CN108251796B - 一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架，涉及掩膜蒸镀技术领域，能够解决现有的掩膜板在掩膜蒸镀工艺中，掩膜板上产生的褶皱使形成膜层的图案边缘出现偏差的问题。在精细金属掩膜板上设置有掩膜图案区域，精细金属掩膜板还包含沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域，保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度。

Description

一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架
技术领域
本发明涉及掩膜蒸镀技术领域，尤其涉及一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架。
背景技术
显示装置包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括有红、绿、蓝三种颜色的子像素单元(简称为R/G/B子像素单元)。其中，以OLED显示装置为例，任意一个子像素单元具体包括阳极层、空穴传输层、可发出红光/绿光/蓝光的发光层、电子传输层以及阴极层。目前，OLED显示装置中的R/G/B子像素单元通常采用像素并置法(Side by Side)的排列方式，在制备各子像素单元时采用掩膜板技术，利用掩膜板上掩膜区域的遮挡作用将R/G/B子像素单元中的其中两种颜色的子像素单元遮挡，然后通过蒸镀或喷墨打印的方式将成膜材料通过掩膜板的图案区域沉积在对应于未遮挡的颜色的子像素单元，形成相应的图案作为其发光层(Emitting Layer，简称为EML)的主体材料。再依次露出R/G/B子像素单元中其他两种颜色的子像素单元进行沉积成膜，以制作整个像素单元的发光层。
随着显示装置的重要参数之一屏幕PPI(Pixels Per Inch，每英寸内拥有的像素数目)的增多，掩膜板上的构图图案区域也随之需要进一步精细化，这就需要使用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)，精细金属掩膜板上包括有多个图案区域，以及位于相邻两个图案区域之间的掩膜区域，以蒸镀成膜为例，在进行蒸镀工艺时，将多个精细金属掩膜板在张网拉伸的状态下焊接在框架上制成掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)，并将该掩膜集成框架置入蒸镀机内使用。
由于精细金属掩膜板在拉伸状态下仍然难以避免的会产生褶皱，掩膜集成框架在蒸镀机中与待成膜基板之间贴附蒸镀时，精细金属掩膜板上的褶皱会在精细金属掩膜板的图案区域聚集，这样就容易导致形成膜层的图案边缘出现偏差，当使用精细金属掩膜板制作像素单元图案时，由于边缘偏差导致在不同颜色的子像素单元形成的膜层的边界发生交叉或重叠，从而导致在显示时子像素单元之间发生混色问题，影响显示效果，损失加工良率。
发明内容
本发明实施例提供一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架，能够解决现有的掩膜板在掩膜蒸镀工艺中，掩膜板上产生的褶皱使形成膜层的图案边缘出现偏差的问题。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种精细金属掩膜板，在精细金属掩膜板上设置有掩膜图案区域，精细金属掩膜板还包含沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域，保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度。
优选的，保护区域在位于精细金属掩膜板的一侧表面减薄。
进一步的，保护区域在位于精细金属掩膜板的另一侧表面也减薄。
优选的，保护区域在精细金属掩膜板的两侧表面减薄的厚度相同。
优选的，减薄厚度占掩膜图案区域厚度的比例为掩膜图案区域的单像素开口率的0.7-1.3倍。
进一步的，减薄厚度占掩膜图案区域厚度的比例与掩膜图案区域的单像素开口率相等。
