CN207925524U - 一种掩模条、掩模板及蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及蒸镀技术领域,公开了一种掩模条、掩模板及蒸镀装置,以提高蒸镀品质,从而提高产品良率。掩模条包括用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔,以及位于焊孔远离框架上表面一侧并与焊孔连通的第一凹槽。
Description
技术领域
本实用新型涉及蒸镀技术领域,特别是涉及一种掩模条、掩模板及蒸镀装置。
背景技术
现有OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二级管,简称OLED)的制作通常采用有机蒸镀镀膜技术,其使用高精度金属掩模板(Fine Metal Mask,简称FMM)作为掩模,有机蒸镀材料被加热后以蒸汽分子状态通过掩模板的开口,从而蒸镀到背板上。
如图1所示,现有技术中,高精度金属掩模板通常包括金属框架06如因瓦合金框架(Invar Frame)以及焊接在金属框架06上的金属掩模条03。在蒸镀工艺中,高精度金属掩模板置于蒸镀腔室内,并与背板02的下表面贴合,冷却板01与背板02的上表面压合,从而对蒸镀到背板上02的有机蒸镀材料04进行冷却。
继续参照图1,现有技术存在的缺陷在于:金属掩模03与金属框架06的焊点05高出高精度金属掩模板的上表面,从而使得与高精度金属掩模板贴合的背板02在焊点05处发生弯折,从而使得蒸镀到背板02上的像素图形在焊点05处产生混色不良,影响到产品良率。另外,由于背板02在焊点05处发生弯折,当冷却板01与背板02的上表面压合时,背板02在焊点05处极易因应力而破碎,影响正常生产,降低产能。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的是提供一种掩模条、掩模板及蒸镀装置,以提高蒸镀品质,从而提高产品良率。
本实用新型实施例提供了一种掩模条,包括用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔,以及位于所述焊孔远离所述框架上表面一侧并与所述焊孔连通的第一凹槽。
采用本技术方案的掩模条制作掩模板时,掩模条与框架上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔容量的焊料可以填充至第一凹槽内,从而使焊点的高度不会高出掩模条的上表面。采用本方案的掩模板对背板进行蒸镀时,掩模板置于蒸镀腔室内,背板的待蒸镀表面可以与掩模板远离框架的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。
可选的,所述用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔至少为两个。焊孔的具体数量不限,可以为一个、两个或多个,当焊孔为多个时可以使掩模条与框架的焊接更加牢靠。
优选的,所述掩模条靠近所述框架上表面的一侧具有凸起,所述焊孔贯穿所述凸起。这样在固定掩模板的框架上对应凸起也设置凹槽,从而使掩模条与框架的组装更加可靠。
优选的,所述第一凹槽为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凹槽,和/或,所述凸起为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凸起。将第一凹槽设置成条形凹槽,凸起设置成条形凸起可以使其加工工艺得到简化。
优选的,所述第一凹槽为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凹槽,所述凸起为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凸起,所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1等于所述第一凹槽沿所述掩模条长度方向的尺寸L3。这样的尺寸设置可以简化凸起和第一凹槽在刻蚀形成时的工艺管控难度。
可选的,所述第一凹槽的深度H1满足:5μm<H1<10μm。
本实用新型实施例还提供了一种掩模板,包括框架和焊接固定于所述框架上表面的至少一个如前任一技术方案的掩模条。
在制作本方案的掩模板时,掩模条与框架上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔容量的焊料可以填充至第一凹槽内,从而使焊点的高度不会高出掩模条的上表面。采用本方案的掩模板对背板进行蒸镀时,掩模板置于蒸镀腔室内,背板的待蒸镀表面可以与掩模板远离框架的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。
优选的,所述框架的内侧面与所述框架的上表面的夹角小于90度。这样能够使蒸镀材料更好地汇聚至背板的待蒸镀表面。
优选的,所述掩模条靠近所述框架上表面的一侧具有凸起,所述焊孔贯穿所述凸起,所述框架上表面具有与所述凸起形状相配合的第二凹槽。这样可以在掩模条与框架焊接前,使掩模条与框架的组装更加可靠。
