具有矩形形状或正方形形状。因此，沉积掩模100可以有效地分散应力。
另外，凹槽G1和G2可以包括弯曲表面和平坦表面。第一凹槽G1的平坦表面可以被设置为与第一有效区域AA1相邻，并且该平坦表面可以设置为与沉积掩模100的纵向方向上的端部水平。第一凹槽G1的弯曲表面可以朝向沉积掩模100的纵向方向上的一端具有凸形。例如，第一凹槽G1的弯曲表面可以形成为使得在沉积掩模100的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。
另外，第二凹槽G2的平坦表面可以被设置为与第三有效区域AA3相邻，并且该平坦表面可以设置为与沉积掩模100的纵向方向上的端部水平。第二凹槽G2的弯曲表面可以朝向沉积掩模100的纵向方向上的另一端具有凸形。例如，第二凹槽G2的弯曲表面可以形成为使得在沉积掩模100的垂直方向上的长度的1/2点对应于半圆形的半径。
当形成小表面孔V1或大表面孔V2时，可以同时形成凹槽G1和G2。这样，可以提高处理效率。另外，形成在沉积掩模100的一个表面101和另一表面102上的凹槽G1和G2可以形成为彼此移置。这样，凹槽G1和G2不会被穿透。
另外，根据实施例的沉积掩模100可以包括四个半蚀刻部分。例如，凹槽G1和G2可以包括偶数个凹槽G1和G2以更有效地分散应力。
另外，凹槽G1和G2还可以形成在沉积区域DA的无效部分UA中。例如，凹槽G1和G2可以设置为多个并且分散在无效部分UA的全部或部分中，以便当沉积掩模100被拉动时分散应力。
即，根据实施例的沉积掩模100可以包括多个凹槽。详细地，根据实施例的沉积掩模100被示出为仅在非沉积区域NDA中包括凹槽G1和G2，而实施例不限于此，沉积掩模100还可以在沉积区域DA和非沉积区域NDA的至少一个中包括多个凹槽。因此，沉积掩模100的应力可以被均匀地分散。
非沉积区域NDA可以包括用于将沉积掩模100固定到掩模框架200的框架固定区域FA1和FA2。例如，第一框架固定区域FA1可以被包括在沉积区域DA的一侧上，并且第二框架固定区域FA2可以被包括在沉积区域DA与该一侧相对的另一侧上。第一框架固定区域FA1和第二框架固定区域FA2可以是通过焊接固定到掩模框架200的区域。
框架固定区域FA1和FA2可以设置在非沉积区域NDA的凹槽G1和G2与邻近凹槽G1和G2的沉积区域DA的有效部分之间。
例如，第一框架固定区域FA1可以设置在非沉积区域NDA的第一凹槽G1与第一有效部分之间，该第一有效部分包括与第一凹槽G1相邻的沉积区域DA的第一有效区域AA1和第一外部区域OA1。
例如，第二框架固定区域FA2可以设置在非沉积区域NDA的第二凹槽G2与第三有效部分之间，该第三有效部分包括与第二凹槽G2相邻的沉积区域DA的第三有效区域AA3和第三外部区域OA3。因此，可以同时固定多个沉积图案部分。
另外，沉积掩模100可以在水平方向X上的两端包括半圆形的开口部分。沉积掩模100的非沉积区域NDA可以在水平方向上的两端的每一端包括一个半圆形的开口部分。例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以包括开口部分，该开口部分的垂直方向Y上的中心在水平方向上的一侧上开口。
例如，沉积掩模100的非沉积区域NDA可以包括开口部分，该开口部分的垂直方向上的中心在与水平方向上的一侧相对的另一侧上开口。即，沉积掩模100的两端可包括在垂直方向上的长度的1/2点处的开口部分。例如，沉积掩模100的两端的形状可以像马蹄形。
在这种情况下，开口部分的弯曲表面可以指向凹槽G1和G2。因此，位于沉积掩模100的两端处的开口部分可以在第一凹槽G1或第二凹槽G2和沉积掩模100的垂直方向上的长度的1/2点处具有最短的分隔距离。
另外，第一凹槽G1或第二凹槽G2的垂直方向上的长度d1可以对应于开口部分的垂直方向上的长度d2。因此，当拉动沉积掩模100时，可以均匀地分散应力，从而可以减小沉积掩模100的变形(波变形)。
因此，根据实施例的沉积掩模100可以具有均匀的通孔，从而可以提高图案的沉积效率。优选地，第一凹槽G1或第二凹槽G2的垂直方向上的长度d1可以是开口部分的垂直方向上的长度d2的约80％至200％(d1:d2＝0.8～2:1)。
第一凹槽G1或第二凹槽G2在垂直方向上的长度d1可以是开口部分在垂直方向上的长度d2的约90％至约150％(d1:d2＝0.9～1.5:1)。
第一凹槽G1或第二凹槽G2在垂直方向上的长度d1可以是开口部分在垂直方向上的长度d2的约95％至约110％(d1:d2＝0.95～1.1:1)。
另外，尽管在附图中未示出，但是凹槽G1和G2还可以形成在沉积区域DA的无效部分UA中。例如，凹槽可以被设置为多个并且分散在无效部分UA的全部或部分中，以便在拉动沉积掩模100时分散应力。
此外，凹槽G1和G2可以形成在框架固定区域FA1和FA2和/或框架固定区域FA1和FA2的周边区域中。因此，当沉积掩模100被固定到掩模框架200时和/或在沉积掩模100被固定到掩模框架200之后，在沉积沉积材料时产生的沉积掩模100的应力可以被均匀地分散。因此，可以保持凹槽G1和G2以使得沉积掩模100可以具有均匀的通孔。
沉积掩模100可以包括在纵向方向上间隔开的多个有效部分和除有效部分之外的无效部分UA。详细地，沉积区域DA可以包括多个有效部分和除有效部分之外的无效部分UA。
多个有效部分可以包括第一有效部分、第二有效部分和第三有效部分。
另外，第一有效部分可以包括第一有效区域AA1和围绕第一有效区域AA1的第一外部区域OA1。第二有效部分可以包括第二有效区域AA2和围绕第二有效区域AA2的第二外部区域OA2。第三有效部分可以包括第三有效区域AA3和围绕第三有效区域AA3的第三外部区域OA3。
