KR20070043670A - 내식성 부재 - Google Patents

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하지메 나까노
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신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명에 따르면, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 재료 표면이 대기에 노출되어도 흡습하지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재를 제공한다.
또한, 본 발명에 따르면, 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면이 내식 재료로부터 염화물 파티클을 생성하지 않고, 수계로 세정하는 경우에도 기재를 부식하는 액성을 나타내지 않기 때문에, 기재에 손상을 끼치는 경우가 없고, 내식 성능이 저하하지 않는 내식성 부재를 제공할 수 있다.
내식성 부재, 염소계 가스, 염소계 가스 플라즈마, 희토류 불화물

Description

내식성 부재 {CORROSION RESISTANT MEMBER}
도 1은 실시예 1의 플라즈마 시험편의 불화이트륨 표면의 배율 200배의 전자 현미경 사진(SEM)이다.
도 2는 비교예 2의 알루마이트 표면에 생성된 염화알루미늄 입자를 나타낸 배율 200배의 전자 현미경 사진(SEM)이다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2001-164354호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2002-293630호 공보
본 발명은 염소계 가스 또는 그의 플라즈마하에서 사용한 후에도 표면 상태가 변하지 않는 내식성 부재에 관한 것이며, 더욱 상술하면 반도체 제조 장치 및 액정 제조 장치, 유기 EL 제조 장치, 무기 EL 제조 장치 등의 플랫 패널 디스플레이 제조 장치용 등으로서 바람직하게 사용되고, 염소계 부식성 가스 또는 그의 플라즈마에 대하여 내식성을 갖는 내식성 부재에 관한 것이다.
할로겐계 부식성 가스 분위기하에서 사용하는 반도체 제조 장치나, 액정 제 조 장치, 유기 및 무기 EL 제조 장치 등의 플랫 패널 디스플레이 제조 장치는 피처리물로의 불순물 오염, 파티클에 의한 결함을 방지하기 위해 고순도 재료가 사용되며, 특히 그 표면의 순도, 표면 상태가 중요하다.
반도체 제조 공정에 있어서는, 게이트 에칭 장치, 절연막 에칭 장치, 금속 에칭 장치, 레지스트막 애싱 장치, 스퍼터링 장치, CVD 장치 등이 사용되고 있다. 한편, 액정의 제조 공정에 있어서는, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 에칭 장치 등이 사용되고 있다. 또한, 이들 제조 장치에서는 미세 가공에 의한 고집적화 등을 목적으로 플라즈마 발생 기구를 구비한 구성이 취해지고 있다.
이들의 제조 공정에 있어서, 특히 게이트 에칭 장치, 금속 에칭 장치에는 처리 가스로서 염소계 부식 가스가, 그 높은 반응성으로 인해 이용되고 있다. 염소계 가스로서는 Cl2, BCl3, HCl, CCl4, CHCl3, SiCl4 등을 들 수 있으며, 이들 가스 또는 이들 가스를 포함하는 혼합 가스가 도입된 분위기에 마이크로파나 고주파 등을 도입하면 이들 가스는 플라즈마화된다. 이들 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 장치 부재에는 표면이 부식성 가스와 반응하기 어려운 높은 내식성, 부식성 가스와 표면 재료와의 반응 생성물에 의해 파티클을 생성하지 않을 것 등이 요구된다.
이러한 요구에 대하여, 종래부터 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 대한 내식성을 부여하기 위한 재료로서, 석영, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄 등의 세라믹, 알루마이트 처리 피막, 또는 이들을 기재 표면에 용사하여 용사 피막을 형성 한 것이 사용되고 있다.
