JP2011127188A - Ｃｖｄ成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。
【解決手段】送りロール８を設置した搬送室３と巻き取りロール９を設置した搬送室４との間に成膜室２を配置し、成膜室２に搬送されてくる可撓性基板５の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置６０において、成膜室２と搬送室４の間の少なくとも１箇所に洗浄室１７ａ，１７ｂが設けられ、成膜室２と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間、及び搬送室４と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間に、ガスゲート１９が配設され、洗浄室１７ａ，１７ｂは、可撓性基板５に付着したパーティクルを除去するクリーニングロール２０と、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部近傍にガスを供給する機構と、洗浄室１７ａ，１７ｂ内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、ＣＶＤ成膜装置において、可撓性基板に付着したパーティクル（微粒子状体）の除去手段に関する。

同一の基板上に形成された複数の光電変換素子が直列接続されている太陽電池（光電変換装置）の代表例である薄膜太陽電池は、薄型で軽量、製造コストの安さ、大面積化が容易であることなどから、今後の太陽電池の主流となると考えられ、電力供給用以外に、建物の屋根や窓などに取付けて利用される業務用、一般住宅用にも需要が広がって来ている。

薄膜太陽電池には、その中核をなす光電変換ユニットを作成するのにプラズマＣＶＤ法が広く用いられている。このプラズマＣＶＤ法による薄膜太陽電池は、バルク結晶シリコン太陽電池に比べて原料が少なくて済むことや、軽量でフレキシブルなフィルム基板への形成が可能なこと等の特徴がある。

図１０は、従来の基板を縦にして搬送する縦型プラズマＣＶＤ成膜装置の１例で、（ａ）はその構成図、（ｂ）は（ａ）におけるＺ-Ｚ矢視図である。
図１０はステップ搬送の成膜装置を示すものであり、この成膜装置６０は、外側チャンバ１及び成膜室２の二重チャンバ構造となっている。また、成膜装置６０の外側チャンバ１及び成膜室２には、２本の排気管１１，１４が開口しており、一方の排気管１１は、排気バルブ１２を介して粗引きポンプ１３に連通されているとともに、他方の排気管１４は、排気バルブ１５を介して主排気ポンプ１６に連通されている。さらに、成膜装置６０の上流側及び下流側には、真空容器室を構成する搬送室３，４が配置されている。

送り用搬送室３内に設置された送りロール８と、巻き取り用搬送室４内に設置された巻き取りロール９との間には、送りロール８から巻き取りロール９に送られる可撓性基板５が設置されている。この可撓性基板５は、送りロール８から搬送ロール１０を介して成膜装置６０に入り、該成膜装置６０から搬送ロール１０を介して巻き取りロール９へと送られるようになっている。
成膜装置６０による可撓性基板５への成膜作業は、送りロール８から送り出された可撓性基板５が、搬送ロール１０を経由して成膜室２へ搬送され、該成膜室２内でのプラズマＣＶＤにより可撓性基板５の表面に薄膜が形成されるようになっている。

すなわち、成膜装置６０は、成膜室２において、ＲＦ側電極(高周波側電極)６と接地側電極７との間に原料ガスを供給して、可撓性基板５に高周波電圧を印加することにより成膜している。成膜後は、可撓性基板５は搬送ロール１０を介して巻取りロール９へ搬送されることになる。

かかる成膜装置６０による成膜作業において、可撓性基板５には、パーティクル（微粒子状体）が付着し発生する。このパーティクルは、下記の（１）から（４）の原因により、成膜装置６０への持込み、進入時、あるいは装置内において発生していた。
（１）成膜前工程での可撓性基板５への付着による成膜装置６０内への持込み。
（２）上記成膜工程中に、可撓性基板５以外の場所に成膜された膜が、例えばＲＦ側電極６やその周辺に堆積して、ある一定以上の厚みになると、これが粉状、片形状に剥れて成膜装置６０内に飛散。
（３）プラズマＣＶＤ中の化学反応により、副生成物として微粒子が生成され、その微粒子が装置内の底面や壁面へと付着。
（４）可撓性基板５の交換や装置メンテナンスによる扉の開放時に、大気中の塵埃が成膜室２に侵入。