本发明实施例的另一方面，提供一种掩膜集成框架，包括上述任一项的精细金属掩膜板，以及掩膜板框架，多个精细金属掩膜板固定在掩膜板框架上。
优选的，保护区域至少在精细金属掩膜板靠近待蒸镀基板的一侧减薄。
优选的，保护区域设置在掩膜图案区域的、垂直于精细金属掩膜板两焊接点连线方向的两侧边缘。
进一步的，保护区域还设置在掩膜图案区域的、与精细金属掩膜板两焊接点连线方向相同的两侧边缘。
本发明实施例的再一方面，提供一种精细金属掩膜板的制备方法，包括：在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域。将金属片上沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于精细金属掩膜板的至少一侧表面减薄，以形成保护区域。在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域包括：在金属片上形成覆盖第一区域的保护层，在未覆盖保护层的区域制作掩膜图案，去除保护层，第一区域为金属片上除待设置掩膜图案以外的区域。在将金属片上沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于精细金属掩膜板的至少一侧表面减薄，以形成保护区域包括：在金属片上形成覆盖第二区域的保护层，对未覆盖保护层的区域位于精细金属掩膜板的至少一侧表面进行减薄处理，去除保护层，第二区域为金属片上除待减薄处理以外的区域。
本发明实施例提供一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架，在精细金属掩膜板上设置有掩膜图案区域，精细金属掩膜板还包含沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域，保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度。通过在金属掩膜条本体上沿掩膜图案区域的边缘设置保护区域，且保护区域与边缘相连接，并且使保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度，使得保护区域的材料去除比例接近掩膜图案区域的材料去除比例，从而使得保护区域的杨氏模量与掩膜图案区域材料的杨氏模量接近，这样就能够将精细金属掩膜板在拉伸状态下仍可能产生的褶皱被引导转移至保护区域，以避免褶皱在掩膜图案区域聚集，降低在精细金属掩膜板的掩膜图案区域发生褶皱的可能性，减轻在形成膜层的图案边缘可能出现的偏差，减少形成的膜层在显示时发生混色的情况的发生，提高显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种精细金属掩膜板的结构示意图；
图2为图1的A-A剖视图之一；
图3为图1的A-A剖视图之二；
图4为图1的A-A剖视图之三；
图5为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架的结构示意图之一；
图6为本发明实施例提供的一种掩膜集成框架的结构示意图之二；
图7为本发明实施例提供的一种精细金属掩膜板的制备方法的流程图之一；
图8为本发明实施例提供的一种精细金属掩膜板的制备方法的流程图之二；
图9为本发明实施例提供的一种精细金属掩膜板的制备方法的流程图之三。
附图标记：
10-精细金属掩膜板；11-掩膜图案区域；12-保护区域；T-保护区域的厚度；W-掩膜图案区域的厚度。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
对显示面板上进行精细金属掩膜蒸镀以形成所需膜层图案的技术，例如，在OLED(Organic Light-Emitting Display，有机电致发光显示)器件的制作工艺中，将发光材料蒸镀在LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅)型阵列基板上以形成对应的各子像素，就是通过将掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)附设在待蒸镀的基板表面，其中，掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)是由多个精细金属掩膜板(FMM Mask)并列设置且每个精细金属掩膜板(FMM Mask)的两端均焊接在框架(Frame)上制作而成，在每一个精细金属掩膜板(FMM Mask)上排列设置有多个掩膜图案区，掩膜图案区对应于待成膜基板上的待成膜图案，蒸镀时，蒸镀材料透过精细金属掩膜板(FMM Mask)上的掩膜图案区内的镂空部分沉积在待成膜基板的表面，以形成所需的待成膜图案。
