CN105624609B - 沉积掩模、制造沉积掩模的方法和制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

一种沉积掩模包括具有多个图案孔的掩模主体；从所述掩模主体突出的多个突出物；以及形成在所述掩模主体中的多个凹槽，其中所述掩模主体的颗粒尺寸在约10nm至约1000nm的范围中，且其中所述多个突出物的最大高度和所述多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。

Description

沉积掩模、制造沉积掩模的方法和制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2014年11月21日提交的第10-2014-0163717号韩国专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
一个或多个示例性实施方式涉及一种沉积掩模、一种制造沉积掩模的方法和一种制造显示装置的方法。
背景技术
基于移动性的电子装置具有广泛的用途。除了小的电子装置，如移动电话外，平板个人计算机(PC)最近已被用作移动电子装置。
移动电子装置包括用于将视觉信息，如图像或移动图像提供给用户以支持各种功能的显示单元。由于用于驱动显示单元的组件最近已变得更小，显示单元在电子装置中所占据的部分已有所增加，且已开发出显示单元的、可从平直状态进行弯曲以具有预定角度的结构。
为了形成上述显示单元，可使用各种方法形成各层中的每一层。在这个方面，形成每一层的方法可包括沉积方法、光掩模工艺等。
在沉积方法中，蒸发、喷涂和沉积沉积材料的工艺通常可包括将沉积源置于下部，将掩模置于沉积源上，将衬底置于掩模上并将已通过掩模的沉积材料沉积至衬底上。
同时，有必要对形成在掩模中并允许沉积材料通过的图案孔进行精细加工，从而制造具有大尺寸和高分辨率的显示装置面板。这种图案孔的精确度可决定沉积材料的图案的精确度。特别地，在显示单元的分辨率或其性能的方面上，沉积材料的图案是非常重要的问题且可确定产品质量。因此，使用了各种装置和方法来增加沉积材料的图案的精确度。
作为一个实例，沉积掩模的母金属通过轧制工艺且随后进行蚀刻或激光辐射工艺以加工图案孔而制造，且因此掩模被最终制造出来。
在该背景技术部分中公开的信息是发明人在实现本发明概念之前已知的或是在实现本发明概念的过程中所获得的技术信息。因此，其可含有不形成本国公众所已知的现有技术的信息。
发明内容
然而，当使用通过轧制工艺制造的沉积掩模的母金属来制造掩模时，会出现问题，即，图案孔不是在需要加工图案孔的区域中进行加工或在图案孔的形状中出现缺陷。
一个或多个示例性实施方式包括一种沉积掩模、一种制造沉积掩模的方法和一种制造显示装置的方法。
额外的方面将在下面的说明中部分地进行阐述且将部分地通过说明变得显而易见或可通过给定实施方式的实践而获悉。
根据一个或多个示例性实施方式，一种沉积掩模包括具有多个图案孔的掩模主体；从掩模主体突出的多个突出物；以及在掩模主体中形成的多个凹槽，其中掩模主体的颗粒尺寸在约10nm至约1000nm的范围中，且其中多个突出物的最大高度和多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
掩模主体可包括含有在约30wt％至约50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
掩模主体的厚度可在约5μm至约50μm的范围中。
多个图案孔的角部的曲率半径可小于用于加工多个图案孔的激光束的半径。
多个图案孔在水平方向上的单位面积沿多个图案孔的竖直方向上是不同的。
多个图案孔的内表面可包括倾斜表面。
根据一个或多个示例性实施方式，一种制造沉积掩模的方法包括通过进行电铸工艺加工沉积掩模的母金属；将沉积掩模的母金属置于载台和将通过激光振荡器振荡的激光束分成多个激光束的分束器之间；将通过多个激光束中的至少一些穿透的光学镜置于母金属和分束器之间；以及通过调整已通过分束器的多个激光束的辐射方向的扫描器将多个激光束辐射至通过光学镜暴露的母金属的一部分上而在母金属中加工图案孔。
母金属的颗粒尺寸可在约10nm至约1000nm的范围中。
母金属可包括：从母金属的表面突出的多个突出物；以及形成在母金属的表面中的多个凹槽，其中多个突出物的最大高度和多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
掩模主体可包括含有在约30wt％至约50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
掩模主体的厚度可在约5μm至约50μm的范围中。
图案孔在水平方向上的单位面积沿图案孔的竖直方向可以是不同的。
图案孔的内表面可包括倾斜表面。