成膜装置６０内のパーティクルは、前記のように、主に圧力変動（大気圧からの真空引き、成膜工程時のガス投入）の気体の流れによって飛散し、可撓性基板５に付着する。このようにして可撓性基板５に付着したパーティクルは、成膜した膜の中に入り、特性不良等、良品率低下の原因となっていた。また、持込みの防止に対しては、成膜工程前にクリーニング専用装置を設ける方法も取られていた。

可撓性基板におけるパーティクルの除去手段の１例としては、特許文献１（特開２００５−６８４８５号公報）、特許文献２（特開２００４−３００５７４号公報）の手段が提供されている。

特許文献１においては、パーティクルを除去する手段として、可撓性基板の非処理面に付着したパーティクルを、コイル状に巻かれた帯状基板等を用いて機械的に除去する手段と、磁力により除去する手段とを組み合わせている。
特許文献２においては、可撓性基板の非処理面に付着したパーティクルを除去する手段として、可撓性基板を搬送する手段が複数の回転ローラーを有しており、少なくとも、巻き取り側の回転ローラーの周面に設けたブラシ状部材を可撓性基板に接触させることによって異物を除去している。

特開２００５−６８４８５号公報 特開２００４−３００５７４号公報

しかしながら、プラズマＣＶＤ成膜装置内で可撓性基板に付着した成膜残渣（微粒子・膜片）や大気中の塵埃などのパーティクルを除去する場合、上述した従来の方法（すなわち、特許文献１、２）では、パーティクルの除去作業中に、成膜室内の真空度が低下してしまうので、この真空度の低下を回復するためのプラズマＣＶＤ成膜装置の再起動までに時間がかかるという問題があった。

本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。

上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、送りロールを設置した搬送室と巻き取りロールを設置した搬送室との間に成膜室を配置し、前記成膜室内に搬送されてくる可撓性基板の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置において、
前記成膜室と前記搬送室の間の少なくとも１箇所に洗浄室が設けられ、前記成膜室と前記洗浄室との間、及び前記搬送室と前記洗浄室との間に、ガスゲートが配設され、前記洗浄室は、前記可撓性基板に付着したパーティクルを除去するクリーニングロールと、前記クリーニングロールと前記可撓性基板の接触部近傍にガスを供給する機構と、前記洗浄室内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。

本発明において、前記クリーニングロールは、前記可撓性基板に接触して回転し、前記クリーニングロールと、前記可撓性基板の接触部近傍にガスを供給して気流を形成している。

また、本発明において、前記クリーニングロールの外周には、耐真空性及び耐発塵性を有する樹脂材料からなるブラシが巻装されている。

そして、本発明において、前記成膜室内の圧力は、１Ｐａから１５００Ｐａ、好ましくは１００Ｐａから１０００Ｐａとなっている。

また、本発明において、前記ガスゲートの囲繞内部は、前記囲繞内部に開口するガス供給口の供給量が前記洗浄室のポンプ排気量よりも小さく設定され、前記囲繞内部が常時圧力を維持するように構成されている。

上述の如く、本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、送りロールを設置した搬送室と巻き取りロールを設置した搬送室との間に成膜室を配置し、前記成膜室内に搬送されてくる可撓性基板の表面に薄膜を形成するものであって、前記可撓性基板に付着したパーティクルを、前記可撓性基板を動かしながら、前記成膜室内の圧力を調整しながら除去する除去手段を備えているので、可撓性基板に付着したパーティクルの除去が、当該装置内で、且つ成膜をしながら行うことができる。したがって、本発明のＣＶＤ成膜装置によれば、成膜工程前の可撓性基板に対する洗浄工程が不要となり、生産効率を向上させることができる。しかも、装置内で発生する成膜残渣が可撓性基板に付着することによる特性不良も低減させることができる。
成膜室内の圧力は、１Ｐａから１５００Ｐａ、好ましくは１００Ｐａから１０００Ｐａの範囲に調整される。

