CN109423630A - 升举装置、化学气相沉积装置及方法 - Google Patents

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CN109423630A CN201710785540.9A CN201710785540A CN109423630A CN 109423630 A CN109423630 A CN 109423630A CN 201710785540 A CN201710785540 A CN 201710785540A CN 109423630 A CN109423630 A CN 109423630A
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Abstract

本公开提供一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板。上述升举装置包括一驱动机构、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。升举组件配置用于在驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于遮蔽耦合构件且避免耦合构件暴露于化学气相沉积装置中的加工气体。

Description

升举装置、化学气相沉积装置及方法
技术领域
本公开实施例涉及一种半导体技术，特别涉及一种升举装置、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVP)装置及方法。
背景技术
半导体装置被用于多种电子应用，例如个人电脑、行动电话、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，以形成电路组件和零件于此半导体基板之上。随着集成电路的材料及其设计上的技术进步，已发展出多个世代的集成电路。相较于前一个世代，每一世代具有更小且更复杂的电路。然而，这些发展提升了加工及制造集成电路的复杂度。为了使这些发展得以实现，在集成电路的制造以及生产上相似的发展也是必须的。
举例而言，高密度等离子体化学气相沉积(High-Density Plasma ChemicalVapor Deposition，HDPCVD)是一种利用高密度等离子体来进行化学气相沉积的技术。为了形成高密度等离子体，通常会利用射频电力来激发气体混合物，并引导等离子体离子至半导体基板表面上来形成薄膜。高密度等离子体化学气相沉积主要的优点为，可以在较低温(例如约300℃至约400℃)时形成均匀度佳的薄膜，故被广泛应用在例如晶体管的内连线介电层的制造。
虽然现有的化学气相沉积技术及设备已经足以应付其需求，然而仍未全面满足。因此，需要提供一种改善沉积工艺的方案。
发明内容
本公开一些实施例提供一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板。上述升举装置包括一驱动机构、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。升举组件配置用于在驱动机构的驱动下升举基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于遮蔽耦合构件且避免耦合构件暴露于化学气相沉积装置中的加工气体。
本公开一些实施例提供一种化学气相沉积装置，包括一加工腔室、一承载平台、一气体供应单元、一排气单元、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。承载平台配置用于在加工腔室中支撑一基板。气体供应单元配置用于供应一加工气体至加工腔室中以形成一薄膜于基板上。排气单元配置用于从加工腔室中移除加工气体。升举组件配置用于在一驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于包覆耦合构件暴露于加工气体的一部分。
本公开一些实施例提供一种化学气相沉积方法。上述方法包括放置一基板于一加工腔室中。上述方法亦包括供应一加工气体至加工腔室中以于基板上执行一沉积工艺，其中基板由一承载平台支撑。上述方法还包括在沉积工艺之后，通过一驱动机构驱动一升举组件以从承载平台上卸载基板，其中升举组件与驱动机构之间由一耦合构件耦合，且耦合构件由一遮蔽构件遮蔽而避免暴露于加工气体。此外，上述方法包括移除加工腔室中的加工气体。