将母金属置于载台和分束器之间可包括：通过使用被布置在载台和母金属之间的静电吸盘吸附母金属。
将光学镜置于载台和分束器之间可包括：对齐在光学镜中形成的第一标记和形成在母金属中以对应第一标记的形状的第二标记的位置。
该方法可进一步地包括：监测光学镜和母金属的位置；以及通过移动光学镜和母金属中的至少一个对齐光学镜和母金属。
第一标记可形成在光学镜中，其中对应于第一标记的形状的第二标记形成在母金属中，且其中第一标记和第二标记的位置通过移动光学镜和母金属中的至少一个来对齐。
已通过扫描器的多个激光束可沿竖直方向被辐射至母金属上。
光学镜可包括：穿透层，被配置成允许多个激光束中的一些穿透光学镜；以及反射层，被配置成反射多个激光束中的另外一些，其中反射层包括对应于图案孔的形状的开口。
穿透层可包括石英和玻璃中的至少一种。
反射层可包括不透明金属。
开口的角部的曲率半径可小于多个激光束的半径。
根据一个或多个示例性实施方式，一种制造包括在衬底上彼此面对的像素电极和对电极以及被布置在像素电极和对电极之间的有机层的显示装置的方法包括：使用沉积掩模沉积有机层，其中沉积掩模包括：具有多个图案孔的掩模主体；从掩模主体突出的多个突出物；以及形成在掩模主体中的多个凹槽，其中掩模主体的颗粒尺寸在约10nm至约1000nm的范围中，且其中多个突出物的最大高度和多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
掩模主体可包括含有在约30wt％至约50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
掩模主体的厚度可在约5μm至约50μm的范围中。
沉积掩模可通过将一个或多个激光束辐射至通过进行电铸工艺和加工多个图案孔而制造出的沉积掩模的母金属上而制造出来。
多个图案孔的角部的曲率半径可小于用于加工多个图案孔的激光束的半径。
多个图案孔在水平方向上的单位面积沿多个图案孔的竖直方向可以是不同的。
多个图案孔的内表面可包括倾斜表面。
附图说明
这些和/或其他方面将根据下面结合附图的对示例性实施方式的描述而变得显而易见和更容易理解，其中：
图1为根据一个示例性实施方式的在制造沉积掩模前沉积掩模的母金属的示意性立体图；
图2为沿图1中的线I-I’所截取的放大的横截面视图；
图3为根据另一个示例性实施方式的进行沉积掩模制造方法的沉积掩模制造装置的示意性概念图；
图4为沿图3中的线II-II’所截取的放大的横截面视图；
图5为图3中区域A的放大的立体图；
图6为图5的区域B的放大的平面图；
图7为图5的光学镜的修改的放大的立体图；以及
图8为使用图1和2的沉积掩模制造出的显示装置的图。
具体实施方式
本发明的概念可包括各种实施方式和修改，且其示例性实施方式在图中示出并将在本文详细地进行描述。根据下面结合附图的关于实施方式的描述，本发明概念的效果和特性及其随附的方法将变得显而易见。然而，本发明的概念并不仅限于下面所描述的实施方式且可按各种模式进行具体化。
将要理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些元件仅用于将元件彼此区分开来。如在本文所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除在上下文中另外明确指出以外。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“具有”时，其指定所述特性或组件的存在，但并不排除一个或多个其他特性或组件的存在或添加。
为了便于说明，可夸大元件的大小。换句话说，为了便于说明，在图中元件的大小和厚度是任意地进行图示的，因此下列实施方式均不仅限于此。当某个实施方式可按不同的方式予以实施时，可按不同于所述顺序的方式实施特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可大致同时进行操作或按与所述顺序相反的顺序进行操作。
现在将详细地参考在附图中示出其实例的示例性实施方式。在附图中，相同的元件用相同的参考数字表示，且不会再给出关于其的重复说明。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。元件列表前的表述，如“至少一个”是修饰整个元件列表的且不是修饰列表中的各个元件的。
图1为根据一个示例性实施方式的在制造沉积掩模150(见图4)前沉积掩模150的母金属50的示意性立体图。图2为沿图1中的线I-I’所截取的放大的横截面视图。
参照图1和2，母金属50可包括多个从掩模主体51突出的突出物53a以及多个在掩模主体51中形成的凹槽53b。在这个方面，多个突出物53a的最大高度ha和多个凹槽53b的最大高度hb之间的差异等于或小于0.5μm。
