KR101787139B1 - 가스 전달 시스템의 코팅 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 식각 시스템과 같은 플라즈마 프로세스 시스템에 대한 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법은, (a) 상기 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 유체성 전구체를 유입시키고 가스 통로들의 상기 내면들을 코팅하도록 유체성 전구체의 층을 성막하는 단계; (b) 내면들로부터 초과 유체성 전구체를 제거하는 단계; (c) 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 성막된 유체성 전구체의 층을 경화하는 단계를 포함한다.

Description

가스 전달 시스템의 코팅 방법{A COATING METHOD FOR GAS DELIVERY SYSTEM}
기판, 예를 들어 반도체 기판 또는 평판 디스플레이 제조에 사용되는 것과 같은 유리 패널의 프로세싱에 있어서, 플라즈마가 종종 채용된다. 기판의 프로세싱 (플라즈마 식각, 화학 기상 증착, 플라즈마 강화 화학 기상 증착, 물리 기상 증착 등) 의 일부로서, 예를 들어, 기판은 각각이 집적 회로가 되는 복수의 다이들 또는 직사각형 영역들로 분할된다. 그 후, 기판은 상부에 전기 컴포넌트들을 형성하도록 재료들이 선택적으로 제거 (식각) 되고 부가 (성막) 되는 일련의 단계들로 프로세싱된다.
일 예의 플라즈마 프로세스에 있어서, 기판은 식각 전에, 경화된 에멀션 (즉, 예를 들어 포토레지스트 마스크) 의 박막으로 코팅된다. 그 후, 경화된 에멀션의 영역들이 선택적으로 제거되어, 하부의 기판의 부분들을 노출시킨다. 그 다음, 기판은 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내에서 척이라 칭하는 단극성 또는 양극성 전극을 포함하는 기판 지지체 구조 상에 배치된다. 그 후, 적절한 프로세스 가스들 (예를 들어, C4F8, C4F6, CHF3, CH2F2, CF4, CH3F, C2F4, N2, O2, HBr, Ar, Xe, He, H2, NH3, SF6, BCl3, Cl2 등) 이 가스 전달 시스템의 가스 통로들을 통해 챔버로 유입되고 이온화되어 플라즈마를 형성하여 기판의 노출된 영역들을 식각한다. 할로겐 함유 프로세스 가스들은 부식성이 높고 가스 통로들의 내면들을 손상시킬 수 있다.
플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 프로세스 가스들을 전달하도록 구성된 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법으로서, 그 방법은 (a) 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 유체성 전구체를 유입시키고 가스 통로들의 내면들을 코팅하도록 유체성 전구체의 층을 성막하는 단계; (b) 내면들로부터 초과 (excess) 유체성 전구체를 제거하는 단계; (c) 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 성막된 유체성 전구체의 층을 경화하는 단계를 포함한다.
도 1은 플라즈마 프로세싱 시스템의 개략적인 단면도를 나타낸다.
도 2는 벨루우즈 (bellows) 의 회선 (convolution) 들에서 내부식성 재료의 유체성 전구체의 축적을 나타낸다.
도 1은 플라즈마 프로세싱 시스템 (100) 의 개략적인 단면도를 나타낸다. 일반적으로, 하나 이상의 프로세스 가스들이 가스 전달 시스템 (122) 으로부터 유입구 (108) 를 통해 챔버 (102) 로 유입된다. 이어서, 이들 프로세스 가스들은, 정전 척 (116) 상에 위치된, 반도체 기판 또는 유리 패널과 같은 기판 (114) 의 노출된 영역을 프로세싱 (예를 들어, 식각 또는 성막) 하기 위해, 이온화되어 플라즈마 (110) 를 형성한다. 라이너 (112) 와 함께, 샤워 헤드 전극 (120) 은 기판 (114) 상으로 플라즈마 (110) 를 선택 가능하게 포커싱하는 것을 돕는다.
