JP2008208426A - 成膜用マスクおよび成膜用マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスクを重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生することのない成膜用マスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】被処理基板の下面に成膜用マスクのチップ２０の一方面２０ｘを重ねた状態で、薄膜パターン２６０ｃを形成する。次に、成膜用マスクをずらし、薄膜パターン２６０ｃに対してマスク開口部２２が長手方向で隣接するように、被処理基板の下面に成膜用マスクのチップ２０を重ね、薄膜パターン２６０ｃの延長線上に薄膜パターン２６０ｄを形成する。その際、先に形成した薄膜パターン２６０ｃは、チップ２０の溝状凹部２６ｂの内部に位置し、チップ２０とは接触しないため、薄膜パターン２６０ｃが損傷せず、成膜用マスクを外す際に薄膜パターン２６０ｃが剥離することもない。
【選択図】図６

Description

本発明は、成膜パターンに対応するマスク開口部が貫通する基板を備えた成膜用マスク、および当該成膜用マスクの製造方法に関するものである。

各種半導体装置や電気光学装置の製造工程では、成膜パターンに対応するマスク開口部が形成された成膜用マスクを被処理基板に重ね、この状態で真空蒸着法、スパッタ成膜、イオンプレーティング、ＣＶＤ法などの成膜を行うことがある。例えば、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）装置の製造工程において、発光素子用の有機ＥＬ材料（有機機能層）を所定形状に形成する際にフォトリソグラフィ技術を利用すると、パターニング用のレジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に有機機能材料が水分や酸素に触れて劣化するおそれがあるため、被処理基板に成膜用マスクを重ねた状態で真空蒸着を行なうマスク蒸着法によって有機機能層を形成する（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−２７６４８０号公報

しかしながら、被処理基板に薄膜を形成した後、マスク蒸着を行なうと、被処理基板に先に形成されている薄膜と成膜用マスクとが全面接触することになるので、蒸着後、被処理基板から成膜用マスクを外す際、先に形成されていた薄膜が剥がれ、不具合品が発生するという問題点がある。また、被処理基板に先に形成されている薄膜と成膜用マスクとが全面接触した際、先に形成されている薄膜が損傷することもある。

例えば、図１２（ａ）に示す成膜用マスク１０は、複数の開口領域３２が形成された支持基板３０と、開口領域３２を覆うように支持基板３０に接合された複数のチップ２０とを備えており、チップ２０には、被処理基板２００に対する成膜パターンに対応するマスク開口部２２が形成されている。かかる成膜用マスク１０を用いて、被処理基板２００に先に形成されている薄膜２１０の上層にさらに新たな薄膜２２０を形成する際には、被処理基板２００に先に形成されている薄膜と成膜用マスク１０とが接触することになる。このため、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク１０を外す際、図１２（ｄ）に示すように、先に形成されていた薄膜２１０の一部２１０ａが剥がれ、不具合品が発生してしまう。

また、成膜用マスク１０を用いて長い線状パターンを形成する際、成膜用マスク１０やマスク開口部２２のサイズ的な制約があって、一回の蒸着のみで長い線状パターンを形成するのは難しい。そこで、図１３（ａ）に示すように、短いパターン２４０を形成した後、図１３（ｂ）、（ｃ）に示すように、成膜用マスク１０の位置をずらして再度、短いパターン２５０を形成し、図１３（ｄ）に示すように、短いパターン２４０、２５０同士を接続して、長い線状パターンを形成する方法が採用される。しかしながら、図１３（ｃ）に示すように、成膜用マスク１０の位置をずらすと、被処理基板２００に先に形成されているパターン２４０と成膜用マスク１０が接触することになるので、蒸着後、被処理基板２００から成膜用マスク１０を外す際、図１３（ｅ）に示すように、先に形成されていたパターン２４０の一部２４０ａが剥がれ、不具合品が発生してしまう。

同様な問題点は、複数のパターンを並列して形成する際、例えば、一回目のマスク蒸着でパターンを一つおきに形成した後、成膜用マスクの位置をずらして、先に形成したパターンの間に新たなにパターンを形成する場合にも発生する。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスクを重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生することのない成膜用マスクおよびその製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、前記一方面には、当該一方面と前記被処理基板側との接触面積の低減を図る凹凸が形成されていることを特徴とする。

本発明に係る成膜用マスクの一方面には、当該一方面と被処理基板側との接触面積の低減を図る凹凸が形成されているため、先に薄膜が形成されている被処理基板に成膜用マスクを重ねた際、先に形成されている薄膜を成膜用マスクが避けた状態、あるいは、先に形成されている薄膜のうち、不要な部分のみと成膜用マスクとが接する状態とすることができる。それ故、先に薄膜が形成されている被処理基板に成膜用マスクを重ねた状態で成膜した後、被処理基板から成膜用マスクを外した際、先に形成されている薄膜が成膜用マスクに付着して剥がれるということが一切、発生しない。また、先に形成されている薄膜が成膜用マスクに付着して剥がれる場合でも、薄膜の不要な部分のみである。それ故、被処理基板に薄膜を形成した後、被処理基板に成膜用マスクを重ねて成膜した場合でも、先に形成した薄膜の損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。