有效部分可以包括在沉积掩模100的一个表面上形成的多个小表面孔V1、在与该一个表面相对的另一表面上形成的多个大表面孔V2以及通过连通部分CA形成的通孔TH，小表面孔与大表面孔之间的边界连接到连通部分CA。
另外，有效区域AA1、AA2和AA3可以包括在多个通孔TH之间支撑的岛部IS。
岛部IS可以位于多个通孔中的相邻通孔TH之间。即，除了通孔TH之外的区域可以是沉积掩模100的有效区域AA1、AA2和AA3中的岛部IS。
岛部IS可以指在沉积掩模100的有效部分的一个表面101或另一表面102中未被蚀刻的部分。详细地，岛部IS可以是在另一表面102上的通孔和通孔之间的非蚀刻区域，该另一表面102上形成有沉积掩模100的有效部分的大表面孔V2。因此，岛部IS可以与沉积掩模100的一个表面101平行地设置。
岛部IS可以设置为与沉积掩模100的另一表面102共面。因此，岛部IS的厚度可以与沉积掩模100的另一表面102上的无效部分UA的至少一部分相同。详细地，岛部IS的厚度可以与沉积掩模100的另一表面102上的无效部分的未蚀刻部分相同。因此，可以通过沉积掩模100来提高子像素的沉积均匀性。
或者，岛部IS可以设置在与沉积掩模100的另一表面102平行的平坦表面中。在此，平行的平坦表面可以包括台阶，该台阶具有沉积掩模100的设置有岛部IS的另一表面102的高度，并且通过在岛部IS周围的蚀刻工艺，无效部分的未蚀刻的沉积掩模100的另一表面102为±1μm以下。
岛部IS可以具有多边形形状。或者，岛部IS可以具有弯曲的图形形状。即，当从沉积掩模100的另一表面102俯视时，岛部IS可以具有多边形或弯曲图形的形状。
例如，岛部IS的上表面可以具有多边形形状或弯曲图形形状。即，岛部IS可以具有多边形形状或弯曲图形形状的平面形状。弯曲图形形状可以表示具有至少一个变化曲线同时是具有多个边和内角的多边形的形状。例如，当俯视时，岛部IS可以包括多个曲线，并且可以是与曲线连接的弯曲图形形状。即，岛部IS的上表面可以通过用于形成大表面孔V2的蚀刻工艺而具有多边形形状或弯曲图形形状。
沉积掩模100可以围绕有效区域AA1、AA2和AA3设置，并且可以包括设置在有效区域AA1、AA2和AA3的外围的外部区域OA1、OA2和OA3。有效区域AA可以是当多个通孔中位于最外部的用于沉积有机材料的通孔的外围相连接时的内部区域。
无效区域UA可以是当多个通孔中位于最外部的用于沉积有机材料的通孔的外围相连接时的外部区域。例如，当位于外部区域OA中的最外部的通孔的外周相连接时，无效区域UA可以是外部区域。
无效区域UA是除了沉积图案区域DA的有效区域AA1、AA2和AA3、围绕有效区域的外部区域OA1、OA2和OA3以及非沉积区域NDA之外的区域。第一有效区域AA1可以位于第一外部区域OA1中。第一有效区域AA1可以包括用于形成沉积材料的多个通孔。围绕第一有效区域AA1的外围的第一外部区域OA1可以包括多个通孔。
例如，在第一外部区域OA1中包括的多个通孔用于减少位于第一有效区域AA1的最外部的通孔TH的蚀刻失败。因此，根据实施例的沉积掩模100可以提高位于有效区域AA1、AA2和AA3中的多个通孔TH的均匀性，并且可以提高通过其制造的沉积图案的质量。
另外，第一有效区域AA1的通孔TH的形状可以对应于第一外部区域OA1的通孔的形状。因此，可以提高在第一有效区域AA1中包括的通孔TH的均匀性。
作为示例，第一有效部分AA1的通孔TH的形状和第一外部区域OA1的通孔的形状可以是圆形。然而，实施例不限于此，通孔TH可以具有各种形状，例如菱形图案、椭圆形图案等。
第二有效部分AA2可以位于第二外部区域OA2中。第二有效部分AA2可以具有与第一有效部分AA1相对应的形状。第二外部区域OA2可以具有与第一外部区域OA1相对应的形状。
第二外部区域OA2还可以从位于第二有效部分AA2的最外部的通孔开始分别在水平方向和垂直方向上包括两个通孔。例如，在第二外部区域OA2中，两个通孔可以设置为在水平方向上的一行上分别位于第二有效部分AA2的最外部的通孔的上部和下部。
例如，在第二外部区域OA2中，两个通孔可以设置为在垂直方向上的一列上分别位于第二有效部分AA2的最外部的通孔的左侧和右侧。在第二外部区域OA2中包括的多个通孔用于减少位于有效部分的最外部的通孔的蚀刻失败。因此，根据实施例的沉积掩模可以提高位于有效部分中的多个通孔的均匀性，并且可以改善通过其制造的沉积图案的质量。
第三有效区域AA3可以被包括在第三外部区域OA3中。第三有效区域AA3可以包括用于形成沉积材料的多个通孔。围绕第三有效区域AA3的外周的第三外部区域OA3可以包括多个通孔。
第三有效区域AA3可以具有与第一有效区域AA1的形状相对应的形状。第三外部区域OA3可以具有与第一外部区域OA1的形状相对应的形状。
另外，在有效区域AA1、AA2和AA3中包括的通孔TH可以具有部分地与在外部区域OA1、OA2和OA3中包括的通孔的形状相对应的形状。作为示例，在有效区域AA1、AA2和AA3中包括的通孔可以具有与位于外部区域OA1、OA2和OA3的边缘部分处的通孔不同的形状。因此，可以根据沉积掩模100的位置来调节应力差。
图18是示出根据实施例的沉积掩模100的有效区域的平面图的视图，图19是示出根据实施例的沉积掩模的另一平面图的视图。
图18和图19可以是根据实施例的沉积掩模100的第一有效区域AA1、第二有效区域AA2和第三有效区域AA3中的任何一个的平面图。另外，图18和图19是用于描述通孔TH的形状和通孔TH之间的布置的视图。根据实施例的沉积掩模100不限于附图中所示的通孔TH的数量。