가스 전달 시스템 (122) 은 플라즈마 프로세싱 가스들 (예를 들어, C4F8, C4F6, CHF3, CH2F3, CF4, HBr, CH3F, C2F4, N2, O2, Ar, Xe, He, H2, NH3, SF6, BCl3, Cl2, WF6 등) 을 함유하는 압축된 가스 실린더들 (124a 내지 124f) 에 접속된 하나 이상의 질량 유량 제어기 (mass flow controller; MFC) 를 포함할 수 있다. 가스 실린더들 (124a 내지 124f) 은 국부적 배출 환기 장치를 제공하는 인클로저 (128) 에 의해 또한 보호될 수도 있다. 질량 유량 제어기 (126) 는 반도체 산업에 사용되는 자립형 디바이스 (트랜스듀서, 제어 밸브, 및 제어 및 신호 프로세싱 전자 장치로 구성됨) 이어서, 플라즈마 프로세싱 시스템으로의 가스의 질량 유량을 측정하고 조절할 수 있다. 가스 전달 시스템 (122) 은 가스 플로우를 프로세싱하는 가스 통로들을 포함한다. 가스 전달 시스템의 다양한 컴포넌트들은 프로세싱 챔버 도어와 같은 일부 컴포넌트들의 이동을 허용하는 배관 및 벨로우즈 섹션들에 의해 상호 접속된다.
반도체 제조 라인들에서의 생산성 및 수율을 최대화하기 위해 플라즈마 프로세싱 동안 초고순도 프로세스 가스들의 전달이 필요하다. 그러나, 이러한 가스들의 전달은 높은 부식성 및 반응성으로 인해, 특정 과제들을 가지고 있다.
특히, 가스 전달 시스템에서 생성되는 부식은 기판 수율을 실질적으로 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 기판의 식각 프로세스에서, 프로세스 가스들의 재료들 (예를 들어, 탄소, 플루오린, 수소, 질소, 산소, 실리콘, 보론, 클로린 등), 기판의 재료들 (예를 들어, 포토레지스트, 실리콘, 산소, 질소, 알루미늄, 티타늄 등), 또는 플라즈마 프로세싱 챔버 또는 가스 전달 시스템 내의 구조적 재료들 (예를 들어, 스테인리스 스틸, 알루미늄, 석영 등) 로부터 오염 물질이 발생될 수도 있다.
반도체 제조에 있어서, 제조될 디바이스 피쳐의 1/10 크기의 파티클은 디바이스를 실질적으로 손상시킬 수 있다. 그 후, 프로세스 가스들과 접촉하는 컴포넌트들은 일반적으로 시스템 오염의 잠재적 소스들을 최소화하거나 제거하도록 제작된다. 가스 전달 시스템은 중요한 오염원일 수 있기 때문에, 가스 통로들은 종종 선택된 금속들 (예를 들어, 전해 연마된 스테인리스 스틸, 구리 (Cu), 알루미늄 (Al), 금속 합금 등) 의 세트로 제조된다.
예를 들어, 스테인리스 스틸은 크롬 (Cr) 및 니켈 (Ni) 의 중요한 합금 첨가물을 갖는 철 (Fe) 계 합금이며, 크롬은 금속에 "스테인리스" 또는 내부식성 특성들을 부여하고, 니켈은 오스테나이트를 안정화하고 금속을 비자성 및 단단하게 한다. 일반적으로, 전해 연마는 부분의 표면 케미스트리를 개선하여, 패시브 산화물막을 강화시키고 표면으로부터 임의의 자유 철을 제거한다.
일반적으로, 스테인리스 스틸은 "산화" 또는 러스팅 (rusting) 에 더욱 내성이 있는 "패시브 (passive)" 막 코팅을 포함한다. 이 막은 산소에 노출될 때 빠르게 형성한다. 형성된 금속이 "패시배이티드 (passivated)" 로 되면, 산화 또는 "러스팅" 레이트가 실질적으로 늦춰지게 된다.
이러한 전해 연마, 패시배이션, 거울 평면 마감 (Ra 〈 5 mil) 과 같은, 부식성을 감소시키려는 노력에도 불구하고, 프로세스 가스들로의 장기간 노출로 인해, 특히 수분에 주기적으로 노출되는 스테인리스 스틸 가스 통로들의 부분들과 용접 접합들 근방의 부분들과 같은 임의의 영역들에 부식이 여전히 발생한다.
부식의 정도 및 이에 따른 오염물의 양은, 많은 인자들, 예를 들어 가스 농도 및 순도, 수분 함량, 온도, 가스 통로 재료의 국부화된 이질성, 시스템 유속, 노출 시간, 노출 빈도에 의존할 수도 있다. 예를 들면, 염화수소 또는 브롬화수소와 같은 할로겐 함유 가스들은, 수분 레벨들이 수 ppm을 초과할 때, 스테인리스 스틸을 부식시킬 수 있다.
