JP6567951B2 - ガス排気方法 - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態によるプラズマ処理装置のガス排気方法がより明確となると思われるため、これまで本発明者らによって検討されたプラズマ処理装置のガス供給配管に起因した汚染について説明する。
図1は、本実施例による電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance:)方式のマイクロ波プラズマエッチング装置の処理用ガスの導入機構および排気機構を説明する概略図である。
本実施例では、汚染物の発生要因となるガスを特定するため、ガスライン104−1〜13(104−14〜16のガス種は重複)の各ライン単独に、処理室106内へガスを導入し、ガスライン初期使用時の処理室106内の汚染度確認試験を実施した。試験は、アルゴン(Ar)、三フッ化窒素(NF3)、臭化水素(HBr)、酸素(O2)、四塩化珪素(SiCl4)、塩素(Cl2)、六フッ化硫黄(SF6)、三塩化ホウ素(BCl3)、四フッ化炭素(CF4)、窒素(N2)、水素(H2)およびトリフルオロメタン(CHF3)の計12種類で実施した。その結果、ハロゲン系ガスである塩化珪素(SiCl4)、塩素(Cl2)、三塩化ホウ素(BCl3)および臭化水素(HBr)による処理室106内の汚染が確認された。
3Cr2O2Cl2(liquid)+B2O3(solid) 化学反応式(1)
このような化学反応式(1)から、三塩化ホウ素(BCl3)を供給した場合は、ガス配管102の内壁にはクロム酸化物(Cr2O3)の塩化物である塩化クロミル(Cr2O3Cl2)の液体が生成することが分かる。
次に、本実施例によるプラズマ処理装置のガス排気方法について詳細に説明する。このガス排気方法により、ガス配管102に起因した汚染物の処理室106内への導入を抑制することができる。
サイクルパージ作業において処理用ガスとして用いられる三塩化ホウ素(BCl3)を、図3に示したサイクルパージ作業によりガス配管102の経路401の内部に充填した際のガス配管102の内部の圧力は、シリンダ101のガスの供給圧力である40kMPa以下となる。このような圧力の場合、図2によれば、ガス配管102の温度が87℃であれば、塩化クロミル(Cr2O2Cl2)が気化する。
102 ガス配管
103 バルブ
104 ガスライン
104−1〜16 ガスライン
104−1a〜16a バルブ
104−1b〜16b マスフローコントローラ
104−1c〜16c バルブ
104−1d〜16d バルブ
105 バルブ
106 処理室
107 回転バルブ
108 真空ポンプ
109 バルブ
110 粗引きポンプ
111 バルブ
112 バイパスライン
113 バイパスライン
114 バルブ
401 経路
501 ガス配管の内壁面
502 ガス配管の内壁面
Claims (10)
- 処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給配管と、前記供給配管と連通する排気配管と、前記処理室内および前記供給配管内を排気する排気ポンプとを備える半導体製造装置に用いられるガスを排気するガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する工程と、
前記供給配管に充填されたガスと前記反応化合物とを所定の圧力にて前記排気配管を介して前記処理室を経由することなく前記排気ポンプにより排気する工程とを有し、
前記所定の圧力は、前記反応化合物が気化する圧力であることを特徴とするガス排気方法。 - 処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給配管と、前記供給配管と連通する排気配管と、前記処理室内を排気する排気ポンプとを備える半導体製造装置に用いられるガスを排気するガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する工程と、
前記供給配管に充填されたガスと前記反応化合物とを所定の圧力にて前記排気配管を介して前記排気ポンプにより排気する工程とを有し、
前記所定の圧力は、前記反応化合物が気化する圧力であり、
前記供給配管に充填されたガスは、塩化珪素ガス、三塩化ホウ素ガスまたは臭化水素ガスであることを特徴とするガス排気方法。 - 処理室と、前記処理室内にガスを供給する供給配管と、前記供給配管と連通する排気配管と、前記処理室内を排気する排気ポンプとを備える半導体製造装置に用いられるガスを排気するガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する工程と、
前記供給配管に充填されたガスと前記反応化合物とを所定の圧力にて前記排気配管を介して前記排気ポンプにより排気する工程とを有し、
前記所定の圧力は、前記反応化合物が気化する圧力であり、
前記供給配管に充填されたガスは、塩化珪素ガスまたは三塩化ホウ素ガスであることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項1に記載のガス排気方法において、
前記供給配管に充填されたガスは、ハロゲン系ガスであることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項4に記載のガス排気方法において、
前記ハロゲン系ガスは、塩化珪素ガス、塩素ガス、三塩化ホウ素ガスまたは臭化水素ガスであることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のガス排気方法において、
前記硬質皮膜は、クロム酸化物であることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項6に記載のガス排気方法において、
前記反応化合物は、塩化クロミルであり、
前記所定の圧力は、1.9kPa以下の圧力であることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項1に記載のガス排気方法において、
前記供給配管の温度は、20℃以上、かつ90℃以下の温度であることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項1に記載のガス排気方法において、
前記供給配管の内部に形成された硬質皮膜との反応により反応化合物を形成するガスを前記供給配管に充填する時間は、10分以上の時間であることを特徴とするガス排気方法。 - 請求項1に記載のガス排気方法において、
前記充填する工程と前記排気する工程とを交互に10回以上繰り返すことを特徴とするガス排気方法。
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