本発明において、前記凹凸は、例えば、凹部である。このように構成すると、先に形成されている薄膜と凹部とが重なるように成膜用マスクを配置して、凹凸は、例えば、凹部である。このように構成すると、先に形成されている薄膜と凹部とが重なるように成膜用マスクを配置すれば、先に形成されている薄膜と成膜用マスクとが接触しないので、先に形成した薄膜の損傷や剥離が発生しない。

本発明において、前記マスク開口部が複数、スリット状に並列形成されている場合、前記凹部には、前記マスク開口部により挟まれた梁部で当該梁部に沿って延びた第１の溝状凹部が含まれていることが好ましい。このように構成すると、先に形成した薄膜で挟まれた領域に薄膜を新たに形成する際、先に形成した薄膜と第１の溝状凹部とが重なるように成膜用マスクを配置すれば、先に形成した薄膜と成膜用マスクとが接しないので、先に形成した薄膜の損傷や剥離が発生しない。

本発明において、前記マスク開口部が複数、スリット状に並列形成されている場合、前記凹部には、前記マスク開口部の延長線上に形成された第２の溝状凹部が含まれている構成を採用してもよい。このように構成すると、先に形成した薄膜の延長線上に薄膜を新たに形成する際、先に形成した薄膜と第２の溝状凹部とが重なるように成膜用マスクを配置すれば、先に形成した薄膜と成膜用マスクとが接しないので、先に形成した薄膜の損傷や剥離が発生しない。

このような成膜用マスクは、例えば、以下の方法で製造することができる。すなわち、成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクの製造方法において、前記一方面に凹部を形成するにあたっては、前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記一方面に形成された保護膜については、前記凹部と重なる領域の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する第１の基板エッチング工程と、前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、他の領域には保護膜を残す第２の保護膜パターニング工程と、前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記凹部を形成する第２の基板エッチング工程と、を行なう。このように構成すると、基板に対する２回のエッチング工程で基板にマスク開口部および凸部を形成することができる。

本発明において、前記凹凸は、前記基板と同一材料からなる凸部として形成されることもある。この場合、前記凸部の高さ寸法は、５μｍ以下であることが好ましい。

このような成膜用マスクは、例えば、以下の方法で製造することができる。すなわち、成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクの製造方法において、前記一方面に凸部を形成するにあたっては、前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記一方面に形成された保護膜については、前記凸部と重なる領域以外の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する第１の基板エッチング工程と、前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、前記凸部を形成する領域には保護膜を残す第２の保護膜パターニング工程と、前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記凸部を形成する第２の基板エッチング工程と、を行なう。このように構成すると、基板に対する２回のエッチング工程で基板にマスク開口部および凸部を形成することができる。

本発明において、前記凹凸は、前記基板と異なる材料からなる凸部として形成されることもある。この場合も、前記凸部の高さ寸法は、５μｍ以下であることが好ましい。

このような成膜用マスクは、例えば、以下の方法で製造することができる。すなわち、成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、前記一方面に凸部を形成するにあたっては、前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記一方面に形成された保護膜については、前記凸部と重なる領域以外の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する基板エッチング工程と、前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、他の領域には保護膜を前記凸部として残す第２の保護膜パターニング工程と、を行なう。このように構成すると、基板に対する１回のエッチング工程で基板にマスク開口部および凸部を形成することができる。

以下に、図面を参照して、本発明を適用した成膜用マスク、およびその製造方法について説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。以下の説明に用いる各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、以下の説明においては、図１２および図１３を参照して説明した構成との対応が分かりやすいように、共通する機能を有する部分は同一の符号を付して説明する。また、以下の実施の形態では、本発明の成膜用マスクが使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。

［共通構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置やプリンタの光学ヘッドなどとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。ここで、有機ＥＬ装置１が表示装置として用いられる場合、各画素３はマトリクス状に形成される。なお、有機ＥＬ装置１では、隔壁９が形成されずに、各々の層が所定の領域に形成されることもある。

有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。

これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。

ここで、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。

有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。また、電子注入輸送層７は、トリス（８−キノリラート）アルミニウムを含む有機アルミニウム錯体などが用いられる。

（有機ＥＬ装置１の製造方法）
素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明では、サイズを問わず、素子基板２（被処理基板）と称して説明する。