可分别从掩模主体51的表面和在该表面中形成多个突出物53a和凹槽53b。在这个方面，突出物53a和凹槽53b在图1中被示为掩模主体51的放大部分。尽管未具体地示出，但也可形成更多数量的突出物53a和凹槽53b。
同时，在图1中，突出物53a和凹槽53b被示为从掩模主体51的表面突出或在其中形成的半球形，但突出物53a和凹槽53b的形状并不仅限于此。即，从掩模主体51的表面和在其中形成的突出物53a和凹槽53b可沿母金属50的长度方向(X轴方向)或其宽度方向(Y轴方向)延伸。然而，为了便于描述，下面将描述具有半球形且从掩模主体51的表面和在其中形成的突出物53a和凹槽53b。
图1和2的母金属50可通过进行轧制工艺而制造出来。更详细地，轧制工艺包括通过使用金属的塑性使处于高温和室温的金属材料通过两个旋转辊的方式加工金属板。尽管轧制工艺具有快捷和低生产成本的特征，但当图1的母金属50通过进行轧制工艺而进行制造时，突出物53a和凹槽53b可能不具有0.5μm的高度差异。
相反地，根据一个实施方式的图1的母金属50可通过电铸工艺进行制造。更详细地，电铸工艺包括通过使用一种现象而加工金属电沉积层，该现象为：如果负电极和正电极是通过在电解质中使负电极和正电极面对在一起的方式进行电连接的，那么金属离子则从负电极排放出来并被电沉积在正电极上。当通过电铸工艺制造母金属50时，由于突出物53a和凹槽53b可能具有等于或小于0.5μm的高度差异，与相关技术的轧制工艺相比，掩模主体51的表面则相对均匀。
尽管将在后面进行描述，但激光束LB也可被辐射至母金属50上以制造沉积掩模150。如果激光束LB被辐射至通过轧制工艺制造的母金属50上，被辐射至母金属50上的激光束LB可能因存在于母金属50上和母金属50中的突出物53a和凹槽53b之间的高度差异所导致的台阶结构而失焦。当被辐射至母金属50上的激光束LB失焦时，非常有可能发生缺陷，因为通过激光束LB加工的图案孔的形状被改变。
然而，当根据示例性实施方式通过电铸制造母金属50时，由于掩模主体51的表面被均匀地形成，在母金属50中形成的图案孔的缺陷率可得到显著改善。
同时，根据显示装置的要具有大尺寸和高分辨率的显示器的当前趋势，用于在显示装置的面板上沉积各种沉积材料的沉积掩模需要是薄型的。通常，当前具有超高清(UHD)高质量分辨率的显示装置可能不是使用具有大于50μm的厚度的沉积掩模进行制造的。然而，根据示例性实施方式的通过电铸工艺制造的母金属50可被制造成具有在约5μm至约50μm范围中的厚度t。图案孔152(见图4)可通过将激光束LB辐射至具有在约5μm至约50μm范围中的厚度t的母金属50上而形成，从而制造出沉积掩模150。
同时，通过电铸工艺制造的母金属50可包括含有在约30wt％至约50wt％的范围内的镍的因瓦合金(Invar Alloy)。更详细地，包括因瓦合金的母金属50可被形成为具有在约10nm至约1000nm的范围中的颗粒尺寸。
详细地，颗粒尺寸是指示晶体颗粒的平均大小的度量，该晶体颗粒为具有不同晶体方向的一组晶体。颗粒尺寸可通过测量在放大的晶体颗粒的显微镜图像的、一侧的长度为25mm的前景区域(635mm2)中含有的二维晶体颗粒的数量而进行确定。
通常，通过轧制工艺制造的因瓦合金具有几微米(μm)的颗粒尺寸。当具有几微米的颗粒尺寸的母金属50被用于制造沉积掩模时，由于无法在母金属50中形成精细的图案孔，故生成了未经加工的区域。这是因为，在使用激光束LB消融母金属50的一部分期间，由于母金属50的消融部分以粉尘的形式保留下来，因此阻挡了激光束LB的光路。
同时，当通过电铸工艺制造的且具有在约10nm至约1000nm的范围中的颗粒尺寸的母金属50被用于制造沉积掩模150时，可在母金属50中形成精细的图案孔152。更详细地，考虑到如制造成本、工艺便利性、所花费的时间等的因素，母金属50可进行加工以具有等于或大于10nm的颗粒尺寸。为了防止生成未经加工的区域，即，为了形成精细的图案孔152，母金属50可进行加工以具有等于或小于1000nm的颗粒尺寸。
图3为根据另一个示例性实施方式的进行沉积掩模制造方法的沉积掩模制造装置10的示意性概念图。
参照图3，沉积掩模制造装置10可包括激光振荡器100、分束器200、扫描器300和光学镜400。
激光振荡器100可朝向分束器200振荡激光束L，激光束L为用于对母金属50中的图案孔152进行加工的能量源，图案孔152将在后面进行描述。
分束器200可将通过激光振荡器100振荡的激光束L分成多个激光束LB。多个分成的激光束LB可用于加工图4的图案孔152，图案孔152将在后面进行描述。详细地，所分成的激光束LB中的一些可从光学镜400(将在后面进行描述)反射出来，且其中的另一些可被辐射至母金属50上以加工图案孔152。同时，通过激光振荡器100振荡的多个激光束LB可沿竖直方向被辐射至母金属50上。