また、本発明において、前記パーティクルの除去手段は、前記成膜室と連通する室内に設置され、前記可撓性基板に接触して回転せしめられるクリーニングロールを有するロール部と、前記成膜室及び前記ロール部が設置された室内の真空度を外部との間の給気量及び排気量を調整することにより維持する真空維持部とを備えているので、これら両方の室の真空度を維持することにより、パーティクルが成膜室に侵入するのを確実に防止できる。
したがって、成膜室内及び洗浄室の圧力を一定値以下に常時維持することが可能となるので、成膜圧力を回復するためのＣＶＤ成膜装置の再起動を必要とせず、当該成膜装置の運転効率が向上する。また、成膜装置内で発生する成膜残渣の可撓性基板への付着による特性不良の発生が防止され、良品率が向上することになる。

さらに、本発明において、前記ロール部は、前記クリーニングロールと前記可撓性基板の接触部位近傍にガスを供給して気流を形成し、該気流によって前記クリーニングロールと前記可撓性基板の接触部位近傍からのパーティクルの飛散を防止するように構成されているので、可撓性基板の接触部位から除去されたパーティクルは、接触部位近傍に形成された気流に乗って流動し、気流の出口に導かれることになり、パーティクルの飛散を防止できる。

しかも、本発明において、前記真空維持部は、前記成膜室と前記ロール部の設置された室との間及び前記搬送室と前記ロール部の設置された室との間に、前記ロール部によるパーティクルの前記成膜室内への侵入を防止するガスゲートを配設することにより構成されているので、ロール部のクリーニングロールにより可撓性基板から除去されたパーティクルは、成膜室とロール部の設置された室との間及び搬送室とロール部の設置された室との間で、ガスゲートによって形成された可撓性基板外周の空間内を排気流の出口側に流れることになり、パーティクルの成膜室内への侵入を確実に防止することができる。

そして、本発明において、前記クリーニングロールの外周には、耐真空性及び耐発塵性を有する樹脂材料からなるブラシ材が巻装されているので、当該ブラシ材によって、可撓性基板のパーティクルを効率良く可撓性基板から取り除くことができる。

また、本発明に係るＣＶＤ成膜装置によれば、成膜室内及び洗浄室内の真空度の低下が無く、真空度の低下を回復するためのＣＶＤ成膜装置の再起動を必要とせず、ＣＶＤ成膜装置の運転効率の向上を図ることができる。また、成膜装置内で発生する成膜残渣の可撓性基板への付着による特性不良の発生を防止でき、良品率を向上させることができる。

さらに、本発明において、前記ガスゲートの囲繞内部は、前記囲繞内部に開口するガス供給口の供給量が前記洗浄室のポンプ排気量よりも小さく設定され、前記囲繞内部が常時圧力を維持するように構成されているので、当該囲繞内部の真空度の低下が無く、真空度の低下を回復するための成膜装置の再起動を必要とせず、成膜装置の運転効率の向上が図れる。

本発明の第１実施形態に係るステップ搬送の縦型ＣＶＤ成膜装置を示す構成図である。 図１におけるＡ−Ａ矢視図である。 図１のＣＶＤ成膜装置の洗浄室を示す詳細図である。 図３のＣ−Ｃ矢視図である。 図３のＤ−Ｄ矢視図である。 図１のＣＶＤ成膜装置におけるガスの流れを示す概略図である。 図１のＣＶＤ成膜装置の動作フローを示すブロック図である。 本発明の第２実施形態に係る連続搬送の縦型ＣＶＤ成膜装置を示す構成図である。 図８のＣＶＤ成膜装置の動作フローを示すブロック図である。 従来の縦型プラズマＣＶＤ成膜装置を示すものであって、（ａ）はその構成図、（ｂ）は（ａ）におけるＺ-Ｚ矢視図である。