附图说明
图1显示根据一些实施例的一化学气相沉积装置的示意图。
图2显示在沉积工艺之后，图1中的升举组件将基板从承载平台上卸载的示意图。
图3显示根据一些实施例的升举组件与驱动机构的组装方式的示意图。
图4显示图3中的升举组件与驱动机构组装后的另一视角的局部示意图。
图5A显示根据一些实施例的一耦合构件的放大示意图。
图5B显示根据一些实施例的一遮蔽构件的放大示意图。
图6显示根据一些实施例的一遮蔽构件的示意图。
图7显示根据一些实施例的一遮蔽构件的示意图。
图8显示根据一些实施例的一化学气相沉积方法的流程图。
附图标记说明：
1～化学气相沉积装置；
10～加工腔室；
10A～外壳；
10B～气体入口；
10C～气体出口；
11～承载平台；
11A～机轴；
11B～旋转机构；
11C～环形穿透孔；
12～喷淋头；
12A～开口；
13～气体供应单元；
14～排气单元；
15～等离子体产生单元；
15A～射频电力来源；
15B～导电元件；
16～升举组件；
16A～基架；
16B～升举顶针；
16C～连接部；
16D～卡槽结构；
17～驱动机构；
17A～驱动部；
17B～杆部；
18～耦合构件/螺丝；
18A～头部；
18B～螺牙部；
18C～第一螺纹；
19、19’、19”～遮蔽构件；
19A～第二螺纹；
19B～表面特征；
19C～侧边；
19D～侧边；
19E～卡榫结构；
80～化学气相沉积方法；
81～84～操作；
F～气流；
G～气体扩散路径；
H～螺丝孔；
P～等离子体；
S1～第一端面；
S2～第二端面；
W～基板。
具体实施方式
以下公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本案的不同特征。以下公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，若实施例中叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的情况，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使得上述第一特征与第二特征未直接接触的情况。
在下文中所使用的空间相关用词，例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，是为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中绘示的方位之外，这些空间相关用词也意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度获其他方位)，而在此所使用的空间相关用词也可依此相同解释。
此外，以下不同实施例中可能重复使用相同的元件标号及/或文字，这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。在附图中，结构的形状或厚度可能扩大，以简化或便于标示。必须了解的是，未特别描述或图示的元件可以本领域技术人士所熟知的各种形式存在。
图1显示根据一些实施例的一化学气相沉积装置1的示意图。化学气相沉积装置1适用于在一基板W上执行一化学气相沉积工艺(以下简称沉积工艺)。基板W可包括半导体层、导电层、以及/或者绝缘层。在一些实施例中，基板W包括层叠的半导体层。举例而言，基板W包括在一绝缘体上的半导体层的层叠，例如硅晶体管结构在绝缘体之上(SOI)、硅晶体管结构在蓝宝石基板之上、或硅锗结构在绝缘体之上；或者，基板W包括在一玻璃上的半导体层的层叠，以形成薄膜晶体管。
根据一些实施例，化学气相沉积装置1是一种等离子体化学气相沉积装置，例如为高密度等离子体化学气相沉积(HDPCVP)装置、等离子体增强型化学气相沉积(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)装置或其他利用等离子体来协助化学气相沉积工艺的装置。化学气相沉积装置1包括一加工腔室10、一承载平台11、一喷淋头12、一气体供应单元13、一排气单元14、一等离子体产生单元15、一升举组件16及一驱动机构17。上述化学气相沉积装置1的元件/部件可以添加或省略，并且本公开不应受到实施例的限制。
在图1的实施例中，加工腔室10是一等离子体工艺腔室，可用于在其中产生等离子体，以协助沉积工艺。加工腔室10包括一可气密地密封的外壳10A，配置用于收容一或多个待加工的基板W。虽然未图示，外壳10A上设有一可开闭的闸门，允许基板W通过一基板搬运装置(例如机械手臂)而被送入或移出加工腔室10。
