JP4664598B2 - 高さ調節可能な処理チャンバ内における基板上への薄膜層堆積プロセス及び装置 - Google Patents
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Description
実施例に示された装置は、側壁2と水平な底部3とを具備するポット形状の反応容器を有し、側壁2は反応容器の内側を環状に取り囲んでいる。反応容器は、蓋1により閉鎖することができる。プロセスガスの供給ライン25は、蓋1を通って導かれる。この供給ラインは、蓋1の内側へ固定されかつガス入口部品7を形成する中空体の中へ開口する。ガス入口部品7は、図示しない手段により蓋1へ接続固定される。ガス入口部品7の空洞内には、ガス分散プレート30が設けられることにより、供給ライン25から流れ出たプロセスガスは、ふるい状の形態で設けられガス入口部品7の底部に取り付けられた複数の放出孔8を通って均一な分散状態で処理チャンバ4内へ流れることができる。上記のガス入口部品7の底部における複数の放出孔8が穿孔された表面は、一定の距離Hで基板支持表面9に対向して配置されたガス入口表面10を形成する。
Claims (10)
- MOCVD法により反応容器(1、2、3)内に設置された処理チャンバ(4)内の基板上に薄膜層を堆積させるプロセスであって、
前記処理チャンバ(4)の底部が、垂直方向の軸(6)の周りに回転駆動される基板ホルダ(5)により形成され、かつ前記基板ホルダ(5)は下側に設置された加熱部品(15)により温度制御可能であり、
前記処理チャンバ(4)の蓋が、前記底部に平行に延在するガス入口部品(7)により形成され、前記ガス入口部品(7)はふるい状の形態で設けられた複数のガス放出孔(8)によりガス放出表面(10)を形成し、前記ガス放出表面(10)は前記基板ホルダ(5)の基板支持表面(9)全体の上方に延在し、
前記基板ホルダ(5)及び前記ガス入口部品(7)を環状に取り囲みかつ前記処理チャンバ(4)の横方向の位置を定めるガス出口リング(16)が、ほぼ前記基板支持表面(9)の高さに位置する複数の孔(28)を形成されている、薄膜層の堆積プロセスにおいて、
堆積プロセスの1つの工程では、所定のプロセスパラメータに適合させるべく、前記基板支持表面(9)と前記ガス放出表面(10)の間の距離(H)で規定される高さを調整された前記処理チャンバ(4)内で、前記ガス放出表面(10)を通ってプロセスガスが前記処理チャンバ(4)内へ導入され、反応した後、前記ガス出口リング(16)の複数の孔(28)を通って前記処理チャンバ(4)から排出され、かつ、
堆積プロセスは少なくとも2つの工程とそれらの間のパージ処理を含み、前記パージ処理の途中に、前の工程のものとは異なる後の工程の別のプロセスパラメータに適合させるべく前記処理チャンバ(4)の高さの変更を行い、前記処理チャンバ(4)の高さの変更は、前記加熱部品(15)及び前記ガス出口リング(16)とともに前記基板ホルダ(5)を変位させることにより行うことを特徴とする
薄膜層の堆積プロセス。 - MOCVD法により反応容器(1、2、3)内に設置された処理チャンバ(4)を有し、前記処理チャンバ(4)内の基板上に薄膜層を堆積させる装置であって、
前記処理チャンバ(4)の底部が、垂直方向の軸(6)の周りに回転駆動される基板ホルダ(5)により形成され、かつ前記基板ホルダ(5)は下側に設置された加熱部品(15)により温度制御可能であり、
前記処理チャンバ(4)の蓋が、前記底部に平行に延在するガス入口部品(7)により形成され、前記ガス入口部品(7)はふるい状の形態で設けられた複数のガス放出孔(8)によりガス放出表面(10)を形成し、前記ガス放出表面(10)は前記基板ホルダ(5)の基板支持表面(9)全体の上方に延在し、
前記基板ホルダ(5)及び前記ガス入口部品(7)を環状に取り囲みかつ前記処理チャンバ(4)の横方向の位置を定めるガス出口リング(16)が、ほぼ前記基板支持表面(9)の高さに位置する複数の孔(28)を形成されている、薄膜層の堆積装置において、
堆積プロセスの1つの工程では、所定のプロセスパラメータに適合させるべく、前記基板支持表面(9)と前記ガス放出表面(10)の間の距離(H)で規定される高さを調整された前記処理チャンバ(4)内で、前記ガス放出表面(10)を通ってプロセスガスが前記処理チャンバ(4)内へ導入され、反応した後、前記ガス出口リング(16)の複数の孔(28)を通って前記処理チャンバ(4)から排出され、かつ、
堆積プロセスは少なくとも2つの工程とそれらの間のパージ処理を含み、前記パージ処理の途中に、前の工程のものとは異なる後の工程の別のプロセスパラメータに適合させるべく前記処理チャンバ(4)の高さを変更可能であり、前記処理チャンバ(4)の高さの変更は、前記加熱部品(15)及び前記ガス出口リング(16)とともに前記基板ホルダ(5)を変位させることにより行われることを特徴とする薄膜層の堆積装置。 - 前記処理チャンバの高さ(H)が、前記反応容器(1、2、3)が閉じている間に調節可能であることを特徴とする請求項2の薄膜層の堆積装置。
- 前記処理チャンバの高さ(H)を調節するために、気密性をもって閉鎖可能な前記反応容器(1、2、3)に取り付けられるスペーサ手段(11)を有することを特徴とする請求項2又は3の薄膜層の堆積装置。
- 前記基板ホルダ(5)が前記反応容器の底部(3)及び/又は側壁(2)に対して変位可能であることを特徴とする請求項2〜4のいずれかの薄膜層の堆積装置。
- 前記ガス入口部品(7)が前記反応容器の蓋(1)へ接続固定されることを特徴とする請求項2〜5のいずれかの薄膜層の堆積装置。
- 前記スペーサ手段(11)が前記反応容器の底部(3)及び/又は蓋(1)に取り付けられかつスピンドルドライブ(12、13、14)又は磁性流体リフト装置により形成されることを特徴とする請求項4の薄膜層の堆積装置。
- 前記基板ホルダ(5)が、前記加熱装置(15)及び前記ガス出口リング(16)と共に、前記蓋(1)により閉鎖可能な反応容器開口の方向に予め圧縮された複数のスプリング(20)により支持され、かつ、該蓋(1)が閉じられるとき該蓋に取り付けられた調節可能な前記スペーサ手段(11)により垂直方向に移動することを特徴とする請求項2〜7のいずれかの薄膜層の堆積装置。
- 前記蓋に取り付けられた前記スペーサ手段(11)がスペーサリング(21)又は押圧リング(23)であり、スピンドル又は螺子付きピン(22)により作動されることにより、前記ガス出口リング(16)及び/又は該ガス出口リングを搭載するキャリアプレート(17)を変位させ、それにより該キャリアプレート(17)上の前記基板ホルダ(5)を変位させることを特徴とする請求項8の薄膜層の堆積装置。
- 前記キャリアプレート(17)又は前記基板ホルダ(5)に取り付けられたストッパー肩部(18)が、前記反応容器の前記蓋(1)が開いたとき該反応容器に設けられたストッパー(19)に当接することを特徴とする請求項9の薄膜層の堆積装置。
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