以下、本発明に係るＣＶＤ成膜装置について、その実施形態に基づき図面を参照しながら詳細に説明する。

［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るステップ搬送の縦型ＣＶＤ成膜装置の構成図、図２は図１におけるＡ−Ａ矢視図である。図３は図１のＣＶＤ成膜装置の洗浄室の詳細図、図４は図３のＣ−Ｃ矢視図、図５は図３のＤ−Ｄ矢視図である。
図１及び図２は、可撓性基板５をステップ搬送する場合の実施の形態を示している。ここでステップ搬送とは、可撓性基板５を成膜室２内に移動させた後、搬送を一次停止することをいう。なお、可撓性基板５の搬送方法には、ステップ搬送の他に、可撓性基板５を一次停止せずに搬送する連続搬送がある。また、ステップ搬送のＣＶＤ成膜装置６０は、外側チャンバ１及び成膜室２の二重チャンバ構造が特徴である。

図１及び図２において、成膜装置６０の左方向には送り用の搬送室３が設置され、右方向には巻き取り用の搬送室４が設置されている。そして、搬送室３内には、可撓性基板５の送り出し用の送りロール８が設置され、搬送室４内には、可撓性基板５の巻き取り用の巻き取りロール９が設置されている。
可撓性基板５は、送りロール８から搬送ロール１０を経て、後述する第１の洗浄室１７ａ、成膜装置６０、及び第２の洗浄室１７ｂを通過し、さらに搬送ロール１０を経て巻き取りロール９までの間を移動するように構成されている。

成膜室２（プラズマＣＶＤ室）内には、高周波側電極（カソード電極）６と接地側電極（アノード電極）７とが設置され、原料ガスが図示しないマスフローコントローラによって流量を調整されて成膜ガス供給パイプ２４を介して接地側電極７に供給され、当該接地側電極７の表面からシャワー状に供給されるようになっている。
そして、成膜室２の真空槽内の圧力が真空ポンプ（いずれも図示省略）と真空槽との間に設けられた圧力コントローラを用いて任意の圧力に設定され、高周波電圧供給ケーブル２５を介して高周波電源に接続された高周波側電極６から高周波電圧が印加されるようになっている。高周波電圧が印加されると、高周波側電極６と接地側電極７との間の放電空間にプラズマが発生し、原料ガスがプラズマ化して分解、反応するため、可撓性基板５上に所望の薄膜が形成されることになる。
また、成膜室２には、成膜室用ドライポンプ２３に接続される成膜室２内の排気用の排気管２１が接続され、該排気管２１の途中には排気バルブ１２が設けられている。

一方、第１の洗浄室１７ａ及び第２の洗浄室１７ｂ内には、図３〜図５に示すように、３個の搬送ロール１０と、１個のクリーニングロール２０とがそれぞれ配置されている。これら第１の洗浄室１７ａと第２の洗浄室１７ｂとは同一構造である。
また、クリーニングロール２０と搬送ロール１０上の可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９の側方近傍には、洗浄アシストガス供給口２６が配設され、該洗浄アシストガス供給口２６より洗浄アシストガスが供給されるようになっている。これに伴い、排気流が形成されることになり、該排気流への気体の流れによって、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部位である洗浄部位２９からのパーティクルの飛散を防止するように構成されている。
したがって、本実施形態のロール部３０は、これら搬送ロール１０、クリーニングロール２０及び洗浄アシストガス供給口２６によって構成されている。

なお、搬送ロール１０は、中央部の１個がクリーニングロール２０側の位置に配置され、右側及び左側の２個がクリーニングロール２０から離れた位置に配置され、中央部の搬送ロール１０の近傍にクリーニングロール２０が設置されている。
また、各搬送ロール１０は、図４に示すように、支持部１０ａを介して洗浄室１７ａ，１７ｂの壁部に回転自在に支持されている。

