TW201615887A - 電漿體加工設備 - Google Patents

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本發明提供了一種電漿體加工設備，包括腔體，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層，以遮罩外部磁場對電漿體加工設備內部的電漿體的干擾，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於3000*10-6 H/m。塗覆在腔體內表面和/或外表面上的高磁導率材料塗層不受材料塗層厚度和折彎強度的限制，可以實現無縫接合，實現較好的遮罩效果。本發明直接在腔體的內表面和/或外表面上形成連續的高磁導率材料塗層，免去了習知技術中採用的金屬板拼接黏貼等繁瑣流程，提高了生產效率。

Description

電漿體加工設備
本發明涉及半導體加工設備領域，尤其涉及一種電漿體加工設備。
電漿體加工設備借助其腔體內部的電漿體對待加工器件進行加工處理。在電漿體加工過程中，地磁等外部磁場會對電漿體加工設備內部的電漿體產生干擾。為了提高電漿體加工設備加工的一致性，需要消除地磁等外部磁場對腔體內部的電漿體的干擾。
目前，為了消除地磁等外部磁場對電漿體加工設備腔體內部的電漿體的干擾，習知技術中通常採用在電漿體加工設備的外部覆蓋高磁導率金屬板的方式實現對腔體內部電漿體的磁遮罩。
採用在電漿加工設備外部覆蓋高磁導率金屬板的方式實現對腔體內部電漿體的磁遮罩存在如下缺點： 1、採用高磁導率金屬板遮罩的方式，在直角轉彎、大曲率過度、小孔、小槽等區域，由於受金屬板厚度和折彎強度限制，很難實現金屬板遮罩處理，導致磁遮罩層不連續，容易在這些區域造成磁場洩露，影響磁遮罩效果。 2、採用高磁導率金屬板遮罩,為了實現金屬板之間磁感線連續，一般使用金屬板拼接、黏貼等方式安裝在蝕刻機腔體外部，拼接零件多，安裝過程複雜，影響生產效率。
有鑑於此，本發明提供了一種電漿體加工設備，以採用比較簡便的方法遮罩外部磁場對電漿體加工設備腔體內部的電漿體的干擾。
為了解決上述技術問題，本發明採用了如下技術方案： 一種電漿體加工設備，包括腔體，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層，以遮罩外部磁場對電漿體加工設備內部的電漿體的干擾，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於3000*10-6 H/m。
可選地，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於5000*10-6 H/m 。
可選地，所述高磁導率材料塗層的厚度在0.005~2mm之間。
可選地，所述高磁導率材料塗層採用熱噴塗、蒸鍍或電鍍的方法塗覆。
可選地，所述電漿體加工設備還包括設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用於電漿體與腔體之間的隔離。
可選地，在所述防護罩的內表面和/或所述防護罩的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層。
可選地，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
可選地，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層； 和/或，在所述防護罩的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層； 和或，在所述防護罩的外表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
一種電漿體加工設備，包括腔體和設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用於電漿體與腔體之間的隔離，在所述腔體的內表面上，和/或，所述腔體的外表面上，和/或，在所述防護罩的內表面上，和/或，在所述防護罩的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層，以遮罩外部磁場對電漿體加工設備內部的電漿體的干擾，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於3000*10-6 H/m。
可選地，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於5000*10-6 H/m。
可選地，所述高磁導率材料塗層的厚度在0.005~2mm之間。
相較于習知技術，本發明具有以下有益效果： 本發明提供的電漿體加工設備，其腔體的內表面和/或腔體的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層。地磁等外部磁場在穿過電漿體加工設備時會發生偏轉，大部分外部磁場從高磁導率材料塗層及其附近區域通過電漿加工設備，僅有很少一部分外部磁場穿過腔體內的電漿體。這種外部磁場穿過電漿體加工設備的方式，不會對電漿體腔體內部的電漿體產生干擾。