参考图18和图19，沉积掩模100可以包括多个通孔TH。此时，通孔TH可以根据方向成行设置或彼此交叉设置。例如，通孔TH可以在垂直轴和水平轴上成行设置，并且可以在垂直轴或水平轴上成行设置。
参考图18和图19，沉积掩模100可以包括多个通孔TH。此时，多个通孔TH可以具有圆形形状。详细地，通孔TH的水平方向上的直径Cx和垂直方向上的直径Cy可以彼此对应。
通孔TH可以根据方向成行设置。例如，通孔TH可以在垂直轴和水平轴上成行设置。
第一通孔TH1和第二通孔TH2可以在水平轴上成行设置，第三通孔TH3和第四通孔TH4可以在水平轴上成行设置。
第一通孔TH1和第三通孔TH3可以在垂直轴上成行设置，第二通孔TH2和第四通孔TH4可以在水平轴上成行设置。
即，当通孔TH在垂直轴和水平轴上成行设置时，岛部IS被放置在沿对角线方向(在对角线方向中，垂直轴和水平轴都相交)彼此相邻的两个通孔TH之间。即，岛部IS可以位于沿对角线方向放置为彼此相邻的两个通孔TH之间。
例如，岛部IS可以设置在第一通孔TH1和第四通孔TH4之间。此外，岛部IS可以设置在第二通孔TH2和第三通孔TH3之间。岛部IS可以相对于与两个相邻通孔相交的水平轴沿约+45度的倾斜角方向和约-45度的倾斜角方向设置。在此，约±45度的倾斜角方向可以是水平轴与垂直轴之间的对角线方向，并且对角线倾斜角是在水平轴和垂直轴的同一平面上测量的。
另外，参考图19，根据实施例的沉积掩模100可以包括多个通孔TH。此时，多个通孔可以具有椭圆形状。详细地，通孔TH的水平方向上的直径Cx和垂直方向上的直径Cy可以彼此不同。例如，通孔的水平方向上的直径Cx可以大于垂直方向上的直径Cy。然而，实施例不限于此，并且通孔可以具有矩形形状、八边形形状或圆角八边形形状。
通孔TH在垂直轴或水平轴中的任何一个上成行设置，并且可以在一个轴上彼此交叉设置。
具体地，第一通孔TH1和第二通孔TH2可以在水平轴上成行设置。第三通孔TH3和第四通孔TH4可以在垂直轴上分别与第一通孔TH1和第二通孔TH2交叉设置。
当通孔TH在垂直轴和水平轴的任一方向上成行设置并且在另一方向上交叉时，岛部IS可以位于在垂直轴和水平轴的另一个方向上的两个相邻的通孔TH1和TH2之间。或者，岛部IS可以位于彼此相邻的三个通孔TH1、TH2和TH3之间。三个相邻的通孔TH1、TH2和TH3中的两个通孔TH1和TH2是成行设置的通孔，剩余的一个通孔TH3可以是指可以在与该行的方向相对应的方向上位于相邻位置处的两个通孔TH1和TH2之间的区域中设置的通孔。岛部IS可以设置在第一通孔TH1、第二通孔TH2和第三通孔TH3之间。或者，岛部IS可以设置在第二通孔TH2、第三通孔TH3和第四通孔TH4之间。
另外，在根据实施例的沉积掩模100中，在测量作为通孔中的任何一个的基准孔的水平方向上的直径Cx和垂直方向上的直径Cy的情况下，与基准孔相邻的每个通孔TH的水平方向上的直径Cx之间的偏差和垂直方向上的直径Cy之间的偏差可以实现为2％至10％。即，当将一个基准孔的相邻孔之间的尺寸偏差实现为2％至10％时，可以确保沉积均匀性。例如，基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为4％至9％。
例如，基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为5％至7％。例如，基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为2％至5％。当基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差小于2％时，可能增大沉积之后OLED面板中的莫尔条纹的发生率。当基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差大于10％时，可能增大沉积之后的OLED面板中颜色不均匀的发生率。通孔的直径的平均偏差可以为±5μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以是±3μm。例如，通孔的直径的平均偏差可以为±1μm。在该实施例中，可以通过实现基准孔与相邻孔之间的尺寸偏差在±3μm以内来提高沉积效率。
图18和图19的岛部IS可以指沉积掩模100的另一表面中的通孔TH之间的未蚀刻表面，在该另一表面中形成有有效部分AA的大表面孔V2。详细地，岛部IS可以是除了第二内侧表面ES2和位于沉积掩模的有效部分AA中的大表面孔中的通孔TH之外的未蚀刻沉积掩模100的另一表面。实施例的沉积掩模100可以用于沉积具有400PPI以上的分辨率(更详细地，具有400PPI至800PPI以上的分辨率)的高分辨率至超高分辨率的OLED像素。
例如，实施例的沉积掩模100可以用于形成分辨率为400PPI以上的全高清(HD)的高分辨率的沉积图案。例如，实施例的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为1920×1080以上的并且分辨率为400PPI以上的OLED像素。即，实施例的沉积掩模中包括的一个有效部分可以用于形成具有1920×1080以上的分辨率的像素数。