需要说明的是，在本领域内，本领域技术人员对上述精细金属掩膜工艺中的精细金属掩膜板及其组成还有另外的称谓，例如，上述的多个精细金属掩膜板(FMM Mask)还可称为掩膜条或掩膜片(FMM Sheet)，由多个焊接在框架上的掩膜条或掩膜片(FMM Sheet)组成的整体称为精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，简称为FMM)。
上述的两种示例，仅为本领域技术人员在实际工作应用中对精细金属掩膜工艺中的掩膜板所采用的不同称谓，二者所指代的精细金属掩膜板的结构是相同的，以下在本发明实施例的说明书中，以上述第一种示例的称谓，即多个精细金属掩膜板(FMM Mask)并列设置且每个精细金属掩膜板(FMM Mask)的两端均焊接在框架(Frame)上制得掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)为例进行详细的说明。
本发明实施例提供一种精细金属掩膜板，如图1所示，在精细金属掩膜板10上设置有掩膜图案区域11，精细金属掩膜板10还包含沿掩膜图案区域11的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域12，如图2所示，保护区域12的厚度T小于掩膜图案区域11的厚度W。
需要说明的是，第一，如图1所示，精细金属掩膜板10上通常设置有多个并列排布的掩膜图案区域11，掩膜图案区域11用于在蒸镀成膜时，在待成膜基板上形成具有对应图案的膜层。
第二，精细金属掩膜板10通常在拉伸状态下通过两端与外框架之间焊接固定形成掩膜集成框架，由于掩膜图案区域11内包括有用于转印膜层图案的镂空部分，使得掩膜图案区域11部分的材料去除比例与精细金属掩膜板10上除掩膜图案区域11以外的部分的材料去除比例(精细金属掩膜板10上除掩膜图案区域11以外的部分不设置有镂空或其他加工结构，并没有去除相应材料，因此应当认为在除掩膜图案区域11以外的部分的材料去除比例为0)不相同，所以在精细金属掩膜板10上发生褶皱时，发生在掩膜图案区域11内的褶皱难以延伸转移至掩膜图案区域11以外。而在沿掩膜图案区域11的至少一侧边缘且与该边缘相接设置保护区域12，示例的，如图1所示，在沿掩膜图案区域11垂直于拉伸方向的两侧边缘均设置有保护区域12，这样一来，由于在拉伸精细金属掩膜板10时，在垂直于拉伸方向的两侧边缘最容易产生褶皱，如图2所示，保护区域12的厚度T小于掩膜图案区域的厚度W，即对保护区域进行整体减薄处理，以使得相对于精细金属掩膜板10上未去除材料的其他区域而言，保护区域12的材料去除比例与掩膜图案区域11的材料去除比例接近，从而使得发生在掩膜图案区域11内的褶皱向保护区域12上转移，保护掩膜图案区域11的图案精确度，提高蒸镀的膜层边缘的膜层图案精度，减少显示时发生混色的情况发生。
第三，保护区域12可以如图1所示的，设置在沿掩膜图案区域11垂直于拉伸方向的两侧边缘，也可以在掩膜图案区域11的四个边缘均设置保护区域12，本发明实施例对此不做具体限定。
第四，本发明实施例中所指的材料去除比例，例如对于掩膜图案区域11而言，指的是掩膜图案区域11中刻蚀为镂空的部分中刻掉的材料量与整个掩膜图案区域11的总材料量之间的比例关系，又例如，对于保护区域12而言，指的是保护区域11中减薄或其他加工方式减除的材料量与整个保护区域12的材料量之间的比例关系。对于相同的材料制作的精细金属掩膜板10，当相互连接的两个部分的材料去除比例接近，则这两个部分的杨氏模量即较为接近，当在其中一个部分上有应力产生和存在时，例如应力导致的裂纹、褶皱等现象，较易于被引导和传播至另一部分之上。
