KR20220091647A - 마스크 어셈블리의 제작 방법 - Google Patents

마스크 어셈블리의 제작 방법 Download PDF

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하헌식
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Abstract

마스크 어셈블리의 제작 방법은, 마스킹 패턴들을 포함하는 셀 마스크를 형성하고 마스킹 패턴들에 대응하여 배치되는 도전성 패턴들을 포함하는 메쉬 프레임을 형성하는 단계 및 셀 마스크 및 메쉬 프레임을 마스크 프레임 상에 배치하는 단계를 포함하고, 셀 마스크 및 메쉬 프레임을 형성하는 단계는 고분자 층, 도전층 및 하드 마스킹 층을 각각 형성하는 단계, 에칭용 패턴들을 포함하는 마스크 패턴층을 형성하는 단계 및 마스크 패턴층을 이용하여 셀 마스크 및 메쉬 프레임을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

마스크 어셈블리의 제작 방법{MANUFACTURING METHOD OF THE MASK ASSEMBLY}
본 발명은 마스크 어셈블리의 제작 방법에 관한 것으로, 상세하게는 생산 수율 및 마스킹 효과가 개선된 마스크 어셈블리의 제작 방법에 관한 것이다.
표시 패널은 복수의 화소들을 포함한다. 화소들 각각은 트랜지스터와 같은 구동 소자 및 유기발광 다이오드와 같은 표시 소자를 포함한다. 표시 소자는 전극과 발광 패턴을 포함할 수 있다.
발광 패턴은 마스킹 패턴이 정의된 마스크를 이용하여 발광층을 패터닝하여 형성될 수있다. 최근에는 발광 패턴을 포함하는 표시 패널의 생산 수율을 높이기 위하여, 대면적 마스크의 제작을 위한 재료 및 제조 방법에 관한 연구가 진행되고 있다.
본 발명의 목적은 고분자 물질을 포함하는 셀 마스크 및 전도성 물질을 포함하는 메쉬 프레임을 포함하는 마스크 어셈블리를 제작하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 제작 방법은 복수의 마스킹 패턴들을 포함하는 셀 마스크를 형성하고, 상기 마스킹 패턴들에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들을 포함하는 메쉬 프레임을 형성하는 단계 및 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 마스크 프레임 상에 배치하는 단계를 포함한다. 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는, 베이스 기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계 및 상기 고분자 층 상에 도전층을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는, 상기 도전층에 하드 마스킹 층을 형성하는 단계 및 상기 하드 마스킹 층 및 상기 도전층을 에칭하여 에칭용 패턴들을 포함하는 마스크 패턴층을 형성하는 단계를 더 포함한다. 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는, 상기 마스크 패턴층을 이용하여 상기 고분자 층을 에칭하여 상기 셀 마스크 및 메쉬 프레임을 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 고분자 층은 제1 고분자 물질을 포함하고, 상기 하드 마스킹 층은 제2 고분자 물질을 포함하며, 상기 제2 고분자 물질은 상기 제1 고분자 물질과 다른 물질일 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는 상기 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하여 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계 및 셀 마스크로부터 베이스 기판을 분리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 마스크 패턴층은 상기 하드 마스킹 층이 에칭되어 형성된 제1 패턴층 및 상기 도전층이 에칭되어 형성된 제2 패턴층을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 고분자 층을 에칭하는 단계는 상기 제1 패턴층 및 상기 고분자 층 중 상기 고분자 층을 선택적으로 에칭하는 제1 기체를 이용하여 상기 고분자 층을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하는 단계는 상기 제1 및 제2 패턴층 중 상기 제1 패턴층을 선택적으로 에칭하는 제2 기체를 이용하여 상기 마스크 패턴층으로부터 상기 제1 패턴층을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 제2 기체는 상기 셀 마스크, 제1 패턴층 및 제2 패턴층 중 상기 제1 패턴층을 선택적으로 에칭할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는 상기 하드 마스킹 층 상에 포토 레지스터를 도포하는 단계 및 상기 포토 레지스트를 패터닝하여 식각 마스크를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 에칭용 패턴은 상기 제1 패턴층에 제공된 복수의 제1 패턴들 및 상기 제2 패턴층에 제공된 복수의 제2 패턴들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 마스크 패턴층을 형성하는 단계는 상기 식각 마스크를 이용하여 상기 하드 마스킹 층을 에칭하여, 상기 제1 패턴들을 포함하는 상기 제1 패턴층을 형성하는 단계 및 상기 제1 패턴층을 이용하여 상기 도전층을 에칭하여, 상기 제2 패턴들을 포함하는 상기 제2 패턴층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는 상기 제1 패턴층을 형성하는 단계 이후에, 상기 식각 마스크를 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 하드 마스킹 층을 에칭하는 단계는 제2 기체를 이용하여 상기 하드 마스킹 층을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 제2 기체는 상기 하드 마스킹 층 및 상기 도전층 중 상기 하드 마스킹 층을 선택적으로 에칭할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 도전층을 에칭하는 단계는 상기 제1 패턴층, 도전층 및 고분자 층 중 상기 도전층을 선택적으로 에칭시키는 에칭액을 이용하여 상기 도전층을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는 상기 셀 마스크를 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 패턴들을 에칭하여 상기 도전성 패턴들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 제2 패턴들을 에칭하는 단계는 상기 제1 패턴층, 제2 패턴층 및 셀 마스크 중 상기 제2 패턴층을 선택적으로 에칭시키는 에칭액을 이용하여 상기 제2 패턴층에 포함된 상기 제2 패턴들을 에칭하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리는 셀 개구부 및 상기 셀 개구부의 테두리를 따라 정의된 외측 프레임을 포함하는 마스크 프레임 및 상기 마스크 프레임 상에 배치되고, 상기 셀 개구부에 대응하여 배치되는 복수의 마스킹 패턴을 포함하며, 고분자 물질을 포함하는 셀 마스크를 포함한다. 