例如，实施例的沉积掩模100可以用于形成具有500PPI以上的分辨率的四倍高清(QHD)的高分辨率的沉积图案。例如，实施例的沉积掩模100可以用于沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为2560×1440以上并且分辨率为530PPI以上的OLED像素。根据实施例的沉积掩模100，基于5.5英寸的OLED面板，每英寸的像素数可以是530PPI以上。即，实施例的沉积掩模100中包括的一个有效部分可以用于形成具有2560×1440以上的分辨率的像素数。
例如，实施例的沉积掩模100可以用于形成具有分辨率为700PPI以上的超高清(UHD)的超高分辨率的沉积图案。例如，实施例的沉积掩模100可以用于形成具有UHD级分辨率的沉积图案，以用于沉积在水平方向和垂直方向上的像素数为3840*2160以上并且分辨率为794PPI以上的OLED像素。
通孔TH的直径可以是连通部分CA之间的宽度。详细地，可以在小表面孔V1中的蚀刻表面的端部与大表面孔V2中的蚀刻表面的端部相交的点处测量通孔TH的直径。通孔TH的直径的测量方向可以是水平方向、垂直方向和对角线方向中的任何一个。在水平方向上测得的通孔TH的直径可以为33μm以下。或者，在水平方向上测得的通孔TH的直径可以为33μm以下。或者，通孔TH的直径可以是分别在水平方向、垂直方向和对角线方向上测得的值的平均值。
因此，根据实施例的沉积掩模100可以实现QHD级分辨率。例如，通孔TH的直径可以为15μm至33μm。例如，通孔TH的直径可以为19μm至33μm。例如，通孔TH的直径可以为20μm至27μm。当通孔TH的直径超过33μm时，可能难以实现500PPI以上的分辨率。另一方面，当通孔TH的直径小于15μm时，可能发生沉积失败。
参考图18和图19，在水平方向上的多个通孔中的两个相邻的通孔TH之间的间距可以为48μm以下。例如，在水平方向上的多个通孔TH中的两个相邻的通孔TH之间的间距可以为20μm至48μm。
例如，在水平方向上的多个通孔TH中的两个相邻的通孔TH之间的间距可以为30μm至35μm。在此，间距可以指在水平方向上相邻的第一通孔TH1的中心与第二通孔TH2的中心之间的间距P1。或者，间距可以指在水平方向上相邻的第一岛部的中心与第二岛部的中心之间的间距P2。在此，岛部IS的中心可以是在水平方向和垂直方向上的四个相邻通孔TH之间的未蚀刻的另一表面处的中心。
例如，基于在水平方向上相邻的第一通孔TH1和第二通孔TH2，岛部IS的中心可以指在将一个岛部IS的边缘连接的水平轴和垂直轴相交处的点，该岛部IS位于与第一通孔TH1垂直相邻的第三通孔TH3和与第二通孔TH2垂直相邻的第四通孔TH4之间的区域中。
另外，参考图18和图19，在水平方向上的多个通孔中的两个相邻通孔TH之间的间距可以为48μm以下。例如，在水平方向上的多个通孔TH中的两个相邻通孔TH之间的间距可以为20μm至48μm。
例如，在水平方向上的多个通孔TH中的两个相邻通孔TH之间的间距可以为30μm至35μm。在此，间距可以指在水平方向上相邻的第一通孔TH1的中心与第二通孔TH2的中心之间的间距P1。
另外，间距可以指在水平方向上相邻的第一岛部的中心与第二岛部的中心之间的间距P2。在此，岛部IS的中心可以是在水平方向和垂直方向上的四个相邻通孔之间的未蚀刻的另一表面处的中心。
或者，在此，岛部IS的中心可以是在垂直方向上相邻的两个通孔和一个通孔之间的未蚀刻另一表面处的中心。即，岛部IS的中心可以是三个相邻的通孔之间的非蚀刻表面的中心，并且三个相邻的通孔可以指当连接中心时可以形成三角形。
通孔TH的直径的测量方向和两个通孔TH之间的间距的测量方向可以是相同的。通孔TH的间距可以是测量水平方向或垂直方向上的两个相邻通孔TH之间的间距的值。
即，在根据实施例的沉积掩模100中，可以沉积具有400PPI以上的分辨率的OLED像素。具体地，在根据实施例的沉积掩模100中，通孔TH的直径为33μm以下，并且通孔TH之间的间距为48μm以下，因此可以沉积具有500PPI以上的分辨率的OLED像素。更具体地，可以沉积具有500PPI以上的分辨率的绿色有机材料。即，可以使用根据实施例的沉积掩模100来实现QHD级分辨率。
通孔TH的直径和通孔TH之间的间距可以是用于形成绿色子像素的尺寸。例如，可以基于绿色(G)图案来测量通孔TH的直径。这是因为由于G图案在视觉上的识别率低，所以需要的图案数量要多于红色(R)和蓝色(B)图案，并且通孔TH之间的间距可能比R图案和B图案窄。沉积掩模100可以是用于实现QHD显示像素的OLED沉积掩模。
例如，沉积掩模100可以用于沉积红色R、第一绿色G1、蓝色B和第二绿色G2中的至少一个子像素。详细地，沉积掩模100可以用于沉积红色R子像素。或者，沉积掩模100可以用于沉积蓝色B子像素。或者，沉积掩模100可以用于同时形成第一绿色G1子像素和第二绿色G2子像素。
有机发光显示装置的像素布置可以以“红色R-第一绿色G1-蓝色B-第二绿色G2”的顺序设置。在这种情况下，红色R-第一绿色G1可以形成一个像素RG，蓝色B-第二绿色G2可以形成另一个像素BG。在具有这种布置的有机发光显示装置中，由于绿色发光有机材料的沉积间隔比红色发光有机材料和蓝色发光有机材料的沉积间隔窄，因此可能需要类似于本发明的沉积掩模100的形式。
另外，在根据实施例的沉积掩模100中，水平方向上的通孔TH的直径可以为20μm以下。因此，根据实施例的沉积掩模100可以实现UHD级分辨率。例如，在根据实施例的沉积掩模100中，通孔TH的直径为20μm以下，并且通孔TH之间的间距为32μm以下，因此可以沉积具有800PPI级的分辨率的OLED像素。即，可以使用根据实施例的沉积掩模来实现UHD级分辨率。
通孔的直径和通孔之间的间距可以是用于形成绿色子像素的尺寸。沉积掩模可以是用于实现UHD显示像素的OLED沉积掩模。