有機ＥＬ装置１を製造するには、素子基板２に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには補助配線８ａや陰極８を形成する際には、後述する成膜用マスクを用いてのマスク蒸着法によって、素子基板２に所定形状の薄膜を形成し、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。

（成膜用マスクの構成）
図２は、本発明を適用した成膜用マスク全体の基本的構成を示す斜視図である。図３は、成膜用マスクの一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。

図２および図３に示す成膜用マスク１０は、ベース基板をなす矩形の支持基板３０に、複数のチップ２０（基板）を複数、取り付けた構成を有している。本形態では、チップ２０はシリコン基板からなるものとする。各チップ２０は各々、アライメントされて支持基板３０に陽極接合や紫外線硬化型接着剤などにより接合されている。

成膜用マスク１０は、例えば、図１に示す補助配線８ａなどをマスク蒸着法により形成するためのマスクであり、チップ２０には、補助配線８ａなどの成膜パターンに対応する長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した状態で形成されている。このため、チップ２０には、マスク開口部２２の各間に梁部２７が形成されている。チップ２０において、マスク開口部２２の形成領域の周りには外枠部２５が形成されており、かかる外枠部２５が支持基板３０に接合されている。

支持基板３０には、長方形の貫通穴からなる複数の開口領域３２が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数のチップ２０は、支持基板３０の開口領域３２を塞ぐように支持基板３０上に固定されている。支持基板３０には、アライメントマーク３９が形成されており、アライメントマーク３９は、成膜用マスク１０を使用して蒸着などを行うときに、成膜用マスク１０の位置合わせを行うためのものである。なお、チップ２０の外枠部２５にアライメントマーク３９を形成してもよい。支持基板３０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同等の熱膨張係数をもつ材料で支持基板３０を構成する。このようにすることにより、支持基板３０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」や「撓み」の発生を抑えることができる。本形態では、支持基板３０としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英ガラスなどからなる透明基板が用いられている。

複数のチップ２０の各々において、外枠部２５の下面にはアライメントマーク２４が少なくとも２ヶ所形成されている。これらのアライメントマーク２４は、支持基板３０にチップ２０を固定する際の位置合わせに使用される。アライメントマーク２４は、フォトリソグラフィ技術または結晶異方性エッチングなどにより形成される。

本形態において、チップ２０は、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａからなり、後述するように、単結晶シリコン基板２０ａにフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて、貫通溝からなるマスク開口部２２を形成することにより、製造される。チップ２０の裏面には大きな凹部２９が形成されており、マスク開口部２２は、凹部２９の底部で開口している。このため、マスク開口部２２が形成された領域では基板厚が薄く、斜め方向に進行する蒸着粒子もマスク開口部２２を通過しやすくなっている。

（マスク蒸着法）
かかる成膜用マスク１０を用いて、素子基板２にマスク蒸着を行なう場合には、まず、素子基板２の下面（被成膜面／素子基板２の両面のうち、有機ＥＬ素子３ａが形成されている側の面）に成膜用マスク１０を重ねる。その結果、素子基板２の下面には成膜用マスク１０のチップ２０の上面（一方面）が当接する。この状態で真空蒸着を行なうと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積する。

なお、図１に示す有機ＥＬ装置１において、画素電極４は、画素毎に分離した状態に形成されているが、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７が複数の画素３に跨ってストライプ状に形成される場合があり、このような場合には、正孔注入輸送層５、発光層６および電子注入輸送層７も、成膜用マスク１０と同様、チップ２０において長孔形状のマスク開口部２２が複数一定間隔で平行に並列した構造の成膜用マスクが用いられる。いずれの場合も、図２および図３に示す成膜用マスク１０は、被成膜領域の所定領域に成膜を行った後、成膜用マスク１０をずらしながら複数回、成膜することにより、被成膜領域全体にわたってストライプ状の薄膜を形成する。

［実施の形態１］
（成膜用マスクの構成）
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図、Ａ−Ａ′断面図、およびこの蒸着用マスクを用いて素子基板に線状パターンを形成する様子を模式的に示す説明図である。

図４（ａ）、（ｂ）に示す成膜用マスク１０は、図４（ｃ）に示すように、素子基板２上に複数のストライプ状の薄膜パターン２６０を並列して形成するためのマスクであり、チップ２０には、薄膜パターン２６０のピッチの整数倍、例えば、２倍のピッチで長孔形状（スリット状）のマスク開口部２２が複数、並列形成されている。チップ２０の一方面２０ｘ（上面／被処理基板と接する側の面）には、マスク開口部２２により挟まれた梁部２７の幅方向の中央に溝状凹部２６ａ（第１の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が形成されており、溝状凹部２６ａは、梁部２７に沿ってマスク開口部２２と平行に延びている。また、チップ２０の一方面２０ｘには、外枠部２５にも梁部２７およびマスク開口部２２と平行に延びた溝状凹部２６ａが形成されている。このように形成した溝状凹部２６ａは、マスク開口部２２と同一ピッチで形成され、溝状凹部２６ａの開口幅寸法は、マスク開口部２２の開口幅寸法以上である。