优选的,所述凸起的高度H2小于或等于所述第二凹槽的深度H3。当凸起高度小于或等于第二凹槽的深度时,能够使凸起完全容置于第二凹槽内,从而使掩模板与框架紧密贴合,进而实现掩模条与框架可靠的焊接。
较佳的,所述凸起为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凸起,所述第二凹槽为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凹槽;所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1,与所述第二凹槽沿所述掩模条长度方向的尺寸L2之间满足:L1<L2。第二凹槽与凸起的尺寸满足该关系时,可以使凸起更易放置于第二凹槽内,并且在掩模条与框架进行焊接时,第二凹槽也可以容置一部分多余的焊料,从而起到使焊点不会高出掩模条上表面的作用。
可选的,所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1满足:5μm<L1<10μm。
本实用新型实施例还提供了一种蒸镀装置,包括如前任一技术方案所述的掩模板。
采用本技术方案的蒸镀装置对背板进行蒸镀时,由于掩模板的掩模条与框架上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔容量的焊料可以填充至第一凹槽内,从而使焊点的高度不会高出掩模条的上表面,进而使背板的待蒸镀表面可以与掩模板远离框架的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。
附图说明
图1为现有技术掩模板在蒸镀腔室内的蒸镀组合结构示意图;
图2为本实用新型实施例的掩模条与框架组合方式示意图;
图3为图2的A-A截面示意图;
图4为本实用新型实施例的掩模板在蒸镀腔室内的蒸镀组合结构示意图。
附图标记:
现有技术部分:
01-冷却板;02-背板;03-金属掩模条;04-有机蒸镀材料;
05-焊点;06-金属框架。
本实用新型实施例部分:
1-框架;
2-掩模条;
3-第一凹槽;
4-焊点;
5-凸起;
6-第二凹槽;
7-背板;
8-冷却板;
9-蒸镀材料;
10-坩埚;
11-焊孔;
12-有效蒸镀开口。
具体实施方式
为提高蒸镀品质,从而提高产品良率,本实用新型实施例提供了一种掩模条、掩模板及蒸镀装置。为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,以下举实施例对本实用新型作进一步详细说明。
如图2和图3所示,本实用新型提供了一种掩模条2,掩模条2包括用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔11,以及位于焊孔11远离框架上表面一侧并与焊孔11连通的第一凹槽3。
在本实施例及以下各实施例中,第一凹槽3的深度H1的具体值不限,可以满足:5μm<H1<10μm。发明人经过大量的实验得出:当第一凹槽3满足该条件时,可以使超出焊孔11容量的焊料很好的填充至第一凹槽3内,而不会使焊点高出掩模条2的上表面。
采用本技术方案的掩模条2制作掩模板时,掩模条2与框架上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔11容量的焊料可以填充至第一凹槽3内,从而使焊点的高度不会高出掩模条2的上表面。采用本方案的掩模板对背板进行蒸镀时,掩模板置于蒸镀腔室内,背板的待蒸镀表面可以与掩模条2远离框架1的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。
如图2至图4所示,在本实用新型优选的实施例中,第一凹槽3连通的焊孔11至少为两个。第一凹槽3连通的焊孔11的具体数量不限,可以为一个、两个或多个,当焊孔11为多个时可以使掩模条2与框架1的焊接更加牢靠。
在本实用新型优选的实施例中,掩模条靠近所述框架上表面的一侧具有凸起,焊孔贯穿所述凸起。这样在固定掩模板的框架上对应凸起也设置凹槽,从而使掩模条与框架的组装更加可靠。
第一凹槽和凸起的具体形状不限,其中,第一凹槽可以为圆形凹槽,和/或,凸起可以为圆形凸起。当第一凹槽为圆形凹槽,凸起为圆形凸起时,圆形凸起与圆形凹槽的直径可以相同。圆形的第一凹槽与圆形的凸起的直径相同时能够起到简化加工工艺的作用。
在本实用新型可选的实施例中,第一凹槽为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凹槽,和/或,凸起为垂直于掩模条长度方向延伸的条形凸起。将凹槽设置成条形凹槽,凸起设置成条形凸起可以使其加工工艺得到简化。
如图3所示,在本实用新型优选的实施例中,第一凹槽3为垂直于掩模条2长度方向延伸的条形凹槽,凸起5为垂直于掩模条2长度方向延伸的条形凸起,凸起5沿掩模条2长度方向的尺寸L1等于第一凹槽3沿掩模条2长度方向的尺寸L3。这样的尺寸设置可以简化凸起5和第一凹槽3在刻蚀形成时的工艺管控难度。
如图2和图3所示,本实用新型实施例还提供了一种掩模板,包括框架1和焊接固定于框架1上表面的至少一个掩模条2,掩模条2具有通向框架1上表面的焊孔11以及位于焊孔11远离框架1上表面一侧并与焊孔11连通的第一凹槽3。