本发明实施例提供一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架，在精细金属掩膜板上设置有掩膜图案区域，精细金属掩膜板还包含沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域，保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度。通过在金属掩膜条本体上沿掩膜图案区域的边缘设置保护区域，且保护区域与边缘相连接，并且使保护区域的厚度小于掩膜图案区域的厚度，使得保护区域的材料去除比例接近掩膜图案区域的材料去除比例，从而使得保护区域的杨氏模量与掩膜图案区域材料的杨氏模量接近，这样就能够将精细金属掩膜板在拉伸状态下仍可能产生的褶皱被引导转移至保护区域，以避免褶皱在掩膜图案区域聚集，降低在精细金属掩膜板的掩膜图案区域发生褶皱的可能性，减轻在形成膜层的图案边缘可能出现的偏差，减少形成的膜层在显示时发生混色的情况的发生，提高显示效果。
优选的，如图2所示，保护区域12在位于精细金属掩膜板10的一侧表面减薄。
由于为了在掩膜蒸镀时使得蒸镀材料透过掩膜板上的图案转印在待成膜基板上形成相应的膜层图案，在精细金属掩膜板10的掩膜图案区域11上，就根据需要在相应的部分去除材料制作镂空图案，其中镂空部分的材料完全去除，以使得在蒸镀时蒸镀材料能够透过镂空部分而沉积在待成膜基板上。可以通过将保护区域12在位于精细金属掩膜板10的一侧表面整体减薄的方式，相应减少保护区域12的材料。
示例的，如图2所示，精细金属掩膜板10在进行掩膜蒸镀操作时，待成膜基板设置在精细金属掩膜板10的上方(图2中未示出)且待成膜表面与精细金属掩膜板10的上表面贴合，蒸镀材料设置在精细金属掩膜板10下方，通过加热或其他方式使得蒸镀材料气化蒸发，并透过精细金属掩膜板10中掩膜图案区域11的镂空部分沉积在待成膜基板的待成膜表面。在精细金属掩膜板10的上表面，即靠近待成膜基板一侧的表面的保护区域12进行减薄处理，使得保护区域12的材料部分去除，这种方式一方面，能够实现使保护区域12的材料去除比例与掩膜图案区域11的材料去除比例接近；另一方面，整体减薄厚度的方式工艺简单，加工误差小，易于操作，而且，不易对与精细金属掩膜板10的保护区域12所对应的待成膜基板上外围电路等结构造成破坏。
又例如，如图3所示，还可以在精细金属掩膜板10的下表面，即远离待成膜基板一侧的表面的保护区域12进行减薄处理，使得保护区域12的材料部分去除，同样能够在操作工艺简易、不影响待成膜基板上其他结构的基础上，实现使保护区域12的材料去除比例与掩膜图案区域11的材料去除比例相近的目的。
进一步的，如图4所示，保护区域12在位于精细金属掩膜板10的另一侧表面也减薄。
如图4所示，在精细金属掩膜板10的保护区域12的位置的两侧表面均进行减薄，这样一来，当精细金属掩膜板10拉伸并与框架焊接固定以形成掩膜集成框架，由于在保护区域12的两侧表面均进行减薄，能够提高精细金属掩膜板10的平整度，避免仅对任意一侧表面进行减薄，拉伸容易导致保护区域12向减薄的一侧卷曲而使得精细金属掩膜板10不平整的问题。
优选的，如图4所示，保护区域12在精细金属掩膜板10的两侧表面减薄的厚度相同。
这样一来，如图4所示，保护区域12在精细金属掩膜板10的两侧表面减薄的厚度相同，当拉伸精细金属掩膜板10时，在保护区域12两侧表面产生的应力导致卷曲的力相互平衡，从而进一步降低了在精细金属掩膜板10的任意一侧表面发生卷曲的可能性，提高了精细金属掩膜板10的平整度。
优选的，保护区域12的减薄厚度占掩膜图案区域11的厚度的比例为掩膜图案区域11的单像素开口率的0.7-1.3倍。
需要说明的是，通常情况下，一个掩膜图案区域11即为一个单像素的区域，掩膜图案区域11的单像素开口率指的是一个掩膜图案区域11中镂空开口的部分占整个一个掩膜图案区域11的比率，亦即前述的材料去除比例。当保护区域12与掩膜图案区域11的厚度相同时，可以认为保护区域12即为材料去除比例为0的状态，对保护区域12进行减薄处理，保护区域12的减薄厚度与掩膜图案区域11的厚度的比例与掩膜图案区域11的单像素开口率相同时，即可认为保护区域12的材料去除比例与掩膜图案区域11的材料去除比例相同。由于二者的材料去除比例越接近，二者之间的杨氏模量越接近，从而越便于将掩膜图案区域11产生的褶皱引导至保护区域12，因此，保护区域12的减薄厚度占掩膜图案区域11的厚度的比例应设置并控制在掩膜图案区域11的单像素开口率的±30％范围内。
