CN102047462A - 一种控制有机分子沉积的方法及有机电子器件 - Google Patents

Abstract

本发明是关于一种在基板上控制有机分子沉积的方法，其包括在基板上形成表形结构，汽相沉积有机分子以形成至少一个由表形控制的有机成核区，随后通过汽相沉积在有机成核区继续沉积有机分子的步骤，本发明还关于一种由此方法所制作的包括有机分子基板的有机电子器件。

Description

一种控制有机分子沉积的方法及有机电子器件

技术领域

本发明提供一种在基板上控制有机分子沉积的方法。本发明还提供包括基板的有机电子器件，所述基板带有通过所述方法沉积的有机分子。

背景技术

由于有机半导体在有机发光二极管(OLEDs)，有机场效应晶体管(OFETs)，光伏器件以及有机半导体激光器方面具有潜在的应用前景，因此有机半导体成为越来越多的研究活动的焦点。在所开发的各种材料中，小分子量有机分子由于其优异的器件性能(如迁移率等)被认为是具有应用前景的备选物。一般而言，小分子量有机分子是通过物理汽相沉积(PVD)的方法沉积在衬底上。此方法可以制作出具有优异均匀性和明显界面的器件结构，提高材料纯度以及原材料的使用效率。

在大部分的器件应用中，有机分子薄膜是沉积在英寸量级的基板上，并且在介观尺度(比如说，几十纳米到微米)上被横向地图案化来实现器件的功能。通过结合光刻和蚀刻，图案化技术在无机半导体中已经发展相当完善。

然而，用光刻的方法来图案化有机半导体却相当困难。由于材料暴露在水蒸气，氧气或者用于清除或图案化光刻胶的有机溶剂和显影液中的原因，传统光刻的方法会导致器件性能的劣化或者完全失效。为了解决这个问题，人们开发了许多其他的方法。Forrest等人(Shtein M，Peumans P，Benziger JB，Forrest SR(2003)用有机汽相沉积的方法对小分子量有机半导体薄膜微图案化，在文献J.App.Phys.93：4005-4016)中展示了通过使用遮挡板而具有几微米分辨率的图案化方法。然而，此方法需要非常精确的遮挡板制作以及在真空中操作。并且，制造微米量级小器件所需的遮挡板的制作非常困难，尤其在其面积为英寸量级时。

另外，压印技术也可以用于具有几十微米的分辨率的器件图案化。但是此方法获得的结果不均匀，并经常出现有缺陷的区域。

准分子激光烧融也可以用于有机器件的高分辨率图案化，但是由于低速的原因，所述方法不适于批量生产。

基板上的原子或者分子选区沉积是另外一种制作半导体器件的有效方法。用光刻或者自组装的图案化方式在基板上预限定有利能量的成核区，其可以控制原子或者分子的定位生长。相比于衬底，这些成核区所用材料与分子或原子的键合能量更强，使得与这些成核区接触的原子或分子沉积在这些区上。结果，通过扩散或吸附/解吸附的工艺控制沉积。这种方法可以制作复杂，自对准的器件结构，极大地简化了随后的工艺，而且目前，这种方法用于无机半导体的制造，无机纳米管的形成以及控制晶体的生长与团簇的形成。有机分子在基板上的选区沉积与有机电子器件的形成的实例在专利GB024376.0中已有描述。专利US2006/0234059A1描述了制造表面改性的电极的方法，其中通过物理汽相沉积将功能有机材料沉积在第一导电层的表面上并且与第一导电层接触。专利US2004/0229051描述了一种光电器件，其包含带有有机层的透明多层涂层，其中通过汽相沉积法沉积所述有机层。所述多层涂层提供对湿气和氧气的屏障以及提供化学隔离。

其他控制有机材料的晶体生长以及用其来制造含有所述晶体的有机电子器件的不同方法也有报道。

例如，专利JP2006339604描述了一种形成带有大晶粒的有机半导体薄膜的方法。通过吸附将有机半导体前体的薄膜转换为有机半导体的薄膜，同时移动薄膜到具有根据预设的条件设定的温度梯度的系统中实施晶体生长。专利US2007/0117298A1公开了一种制作场效应管的方法，其通过在沟道中非均匀地干燥含有有机分子的溶液可以得到大块，高取向的晶体。然而，沟道的形成需要大的工作量，并且分辨率也非常低。专利US2003/0062845A1则描述了通过低速激光退火使非晶型半导体薄膜结晶，从而为TFT提供半导体区。不过这种方法制作成本很高，并不适合批量生产。相同的缺点存在于专利US2007/0187676A1所描述的制造有机电致发光显示器(OELD)的方法中，其中OLED的有机发光二极管(OLED)的开关晶体管和驱动晶体管包含通过低速准分子激光退火而结晶的硅岛，而且相同的缺点也存在于专利US2004/0110093所描述的通过激光退火制造图案化的小分子半导体层的方法中。