このように構成したチップ２０を備えた成膜用マスク１０を用いて、素子基板２に複数のストライプ状の薄膜パターン２６０を並列して形成するにあたっては、まず、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねる。その結果、素子基板２の下面には成膜用マスク１０のチップ２０の上面（一方面２０ｘ）が当接する。この状態で真空蒸着を行なうと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積し、薄膜パターン２６０において一列おきに位置する薄膜パターン２６０ａが形成される。

次に、素子基板２に対して成膜用マスク１０の位置を矢印Ａ１で示す方向にずらし、先に形成した薄膜パターン２６０ａの間にマスク開口部２２が位置するように、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねる。この状態において、先に形成した薄膜パターン２６０ａは、チップ２０の溝状凹部２６ａの内部に位置し、チップ２０とは接触しない。この状態で真空蒸着を行なうと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積し、薄膜パターン２６０において一列おきに位置する薄膜パターン２６０ｂが形成される。

しかる後に、素子基板２から成膜用マスク１０を外すと、薄膜パターン２６０ａ、２６０ｂが交互に並ぶ薄膜パターン２６０が形成される。ここで、薄膜パターン２６０ｂを形成するために素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねた際、先に形成した薄膜パターン２６０ａは、チップ２０の溝状凹部２６ａの内部に位置し、チップ２０と接触しない。このため、薄膜パターン２６０ａが損傷するという事態が発生しない。また、薄膜パターン２６０ｂを形成した後、素子基板２から成膜用マスク１０を外す際、薄膜パターン２６０ａがチップ２０に付着して剥離するという事態も発生しない。それ故、素子基板２に成膜用マスク１０を重ねて成膜する工程を繰り返し行なっても、先に形成した薄膜パターン２６０ａの損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。

（成膜用マスクの製造方法）
図５（ａ）〜（ｇ）は、本形態の成膜用マスク１０の製造方法のうち、チップ２０の製造方法を示す工程断面図である。本形態の成膜用マスク１０を製造するにあたっては、まず、保護膜形成工程において、図５（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により、厚さが１μｍ程度の酸化膜２０ｂ（保護膜）を形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを酸化膜２０ｂで覆う。

次に、第１の保護膜パターニング工程においては、図５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いて、酸化膜２０ｂを０．５μｍ程度エッチングし、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂにおいて、溝状凹部２６ａと重なる領域の酸化膜２０ｂを薄手化する。次に、図５（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いてエッチングし、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去し、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２が形成される領域全体（少なくともマスク開口部２２と重なる領域）の酸化膜２０ｂを除去する。なお、溝状凹部２６ａと重なる領域の酸化膜２０ｂを薄手化する工程と、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去し、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２が形成される領域全体の酸化膜２０ｂを除去する工程とについてはその順序を入れ換えてもよい。

次に、第１の基板エッチング工程では、図５（ｄ）に示すように、酸化膜２０ｂをマスクとして用いて単結晶シリコン基板２０ａをエッチングし、マスク開口部２２を形成する。例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｂの除去領域（開口部）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対してウエットエッチングを行なう。ここで行なうウエットエッチングは、結晶異方性エッチングであり、単結晶シリコン基板２０ａの他方面２０ｙには大きな凹部２９が形成されるとともに、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘには、凹部２９の上底部まで貫通するマスク開口部２２が形成される。

次に、第２の保護膜パターニング工程では、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂの全面に０．５μｍ程度のエッチングを行って、図５（ｅ）に示すように、第１の保護膜パターニング工程で薄手化された酸化膜２０ｂを除去し、溝状凹部２６ａを形成すべき領域で単結晶シリコン基板２０ａを露出させる一方、他の領域には酸化膜２０ｂを残す。

次に、第２の基板エッチング工程では、図５（ｆ）に示すように、酸化膜２０ｂをマスクとして用いて単結晶シリコン基板２０ａをエッチングし、溝状凹部２６ａを形成する。例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｂの除去領域（開口部）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対してウエットエッチングを浅く行なう。

しかる後に、図５（ｇ）に示すように、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂを全て除去した後、洗浄すると、図４（ａ）、（ｂ）を参照して説明したチップ２０が形成される。従って、チップ２０を支持基板３０に接合すれば、成膜用マスク１０が完成する。

［実施の形態２］
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびこの蒸着用マスクを用いて素子基板に線状パターンを形成する様子を模式的に示す説明図である。