수분은 감소될 수 있더라도, 일반적으로 완전히 제거될 수 없다. 예를 들어, 플라즈마 프로세싱 가스들은 통상 압축된 가스 실린더들 내에 정제된 형태로 저장되지만, 실린더들이 교체될 때 또는 프로세싱 챔버 상에서 유지 보수가 수행될 때, 가스 전달 시스템 내부로 수분이 도입될 수 있다.
스테인리스 스틸의 실제 부식량이 작아지는 경향이 있더라도, 부식된 영역으로부터 방출되는 철 및 크롬의 양은 스테인리스 스틸 가스 통로들에서 가스 플로우에 의해 반도체 기판들이 프로세싱되고 있는 플라즈마 프로세싱 챔버로 반송될 수 있다. 그 결과, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 처리되는 반도체 기판의 심각한 오염이 발생할 수 있다. 기판 상의 철 또는 크롬 오염의 일반적인 공차는 5.0 X 1010 atoms/cm2 미만이다. 따라서, 스테인리스 스틸 가스 통로들의 부식을 방지하거나 현저하게 감소시키기 위한 측정들이 바람직하다. 가스 전달 시스템 내의 부식을 감소시키기 위한 하나의 접근법은 스테인리스 스틸 가스 통로들 (예를 들어, 배관 및 벨루우즈) 이 부식 가스들과 접촉하는 것을 방지하는 것이다.
이러한 접근법 하의 일 방법은 내부식성 배관 (예를 들어, 폴리에틸렌 배관, 폴리프로필렌 배관, 플렉서블 유리 배관, 금속 코팅된 플라스틱 배관, 세라믹 배관, 2 층의 플라스틱 또는 양극처리된 알루미늄 사이에 개재된 도전성 차폐물을 갖는 적층 배관) 을 사용하는 것이다.
여기에 참조로서 통합된 공동 양도된 미국 특허 제 7,234,222 호는 스테인리스 스틸 배관의 내면 상으로 플라스틱 슬리브를 본딩 또는 주입 몰딩하는 방법들을 개시한다.
가스 통로들의 내면 상에 유체성 전구체의 층을 성막하고 성막된 유체성 전구체의 층을 경화하여 가스 통로들의 내면 상에 내부식성 재료의 층을 형성하도록, 내부식성 재료의 유체성 전구체가 가스 전달 시스템의 가스 통로들을 통과하는 플로우 코팅 방법의 실시형태들이 여기에 개시된다. 가스 통로들은 용접 금속 (예를 들어, 스테인리스 스틸) 배관, 벨로우즈, 피팅, 플랜지, 밸브 등에 의해 형성될 수 있다. 플로우 코팅 방법은 복잡한 지오메트리 및/또는 작은 직경을 갖는 내면들 (예를 들어, 0.25 인치 이하의 외직경을 갖는 벨로우즈의 내면 또는 배관의 내면) 을 코팅하는데 효과적이다.
플로우 코팅 방법의 일 실시형태는 다음의 단계들을 포함한다: (a) 적당한 세정제 및/또는 적당한 케미컬들로 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 세정하는 단계 (예를 들어, 10 내지 20 wt.% 질산으로 3분 동안 그리고 적어도 5분 동안 탈이온수로 내면을 린싱함); (b) 내면을 건조하는 단계 (예를 들어, 가스 통로들을 통해 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉하고 진공 오븐에서 적어도 120℃ 의 온도로 가스 통로를 베이킹함); (c) 내부식성 재료의 유체성 전구체 (예를 들어, PERMABOND 또는 메타크릴레이트 에스테르에 의해 제조된 HL126 액체 폴리머 전구체) 를 가스 통로를 통해 유입시키고 가스 통로의 내면을 코팅하도록 유체성 전구체의 층을 성막하는 단계; (d) 내면들로부터 초과 유체성 전구체를 제거하는 단계 (예를 들어, 건식 질소 또는 건식 에어를 가스 통로에 블로잉함); (e) 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 성막된 유체성 전구체의 층을 경화하는 단계 (예를 들어, 진공 오븐에서 적어도 100℃의 온도 및 1 내지 10Torr의 압력으로 가스 통로들을 베이킹하거나 또는 적어도 24시간 동안 분위기 온도 및 압력에서 가스 통로들을 유지시킴). 동일한 제 2 코팅이 적용될 수 있다. 얻어지는 코팅은 0.0014 내지 0.0034 인치의 두껍고 취성이 없는 두께를 가질 수 있다.