그러나, 상기 세라믹 부재는 표면에 파티클이 잔류한다는 문제가 있다. 이러한 부재가 부식성 가스 분위기하에서 플라즈마에 노출되면, 그 정도차가 있기는 하지만, 서서히 부식이 진행되어 표면 영역을 구성하는 결정 입자가 이탈하기 때문에, 이른바 파티클 오염을 일으킨다. 또한, 알루미늄계의 재료, 즉 알루미나, 질화알루미늄, 알루마이트 처리 피막은 염소계 부식 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되면 알루미늄이 염소로 에칭되어 파티클을 생성한다. 또는, 처리 공정 사용 후의 챔버를 대기에 개방하면, 알루미늄계 재료 표면의 염화알루미늄이 흡습하여 재료 부식의 진행, 염화알루미늄 파티클의 성장이 관찰된다. 이들 이탈한 파티클이 반도체 웨이퍼, 하부 전극 근방 등에 부착되어, 에칭 정밀도 등에 악영향을 끼쳐 반도체의 성능이나 신뢰성이 손상되기 쉽다는 문제가 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2001-164354호 공보에는 할로겐계 플라즈마 내식 재료로서 산화이트륨이 기재되어 있고, 그 실시예에 불소계 플라즈마에서의 내식성이 기재되어 있는데, 산화이트륨을 염소계 플라즈마에 노출되는 면에 사용했을 경우, 조해성을 갖는 염화이트륨이 생성된다는 문제가 있다.
최근, 반도체 장치 등은 미세화와 함께 대구경화가 진행되고 있으며, 이른바 건식 공정, 특히 에칭 공정에 있어서 저압 고밀도 플라즈마가 사용되어 가고 있다. 이 저압 고밀도 플라즈마를 사용하는 경우, 종래의 에칭 조건에 비하여 내플라즈마성 부재에 끼치는 영향이 크고, 플라즈마에 의한 부식과, 이 부식에 기인하는 부재 성분의 오염이나, 재료, 표면 불순물에 의한 반응 생성물로부터 기인한 오염 등의 문제가 현저해지고 있다.
또한, 플랫 패널 디스플레이의 대화면화, 기판의 대형화에 따라 불량률 감소를 위해, 특히 플랫 패널 디스플레이 제조 공정에서의 플라즈마 에칭 공정의 플라즈마 가스 중의 염소계 가스와 기재의 반응물인 염화물이, 디스플레이 상에 미세하게 석출되므로 파티클 발생 방지, 오염 방지가 중요시되고 있다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 염소계 부식성 가스에 노출되는 면이 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 의한 노출에 대해서도 충분히 견디고, 정기적인 세정에서의 내식 성능의 저하가 없으며, 나아가 표면 오염이 없는 내식성 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 염소계 부식성 가스에 노출되는 면이 염소계 가스, 또는 그의 플라즈마에 노출되어도 염화물 입자가 생성되지 않고, 반도체 웨이퍼로의 파티클 부착을 일으키지 않으며, 반도체 제조 장치용, 플랫 패널 디스플레이 제조 장치용 등으로서 유용하다는 것, 또한 알루미늄계 재료를 상기 부식성 가스에 노출되는 면에 사용했을 경우, 조해성이 있는 염화알루미늄을 생성하기 때문에 수계 세정시에 내식 재료의 기재를 부식시키지만, 대기 중에 노출되어도 흡습하지 않고, 염화물 입자를 생성하지 않기 때문에 세정에 있어서 내식 부재의 기재를 부식시키지 않고, 반복 세정에서의 손상에 의해 내식 성능이 저하하지 않는다는 것을 발견하였다.
따라서, 본 발명은 하기의 내식성 부재를 제공한다.
(1) 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 재료 표면이 대기에 노출되어도 흡습하지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(2) 상기 (1)에 있어서, 염소계 가스가 Cl2, Cl2를 포함하는 혼합 가스, 또는 염소계 가스를 포함하는 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(3) 상기 (1) 또는 (2)에 있어서, 희토류 원소 불화물인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(4) 상기 (3)에 있어서, 희토류 원소가 Y, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 희토류 불화물 내식성 부재.