상기 마스크 어셈블리는 상기 마스크 프레임과 상기 셀 마스크 사이에 배치되고, 상기 마스킹 패턴들에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들을 포함하며, 도전성 물질을 포함하는 메쉬 프레임을 더 포함한다. 상기 마스킹 패턴들 각각의 폭은 상기 복수의 도전성 패턴들 중 대응하는 도전성 패턴측으로 갈수록 연속적으로 감사한다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 도전성 패턴들 각각은 상기 마스킹 패턴들에 맞닿는 제1 면 및 상기 제1 면과 반대하는 제2 면을 포함한다. 상기 제1 면의 폭은 대응되는 각각의 마스킹 패턴들의 폭보다 좁거나 같고, 상기 제2 면의 폭은 상기 제1 면의 폭보다 작을 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 도전성 패턴들 각각은 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 연결하는 측면부를 더 포함하고, 상기 측면부는 곡면 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예로, 상기 메쉬 프레임은 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있고, 상기 셀 마스크는 폴리 이미드를 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 셀 마스크 위에 메쉬 프레임을 구비하여 증착 공정시에 중력에 의해 마스크 어셈블리가 처지는 현상을 방지할 수 있다. 특히, 메쉬 프레임을 형성하는데 있어서, 셀 마스크를 형성하기 위해 사용되는 하드 마스킹 층 및 포토 레지스트를 이용하여 메쉬 프레임을 함께 형성할 수 있어 마스크 어셈블리의 제조 공정을 단순화시키고, 제조 공정에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 절단한 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판 상에 고분자 층, 도전층 및 하드 마스킹 층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 하드 마스킹 층 상에 포토 레지스터를 도포하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 레지스트를 패터닝하여 식각 마스크를 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 마스크를 이용하여 제1 패턴층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 마스크를 제거하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 패턴층을 이용하여 제2 패턴층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴층을 이용하여 셀 마스크를 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 패턴들을 에칭하여 도전성 패턴들을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하여 메쉬 프레임을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 셀 마스크로부터 베이스 기판을 분리하는 단계를 도시한 공정도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 마스크 어셈블리(MKA)는 표시 장치(display device)를 제조하는 공정에 이용될 수 있다. 구체적으로, 마스크 어셈블리(MKA)는 표시 장치를 제조하는 과정에서 사용되는 기판에 패턴을 형성하는 공정에서 이용될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 패턴은 발광 소자에 포함된 발광 패턴일 수 있다. 발광 소자는 유기발광 다이오드일 수 있고, 발광 패턴은 유기발광 다이오드의 유기발광 패턴일 수 있다.
마스크 어셈블리(MKA)는 직육면체 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 마스크 어셈블리(MKA)는 제1 방향(DR1)으로 연장하는 2개의 장변들과 제2 방향(DR2)으로 연장하는 2개의 단변들을 가질 수 있다. 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 교차하는 방향을 지시한다. 본 발명의 일 예로, 제2 방향(DR2)은 제1 방향(DR1)과 수직한 관계에 있을 수 있다.
마스크 어셈블리(MKA)는 제3 방향(DR3)을 기준으로 얇은 두께를 갖는 박판일 수 있다. 제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면과 실질적으로 수직하게 교차하는 방향을 지시한다. 이하, 본 명세서에서 “평면상에서”의 의미는 제3 방향(DR3)을 기준으로 바라본 상태를 의미할 수 있다.
마스크 어셈블리(MKA)는 마스크 프레임(MF), 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)를 포함할 수 있다. 마스크 프레임(MF)은 스테인리스 스틸(stainless steel), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 또는 코발트(Co) 등과 같은 금속 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 마스크 프레임(MF)은 인바(Invar) 합금을 포함할 수 있다. 다만, 마스크 프레임(MF)의 재질이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 마스크 어셈블리(MKA)의 경량화를 위하여, 마스크 프레임(MF)은 폴리이미드계 물질을 포함할 수도 있다.
셀 마스크(CMK)는 고분자 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어 셀 마스크(CMK)는 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 셀 마스크(CMK)가 폴리이미드를 포함할 경우, 셀 마스크(CMK)가 금속 물질을 포함한 경우와 비교하여 마스크 어셈블리(MKA)의 무게가 가벼워진다. 따라서 표시 장치 상에 패턴을 증착하는 공정에서 마스크 어셈블리(MKA) 자체의 무게에 의해, 마스크 어셈블리(MKA)가 중력에 의해 아래로 처지는 현상을 방지할 수 있다.
마스크 프레임(MF)은 제1 방향(DR1)으로 연장하는 장변들 및 제2 방향(DR2)으로 연장하는 단변들을 갖는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 마스크 프레임(MF)은 셀 개구부(COP) 및 셀 개구부(COP)의 테두리를 따라 정의된 외측 프레임(OF)을 포함할 수 있다. 평면상에서, 셀 개구부(COP)는 직사각형 형상을 가질 수 있다. 제3 방향(DR3)을 기준으로, 셀 개구부(COP)는 마스크 프레임(MF)을 관통하여 정의될 수 있다. 셀 마스크(CMK)의 형상은 셀 개구부(COP)의 형상에 대응하여 변형될 수 있다. 즉, 셀 개구부(COP)가 직사각형 형상을 갖는 경우, 셀 마스크(CMK)도 직사각형 형상을 가질 수 있다. 평면상에서, 셀 마스크(CMK)는 셀 개구부(COP)에 중첩할 수 있다.
