JP5861612B2 - 希土類元素フッ化物粉末溶射材料及び希土類元素フッ化物溶射部材 - Google Patents

希土類元素フッ化物粉末溶射材料及び希土類元素フッ化物溶射部材 Download PDF

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Description

本発明は、希土類元素フッ化物粉末溶射材料、特には半導体製造工程でのハロゲン系腐食ガスプラズマ雰囲気での耐腐食性に優れた溶射膜を製造する際に用いる希土類元素フッ化物粉末溶射材料、及び希土類元素フッ化物溶射部材に関する。
従来、様々な使用環境において基材を保護するために耐腐食性に優れた溶射皮膜が用いられている。この場合、Al、Cr等の酸化物が主な溶射材料として用いられていたが、高温でのプラズマに晒されると腐食性が高まり、特に、ハロゲン系腐食ガスプラズマ雰囲気で処理されることのある半導体製品の製造においては、該材料を用いることは不適当であった。
半導体製品の製造工程で用いられるハロゲン系腐食ガスプラズマ雰囲気には、フッ素系ガスとしては、SF6、CF4、CHF3、ClF3、HF等が、また塩素系ガスとしては、Cl2、BCl3、HCl等が用いられる。
これらの腐食性の極めて強い雰囲気中でも使用され得る部材としては、例えば酸化イットリウム(特許文献1:特許第4006596号公報)やフッ化イットリウム(特許文献2:特許第3523222号公報)を表面に溶射することで耐腐食性に優れた部材が得られることが知られている。希土類酸化物溶射膜を製造する際、希土類酸化物をプラズマ溶射して製造するが、技術的な問題が少なく、早くから半導体用溶射部材として実用化されている。一方、希土類フッ化物溶射膜は耐食性に優れるものの、希土類フッ化物をプラズマ溶射する際に、3,000℃以上の炎を通過、溶融する時、フッ化物の分解が生じ、部分的に希土類フッ化物と希土類酸化物の混合物になるなどの技術的課題があり、希土類酸化物溶射部材に比べて実用化が遅れている。
特許第4006596号公報 特許第3523222号公報 特開2008−133528号公報
本発明は、上記の問題点に鑑み、従来の希土類元素酸化物溶射皮膜に比べて耐食性に優れた希土類元素フッ化物溶射皮膜を形成するための希土類元素フッ化物溶射材料及びその希土類元素フッ化物溶射皮膜を有する溶射部材を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記の課題を解決するために、本発明の希土類元素フッ化物粉末溶射材料として、希土類元素フッ化物粒子外形のアスペクト比が2以下、平均粒子径が10μm以上100μm以下、嵩密度が0.8g/cm3以上1.5g/cm3以下、炭素を0.1質量%以上0.5質量%以下含有する溶射材料をプラズマ溶射すること、これにより炭素含有量が0.1質量%以下、酸素含有量が0.3質量%以上0.8質量%以下である溶射皮膜を基材に形成することが有効であることを知見し、本発明をなすに至った。
従って、本発明は、下記の溶射材料及び溶射部材の製造方法を提供する。
〔1〕
希土類元素フッ化物粒子の外形のアスペクト比が2以下、平均粒子径が10μm以上100μm以下、嵩密度が0.8g/cm3以上1.5g/cm3以下、炭素を0.1質量%以上0.5質量%以下含有し、水及び水酸基の合計含有量が10,000ppm以下であることを特徴とする希土類元素フッ化物粉末溶射材料。
〔2〕
希土類元素がY及びLaからLuまでの3A族元素から選ばれる1種又は2種以上である〔1〕記載の溶射材料。
〔3〕
希土類元素がY、Ce及びYbから選ばれる〔2〕記載の溶射材料。
〔4〕
基材に、〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の溶射材料をプラズマ溶射して、炭素含有量が0.1質量%以下、酸素含有量が0.3質量%以上0.8質量%以下の溶射皮膜を形成することを特徴とする希土類元素フッ化物溶射部材の製造方法
〔5〕
溶射皮膜が、L*が65以上85以下、a*が−3.0〜+3.0、b*が0.0〜+8.0のL***色度を有する〔4〕記載の溶射部材の製造方法
本発明によれば、大気中プラズマ溶射に適した希土類元素フッ化物粉末溶射材料を得ることができる。本発明の希土類元素フッ化物粉末溶射材料を用いて製造した希土類元素フッ化物溶射部材はハロゲンガス中での耐プラズマ部材として使用した場合、部分的な色の変化が少なく、本来の長寿命を実現できる部材となる。
本発明の希土類元素フッ化物粉末溶射材料は、希土類元素フッ化物粒子の外形のアスペクト比が2以下、平均粒子径が10μm以上100μm以下、嵩密度が0.8g/cm3以上1.5g/cm3以下、炭素を0.1質量%以上0.5質量%以下含有するもので、希土類元素フッ化物を大気中でプラズマ溶射するのに適した溶射材料である。溶射材料粉末としては、