图20是示出重叠的各个横截面的视图，以描述图18和图19的沿A-A’方向的横截面与沿B-B'方向的横截面之间的高度台阶和尺寸。
首先，将描述沿图18和图19的A-A’方向的横截面。A-A’方向是穿过在垂直方向上相邻的第一通孔TH1和第三通孔TH3之间的中心区域的横截面。即，沿A-A’方向的横截面可以不包括通孔TH。
在A-A’方向上的横截面中，岛部IS(作为未被蚀刻的沉积掩模的另一表面)可以位于大表面孔中的蚀刻表面ES2之间。因此，岛部IS可以包括与沉积掩模的一个未蚀刻表面平行的表面。或者，岛部IS可以包括与沉积掩模的另一未蚀刻表面相同或平行的表面。
接下来，将描述沿图18和图19的B-B’方向的横截面。B-B’方向是穿过在水平方向上相邻的第一通孔TH1和第二通孔TH2中的每一个的中心的横截面。即，沿B-B’方向的横截面可以包括多个通孔TH。
一个肋RB可以位于在方向B-B’上相邻的第三通孔TH3和第四通孔TH4之间。另一个肋RB可以位于第四通孔TH4和在水平方向上与第四通孔相邻但位于与第三通孔TH3相反的方向上的第五通孔之间。一个通孔TH可以位于一个肋和另一个肋之间。即，一个通孔TH可以位于在水平方向上相邻的两个肋RB之间。
另外，在沿B-B’方向的横截面中，可以放置肋RB，其是大表面孔中的蚀刻表面ES2与相邻大表面孔中的蚀刻表面ES2彼此连接的区域。在此，肋RB可以是两个相邻的大表面孔的边界相连接的区域。由于肋RB是蚀刻表面，因此肋RB可以具有比岛部IS更小的厚度。例如，岛部可具有约2μm以上的宽度。即，在与另一表面平行的方向上，另一表面上的保持未被蚀刻的部分的宽度可以为约2μm以下。当一个岛部IS的一端的宽度和另一端的宽度为2μm以上时，可以增加沉积掩模100的总体积。具有这种结构的沉积掩模100确保了足够的刚性以抵抗应用于有机材料沉积工艺等上的拉力，因此有利于保持通孔的均匀性。
图21是示出沿图18或图19的B-B’方向截取的横截面的视图。参考图21，将对图18和图19的B-B’的横截面和根据图20的有效区域的肋RB的放大横截面以及肋RB之间的通孔TH进行描述。
在根据实施例的沉积掩模100中，通过蚀刻形成有通孔TH的有效区域AA的厚度可以与未被蚀刻的无效部分UA的厚度不同。详细地，肋RB的厚度可以小于未被蚀刻的无效部分UA的厚度。
在根据实施例的沉积掩模100中，无效部分UA的厚度可以大于有效区域AA1、AA2和AA3的厚度。此时，岛部IS是非蚀刻区域，并且岛部IS可以对应于无效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度。例如，在沉积掩模100中，无效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度可以为约30μm以下。因此，岛部IS的最大厚度可以为约30μm以下，并且除岛部IS之外的有效区域AA1、AA2和AA3的厚度可以小于无效部分UA的厚度。具体地，在沉积掩模100中，无效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度可以为约25μm以下。例如，在实施例的沉积掩模中，无效部分或非沉积区域的最大厚度可以为约15μm至约25μm。因此，岛部IS的最大厚度可以为约15μm至约25μm。当根据实施例的沉积掩模的无效部分或非沉积区域的最大厚度超过大约30μm时，由于作为沉积掩模100的原料的金属板10的厚度变厚，从而可能难以形成具有精细尺寸的通孔TH。另外，当沉积掩模100的无效部分UA或非沉积区域NDA的最大厚度小于约15μm时，由于金属的厚度薄，可能难以形成具有均匀尺寸的通孔。
在肋RB的中心处测得的最大厚度T3可以为约15μm以下。例如，在肋RB的中心处测得的最大厚度T3可以为约7μm至约10μm。例如，在肋RB的中心处测得的最大厚度T3可以为约6μm至约9μm。当在肋RB的中心处测得的最大厚度T3超过约15μm时，可能难以形成具有500PPI以上的高分辨率的OLED沉积图案。此外，当在肋RB的中心处测得的最大厚度T3小于约6μm时，可能难以均匀地形成沉积图案。
沉积掩模100的小表面孔的高度H1可以是在肋RB的中心处测得的最大厚度T3的约0.2至0.4倍。例如，在肋RB的中心处测得的最大厚度T3可以为约7μm至约9μm，并且沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度H1可以为约1.4μm至约3.5μm。沉积掩模100的小表面孔的高度H1可以为约3.5μm以下。例如，小表面孔V1的高度可以为约0.1μm至约3.4μm。例如，沉积掩模100的小表面孔V1的高度可以为约0.5μm至约3.2μm。例如，沉积掩模100的小表面孔V1的高度可以为约1μm至约3μm。在此，可以在沉积掩模100的厚度测量方向上(即，深度方向上)测量高度，并且该高度可以是从沉积掩模100的一个表面到连通部分测得的高度。详细地，在图18和图19的平面图中，可以在与上述的水平方向(x方向)和垂直方向(y方向)形成90度的z轴方向上进行测量。
当沉积掩模100的一个表面与连通部分之间的高度超过约3.5μm时，由于阴影效应可能发生沉积失败，在该阴影效应中，在OLED沉积期间，沉积材料扩散到大于通孔的面积的区域。
另外，在形成有沉积掩模100的小表面孔V1的一个表面处的孔径W1和在作为小表面孔V1与大表面孔V2之间的边界的连通部分处的孔径W2可以彼此相似或不同。在形成有沉积掩模100的小表面孔V1的一个表面处的孔径W1可以大于在连通部分处的孔径W2。