(5) 상기 (1) 내지 (4) 중 어느 하나에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 재료 표면이 대기에 노출되어도 재료 표면에 염소 화합물을 생성하지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(6) 상기 (1) 내지 (5) 중 어느 하나에 있어서, 수세시에 수세욕 중에서 세정수가 부식성을 나타내지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(7) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출 된 후에, 표면 조도 Ra가 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
(8) 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 하나에 있어서, 반도체 제조 장치용 또는 플랫 패널 디스플레이 제조 장치용인 내식성 부재.
(9) 상기 (8)에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 플라즈마하에서 사용되는 희토류 원소 불화물 내식성 부재.
이 경우, 상기 내식성 부재는 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에,
(i) 표면이 대기에 노출되어도 흡습하지 않고,
(ii) 표면이 대기에 노출되어도 표면에 염소 화합물을 생성하지 않고,
(iii) 수세시에 수세욕 중에 세정수가 부식성을 나타내지 않고,
(iv) 표면 조도 Ra가 10 ㎛ 이하
라는 어느 하나의 효과를 제공할 수 있다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 내식성 부재는, 기재의 적어도 최외측 표면(염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면)이 희토류 원소의 불화물층으로 형성된 부재이다.
여기서, 기재로서는 금속 또는 그의 합금 및 세라믹 중에서 선택할 수 있으며, Al, Mo, Ta, W, Hf, V, Zr, Nb, Ti, 석영, SUS(스테인레스 스틸), 질화규소, 알루미나, 지르코니아 등으로부터 선택할 수 있다.
또한, 염소계 가스로서는 Cl2, BCl3, HCl, CCl4, CHCl3, SiCl4 및 이들 가스 중 1종 또는 2종 이상을 포함하는 혼합 가스를 들 수 있다.
본 발명의 내식성 부재에 사용되는 희토류 원소로서는 Y, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 희토류 원소가 바람직하고, Y, Sc, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 희토류 원소가 보다 바람직하다. 이들 희토류 원소의 불화물은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 알칼리 금속의 석출을 방지하기 위해서도, 고순도로 정제한 불화물을 사용하는 것이 본 발명에서는 바람직하다.
상기 불화물층으로서는 용사막, 소결체, 물리적 성막물, 화학적 성막물 등을 들 수 있지만, 용사막이 바람직하다. 희토류 원소의 불화물 중에는 원소에 의해 상 전이점을 갖는 것이 있으며, Y, Sm, Eu, Gd, Er, Tm, Yb, Lu는 소결 온도로부터의 냉각시에 상 변화에 의한 팽창 수축이 있기 때문에 소결체의 제조가 곤란하다. 이들 원소의 불화물층 제조에는 특히 용사법이 바람직하다. 용사법에 따르면, 기재에 성형되는 막이 급냉되기 때문에 부분적으로 고온상을 남긴 상태가 되며, 치밀한 피막의 성막이 가능하다. 더 상술하면, 기재에 내식막을 피복하기 위해서는 스퍼터링법, 증착법, 이온 플레이팅법 등의 물리적 성막 방법, 플라즈마 CVD, 열분해 CVD 등의 화학적 성막법, 졸겔법, 슬러리 코팅법 등의 습식 코팅법 등이 있다. 본 발명의 내식성 부재를 성막에 의해 제조하는 경우의 막 두께는 1 ㎛ 이상의 비교적 두꺼운 막인 것이 바람직하며, 결정성이 높은 피막인 것이 더욱 바람직하지만, 물리적 성막법이나 화학적 성막법은 원하는 막 두께를 얻는 데 많은 시간이 걸려 경제적이지 못하다. 또한, 이들 방법은 감압 분위기를 필요로 하고, 최근의 반도체 웨이퍼나 유리 기판의 대형화에 따라 제조 장치의 부재도 대형화하고 있어, 이들을 대형 부재에 피복하기 위해서는 대형의 감압 장치 등이 필요하여 경제적이지 못하다.
한편, CVD법 등의 화학적 성막법이나 졸겔법 등도 제조 장치의 대형화 문제나 결정성이 높은 막을 제조하기 위해서는 고온 가열이 필요하며, 따라서 피복되는 기재의 선택폭도 좁고, 수지 재료, 세라믹 재료나 금속 재료에 비하여 내열성이 떨어지는 재료로의 피복은 곤란하다.