1.流動性がよい、
2.プラズマ溶射で希土類フッ化物が分解しない
ことが望ましく、本発明の溶射材料はかかる利点を備えている。
本発明の溶射材料において、その粒子形状は球状が好ましい。なぜならば、溶射材料として、溶射のフレーム中に溶射材料を導入する際に、流動性が悪いと、溶射材料が供給管内に詰まったりして使用上不都合が生じるためである。この流動性を得るために溶射材料は球状が好ましく、その粒子外形のアスペクト比が2以下、好ましくは1.5以下であることが望ましい。アスペクト比は、粒子の長径と短径との比で表される。
希土類フッ化物溶射材料として用いる希土類元素としては、Y及びLaからLuまでの3A族元素から選ばれるが、特にY、Ce、Ybが好ましい。希土類元素は、2種以上の元素を混用しても差し支えない。混用する場合には、混用した原料から造粒してもよいし、単一の元素から造粒した粒子を溶射材料として用いる時点で混合してもよい。
溶射材料の平均粒子径は10〜100μm、好ましくは30〜60μmである。この場合、溶射材料の粒子の大きさは、20μm以上200μm以下の範囲であることが好ましい。なお、平均粒子径はレーザー光回折法による粒度分布測定装置によって求めることができ、質量平均値D50(即ち、累積質量が50%となるときの粒子径又はメジアン径)として測定することができる。
これは、溶射材料の粒子の大きさが小さすぎると、フレーム中で蒸発してしまうなど、溶射歩留まりが低下するおそれがあり、粒子が大きすぎるとフレーム中で完全に溶融せず、溶射膜の品質が低下するおそれがあるからである。
また、造粒後の粉末である溶射材料粉末が内部まで充填していることは、粉末を取り扱う上で割れたりせずに安定していること、空隙部が存在するとその空隙部に好ましくないガス成分を含有し易いのでそれを避けることができること等の理由から、必要なことである。この点で、溶射材料の嵩密度は0.8〜1.5g/cm3、好ましくは1.2〜1.5g/cm3である。なお、嵩密度の測定は、JIS K 5101 12−1の方法による。
希土類フッ化物を大気中でプラズマ溶射する場合、フッ化物が酸化物に分解する可能性がある。特に溶射材料粉末に多量の水及び/又は水酸基を含んでいると、フッ化物の分解が起こり、希土類酸化物になり、フッ素はフッ化水素などのガスに変わる。溶射膜は希土類酸化物と希土類フッ化物の混合物になる。そのため、水及び水酸基の合計含有量としては10,000ppm以下、好ましくは3,000ppm以下、更に好ましくは1,000ppm以下である造粒粉末の原料を使用することが望ましい。
また、溶射材料粉末中に炭素を0.1質量%以上0.5質量%以下含有させることにより、酸素と炭素が二酸化炭素に変わることにより、希土類フッ化物の分解を抑え、希土類酸化物の少ない希土類フッ化物溶射膜を得ることができる。
このような希土類元素のフッ化物を使用した溶射材料の製造方法としては、希土類元素のフッ化物と溶媒、具体的には、水、炭素数1〜4のアルコール等を用いてスラリー濃度が10〜40質量%のスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒し、更に付着している水分などを除去する目的で、大気中、真空もしくは不活性ガス雰囲気中で70〜200℃の温度で乾燥する方法がよい。
また、カルボキシメチルセルロースのような、粒子の結合剤となる有機高分子物質と希土類元素のフッ化物と純水とを混合したスラリーを製造し、これをスプレードライ等の方法で造粒することで溶射材料を得ることもできる。結合剤としては、カルボキシメチルセルロースの他に、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンなどが挙げられる。添加する結合剤の使用量は、希土類元素のフッ化物に対して0.05〜10質量%の割合で用いてスラリーにすることが好ましい。この場合、結合剤を含有炭素として使用するため溶射材料に含まれたままがよい。
造粒粒子から結合剤を除去せず、水分だけを除去することが好ましく、酸素を含んだ雰囲気で焼成せず、200℃未満の乾燥がよい。好ましくは真空中又は不活性ガス中で200℃未満の乾燥がよい。
このようにして得られた溶射材料を用いて基材にプラズマ溶射することで、希土類元素フッ化物溶射部材を形成することができる。この場合、基材上に形成される溶射皮膜は、炭素含有量が0.1質量%以下、好ましくは0.03〜0.1質量%であり、酸素含有量が0.3〜0.8質量%、好ましくは0.45〜0.65質量%のものである。