扫描器300可控制已通过分束器200的多个激光束LB的辐射方向。详细地，当激光束L被辐射至母金属50上时，在加工图案孔152的过程中沉积掩模150的母金属50可被固定至载台25。可驱动扫描器300以能够在与图案孔152的要进行加工的区域相对应的范围内进行移动。扫描器300的这种驱动可允许每个激光束LB被精确地辐射至母金属50上，且从而可形成精细的图案孔152。
此后，光学镜400可被布置在扫描器300和母金属50之间以允许已通过扫描器300的多个激光束LB中的一些穿透光学镜400。更详细地，光学镜400可包括允许多个激光束LB中的一些穿透光学镜400的穿透层410以及反射多个激光束LB中的另外一些的反射层420。
沉积掩模制造装置10可进一步地包括吸附母金属50的静电吸盘30。静电吸盘30可由支撑母金属50的载台25所覆盖，如在图3中所示，但其并不仅限于此。例如，静电吸盘30可被连接至载台25的上部，从而可将单独的构件布置在载台25和母金属50之间。静电吸盘30可吸附母金属50以将母金属50固定至载台25上，从而在于母金属50中加工图案孔152的过程中使母金属50不在载台25上移动。
同时，可能有必要准确地对齐光学镜400和母金属50以精确地将激光束LB辐射至要在母金属50中进行加工的图案孔152的位置上。
为此，沉积掩模制造装置10可进一步地包括监测光学镜400和母金属50的位置的摄像头(未示出)以及移动光学镜400和母金属50中的至少一个并对齐光学镜400和母金属50的位置的驱动器(未示出)。
尽管未在图3中示出，摄像头可被置于容纳沉积掩模制造装置10的室(未示出)中且可被安装在可监测光学镜400和母金属50的位置的任何位置上。驱动器可被连接至母金属50，从而使母金属50可被输送至室中且可被连接至光学镜400，从而可相对于母金属50移动光学镜400。
将参照下面的图4至6详细地描述光学镜400的穿透层410和反射层420。图4的沉积掩模150为通过使用激光束LB和在母金属50中形成图案孔152的方式加工图3的母金属50而获得的结果。
图4为沿图3中的线II-II’所截取的放大的横截面视图。图5为图3中区域A的放大的立体图。图6为图5的区域B的放大的平面图。
光学镜400可通过进行光刻工艺进行制造。例如，光刻工艺包括通过在里面堆叠有多层的结构的表面上涂覆薄的光刻胶、对具有待形成在光刻胶上的图案的光掩模进行曝光并选择性地蚀刻曝光区域和未曝光区域而获得所需的图案。可通过光刻工艺对被布置在穿透层410上的反射层420进行部分蚀刻而形成开口425。
同时，在于母金属50中加工图案孔152的过程中穿透层410可被连续地暴露于激光束LB中，且因此，穿透层410可包括具有优异的耐热性和光穿透性的材料。例如，穿透层410可包括具有优异的耐热性且同时可允许光穿透的石英和玻璃中的至少一种。
此后，反射层420可被布置在穿透层410和扫描器300之间且可包括可反射激光束LB中的一些的不透明金属。在这个方面，开口425可通过穿过反射层420而形成在反射层420中，从而使激光束LB可通过反射层420。
在母金属中可形成多个开口425，从而使开口425可对应于在母金属50中形成的图案孔152的形状。尽管在图5中仅示出了6个开口425，但由于图5为光学镜400的图3的预定区域A的放大立体图，故在光学镜400中所形成的开口425的数量并不仅限于此，且开口425的数量可对应于分束器200所辐射的激光束LB的数量。
穿透层410可支撑反射层420，反射层420中形成有开口425。除了通过开口425所暴露的部分外，穿透层410可由反射层420所覆盖。因此，仅穿透层410的、与待形成在母金属50中的图案孔152的形状相对应的一部分可通过反射层420的开口425暴露于激光束LB下。
更详细地，被辐射至反射层420上的激光束LB被完全反射且不通过穿透层410，然而，由于被辐射至开口425的激光束LB不与反射层420相接触，因此激光束LB可相继穿透该穿透层410且可被辐射至母金属50上。
在这个方面，在激光束LB被辐射至反射层420的表面421和开口425之间的边界表面上的情况下，即当一些激光束LB被辐射至反射层420的表面421上且其他激光束LB被辐射至开口425上时，仅被辐射至开口425上的其他激光束LB可被用于经由开口425穿透该穿透层410并加工母金属50的表面。
使用激光束LB加工的图案孔152在水平方向上的单位面积在沿图案孔152的竖直方向上可以是不同的。在这个方面，水平方向表示作为沉积掩模150的长度方向的X轴方向，且竖直方向表示作为沉积掩模150的厚度方向的+Z轴方向。即，图案孔152的内表面可包括倾斜表面。
参照图5和6，开口425可被加工为矩形且可以以间隙G彼此间隔。同时，开口425的形状不仅限于此。如在图5和6中所示，开口425可被加工成各种形状，如多边形、圆形、椭圆形等。然而，为了便于描述，将在下面详细地描述具有矩形的开口425。