本發明提供的電漿體加工設備中，塗覆在腔體內表面和/或外表面上的高磁導率材料塗層不受材料塗層厚度和折彎強度的限制，可以實現無縫接合，實現較好的遮罩效果。
進一步地，本發明直接在腔體的內表面和/或外表面上形成連續的高磁導率材料塗層，免去了習知技術中採用的金屬板拼接黏貼等繁瑣流程，提高了生產效率。
為了清楚地理解本發明的技術方案，下面結合附圖對描述本發明的具體實施方式時用到的附圖做一簡要說明。顯而易見地，這些附圖僅是本發明實施例的部分附圖，本領域普通技術人員在不付出進步性勞動的前提下，還可以獲得其它的附圖。
為使本發明的目的、效果以及技術方案更加清楚完整，下面結合附圖對本發明的具體實施方式進行描述。
實施例一 圖1是本發明實施例一提供的電漿體加工設備的結構示意圖。為使電漿體加工設備的結構示意圖簡潔、易懂並突出本發明的改進點，在圖1所示的電漿體加工設備中只顯示出了與本發明改進點相關的部件，那些與本發明改進點不相關的部件在圖1中沒有顯示出來。
如圖1所示，該電漿體加工設備包括腔體01以及位於腔體內部的靜電吸盤02。當需要對待加工晶圓03進行電漿加工時，將待加工晶圓03放置在靜電吸盤02上，通過靜電引力將待加工晶圓03固定在靜電吸盤02上。此時，形成於腔體內部的電漿體04對待加工晶圓03進行加工處理。
由於腔體01內部的電漿體帶有電荷，在外部磁場穿過電漿體加工設備時，會對其內部的電漿體產生干擾，從而影響待加工晶圓的處理效果。圖2示出了在不遮罩外部磁場時，外部磁場穿過電漿體加工設備時的情形，外部磁場穿過電漿體加工設備時，磁場線不會發生偏折，有相當一部分外部磁場穿過電漿體，從而對電漿體產生了干擾。
因此，為了保證電漿體對待加工晶圓的處理效果，需要消除外部磁場對電漿體加工設備內部電漿體的干擾，因此，需要採取措施遮罩外部磁場。
為了遮罩外部磁場，本發明實施例在腔體01的內表面和/或外表面上塗覆有一層連續的高磁導率材料塗層。為了清楚地理解腔體01的構成，本發明實施例還提供了腔體01的局部區域A的放大示意圖，具體參見圖3。圖3是腔體01的一種結構的局部區域A的剖面示意圖。如圖3所示，該腔體01包括腔體基材20以及分別塗覆在腔體基材20的內表面和外表面上的高磁導率材料塗層21a和21b。該高磁導率材料塗層21a和21b的磁導率大於3000*10-6 H/m。優選地，該高磁導率材料塗層的磁導率大於5000*10-6 H/m。在圖3所示的腔體01的內外表面上均塗覆了一層高磁導率材料塗層，實際上作為本發明實施例的變形，還可以僅在其內表面或外表面上塗覆有一層高磁導率材料塗層。
通常情況下，該高磁導率材料塗層一般為金屬合金材料，例如可以為鐵鎳合金、鐵鎳鉬合金、軟鐵、矽鋼或坡莫合金。
需要說明的是，該高磁導率材料塗層的厚度很薄，一般為0.005~2mm之間，所以可以認為該高磁導率材料塗層為超薄材料層。
該高磁導率材料塗層可以採用熱噴塗、蒸鍍或者電鍍的方式塗覆在腔體的內、外表面上。
由於該高磁導率材料塗層的磁導率較高，在地磁等外部磁場穿過電漿體加工設備時，大部分外部磁場發生偏折，如圖4所示，從高磁導率材料塗層及其附近區域穿過電漿體加工設備，只有很少部分外部磁場穿過腔體內部的電漿體。因而，形成於腔體內部的電漿體幾乎不受外部磁場的干擾，能夠實現對待加工晶圓的加工處理的一致性。因此，塗覆在腔體內、外表面上的高磁導率材料塗層能夠遮罩外部磁場，從而減少甚至消除了外部磁場對電漿體的干擾。因此，採用該電漿體加工設備進行電漿體加工處理時，能夠保證加工處理的的一致性。
本發明通過在腔體的內表面和/或外表面上塗覆一層高磁導率材料塗層即可實現對外部磁場的遮罩，相較於習知技術中採用在電漿體加工設備的外部覆蓋厚金屬板的方法，本發明採用的高磁導率材料塗層在電漿體加工設備的直角轉彎、大曲率過度、小孔、小槽等區域可以實現無縫接合，實現更好的遮罩效果。
本發明採用的高磁導率材料塗層可以採用熱噴塗、蒸鍍或電鍍的方式直接在腔體基材上形成連續的高磁導率材料塗層，免去了習知技術中採用金屬板需要的拼接黏貼等繁瑣流程，因而，可以提高生產效率。
另外，本發明採用在腔體的內表面和/或外表面上形成一層超薄的高磁導率材料塗層，該高磁導率材料塗層的厚度薄、重量輕，因此，相較於習知技術，本發明提供的電漿體加工設備的體積較小，重量較輕。
進一步地，本發明可以在腔體的內外表面上均設置遮罩外部磁場的高磁導率材料塗層，因此，可以在腔體的內部、外部均可以遮罩外部磁場，相較於習知技術中只在腔體的外部遮罩外部磁場的方法，本發明提供的電漿體加工設備遮罩外部磁場的性能更好，能夠達到更好的遮罩效果。
需要說明的是，當高磁導率材料塗層為金屬材料塗層時，腔體內部的電漿體容易腐蝕該塗覆在腔體內表面上的高磁導率材料塗層，為了避免這種情形的發生，防止腔體內部的電漿體腐蝕塗覆在腔體內表面上的高磁導率材料塗層，作為本發明的優選實施例，如圖3所示，在位於腔體內表面上的高磁導率材料塗層21a的表面上還可以塗覆有一層抗腐蝕材料塗層22a。該抗腐蝕材料塗層22a可以防止電漿體與高磁導率材料塗層的反應，有利於保護高磁導率材料塗層免受電漿體的腐蝕。需要說明的是，所述抗腐蝕材料塗層可以採用本領域慣用的能夠耐電漿體腐蝕的材料組成。
需要說明的是，塗覆在腔體外表面上的高磁導率材料塗層21b由於不直接與電漿體接觸，所以，在高磁導率材料塗層21b的表面上無需塗覆抗腐蝕材料層。