셀 마스크(CMK)는 마스킹 부(MP)와 본딩부(BP)를 포함할 수 있다. 마스킹 부(MP)는 복수 개의 증착부들(EVP) 및 증착부들(EVP)에 인접한 비 증착부(NEVP)를 포함한다. 각 증착부들(EVP)에는 마스킹 패턴들(MPT, 도 3 참조)이 제공될 수 있다. 마스킹 패턴들(MPT)은 셀 마스크들(CMK)이 제3 방향(DR3)을 따라 관통하어 형성될 수 있다. 마스킹 패턴들(MPT)을 형성하는 과정에 대한 자세한 설명은 도 5 내지 도 14에서 후술하도록 한다.
본딩부(BP)는 마스킹 부(MP)로부터 연장될 수 있다. 본딩부(BP)는 마스킹 부(MP)로부터 제1 방향(DR1) 또는 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 평면상에서 본딩부(BP)는 사각 링 형상을 가지고, 마스킹 부(MP)의 테두리를 따라 배치될 수 있다.
평면상에서, 셀 마스크(CMK)의 마스킹 부(MP)의 면적은 셀 개구부(COP)의 면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 셀 마스크(CMK)의 본딩부(BP)는 마스크 프레임(MF)의 외측 프레임(OF) 상에 배치될 수 있다.
셀 마스크(CMK)는 마스크 프레임(MF)에 고정될 수 있다. 예컨대, 셀 마스크(CMK)의 본딩부(BP)는, 외측 프레임(OF)의 대응하는 부분에 고정될 수 있다. 예를 들어, 외측 프레임(OF)과 대응하는 본딩부(BP)에 용접 공정을 통해 셀 마스크(CMK)가 마스크 프레임(MF)에 고정될 수 있다. 이때, 셀 마스크(CMK)는 고분자 물질로 형성될 수 있다. 고분자 물질로 형성된 셀 마스크(CMK)의 본딩부(BP)를 외측 프레임(OF)에 직접 용접할 경우, 셀 마스크(CMK)가 손상될 수 있다. 따라서 셀 마스크(CMK)의 본딩부(BP) 상에는 용접시 셀 마스크들(CMK)의 손상을 방지하기 위한 보호층이 배치될 수 있다.
도 2에는 1개의 셀 개구부(COP)가 도시되어 있으나, 이는 예시적으로 도시한 것이며, 실제로 셀 개구부(COP)의 개수는 이보다 많을 수 있다. 본 발명의 일 예로, 마스크 프레임(MF)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 중 적어도 하나의 방향을 따라 이격되어 배열된 복수의 셀 개구부들을 포함할 수 있다. 셀 개구부들은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트릭스(matrix) 형태로 배열될 수 있다. 마스크 어셈블리(MKA)는 셀 개구부들에 각각 대응되는 복수의 셀 마스크들을 포함할 수도 있다. 각각의 셀 마스크들은 마스킹 패턴들이 제공된 증착부 및 증착부로부터 연장된 비 증착부를 포함할 수 있다.
메쉬 프레임(MSF)은 마스크 프레임(MF)과 셀 마스크(CMK)사이에 배치될 수 있다. 메쉬 프레임(MSF)은 셀 마스크(CMK)에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 메쉬 프레임(MSF)은 셀 마스크(CMK)의 마스킹 패턴들(MPT)에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들(CPT, 도 3 참조)을 포함할 수 있다. 메쉬 프레임(MSF)은 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 메쉬 프레임(MSF)은 스테인리스 스틸, 인바 합금, ITO(indium tin oxide) 및 IZO(indium zinc oxide) 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로 메쉬 프레임(MSF)은 셀 마스크(CMK)의 증착부들(EVP) 전체에 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 메쉬 프레임(MSF)은 셀 마스크(CMK)의 증착부들(EVP)에 각각 대응되는 복수의 서브 메쉬 프레임을 포함할 수도 있다.
도 3은 도 1에 도시된 절단선 Ⅰ-Ⅰ'에 따라 절단한 마스크 어셈블리의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 마스크 어셈블리(MKA)는 마스크 프레임(MF), 마스크 프레임(MF) 상에 배치된 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)를 포함한다.
셀 마스크(CMK)는 마스킹 패턴들(MPT) 및 마스킹 패턴들(MPT) 사이에 정의되는 복수의 홀들(HL)을 포함한다. 메쉬 프레임(MSF)은 마스킹 패턴들(MPT)에 대응하여 배치되는 도전성 패턴들(CPT)를 포함한다.
마스크 어셈블리(MKA)는 제1 영역(AR1), 제2 영역(AR2) 및 제3 영역(AR3)을 포함한다.
제1 영역(AR1)은 셀 마스크(CMK)와 메쉬 프레임(MSF)이 마스크 프레임(MF)의 외측 프레임(OF, 도 2 참조) 상에 배치되는 영역으로 정의될 수 있다. 제2 영역(AR2)은 마스킹 부(MP)에 포함된 비 증착부들(NEVP)이 위치한 영역과 대응하는 영역으로 정의될 수 있다. 제3 영역(AR3)은 마스킹 부(MP)에 포함된 증착부들(EVP)이 위치한 영역과 대응하는 영역으로 정의될 수 있다. 마스킹 패턴들(MPT) 및 도전성 패턴들(CPT)은 제3 영역(AR3)에 형성될 수 있다. 메쉬 프레임(MSF)은 제1 및 제2 영역(AR1, AR2) 내에 배치되고, 셀 마스크(CMK)에 대응되는 더미 도전성 패턴(DCPT)을 포함할 수 있다.