또한, IIIA족 원소를 포함하는 세라믹 재료를 불화 처리하여 표면을 IIIA족 불화물로 개질하는 방법(일본 특허 공개 제2002-293630호 공보)도 제안되어 있지만, 이 방법은 기재가 IIIA족의 원소를 포함하고 있을 필요가 있어, 재료 선택에 제한이 있다. 또한, 막 두께를 1 ㎛보다 두껍게 하는 것이 곤란하다.
이러한 점으로부터, 본 발명을 실시하기 위해서는 비교적 고속으로 1 내지 1,000 ㎛의 막 두께의 성막이 가능하고, 결정성이 높은 피막을 얻을 수 있으며, 나아가 기재의 재질, 크기에 대한 제한이 적은 시공법이 적합하며, 재료를 용융 또는 연화시켜, 그 용적(溶滴)을 기재에 퇴적시켜 성막하는 용사법, 미립 고체 입자를 고속으로 기재에 대고 퇴적시키는 냉각 분무법이나 에어로졸 침착법 등이 바람직하다. 용사법의 경우, 아르곤 가스 또는 헬륨 가스를 플라즈마 가스로서 사용한다. 또한, 이들 불활성 가스에 수소 가스를 혼합함으로써 플라즈마 온도가 높아지고, 플라즈마 가스 속도가 상승하기 때문에 보다 치밀한 성막이 가능해진다. 수소 가스를 1 내지 40 용량％ 혼합함으로써, 치밀하고 반응성이 낮은 막을 형성할 수 있 다. 즉, 이 조건으로 용사함으로써 화상 해석법에서의 기공률이 10 ％ 이하인 치밀한 막을 얻을 수 있다. 이러한 치밀한 막을 사용함으로써, 보다 내식성이 양호한 저파티클의 피막을 얻을 수 있다.
막 두께에 대해서는 1 ㎛ 이상이면 문제가 없으며, 1 내지 1,000 ㎛의 막 두께로 할 수 있지만, 부식이 전무한 것은 아니기 때문에, 피복 부재의 수명 등을 늘리기 위해서는 대략 10 내지 500 ㎛가 바람직하다.
불순물로서 불화나트륨, 불화칼륨은 금속 나트륨, 금속 칼륨 환산의 합계로 100 ppm 이하인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 50 ppm 이하이다. 불화나트륨은 물에 대한 용해도가 4.03 g/100 g(25 ℃)이고, 불화칼륨은 물에 대한 용해도가 92.3 g/100 g(18 ℃)이며, 조해성이 있다. 이들 불화나트륨, 불화칼륨의 불순물이 100 ppm을 초과하면, 희토류 불화물 내식성 부재의 세정시에 불화나트륨, 불화칼륨 용출에 의한 기공의 생성ㆍ파티클의 발생이 일어나고, 내식성 부재의 표면 열화를 진행시켜 바람직하지 않다.
반도체 제조 공정의 건식 에칭 공정의 폴리실리콘 게이트 전극 에칭에서는 CCl4, CF4, CHF3, NF3 등으로부터 선택된 혼합 가스 플라즈마, Al 배선 에칭에서는 CCl4, BCl3, SiCl4, BBr3, HBr 등으로부터 선택된 혼합 가스 플라즈마, W 배선 에칭에서는 CF4, CCl4, O2 등으로부터 선택된 혼합 가스 플라즈마가 사용되고 있다. 또한, CVD 공정의 Si막 형성에서는 SiH2Cl2-H2 등의 혼합 가스, Si3N4 형성에서는 SiH2Cl2-NH3-H2 등의 혼합 가스, TiN막 형성에서는 TiCl4-NH3 등의 혼합 가스가 사용되고 있다. 종래부터 상기 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면에 사용되고 있는 석영, 알루미나, 질화규소, 질화알루미늄 등의 세라믹, 알루마이트 처리 피막은 내식성이 불충분하기 때문에 내식 재료가 에칭되고, 세라믹의 탈립, 알루마이트 처리 피막의 감퇴에 의한 알루미늄면의 노출, 염화알루미늄 파티클이 생성되고, 이들 탈립 입자, 염화알루미늄 파티클이 웨이퍼에 혼입되면 제품 불량의 원인이 된다. 이 내식 재료 표면에 생성된 염화물은, 공정 사용 후의 내식 부재를 대기에 개방한 후에 부재 표면을 관찰함으로써 확인할 수 있다.