在制作本方案的掩模板时,掩模条2与框架1上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔11容量的焊料可以填充至第一凹槽3内,从而使焊点4的高度不会高出掩模条2的上表面。如图4所示,在对背板7进行蒸镀时,掩模板置于蒸镀腔室内,蒸镀材料9受热从坩埚10中挥发,并透过掩模条2的有效蒸镀开口12蒸镀至与掩模条2贴合的背板7上,形成像素图形。由于采用本方案的掩模板,可以使背板7的待蒸镀表面与掩模条2远离框架1的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。并且在对蒸镀到背板7上的蒸镀材料9进行冷却的冷却板8与背板7的上表面压合时,能够有效的避免背板7在焊点处因应力产生破碎的现象,从而提高产能。
如图3和图4所示,在本实用新型优选的实施例中,框架1的内侧面是指框架1朝向从蒸镀装置中挥发出来的蒸镀材料的一侧表面。因此,框架1的内侧面与框架1的上表面的夹角小于90度,能够使蒸汽状态的蒸镀材料9更好地汇聚至背板7的待蒸镀表面。
请继续参照图3和图4,在本实用新型另一优选的实施例中,掩模条2靠近框架1上表面的一侧具有凸起5,焊孔贯穿凸起5,框架1上表面具有与凸起5形状相配合的第二凹槽6。通过在掩模条2和框架1上分别设置凸起5和凹槽6,可以在掩模条2与框架1焊接前,使掩模条2与框架1的组装更加可靠。
如图3所示,在本实用新型各实施例中,凸起5的高度H2小于或等于第二凹槽6的深度H3。当凸起5的高度小于或等于第二凹槽6的深度时,能够使凸起5完全容置于第二凹槽6内,从而使掩模条2与框架1紧密贴合,进而实现掩模条2与框架1可靠的焊接。
如图3和图4所示,在本实用新型较佳的实施例中,掩模条2靠近框架1上表面的一侧具有凸起5,焊孔贯穿凸起5;框架1上表面具有与凸起5形状相配合的第二凹槽6;凸起5为垂直于掩模条2长度方向延伸的条形凸起,第二凹槽6为垂直于掩模条2长度方向延伸的条形凹槽;凸起5沿掩模条2长度方向的尺寸L1,与第二凹槽6沿掩模条2长度方向的尺寸L2之间满足:L1<L2。第二凹槽6与凸起5均为条形结构时,能够有效的简化其加工工艺;并且在沿掩模条2长度方向上,第二凹槽6的尺寸大于凸起5的尺寸,可以使凸起5更易放置于第二凹槽6内,并且在掩模条2与框架1进行焊接时,第二凹槽6也可以容置一部分多余的焊料,从而起到使焊点4不会高出掩模条2上表面的作用。
在本实用新型的各实施例中,当凸起5为垂直于掩模条2长度方向延伸的条形凸起时,凸起5沿掩模条2长度方向的尺寸L1的具体值不限,可以满足:5μm<L1<10μm。发明人经过大量的实验得出:当凸起5的尺寸L1满足该条件时,可以为容置充足焊料的焊孔的开设留出足够的空间,从而使掩模条2与框架1的焊接更加可靠。
本实用新型实施例还提供了一种蒸镀装置,包括如前任一技术方案的掩模板。
采用本技术方案的蒸镀装置对背板进行蒸镀时,由于掩模板的掩模条与框架上表面通过焊料进行焊接,超出焊孔容量的焊料可以填充至第一凹槽内,从而使焊点的高度不会高出掩模条的上表面,进而使背板的待蒸镀表面可以与掩模板远离框架的一侧表面紧密贴合,从而可以提高像素蒸镀质量,进而提高产品良率。
显然,本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样,倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内,则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种掩模条,其特征在于,包括用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔,以及位于所述焊孔远离所述框架上表面一侧并与所述焊孔连通的第一凹槽。
2.如权利要求1所述的掩模条,其特征在于,所述用于与掩模板的框架上表面焊接的焊孔至少为两个。
3.如权利要求1所述的掩模条,其特征在于,所述掩模条靠近所述框架上表面的一侧具有凸起,所述焊孔贯穿所述凸起。
4.如权利要求3所述的掩模条,其特征在于,所述第一凹槽为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凹槽,和/或,所述凸起为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凸起。
5.如权利要求3所述的掩模条,其特征在于,所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1,与所述第一凹槽沿所述掩模条长度方向的尺寸L3之间满足:L1=L3。
6.如权利要求1~5任一项所述的掩模条,其特征在于,所述第一凹槽的深度H1满足:5μm<H1<10μm。
7.一种掩模板,其特征在于,包括框架和焊接固定于所述框架上表面的至少一个如权利要求1~6任一项所述的掩模条。
8.如权利要求7所述的掩模板,其特征在于,所述框架的内侧面与所述框架的上表面的夹角小于90度。
9.如权利要求7所述的掩模板,其特征在于,所述掩模条靠近所述框架上表面的一侧具有凸起,所述焊孔贯穿所述凸起,所述框架上表面具有与所述凸起形状相配合的第二凹槽。