专利US2001/0029103A1描述了制作有机半导体薄膜的方法，其通过在基板上加入含有有机半导体材料和溶剂的溶液，然后蒸发溶剂从而结晶有机半导体材料以及形成具有大于1平方厘米的大的连续面积的有机半导体薄膜。这种方法主要是为了得到连续的有机半导体薄膜，因此其分辨率非常低及需要复杂的过程。考虑到消除溶剂的污染，其还会增加生产成本。专利US2002/0025690A1描述了一种包含图案化的有机薄膜的半导体器件的制作方法，通过在有机薄膜上形成蚀刻停止层并且蚀刻，从而以低分辨率将所述有机薄膜图案化，但是其工艺复杂。专利EP1617492A1描述了一种以低分辨率在光刻形成氧化硅纳米结构上生长单层有机分子的方法。专利US2007/0215868描述了一种形成敏器件的不连续层，所述光敏器件包括在第一和第二电极之间堆叠的有机光电导材料。所述不连续层由无定形聚合物膜的低速退火形成；无定形薄膜岛是由基于喷嘴或掩膜打印技术沉积而来并热退火形成的晶体。

总而言之，目前有机分子在任意基板上的可控沉积还是相当困难，并且在基板上沉积有机分子需要大量的工艺步骤，而且成本高，图案的分辨率低和/或速度慢。上述缺点都对有机电子器件具有负面影响，所述有机电子器件包括通过这些方法制造的带有有机分子的基板。

发明内容

因此，本发明提供了一种在基板上选区沉积有机分子的方法，尤其至少是部分地由基板表形控制的选区沉积。本发明进一步提供了包括由此选区沉积方法所制作的带有有机分子的基板的有机电子器件。

应该可以理解，如果有机分子选择性沉积的面积至少部分地是由基板的表形，而不是表形和/或基板的材料的化学性质来控制的话，那么基板材料基本上可以为任何材料。此外，形成表形的材料可与基板的材料相同或不同。

本发明首先提供了一种在基板上控制有机分子沉积的方法，其包括如下步骤：

衬底表形的形成，

通过汽相沉积来沉积有机分子，从而形成至少一个由表形控制的有机成核区，以及

随后通过汽相沉积在有机成核区沉积有机分子。

通过沉积有机分子从而形成至少一个有机成核区以及随后在有机成核区沉积有机分子可以形成有机图案。

应该可以理解，所述表形可以由基板本身提供，或者对基板进行图案化形成。比如说，在具体的实施例中，基板可具有形成为凹槽和/或凸起部分的三维轮廓。

本发明也可以用其他有机分子沉积方法来实现，比如说，沉积来自溶液的有机分子，所述溶液含有所述有机分子和合适的溶剂，然后至少部分地蒸发溶剂，优选汽相沉积。应该可以理解，其原因在于汽相沉积具有高的材料使用效率，特别是原材料如有机分子。另外，减少了沉积来自溶液等的有机分子时需要的大量降低或避免污染的工作。

需要指出的是，由有机分子的控制沉积形成至少一个有机成核区，然后在所述有机成核区沉积有机分子有利地消除或至少降低了从所需区域以外的沉积区域移除有机分子的必要。其带来的结果是低成本地形成器件所需的有机图案，减少工艺时间，并提高材料使用效率。

在不涉及过多理论知识的情况下，我们认为有机成核区的有机分子与随后沉积的有机分子应当具有π-π相互作用，此相互作用在选区沉积中起决定性角色。

另外，在含有有机分子的成核区形成之后，可有利地完成有机分子在无定形基板上的逐层沉积。更重要的是这些层还具有高度有序结构。

在实施例中，表形包括至少一个第一和第二高度，比如说，第一高度和第二高度等，并且所述至少一个有机成核点基本上形成在第一和第二高度的交界位置。应该可以理解，所述交界位置是指过渡表面，边界，弧度，处于第一和第二高度之间的接触点或接触面等。