도전성 패턴들(CPT) 각각의 폭은 마스킹 패턴들(MPT) 중 대응하는 각각의 마스킹 패턴(MPT)들의 상기 도전성 패턴들(CPT)과 맞닿는 면의 폭(MPW)보다 좁거나 같을 수 있다. 본 발명의 일 예로, 각 도전성 패턴(CPT)은 대응되는 마스킹 패턴(MPT)과 맞닿는 제1 면(FS1) 및 제1 면(FS1)과 반대하는 제2 면(FS2)를 포함한다. 제2 면(FS2)의 폭(FSW2)은 제1 면(FS1)의 폭(FSW1)보다 작거나 같을 수 있다. 따라서, 도전성 패턴들(CPT)은 셀 마스크(CMK)에 제공되는 홀들(HL)과 중첩되지 않는다. 본 발명의 일 예로, 도전성 패턴들(CPT) 각각은 제1 면(FS1)과 제2 면(FS2)을 연결하는 측면부(CV)를 더 포함한다. 측면부(CV)는 곡면 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 예로, 마스킹 패턴들(MPT) 각각의 폭(MPW)은 연속적이다. 후술할 도 11을 참조하면, 마스킹 패턴들(MPT)은 고분자 층(PL)을 건식 에칭하는 공정을 통해 패터닝 된다. 마스킹 패턴들(MPT) 각각의 폭(MPW)은 복수의 도전성 패턴들(CPT) 중 대응하는 도전성 패턴(CPT)측으로 갈수록 연속적으로 감소할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 장치의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 증착 장치(DPD)는 챔버(CHB), 증착원(ES), 스테이지(STG), 이동 플레이트(PP) 및 마스크 어셈블리(MKA)를 포함할 수 있다.
챔버(CHB)는 밀폐된 공간을 제공한다. 이동 플레이트(PP), 증착원(ES), 스테이지(STG) 및 마스크 어셈블리(MKA)는 챔버(CHB) 내에 배치될 수 있다. 챔버(CHB)는 적어도 하나의 게이트(GT)를 구비할 수 있다. 게이트(GT)에 의해 챔버(CHB)가 개폐될 수 있다. 대상 기판(SUB)은 챔버(CHB)에 구비된 게이트(GT)를 통하여 출입될 수 있다.
이동 플레이트(PP)는 대상 기판(SUB)을 마스크 어셈블리(MKA) 위에 정렬시킬 수 있다. 이동 플레이트(PP)는 상하 또는 좌우로 이동 가능할 수 있다. 이동 플레이트(PP)에는 대상 기판(SUB)을 이동시키기 위한 수단과 대상 기판(SUB)을 흡착시키기 위한 수단이 구비될 수 있다.
증착원(ES)은 증착 물질을 포함한다. 이 때, 증착 물질은 승화 또는 기화가 가능한 물질로 무기물, 금속 또는 유기물 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 본 실시 예에 따른 증착원(ES)은 유기 발광 소자를 제작하기 위한 유기물을 포함하는 경우를 예시적으로 설명한다.
스테이지(STG)는 증착원(ES)의 위에 배치된다. 스테이지(STG) 위에 마스크 어셈블리(MKA)가 안착될 수 있다. 마스크 어셈블리(MKA)는 후술할 마스크 어셈블리(MKA)의 제조 공정을 통해 제조된 후 스테이지(STG) 상에 배치될 수 있다. 마스크 어셈블리(MKA)는 증착원(ES)과 대향할 수 있다. 스테이지(STG)는 마스크 어셈블리(MKA)의 마스크 프레임(MF)과 중첩하여 마스크 어셈블리(MKA)를 지지할 수 있다. 스테이지(STG)는 셀 마스크(CMK)의 마스킹 부(MP, 도 2 참조)와 비중첩한다. 스테이지(STG)는 셀 마스크(CMK)의 증착부들(EVP)와 비중첩할 수 있다. 즉, 스테이지(STG)는 증착원(ES)으로부터 대상 기판(SUB)으로 공급되는 증착 물질의 이동 경로와 비중첩할 수 있다.
마스크 어셈블리(MKA) 위에는 대상 기판(SUB)이 배치된다. 증착 물질은 셀 마스크(CMK)에 포함된 복수의 홀들(HL)을 관통하여 대상 기판(SUB)에 증착되어, 대상 기판(SUB) 상에 복수의 패턴을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 패턴은 유기 발광 소자의 발광 패턴일 수 있다.
증착 장치(DPD)를 이용하여 표시 장치의 발광 패턴 등을 증착하는 공정에는 대상 기판(SUB)을 위에 두고, 증착 물질을 아래에서 위로 증착시키는 상향식 증착법이 주로 사용되고 있다. 이 경우, 마스크 어셈블리(MKA) 중 스테이지(STG)와 비중첩하여 스테이지(STG)로부터 지지되지 않는 부분이 중력에 의하여 아래로 처져, 마스크 어셈블리(MKA)와 대상 기판(SUB) 사이에 간격이 발생하지 않도록 하는 것이 필요하다. 마스크 어셈블리(MKA)가 금속을 포함하는 등 자화 가능한 물질을 포함하는 경우, 이동 플레이트(PP) 내부 또는 이동 플레이트(PP) 상부에 자석을 배치하여 자기장이 형성되도록 해 마스크 어셈블리(MKA)과 대상 기판(SUB)의 밀착도를 높일 수 있다.
다만, 본 발명의 일 예로 셀 마스크(CMK)가 고분자 물질을 포함할 경우, 상기한 자기장에 셀 마스크(CMK)가 반응하지 않아 셀 마스크(CMK)와 대상 기판(SUB) 간의 밀착도를 높이기 어려울 수 있다. 따라서 본 발명의 일 예로, 도전성 물질을 포함하는 메쉬 프레임(MSF)을 마스크 프레임(MF)과 셀 마스크(CMK) 사이에 배치할 수 있다.
