JP2002064064A

JP2002064064A - プラズマ処理装置

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Publication number: JP2002064064A
Application number: JP2000250058A
Authority: JP
Inventors: Tateshi Ueda; 立志上田; Masayuki Asai; 優幸浅井
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2000-08-21
Filing date: 2000-08-21
Publication date: 2002-02-28

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の周辺部から排気通路側に延びやすいプ
ラズマシースを基板上に留めることで、基板上へプラズ
マを閉じ込める。【解決手段】真空容器内のアノード電極３上に基板４
を保持し、基板４の処理面に向けてカソード電極２の貫
通孔５から処理ガスを供給し、両電極２、３間に高周波
電力を印加して電極２、３間にプラズマを発生させるこ
とで、基板４の処理面に所定の処理を施し、処理後のガ
スをアノード電極３の周辺に確保した排気通路７Ａから
真空容器１外に排気するプラズマＣＶＤ装置において、
プラズマを媒体とする高周波電力の通過経路の等電位面
が基板４の周辺部で終端されるように、アノード電極３
上の空間の周囲に、ガス排気用スリット３１を備えた絶
縁遮蔽体３０を配置した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマを利用し
て、真空容器内においてシリコン基板やガラス基板など
の被処理物に対して薄膜を形成したり、薄膜のエッチン
グを行ったりするプラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】たとえば、半導体製造工程の一つに、ウ
ェーハ（基板）上にプラズマを利用して所定の成膜を施
すプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor deposition）成膜工
程がある。これは、真空保持された反応室内にウェーハ
を配置し、反応室内に処理ガスを供給しながら、高周波
電力を放電用コイルや放電用電極に印加して、反応室内
にプラズマを発生させ、該プラズマにより処理ガスを分
解して化学反応を起こさせ、それによりウェーハの表面
上に薄膜を形成するというものであり、このＣＶＤ成膜
工程にはプラズマ処理装置が使用されている。

【０００３】図７は各種タイプのプラズマ処理装置のう
ちの平行平板型プラズマＣＶＤ装置を示している。図に
おいて、１は反応室を構成する真空容器で、真空容器１
の内部には、共に平板状をなすカソード電極２とアノー
ド電極３とが互いに平行に上下に対向配置されている。
下側のアノード電極３は基板保持台を兼ねるもので、そ
の上面に、処理すべき基板４が載置される。上側のカソ
ード電極２は、アノード電極３の上面に載置された基板
４の処理面（上面）に対してシャワー状に処理ガスを供
給する機能を兼ね備えるもので、そのために多数のガス
吹出用の貫通孔５を有している。また、カソード電極２
のアノード電極３と対向する下面には、前記貫通孔５を
避けた位置に非貫通の凹部（非貫通孔）１４が多数設け
られている。

【０００４】カソード電極２は、導体よりなるガス導入
部材１５の下側に、ガス導入部材１５と導通状態で配さ
れており、ガス導入部材１５及びカソード電極２は、真
空容器１の内部上側に筒状に配されたインナケース１８
の内部に、絶縁材８及び絶縁リング２０で取り囲まれた
状態で設置されている。ガス導入部材１５の中には、上
端のガス導入孔６と連通したガス導入空間が確保されて
おり、そのガス導入空間内には、上部ヒータ１０と、カ
ソード電極２の貫通孔５に向けてガス導入孔６から導入
された処理ガスを分散する分散板１２とが設けられてい
る。

【０００５】真空容器１内の下部には、前記インナケー
ス１８の下端と周縁部が合致するアノードサセプタ１３
が配置されており、このアノードサセプタ１３の上面
に、下部ヒータ１１を介して前記アノード電極３が設け
られている。上部ヒータ１０と下部ヒータ１１は、基板
４を一定の温度に均一に加熱するためのものである。ま
た、アノードサセプタ１３には、図示略の真空ポンプに
つながるガス排気孔７が設けられており、基板４の周囲
に確保された環状の排気通路７Ａを介して、基板４上に
供給された処理ガスをガス排気孔７に排気できるように
なっている。