可撓性基板５は、図中左側の搬送ロール１０に接触した後、中央部の１個の搬送ロール１０とクリーニングロール２０との間に両者に当接しながら通った後、図中右側の搬送ロール１０に接触してから、成膜室２内（第２の洗浄室１７ｂでは搬送室４内）に搬送されるようになっている。

また、第１及び第２の洗浄室１７ａ，１７ｂには、クリーニング用粗引きポンプ１３に接続される洗浄室内排気用の排気管１１が接続され、該排気管１１の途中には排気バルブ１２が設けられている。排気管１１の先端開口部は、図３に示すように、集塵カバー２７内に連通配置されている。
さらに、第１及び第２の洗浄室１７ａ，１７ｂには、主排気ポンプ１６に接続される洗浄室内排気用の排気管１４が接続され、該排気管１４の途中には排気バルブ１５が設けられている。

また、搬送室３と第１の洗浄室１７ａとの間、第１の洗浄室１７ａと成膜装置６０の外側チャンバ１との間、外側チャンバ１と第２の洗浄室１７ｂとの間、及び第２の洗浄室１７ｂと搬送室４との間には、可撓性基板５を覆うようにガスゲート１９がそれぞれ設けられている。本実施形態で設けられたガスゲート１９の大きさの１例としては、幅２０ｍｍ、長さ５００ｍｍである。
各ガスゲート１９の内部には、成膜室２に流れても成膜機能に影響を及ぼさないガス、例えば水素ガスが供給されている。また、各ガスゲート１９にはゲート用ガス供給口１８が接続され、該各ゲート用ガス供給口１８から各ガスゲート１９の内部にガスが供給されるようになっている。すなわち、真空維持部４０は、排気管１１、排気バルブ１２、クリーニング用粗引きポンプ１３、排気管１４、排気バルブ１５、主排気ポンプ１６、ゲート用ガス供給口１８、ガスゲート１９などから構成されている。
したがって、本実施形態におけるパーティクルの除去手段５０は、前記のロール部３０と真空維持部４０とを備えている。

一方、クリーニングロール２０の外周には、耐真空性、耐熱、耐発塵性を備えた樹脂材料として、テフロン（登録商標）、ポリイミド等からなる、例えばポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のブラシ材が巻装されている。
また、クリーニングロール２０の外周部は、図１及び図３に示すように、搬送ロール１０との接触部位を除いて、集塵カバー２７で覆われている。この集塵カバー２７内には、排気用の排気管１１が接続されており、該排気管１１は、クリーニング用粗引きポンプ１３に接続されている。

図６は第１実施形態のＣＶＤ成膜装置におけるガスの流れを示す概略図、図７は第１実施形態のＣＶＤ成膜装置の動作フローを示すブロック図である。
図１、図６及び図７を用いて、第１実施形態のＣＶＤ成膜装置６０における作用及び効果について説明する。
図１、図６及び図７において、先ず、可撓性基板５を送り用搬送室３内の送りロール８にセットする（図７のステップ（１））。
そして、クリーニング用粗引きポンプ１３と主排気ポンプ１６とを運転して、第１の洗浄室１７ａ内、及び第２の洗浄室１７ｂ内の真空引きを行う（図７のステップ（２））。

次いで、主排気ポンプ１６の排気バルブ１５を閉じ（図７のステップ（２ａ））、クリーニング用粗引きポンプ１３の排気バルブ１２と、成膜室用ドライポンプ２３の排気バルブ２２を開く（図７のステップ（３））。
そして、すべてのゲート用ガス供給口１８を開き、該ゲート用ガス供給口１８から、各ガスゲート１９にガスを供給する（図７のステップ（４））
また、洗浄アシストガス供給口２６を開き、集塵カバー２７のクリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９に洗浄アシストガスを供給する（図７のステップ（５））。この洗浄アシストガスは、成膜室２への流入のおそれがないため、不活性ガス、例えば窒素を供給している。