염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출된 부재의 알루미나, 질화알루미늄, 알루마이트 처리 피막을 관찰하면, 부재 표면의 염화물이 대기에 노출됨으로써 흡습하고, 거품이 일으나는 상태가 관찰된다. 또는, 공정 후의 부재 표면을 에너지 분산형 X선 분석 장치로 분석함으로써 염화물 입자가 관찰된다. 부재 표면에는 1 내지 100 ㎛의 구상 염화알루미늄이 관찰되고, 그 표면의 평활성을 조사하면, 표면에 생성된 염화알루미늄으로 인해 표면 조도 Ra가 10 ㎛를 초과하는 값이 되며, 파티클이 발생하기 쉬운 상태가 된다. 따라서, 본 발명은 Ra를 10 ㎛ 이하, 특히 피막 처리 전의 모재 상태로부터 10 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 공정 사용 후의 부재는 표면 부착물을 제거하기 위해 순수한 물로 세정되는데, 물에 용해되기 쉬운 염화알루미늄이 용해되어 알루미늄 합금, 스테인레스 등의 기재를 부식시켜 부재 수명이 단축된다. 상기의 내식성이 불충분한 내식 재료는 공정 사용 후, 세정 후에 그 표면의 평활성이 더 상실되고, 표면 조도도 거칠어진다. 표면 조도는 JIS에 준거한 Ra로 표현할 수 있다. 표면 조도가 높아짐으로써 부식성 가스 분위기에서의 탈립이 일어나기 쉬워지고, 표면 조도가 높아짐으로써 부식성 가스와의 노출 면적이 증가하여 염화물계 반응 생성물의 생성량도 증가하며, 순수한 물로의 세정시의 기재 부식성도 높아진다.
이에 대하여, 희토류 불화물층을 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면에 사용하면, 희토류 원소-F의 결합 에너지가 희토류 원소-Cl보다 크기 때문에 보다 안정하고, 희토류 염화물의 생성을 방지할 수 있다. 또한, 희토류 불화물 자체는 물에 대하여 난용성이기 때문에, 세정액이 부식성의 액성을 나타내는 경우도 없어 상기 문제를 해소할 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예로 제한되는 것이 아니다.
<실시예 1>
20 mm×20 mm의 알루미늄 합금 기재 표면을 아세톤으로 탈지하고, 강옥으로 된 연삭재로 조면화 처리한 후, 불화이트륨 분말을 대기압 플라즈마 용사 장치로 아르곤 가스와 수소 가스의 용량비가 9:1인 혼합 가스를 플라즈마 가스로서 사용하여, 출력 40 kW, 용사 거리 100 mm에서 30 ㎛/Pass로 용사하여 200 ㎛의 막 두께로 성막하였다.
용사막 표면의 나트륨, 칼륨을 서모 일렉트론사 제조의 글로우 방전 질량 분 석 장치 모델 VG9000으로 글로우 방전 질량 분석을 행했더니 나트륨이 2 ppm, 칼륨이 1 ppm이었다. 용사막 단면 반사 전자상을 양쪽상 해석 소프트 사이온 이미지(Scion Image)에 의해 2개 값으로 하고, 전체 표면적에 대한 기공 표면적의 비율인 기공률을 구했더니 2.8 ％였다.