详细地，在开口425之间的间隙G可根据开口425中的每一个的曲率半径R而不同。即，开口425中的每一个的曲率半径R越小，开口425的角部则越接近于直角。如果开口425的角部被形成为更接近直角，则开口425之间的间隙G则也可能相对更接近(见参考数字G’)。
相反地，如果开口425中的每一个的曲率半径R增加，则相对于开口425被形成为具有矩形(见参考数字G’)的情况，可进一步地形成间隙d。在这种情况下，与开口425被形成为具有矩形的情况相比，开口425以间隙2d彼此间隔。
如果激光束LB在不使用光学镜400的情况下被直接辐射至母金属50上，则在母金属50中形成的图案孔152的角部中的每一个可对应于激光束LB的形状。这是因为，图案孔152的角部需要根据在具有预定直径的圆形中形成的激光束LB的特征对应于激光束LB的形状。
为了解决这个问题，沉积掩模制造装置10可包括允许激光束LB选择性穿透的光学镜400。如上面所描述的，光学镜400可允许沿母金属50的方向辐射的激光束LB选择性地穿透或反射出光学镜400。
因此，如果在光学镜400的反射层420中形成的开口425中的每一个的曲率半径R小于激光束LB的半径RLB，在被辐射至开口425的角部上的激光束LB中，激光束LB中的、被辐射至反射层420的表面421上的一些被反射出来(区域S)，而激光束LB中的、被辐射至开口425上的另一些则可穿透光学镜400以加工图案孔152。
如果开口425中的每一个的曲率半径R小于激光束LB的半径RLB，则无论激光束LB的形状如何，可对应于开口425的角部的形状加工图案孔152的角部。因此，如果开口425中的每一个的曲率半径R小于激光束LB的半径RLB，即如果开口425的角部被形成为更接近直角，那么图案孔152的角部的形状也可被形成为更接近直角，从而使图案孔152之间的间隙最小化。
在这个方面，之所以指出图案孔152的角部为“形成大致更接近于直角”的原因在于，不可能实际上以直角形成图案孔152的角部。即，尽管开口425或图案孔152的形状可被肉眼看成具有矩形，但由于开口425或图案孔152实际上非常精细，故当通过显微镜观察开口425或图案孔152的角部时，开口425或图案孔152的角部可被形成为具有除了直角以外的预定的曲率半径R。
下面将描述形成更接近矩形的图案孔152的形状所获得的效果。
在于显示面板(未示出)上沉积沉积材料的过程中，图案孔152可通过沉积材料。因此，图案孔152的形状可对应于在显示面板上沉积的发光单元(未示出)的形状。因此，如果图案孔152的形状更接近于矩形，沉积材料也可以以更接近于矩形的形状沉积在显示面板上。
通常，为了实现超高清(UHD)的高分辨率的显示器，有必要使在显示面板的预定区域内的发光单元的发射可见光线的区域最大化。发光单元可由经由图案孔152沉积在显示面板上的沉积材料制成。因此，如上所述，确定图案孔152的形状的开口425中的每一个的形状可形成为接近矩形的形状，从而使开口425之间的间隙G最小化并且进一步使在显示面板的预定区域内的发光单元的区域最大化。
因此，当激光束LB在不使用光学镜400的情况下被直接辐射至母金属50上时，所加工的图案孔152中的每一个的曲率半径R都对应于激光束LB的半径RLB，而当加工图案孔152时如果光学镜400被设置在沉积掩模制造装置10中并被布置在母金属50上，则图案孔152中的每一个的曲率半径R可小于激光束LB的半径RLB。此外，通过在显示面板上以更接近矩形的形状沉积有机材料，发光单元的区域在显示面板的预定区域内可以被最大化。
图7为图5的光学镜401的修改的放大的立体图。
参照图7，可在光学镜401中形成十字形的第一标记422，从而容易地对齐光学镜401和母金属50。可在母金属50中形成形状对应于第一标记422的形状的第二标记(未示出)，但第二标记422和第二标记的形状并不仅限于此。例如，第一标记422和第二标记可形成为各种形状，如圆形、椭圆形或多边形。
详细地，可在光学镜401的穿透层410和反射层420中的一个或多个中形成第一标记422。可在反射层420中形成第一标记422。这是因为，穿透层410是可由激光穿透的材料，如石英和玻璃制成的，且因此即使未形成第一标记422，穿透层410也可允许激光束LB穿透。可在母金属50中形成第二标记，从而使第二标记可对应于第一标记422的形状和位置。
在这个方面，摄像头(未示出)可监测在光学镜401中形成的第一标记422和在母金属50中形成的第二标记的位置，且驱动器(未示出)可移动光学镜401和母金属50中的一个并对齐第一标记422和第二标记的位置，且因此可进行准备以将激光束LB辐射至母金属50上并加工图案孔152。
然后，现在将描述在母金属50中加工图案孔152并通过使用沉积掩模制造装置10制造沉积掩模的沉积掩模制造方法。