【０００６】また、アノード電極３の周縁部にも絶縁リ
ング１６が設けられている。このアノード電極３側の絶
縁リング１６は、カソード電極２側の絶縁リング２０と
対向しており、いずれの絶縁リング１６、２０も、カソ
ード電極２やアノード電極３の不必要な部分（基板４を
処理する上で露出していると不都合な部分）が露出しな
いように覆っている。

【０００７】また、カソード電極２は、結合コンデンサ
１９を介して高周波電源９に接続され、カソード電極２
とアノード電極３間に、ガス導入部材１５及びアノード
サセプタ１３を経由して高周波電力を印加できるように
なっている。

【０００８】次に基板処理の流れについて説明する。ま
ず、真空容器１内のアノード電極３の上に基板４を装填
し、真空容器１内をガス排気孔７を通して真空に排気す
る。次に上部ヒータ１０及び下部ヒータ１１によって基
板４を加熱し、加熱したら、ガス導入孔６からカソード
電極２の貫通孔５を通して、成膜用の処理ガスを基板４
の上面（処理面）に向けて供給し、ガスを供給しながら
同時に、カソード電極２とアノード電極３間に高周波電
力を印加することで、カソード電極２とアノード電極３
間にプラズマを発生させ、このプラズマにより、基板４
上に所定の成膜処理を行う。

【０００９】プラズマにより処理された処理ガスの残ガ
スは、基板４の周囲の排気通路７Ａを介してガス排気孔
７を通り、真空容器１外の排気処理系へと送られる。な
お、真空容器１内の圧力は、ガス導入孔６より導入され
る処理ガスの流量と、ガス排気孔７に接続されているポ
ンプ（図示略）の能力と、ポンプまでの排気コンダクタ
ンスにより決まる。

【００１０】このようなプラズマ処理の例としては、ア
モルファスシリコン膜と総称される薄膜〔ＳｉＮ、Ｓｉ
Ｏ₂、水素化ａ−Ｓｉ、水素化ａ−Ｓｉ（ｎ＋）など〕
を形成する処理がある。その処理時の成膜ガスとして
は、ＳｉＮ形成時はＳｉＨ₄ ，ＮＨ₃ ，Ｎ₂ の混合ガス
が使用され、ａ−Ｓｉ形成時はＳｉＨ₄ ，Ｈ₂ の混合ガ
スが使用され、ＳｉＯ₂ 形成時はＳｉＨ₄ ，Ｎ₂ Ｏまた
はＴＥＯＳ，Ｏ₂ の混合ガスが使用される。成膜ガスの
中には、それ自身の単独反応のみでは成膜することがで
きないガス（非成膜ガス）が含まれており、上記の例で
はＮＨ₃ ，Ｎ₂ ，Ｈ₂ ，Ｎ₂ Ｏ，Ｏ₂ が非成膜ガスであ
り、これに対して、ＳｉＨ₄ ，ＴＥＯＳなど単独で成膜
できるガスを主成膜ガスと呼ぶ。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
プラズマＣＶＤ装置では、アノード電極３上の空間の周
囲に確保された排気通路７Ａの絶縁性が不足するため、
排気通路７Ａ内まで高周波電力パス（通過経路）が形成
され、排気通路７Ａの中までプラズマシースが維持され
てしまうという問題があった。

【００１２】その点を、図８に示す簡略化した図面を用
いて具体的に説明する。上下のカソード電極２とアノー
ド電極３は、基板４を載せる部分と、それに対向する面
だけが露出するように、絶縁材８や絶縁リング２０、１
６で取り囲まれている。しかし、上下の絶縁リング２
０、１６によってカソード電極２とアノード電極３の周
縁部の表面自体は覆われているものの、ガス排気のため
に絶縁リング２０、１６の間隔が大きく開いているの
で、基板４の周囲の排気通路７Ａの絶縁性が不足して、
高周波電力の通過経路（高周波電力パス）の等電位面３
５が、基板４の周辺部で終端されずに、排気通路７Ａ側
まで侵入する。その結果、排気通路７Ａの中まで、プラ
ズマＰのシースが容易に侵入してしまうという問題があ
った。