図６（ａ）、（ｂ）に示す成膜用マスク１０は、図６（ｃ）に示すように、素子基板２上に複数の長いストライプ状の薄膜パターン２６０を並列して形成するためのマスクであり、チップ２０には、薄膜パターン２６０と同一ピッチの長孔形状（スリット状）のマスク開口部２２が複数、並列形成されている。また、チップ２０の外枠部２５において、その一方面２０ｘ（上面／被処理基板と接する側の面）には、マスク開口部２２の延長線上に溝状凹部２６ｂ（第２の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が形成されている。ここで、溝状凹部２６ｂの開口幅寸法は、マスク開口部２２の開口幅寸法以上である。

このように構成したチップ２０を備えた成膜用マスク１０を用いて、素子基板２に複数のストライプ状の薄膜パターン２６０を並列して形成するにあたっては、まず、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねた状態で、薄膜パターン２６０よりも短い薄膜パターン２６０ｃが形成される。

次に、素子基板２に対して成膜用マスク１０の位置を矢印Ｂ１で示す方向にずらし、先に形成した薄膜パターン２６０ｃに対してマスク開口部２２が長手方向で隣接するように、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねる。この状態において、先に形成した薄膜パターン２６０ｃは、チップ２０の溝状凹部２６ｂの内部に位置し、チップ２０とは接触しない。この状態で真空蒸着を行なうと、薄膜パターン２６０ｃの延長線上に薄膜パターン２６０ｄが形成される。

しかる後に、素子基板２から成膜用マスク１０を外すと、薄膜パターン２６０ｃ、２６０ｄが一体に繋がった薄膜パターン２６０が形成される。ここで、薄膜パターン２６０ｄを形成するために素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねた際、先に形成した薄膜パターン２６０ｃは、チップ２０の溝状凹部２６ｂの内部に位置し、チップ２０と接触しない。このため、薄膜パターン２６０ｃが損傷するという事態が発生しない。また、薄膜パターン２６０ｄを形成した後、素子基板２から成膜用マスク１０を外す際、薄膜パターン２６０ｃがチップ２０に付着して剥離するという事態も発生しない。それ故、素子基板２に成膜用マスク１０を重ねて成膜する工程を繰り返し行なっても、先に形成した薄膜パターン２６０ａの損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。

このような構成の成膜用マスク１０については、実施の形態１と同様な方法で製造することができるので、その説明は省略する。

［実施の形態３］
図７は、本発明の実施の形態３に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図である。図７に示す成膜用マスク１０において、チップ２０には、実施の形態１、２と同様、長孔形状（スリット状）のマスク開口部２２が複数、並列形成されている。また、実施の形態１と同様、チップ２０の一方面２０ｘ（上面／被処理基板と接する側の面）には、マスク開口部２２に平行に溝状凹部２６ａ（第１の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が形成されている。また、チップ２０の外枠部２５において、その一方面２０ｘには、マスク開口部２２の延長線上に溝状凹部２６ｂ（第２の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が形成されている。ここで、溝状凹部２６ａ、２６ｂの開口幅寸法は、マスク開口部２２の開口幅寸法以上である。このように構成したチップ２０を備えた成膜用マスク１０でも、素子基板２に成膜用マスク１０を重ねて成膜する工程を繰り返し行なっても、先に形成した薄膜パターンがチップ２０と接触しないので、先に形成した薄膜パターンの損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。このような構成の成膜用マスク１０についても、実施の形態１と同様な方法で製造することができるので、その説明は省略する。

［実施の形態４］
図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図およびＣ−Ｃ′断面図である。図８に示す成膜用マスク１０において、チップ２０には、長孔形状（スリット状）のマスク開口部２２が複数、並列形成されている。また、チップ２０の一方面２０ｘ（上面／被処理基板と接する側の面）において、外枠部２５には、チップ２０を構成するシリコン基板自身に複数の凸部２８ａ（成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が形成されている。ここで、凸部２８ａは高さ寸法が５μｍ以下、例えば、０．５〜５μｍに設定される。

このように構成した成膜用マスク１０は、素子基板２に先に形成されている薄膜の上層にさらに新たな薄膜パターンを形成する際に用いられる。具体的には、素子基板２に薄膜を形成した後、この薄膜に対して別の薄膜パターンを積層する際、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねる。この状態において、素子基板２の下面には成膜用マスク１０のチップ２０の上面（一方面２０ｘ）のうち、凸部２８ａのみが当接する。また、凸部２８ａは、素子基板２の下面において、先に薄膜が形成されている領域を避けた部分、あるいは、素子基板２の下面に形成された薄膜のうち、不要な部分のみに当接している。この状態で素子基板２と成膜用マスク１０との間には凸部２８ａの高さ寸法に相当する隙間が発生しており、かかる隙間が大きすぎると、成膜パターン精度が低下する。それ故、凸部２８ａの高さ寸法は５μｍ以下が好ましい。