承载平台11配置用于在加工腔室10中支撑至少一基板W。在一些实施例中，承载平台11包括一静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)，利用该静电吸盘与承载平台11所支撑的基板W上所产生的相反电荷的静电吸引力，可将基板W固持在承载平台11上。在一些实施例中，承载平台11亦可通过其他机制(例如真空吸附或机械夹具)来固持基板W。
在一些实施例中，承载平台11亦包括一或多个加热器(例如电阻加热元件)，配置用于在沉积工艺时加热基板W以促进其上的化学反应。在一些实施例中，亦可将热传气体经由承载平台11中的气体沟道供应至承载平台11与基板W之间以增进传热效果。
此外，承载平台11由一机轴11A支撑于加工腔室10中。在一些实施例中，在沉积工艺时，机轴11A可由一旋转机构11B(例如马达)所驱动而使得承载平台11绕着机轴11A进行旋转运动，以提高在基板W上的薄膜沉积均匀度。
气体供应单元13配置用于在沉积工艺时提供一或多种加工气体至加工腔室10中以形成一薄膜(图未示)于基板W上。在图1的实施例中，气体供应单元13可流体地耦合于加工腔室10的外壳10A上的一气体入口10B，且气体供应单元13包括气体储存槽、气体管线、泵及气体控制器(例如阀、流速计、检测器或其他类似的元件)。根据一些实施例，加工气体(亦称作前驱物气体)包括硅甲烷(SiH4)、六氟化钨(Tungsten hexafluoride，WF6)、氮气(N2)、一氧化二氮(N2O)或氧气(O2)。
在一些实施例中，在沉积工艺之前或之后，化学气相沉积装置1亦可执行一等离子体清洁工艺。在等离子体清洁工艺时，气体供应单元13可提供一或多种清洁用气体(例如三氟化氮(NF3)、六氟乙烷(C2F6)或八氟丙烷(C3F8))至加工腔室10中以对加工腔室10进行清洁。上述加工气体及清洁用气体仅为范例，本公开并不以此为限。
喷淋头12配置用于接收来自气体供应单元13的加工气体或清洁用气体，并可将上述气体均匀地散布至加工腔室10的四周。根据一些实施例，喷淋头12可顺应加工腔室10或基板W的形状而具有一圆形设计，且该圆形设计上形成有均匀分布在喷淋头12的四周的开口12A。
等离子体产生单元15配置用于在沉积工艺时激发上述加工气体并使其转变为等离子体(态)P，进而等离子体P可以增强化学气相沉积工艺的效果，例如使得在较低温(例如约300℃至约400℃)的条件下仍可发生化学反应于基板W表面以形成薄膜。
在图1的实施例中，等离子体产生单元15包括一射频(radio frequency，RF)电力来源15A及一导电元件15B(例如螺旋线圈或电极板)。导电元件15B配置于加工腔室10的上部且面对承载平台11，而射频电力来源15A电耦合于导电元件15B，并可提供一射频信号至导电元件15B，藉此使得导电元件15B与承载平台11之间的加工气体解离放电并转变为等离子体P。根据一些实施例，等离子体产生单元15亦包括一电耦合于承载平台11的偏压部件，可用于吸引等离子体P至基板W表面上以提高沉积工艺的效率。虽然未图示，一或多个控制器可电耦合于射频电力来源15A及/或偏压部件以控制其运作。
根据一些实施例中，在沉积工艺之前或之后的等离子体清洁工艺时，等离子体产生单元15亦可将供应至加工腔室10中的清洁用气体解离为等离子体态，进而利用该等离子体态的清洁用气体来对加工腔室10进行化学反应蚀刻以清洁加工腔室10(例如清除在沉积工艺时同时形成于加工腔室10内壁上的薄膜)。
排气单元14配置用于在沉积工艺及/或等离子体清洁工艺之后从加工腔室10移除加工气体(亦即等离子体P)及/或清洁用气体。此外，在基板W送入加工腔室10之后，排气单元14也可用于对加工腔室10进行抽真空以使其达到后续工艺所需要的压力条件。在图1的实施例中，排气单元14可流体地耦合于加工腔室10的外壳10A上的一气体出口10C(接近等离子体P的位置)，且排气单元14包括泵、气体管线及气体控制器(例如阀、流速计、检测器或其他类似的元件)。
应了解的是，上文中仅以等离子体化学气相沉积装置作为化学气相沉积装置1的一范例，但本公开并不以此为限。在一些实施例中，化学气相沉积装置1的加工腔室10中亦可以执行一不使用等离子体的化学气相沉积工艺，并仅利用热激发方式使得加工气体与基板W表面发生化学反应进而在其上形成薄膜。