【００１３】この傾向は、成膜時の圧力が低圧であるほ
ど、また、印加電力が高パワーになるほど顕著に現れ
る。また、カソード電極２とアノード電極３の電極間ギ
ャップＨが大きくなった場合にも同様に現れる。そのた
め、上記従来の装置では、排気通路７Ａ内まで侵入する
プラズマシースによるパワーロスのため、高パワーを効
率よく基板４上に印加することが難しかった。

【００１４】また、一方で、ＴＥＯＳ−Ｏ₂ 酸化膜等の
膜質検討において結合組成比を検討した場合、膜中にＳ
ｉ−ＯＨ結合が存在することが、従来よりＦＴ−ｌＲ等
の分析手法により知られている。Ｓｉ−ＯＨ結合の存在
は、膜の電気的特性に少なからず悪影響を及ぼすことが
わかっており、従って、膜中のＳｉ−ＯＨ結合を低減す
ることが、膜質向上を考える上で急務となっている。Ｓ
ｉ−ＯＨ結合の低減のためには、従来よりさまざまな方
法が試行されているが、一つの例として、カソード電極
２とアノード電極３間のギャップＨの拡大が有効である
ことが知られている。しかし、前述した理由により、カ
ソード電極２とアノード電極３間のギャップＨを拡大す
ると、高パワーを効率よく基板４に印加することが難し
くなり、膜質向上を図るのには限界が生じる。

【００１５】また、上記のプラズマ処理による薄膜は、
基板４上を含む接プラズマ域（プラズマに接する領域）
に広く堆積するという性質を持つため、上記の構造のプ
ラズマＣＶＤ装置では、排気通路７Ａ内まで侵入するプ
ラズマシースにより、排気通路７Ａ側にも薄膜２１、２
２が堆積し、しかも、この薄膜２１、２２が基板４や電
極２、３上に形成される薄膜と著しく性質が異なること
から、パーティクル発生の原因となるという別の問題も
生じていた。

【００１６】例えば、平行平板型プラズマＣＶＤ装置に
おいて、図９に示すように、成膜ガスをカソード電極２
からアノード電極３に向けて流通させていて、図示のよ
うにプラズマＰが発生している場合、電極２、３の背面
側に堆積する薄膜Ｍ３は、基板４上に形成される薄膜Ｍ
１やカソード電極２のアノード電極３側の面に形成され
る薄膜Ｍ２に比して著しく緻密性が低下して（比重が小
さくなって）おり、条件によっては膜状とならず、粉状
（Φ数μｍに気相成長した粒子の集合体）になる場合も
ある。このようなプラズマによる不要な生成物は、振
動、圧力変化、温度変化などにより簡単に剥離、落下、
あるいは浮遊したりするため、成膜パーティクルと呼ば
れている。成膜パーティクルは、基板上を汚染し、生産
性低下をもたらすばかりでなく、排気系を汚染し、排気
能力の低下というトラブル要因となる。

【００１７】そこで、従来では、このような成膜パーテ
ィクルを防ぐために、図８に示すように、カソード電極
２の背面並びに周縁部やアノード電極３の背面並びに周
縁部を絶縁材８や絶縁リング２０、１６で覆い隠し、そ
れにより、基板４外ヘブラズマが広がることを極力防ぐ
ようにしている。

【００１８】しかしながら、それでも、前述したよう
に、低圧力かつ大電力のプロセスや、電極間隔の大きな
低圧プロセス、また、高周波電力の周波数が高く、絶縁
物と金属が電気的に区別が付かなくなるようなプロセス
などにおいては、効率的に成膜パーティクルの発生を抑
制することが難しかった。