在具体的实施例中，第二高度是指相对高的高度，其有机成核点形成在所述相对高的高度下面。如果第一高度相对比较低，比如说基板的表面或化学或者物理改性过的基板的表面，则有机成核点形成在比较低的高度，尤其在交界处。

在实施例中，至少一个有机成核区由有机分子吸附在所述表形而形成。

在本发明的实施例中，所述的汽相沉积方法是指物理汽相沉积。

在实施例中，通过汽相沉积来沉积有机分子从而形成至少一个有机成核区的步骤，和/或然后在所述有机成核区沉积有机分子的步骤，这个或这些步骤可通过调节至少一个影响沉积过程的参数来控制，比如说温度，如基板的温度，表形的温度，有机分子的温度等，沉积时间，有机分子的浓度，有机分子的沉积速率等等，或者以上所述参数的组合。特别地，调节基板的温度，有机分子的沉积速率或两者一起调节。

基板的温度可在25摄氏度到400摄氏度之间，优选在50摄氏度到250摄氏度之间。更优选地，基板温度可以在140摄氏度到200摄氏度之间，比如说160摄氏度到180摄氏度。比如说将基板温度设定于170摄氏度。应该可以理解，基板温度的变化将取决于基板，所沉积的有机分子，基板的尺寸和/或所需要形成的有机图案。

在本发明的实施例中，有机分子将至少包含一个芳香族部分。

在本发明的实施例中，有机分子为N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)。

所述基板可含有选自硅，氧化硅，塑料，氧化铟锡(ITO)，玻璃，氧化铝或其衍生物的材料。

在实施例中，基板为固体基板。此外，基板还可以是可弯曲的基板。这是很有利的，因为可以将沉积了有机分子的基板变形，如卷曲，弯曲等。

在本发明的实施例中，基板的表形可以至少部分地由电子束光刻，光学光刻，软光刻，扫描探针显微镜直写等方式产生。

优选地，电子束光刻可以用来产生所述表形。应该可以理解，可以获得高分辨率，如约20纳米的分辨率。另外，有利地是电子束光刻并不需要遮挡板。

光学光刻是一种广泛用于图案形成的快速技术，其具有亚微米的分辨率。

软光刻是一种成本低廉的图案产生方法，特别在批量生产的情况下，并适用于各种不同尺寸和形状(如非平面基板)的基板。根据所使用的掩膜，其分辨率可达到约6纳米(工业应用30纳米)；其他图形转移方法也可以用来产生本发明所用的基板，所述图形转移方法很好地适用于各种基板，图案材料等。。

扫描探针显微镜直写可以提供小于100纳米的高分辨率(实验室设备甚至可以达到22纳米)

在实施例中，表形的材料至少部分地从氧化硅或者金选择。

在本发明的实施例中，至少一个有机分子晶体由如上所述及以下所述的方法获得。此外，晶体可具有确定的取向。有利地是，定向的晶体可在任何合适的基板上生长并且晶体的取向可以通过基板表形来控制。

优选地是，在本发明所述的有机分子在基板上的控制沉积之前或之后，可以进行有机分子在基板上的选择性生长方法，，特别是与根据本发明的第一部分的方法中使用的有机分子不同的有机分子，比如说芳香族分子。以N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯’-4，4’-二胺(NPB)为例，其包含以下步骤：

在基板上产生有机分子成核点的图案，

用汽相沉积的方法将有机分子沉积在成核点上。

此技术的优点是可以将具有不同化学或/和物理性质的材料分别可控制地沉积在事先限定的不同区域。这些材料可以具有不同的功能，比如说电磁波(如光等的)的反射或折射，光子的反射或折射，传导电子，电绝缘，提供p型层或者n型层等。如果基板是由有机电子器件如有机发光二极管(OLED)，有机场效应晶体管(OFET)，有机半导体激光器，光电元件等组成的话将更有利。

应该可以理解，本发明中的有机分子在成核点图案上的沉积可以进一步由调节基板温度，调节有机分子的沉积或生长速率，调节沉积温度等来控制，还可以由基板的尺寸，表形和/或成核区的几何图案来控制。

有机分子可以通过物理汽相沉积或者化学汽相沉积的方式沉积在成核区域的图案上。

成核区的图案可以由跟基板具有不同表面能的成核材料组成，比如说，成核区的材料可以是金或者其他材料。如果成核区材料为金，则基板可以是硅，二氧化硅，其衍生物或其他任何合适的材料。