进一步的，保护区域12的减薄厚度占掩膜图案区域11厚度的比例与掩膜图案区域的单像素开口率相等。
优选的，保护区域12的减薄厚度占掩膜图案区域11厚度的比例与掩膜图案区域的单像素开口率相等时，保护区域12与掩膜图案区域11的杨氏模量相同，可以认为或近似认为二者为相同的材料，褶皱在二者之一上产生时，褶皱能够自然的在二者之间传递，从而进一步保证褶皱被传递至保护区域12，从而避免褶皱在掩膜图案区域11上停留，而影响到蒸镀膜层图案边缘的图案准确性。
本发明实施例的另一方面，提供一种掩膜集成框架，如图5所示，包括上述任一项的精细金属掩膜板10，以及掩膜板框架20，多个精细金属掩膜板10固定在掩膜板框架20上。
如图5所示，多个精细金属掩膜板10沿相同的方向排列、拉伸并焊接固定在掩膜板框架20上形成掩膜集成框架。多个精细金属掩膜板10之间平行或近似平行。
通常，由于相邻两个精细金属掩膜板10之间难以避免的会留有缝隙，在蒸镀操作时，蒸镀材料极易透过缝隙沉积在待成膜基板本不应沉积膜层的位置，同时，由于精细金属掩膜板10仅是通过两端焊接固定在掩膜板框架20上，精细金属掩膜板10的中间部分容易由于重力的原因下沉，从而导致在蒸镀时由于掩膜集成框架的变形影响到蒸镀膜层图案的准确性，因此，还可以在掩膜板框架20上设置支撑部件(图5中未示出支撑部件)，其中，支撑部件可以与精细金属掩膜板10的设置方向相同，也可以垂直于精细金属掩膜板10的设置方向，本发明实施例中对支撑部件是否设置以及设置的方式不做具体限定，只要能够保证当掩膜集成框架上设置有支撑部件时，支撑部件与精细金属掩膜板10交叠的位置不与精细金属掩膜板10上的掩膜图案区域11重叠，不会阻挡到蒸镀操作时蒸镀材料透过掩膜图案区域11在待成膜基板上成膜即可。
优选的，保护区域至少在精细金属掩膜板靠近待蒸镀基板的一侧减薄。
需要说明的是，通常情况下，精细金属掩膜板在用于蒸镀装置中的掩膜成膜操作时，通常是将掩膜集成框架中精细金属掩膜板10与掩膜板框架20焊接固定的一侧朝向待蒸镀基板，掩膜集成框架的另一侧朝向蒸镀源。因此，示例的，如图2所示，待成膜基板设置在精细金属掩膜板10的上方(图2中未示出)且待成膜表面与精细金属掩膜板10的上表面贴合，蒸镀材料设置在精细金属掩膜板10下方，通过加热或其他方式使得蒸镀材料气化蒸发，并透过精细金属掩膜板10中掩膜图案区域11的镂空部分沉积在待成膜基板的待成膜表面。在精细金属掩膜板10的上表面，即靠近待成膜基板一侧的表面的保护区域12进行减薄处理，使得保护区域12的材料部分去除，这种方式一方面，能够实现使保护区域12的材料去除比例与掩膜图案区域11的材料去除比例接近；另一方面，整体减薄厚度的方式工艺简单，加工误差小，易于操作，而且，由于通常与保护区域12所对应的待成膜基板上设置有布局精密的外围电路等结构，减薄厚度的保护区域12与其对应的外围电路之间存在减薄形成的间隙，避免直接与外围电路等结构接触，不易对外围电路等结构造成破坏。
优选的，如图5所示，保护区域12设置在掩膜图案区域11的、垂直于精细金属掩膜板10两焊接点连线方向的两侧边缘。
如图5所示，在将精细金属掩膜板10沿图5中箭头所示的方向拉伸并与掩膜板框架20之间焊接固定形成的掩膜集成框架，在掩膜图案区域11的边缘中，与两焊接点连线方向相垂直的方向的两侧边缘相对于另外两侧边缘更容易由于应力而产生褶皱，因此，至少在垂直于精细金属掩膜板10两焊接点连线方向的掩膜图案区域11的两侧边缘设置保护区域12，这样一来，在制作本发明实施例的掩膜集成框架时，当对精细金属掩膜板10拉伸并与掩膜板框架20之间焊接固定的过程中，在精细金属掩膜板的垂直于两焊接点连线方向(即精细金属掩膜板10的拉伸方向)发生褶皱现象时，发生在掩膜图案区域11内的褶皱能够传递至杨氏模量较为接近的保护区域12上，从而避免褶皱对掩膜图案区域11的边缘图案造成影响，进而保证了使用本发明实施例的掩膜集成框架进行掩膜蒸镀时，在待成膜基板上形成的膜层的准确性。示例的，当使用本发明实施例的掩膜集成框架通过掩膜蒸镀的方式依次蒸镀形成OLED显示面板上的R/G/B子像素单元时，由于掩膜图案区域11的边缘图案不易受到应力褶皱等因素的影响，在OLED显示面板上形成的R/G/B子像素单元图案位置准确，不易在制作完成的OLED显示面板上发生混色等显示问题。