半導体製造装置用部材への溶射は、大気圧プラズマ溶射あるいは減圧プラズマ溶射で行われることが望ましい。プラズマガスとしては、窒素/水素、アルゴン/水素、アルゴン/ヘリウム、アルゴン/窒素、アルゴン単体、窒素ガス単体が挙げられるが、特に限定されるものではない。溶射される基材としては、半導体製造装置用部材等を構成するアルミニウム、ニッケル、クロム、亜鉛、及びそれらの合金、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、石英ガラス等が挙げられ、溶射層は50〜500μmの厚さを形成させるとよい。本発明によって得られた希土類元素のフッ化物を溶射する際に、溶射条件等については、特に限定はなく、基材、希土類元素フッ化物粉末溶射材料の具体的材質、得られる溶射部材の用途等に応じて適宜設定すればよい。
このようにして得られる溶射部材は、L*が65以上85以下、a*が−3.0〜+3.0、b*が0.0〜+8.0、好ましくはL*が70〜75、a*が0〜1、b*が4〜7のL***色度表示であることが望ましい。希土類フッ化物溶射膜の色は希土類フッ化物溶射膜中のフッ化物の分解状態や含有炭素量によって異なり、L***色度を特定することにより、外観の色合いで溶射膜の状態がある程度把握できる。なお、本発明において、L***色度は、例えばミノルタ製色差計(COLOR METER)CR−200で測定することができる(JIS Z 8729)。
以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
[実施例1]
水及び水酸基の含有量が1,000ppm、平均粒子径が5μmのフッ化イットリウム5kgを純水に撹拌混合し、30質量%スラリーを作った。これをスプレードライヤーを用いて造粒したところ、平均粒子径が約40μmの球状の造粒粉末を得た。
この造粒粉末を大気中100℃で2時間加熱して球状の乾燥造粒粉末を得た。この造粒粉末の水分含有量を測定したところ、約0.65質量%の水分を含んでいた。水分は、カールフィッシャー水分分析法を用いて測定した。炭素は0.3質量%であった。この造粒粉末のアスペクト比は、1.2であった。このフッ化イットリウムは溶射材料として好適なものであった。なお、アスペクト比はSEM写真により粒子の長径と短径を180個測定し、平均した。嵩密度は1.3g/cm3であった。
[実施例2]
実施例1のフッ化イットリウム溶射材料を用いてアルゴン40L/min、水素5L/minの混合ガスを用いた大気圧プラズマ溶射をアルミニウム基材に施工し、200μm程度の薄い灰色を呈した溶射皮膜を形成した部材を得た。この溶射皮膜のL***色度を測定したところ、L*:70.87、a*:0.35、b*:5.57であり、炭素は0.07質量%であった。また、酸素濃度は0.75質量%であった。
この部材をリアクティブイオンプラズマ試験装置にレジストを塗布したシリコンウェハーと共にセットし、周波数13.56MHz、プラズマ出力1,000W、ガス種CF4+O2(20vol%)、流量50mL/min、ガス圧50mtorrの条件でプラズマ暴露試験を行ったところ、目視での部分的皮膜の色の変化はなかった。L***色度を測定した結果、L*:70.33、a*:0.40、b*:5.47であった。
[比較例1]
水及び水酸基の含有量が1,000ppm、平均粒子径が30μmのフッ化イットリウム5kgをジェットミルで粉砕し、平均粒子径3μmのフッ化イットリウムを得た。これを純水に撹拌混合し、30質量%スラリーを作った。これをスプレードライヤーを用いて造粒したところ、平均粒子径が約50μmの球状の造粒粉末を得た。この造粒粉末の水分含有量を測定したところ、約1.2質量%の水分を含んでいた。水分は、カールフィッシャー水分分析法を用いて測定した。
この造粒粉末を大気空中800℃で2時間加熱して球状の造粒粉末を得た。炭素は0.01質量%であった。この造粒粉末のアスペクト比は、1.6であった。このフッ化イットリウムは溶射材料として好適なものであった。なお、アスペクト比はSEM写真により粒子の長径と短径を180個測定し、平均した。嵩密度は1.7g/cm3であった。
[比較例2]
比較例1の粉末をアルゴン40L/min、水素5L/minの混合ガスを用いた大気圧プラズマ溶射をアルミニウム基材に施工し、200μm程度の白色を呈した溶射皮膜を形成した部材を得た。この溶射皮膜のL***色度を測定したところ、L*:91.50、a*:−0.35、b*:−0.17であり、炭素は0.005質量%であった。また、酸素濃度は2.0質量%であった。
この部材をリアクティブイオンプラズマ試験装置にレジストを塗布したシリコンウェハーと共にセットし、周波数13.56MHz、プラズマ出力1,000W、ガス種CF4+O2(20vol%)、流量50mL/min、ガス圧50mtorrの条件でプラズマ暴露試験を行った。取り出した溶射皮膜には部分的に茶色に変色した部分がみられた。

