JP5029041B2 - プラズマcvd装置、及び、薄膜製造方法 - Google Patents
プラズマcvd装置、及び、薄膜製造方法 Download PDFInfo
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Description
一方、スリット58bの径Dが小さすぎるとパーティクル等による詰まりや圧力損失の増大が懸念されるので、径Dを2mm以上とすることが好適である。好ましくは、径Dは3〜5mmの範囲内である。
また、ガス分散板57により、上述と同様の作用によりガス流れ上流側へのプラズマの漏れも低減される。
可撓性基板としては、PENフィルム上にDCスパッタリング法により下地電極としてのアルミニウムを300nm製膜したものを用いた。この可撓性基板の下地電極上に、上述の成膜システムを用いて、アモルファスシリコンによるNIP接合膜からなる光電変換層を約700nm成膜した。なお、成膜条件は、SiH4:H2=100:1000、圧力133Pa、投入電力140Wとした。各層の厚みは、N/I/P=20nm/700nm/15nmとした。このとき、プラズマ閉込部材58として、スリット径が5mmであるPTFE製のものを用いた。また、面58cの傾斜角θは30°とした。
プラズマ閉込部材58の材質をアルミナ製とした以外は、実施例と同様にした。
Claims (4)
- 交流電圧が印加され互いに対向する一対の電極を備え、前記電極間に原料ガスが供給されると共に、一方の前記電極の表面に沿って長尺な可撓性基板が前記可撓性基板の長手方向に供給されるプラズマCVD装置であって、
前記電極間に存在するガスを外部に排出する排出管を備え、
前記ガスを通過させる開口が形成され、かつ、前記開口の内面がフッ素樹脂から形成されたプラズマ閉込部材が、前記排出管に設けられ、
前記プラズマ閉込部材の開口はスリット状であり、複数の前記スリット状の開口が互いに平行に配置され、
前記一対の電極はそれぞれ水平に配置され、
前記プラズマ閉込部材の前記各スリット状の開口は、互いに鉛直方向に離間して配置され、
前記プラズマ閉込部材の前記ガスの入口側の面は、下方に向く傾斜面とされている、プラズマCVD装置。 - 前記プラズマ閉込部材の開口の径は、前記プラズマ閉込部材の前記開口のガス入口近傍に存在するプラズマのデバイ長さ以下である請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 前記プラズマ閉込部材の開口の径は2〜7mmである請求項1に記載のプラズマCVD装置。
- 交流電圧が印加され互いに対向する一対の電極間に原料ガスを供給すると共に、一方の前記電極の表面に沿って長尺な可撓性基板を前記可撓性基板の長手方向に供給するプラズマCVD方法であって、
前記電極間に存在するガスを排出管により外部に排出する工程を備え、
前記工程では、前記排出管に設けられたプラズマ閉込部材を介して前記ガスを外部に排出し、前記プラズマ閉込部材には前記ガスを通過させる開口が形成され、かつ、前記開口の内面がフッ素樹脂から形成されており、
前記プラズマ閉込部材の開口はスリット状であり、複数の前記スリット状の開口が互いに平行に配置され、
前記一対の電極はそれぞれ水平に配置され、
前記プラズマ閉込部材の前記各スリット状の開口は、互いに鉛直方向に離間して配置され、
前記プラズマ閉込部材の前記ガスの入口側の面は、下方に向く傾斜面とされている、プラズマCVD方法。
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