其中，需要说明的是，如图5所示，精细金属掩膜板10是通过图5中箭头所示的方向的两端与掩膜板框架20之间焊接固定的，由于精细金属掩膜板10的尺寸通常较小，因此可以将焊接位置近似的视为焊接点，事实上，焊接位置也可能为其他的形状，例如一字型，本发明实施例中所述的两焊接点连线，可以指同一精细金属掩膜板10的其中一个焊接端中的任意一点与另一个焊接端中的任意一点之间的连线。
进一步的，如图6所示，保护区域12还设置在掩膜图案区域11的、与精细金属掩膜板10两焊接点连线方向相同的两侧边缘。
这样一来，如图6所示，在掩膜图案区域11的四个侧边位置处均设置保护区域12，示例的，如图6所示，保护区域12首尾连接形成围绕掩膜图案区域11的边缘的环形，从而使得在掩膜图案区域11的任意一侧发生褶皱，均可被传递至保护区域12内，避免褶皱对掩膜图案区域11边缘的成膜造成影响。
在上述对本发明实施例的精细金属掩膜板10的说明中，已经对包括上述精细金属掩膜板10制作而成的掩膜集成框架在蒸镀操作中的工作过程进行了详细的说明，此处不再赘述。
本发明实施例的再一方面，提供一种精细金属掩膜板的制备方法，如图7所示，包括：
S101、在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域11。
S102、将金属片上沿掩膜图案区域11的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于精细金属掩膜板10的至少一侧表面减薄，以形成保护区域12。
制作本发明实施例的精细金属掩膜板10，包括在金属片上制作掩膜图案区域11以及制作保护区域12两部分，需要说明的是，本发明实施例中，对于制作掩膜图案区域11(步骤S101)和制作保护区域12(步骤S102)的先后顺序不做具体限定，可以先在金属片上制作掩膜图案区域11，即先进行步骤S101，再在制作有掩膜图案区域11的边缘制作保护区域12，即再进行步骤S102，也可以先在金属片上制作保护区域12，即在位于预设置的掩膜图案区域11的至少一侧边缘的位置处制作保护区域12，再在制作有保护区域12的金属片上根据预设置位置制作掩膜图案区域11均可。
示例的，以下以先进行步骤S101，再进行步骤S102的制备顺序为例进行具体说明。如图7所示，首先在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域11，本领域技术人员可以根据实际需要，在精细金属掩膜版10上设置合理数量和位置的掩膜图案区域11。然后在制作有掩膜图案区域11的金属片上，沿掩膜图案区域11的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于精细金属掩膜板10的至少一侧表面减薄制作保护区域12，从而制得本发明实施例的掩膜集成框架。
进一步的，如图8所示，S101、在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域11包括：
S1011、在金属片上形成覆盖第一区域的保护层，在未覆盖保护层的区域制作掩膜图案，去除保护层，第一区域为金属片上除待设置掩膜图案以外的区域。
如图9所示，S102、在将金属片上沿掩膜图案区域11的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于精细金属掩膜板10的至少一侧表面减薄，以形成保护区域12包括：
S1021、在金属片上形成覆盖第二区域的保护层，对未覆盖保护层的区域位于精细金属掩膜板10的至少一侧表面进行减薄处理，去除保护层，第二区域为金属片上除待减薄处理以外的区域。