메쉬 프레임(MSF)이 상기한 자기장에 반응하여 자화되면, 자력에 의해 메쉬 프레임(MSF)과 대상 기판(SUB)이 밀착될 수 있고, 그에 따라 셀 마스크(CMK)와 대상 기판(SUB) 간의 밀착도를 높일 수 있다. 본 발명의 일 예로, 메쉬 프레임(MSF)이 셀 마스크(CMK)에 포함된 마스킹 패턴들(MPT)에 대응하여 배치되는 도전성 패턴들(CPT)을 포함하는 경우, 셀 마스크(CMK)의 증착부들(EVP)과 대상 기판(SUB) 간의 밀착도를 높일 수 있다. 이를 통해 셀 마스크(CMK)와 대상 기판(SUB)사이에 발생한 간격에 의한 발광 패턴의 미스 얼라인 및 증착 물질이 대상 기판(SUB)을 향해 이동하는 것이 방해받아 증착되지 않는 그림자 효과(shadowing effect)등을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 예로 각 도전성 패턴(CPT)의 폭이 대응하는 마스킹 패턴(MPT)의 폭(MPW)보다 작거나 같을 경우, 메쉬 프레임(MSF)은 증착원(ES)으로부터 복수의 홀들(HL)을 통해 대상 기판(SUB)으로 공급되는 증착 물질의 이동 경로 상에 배치되지 않을 수 있다. 따라서 셀 마스크(CMK)와 대상 기판(SUB) 간의 밀착도를 높이기 위해 메쉬 프레임(MSF)을 배치하더라도, 증착 물질이 메쉬 프레임에 의한 그림자 효과로 대상 기판(SUB)에 증착되지 않는 것을 방지할 수 있다.
증착 장치(DPD)를 통해 대상 기판(SUB)에 증착 물질을 증착한 후, 마스크 어셈블리(MKA)로부터 대상 기판(SUB)을 분리할 수 있다. 마스크 어셈블리(MKA)로부터 분리된 초기 기판은 대상 기판(SUB) 상에 발광 패턴층들이 형성된 상태일 수 있다. 발광 패턴층들은 마스크 어셈블리(MKA)의 복수의 증착부들(EVP) 각각에 대응되어 형성될 수 있다. 발광 패턴층들 각각은 복수의 발광 패턴들을 포함할 수 있다. 그 후, 초기 기판을 이용하여 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 제조할 수 있다.
이하, 도 5 내지 도 14에서 마스크 어셈블리(MKA)의 제작 방법에 대하여 설명하도록 한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 베이스 기판 상에 고분자 층, 도전층 및 하드 마스킹 층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 3을 참조하면, 마스크 어셈블리(MKA)의 제작 방법은 복수의 마스킹 패턴들(MPT)를 포함하는 셀 마스크(CMK)를 형성하고, 마스킹 패턴들(MPT)에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들(CPT)을 포함하는 메쉬 프레임(MSF)를 형성하는 단계를 포함한다. 마스크 어셈블리(MKA)의 제작 방법은 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 마스크 프레임(MF) 상에 배치하는 단계를 더 포함한다.
도 5를 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 베이스 기판(BS) 상에 고분자 층(PL)을 형성하는 단계, 고분자 층(PL) 상에 도전층(CL)을 형성하는 단계 및 도전층(CL) 상에 하드 마스킹 층(HML)을 형성하는 단계 포함한다.
본 발명의 일 예로, 베이스 기판(BS)은 유리, 플라스틱, 세라믹, 금속 등을 포함할 수 있다. 고분자 층(PL)은 제1 고분자 물질을 포함한다. 고분자 층(PL)은 베이스 기판(BS) 상에 제1 고분자 물질을 도포하여 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 고분자 물질은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다
도전층(CL)은 고분자 층(PL) 상에 도전성 물질을 증착하여 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로 도전층(CL)은 고분자 층(PL) 상에 스퍼터링(sputtering)을 통해 도전성 물질을 증착하여 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 도전층(CL)은 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 도전층(CL)은 스테인리스 스틸, 인바 합금, ITO 및 IZO 등을 포함할 수 있다.
하드 마스킹 층(HML)은 도전층(CL) 및 고분자 층(PL)을 마스킹하기 위한 층이다. 본 발명의 일 예로, 하드 마스킹 층(HML)은 제2 고분자 물질을 포함한다. 하드 마스킹 층(HML)은 도전층(CL) 상에 제2 고분자 물질을 도포하여 형성될 수 있다. 제1 고분자 물질과 제2 고분자 물질은 서로 다른 물질일 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 고분자 물질은 질화 규소(silicon nitride), 산화 규소(silicon oxide), 비결정성 실리콘(a-si) 등을 포함할 수 있다. 그러나, 하드 마스킹 층(HML)은 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함할 수도 있다. 이 경우, 하드 마스킹 층(HML)은 도전층(CL) 상에 스퍼터링을 통해 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 증착하여 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 하드 마스킹 층 상에 포토 레지스터를 도포하는 단계를 도시한 공정도이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 레지스트를 패터닝하여 식각 마스크를 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 하드 마스킹 층(HML) 상에 포토 레지스트(photoresist)(PR)를 도포하는 단계 및 포토 레지스트(PR)를 패터닝하여 식각 마스크(EM)를 형성하는 단계를 더 포함한다.