그러나, 도 2에 나타낸 바와 같이, 가스 통로들이 가스 통로들의 다른 컴포넌트들 (예를 들어, 배관, 피팅, 밸브, 플랜지 등) 에 용접된 벨로우즈 (201) 를 포함하는 경우, 유체성 전구체는 벨로우즈 (201) 의 내면의 회선들 (202) 에 축적하고, 플레이크 오프하여 파티클성 오염이 될 수도 있는, 회선들 (202) 에서의 초과 내부식 재료로 경화할 수 있다.
부식성 가스에 대해 연장된 노출 이후에, 가스 전달 시스템에서의 코팅되지 않는 스테인리스 스틸 벨로우즈의 조사는 벨로우즈의 회선들이 부식에 대한 어떠한 신호도 나타내지 않는데 반해, 이 가스 전달 시스템의 다른 컴포넌트들 및 이 컴포넌트들 사이의 용접 접합은 심각한 부식을 나타냈다. 즉, 벨로우즈의 내면은 코팅되지 않은 채로 두고 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 모든 내면들 상에 내부식 재료 코팅이 적용되는 선택적 코팅 방법은 벨로우즈 회선들에서의 내부식 재료의 축적 문제를 제거할 수 있다.
선택적 코팅 방법의 일 실시형태는 다음의 단계들을 포함한다: (a) 나머지 가스 통로들에 벨로우즈를 용접하기 전에, 유체성 전구체의 부착을 방지하는, 포토레지스트, 오일, 실란 및/또는 알콕시실란 (실란 및/또는 알콕시 실란은 벨로우즈의 내면 상에 실란화층을 제공할 수 있음) 과 같은 마스킹제로 벨로우즈의 내면들을 코팅하는 단계; (b) 다른 컴포넌트들에 벨로우즈를 용접하는 단계; (c) 유체성 전구체 (예를 들어, HL126 액체 폴리머 전구체 또는 메타크릴레이트 에스테르) 를 가스 통로를 통해 유입시키고 벨로우즈의 내면을 제외한 가스 통로들의 내면을 코팅하도록 유체성 전구체의 층을 성막하는 단계; (d) 초과 유체성 전구체를 제거하는 단계 (예를 들어, 가스 통로들 내부로 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉함); (e) 성막된 유체성 전구체의 층을 경화하는 단계 (예를 들어, 적어도 100℃ 의 온도 및 1 내지 10 Torr의 압력으로 진공 오븐에서 가스 통로들을 베이킹하거나 또는 적어도 24시간 동안 분위기 온도 및 압력에서 가스 통로들을 유지시킴); (f) 선택 가능하게, 벨로우즈의 내면으로부터 마스킹제를 제거하는 단계.
마스킹제는 포토레지스트, 오일, 실란, 알콕시실란 또는 다른 적당한 재료들일 수 있다. 유체성 전구체는 HL126 폴리머 또는 메타크릴레이트 에스테르 또는 다른 적당한 재료들일 수 있다. 마스킹제는 아세톤, 포토레지스트 리무버 또는 다른 적당한 재료들에 의해 제거 (예를 들어, 용해, 식각 등) 될 수 있다.
가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면을 코팅하는 방법들이 그 특정 실시형태들을 참조하여 상세하게 설명되었지만, 첨부된 청구범위의 범위를 벗어나지 않으면서 다양한 변경 및 변형이 이루어질 수 있고 등가물들이 채용될 수 있음은 당업자에게 자명할 것이다.