成核区的图案可以由电子束光刻，光学光刻，软光刻，扫描探针显微镜直写或其他相应方法产生。

根据本发明的第二部分，提供了一种根据本发明的第一部分的方法制造的含有带有有机分子的基板的有机电子器件。

在实施例中，有机电子器件是指有机发光二极管(OLED)，有机场效应晶体管(OFET)，有机半导体激光器，光电元件等。比如说，根据本发明的第一部分，有机分子可以在有机发光二极管(OLED)的阳极和阴极之间沉积形成有源有机层，尤其是以结晶沉积的形式等。此外，所沉积有机分子还可以形成至少一层附加的导电层，比如说在阳极和发光层之间区域。

在另一个实施中，根据本发明第一部分所沉积的有机分子还可以形成电子给体层和/或电子受体层，其位于光电元件的阳极和阴极之间。

在又一个实例中，根据本发明第一部分所沉积的有机分子可以形成有机电荷传输沟道，其可以位于有机薄膜晶体管(OTFT)的源极和漏极之间以及栅极绝缘体之上。

附图说明

现在通过只参考附图的实例讨论本发明的实施例：

图1示出了本发明制作工艺过程的示意图。

图2a示出了N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)的化学结构，图2示出了沉积在空白SiO2基板上的PTCDI-C8表形的原子力显微镜(AFM)表形图，图2c为图2b中所标记区域的高分辨图。

图3示出了PTCDI-C8沉积在Au图案化的SiO2基板上的不同时间的AFM表形图，a)为10分钟，b)为60分钟。

图4a)示出了Au图案化的Au基板的AFM图像，以及图4b)示出了随后沉积了PTCDI-C8的Au图案化的Au基板的AFM表形图；图4c)示出了沿着图4a)和图4b)中所示标记线的随后沉积了PTCDI-C8的Au图案化的Au基板的高度轮廓。

图5为沉积PTCDI-C8后形成的有机图案的荧光显微镜照片，图5a)为线条，图5b)为同心圆，图5c)为反点阵列。

图6为PTCDI-C8沉积在Au线条图案化的SiO2基板上的AFM表形图；将PTCDI-C8晶体定向为与Au线条成大约60度的夹角。

图7a)-c)示出了在具有Au表形的SiO2基板上沉积各种有机分子后的基板表面的表形演化，其中图7a)示出了具有表形的基板的AFM表形图，图7b)示出了在图7a)所示基板上沉积PTCDI-C8后的AFM表形图，图7c)示出了在图7b)所示基板上沉积N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯’-4，4’-二胺(NPB)后的AFM表形图，图7d)和图7e)分别示出了图7c)所示的含有PTCDI-C8和NPB的图案化的基板的荧光显微镜照片，其中图7d由绿光(520nm)激发，图7e)由紫外光(360nm)激发。

具体实施方式

本发明的制作工艺过程如图1所示。如图1A所示，本发明选用带有300纳米热生长氧化物的硅片(Si)作为基板10。为了在基板上制作表形图案，先在基板10上沉积光阻聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)12，如图1B所示。在第二步骤中，使用电子束光刻移除部分光阻12且至少部分地曝露出基板10，从而形成图案14a，14b，14c，如图1C所示。至少在基板10的曝露区域如14a，14b，14c上沉积金属铬(Cr)薄层用于提供改进的粘附性能。第三步(图1D)在图案14a，14b，14c上沉积金属金(Au)16从而形成在基板10上(或可行的话，形成在Cr层上)的反相金(Au)图案16a，16b，16c。Au图案16a，16b，16c的厚度可以在0.5纳米到500纳米之间。在接下来的第四步中，在丙酮中用超声清洗除去光刻胶12，并且用有机溶剂清洗Au图案化的16a，16b，16c基板10。接下来把所得到的带有表形的基板10，这里为带有16a，16b，16c金Au图案的基板10置入真空中，并用物理汽相沉积方法沉积有机分子的分子层，如图1F所示。有机分子在基板10的表面上移动，并被控制在Au图案16a，16b，16c的边缘上成核从而形成有机成核区域18a，18b，18c，18d，18e，18f。由于分子之间较强的π-π作用，18a至18f成为随后沉积有机分子新的成核区，并导致在基板10上形成20a，20b，20c，20d有机图案(图1G)。