포토 레지스트(PR)는 빛에 반응하여 특성이 변하는 감광성 물질을 포함하고, 포토 레지스트(PR) 중 는 빛을 받은 부분과 빛을 받지 않은 부분의 특성이 달라진다. 따라서 부분적으로 개구된 차광막을 포토 레지스트(PR) 상에 배치한 후, 포토 레지스트(PR)에 빛을 조사하는 노광 공정을 진행하면 차광막에 의해 노출된 포토 레지스트(PR)의 일부분이 노광될 수 있다. 이후, 노광된 부분을 현상하여 식각 마스크(EM)를 형성할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 식각 마스크(EM)는 후술할 하드 마스킹 층(HML)을 에칭하기 위한 식각 패턴을 포함할 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 마스크를 이용하여 제1 패턴층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 식각 마스크를 제거하는 단계를 도시한 공정도이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 패턴층을 이용하여 제2 패턴층을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 8 내지 도 10을 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 에칭용 패턴(ETP)을 포함하는 마스크 패턴층(MPL)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
마스크 패턴층(MPL)은 하드 마스킹 층(HML)이 에칭되어 형성된 제1 패턴층(PTL1) 및 도전층(CL)이 에칭되어 형성된 제2 패턴층(PTL2)을 포함한다. 에칭용 패턴(ETP)은 제1 패턴층(PTL1)에 포함된 복수의 제1 패턴들(PT1) 및 제2 패턴층(PTL2)에 제공된 복수의 제2 패턴들(PT2)을 포함한다.
제1 패턴들(PT1)을 포함하는 제1 패턴층(PTL1)을 형성하기 위해, 식각 마스크(EM)을 이용하여 하드 마스킹 층(HML, 도 7 참조)을 에칭할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 하드 마스킹 층(HML)은 제2 기체를 이용하여 에칭될 수 있다. 제2 기체는 하드 마스킹 층(HML) 및 도전층(CL) 중 하드 마스킹 층(HML)을 선택적으로 에칭하는 기체일 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 기체는 불소(fluorine) 계열의 기체일 수 있다. 하드 마스킹 층(HML)은 플라즈마(plasma) 상태의 제2 기체를 이용하여 에칭될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 하드 마스킹 층(HML)이 질화 규소(silicon nitride), 산화 규소(silicon oxide), 비결정성 실리콘(a-si) 등을 포함하고, 도전층(CL)이 스테인리스 스틸, 인바 합금, ITO 및 IZO 등을 포함할 경우, 제2 기체는 하드 마스킹 층(HML) 및 도전층(CL) 중 하드 마스킹 층(HML)만을 선택적으로 에칭할 수 있다.
제1 패턴층(PTL1)을 형성한 후에, 식각 마스크(EM)를 제거할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 예로 식각 마스크(EM)는 제1 패턴층(PTL1)을 이용하여 제2 패턴층(PTL2)을 형성하는 단계 이후에 제거될 수도 있다.
제2 패턴들(PT2)을 포함하는 제2 패턴층(PTL2)을 형성하기 위하여, 제1 패턴층(PTL1)을 이용하여 도전층(CL)을 에칭할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 제1 패턴층(PTL1), 도전층(CL) 및 고분자 층(PL) 중 상기 도전층(CL)만을 선택적으로 에칭시킬 수 있는 에칭액을 이용하여 도전층을 에칭할 수 있다. 도전층(CL)은 에칭액을 통하여 습식 에칭(wet etching)되어, 등방성 에칭(isotropic etching) 될 수 있다. 습식 에칭 방식으로 도전층(CL)이 에칭될 경우, 제2 패턴들(PT2) 각각의 측면은 곡면 형상을 포함할 수 있다. 또한, 제1 패턴들(PT1)보다 제2 패턴들(PT2)이 더 식각되는 언더컷(undercut) 현상이 발생할 수도 있다.
도전층(CL)을 에칭하기 위하여 제1 패턴층(PTL1)을 이용할 경우, 도전층(CL)을 에칭하기 위해 별도의 포토 레지스트를 도포하고, 도포된 포토 레지스트를 패터닝 하는 과정을 거치지 않아도 된다. 따라서 마스크 어셈블리(MKA)의 제조 공정에 걸리는 시간을 단축할 수 있고, 제조 공정을 단순화 할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴층을 이용하여 셀 마스크를 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 11을 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 마스크 패턴층(MPL)을 이용하여 마스킹 패턴들(MPT)을 포함하는 셀 마스크(CMK)를 형성하는 단계를 더 포함한다.
본 발명의 일 예로, 셀 마스크(CMK)를 형성하기 위해 마스크 패턴층(MPL)을 이용하여 고분자 층(PL)을 에칭할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 고분자 층(PL)은 제1 패턴층(PTL1) 및 고분자 층(PL) 중 고분자 층(PL)만을 선택적으로 에칭하는 제1 기체를 이용하여 에칭될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 기체는 산소(oxygen) 계열의 기체일 수 있다. 하드 마스킹 층(HML)은 플라즈마(plasma) 상태의 제1 기체를 이용하여 에칭될 수 있다.
본 발명의 일 예로, 고분자 층(PL)이 폴리이미드를 포함하고, 제1 패턴층(PTL1)이 질화 규소(silicon nitride), 산화 규소(silicon oxide), 비결정성 실리콘(a-si) 등을 포함하는 경우, 제1 기체는 제1 패턴층(PTL1) 및 고분자 층(PL) 중 고분자 층(PL)을 선택적으로 에칭할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 기체는 고분자 층(PL), 제1 패턴층(PTL1) 및 제2 패턴층(PTL2) 중 고분자 층(PL)만을 선택적으로 에칭할 수 있다.
