CN103236398B - 光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板,所述方法包括:步骤1、提供光罩掩模板半成品,该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区;步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽。本发明的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板,通过对设于有效开口区周围的无效区域进行半蚀刻,在无效区上形成凹槽,降低有效开口区与无效区之间的质量差异,有效避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题,进而保证光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置,保证镀膜图案的精度。
Description
技术领域
本发明涉及平面显示装置领域,尤其涉及一种有机发光显示面板蒸镀用的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板。
背景技术
平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)及有机发光显示装置(OLED,Organic Light Emitting Display)。
请参阅图1,现有的有机发光显示装置一般包括:玻璃基板900、形成于玻璃基板900上的透明导电层902、形成于透明导电层902上空穴传输层(HTL,Hole Transport Layer)904、形成于空穴传输层904上的有机发光层(EML,Emitting Material Layer)906、形成于有机发光层906上的电子传输层(ETL,Electron Transport Layer)908及形成于电子传输层908上的阴极(Cathode)909,其中,所述透明导电层902为有机发光显示装置的阳极(Anode),其一般由铟锡氧化物(ITO,Indium Tin Oxide)形成,当该有机发光显示装置受到直流电(DC,Direct Current)所衍生的顺向偏压时,外加的电压能量将驱动电子(Electron)与空穴(Hole)分别由阴极909与阳极902注入有机发光显示装置,当电子与空穴两者在传导中相遇、结合,即形成所谓的电子-空穴复合(Electron-Hole Capture)。而当有机发光层906的化学分子受到外来能量激发后,如果电子自旋(Electron Spin)和基态电子成对,则为单重态(Singlet),其所释放的光为荧光(Fluorescence);反之若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行,则称为三重态(Triplet),其所释放的光为磷光(Phosphorescence)。当电子的状态位置由激态高能阶回到稳态低能阶时,其能量将分别以光子(Light Emission)或热能(Heat Dissipation)的方式放出,其中光子的部分被用于显示功能。
在有机发光显示装置的生产制程中,蒸镀被广泛应用,其通过在光罩掩模板上设置具有与各层所要求的预定图案相对应的蒸镀孔隙来限定蒸镀区域,从而在基板上形成所需图案。
通常蒸镀制程是在真空室内进行,以基板的底面作为蒸镀面,而将光罩掩模板设置于蒸镀面与蒸发源之间,进行蒸镀时,是将蒸发源加热使蒸镀材料蒸发,并经由光罩掩模板的蒸镀孔隙附着于蒸镀面上,进而在蒸镀面上形成所需要的图案。
请参阅图2,为现有的一种光罩掩模板的结构示意图,其一般由玻璃、石英、氟化镁或氟化钙等热膨胀系数与加工元件基板相同或在其下的材料制成,其上以矩阵形态配置有多个工作单元11,在工作单元11中,以向内部凹设的形态形成一厚度约在50-500μm的遮蔽层12,并于该遮蔽层12上镂刻有与所要求的预定图案相对应的贯穿空槽作为蒸镀孔隙13,为了防止工作单元11变形而导致蒸镀精度偏差,在工作单元11的周缘形成具有较大厚度约在50μm-数公分(cm)的肋部14。在使用时,光罩掩模板由支持机构(未图示)固定于加工元件基板的蒸镀面下,但由于其较薄,不易对位固定,安装耗时较长,生产成本相对较高。
为了解决上述问题,出现了一种由磁力吸附固定的光罩掩模板,其由磁吸材料制成。如图3与图4所示,该光罩掩模板上设有数个有效开口区100及设于有效开口区100之间的无效区300,所述有效开口区100上设有对应预定图案的蒸镀孔隙(未图示)。蒸镀前通过磁板(未图示)吸付光罩掩模板有效开口区100,使得该有效开口区100完全平贴于基板上,以避免阴影效应(shadoweffect)。所述有效开口区100的尺寸大小依据基板(未图示)有效区设置。然而,由于有效开口区100设有数个蒸镀孔隙,这就使得有效开口区100的质量与两有效开口区100之间的无效区300质量不同,在磁力吸付光罩掩模板时会导致质量不同区块吸附先后顺序不一,造成有效开口区100未能有效平贴于预定位置,进而导致像素(pixel)位置偏移。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光罩掩模板的制作方法,其通过对无效区进行半蚀刻,降低制得的光罩掩模板的有效开口区与相邻的无效区的质量差异,有效避免光罩掩模板在吸附时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致的吸附顺序不一的问题。
本发明的另一目的在于提供一种光罩掩模板,其通过在无效区上设有凹槽,减小有效开口区与相邻的无效区的质量差异,有效保证在光罩掩模板吸附时,光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置,进而保证镀膜图案的精度。
为实现上述目的,本发明提供一种光罩掩模板的制作方法,包括以下步骤:
步骤1、提供光罩掩模板半成品,该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区;
步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽。
所述步骤2减小无效区的质量。
所述步骤2减小无效区的质量,使得具有与有效开口区相同面积的无效区的质量与所述有效开口区的质量相等。
步骤1中所述有效开口区上设有数个蒸镀孔隙。
所述光罩掩模板半成品由磁吸材料制成,其为一体式或拼接式。
本发明还提供一种光罩掩模板,设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区,所述无效区上设有凹槽。
所述凹槽用于减小无效区质量,具有与有效开口区相同面积的无效区的质量与所述有效开口区的质量相等。