接着请一并参照图1、图2，升举组件16配置用于在驱动机构17的驱动下升举基板W以从承载平台11上卸载基板W(亦即分离)。根据一些实施例，在沉积工艺之后，会先解除承载平台11固持基板W的一静电力，然后基板W可通过升举组件16升举而从承载平台11上卸载，接着再通过一基板搬运装置(图未示)搬运且经由加工腔室10的外壳10A上的一闸门(图未示)而被送出化学气相沉积装置1。
如图1、图2所示，升举组件16设置于承载平台11的下方(亦即承载平台11支撑基板W的一侧的相对侧)，且包括多个朝向承载平台11延伸及可穿过形成于承载平台11中的一环形穿透孔11C(大致以承载平台11的机轴11A为中心)的升举顶针(lift pins)16B。驱动机构17设置于加工腔室10的下方/之外，且包括一可垂直地伸入或伸出加工腔室10中的杆部17B，其中杆部17B与升举组件16可通过一耦合构件18(请参照图3)相互耦合，耦合构件18例如为一铝材质或不锈钢材质的螺丝。当驱动机构17的杆部17B伸入加工腔室10中时，升举组件16得以被向上驱动，并通过升举顶针16B升举基板W而从承载平台11上卸载基板W。上述升举组件16、驱动机构17、耦合构件18及在稍后段落中将介绍的一遮蔽构件19构成化学气相沉积装置1中的一“升举装置”。
根据一些实施例，驱动机构17包括一筒状的驱动部17A，其设置于加工腔室10之外且机械地耦合于加工腔室10的外壳10A上的一开口(图未示)。为了达成气密，可在该开口与驱动部17A之间配置一或多个密封件(例如O型环)。
根据一些实施例，驱动部17A中具有可驱使杆部17B伸入或伸出驱动部17A(而可使得杆部17B伸入或伸出加工腔室10中)的一升降结构(图未示)，例如为通过伸缩方式而可实现升降的一升降波纹管(lift bellow)或通过位移方式而可实现升降的一汽缸(cylinder)。上述升降结构仅为范例，本公开并不以此为限。
根据一些实施例，如图3所示，升举组件16的多个(例如3个，但不以此为限)升举顶针16B耦合于一大致呈环状(对应于基板W的形状)的基架16A。具体来说，升举顶针16B设置于基架16A的面向承载平台11的一第一端面S1。在一些实施例中，基架16A与升举顶针16B可由一陶瓷材料(例如氧化铝、氧化锆、碳化硅或氮化硅)以一体成型的方式制作。
根据一些实施例，在基架16A的与第一端面S1相对的一第二端面S2上具有凸出且呈管状的一连接部16C，其中耦合构件18(以下仅以螺丝18作为范例以方便说明)可穿过基架16A的连接部16C及驱动机构17的杆部17B上的螺丝孔(在图3中，由于杆部17B套入连接部16C中，故仅有连接部16C及其上的螺丝孔H被显示)以耦合升举组件16与驱动机构17。
请回到图1、图2，在沉积工艺时，由于气体供应单元13供应的加工气体会充满整个加工腔室10，包括扩散到承载平台11的下方(如图1中的气体扩散路径G所示)，导致升举组件16表面及螺丝18暴露在外的部分可能与加工气体发生化学反应而产生薄膜沉积。经研究发现，在经过等离子体清洁加工腔室10之后，形成于升举组件16上的薄膜可被良好地清除，但形成于螺丝18上的薄膜则不容易被清除，此与螺丝18的材质、表面纹路结构等均有关系。
如此一来，当升举组件16从承载平台11上卸载基板W且排气单元14同时将加工腔室10中的加工气体抽出时(如图2所示)，沉积或累积于螺丝18上的薄膜或微粒可能受到气流F牵引而被带到基板W上，造成基板W受到污染或产生缺陷(defect)。
请一并参阅图3、图4，本公开一些实施例采用一遮蔽构件19来遮蔽螺丝18以避免其暴露在外，从而减少加工腔室10中的加工气体接触螺丝18及在螺丝18上沉积薄膜或微粒(亦即造成螺丝18受到污染)的机会。
根据一些实施例，遮蔽构件19是以陶瓷材料(可与升举组件16采用相同的材料)制成的一保护罩，配置用于遮蔽螺丝18暴露于加工气体的一部分(例如头部18A)。如图3、图4所示，当螺丝18的螺牙部18B锁入连接部16C及杆部17B上的螺丝孔H而耦合升举组件16与驱动机构17之后，遮蔽构件19可完全包覆螺丝18的头部18A而使得从外观上不会看到螺丝18暴露在外。如此一来，在沉积工艺时，薄膜仅会在陶瓷材质且表面平滑的遮蔽构件19(保护罩)上形成，并可利用等离子体来清除，从而可降低基板W受到污染或产生缺陷的机会。