시험편을 중앙부 10 mm×10 mm가 노출되도록 폴리이미드 테이프로 마스킹하고, 삼코사 제조의 리액티브 이온 에칭 장치 RIE-10NR로 RF 출력 500 W, Cl2 가스 유량 5 sccm, 압력 5 Pa로 10 시간 플라즈마 분위기에 노출시켰다. 시험 후, 챔버를 대기에 개방하고, 시험편 표면의 흡습 유무를 육안으로 관찰하였다. 관찰 후의 시험편을 진공 건조하고, 에너지 분산형 X선 분석 장치(닛본 덴시사 제조, JED-2140)로 200 배로 10개 시야를 관찰하여 염화물의 유무를 조사하였다. 또한, 플라즈마 분위기에 노출된 전후의 표면 조도 Ra를 측정하였다(JIS B 0601에 준거). 시험 결과를 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 노출된 부재 표면을 순수한 물로 2회 세정한 결과에 있어서도 세정수 중에는 염화물의 용출은 없었다.
<실시예 2>
용사 분말로서 불화디스프로슘을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 용사, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 용사막 표면의 나트륨은 3 ppm, 칼륨은 2 ppm이었다. 또한, 기공률은 4.5 ％였다.
<실시예 3>
용사 분말로서 불화가돌리늄을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 용 사, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 용사막 표면의 나트륨은 2 ppm, 칼륨은 3 ppm이었다. 또한, 기공률은 3.3 ％였다.
<실시예 4>
용사 분말로서 불화이트륨 80 질량％、불화디스프로슘 20 질량％의 혼합 분체를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 용사, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 용사막 표면의 나트륨은 1 ppm, 칼륨은 4 ppm이었다. 또한, 기공률은 3.7 ％였다.
<비교예 1>
용사 분말로서 산화이트륨을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 용사, 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 2>
A6061 알루미늄 합금에 알루마이트 피막을 형성하고, 실시예 1과 동일하게 플라즈마 분위기에 노출시켜 실시예 1과 동일한 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 3>
99.5 ％의 알루미나 세라믹을 실시예 1과 동일하게 플라즈마 분위기에 노출시켜 실시예 1과 동일한 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<비교예 4>
석영을 실시예 1과 동일하게 플라즈마 분위기에 노출시켜 실시예 1과 동일한 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
Figure 112006075884620-PAT00001
이 결과로부터, 희토류 불화물을 염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면에 사용함으로써, 챔버 대기 개방 후에 흡습되는 염화물ㆍ염화물 파티클을 생성하지 않기 때문에, 웨이퍼 상의 파티클 오염을 감소시킬 수 있고, 세정 중에 염소 용액으로 기재를 부식시키지 않는 내식성이 우수한 부재를 얻을 수 있다.
염소계 가스 또는 그의 플라즈마에 노출되는 면이 내식 재료로부터 염화물 파티클을 생성하지 않고, 수계로 세정하는 경우에도 기재를 부식시키는 액성을 나타내지 않기 때문에, 기재에 손상을 끼치는 경우가 없고, 내식 성능이 저하하는 경우가 없는 내식성 부재를 제공할 수 있다.

Claims (9)

  1. 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 재료 표면이 대기에 노출되어도 흡습하지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  2. 제1항에 있어서, 염소계 가스가 Cl2, Cl2를 포함하는 혼합 가스, 또는 염소계 가스를 포함하는 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 내식성 부재가 희토류 원소 불화물인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  4. 제3항에 있어서, 희토류 원소가 Y, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 희토류 불화물 내식성 부재.
  5. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 재료 표면이 대기에 노출되어도 재료 표면에 염소 화합물을 생성하지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  6. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 수세시에 수세욕 중에서 세정수가 부식성을 나타내지 않는 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  7. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출되는 재료로서, 염소계 가스 또는 염소계 가스 플라즈마에 노출된 후에, 표면 조도 Ra가 10 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 내식성 부재.
  8. 제1항, 제2항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 제조 장치용 또는 플랫 패널 디스플레이 제조 장치용인 내식성 부재.