作为典型的芳香族分子的实例，N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)的化学结构如图2a所示，其具有扩展的π电子系统从而有利于形成π-π相互作用。图2b是根据本发明第一部分在SiO2基板上，在170摄氏度时沉积了PTCDI-C8膜的表面表形的原子力显微镜(AFM)表形图。其表面表形图表明连续的PTCDI-C8膜具有尺寸从0.1微米到100微米的被约2纳米的单分子步长隔开的大平面台阶。而图2c所示的高分辨原子力显微镜图表明晶体平面元胞参数为a＝0.94纳米和b＝0.48纳米，其进一步表明有机膜具有很好的晶体质量。

在金点阵图案化的二氧化硅基板上沉积PTCDI-C8的AFM表形图如图3所示，其中图3a为沉积PTCDI-C810分钟后的表形图，图3b为沉积PTCDI-C860分钟的表形图。金点阵中的金点直径为600纳米，高度为10纳米，最近邻距离为3微米。当然可以选择其他几何尺寸及最近邻距离。在如图3a所示的最初阶段，代表有机成核区的二维分子岛基本上只沉积在基板的Au点上。。在有机成核区形成之后，有机分子进一步沉积，由于很强的分子间相互作用，随后沉积的分子沿着基板表面移动，并沉积在成核区(如图3b所示沉积60分钟形成的PTCDI-C8有机图案)。

为了阐明沉积机制，使用Au基板上的Au表形。将具有不同宽度的金线条图案化在金基板上，使得这些金线限定从Au线的上方高度延伸到基板表面的沟道；图4a为具有Au线条图案的金基板的AFM表形图(亮灰色为Au线，暗灰色为基板)。在这种情况下，由于图案与基板具有相同的材料，因此排除了由于不同材料而带来的与沉积的有机分子的键合能不同的问题。图4b显示了在Au图案化的Au基板上沉积PTCDI-C8的AFM表形图。有机分子沉积在Au图案的沟道中。图4c示出了沉积了PTCDI-C8的Au图案化的金基板的高度截面轮廓(如图4a和图4b中的白线所标位置)。其高度轮廓示出了相反的表形，意味着有机分子可以被控制在沟道里沉积从而形成有机图案，如位于被Au线的上方高度限定的凸起水平位置的下方。

图5a到图5c给出了PTCDI-C8沉积后形成不同的有机图案的荧光显微镜照片，比如说，线阵列，同心圆，反点阵列分别由图5a到图5c给出。各自的基板为Au图案化的氧化硅基板，而PTCDI-C8分子基本上沉积在凸起的水平位置下方，所述凸起的水平位置由Au图案的上方高度形成；在这种情况下，有机图案形成为线阵列，具有不同直径的同心圆和反点阵列(图5，从左到右)。应该可以理解，通过相应地设计基板的表形可以对有机图案进行改变和修饰。

图6示出了PTCDI-C8分子沉积在具有表形如平行Au线图案的SiO2基板上的AFM表形图，其中金线为暗灰区。PTCDI-C8晶体与金线的长轴方向成60度夹角，并且晶体之间基本上相互平行。这意味着通过改变基板的表形可以控制晶体的取向，也提供了一种生长任意取向晶体的有效方法。应该可以理解，有机电子器件的性能随分子有序度及晶体取向而改变。除了生长条件，取向可控的有机晶体薄膜可能具有更好的器件性能，并提供更特殊的性能，如光学或电学各向异性特性。例如，由晶体取向导致的迁移率各向异性可以用来隔离相邻元件从而降低逻辑电路或显示器中像素开关元件中的相互串扰效应。

通过沉积其它的分子还可以将本发明技术用于分离在事先限定位置的分子。图7a到图7c示出了在具有表形的基板如图案化的基板上依次沉积不同有机分子的基板表面表形随时间的演化。这里使用金点阵图案化SiO2基板，其中金点的高度为10纳米，直径为0.6微米，点阵第一邻距离为1.2微米，所图7a所示。随后PTCDI-C8和N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-联苯’-4，4’-二胺(NPB)沉积在Au图案化的氧化硅基板上。PTCDI-C8分子在图案化的基板上的可控沉积导致基板表面表形的反相，如图7b所示。图7c示出了在如图7b所示的带有PTCDI-C8沉积的图案化的基板上沉积NPB后的AFM表形图。尽管基板的表形控制PTCDI-C8沉积在较低部分上，这里为基板表面，但是NPB分子选择性地沉积在Au点阵上，这是因为Au与NPB之间的键合能和氧化硅或PTCDI-C8与NPB之间的键合能不同。图7d和图7e示出了如图7c所示的PTCDI-C8和NPB在图案化的基板上的荧光显微镜照片，其分别由绿光(520纳米)和紫外光(360纳米)激发。在照片中，PTCDI-C8反点阵有机图案(中灰色，如图7d所示)和NPB点阵图案(亮灰色，如图7e所示)表明分子可以在介观尺度(如在几十纳米到几十微米之间)内被控制在预先限定的点，。