根据一些实施例，遮蔽构件19以可拆卸方式包覆螺丝18的头部18A。如图5A、图5B所示，螺丝18的头部18A的一外周面上可通过例如车销方式形成一或多个第一螺纹18C，且遮蔽构件19的一内周面上亦可通过例如车销方式形成一或多个第二螺纹19A，对应于第一螺纹18C，藉以达成遮蔽构件19与螺丝18之间的结合及拆卸，方便于使用者操作。在一些实施例中，螺丝18的头部18A的直径R1略小于遮蔽构件19的内径R2，例如头部18A的直径R1约为9公分，遮蔽构件19的内径R2约为9.6公分。此外，头部18A的厚度D1略小于遮蔽构件19的厚度D2，例如头部18A的厚度D1约为2.8公分，遮蔽构件19的厚度D2约为3.6公分。
如图5A、图5B所示，遮蔽构件19的一外周面上亦可形成有一或多个表面特征19B(例如切角，但不以此为限)以便于使用者施力来转动遮蔽构件19。在一些实施例中，遮蔽构件19的外周面上形成有两个相互平行的切角19B，且两切角19B之间的长度L约为8.1公分。
另外，遮蔽构件19亦可以有许多变化。举例来说，在图6的实施例中，遮蔽构件19’以可活动方式(例如枢接方式)耦合于升举组件16的连接部16C，而非直接包覆在螺丝18之外。其中，遮蔽构件19’可为与连接部16C的管状外观相匹配(例如弧度相同)的一保护罩(同样以陶瓷材料制作)，该保护罩的一侧边19C通过枢轴(图未示)耦合于连接部16C，而另一相对侧边19D上形成有一卡榫结构19E，得与连接部16C上的一对应的卡槽结构16D相互卡合或分离。
藉此配置，当卡榫结构19E卡合于卡槽结构16D时，遮蔽构件19’可以遮蔽螺丝18的头部18A及其周边区域而避免头部18A暴露于加工气体，以减少污染；而当卡榫结构19E分离于卡槽结构16D时，螺丝18的头部18A则可显露在外而便于使用者操作(如图6所示的状态)。
图7显示根据另一些实施例的一遮蔽构件19”的示意图。遮蔽构件19”可为一耐热胶带，配置用于粘着及包覆在螺丝18暴露于加工气体的头部18A之外(或其周边，例如延伸至连接部16C上)，以阻挡薄膜或微粒沉积于头部18A上。遮蔽构件19”的形状可以为方形、矩形、圆形或者其他可选用的形状。
根据一些实施例，遮蔽构件19”是以聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene)或聚酰亚胺(Polyimide)等材料制成的一耐热胶带，其耐热温度在约至少400℃以上(得以在例如高密度等离子体化学气相沉积工艺的工作温度下使用)。根据一些实施例，耐热胶带所选用的材料亦要能够避免被等离子体解离。
当欲取下螺丝18或耐热胶带达到其使用寿命时，仅需将遮蔽构件19”取下及更换即可。
本公开实施例亦提供一种化学气相沉积方法。图8显示根据一些实施例的一化学气相沉积方法80的流程图。在操作81中，放置一基板于一加工腔室中。在操作82中，供应一加工气体至加工腔室中以于基板上执行一沉积工艺，其中基板由一承载平台支撑。在操作83中，在沉积工艺之后，通过一驱动机构驱动一升举组件以从承载平台上卸载基板，其中升举组件与驱动机构之间由一耦合构件耦合，且耦合构件由一遮蔽构件遮蔽而避免暴露于加工气体。在操作84中，移除加工腔室中的加工气体。
化学气相沉积方法80的各操作可参照上述有关化学气相沉积装置1的说明，在此即不重复赘述。
要了解的是，在上述实施例中的方法之前、期间和之后可以提供额外的操作，并且对于不同实施例中的方法，可以替换或消除一些描述的操作。举例来说，在一些实施例中，化学气相沉积方法80亦可以包括将加工腔室中的加工气体转变为等离子体态的一操作，以协助沉积工艺。
综上所述，本公开实施例具有以下优点：通过遮蔽构件19/19’/19”以遮蔽或包覆耦合构件18的暴露在外的部分，使得耦合构件18在沉积工艺时不会与加工气体发生化学反应而形成薄膜或微粒沉积，从而可避免该些薄膜或微粒跑到基板W上而造成基板W受到污染或产生缺陷的机会，藉以改善化学气相沉积工艺的良率。
根据一些实施例，提供一种升举装置，用从在一化学气相沉积装置中升举一基板。上述升举装置包括一驱动机构、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。升举组件配置用于在驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于遮蔽耦合构件且避免耦合构件暴露于化学气相沉积装置中的加工气体。
根据一些实施例，耦合构件为一螺丝，而遮蔽构件为一保护罩，且配置用于遮蔽螺丝暴露于加工气体的一头部。
根据一些实施例，保护罩以可拆卸方式包覆螺丝的头部。
根据一些实施例，螺丝的头部的一外周面上形成有一第一螺纹，而保护罩的一内周面上形成有一第二螺纹，对应于第一螺纹。