【００１９】そのため、対策として、エッチング性ガス
（ＣＦ₄ ，ＮＦ₃ などフッ素系ガス）を導入しながらプ
ラズマを発生させたり、フッ素ラジカルを反応室へ直接
導入したりして、成膜パーティクルを気体に変換して除
去しているのが現状である。しかし、このような方法
は、一般的に効率が非常に悪く、大量のエッチング性ガ
スを消費するという問題があった。

【００２０】本発明は、上記事情を考慮し、基板の周辺
部から排気通路側に延びやすいプラズマシースを基板上
に留めておくことができ、基板上へのプラズマの閉じ込
め効果により、印加する高周波電力の低減と、膜質の向
上と、成膜パーティクルの抑制とを図ることのできるプ
ラズマ処理装置を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、真空
容器内の基板保持台に基板を保持し、基板の処理面に向
けて処理ガスを供給し、該処理ガスに高周波電力を印加
してプラズマを発生させることで、前記基板の処理面に
所定の処理を施し、処理後のガスを前記基板保持台の周
辺から真空容器外に排気するプラズマ処理装置におい
て、前記プラズマを媒体とする高周波電力の通過経路の
等電位面が前記基板の周辺部で終端されるように、前記
基板保持台上の空間の周囲に、ガス排気のための隙間を
備えた絶縁遮蔽体を配置したことを特徴とする。

【００２２】この発明では、ガス排気のための隙間を持
った絶縁遮蔽体で基板保持台上の空間の周囲を包囲した
ので、排気通路側にプラズマシースが維持されにくい状
態を作り出すことができる。つまり、残ガスは絶縁遮蔽
体の隙間を通して排気することができるが、プラズマシ
ースは絶縁遮蔽体の遮蔽作用で基板上の空間に留めてお
くことができる。従って、基板上にプラズマを閉じ込め
ることで、基板への効率の良い成膜が可能となり、高周
波電力の低減と、膜質の向上とを図ることができる。ま
た、排気通路側へのプラズマの回り込みを防止できるか
ら、成膜パーティクルの抑制を図ることもできる。

【００２３】請求項２の発明は、請求項１において、前
記真空容器内のガスクリーニング時に、前記基板保持台
と絶縁遮蔽体との間の間隔を開くことを特徴とする。

【００２４】前記の請求項１の発明によれば、排気通路
側へのプラズマシースの侵入を防止して、成膜パーティ
クルの発生を抑制することができるが、ガスクリーニン
グ時にプラズマシースが排気通路側にまで全く届かない
と、排気通路側に付着した副生成物（成膜パーティク
ル）を取り除くことができない。そこで、請求項２の発
明では、ガスクリーニング時には、基板保持台と絶縁遮
蔽体との間の間隔を開くようにしている。こうすること
で、基板保持台の周辺部で高周波電力の通過経路の等電
位面が終端されなくなり、プラズマシースが排気通路側
にまで届くことになる。従って、クリーニングガスのプ
ラズマにより、排気通路側に形成された副生成物（成膜
パーティクル）を効率良く除去することができ、クリー
ニング効果が上がる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の実施形態としての平
行平板型プラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図、図２
はその主要部の構成を簡略化して示す断面図である。

【００２６】このプラズマＣＶＤ装置は、図７に示した
従来のプラズマＣＶＤ装置におけるアノード電極３上の
空間の周囲に、プラズマを媒体とする高周波電力の通過
経路の等電位面がアノード電極３上の基板４の周辺部で
終端されるように、ガス排気用のスリット（隙間）３１
を備えた絶縁遮蔽体３０を配置したものである。それ以
外の点は、図７の装置と全く同様であるので、同一要素
に同一符号を付して説明を簡略化する。

【００２７】反応室を形成する真空容器１の内部には、
カソード電極２とアノード電極（基板保持台）３とが上
下に対向配置され、カソード電極２にはガス吹出用の多
数の貫通孔５が設けられると共に、下面に非貫通孔とし
ての凹部１４が多数設けられている。カソード電極２は
ガス導入部材１５と導通しており、ガス導入部材１５と
カソード電極２は、真空容器１のインナケース１８内に
絶縁材８及び絶縁リング２０で取り囲まれた状態で設置
されている。ガス導入孔６を有するガス導入部材１５の
内部空間には、上部ヒータ１０と分散板１２が設けられ
ている。