Claims (5)

  1. 希土類元素フッ化物粒子の外形のアスペクト比が2以下、平均粒子径が10μm以上100μm以下、嵩密度が0.8g/cm3以上1.5g/cm3以下、炭素を0.1質量%以上0.5質量%以下含有し、水及び水酸基の合計含有量が10,000ppm以下であることを特徴とする希土類元素フッ化物粉末溶射材料。
  2. 希土類元素がY及びLaからLuまでの3A族元素から選ばれる1種又は2種以上である請求項1記載の溶射材料。
  3. 希土類元素がY、Ce及びYbから選ばれる請求項2記載の溶射材料。
  4. 基材に、請求項1〜3のいずれか1項に記載の溶射材料をプラズマ溶射して、炭素含有量が0.1質量%以下、酸素含有量が0.3質量%以上0.8質量%以下の溶射皮膜を形成することを特徴とする希土類元素フッ化物溶射部材の製造方法
  5. 溶射皮膜が、L*が65以上85以下、a*が−3.0〜+3.0、b*が0.0〜+8.0のL***色度を有する請求項4記載の溶射部材の製造方法
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9238863B2 (en) * 2012-02-03 2016-01-19 Tocalo Co., Ltd. Method for blackening white fluoride spray coating, and fluoride spray coating covered member having a blackened layer on its surface
JP5396672B2 (ja) 2012-06-27 2014-01-22 日本イットリウム株式会社 溶射材料及びその製造方法
EP3031944A4 (en) * 2013-08-08 2017-02-01 Nippon Yttrium Co., Ltd. Slurry for thermal spraying
JP6578106B2 (ja) * 2015-02-24 2019-09-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末
JP6281507B2 (ja) * 2015-03-03 2018-02-21 信越化学工業株式会社 希土類元素オキシフッ化物粉末溶射材料及び希土類元素オキシフッ化物溶射部材の製造方法
KR101867322B1 (ko) * 2015-03-05 2018-06-15 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 소결용 재료 및 소결용 재료를 제조하기 위한 분말
JP6384536B2 (ja) 2015-10-23 2018-09-05 信越化学工業株式会社 フッ化イットリウム溶射材料及びオキシフッ化イットリウム成膜部品の製造方法
FR3043672B1 (fr) * 2015-11-12 2021-11-19 Sudfluor Materiaux monolithiques poreux pour la production et le piegeage de fluor
KR102084235B1 (ko) * 2015-12-28 2020-03-03 아이원스 주식회사 투명 불소계 박막의 형성 방법 및 이에 따른 투명 불소계 박막
JP6443380B2 (ja) * 2016-04-12 2018-12-26 信越化学工業株式会社 イットリウム系フッ化物溶射皮膜、及び該溶射皮膜を含む耐食性皮膜
US20210277509A1 (en) * 2016-07-14 2021-09-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Slurry for suspension plasma spraying, method for forming rare earth acid fluoride sprayed film, and spraying member
CN110382730B (zh) * 2017-03-01 2022-09-23 信越化学工业株式会社 喷镀被膜、喷镀用粉、喷镀用粉的制造方法和喷镀被膜的制造方法
KR20210135225A (ko) * 2019-03-07 2021-11-12 닛폰 이트륨 가부시키가이샤 소결체
KR102284838B1 (ko) 2020-05-06 2021-08-03 (주)코미코 서스펜션 플라즈마 용사용 슬러리 조성물, 그 제조방법 및 서스펜션 플라즈마 용사 코팅막