各ゲート用ガス供給口１８からのガスゲート１９へのガスの供給量（Ｑ１）と洗浄アシストガス供給口２６からのガスの供給量（Ｑ２）と、ガス排気量（粗引きポンプ１３＋成膜室用ドライポンプ２３）との関係は、以下の関係にすることで真空を保つことが可能である。
ゲート用ガスの供給量（Ｑ１）＋洗浄アシストガス供給量（Ｑ２）＜ガス排気量（粗引きポンプ１３＋成膜室用ドライポンプ２３）

一方、洗浄部位２９においては、クリーニングロール２０を回転させて可撓性基板５を搬送し、クリーニングロール２０の外周面のブラシ材により可撓性基板５との接触面に付着したパーティクルを除去し、あるいは下記のようにクリーニング用粗引きポンプあるいは成膜室用ドライポンプ２３のドライポンプに吸引させる。

したがって、図６に示すように、各ゲート用ガス供給口１８から供給されたガスによって、各ガスゲート１９の内部及び第１の洗浄室１７ａ内にガス流れ２８が形成され、かかるガス流れ２８は、各ゲート用ガス供給口１８から各ガスゲート１９の内部及びクリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９を通ることになる。
そして、クリーニングロール２０を回転させ（図７のステップ（６））、かかる回転により洗浄部位２９で発生したパーティクルは、ガス流れ２８に乗って、排気管１１及び排気バルブ１２を経てクリーニング用粗引きポンプ１３に吸引され、除去されることとなる（第２の洗浄室１７ｂも同様）（図７のステップ（７））。

また、成膜装置６０においては、成膜室用ドライポンプ２３の排気バルブ２２が開いているので、図６に示すように、成膜装置６０のガス流れ２８は、外側チャンバ１内を通って、すべて排気管２１から成膜室の排気バルブ２２を経て成膜室用ドライポンプ２３に吸引され、除去されることになる。なお、洗浄アシストガス供給口２６からのガスの流入も阻止されることになる。

以上の動作により、クリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９で発生したパーティクルは、図６で示すガス流れ２８に乗って、クリーニング用粗引きポンプ１３に吸引されることとなり、かかるパーティクルが送り用搬送室３内及び巻き取り用搬送室４内に侵入するのを防止できる。
また、成膜装置６０においては、ガス流れ２８が製膜室用ドライポンプ２３に吸引されることから、成膜装置６０内のガスは、確実に成膜室用ドライポンプ２３に吸引されることになる。

洗浄部位２９で発生したパーティクルの搬出後、クリーニングロール２０を回転させて、可撓性基板５を搬送する。前記のようにしてパーティクルはガス流れ２８に乗って搬出され、規定の長さを搬送後、クリーニングロール２０の回転を停止し（図７のステップ（８））、主排気ポンプ１６を運転して（図７のステップ（９））、成膜室２を高真空化して、成膜室２で成膜を行う（図７のステップ（１０））。

なお、上記第１実施形態では、成膜装置６０の１個に対して可撓性基板５の搬送方向両側に第１の洗浄室１７ａ及び第２の洗浄室１７ｂを設けているが、この他に可撓性基板５の搬送方向に成膜装置６０を複数個設け、第１の洗浄室１７ａを、少なくとも、送り用の搬送室３若しくは巻き取り用の搬送室４の一方側に設けることや、複数の成膜装置６０の間に設けることも可能である。また、可撓性基板５の搬送方向は第１実施形態と逆でもよく、往復搬送も可能である。

［第２実施形態］
図８は本発明の第２実施形態に係る連続搬送の縦型ＣＶＤ成膜装置の構成図である。
この第２実施形態では、上記第１実施形態と異なり、成膜装置６０ａは、外側チャンバ１及び成膜室２の二重チャンバ構造ではなく、外側チャンバ１内に直接に高周波側電極（カソード電極）６と接地側電極（アノード電極）７とが設置されている。かかる成膜装置６０ａが可撓性基板５の搬送方向に少なくとも２組以上設置され、この成膜装置６０ａの可撓性基板５の搬送方向の両側に第１の洗浄室１７ａ及び第２の洗浄室１７ｂが設置されている。
その他の構成は、図１に示す第１実施形態と同一であり、同一の部材は同一の符号で示している。