【００２８】アノード電極３は、アノードサセプタ１３
の上面に下部ヒータ１１を介して設けられ、アノードサ
セプタ１３には、アノード電極３の周囲の環状の排気通
路７Ａを介して、反応室内のガスを真空容器１外に排気
するガス排気孔７が設けられている。そして、アノード
電極３の周縁の絶縁リング１６とカソード電極２の周縁
の絶縁リング２０間に確保された排気通路７Ａの入口部
分に、アノード電極３に載置された基板４上の空間を取
り囲むように、前述のスリット３１付きの絶縁遮蔽体３
０が設けられている。また、カソード電極２は、結合コ
ンデンサ１９を介して高周波電源９に接続され、カソー
ド電極２とアノード電極３間に、ガス導入部材１５及び
アノードサセプタ１３を経由して高周波電力を印加でき
るようになっている。

【００２９】前記スリット３１付き絶縁遮蔽体３０は、
図２に示すように、環状の絶縁材に水平方向に貫通した
ガス排気用のスリット（隙間）３１を、数段、上下方向
に一定の間隔をおいて形成したものである。あるいは、
スリット３１を確保するように、上下方向に多段に環状
板を等間隔に積層配備したものである。

【００３０】ここで、スリット３１の幅（図２では高
さ）は、生成されるプラズマシースの厚さに応じて決め
られるべきもので、例えば０．５〜２．０ｍｍ程度であ
る。これは、排気スリット３１の幅よりも実効シース厚
が大きいために、シースが排気経路側へ侵入できなくな
ると考えるからである。従って、スリット３１の幅は実
効シース厚の２倍よりは小さくする必要がある。例え
ば、圧力１．Ｏ〜２．Ｏ（Torr）前後の成膜時の実効シ
ース厚はＯ．３〜１．Ｏｍｍと見積られるので、これに
対するスリット幅は、Ｏ．６〜２．０ｍｍ程度となる。
また、絶縁遮蔽体３０の厚さは、約６ｃｍ程度に設定さ
れている。

【００３１】このように、排気通路７Ａの入口部分にガ
ス排気スリット３１付きの絶縁遮蔽体３０を配置したこ
とによって、排気通路７Ａ側へのシースの浸入を阻むこ
とができる。つまり、排気通路７Ａ側にシースが維持さ
れにくい状態を作り出すことができて、アノード電極３
上の基板４の周辺から排気通路７Ａ側へ延びやすいプラ
ズマシースを基板４上に留めておくことができる。この
ため、図３に示すように、カソード電極２とアノード電
極３間に発生するプラズマを媒体とした全ての高周波電
力の通過経路における等電位面３５が、アノード電極３
上の基板４の周辺部で終端される状態となり、基板４の
周辺部で実質的にプラズマが閉じ込められることにな
り、基板４外への不要な成膜を抑えることができるよう
になる。なお、基板４上でプラズマ処理された成膜ガス
の残ガスは、絶縁遮蔽体３０のスリットを通してガス排
気孔７へ排気される。

【００３２】次に、実験データの比較により効果を検証
する。実験に使用した基板のサイズは３７×４７ｃｍ
² 、基板の温度は３００℃に設定し、以下の条件により
比較した。

【００３３】（１）成膜条件は次の通りである。本発明装置：・ＴＲｌＥＳ／Ｏ₂ 流量＝７０／１４００（SCCM）・圧力＝３（Torr）・高周波電力＝１０００（Ｗ）従来の装置：・ＴＲｌＥＳ／Ｏ₂ 流量＝７０／１４００（SCCM）・圧力＝０．８（Torr）・高周波電力＝１０００（Ｗ）