母金属50可被布置在载台25和将通过激光振荡器100振荡的激光束L分成多个激光束LB的分束器200之间。在这个方面，载台25可被安装成可在母金属50的长度方向上移动且可重复进行驱动以将一个母金属50输送至室(未示出)中、加工图案孔152并将一个母金属50输送至室外。
沉积掩模制造装置10可进一步地包括用于吸附母金属50的静电吸盘30，且因此母金属50可被紧密地粘附至载台25。
之后，光学镜400可被布置在母金属50和分束器200之间。在这个方面，光学镜400在上面进行了详细地描述，并且其详细描述被省略或简要地描述。
详细地，光学镜400可被布置在母金属50上，从而可对齐在光学镜400中形成的第一标记422和在母金属50中形成的第二标记(未示出)。当对齐第一标记422和第二标记时，摄像头可监测光学镜400和母金属50的位置，且驱动器可移动光学镜400和母金属50中的一个并对齐第一标记422和第二标记的位置。
在这个方面，在母金属50上对齐光学镜400可能意味着使在光学镜400的反射层420中形成的开口425的形状对应于要在母金属50上加工的图案孔152的形状。
在于载台25上对齐母金属50和光学镜400后，可驱动激光振荡器100。通过激光振荡器100振荡的激光束L可被分成多个激光束LB且可被引导至扫描器300。扫描器300可将已通过分束器200的多个激光束LB辐射至母金属50的通过光学镜400暴露的一部分上并在母金属50中加工图案孔152。
在这个方面，扫描器300可调整已通过分束器200的多个激光束LB的辐射方向。详细地，从分束器200被辐射至母金属50的激光束LB可通过使用扫描器300加工图案孔152而在对应于图案孔152的大小的区域中沿母金属50的长度和宽度方向自由地移动。
详细地，通过激光束LB加工的图案孔152在水平方向上的单位面积在沿图案孔152的竖直方向上可以是不同的。即，图案孔152的内表面可包括倾斜表面。为了形成图案孔152的倾斜的内表面，激光束LB的辐射时间可从开口425的边缘区域至开口425的中心区域增加或激光束LB的输出可增加，从而将更强的能量辐射至开口425的中心区域上。
当激光束LB被辐射至开口425的边缘区域上时，被辐射至开口425上的激光束LB可通过开口425和穿透层410且可被辐射至母金属50上。同时，被辐射至邻近开口425的反射层420上的激光束LB可从反射层420被反射出来且因此不被用来加工母金属50。
因此，无论激光束LB的形状如何，图案孔152的形状均可对应于开口425的形状。这可能意味着图案孔152的角部的形状也可对应于开口425的角部的形状。即，如上所述，光学镜400可用于加工图案孔152且形成更接近矩形的图案孔152。
上面详细地描述了形成更接近矩形的图案孔152的形状所获得的效果，且因此省略了详细描述。
图8为使用图1和2的沉积掩模制造出的显示装置500的图。
参照图8，显示装置500可包括衬底510和显示单元(未示出)。显示装置500可进一步地包括在显示单元上形成的薄膜封装膜E或封装衬底(未示出)。在这个方面，封装衬底与在一般的显示装置中所使用的封装衬底相同或类似，且因此将不会给出有关其的详细描述。为了便于描述，下面将详细地描述显示装置500包括薄膜封装层E的情况。
显示单元可形成在衬底510上。在这个方面，显示单元可包括薄膜晶体管TFT，可形成钝化膜570以覆盖薄膜晶体管TFT，且可在钝化膜570上形成有机发光装置580。
在这个方面，衬底510可由玻璃材料制成，但并不一定仅限于此。衬底510可由塑料材料或金属材料，如SUS或钛(Ti)制成。衬底510可包括聚酰亚胺(PI)。为了便于描述，下面将详细地描述衬底510是由玻璃材料制成的情况。
由有机化合物和/或无机化合物(例如，SiOx(x≥1)或SiNx(x≥1))制成的缓冲层可进一步地形成在衬底510的顶面上。
在被布置为具有预定图案的活性层530被形成于缓冲层520上之后，活性层530可被栅绝缘层540所覆盖。活性层530可包括源区531和漏区533，且进一步地包括在源区531和漏区533之间形成的沟道区525。
活性层530可包括各种材料。例如，活性层530可包括无机半导体材料，如非晶硅或晶体硅。作为另一个实例，活性层530可包括氧化物半导体。作为另一个实例，活性层530可包括有机半导体材料。然而，为了便于描述，下面将详细地描述活性层530是由非晶硅制成的情况。
活性层530可通过在缓冲层520上形成非晶硅膜、将非晶硅膜结晶成多晶硅膜并使多晶硅膜形成图案而形成。根据薄膜晶体管TFT的类型，如驱动薄膜晶体管TFT(未示出)或开关薄膜晶体管TFT(未示出)，活性层530的源区531和漏区533可掺杂有杂质。
可在栅绝缘层540的顶面上形成对应于活性层530的栅极550和覆盖栅极550的夹层绝缘层560。
在接触孔H1被形成在夹层绝缘层560和栅绝缘层540中后，可在夹层绝缘层560上形成源极571和漏极572以分别接触源区531和漏区533。