本发明公开了N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)在带有表形的基板上的选区沉积。所述带有表形的基板可为Au图案化的SiO2基板或和Au图案化的Au基板。通过优化沉积条件如基板温度，表形和/或类似的，沉积时间等等，PTCDI-C8分子可以被控制在基板的表形边缘沉积，由于很强的π-π相互作用已沉积的有机分子可为其它PTCDI-C8分子提供成核中心，其可导致选区沉积。

材料

PTCDI-C8由西格玛-奥得里奇(Sigma-Aldrich)公司购得。聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA，分子量为950K)由全阻有限责任公司(All Reist GmbH)购得。覆盖有300纳米热氧化SiO2表面的硅晶圆由硅材料(Si-Mat)公司购得。所有的化学药品没有做进一步提纯而直接使用。

仪器和特征

电子束光刻在配有Raith Elphy Plus光刻附件的LEO VP 1530场致发射扫描电子显微镜(SEM)上被实施。原子力显微镜(AFM)测量是在数字仪器(Digital Instrument)公司的Multimode Nanoscope IIIa仪器上获得，其工作模式为非接触模式(Tapping Mode)，所用针尖为硅针尖，共振频率在280到340千赫兹之间。金属沉积在自制真空腔(真空为10E-6毫巴)中通过加热钨(W)丝的方式完成，其沉积的金属的厚度由一个微天平监测。分子沉积在一个配有克怒森(Knudsen)源的自制超高真空(UHV)腔完成。分子的沉积速率通过控制源温度来调节。

Claims (16)

1.一种控制有机分子在基板(10)上沉积的方法，包括以下步骤：

形成基板(10)的表形(16a，16b，16c)，

由汽相沉积的方式沉积有机分子，从而形成至少一个由所述表形(16a，16b，16c)控制的有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)，以及

随后通过汽相沉积在所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)上进一步沉积有机分子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述表形(16a，16b，16c)包括至少一个第一高度和第二高度，而且其中所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)基本上处于所述第一高度和所述第二高度的过渡位置。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述第二高度为较高高度，而且其中所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)基本上位于所述较高高度之下。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，其中所述至少一个有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)由所述表形(16a，16b，16c)吸附所述有机分子而形成。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的方法，其中所述汽相沉积方法是指物理汽相沉积或者化学汽相沉积。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的方法，其中通过汽相沉积来沉积有机分子从而形成至少一个有机成核区的步骤(18a，18b，18c，18d，18e，18f)和/或在所述有机成核区(18a，18b，18c，18d，18e，18f)上进一步沉积有机分子的步骤至少通过调节基板(10)的温度，有机分子沉积速率或者同时调节两者来控制。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的方法，其中所述有机分子至少包含一个芳香族部分。

8.根据权利要求1-7中的任一项所述的方法，其中有机分子是N，N’-二辛基-3，4，9，10-苝四甲酰亚胺(PTCDI-C8)。

9.根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，其中基板(10)为固体基板(10)，其包括选自以下的材料：硅，氧化硅，玻璃，塑料，氧化铟锡(ITO)，氧化铝或者相应的衍生物。

10.根据权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中所述基板(10)上的表形(16a，16b，16c)至少部分地由以下方法形成：电子束光刻，光学光刻，软光刻，或者扫描探针显微镜直写。

11.根据权利要求1-10中的任一项所述的方法，其中表形(16a，16b，16c)至少部分地由氧化硅或者金形成。

12.根据权利要求1-11中的任一项所述的方法，其中生长的至少一个晶体含有有机分子和限定的取向。

13.一种有机电子器件，包括基板(10)，所述基板带有根据权利要求1-12中的任一项所述的方法得到的有机分子。

14.根据权利要求13所述的有机电子器件，所述有机电子器件是有机发光二极管(OLED)，有机场效应晶体管(OFET)，有机半导体激光器，或者光电元件。

15.一种根据结合附图在上文中描述的在基板(10)上控制有机分子沉积的方法。

16.一种根据附图在上文中描述的包含具有机分子的基板(10)的有机电子器件。

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