例如，在沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.01μm至约1.1μm。例如，在沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.03μm至约1.1μm。例如，在沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差可以为约0.05μm至约1.1μm。
当在沉积掩模的一个表面处的孔径W1与连通部分处的孔径W2之差大于约1.1μm时，由于阴影效应可能发生沉积失败。
另外，可以具有倾斜角θ1，其将位于与沉积掩模100的一个表面101相对的另一表面102上的大表面孔V2的一端E1和小表面孔V1与大表面孔V2之间的连通部的一端E2连接。例如，大表面孔V2的一端E1可以指肋RB所在的点，肋RB作为大表面孔V2中的第二内侧表面ES2的边界。连通部的一端E2可以指通孔TH的一端。将大表面孔V2的一端E1与连通部的一端E2连接的倾斜角θ1可以为40度至55度。因此，可以形成具有400PPI以上的高分辨率(具体地讲，具有500PPI以上的高分辨率)的沉积图案，同时，岛部IS可以存在于沉积掩模100的另一表面102上。
在下文中，将参考图22描述根据实施例的沉积掩模的制造方法。
在用于OLED像素沉积的金属材料的沉积掩模的制造方法中，可以制造出根据实施例的沉积掩模，包括：第一步骤，制备厚度为20μm至30μm的基底金属板；第二步骤，在基底金属板的一侧上设置图案化的光致抗蚀剂层，通过半蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分而在基底金属板的一个表面上形成凹槽，在基底金属板的与该一侧相反的另一侧上设置图案化的光致抗蚀剂层，并且通过蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分而在基底金属板的该一个表面上形成与凹槽连接的通孔；以及第三步骤，去除光致抗蚀剂层以形成沉积掩模，该沉积掩模包括在该一个表面上形成的大表面孔、在与该一个表面相对的另一表面上形成的小表面孔以及由连通部分形成的通孔，大表面孔和小表面孔之间的边界连接到该连通部分。由此，能够制造可以实现500PPI以上的分辨率的沉积掩模。
在用于OLED像素沉积的金属材料的沉积掩模的制造方法中，可以制造出根据实施例的沉积掩模，包括：第一步骤，制备厚度为15μm至20μm的基底金属板；第二步骤，在基底金属板的一侧上设置图案化的光致抗蚀剂层，通过半蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分而在基底金属板的一个表面上形成凹槽，在基底金属板的与该一侧相反的另一侧上设置图案化的光致抗蚀剂层，并且通过蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分而在基底金属板的该一个表面上形成与凹槽连接的通孔；以及第三步骤，去除光致抗蚀剂层以形成沉积掩模，该沉积掩模包括在该一个表面上形成的大表面孔、在与该一个表面相对的该另一表面上形成的小表面孔以及由连通部分形成的通孔，大表面孔和小表面孔之间的边界连接到该连通部分。由此，能够制造可以实现800PPI以上的分辨率的沉积掩模。
首先，将描述制备厚度为20μm至30μm的基底金属板BM的第一步骤。
基底金属板BM可以包括金属材料。基底金属板BM可以包括镍合金。例如，基底金属板BM可以是镍和铁的合金。此时，镍可以为约35wt％至37wt％，铁可以为约63wt％至65wt％。例如，基底金属板BM可以包括因瓦，该因瓦包含约35wt％至37wt％的镍、约63wt％至65wt％的铁以及微量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中至少一种。在此，微量可以表示不超过1wt％。具体地，在此，微量可以指0.5wt％以下。然而，基底金属板BM不限于此，并且显然可以包括各种金属材料。
由于例如因瓦的镍合金的热膨胀系数小，因此其优点是可以增加沉积掩模的使用寿命。
在此，第一步骤还可以包括根据基底金属板的目标厚度的厚度减小步骤。
例如，基底金属板BM可以具有25μm至30μm的厚度。通过轧制和/或蚀刻的厚度减小步骤，基底金属板BM可以具有15μm至25μm的厚度。在此，蚀刻可以包括电蚀刻或化学蚀刻。
基底金属板BM或经过了厚度减小步骤的基底金属板BM可以可选地包括表面处理步骤。
例如，存在难以均匀地蚀刻例如因瓦的镍合金的问题。即，在例如因瓦的镍合金中，在蚀刻的初始阶段的蚀刻速率可以增大。因此，存在小表面孔的蚀刻因子可能降低的问题。当小表面孔的蚀刻因子降低时，可能存在以下问题：可能形成沉积掩模，其中由于阴影效应而发生沉积失败。或者，由于大表面孔的侧面蚀刻，可能会发生光致抗蚀剂层的脱膜。另外，随着通孔的尺寸增大，可能难以形成具有精细尺寸的通孔。此外，通孔形成不均匀，从而沉积掩模的产率可能降低。
因此，在实施例中，用于表面改性的表面层可以以不同的组成、含量、晶体结构和腐蚀速率设置在基底金属板的表面上。在此，表面改性可以表示设置在该表面上的由各种材料制成的层，以提高蚀刻因子。
即，表面处理层可以是用于防止在基底金属板的该表面上快速蚀刻的层。表面处理层可以是蚀刻阻挡层，其蚀刻速率比基底金属板的蚀刻速率低。表面处理层可以具有与基底金属板不同的晶面和晶体结构。例如，由于表面处理层包括与基底金属板的元素不同的元素，所以晶面和晶体结构可以彼此不同。