所述有效开口区上设有数个蒸镀孔隙。
所述凹槽通过半蚀刻制程形成。
所述光罩掩模板由磁吸材料制成,其为一体式或拼接式。
本发明的有益效果:本发明的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板,通过对设于有效开口区周围的无效区进行半蚀刻,在无效区上形成凹槽,降低有效开口区与无效区之间的质量差异,有效避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题,进而保证光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置,保证镀膜图案的精度。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有的有机发光装置的立体结构示意图;
图2为现有的一种光罩掩模板的局部剖面示意图
图3为现有的另一种光罩掩模板的平面结构示意图;
图4为图3所示的光罩掩模板的剖面示意图;
图5为本发明光罩掩模板的制作方法的流程图;
图6为本发明光罩掩模板的平面结构示意图;
图7为本发明光罩掩模板的剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图5至图7,本发明提供一种光罩掩模板的制作方法,包括以下步骤:
步骤1、提供光罩掩模板半成品,该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区22及位于有效开口区22周围的无效区24。
所述光罩掩模板半成品通过现有技术提供,其由磁吸材料制成,该光罩掩模板半成品可为一整张的一体式光罩掩模板(full sheet mask),也可为拼接式光罩掩模板(divide mask)。
所述有效开口区22上设有数个蒸镀孔隙222,该些蒸镀孔隙222根据欲蒸镀的图案设置。
步骤2、通过半蚀刻制程在无效区24上形成凹槽242。
通过半蚀刻制程在无效区24上形成凹槽242,以减小无效区24的质量,所述凹槽242通过半蚀刻制程形成,操作简单,易于控制凹槽242的深度,进而有效减小开口区22与其相邻的无效区24的质量差异。为使所述有效开口区22与其相邻的无效区24的质量差异减小,具有与有效开口区22相同面积的无效区24的质量与所述有效开口区22的质量大体相等,优选具有与有效开口区22相同面积的无效区24的质量与所述有效开口区22的质量相等;从而避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区22与无效区24之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题,进而保证光罩掩模板的有效开口区22能完全平贴于基板(未图示)上的预定位置。
在该光罩掩模板使用时,通过磁板吸附于基板上,由于本发明的光罩掩模板的有效开口区22与无效区24之间的质量差异较小,使得有效开口区22能完全平贴于基板上的预定位置上,通过加热蒸发源(未图示)使蒸镀材料(未图示)蒸发,并经由光罩掩模板的蒸镀孔隙222附着于基板的蒸镀面上,进而在基板的蒸镀面上精确的形成所需要的图案。
请参阅图6及图7,本发明还提供一种光罩掩模板,其上设有数个有效开口区22及位于有效开口区22周围的无效区24,所述无效区24上设有凹槽242。
在本实施例中,所述凹槽242通过半蚀刻制程形成,操作简单,易于控制凹槽242的深度,进而有效减小开口区22与其相邻的无效区24的质量差异。
所述光罩掩模板由磁吸材料制成,该光罩掩模板可为一整张的一体式光罩掩模板(full sheet mask),也可为拼接式光罩掩模板(divide mask)。
所述有效开口区22上设有数个蒸镀孔隙222,该些蒸镀孔隙222根据欲蒸镀的图案设置。
通过凹槽242的设置,实现所述有效开口区22与其相邻的无效区24的质量差异减小,优选具有与有效开口区22相同面积的无效区24的质量与所述有效开口区22的质量大体相等,更优选具有与有效开口区22相同面积的无效区24的质量与所述有效开口区22的质量相等,从而避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区22与无效区24之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题,进而保证光罩掩模板的有效开口区22能完全平贴于基板(未图示)上的预定位置。
在该光罩掩模板使用时,通过磁板吸附于基板上,由于本发明的光罩掩模板的有效开口区22与无效区24之间的质量差异较小,使得有效开口区22能完全平贴于基板上的预定位置上,通过加热蒸发源(未图示)使蒸镀材料(未图示)蒸发,并经由光罩掩模板的蒸镀孔隙222附着于基板的蒸镀面上,进而在基板的蒸镀面上精确的形成所需要的图案。
综上所述,本发明的光罩掩模板的制作方法及用该方法制作的光罩掩模板,通过对设于有效开口区周围的无效区进行半蚀刻形成凹槽,降低有效开口区与无效区之间的质量差异,有效避免在吸附光罩掩模板时由于有效开口区与无效区之间的质量差异较大而导致吸附顺序不一的问题,进而保证光罩掩模板的有效开口区能完全平贴于基板上的预定位置,保证镀膜图案的精度。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (7)
1.一种光罩掩模板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1、提供光罩掩模板半成品,该光罩掩模板半成品设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区;
步骤2、通过半蚀刻制程在无效区上形成凹槽;
所述步骤2减小无效区的质量;
所述步骤2减小无效区的质量,使得具有与有效开口区相同面积的无效区的质量与所述有效开口区的质量相等。
2.如权利要求1所述的光罩掩模板的制作方法,其特征在于,步骤1中所述有效开口区上设有数个蒸镀孔隙。
3.如权利要求1所述的光罩掩模板的制作方法,其特征在于,所述光罩掩模板半成品由磁吸材料制成,其为一体式或拼接式。
4.一种光罩掩模板,其特征在于,设有数个有效开口区及位于有效开口区周围的无效区,所述无效区上设有凹槽;
所述凹槽用于减小无效区质量,具有与有效开口区相同面积的无效区的质量与所述有效开口区的质量相等。
5.如权利要求4所述的光罩掩模板,其特征在于,所述有效开口区上设有数个蒸镀孔隙。
6.如权利要求4所述的光罩掩模板,其特征在于,所述凹槽通过半蚀刻制程形成。
7.如权利要求4所述的光罩掩模板,其特征在于,所述光罩掩模板由磁吸材料制成,其为一体式或拼接式。
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