次に、真空蒸着を行なうと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積し、薄膜パターンが形成される。

しかる後に、素子基板２から成膜用マスク１０を外す。その際、成膜用マスク１０は、凸部２８ａが素子基板２の下面において、先に薄膜が形成されている領域を避けた部分、あるいは、素子基板２の下面に形成された薄膜のうち、不要な部分のみに当接していたので、先に形成した薄膜パターンの損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。

（成膜用マスクの製造方法）
図９（ａ）〜（ｇ）は、本形態の成膜用マスク１０の製造方法のうち、チップ２０の製造方法を示す工程断面図である。本形態の成膜用マスク１０を製造するにあたっては、まず、保護膜形成工程において、図９（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により、厚さが１μｍ程度の酸化膜２０ｂ（保護膜）を形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを酸化膜２０ｂで覆う。

次に、第１の保護膜パターニング工程においては、図９（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いて、酸化膜２０ｂを０．５μｍ程度エッチングし、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂにおいて、凸部２８ａと重なる領域以外の酸化膜２０ｂを薄手化する。次に、図９（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いてエッチングし、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去するとともに、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについてはマスク開口部２２が形成される領域全体（少なくともマスク開口部２２と重なる領域）の酸化膜２０ｂを除去する。なお、凸部２８ａと重なる領域以外の酸化膜２０ｂを薄手化する工程と、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去し、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２が形成される領域全体の酸化膜２０ｂを除去する工程とについてはその順序を入れ換えてもよい。

次に、第１の基板エッチング工程では、図９（ｄ）に示すように、酸化膜２０ｂをマスクとして用いて単結晶シリコン基板２０ａをエッチングし、マスク開口部２２を形成する。例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｂの除去領域（開口部）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対してウエットエッチングを行なう。ここで行なうウエットエッチングは、結晶異方性エッチングであり、単結晶シリコン基板２０ａの他方面２０ｙには大きな凹部２９が形成されるとともに、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘには、凹部２９の上底部まで貫通するマスク開口部２２が形成される。

次に、第２の保護膜パターニング工程では、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂの全面に０．５μｍ程度のエッチングを行って、図９（ｅ）に示すように、第１の保護膜パターニング工程で薄手化された酸化膜２０ｂを除去する一方、凸部２８ａを形成すべき領域には酸化膜２０ｂを残す。

次に、第２の基板エッチング工程では、図９（ｆ）に示すように、酸化膜２０ｂをマスクとして用いて単結晶シリコン基板２０ａを０．５μｍ以下の厚さ分をエッチングし、高さ寸法が０．５μｍ以下の凸部２８ａを形成する。例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｂの除去領域（開口部）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対してウエットエッチングを浅く行なう。

しかる後に、図９（ｇ）に示すように、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂを全て除去した後、洗浄すると、図８（ａ）、（ｂ）を参照して説明したチップ２０が形成される。従って、チップ２０を支持基板３０に接合すれば、成膜用マスク１０が完成する。

［実施の形態５］
図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態５に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図およびＤ−Ｄ′断面図である。図１０に示す成膜用マスク１０においても、実施の形態４と同様、チップ２０には、長孔形状（スリット状）のマスク開口部２２が複数、並列形成されている。また、チップ２０の一方面２０ｘ（上面／被処理基板と接する側の面）において、外枠部２５には、チップ２０を構成するシリコン基板に複数の凸部２８ｂ（成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）が積層されており、本形態において、凸部２８ｂはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ここで、凸部２８ｂは高さ寸法が５μｍ以下、例えば、０．５〜５μｍに設定される。

このように構成した成膜用マスク１０は、実施の形態１と同様、素子基板２に先に形成されている薄膜の上層にさらに新たな薄膜パターンを形成する際に用いられる。具体的には、素子基板２に薄膜を形成した後、この薄膜に対して別の薄膜パターンを積層する場合には、素子基板２の下面に成膜用マスク１０を重ねる。この状態において、素子基板２の下面には成膜用マスク１０のチップ２０の上面（一方面２０ｘ）のうち、凸部２８ｂのみが当接する。また、凸部２８ｂは、素子基板２の下面において、先に薄膜が形成されている領域を避けた部分、あるいは、素子基板２の下面に形成された薄膜のうち、不要な部分のみに当接している。この状態で素子基板２と成膜用マスク１０との間には凸部２８ｂの高さ寸法に相当する隙間が発生しており、かかる隙間が大きすぎると、成膜パターン精度が低下する。それ故、凸部２８ｂの高さ寸法は５μｍ以下が好ましい。