在相同的腐蚀环境中，表面处理层可以具有与基底金属板的腐蚀电位不同的腐蚀电位。例如，当在相同温度、相同时间下施加相同的蚀刻剂时，表面处理层的腐蚀电流或腐蚀电位可以与基底金属板的腐蚀电流或腐蚀电位不同。
基底金属板BM可以在其一个表面和/或两个表面、整个表面和/或有效区域上包括表面处理层或表面处理部分。表面处理层或表面处理部分可以包括与基底金属板不同的元素，或者可以包括腐蚀速率慢的金属元素，其含量比基底金属板的含量大。
例如，表面处理层可以包括镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)、钛(Ti)、锰(Mn)、氧(O)、钼(Mo)、银(Ag)、锌(Zn)、氮(N)、铝(Al)中的至少一种金属及其合金，并且镍(Ni)、铬(Cr)、铁(Fe)、钛(Ti)、锰(Mn)、氧(O)、钼(Mo)、银(Ag)、锌(Zn)、氮(N)、铝(Al)中的至少一种金属及其合金的含量可以大于基底金属板的含量。
在还包括这样的表面处理步骤的情况下，可以在根据实施例的基底金属板的表面上设置表面处理层。在表面处理步骤中，设置与基底金属板BM不同的元素的表面处理层，使得该表面上的腐蚀速率可以比基底金属板BM的原材料的腐蚀速率慢。因此，可以增大根据实施例的沉积掩模的蚀刻因子。另外，由于根据实施例的沉积掩模可以均匀地形成多个通孔，因此可以提高R、G和B图案的沉积效率。在此，包含不同的元素可以表示基底金属板BM和表面处理层包含至少一种不同的元素，或者即使所有元素相同，也包含具有不同含量的合金。
接下来，将描述在基底金属板的一个表面上的图案化的光致抗蚀剂层PR1的设置步骤。可以将图案化的光致抗蚀剂层PR1设置在基底金属板的一个表面上，以形成小表面孔。用于防止蚀刻的蚀刻阻挡层(例如涂层或膜层等)可以设置在与基底金属板的一个表面相对的另一表面上。
接下来，将描述通过半蚀刻光致抗蚀剂层PR1的开口部分而在金属板的一个表面上形成凹槽的第二步骤。
光致抗蚀剂层PR1的开口部分可以暴露于蚀刻剂等，因此可以在基底金属板的未设置光致抗蚀剂层PR1的一个表面的开口部分中发生蚀刻。
第二步骤可以是将具有约20μm至约30μm的厚度T1的基底金属板蚀刻至约1/2的厚度的步骤。通过第二步骤形成的凹槽的深度可以为约10μm至15μm。即，在第二步骤之后在凹槽的中心处测得的基底金属板的厚度T2可以为约10μm至15μm。
第二步骤可以是各向异性蚀刻或半添加工艺(SAP)。详细地，可以使用各向异性蚀刻或半添加工艺来半蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分。因此，与各向同性蚀刻相比，在通过半蚀刻形成的凹槽中，深度方向(b方向)上的蚀刻速率可以比侧面蚀刻(a方向)的蚀刻速率快。
小表面孔的蚀刻因子可以为2.0到3.0。例如，小表面孔的蚀刻因子可以为2.1至3.0。例如，小表面孔的蚀刻因子可以为2.2至3.0。
在此，蚀刻因子可以指被蚀刻的小表面孔的深度B除以从小表面孔上的岛部延伸并朝向通孔的中心突出的光致抗蚀剂层的宽度A(蚀刻因子＝B/A)。A可以表示在一个表面孔上突出的光致抗蚀剂层的一侧的宽度和与该一侧相对的另一侧的宽度的平均值。
接下来，将描述通孔的形成步骤。
首先，可以将图案化的光致抗蚀剂层PR2设置在与基底金属板的一个表面相对的另一表面上。具有开口部分的图案化的光致抗蚀剂层PR2可以设置在与基底金属板的一个表面相对的另一表面上，以形成大表面孔。用于防止蚀刻的蚀刻阻挡层(例如涂层或膜层等)可以设置在基底金属板的一个表面上。
光致抗蚀剂层PR2的开口部分可以暴露于蚀刻剂，因此可以在基底金属板的未设置光致抗蚀剂层PR2的另一表面的开口部分中发生蚀刻。基底金属板的另一个表面可以通过各向异性蚀刻或各向同性蚀刻来蚀刻。
蚀刻光致抗蚀剂层的开口部分，因此金属板的一个表面上的凹槽可以连接到大表面孔以形成通孔。
在第二步骤中，1)将图案化的光致抗蚀剂层PR1设置在基底金属板的一个表面上，并且将图案化的光致抗蚀剂层PR2设置在基底金属板的另一表面上。然后，2)可以通过同时蚀刻基底金属板的一个表面和另一表面来形成通孔。
或者，在第二步骤中，1)可以将图案化的光致抗蚀剂层PR1设置在基底金属板的一个表面上，并且2)可以通过半蚀刻光致抗蚀剂层PR1的开口部分而仅在基底金属板的一个表面上形成凹槽。然后，3)可以将图案化的光致抗蚀剂层PR2设置在基底金属板的另一表面上。然后4)可以通过蚀刻光致抗蚀剂层PR2的开口部分而在基底金属板的另一表面上形成通孔。
或者，在第二步骤中，1)可以将图案化的光致抗蚀剂层PR2设置在基底金属板的另一表面上，并且2)可以通过蚀刻光致抗蚀剂层PR2的开口部分而仅在基底金属板的另一表面上形成大表面孔。然后，3)可以将图案化的光致抗蚀剂层PR1设置在基底金属板的一个表面上。然后，4)通过半蚀刻光致抗蚀剂层PR1的开口部分，可以在基底金属板的该一个表面上形成连接到大表面孔的通孔。
接下来，可以通过形成沉积掩模的第三步骤来形成沉积掩模，该沉积掩模包括在该一个表面上形成的大表面孔、在与该一个表面相对的另一表面上形成的小表面孔以及由连通部分形成的通孔，大表面孔和小表面孔之间的边界连接到该连通部分。
通过第三步骤形成的沉积掩模100可以包括与基底金属板相同的材料。例如，沉积掩模可以包括与基底金属板具有相同的组成的材料。例如，沉积掩模的岛部可以包括上述表面处理层。
在通过第三步骤形成的沉积掩模中，在肋的中心处的最大厚度可以小于在未经过蚀刻的无效区域处的最大厚度。例如，在肋的中心处的最大厚度可以为15μm。例如，在肋的中心处的最大厚度可以小于10μm。然而，在沉积掩模的无效区域中的最大厚度可以为20μm至30μm。沉积掩模的无效区域中的最大厚度可以等于在第一步骤中制备的基底金属板的厚度。或者，在第一步骤的厚度减小步骤之后，沉积掩模的无效区域中的最大厚度可以为15μm至25μm。