  9. 제8항에 있어서, 염소계 가스 또는 염소계 플라즈마하에서 사용되는 희토류 원소 불화물 내식성 부재.
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Families Citing this family (180)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101097927B1 (ko) * 2005-08-18 2011-12-23 재단법인서울대학교산학협력재단 액정 표시장치 제조 방법
US7479464B2 (en) * 2006-10-23 2009-01-20 Applied Materials, Inc. Low temperature aerosol deposition of a plasma resistive layer
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5861612B2 (ja) * 2011-11-10 2016-02-16 信越化学工業株式会社 希土類元素フッ化物粉末溶射材料及び希土類元素フッ化物溶射部材
JP6034156B2 (ja) 2011-12-05 2016-11-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5651848B2 (ja) * 2012-01-18 2015-01-14 トーカロ株式会社 フッ化物サーメット複合皮膜被覆部材およびその製造方法
US9238863B2 (en) 2012-02-03 2016-01-19 Tocalo Co., Ltd. Method for blackening white fluoride spray coating, and fluoride spray coating covered member having a blackened layer on its surface
CN104105820B (zh) 2012-02-09 2016-11-23 东华隆株式会社 氟化物喷涂覆膜的形成方法及氟化物喷涂覆膜覆盖部件
WO2013140668A1 (ja) * 2012-03-22 2013-09-26 トーカロ株式会社 フッ化物溶射皮膜の形成方法およびフッ化物溶射皮膜被覆部材
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9708713B2 (en) 2013-05-24 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Aerosol deposition coating for semiconductor chamber components
JP2016065302A (ja) * 2014-09-17 2016-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用の部品、及び部品の製造方法
CN105428195B (zh) * 2014-09-17 2018-07-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置用的部件和部件的制造方法
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6808168B2 (ja) * 2015-12-24 2021-01-06 Toto株式会社 耐プラズマ性部材
KR102084235B1 (ko) * 2015-12-28 2020-03-03 아이원스 주식회사 투명 불소계 박막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 불소계 박막
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
CN114250436B (zh) * 2020-09-25 2024-03-29 中微半导体设备(上海)股份有限公司 耐腐蚀涂层制备方法、半导体零部件和等离子体反应装置
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3017528B2 (ja) * 1990-11-27 2000-03-13 アプライドマテリアルズジャパン株式会社 プラズマ処理装置
JP3362113B2 (ja) * 1997-07-15 2003-01-07 日本碍子株式会社 耐蝕性部材、ウエハー設置部材および耐蝕性部材の製造方法
JP3510993B2 (ja) * 1999-12-10 2004-03-29 トーカロ株式会社 プラズマ処理容器内部材およびその製造方法
JP2002249864A (ja) * 2000-04-18 2002-09-06 Ngk Insulators Ltd 耐ハロゲンガスプラズマ用部材およびその製造方法
TW503449B (en) * 2000-04-18 2002-09-21 Ngk Insulators Ltd Halogen gas plasma-resistive members and method for producing the same, laminates, and corrosion-resistant members
JP2002037683A (ja) * 2000-07-24 2002-02-06 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性部材およびその製造方法
US6685991B2 (en) * 2000-07-31 2004-02-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for formation of thermal-spray coating layer of rare earth fluoride
EP1239055B1 (en) * 2001-03-08 2017-03-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal spray spherical particles, and sprayed components
JP2002293630A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性部材およびその製造方法
US20030029563A1 (en) * 2001-08-10 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant coating for semiconductor processing chamber
JP2003146755A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Toshiba Ceramics Co Ltd 耐プラズマ性部材、その製造方法、及び半導体製造装置
JP4486372B2 (ja) * 2003-02-07 2010-06-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4098259B2 (ja) * 2004-02-27 2008-06-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
JP4181069B2 (ja) * 2004-02-27 2008-11-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070092696A1 (en) 2007-04-26
EP1777317A1 (en) 2007-04-25
JP2007115973A (ja) 2007-05-10
CN101075550A (zh) 2007-11-21
TW200728501A (en) 2007-08-01

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