Claims (37)

  1. 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 프로세스 가스들을 전달하도록 구성된 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 액체인 유체성 전구체를 유입시키고 상기 가스 통로들의 상기 내면들을 코팅하도록 상기 유체성 전구체의 층을 성막하는 단계;
    (b) 상기 내면들로부터 초과 (excess) 유체성 전구체를 제거하는 단계; 및
    (c) 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 상기 유체성 전구체의 성막된 상기 층을 경화하는 단계를 포함하는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체성 전구체는 하나 이상의 메타크릴레이트 에스테르를 포함하고;
    초과 유체성 전구체는 상기 가스 통로들 내부로 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉함으로써 제거되고; 그리고
    상기 유체성 전구체의 성막된 상기 층은 적어도 100℃의 온도 및 1 내지 10Torr의 압력으로 진공 오븐에서 상기 가스 통로들을 베이킹하거나 또는 적어도 24 시간 동안 분위기 온도 및 압력에서 상기 가스 통로들을 유지시킴으로써 경화되는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 유체성 전구체를 유입시키기 전에, 상기 내면들을 세정하고 상기 내면들을 건조하는 단계를 더 포함하는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 내면들은 10 내지 20wt.% 질산으로 3분 동안 세정되고, 상기 내면을 탈이온수로 적어도 5분 동안 린싱하고; 그리고
    상기 내면들은 상기 가스 통로들을 통해 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉하고 적어도 120℃의 온도로 진공 오븐에서 상기 가스 통로들을 베이킹함으로써 건조되는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 통로들은 0.25 인치 이하의 외직경을 갖는 스테인리스 스틸 배관 내에 있는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈가 상기 스테인리스 스틸 배관에 용접되는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 벨로우즈를 상기 배관에 용접하기 전에, 상기 벨로우즈의 내면들을 상기 유체성 전구체의 부착을 방지하는 마스킹제로 코팅하는 단계; 및
    선택 가능하게, 상기 경화 단계 후에, 상기 벨로우즈의 상기 내면들로부터 상기 마스킹제를 제거하는 단계를 더 포함하는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 마스킹제는 포토레지스트, 오일, 실란 및/또는 알콕시실란들인, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 단계 (a) 내지 상기 단계 (c) 가 반복되는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부식성 재료 코팅은 두께가 0.0014 내지 0.0034 인치인, 가스 전달 시스템의 가스 통로들의 내면들을 코팅하는 방법.
  12. 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 프로세스 가스들을 전달하도록 구성된 가스 전달 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 가스 통로들을 포함하고, 상기 가스 통로들의 내면들이, 상기 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 액체인 유체성 전구체를 유입시키고, 상기 가스 통로들의 상기 내면들을 코팅하도록 상기 유체성 전구체의 층을 성막하고, 상기 내면들로부터 초과 유체성 전구체를 제거함하고, 그리고 상기 내면들 상에 성막된 상기 유체성 전구체의 상기 층을 경화함으로써 형성된 내부식성 재료 코팅으로 코팅되는, 가스 전달 시스템.
  13. 제 12 항에 있어서,
    내부에 상기 가스 통로들을 갖는 스테인리스 스틸 배관에 용접되는 적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈를 더 포함하고, 상기 벨로우즈의 내면들은 상기 코팅에 의해 코팅되지 않는, 가스 전달 시스템.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 가스 통로들은 0.25인치 이하의 외직경을 갖는 스테인리스 스틸 배관 내에 있는, 가스 전달 시스템.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템.
  16. 제 12 항에 기재된 가스 전달 시스템을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 상기 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 할로겐 함유 프로세스 가스들을 전달하고,
    상기 프로세스 가스들은 상기 챔버 내에서 지지되는 개별 반도체 기판들을 프로세싱하도록 플라즈마로 활성화되는 (energized), 플라즈마 프로세싱 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 플라즈마에 의해 상기 기판들이 식각되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  18. 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 프로세스 가스들을 전달하도록 구성된 가스 전달 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 가스 통로들을 포함하고, 상기 가스 통로들의 내면들이 상기 내면들 상에 성막된 유체성 전구체의 층을 경화함으로써 형성된 내부식성 재료 코팅으로 코팅되고,
    상기 내면들은 (a) 상기 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 유체성 전구체를 유입시키고 그리고 상기 가스 통로들의 상기 내면들을 코팅하도록 상기 유체성 전구체의 상기 층을 성막하고; (b) 상기 내면들로부터 초과 유체성 전구체를 제거하고; 그리고 (c) 상기 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 상기 유체성 전구체의 성막된 상기 층을 경화함으로써 코팅되고,
    상기 유체성 전구체는 하나 이상의 메타크릴레이트 에스테르를 포함하고; 그리고
    상기 초과 유체성 전구체는 상기 가스 통로들 내부로 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉함으로써 제거되는, 가스 전달 시스템.
  19. 제 18 항에 있어서,
    내부에 상기 가스 통로들을 갖는 스테인리스 스틸 배관에 용접되는 적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈를 더 포함하고, 상기 벨로우즈의 내면들은 상기 코팅에 의해 코팅되지 않는, 가스 전달 시스템.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 가스 통로들은 0.25 인치 이하의 외직경을 갖는 스테인리스 스틸 배관 내에 있는, 가스 전달 시스템.
  21. 제 18 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템.