参考图23和图24，将描述根据实施例的由沉积掩模形成的沉积图案。
参考图23，在根据实施例的沉积掩模中，沉积掩模的形成有小表面孔的一个表面与连通部分之间的高度H1可以为约3μm以下。因此，沉积掩模的一个表面与设置有沉积图案的基板之间的距离可以较短，因此可以减少由于阴影效应而导致的沉积失败。
参考图24，在相邻R、G和B图案的两个相邻图案之间的区域中，可能不会发生不同沉积材料沉积在同一区域中的沉积失败。即，根据实施例的R、G和B图案可以最小化沉积材料在图案周围散布的阴影现象。因此，在根据实施例的沉积掩模中，小孔径的高度可以为3μm以下，因此可以防止OLED像素沉积的失败。
在上述实施例中描述的特征、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施例中，但不仅限于一个实施例。此外，本领域技术人员可以针对其他实施例对每个实施例中所示的特征、结构和效果进行组合或修改。因此，应当理解，这样的组合和修改包括在本发明的范围内。
实施例的以上描述仅是示例，并且不限制本发明。对于本领域普通技术人员显而易见的是，在不改变本发明的技术理念或其基本特征的情况下，可以容易地以许多不同的形式来实施本发明。例如，可以修改和实现本文描述的示例性实施例的元件。而且，与这种改变和应用有关的差异应被解释为包括在所附权利要求书所限定的本发明的范围内。

Claims (13)

1.一种沉积掩模，包括用于OLED像素沉积的金属材料的铁(Fe)和镍(Ni)，所述沉积掩模包括用于形成沉积图案的沉积区域和除了所述沉积区域之外的非沉积区域，
其中，所述沉积区域包括多个有效部分和除了所述有效部分之外的无效部分，
其中，所述有效部分包括：
多个小表面孔，形成在所述沉积掩模的一个表面上；
多个大表面孔，形成在所述沉积掩模的与所述一个表面相对的另一表面上；
通孔，连通所述小表面孔和所述大表面孔；以及
岛部，形成在所述沉积掩模的所述另一表面上，并且所述岛部设置在多个通孔之间，
其中，将所述沉积掩模的(111)平面的衍射强度定义为I(111)，将所述沉积掩模的(200)平面的衍射强度定义为I(200)，将所述沉积掩模的(220)平面的衍射强度定义为I(220)，
所述I(200)的衍射强度比由以下等式1定义：
[等式1]
A＝I(200)/{I(200)+I(220)+I(111)}，并且
所述I(220)的衍射强度比由以下等式2定义：
[等式2]
B＝I(220)/{I(200)+I(220)+I(111)}，
其中A为0.5至0.6，
B为0.3到0.5，并且
A的值大于B的值。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，A/B大于1至2。
3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述(111)平面、所述(200)平面和所述(220)平面的方向是所述沉积掩模的蚀刻方向。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模形成有从所述沉积掩模的一个表面到另一表面形成的凹坑，并且所述凹坑的深度为2μm以下。
5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模具有面心立方结构的晶体结构。
6.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述A大于0.5小于0.6，所述B大于0.3小于0.5。
7.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述通孔的分辨率为400PPI以上，
其中，所述沉积掩模的厚度为15μm至25μm。
8.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述I(200)的衍射强度大于所述I(111)的衍射强度和所述I(220)的衍射强度，
其中，所述I(220)的衍射强度大于所述I(111)的衍射强度。
9.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述沉积掩模的一个表面处的孔径与连通部分处的孔径之差为0.01μm至1.1μm。
10.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述非沉积区域包括第一凹槽和第二凹槽，
其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽G2是在所述沉积掩模的深度方向上形成有凹槽的区域。
11.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述通孔的直径为15μm至33μm。
12.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，所述多个通孔中的两个相邻通孔之间的水平方向上的间距为20μm至48μm。
13.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，每个通孔在水平方向上的直径之间的偏差和在垂直方向上的直径之间的偏差被实现为2％至10％。
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