【００３４】（２）ガスクリーニング条件は共通、残差
条件は各々成膜条件に同じである。（３）多孔カソード電極の仕様は次の通りである。貫通孔：Φ０．８ｍｍ、個数９５６均等配置非貫通孔（凹部）：Φ４ｍｍ、深さ６ｍｍ、個数１２８
６０均等配置（４）カソードシーズ面積／アノードシーズ面積比≒３
とした。

【００３５】本発明の装置では、上下の絶縁リング２
０、１６間の隙間１０ｍｍのスペースに、幅１ｍｍの４
段のスリット３１をほぼ均等に形成するように、絶縁遮
蔽体３０を配置した。一方、従来の装置にスリット付き
の絶縁遮蔽体は存在しない。

【００３６】以上の条件で成膜を実験的に行った結果、
次のことが分かった。膜質については、図６に示すＦＴ
−１Ｒ（フーリエ変換赤外分光分析）のデータから、従
来の装置で成膜した場合に比べて、本発明の装置で成膜
した場合の方が、Ｓｉ−ＯＨ結合の減少が少なくなるこ
とが認められた。膜中におけるＳｉ−ＯＨ結合は膜の電
気特性に少なからず悪影響を及ぼすため、膜組成におけ
る結合比率は少なければ少ないほどよい。従って、基板
に印加する電力が同等である場合、本発明の装置による
場合の方が、膜質の向上が確かめられた。

【００３７】また、事象１として、同一の成膜条件に対
して基板にかかる有効電力を調べて見たところ、表１に
示すように、従来の装置の場合は、排気通路側へのシー
スの発生により有効電力が５０％であったものが、本発
明の装置の場合は、排気通路側へのシースの侵入を抑制
することにより９０％に上昇した。これにより、高パワ
ーを基板上へ効率良く印加できることが分かる。

【００３８】

【表１】

【００３９】また、事象２として、従来の装置と比較し
て本発明の装置の場合は、基板に印加することができる
電力の上限を上げられることがわかった。即ち、表２に
示すように、従来の装置の場合、印加可能電力は５００
Ｗであったものが、本発明の装置では、１５００Ｗに上
昇できた。一般的に基板に印加できる電力は高ければ高
いほど緻密な膜を形成できると考えられる。従って、本
発明によって、より緻密な成膜を行うことが可能である
ことが見込まれる。

【００４０】

【表２】

【００４１】また、成膜パーティクルと膜厚分布を実験
して計測したところ、次の表３のようなデータを得るこ
とができた。成膜条件は次の通りである。基板サイズ：３７×４７ｃｍ² 処理ガス：ＳｉＨ₄＝１００（SCCM）圧力：１．０（Torr）高周波電力：５０（Ｗ）基板温度：３００℃ 電極間隔：２０ｍｍ

【００４２】

【表３】

【００４３】この結果から、成膜パーティクルが従来に
比して大幅に減少していることが分かる。また、成膜分
布の改善は、等電位面が基板上で平坦化されたことを示
している。

【００４４】次に本発明の別の実施形態を説明する。前
記の実施形態のプラズマＣＶＤ装置では、カソード電極
２とアノード電極３間のギャップＨを固定的に設定した
場合を示したが、この実施形態のプラズマＣＶＤ装置で
は、図４に示すように、スリット３１付きの絶縁遮蔽体
３０とアノード電極３側の絶縁リング１６とを相互に干
渉しない大きさに設定することによって、アノード電極
３を自在に昇降できるようにしている。これにより、ス
リット付きの絶縁遮蔽体３０の機能を生かしながら、電
極２、３間のギャップＨを適当に調整できるようにな
る。

【００４５】また、アノード電極３を昇降可能に装備し
た場合には、図５に示すように、ガスクリーニング時
に、アノード電極３を下げて、アノード電極３とスリッ
ト付き絶縁遮蔽体３０の間隔を開くことにより、プラズ
マＰのシースが排気通路側へ浸入できるようにすること
ができる。従って、広範囲に広がるプラズマによって、
排気通路側へ堆積した副生成物を効率良く除去すること
ができる。