본 발명의 일 예로, 고분자 층(PL)의 두께는 수~수십 마이크로미터로 형성될 수 있다. 따라서 고분자 층(PL)은 제2 기체를 이용하여 건식 에칭(dry etching)되더라도, 제2 패턴들(PT2)보다 마스킹 패턴들(MPT)이 더 식각되는 언더컷 현상이 발생할 수 있다. 이 경우, 제2 패턴들(PT2)의 폭(PTW)은 마스킹 패턴들(MPT)의 폭(MPW)보다 넓을 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 패턴들을 에칭하여 도전성 패턴들을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 12를 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 셀 마스크(CMK)를 형성하는 단계 이후에 제2 패턴들(PT2)를 에칭하여 도전성 패턴들(CPT)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
제2 패턴들(PT2)은 제1 패턴층(PTL1), 제2 패턴층(PTL2) 및 셀 마스크(CMK) 중 제2 패턴층(PT2)만을 선택적으로 에칭시키는 에칭액을 이용하여 에칭될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제2 패턴들(PT2)의 에칭시 사용되는 에칭액은, 도전층(CL)을 에칭하는 단계에서 이용되는 에칭액과 같은 물질을 포함할 수 있다.
제2 패턴들(PT2)은 에칭액을 통해 습식 에칭되어, 등방성 에칭 될 수 있다. 도전성 패턴들(CPT)은 측면부(CV)를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 측면부(CV)는 곡면 형상을 포함할 수 있다. 셀 마스크(CMK)에 포함된 마스킹 패턴들(MPT)은 제2 패턴들(PT2)을 에칭하는 과정에서 에칭되지 않는다. 따라서 도전성 패턴들(CPT)의 폭은 마스킹 패턴들(MPT)의 폭(MPW)보다 작거나 같을 수 있다. 본 발명의 일 예로 도전성 패턴들(CPT) 각각에 포함된 제2 면(FS2)의 폭(FSW2)은 마스킹 패턴들(MPT)의 폭(MPW)보다 작고, 제1 면(FS1)의 폭(FSW1)의 폭(FSW1)은 마스킹 패턴들(MPT)의 폭(MPW)과 같을 수 있다. 다만, 본 발명의 일 예로, 제1 면(FS1)의 폭(FSW1)이 마스킹 패턴들(MPT)의 폭(MPW)보다 작을 수도 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하여 메쉬 프레임을 형성하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 13을 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 마스크 패턴층(MPL)을 부분적으로 제거하여 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계를 더 포함한다.
마스크 패턴층(MPL)은 제1 패턴층(PTL1, 도 11 참조) 및 제2 패턴층(PTL2) 중 제1 패턴층(PTL1)을 선택적으로 에칭하는 제2 기체를 이용하여 부분적으로 제거될 수 있다. 마스크 패턴층(MPL)으로부터 제1 패턴층(PTL1)을 제거하여 메쉬 프레임(MSF)을 형성할 수 있다. 제2 기체는 셀 마스크(CMK), 제1 패턴층(PTL1) 및 제2 패턴층(PTL2) 중 제1 패턴층(PTL1)만을 선택적으로 에칭할 수 있다. 본 발명의 일 예로, 제1 패턴층(PTL1)을 제거하는 과정에서 이용되는 제2 기체는 하드 마스킹 층(HML)을 에칭하는 과정에서 이용되는 제2 기체와 같은 기체를 이용할 수도 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 셀 마스크로부터 베이스 기판을 분리하는 단계를 도시한 공정도이다.
도 14를 참조하면, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 형성하는 단계는 셀 마스크(CMK)로부터 베이스 기판(BS)을 분리하는 단계를 더 포함한다.
마스크 어셈블리(MKA)는 베이스 기판(BS)으로부터 분리된 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)을 마스크 프레임(MF) 상에 배치하여 제작된다. 본 발명의 일 예로, 셀 마스크(CMK) 및 메쉬 프레임(MSF)에 인장력이 가해진 상태에서 마스크 프레임(MF) 상에 배치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
MKA: 마스크 어셈블리 CMK: 셀 마스크
MPT: 마스킹 패턴 MF: 마스크 프레임
MSF: 메쉬 프레임 CPT: 도전성 패턴
BS: 베이스 기판 PL: 고분자 층
CL: 도전층 HML: 하드 마스킹 층
PR: 포토 레지스터 EM: 식각 마스크
PT1: 제1 패턴 PT2: 제2 패턴
PTL1: 제1 패턴층 PTL2: 제2 패턴층
MPL: 마스크 패턴층

Claims (20)

  1. 복수의 마스킹 패턴들을 포함하는 셀 마스크를 형성하고, 상기 마스킹 패턴들에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들을 포함하는 메쉬 프레임을 형성하는 단계; 및
    상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 마스크 프레임 상에 배치하는 단계를 포함하고,
    상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는,
    베이스 기판 상에 고분자 층을 형성하는 단계;
    상기 고분자 층 상에 도전층을 형성하는 단계;
    상기 도전층에 하드 마스킹 층을 형성하는 단계;
    상기 하드 마스킹 층 및 상기 도전층을 에칭하여 에칭용 패턴들을 포함하는 마스크 패턴층을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크 패턴층을 이용하여 상기 고분자 층을 에칭하여 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 고분자 층은 제1 고분자 물질을 포함하고,
    상기 하드 마스킹 층은, 제2 고분자 물질을 포함하며,
    상기 제2 고분자 물질은 상기 제1 고분자 물질과 다른 물질인 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는,
    상기 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하여 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계; 및
    상기 셀 마스크로부터 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 마스크 패턴층은,
    상기 하드 마스킹 층이 에칭되어 형성된 제1 패턴층; 및
    상기 도전층이 에칭되어 형성된 제2 패턴층을 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  5. 제4 항에 있어서, 상기 고분자 층을 에칭하는 단계는,
    상기 제1 패턴층 및 상기 고분자 층 중 상기 고분자 층을 선택적으로 에칭하는 제1 기체를 이용하여 상기 고분자 층을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  6. 제4 항에 있어서, 상기 마스크 패턴층을 부분적으로 제거하는 단계는,