図９は第２実施形態のＣＶＤ成膜装置の動作フローのブロック図である。
図８及び図９を用いて、第２実施形態のＣＶＤ成膜装置６０ａにおける作用及び効果について説明する。
図８及び図９において、先ず、可撓性基板５を搬送室３内の送りロール８にセットする。
そして、クリーニング用粗引きポンプ１３と主排気ポンプ１６とを運転して、第１の洗浄室１７ａ内、及び第２の洗浄室１７ｂ内の真空引きを行う（図９のステップ（２））。

次いで、主排気ポンプ１６の排気バルブ１５を閉とし（図９のステップ（２ａ））、クリーニング用粗引きポンプ１３の排気バルブ１２と、成膜室用ドライポンプ２３の排気バルブ２２を開く（図９のステップ（３））。
そして、すべてのゲート用ガス供給口１８を開き、該ゲート用ガス供給口１８から、各ガスゲート１９にガスを供給する（図９のステップ（４））
また、洗浄アシストガス供給口２６を開き、集塵カバー２７のクリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９にガスを供給する（図９のステップ（５））。このガスは、成膜室２への流入のおそれがないため、不活性ガス、例えば窒素を供給している。

各ゲート用ガス供給口１８からのガスゲートへのガスの供給量（Ｑ１）と洗浄アシストガス供給口２６よりのガスの供給量（Ｑ２）と、ガス排気量（粗引きポンプ１３＋成膜室用ドライポンプ２３）との関係は、以下の関係にすることで真空を保つことが可能である。
ゲート用ガスの供給量（Ｑ１）＋洗浄アシストガス供給量（Ｑ２）＜ガス排気量（粗引きポンプ１３＋成膜室用ドライポンプ２３）

一方、洗浄部位２９においては、クリーニングロール２０を回転させて、可撓性基板５との接触面で付着したパーティクルを除去し、あるいは下記のようにクリーニング用粗引きポンプあるいは成膜室用ドライポンプ２３のドライポンプに吸引させる。

したがって、この第２実施形態においても、図６を参照して説明すると、各ゲート用ガス供給口１８から、各ガスゲート１９の内部及び第１の洗浄室１７ａ内にガス流れ２８が形成され、かかるガス流れ２８は、各ゲート用ガス供給口１８から各ガスゲート１９の内部及びクリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位、すなわち洗浄部位２９を通る。
そして、前記クリーニングロール２０を回転させ（図９のステップ（６））、かかる回転により洗浄部位２９で発生したパーティクルは、ガス流れ２８に乗って、排気管１１を経て排気バルブ１２をクリーニング用粗引きポンプ１３に吸引されることとなる（第２の洗浄室１７ｂも同様）（図９のステップ（７））。

また、成膜装置６０ａにおいては、成膜室用ドライポンプ２３の排気バルブ２２が開いているので、図６に示すように、成膜装置６０ａのガス流れ２８は、外チャンバ１内を通って、全て排気管２１から排気バルブ２２を経て成膜室用ドライポンプ２３に吸引される。なお、洗浄アシストガス供給口２６からのガスの流入も阻止される。

以上の動作により、クリーニングロール２０と可撓性基板５との接触部位である洗浄部位２９で発生したパーティクルは、図６で示すように、ガス流れ２８に乗って、クリーニング用粗引きポンプ１３に吸引されることとなり、かかるパーティクルが搬送室３内及び搬送室４内に侵入するのを防止できる。
また、成膜装置６０ａにおいては、ガス流れ２８が成膜室用ドライポンプ２３に吸引されることから、成膜装置６０ａ内のガスは確実に成膜室用ドライポンプ２３に吸引されることになる。