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS523222A (en) 1975-06-24 1977-01-11 Hiraki Takehara Sound adsorbing wall body
JPS636596A (ja) 1986-06-26 1988-01-12 富士通株式会社 マトリツクス表示パネルの駆動方法
US6685991B2 (en) * 2000-07-31 2004-02-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for formation of thermal-spray coating layer of rare earth fluoride
JP3523222B2 (ja) * 2000-07-31 2004-04-26 信越化学工業株式会社 溶射材料およびその製造方法
JP4676622B2 (ja) * 2001-02-08 2011-04-27 ステラケミファ株式会社 弗化物中の酸素成分・炭素成分の低減方法
JP2002252209A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置
EP1239055B1 (en) * 2001-03-08 2017-03-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal spray spherical particles, and sprayed components
US6596397B2 (en) * 2001-04-06 2003-07-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Thermal spray particles and sprayed components
JP4006596B2 (ja) 2002-07-19 2007-11-14 信越化学工業株式会社 希土類酸化物溶射部材および溶射用粉
US6852433B2 (en) 2002-07-19 2005-02-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Rare-earth oxide thermal spray coated articles and powders for thermal spraying
JP2005260046A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd プラズマ処理装置用部材
TWI400358B (zh) * 2005-09-30 2013-07-01 Fujimi Inc 熱噴塗粉末及形成熱噴塗塗層之方法
JP2007115973A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Shin Etsu Chem Co Ltd 耐食性部材
US7806991B2 (en) * 2005-12-22 2010-10-05 Hitachi, Ltd. Low loss magnet and magnetic circuit using the same
JP5159204B2 (ja) 2006-10-31 2013-03-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 溶射用粉末、溶射皮膜の形成方法、耐プラズマ性部材、及びプラズマ処理チャンバー

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190049831A (ko) 2016-09-16 2019-05-09 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 용사용 재료
KR20190049830A (ko) 2016-09-16 2019-05-09 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 용사용 재료
US11306383B2 (en) 2016-09-16 2022-04-19 Fujimi Incorporated Thermal spraying material
US11359270B2 (en) 2016-09-16 2022-06-14 Fujimi Incorporated Thermal spraying matertal

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