可在薄膜晶体管TFT上形成钝化膜570。可在钝化膜570上形成有机发光装置(OLED)的像素电极581。像素电极581可通过形成于钝化膜570中的通孔H2与薄膜晶体管TFT的漏极572相接触。钝化膜570可由无机材料和/或有机材料形成以具有单层结构或多层结构。钝化膜570可被形成为具有平坦顶面的平面化膜而不考虑被设置在钝化膜570之下的下膜的弯曲形状或可沿下膜的弯曲形状弯曲。钝化膜570可由透明的绝缘体制成以实现共振效应。
在像素电极581形成在钝化膜570上后，像素限定膜590可由有机材料和/或无机材料形成以覆盖像素电极581和钝化膜570并允许像素电极581经其而暴露。
可至少在像素电极581上形成中间层582和对电极583。
像素电极581可充当阳极且对电极583可充当阴极。像素电极581和对电极583的极性可以切换。
像素电极581和对电极583可通过中间层582而彼此绝缘，并对中间层582施加具有不同极性的电压，从而使有机发光层发光。在这个方面，中间层582可通过使用根据图4的示例性实施方式的沉积掩模150而进行沉积。
详细地，中间层582可包括有机发光层。可替代地，中间层582可包括有机发光层，且可进一步地包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。
同时，薄膜封装层E可包括多个无机层，或无机层和有机层。
薄膜封装层E的有机层可由聚合物形成，且可以是由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯和聚丙烯酸酯之一形成的单层或堆叠层。更具体地，有机层可由聚丙烯酸酯形成，且具体地说，其可包括单体组合物的聚合，该单体组合物包括基于二丙烯酸酯的单体和基于三丙烯酸酯的单体。单体组合物中可进一步地包括基于单丙烯酸酯的单体。众所周知的光引发剂，如TPO可进一步地被包括在单体组合物中，但却不仅限于此。
薄膜封装层E的无机层可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或堆叠层。详细地，无机层可包括SiNx、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种。
薄膜封装层E的暴露于外部的最上层可以是无机层，从而防止潮气渗入OLED中。
薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中至少一个有机层插设在至少两个无机层之间。作为另一个实例，薄膜封装层E可包括至少一个夹层结构，其中至少一个无机层插设在至少两个有机层之间。作为另一个实例，薄膜封装层E可包括一个夹层结构，其中至少一个有机层插设在至少两个无机层之间，以及一个夹层结构，其中至少一个无机层插设在至少两个有机层之间。
薄膜封装层E从OLED的顶部开始可相继包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
作为另一个实例，薄膜封装层E从OLED的顶部开始可相继包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。
在OLED和第一无机层之间可额外地包括含有LiF的卤化金属层。当使用溅射形成第一无机层时，卤化金属层可防止OLED受损。
第一有机层的面积可小于第二无机层的面积。第二无机层的面积可小于第三无机层的面积。
如上所述，根据一个或多个示例性实施方式，一种沉积掩模、一种制造沉积掩模的方法以及一种制造显示装置的方法可精确地加工沉积掩模的图案孔，其中沉积材料通过该图案孔。然而，本发明的概念的范围并不仅限于该效果。
虽然已参照附图描述了一个或多个示例性实施方式，但本领域的技术人员将要理解的是在不脱离下列权利要求所限定的精神和范围的情况下可在形式和细节上做出各种变化。

Claims (28)

1.一种沉积掩模，包括：
掩模主体，具有多个图案孔；
多个突出物，从所述掩模主体突出；以及
多个凹槽，形成在所述掩模主体中，
其中所述掩模主体的颗粒尺寸在10nm至1000nm的范围中，且
其中所述多个突出物的最大高度和所述多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中所述掩模主体包括含有在30wt％至50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中所述掩模主体的厚度在5μm至50μm的范围中。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中所述多个图案孔的角部的曲率半径小于用于加工所述多个图案孔的激光束的半径。
5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中所述多个图案孔在水平方向上的单位面积沿所述多个图案孔的竖直方向是不同的。