以上為本發明實施例一提供的電漿體加工設備。需要說明的是，本發明實施例提供的電漿體加工設備可以為電漿體蝕刻設備，也可以為用於沉積薄膜的沉積設備。當電漿體加工設備為電漿體蝕刻設備時，所述抗腐蝕材料層應選擇能夠耐蝕刻氣體蝕刻的材料組成。
上述實施例一所述的電漿體加工設備在腔體的內部沒有設置用於隔離電漿體與腔體的防護罩，實際上，為了保護腔體免受電漿體的腐蝕，在電漿體加工設備的腔體內部還可以設置防護罩。具體結構參見下述實施例二。
實施例二 圖5是本發明實施例二提供的電漿體加工設備的結構示意圖。圖5所示的電漿體加工設備與實施例一提供的電漿體加工設備有諸多相似之處，其不同之處在於在腔體的內部設置有一個用於隔離電漿體04和腔體01的防護罩40。
其中，位於腔體01內部的靜電吸盤02以及待加工晶圓03和電漿體04均位於防護罩40內。
需要說明的是，由於電漿體04位於防護罩40內，所以，為了遮罩外部磁場，在本發明提供的電漿體加工設備中，可以僅在防護罩40的內表面和/或外表面上塗覆高磁導率材料塗層，也可以僅在腔體的內表面和/或外表面上塗覆高磁導率材料塗層，當然也可以同時在防護罩40的內表面和/或外表面上以及腔體的內表面和/或外表面上塗覆高磁導率材料塗層。
在電漿體加工設備中，有可能與電漿體直接接觸的高磁導率材料塗層包括塗覆於防護罩內、外表面上的高磁導率材料塗層、塗覆於腔體內表面上的高磁導率材料塗層。
當電漿體與這些高磁導率材料塗層接觸時，有可能會腐蝕這些區域的高磁導率材料塗層。為了防止電漿體對與其接觸的高磁導率材料塗層的腐蝕，當在防護罩的內、外表面上均設置有高磁導率材料塗層時，還可以進一步地在所述防護罩的內、外表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
當在腔體的內表面上也設置有高磁導率材料塗層時，還可以如實施例一所述，在腔體的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
需要說明的是，本發明實施例二所述的高磁導率材料塗層以及抗腐蝕材料塗層與上述實施例一所述的高磁導率材料塗層以及抗腐蝕材料塗層完全相同，為了簡要起見，在本實施例不再詳細描述。
為了清楚地理解本發明實施例提供的防護罩的結構，下面對圖5所示的防護罩的局部區域B的剖面結構進行說明。附圖6是圖5所示的局部區域B的剖面結構放大示意圖。
如圖6所示，該防護罩包括防護罩基材60、分別位於防護罩基材60內外表面的高磁導率材料塗層61a和61b，以及分別位於高磁導率材料塗層61a和61b表面上的抗腐蝕材料塗層62a和62b。
作為圖6所示的防護罩結構的變形，本發明實施例還可以僅在防護罩基材60的內表面上塗覆一層高磁導率材料塗層61a或者僅在防護罩基材60的外表面上塗覆一層高磁導率材料塗層61b。
以上所述僅是本發明的優選實施方式，應當指出，對於本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發明的保護範圍。
01‧‧‧腔體
02‧‧‧靜電吸盤
03‧‧‧待加工晶圓
04‧‧‧電漿體
20‧‧‧腔體基材
21a‧‧‧高磁導率材料塗層
21b‧‧‧高磁導率材料塗層
22a‧‧‧抗腐蝕材料塗層
40‧‧‧防護罩
60‧‧‧防護罩基材
61a‧‧‧高磁導率材料塗層
61b‧‧‧高磁導率材料塗層
62a‧‧‧抗腐蝕材料塗層
62b‧‧‧抗腐蝕材料塗層
A‧‧‧局部區域
B‧‧‧局部區域
圖1是本發明實施例一提供的電漿體加工設備的結構示意圖； 圖2是不遮罩外部磁場時，外部磁場穿過電漿體加工設備時的情形示意圖； 圖3是圖2所示的腔體局部區域A的剖面結構放大示意圖； 圖4是外部磁場穿過本發明實施例一提供的電漿體加工設備時的情形示意圖； 圖5是本發明實施例二提供的電漿體加工設備的結構示意圖； 圖6是圖5所示的防護罩局部區域B的剖面結構放大示意圖。
01‧‧‧腔體
02‧‧‧靜電吸盤
03‧‧‧待加工晶圓
04‧‧‧電漿體
A‧‧‧局部區域

Claims (11)

  1. 一種電漿體加工設備，包括腔體，其特徵在於，在所述腔體的內表面和/或所述腔體的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層，以遮罩外部磁場對電漿體加工設備內部的電漿體的干擾，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於3000*10-6 H/m。
  2. 如請求項1所述的電漿體加工設備，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於5000*10-6 H/m 。
  3. 如請求項1所述的電漿體加工設備，其中，所述高磁導率材料塗層的厚度在0.005~2mm之間。
  4. 如請求項1所述的電漿體加工設備，其中，所述高磁導率材料塗層採用熱噴塗、蒸鍍或電鍍的方法塗覆。
  5. 如請求項1-4中任一項所述的電漿體加工設備，其中，所述電漿體加工設備還包括設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用於電漿體與腔體之間的隔離。
  6. 如請求項5所述的電漿體加工設備，其中，在所述防護罩的內表面和/或所述防護罩的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層。