また、洗浄部位２９で発生したパーティクルの搬出後、クリーニングロール２０を回転させて、可撓性基板５を搬送する。前記のようにしてパーティクルはガス流れ２８に乗って搬出され、規定の長さを搬送後、クリーニングロール２０の回転を停止し（図９のステップ（８））、主排気ポンプ１６を運転により、成膜室２を高真空化して、成膜室２で成膜を行う（図９のステップ（１０））。

以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変更及び変形が可能である。

例えば、図１及び図２に示す第１実施形態において、成膜装置６０及びその両側の洗浄室１７ａ，１７ｂは、一組として図示されているが、これらの成膜装置６０及び両側の洗浄室１７ａ，１７ｂの組は、送り用搬送室３と巻き取り用搬送室４との間に複数組設置され、これら複数組間に可撓性基板５を貫通させるような成膜システムに構成しても良い。
また、第１実施形態では、第１の洗浄室１７ａ及び第２の洗浄室１７ｂは、成膜装置６０の左右両側に設けているが、左側あるいは右側のいずれか一方に１つだけ設けても良い。
また、図８に示す第２実施形態においても、２組の成膜装置６０ａと、可撓性基板５の搬送方向の両側に第１の洗浄室１７ａ及び第２の洗浄室１７ｂが設置されて図示されているが、成膜装置６０ａを複数設置し、洗浄室を送り用の搬送室３若しくは巻き取り用の搬送室４の少なくとも一方側に設けることや、複数の成膜装置６０ａの間の少なくとも１箇所に設けることも可能である。さらに、洗浄室は１箇所に１室の場合だけでなく、１箇所に複数設ける場合もある。

１ 外側チャンバ
２ 成膜室
３ 搬送室（送り用）
４ 搬送室（巻き取り用）
５ 可撓性基板
６ ＲＦ側電極
７ 接地側電極
８ 送りロール
９ 巻き取りロール
１０ 搬送ロール
１１ 排気管
１２ 排気バルブ
１３ 粗引きポンプ
１４ 排気管
１５ 排気バルブ
１６ 主排気ポンプ
１７ａ，１７ｂ 洗浄室
１８ ゲート用ガス供給口
１９ ガスゲート
２０ クリーニングロール
２１ 成膜室の排気管
２２ 成膜室の排気バルブ
２３ 成膜室用ドライポンプ
２４ 成膜ガス供給パイプ
２５ ＲＦ電力供給線
２６ 洗浄アシストガス供給口
２７ 集塵カバー
２８ ガス流れ
２９ 洗浄部位
３０ ロール部
４０ 真空維持部
５０ パーティクルの除去手段
６０，６０ａ ＣＶＤ成膜装置

Claims (5)

1. 送りロールを設置した搬送室と巻き取りロールを設置した搬送室との間に成膜室を配置し、前記成膜室内に搬送されてくる可撓性基板の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置において、
   前記成膜室と前記搬送室の間の少なくとも１箇所に洗浄室が設けられ、前記成膜室と前記洗浄室との間、及び前記搬送室と前記洗浄室との間に、ガスゲートが配設され、前記洗浄室は、前記可撓性基板に付着したパーティクルを除去するクリーニングロールと、前記クリーニングロールと前記可撓性基板の接触部近傍にガスを供給する機構と、前記洗浄室内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えていることを特徴とするＣＶＤ成膜装置。
2. 前記クリーニングロールは、前記可撓性基板に接触して回転し、前記クリーニングロールと、前記可撓性基板の接触部近傍にガスを供給して気流を形成していることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ成膜装置。
3. 前記クリーニングロールの外周には、耐真空性及び耐発塵性を有する樹脂材料からなるブラシが巻装されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ成膜装置。
4. 前記成膜室内の圧力は、１Ｐａから１５００Ｐａ、好ましくは１００Ｐａから１０００Ｐａとなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＣＶＤ成膜装置。
5. 前記ガスゲートの囲繞内部は、前記囲繞内部に開口するガス供給口の供給量が前記洗浄室のポンプ排気量よりも小さく設定され、前記囲繞内部が常時圧力を維持するように構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＣＶＤ成膜装置。

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