6.根据权利要求5所述的沉积掩模，其中所述多个图案孔的内表面包括倾斜表面。
7.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：
通过进行电铸工艺加工所述沉积掩模的母金属；
将所述沉积掩模的所述母金属置于载台和将通过激光振荡器振荡的激光束分成多个激光束的分束器之间；
将通过所述多个激光束中的至少一些穿透的光学镜置于所述母金属和所述分束器之间；以及
通过调整已通过所述分束器的所述多个激光束的辐射方向的扫描器将所述多个激光束辐射至所述母金属的通过所述光学镜暴露的一部分上而在所述母金属中加工图案孔，
其中所述母金属的颗粒尺寸在10nm至1000nm的范围中。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述母金属包括：
从所述母金属的表面突出的多个突出物；以及
形成在所述母金属的所述表面中的多个凹槽，
其中所述多个突出物的最大高度和所述多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述母金属包括含有在30wt％至50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述掩模主体的厚度在5μm至50μm的范围中。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述图案孔在水平方向上的单位面积沿所述图案孔的竖直方向是不同的。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述图案孔的内表面包括倾斜表面。
13.根据权利要求7所述的方法，其中将所述母金属置于所述载台和所述分束器之间包括：通过使用被布置在所述载台和所述母金属之间的静电吸盘吸附所述母金属。
14.根据权利要求7所述的方法，其中将所述光学镜置于所述载台和所述分束器之间包括：对齐形成在所述光学镜中的第一标记和形成在所述母金属中以对应所述第一标记的形状的第二标记的位置。
15.根据权利要求7所述的方法，其还包括：
监测所述光学镜和所述母金属的位置；以及
通过移动所述光学镜和所述母金属中的至少一个对齐所述光学镜和所述母金属。
16.根据权利要求15所述的方法，
其中第一标记形成在所述光学镜中，
其中与所述第一标记的形状相对应的第二标记形成在所述母金属中，以及
其中所述第一标记和所述第二标记的位置通过移动所述光学镜和所述母金属中的至少一个来对齐。
17.根据权利要求7所述的方法，其中已通过所述扫描器的所述多个激光束沿竖直方向被辐射至所述母金属上。
18.根据权利要求7所述的方法，其中所述光学镜包括：
穿透层，被配置成允许所述多个激光束中的一些穿透所述光学镜；以及
反射层，被配置成反射所述多个激光束中的另外一些，
其中所述反射层包括与所述图案孔的形状相对应的开口。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述穿透层包括石英和玻璃中的至少一种。
20.根据权利要求18所述的方法，其中所述反射层包括不透明金属。
21.根据权利要求18所述的方法，其中所述开口的角部的曲率半径小于所述多个激光束的半径。
22.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括在衬底上彼此面对的像素电极和对电极以及被布置在所述像素电极和所述对电极之间的有机层，所述方法包括：
使用沉积掩模沉积所述有机层，其中所述沉积掩模包括：
具有多个图案孔的掩模主体；
从所述掩模主体突出的多个突出物；以及
形成在所述掩模主体中的多个凹槽，
其中所述掩模主体的颗粒尺寸在10nm至1000nm的范围中，且
其中所述多个突出物的最大高度和所述多个凹槽的最大高度之间的差异等于或小于0.5μm。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述掩模主体包括含有在30wt％至50wt％的范围内的镍的因瓦合金。
24.根据权利要求22所述的方法，其中所述掩模主体的厚度在5μm至50μm的范围中。
25.根据权利要求22所述的方法，其中所述沉积掩模是通过将一个或多个激光束辐射至通过进行电铸工艺和加工所述多个图案孔而制造出的所述沉积掩模的母金属上而制造出来的。
26.根据权利要求22所述的方法，其中所述多个图案孔的角部的曲率半径小于用于加工所述多个图案孔的激光束的半径。
27.根据权利要求22所述的方法，其中所述多个图案孔在水平方向上的单位面积沿所述多个图案孔的竖直方向是不同的。
28.根据权利要求22所述的方法，其中所述多个图案孔的内表面包括倾斜表面。
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