  7. 如請求項1-4中任一項所述的電漿體加工設備，其中，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
  8. 如請求項6所述的電漿體加工設備，其中，在所述腔體的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層； 和/或，在所述防護罩的內表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層； 和或，在所述防護罩的外表面上的高磁導率材料塗層的表面上設置有抗腐蝕材料塗層。
  9. 一種電漿體加工設備，包括腔體和設置在所述腔體內部的防護罩，所述防護罩用於電漿體與腔體之間的隔離，其中，在所述腔體的內表面上，和/或，所述腔體的外表面上，和/或，在所述防護罩的內表面上，和/或，在所述防護罩的外表面上塗覆有連續的高磁導率材料塗層，以遮罩外部磁場對電漿體加工設備內部的電漿體的干擾，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於3000*10-6 H/m。
  10. 如請求項9所述的電漿體加工設備，其中，所述高磁導率材料塗層的磁導率大於5000*10-6 H/m。
  11. 如請求項9或10所述的電漿體加工設備，其中，所述高磁導率材料塗層的厚度在0.005~2mm之間。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106937475A (zh) * 2015-12-31 2017-07-07 中微半导体设备(上海)有限公司 等离子体处理装置
KR102330098B1 (ko) * 2017-04-24 2021-11-23 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
CN109994359B (zh) * 2017-12-29 2022-11-18 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理腔室
CN108768335A (zh) * 2018-05-25 2018-11-06 张琴 气密性声表面波元件封装结构及制作方法
CN110231063A (zh) * 2019-05-30 2019-09-13 江阴市富仁高科股份有限公司 一种检测油气的气体流量计
CN113808898B (zh) * 2020-06-16 2023-12-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 耐等离子体腐蚀零部件和反应装置及复合涂层形成方法
TWI820374B (zh) * 2020-12-23 2023-11-01 台灣積體電路製造股份有限公司 感應耦合電漿設備及其操作方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3077623B2 (ja) * 1997-04-02 2000-08-14 日本電気株式会社 プラズマ化学気相成長装置
US7573000B2 (en) * 2003-07-11 2009-08-11 Lincoln Global, Inc. Power source for plasma device
US20060075967A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Magnetic-field concentration in inductively coupled plasma reactors
CN1907514A (zh) * 2005-03-22 2007-02-07 巨佰－雪莱公司 具有用于磁起动开关的窗口的磁屏蔽aimd外壳
TW200712236A (en) * 2005-09-23 2007-04-01 Atomic Energy Council Device of generating magnetron RF plasma source
FR2904178B1 (fr) * 2006-07-21 2008-11-07 Centre Nat Rech Scient Dispositif et procede de production et/ou de confinement d'un plasma
US20110207332A1 (en) * 2010-02-25 2011-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools
TWI456082B (zh) * 2010-03-26 2014-10-11 Univ Nat Sun Yat Sen 磁控式電漿濺鍍機
CN202164352U (zh) * 2011-06-10 2012-03-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种半导体加工设备
US20140262044A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Mu metal shield cover

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