次に、真空蒸着を行なうと、坩堝から供給された蒸着分子や蒸着原子は、チップ２０のマスク開口部２２を介して素子基板２の下面に堆積し、薄膜パターンが形成される。

しかる後に、素子基板２から成膜用マスク１０を外す。その際、成膜用マスク１０は、凸部２８ｂが素子基板２の下面において、先に薄膜が形成されている領域を避けた部分、あるいは、素子基板２の下面に形成された薄膜のうち、不要な部分のみに当接していたので、先に形成した薄膜パターンの損傷や剥離に起因する不具合が発生しない。

（成膜用マスクの製造方法）
図１１（ａ）〜（ｅ）は、本形態の成膜用マスク１０の製造方法のうち、チップ２０の製造方法を示す工程断面図である。本形態の成膜用マスク１０を製造するにあたっては、まず、保護膜形成工程において、図１１（ａ）に示すように、面方位（１１０）を有する単結晶シリコン基板２０ａの全面に熱酸化法により、厚さが数μｍ程度の酸化膜２０ｂ（保護膜）を形成し、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙを酸化膜２０ｂで覆う。

次に、第１の保護膜パターニング工程においては、図１１（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いて、酸化膜２０ｂをエッチングし、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂにおいて、凸部２８ｂと重なる領域以外の酸化膜２０ｂを薄手化する。次に、図１１（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を利用してマスクを形成した後、緩衝ふっ酸を用いてエッチングし、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去するとともに、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについてはマスク開口部２２が形成される領域全体（少なくともマスク開口部２２と重なる領域）の酸化膜２０ｂを除去する。なお、凸部２８ｂと重なる領域以外の酸化膜２０ｂを薄手化する工程と、一方面２０ｘに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２と重なる領域の酸化膜２０ｂを除去し、他方面２０ｙに形成された酸化膜２０ｂについては、マスク開口部２２が形成される領域全体の酸化膜２０ｂを除去する工程とについてはその順序を入れ換えてもよい。

次に、基板エッチング工程では、図１１（ｄ）に示すように、酸化膜２０ｂをマスクとして用いて単結晶シリコン基板２０ａをエッチングし、マスク開口部２２を形成する。例えば、温度が８０℃、濃度が３５％の水酸化カリウム水溶液により、酸化膜２０ｂの除去領域（開口部）から単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘおよび他方面２０ｙに対してウエットエッチングを行なう。ここで行なうウエットエッチングは、結晶異方性エッチングであり、単結晶シリコン基板２０ａの他方面２０ｙには大きな凹部２９が形成されるとともに、単結晶シリコン基板２０ａの一方面２０ｘには、凹部２９の上底部まで貫通するマスク開口部２２が形成される。

次に、第２の保護膜パターニング工程では、緩衝ふっ酸を用いて酸化膜２０ｂの全面にエッチングを行って、図１１（ｅ）に示すように、第１の保護膜パターニング工程で薄手化された酸化膜２０ｂを除去する一方、他の領域には、酸化膜２０ｂを高さ寸法が５μｍ以下の凸部２８ｂとして残す。

その結果、図１０（ａ）、（ｂ）を参照して説明したチップ２０が形成される。従って、チップ２０を支持基板３０に接合すれば、成膜用マスク１０が完成する。なお、酸化膜２０ｂに代えて、シリコン窒化膜を用いれば、シリコン窒化膜からなる凸部２８ｂが形成されることになる。

［その他の実施の形態］
本発明の技術範囲は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記の製造方法では、マスクとして酸化膜２０ｂを用いたが、耐エッチング性を有するものであれば、ＣＶＤ法などにより形成された窒化シリコン膜や、スパッタ法により形成されたＡｕ膜やＰｔ膜などの金属膜であってもよい。また、上記形態では、複数のチップ２０を支持基板３０に接合した成膜用マスク１０に本発明を適用したが、マスク開口部を形成した単結晶シリコン基板を１枚のみ用いた成膜用マスクに本発明を適用してもよい。さらに、上記形態では、面方位（１１０）の単結晶シリコン基板２０ａにマスク開口部２２を形成した例を説明したが、その他の面方位を備えた単結晶シリコン基板や、その他のシリコン基板、さらにはシリコン以外の基板にマスク開口部２２を形成した成膜用マスクに本発明を適用してもよい。

また、上記形態については、真空蒸着法に用いる成膜用マスクを説明したが、スパッタ成膜法やイオンプレーティング法などの蒸着法、さらにはＣＶＤ法に用いる成膜用マスクに本発明を適用することができる。また、近年、イオンプレーティング法についてはプラズマを利用したプラズマコーティングが提案されており、かかる蒸着法に用いる成膜用マスクに対しても、本発明を適用することができる。

さらに、上記形態では、有機ＥＬ装置１のストライプ状の薄膜（補助配線８ａ、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７）を形成するための成膜用マスクに本発明を適用したが、液晶装置その他の電気光学装置や半導体装置の製造工程において、ストライプ状の薄膜を形成する成膜用マスクに本発明を適用してもよい。