  22. 제 18 항에 기재된 가스 전달 시스템을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 상기 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 할로겐 함유 프로세스 가스들을 전달하고 상기 프로세스 가스들은 상기 챔버 내에서 지지되는 개별 반도체 기판들을 프로세싱하도록 플라즈마로 활성화되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  23. 제 22 항에 있어서,
    상기 플라즈마에 의해 상기 기판들이 식각되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  24. 제 20 항에 있어서,
    적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈가 상기 스테인리스 스틸 배관에 용접되는, 가스 전달 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 벨로우즈를 상기 배관에 용접하기 전에, 상기 벨로우즈의 내면들을 상기 유체성 전구체의 부착을 방지하는 마스킹제로 코팅하는 것; 및 선택 가능하게, 상기 경화 단계 후에, 상기 벨로우즈의 상기 내면들로부터 상기 마스킹제를 제거하는 것을 더 포함하는, 가스 전달 시스템.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템.
  27. 제 18 항에 있어서,
    상기 내부식성 재료 코팅은 두께가 0.0014 인치 내지 0.0034 인치인, 가스 전달 시스템.
  28. 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 프로세스 가스들을 전달하도록 구성된 가스 전달 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 가스 통로들을 포함하고, 상기 가스 통로들의 내면들이 상기 내면들 상에 성막된 유체성 전구체의 층을 경화함으로써 형성된 내부식성 재료 코팅으로 코팅되고,
    상기 내면들은 (a) 상기 가스 통로들을 통해 내부식성 재료의 유체성 전구체를 유입시키고 그리고 상기 가스 통로들의 상기 내면들을 코팅하도록 상기 유체성 전구체의 상기 층을 성막하고; (b) 상기 내면들로부터 초과 유체성 전구체를 제거하고; 그리고 (c) 상기 내부식성 재료 코팅을 형성하도록 상기 유체성 전구체의 성막된 상기 층을 경화함으로써 코팅되고, 그리고
    상기 유체성 전구체는 하나 이상의 메타크릴레이트 에스테르를 포함하고;
    상기 초과 유체성 전구체는 상기 가스 통로들 내부로 건식 질소 또는 건식 에어를 블로잉함으로써 제거되고; 그리고
    상기 유체성 전구체의 성막된 상기 층은 적어도 100℃의 온도 및 1 Torr 내지 10 Torr의 압력으로 진공 오븐에서 상기 가스 통로들을 베이킹하거나 또는 적어도 24 시간 동안 분위기 온도 및 압력에서 상기 가스 통로들을 유지시킴으로써 경화되는, 가스 전달 시스템.
  29. 제 28 항에 있어서,
    내부에 상기 가스 통로을 갖는 스테인리스 스틸 배관에 용접되는 적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈를 더 포함하고, 상기 벨로우즈의 내면들은 상기 코팅에 의해 코팅되지 않는, 가스 전달 시스템.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 가스 통로들은 0.25 인치 이하의 외직경을 갖는 스테인리스 스틸 배관 내에 있는, 가스 전달 시스템.
  31. 제 30 항에 있어서,
    적어도 하나의 스테인리스 스틸 벨로우즈가 상기 스테인리스 스틸 배관에 용접되는, 가스 전달 시스템.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 벨로우즈를 상기 배관에 용접하기 전에, 상기 벨로우즈의 내면들을 상기 유체성 전구체의 부착을 방지하는 마스킹제로 코팅하는 것; 및
    선택 가능하게, 상기 경화 단계 후에, 상기 벨로우즈의 상기 내면들로부터 상기 마스킹제를 제거하는 것을 더 포함하는, 가스 전달 시스템.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템.
  34. 제 28 항에 있어서,
    상기 코팅은 할로겐 함유 프로세스 가스들에 내성이 있는, 가스 전달 시스템.
  35. 제 28 항에 기재된 가스 전달 시스템을 포함하는 플라즈마 프로세싱 시스템에 있어서,
    상기 가스 전달 시스템은 상기 플라즈마 프로세싱 시스템의 챔버 내부로 할로겐 함유 프로세스 가스들을 전달하고 상기 프로세스 가스들은 상기 챔버 내에서 지지되는 개별 반도체 기판들을 프로세싱하도록 플라즈마로 활성화되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 플라즈마에 의해 상기 기판들이 식각되는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
  37. 제 28 항에 있어서,
    상기 내부식성 재료 코팅은 두께가 0.0014 인치 내지 0.0034 인치인, 가스 전달 시스템.

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