    상기 제1 및 제2 패턴층 중 상기 제1 패턴층을 선택적으로 에칭하는 제2 기체를 이용하여 상기 마스크 패턴층으로부터 상기 제1 패턴층을 제거하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제2 기체는, 상기 셀 마스크, 제1 패턴층 및 제2 패턴층 중 상기 제1 패턴층을 선택적으로 에칭하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  8. 제4 항에 있어서, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는,
    상기 하드 마스킹 층 상에 포토 레지스터를 도포하는 단계; 및
    상기 포토 레지스트를 패터닝하여 식각 마스크를 형성하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 에칭용 패턴은,
    상기 제1 패턴층에 제공된 복수의 제1 패턴들; 및
    상기 제2 패턴층에 제공된 복수의 제2 패턴들을 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 마스크 패턴층을 형성하는 단계는,
    상기 식각 마스크를 이용하여 상기 하드 마스킹 층을 에칭하여, 상기 제1 패턴들을 포함하는 상기 제1 패턴층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 패턴층을 이용하여 상기 도전층을 에칭하여, 상기 제2 패턴들을 포함하는 상기 제2 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  11. 제10 항에 있어서, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는,
    상기 제1 패턴층을 형성하는 단계 이후에, 상기 식각 마스크를 제거하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  12. 제10 항에 있어서, 상기 하드 마스킹 층을 에칭하는 단계는,
    제2 기체를 이용하여 상기 하드 마스킹 층을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 기체는, 상기 하드 마스킹 층 및 상기 도전층 중 상기 하드 마스킹 층을 선택적으로 에칭하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  14. 제10 항에 있어서, 상기 도전층을 에칭하는 단계는,
    상기 제1 패턴층, 도전층 및 고분자 층 중 상기 도전층을 선택적으로 에칭시키는 에칭액을 이용하여 상기 도전층을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  15. 제10 항에 있어서, 상기 셀 마스크 및 상기 메쉬 프레임을 형성하는 단계는,
    상기 셀 마스크를 형성하는 단계 이후에, 상기 제2 패턴들을 에칭하여 상기 도전성 패턴들을 형성하는 단계를 더 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 제2 패턴들을 에칭하는 단계는,
    상기 제1 패턴층, 제2 패턴층 및 셀 마스크 중 상기 제2 패턴층을 선택적으로 에칭시키는 에칭액을 이용하여 상기 제2 패턴층에 포함된 상기 제2 패턴들을 에칭하는 단계를 포함하는 마스크 어셈블리의 제작 방법.
  17. 셀 개구부 및 상기 셀 개구부의 테두리를 따라 정의된 외측 프레임을 포함하는 마스크 프레임;
    상기 마스크 프레임 상에 배치되고, 상기 셀 개구부에 대응하여 배치되는 복수의 마스킹 패턴을 포함하며, 고분자 물질을 포함하는 셀 마스크; 및
    상기 마스크 프레임과 상기 셀 마스크 사이에 배치되고, 상기 마스킹 패턴들에 대응하여 배치되는 복수의 도전성 패턴들을 포함하는 메쉬 프레임을 포함하고,
    상기 마스킹 패턴들 각각의 폭은, 상기 복수의 도전성 패턴들 중 대응하는 도전성 패턴측으로 갈수록 연속적으로 감소하는 마스크 어셈블리.
  18. 제17 항에 있어서, 상기 도전성 패턴들 각각은 상기 마스킹 패턴들에 맞닿는 제1 면; 및
    상기 제1 면과 반대하는 제2 면을 포함하며,
    상기 제1 면의 폭은, 대응되는 각각의 상기 마스킹 패턴들의 폭보다 좁거나 같고,
    상기 제2 면의 폭은 상기 제1 면의 폭보다 작은 마스크 어셈블리.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 도전성 패턴들 각각은 상기 제1 면 및 상기 제2 면을 연결하는 측면부를 더 포함하고,
    상기 측면부는 곡면 형상을 갖는 마스크 어셈블리.
  20. 제17 항에 있어서,
    상기 메쉬 프레임은, 금속 물질 또는 투명 전도성 산화물을 포함하고,
    상기 셀 마스크는, 폴리 이미드를 포함하는 마스크 어셈블리.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0958617A1 (en) * 1996-06-12 1999-11-24 The Trustees Of Princeton University Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays
US6573167B2 (en) * 2000-08-10 2003-06-03 Texas Instruments Incorporated Using a carbon film as an etch hardmask for hard-to-etch materials
US8153346B2 (en) * 2007-02-23 2012-04-10 Fujifilm Electronic Materials, U.S.A., Inc. Thermally cured underlayer for lithographic application
JP5288073B2 (ja) * 2012-01-12 2013-09-11 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6142196B2 (ja) * 2013-03-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法
US20180002803A1 (en) * 2015-01-05 2018-01-04 Sharp Kabushiki Kaisha Deposition mask, deposition device, and deposition mask manufacturing method
CN109072411B (zh) * 2016-02-10 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
KR102532305B1 (ko) * 2016-06-15 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
CN106591776B (zh) * 2016-12-28 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 精细掩膜板及其制作方法
CN108251796B (zh) * 2018-01-31 2020-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种精细金属掩膜板及其制备方法、掩膜集成框架
WO2020181849A1 (zh) * 2019-03-11 2020-09-17 陈鼎国 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件
KR20210113526A (ko) * 2020-03-06 2021-09-16 삼성디스플레이 주식회사 마스크의 제조 방법, 이에 따라 제조된 마스크 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법

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