本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。 本発明を適用した成膜用マスク全体の基本的構成を示す斜視図である。 本発明を適用した成膜用マスクの一部を拡大してチップの基本的構成を示す説明図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態１に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図、Ａ−Ａ′断面図、およびこの蒸着用マスクを用いて素子基板に線状パターンを形成する様子を模式的に示す説明図である。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態１に係る成膜用マスクの製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、本発明の実施の形態２に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図、Ｂ−Ｂ′断面図、およびこの蒸着用マスクを用いて素子基板に線状パターンを形成する様子を模式的に示す説明図である。 本発明の実施の形態３に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態４に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図およびＣ−Ｃ′断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態４に係る成膜用マスクの製造方法を示す工程断面図である。 （ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態５に係る成膜用マスクに用いたチップの平面図およびＤ−Ｄ′断面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態５に係る成膜用マスクの製造方法を示す工程断面図である。 従来の成膜用マスクで成膜したときの問題点を示す説明図である。 従来の成膜用マスクで成膜したときの別の問題点を示す説明図である。

符号の説明

１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板（被処理基板）、３・・画素、３ａ・・有機ＥＬ素子、４・・画素電極、５・・正孔注入輸送層、６・・発光層、７・・電子注入輸送層、８・・陰極、８ａ・・補助配線、９・・隔壁、１０・・成膜用マスク、２０・・チップ、２０ａ・・単結晶シリコン基板、２０ｂ・・酸化膜（保護膜）、２０ｘ・・一方面、２０ｙ・・他方面、２２・・マスク開口部、２６ａ・・溝状凹部（第１の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）、２６ｂ・・溝状凹部（第２の溝状凹部／成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）、２７・・梁部、２８ａ、２８ｂ・・凸部（成膜用マスクと被処理基板側との接触面積を低減する凹凸）、３０・・支持基板

Claims (10)

1. 成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、
   前記一方面には、当該一方面と前記被処理基板側との接触面積の低減を図る凹凸が形成されていることを特徴とする成膜用マスク。
2. 前記凹凸は、凹部であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
3. 前記マスク開口部は複数、スリット状に並列形成され、
   前記凹部には、前記マスク開口部により挟まれた梁部で当該梁部に沿って延びた第１の溝状凹部が含まれていることを特徴とする請求項２に記載の成膜用マスク。
4. 前記マスク開口部は複数、スリット状に並列形成され、
   前記凹部には、前記マスク開口部の延長線上に形成された第２の溝状凹部が含まれていることを特徴とする請求項２に記載の成膜用マスク。
5. 前記凹凸は、前記マスク開口部が形成されている基材と同一材料からなる凸部であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
6. 前記凹凸は、前記マスク開口部が形成されている基材と異なる材料からなる凸部であることを特徴とする請求項１に記載の成膜用マスク。
7. 前記凸部の高さ寸法は、５μｍ以下であることを特徴とする請求項５または６に記載の成膜用マスク。
8. 成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、
   前記一方面に凹部を形成するにあたっては、
   前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   前記一方面に形成された保護膜については、前記凹部と重なる領域の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、
   前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する第１の基板エッチング工程と、
   前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、他の領域には保護膜を残す第２の保護膜パターニング工程と、
   前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記凹部を形成する第２の基板エッチング工程と、
   を有することを特徴とする成膜用マスクの製造方法。
9. 成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、
   前記一方面に凸部を形成するにあたっては、
   前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
   前記一方面に形成された保護膜については、前記凸部と重なる領域以外の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、
   前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する第１の基板エッチング工程と、
   前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、前記凸部を形成する領域には保護膜を残す第２の保護膜パターニング工程と、
   前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記凸部を形成する第２の基板エッチング工程と、
   を有することを特徴とする成膜用マスクの製造方法。
10. 成膜パターンに対応する貫通穴からなるマスク開口部を備え、一方面が被処理基板に重ねた状態で成膜に用いられる成膜用マスクにおいて、
    前記一方面に凸部を形成するにあたっては、
    前記マスク開口部が形成される基板の一方面および他方面に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
    前記一方面に形成された保護膜については、前記凸部と重なる領域以外の保護膜を薄手化する一方、前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去し、前記他方面に形成された保護膜については少なくとも前記マスク開口部と重なる領域の保護膜を除去する第１の保護膜パターニング工程と、
    前記保護膜の除去領域から前記基板をエッチングして前記マスク開口部を形成する基板エッチング工程と、
    前記保護膜にエッチングを行って、前記第１の保護膜パターニング工程で薄手化された保護膜を除去するとともに、他の領域には保護膜を前記凸部として残す第２の保護膜パターニング工程と、
    を有することを特徴とする成膜用マスクの製造方法。

Images