10.如权利要求9所述的掩模板,其特征在于,所述凸起的高度H2小于或等于所述第二凹槽的深度H3。
11.如权利要求9所述的掩模板,其特征在于,所述凸起为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凸起,所述第二凹槽为垂直于所述掩模条长度方向延伸的条形凹槽;所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1,与所述第二凹槽沿所述掩模条长度方向的尺寸L2之间满足:L1<L2。
12.如权利要求11所述的掩模板,其特征在于,所述凸起沿所述掩模条长度方向的尺寸L1满足:5μm<L1<10μm。
13.一种蒸镀装置,其特征在于,包括如权利要求7~12任一项所述的掩模板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721775254.6U CN207925524U (zh) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 一种掩模条、掩模板及蒸镀装置 |
US16/054,076 US20190185984A1 (en) | 2017-12-18 | 2018-08-03 | Mask strip, mask, and vapor-plating device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201721775254.6U CN207925524U (zh) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 一种掩模条、掩模板及蒸镀装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN207925524U true CN207925524U (zh) | 2018-09-28 |
Family
ID=63606671
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201721775254.6U Active CN207925524U (zh) | 2017-12-18 | 2017-12-18 | 一种掩模条、掩模板及蒸镀装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190185984A1 (zh) |
CN (1) | CN207925524U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115323322A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11991916B2 (en) * | 2018-11-19 | 2024-05-21 | Lg Innotek Co., Ltd. | Alloy metal plate and deposition mask including alloy metal plate |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4006173B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-11-14 | 三星エスディアイ株式会社 | メタルマスク構造体及びその製造方法 |
KR100971753B1 (ko) * | 2007-11-23 | 2010-07-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시장치의 박막 증착용 마스크 조립체 |
KR102527224B1 (ko) * | 2016-03-31 | 2023-05-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
-
2017
- 2017-12-18 CN CN201721775254.6U patent/CN207925524U/zh active Active
-
2018
- 2018-08-03 US US16/054,076 patent/US20190185984A1/en not_active Abandoned
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---|---|---|---|---|
CN115323322A (zh) * | 2022-08-26 | 2022-11-11 | 昆山国显光电有限公司 | 掩模版 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190185984A1 (en) | 2019-06-20 |
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GR01 | Patent grant | ||
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