【００４６】なお、上記実施形態では、カソード電極２
とアノード電極３の周縁部に、ある程度の厚み（例えば
１０ｍｍ前後の厚み）のある絶縁リング２０、１６を配
置した場合を示しているが、カソード電極２側の絶縁物
やアノード電極３側の絶縁物を、数μｍ〜数十μｍの表
面コートで置き換えることもできる。その場合も、スリ
ット付き絶縁遮蔽体３０の配置によって、前記と同様な
効果が得られる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、ガス排気のための隙間を持った絶縁遮蔽体を、
基板保持台上の空間の周囲（排気通路の入口部分）に配
置して同空間を包囲したので、排気通路側にプラズマシ
ースが維持されにくい状態を作り出すことができ、基板
上にプラズマを閉じ込めることができるようになる。従
って、基板への効率の良い成膜が可能となり、印加する
高周波電力の低減と、膜質の向上とを図ることができ
る。また、排気通路側へのプラズマの回り込みを防止で
きるから、成膜パーティクルの抑制を図ることができ
る。

【００４８】請求項２の発明によれば、クリーニング時
には、基板保持台と絶縁遮蔽体との間の間隔を開くよう
にしているので、プラズマシースを排気通路側にまで届
かせることができて、排気通路側に形成された副生成物
（成膜パーティクル）を効率良く除去することができ、
広範囲に及ぶクリーニング処理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態のプラズマＣＶＤ装置の構成
を示す断面図である。

【図２】同プラズマＣＶＤ装置の要部を簡略化して示す
断面図である。

【図３】同プラズマＣＶＤ装置において、高周波電力の
通過経路の等電位面が基板の周辺部で終端されることを
示す断面図である。

【図４】本発明の他の実施形態のプラズマＣＶＤ装置に
おける要部を簡略化して示す断面図である。

【図５】同プラズマＣＶＤ装置のガスクリーニング時の
状態を示す断面図である。

【図６】従来装置を使用した場合（ａ）と本発明の装置
を使用した場合（ｂ）の膜の分析結果を比較して示す図
である。

【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す断面図
である。

【図８】同プラズマＣＶＤ装置の要部を簡略化して示す
断面図である。

【図９】平行平板電極の背面側に生成される膜と、基板
及び基板と対向する電極面に生成される膜の性質の違い
を説明するために示す断面図である。

【符号の説明】

１真空容器２カソード電極３アノード電極（基板保持台）４基板７ガス排気孔７Ａ排気通路３０絶縁遮蔽体３１ガス排気用スリット（隙間）３５等電位面

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０５Ｈ 1/46 ＭＨ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/302 ＮＦターム(参考） 4K030 AA06 AA09 AA14 BA44 DA06 EA11 FA03 KA12 4K057 DA01 DA16 DD01 DD03 DD07 DD08 DG16 DM02 DM06 DM13 DM28 DM38 DN01 5F004 AA15 BA04 BA07 BB11 BB18 BB28 BC08 5F045 AA08 AC01 AC09 AC11 AC12 AC15 BB15 DP03 DQ10 EB06 EF04 EF05 EF20 EH05 EH14 EM10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空容器内の基板保持台に基板を保持
し、基板の処理面に向けて処理ガスを供給し、該処理ガ
スに高周波電力を印加してプラズマを発生させること
で、前記基板の処理面に所定の処理を施し、処理後のガ
スを前記基板保持台の周辺から真空容器外に排気するプ
ラズマ処理装置において、前記プラズマを媒体とする高周波電力の通過経路の等電
位面が前記基板の周辺部で終端されるように、前記基板
保持台上の空間の周囲に、ガス排気のための隙間を備え
た絶縁遮蔽体を配置したことを特徴とするプラズマ処理
装置。
【請求項２】前記真空容器内のガスクリーニング時
に、前記基板保持台と絶縁遮蔽体との間の間隔を開くこ
とを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。