如图8所示，在金属片上形成掩膜图案区域11包括：首先在金属片上形成覆盖第一区域的保护层，其中，第一区域即指的是金属片上除待设置掩膜图案以外的区域，然后在未覆盖保护层的区域制作掩膜图案，形成掩膜图案区域11的具体结构，然后再去除保护层，形成包括有掩膜图案区域11的精细金属掩膜版10。这样一来，能够通过保护层对金属片上除待设置掩膜图案以外的区域进行保护，避免在制作掩膜图案区域11的具体结构时，例如使用湿法刻蚀的方式制作掩膜图案区域11时刻蚀液对其他区域的材料产生蚀刻影响。
同样的，如图9所示，在金属片上形成保护区域12包括：首先在金属片上形成覆盖第二区域的保护层，其中，第二区域即指的是金属片上除待减薄处理以外的区域，包括待形成或已经形成的掩膜图案区域11，还包括除掩膜图案区域11和保护区域12以外的其他区域，然后对未覆盖保护层的区域位于精细金属掩膜板10的至少一侧表面进行减薄处理，以形成保护区域12的具体结构，然后再去除保护层，形成包括有保护区域12的精细金属掩膜版10。这样一来，能够通过保护层对金属片上除待设置保护区域12以外的区域进行保护，避免在制作保护区域12的具体结构(即对保护区域12的一侧或两侧表面进行减薄处理)时对其他区域的材料产生影响。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种精细金属掩膜板，在所述精细金属掩膜板上设置有掩膜图案区域，其特征在于，
所述精细金属掩膜板还包含沿所述掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的保护区域，所述保护区域的厚度小于所述掩膜图案区域的厚度；所述保护区域在位于所述精细金属掩膜板的至少一侧表面减薄；所述减薄厚度占所述掩膜图案区域厚度的比例为所述掩膜图案区域的单像素开口率的0.7-1.3倍。
2.根据权利要求1所述的精细金属掩膜板，其特征在于，所述保护区域在位于所述精细金属掩膜板的一侧表面减薄。
3.根据权利要求2所述的精细金属掩膜板，其特征在于，所述保护区域在位于所述精细金属掩膜板的另一侧表面也减薄。
4.根据权利要求3所述的精细金属掩膜板，其特征在于，所述保护区域在所述精细金属掩膜板的两侧表面减薄的厚度相同。
5.根据权利要求1所述的精细金属掩膜板，其特征在于，所述减薄厚度占所述掩膜图案区域厚度的比例与所述掩膜图案区域的单像素开口率相等。
6.一种掩膜集成框架，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的精细金属掩膜板，以及掩膜板框架，多个所述精细金属掩膜板固定在所述掩膜板框架上。
7.根据权利要求6所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述保护区域至少在所述精细金属掩膜板靠近待蒸镀基板的一侧减薄。
8.根据权利要求6所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述保护区域设置在所述掩膜图案区域的、垂直于所述精细金属掩膜板两焊接点连线方向的两侧边缘。
9.根据权利要求8所述的掩膜集成框架，其特征在于，所述保护区域还设置在所述掩膜图案区域的、与所述精细金属掩膜板两焊接点连线方向相同的两侧边缘。
10.一种精细金属掩膜板的制备方法，其特征在于，包括：
在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域；
将金属片上沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于所述精细金属掩膜板的至少一侧表面减薄，以形成保护区域；所述减薄厚度占所述掩膜图案区域厚度的比例为所述掩膜图案区域的单像素开口率的0.7-1.3倍；
所述在金属片上制作掩膜图案，以形成掩膜图案区域包括：
在金属片上形成覆盖第一区域的保护层，在未覆盖所述保护层的区域制作掩膜图案，去除所述保护层，所述第一区域为所述金属片上除待设置掩膜图案以外的区域；
所述在将金属片上沿掩膜图案区域的至少一侧边缘、且与该边缘相接的部分位于所述精细金属掩膜板的至少一侧表面减薄，以形成保护区域包括：
在金属片上形成覆盖第二区域的保护层，对未覆盖所述保护层的区域位于所述精细金属掩膜板的至少一侧表面进行减薄处理，去除所述保护层，所述第二区域为所述金属片上除待减薄处理以外的区域。
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