根据一些实施例，保护罩以可活动方式耦合于升举组件，且配置用于遮蔽螺丝的头部。
根据一些实施例，遮蔽构件由一陶瓷材料制作。
根据一些实施例，耦合构件为一螺丝，而遮蔽构件为一耐热胶带，且配置用于粘着及包覆在螺丝暴露于加工气体的一头部之外。
根据一些实施例，提供一种化学气相沉积装置，包括一加工腔室、一承载平台、一气体供应单元、一排气单元、一升举组件、一耦合构件及一遮蔽构件。承载平台配置用于在加工腔室中支撑一基板。气体供应单元配置用于供应一加工气体至加工腔室中以形成一薄膜于基板上。排气单元配置用于从加工腔室中移除加工气体。升举组件配置用于在一驱动机构的驱动下升举基板以从承载平台上卸载基板。耦合构件配置用于耦合升举组件与驱动机构。遮蔽构件配置用于包覆耦合构件暴露于加工气体的一部分。
根据一些实施例，升举组件配置于承载平台的一侧，且包括一基架及耦合于基架的多个升举顶针，驱动机构配置于加工腔室之外，且包括可伸入或伸出加工腔室中的一杆部，而耦合构件配置用于耦合基架与杆部。
根据一些实施例，提供一种化学气相沉积方法。上述方法包括放置一基板于一加工腔室中。上述方法亦包括供应一加工气体至加工腔室中以于基板上执行一沉积工艺，其中基板由一承载平台支撑。上述方法还包括在沉积工艺之后，通过一驱动机构驱动一升举组件以从承载平台上卸载基板，其中升举组件与驱动机构之间由一耦合构件耦合，且耦合构件由一遮蔽构件遮蔽而避免暴露于加工气体。此外，上述方法包括移除加工腔室中的加工气体。
以上虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，对本公开可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本公开中理解，根据本公开，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与在本公开所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括它们的范围内。此外，每一个权利要求构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本公开的范围内。

Claims (10)

1.一种升举装置，用以在一化学气相沉积装置中升举一基板，包括：
一驱动机构；
一升举组件，配置用于在该驱动机构的驱动下升举该基板；
一耦合构件，配置用于耦合该升举组件与该驱动机构；以及
一遮蔽构件，配置用于遮蔽该耦合构件且避免该耦合构件暴露于该化学气相沉积装置中的一加工气体。
2.如权利要求1所述的升举装置，其中该耦合构件为一螺丝，而该遮蔽构件为一保护罩，且配置用于遮蔽该螺丝暴露于该加工气体的一头部。
3.如权利要求2所述的升举装置，其中该保护罩以可拆卸方式包覆该螺丝的该头部。
4.如权利要求3所述的升举装置，其中该螺丝的该头部的一外周面上形成有一第一螺纹，而该保护罩的一内周面上形成有一第二螺纹，对应于该第一螺纹。
5.如权利要求2所述的升举装置，其中该保护罩以可活动方式耦合于该升举组件，且配置用于遮蔽该螺丝的该头部。
6.如权利要求1至5中任一项所述的升举装置，其中该遮蔽构件由一陶瓷材料制作。
7.如权利要求1所述的升举装置，其中该耦合构件为一螺丝，而该遮蔽构件为一耐热胶带，且配置用于粘着及包覆在该螺丝暴露于该加工气体的一头部之外。
8.一种化学气相沉积装置，包括：
一加工腔室；
一承载平台，配置用于在该加工腔室中支撑一基板；
一气体供应单元，配置用于供应一加工气体至该加工腔室中以形成一薄膜于该基板上；
一排气单元，配置用于从该加工腔室中移除该加工气体；
一升举组件，配置用于在一驱动机构的驱动下升举该基板以从该承载平台上卸载该基板；
一耦合构件，配置用于耦合该升举组件与该驱动机构；以及
一遮蔽构件，配置用于包覆该耦合构件暴露于该加工气体的一部分。
9.如权利要求8所述的化学气相沉积装置，其中该升举组件配置于该承载平台的一侧，且包括一基架及耦合于该基架的多个升举顶针，该驱动机构配置于该加工腔室之外，且包括可伸入或伸出该加工腔室中的一杆部，而该耦合构件配置用于耦合该基架与该杆部。
10.一种化学气相沉积方法，包括：
放置一基板于一加工腔室中；
供应一加工气体至该加工腔室中以于该基板上执行一沉积工艺，其中该基板由一承载平台支撑；
在该沉积工艺之后，通过一驱动机构驱动一升举组件以从该承载平台上卸载该基板，其中该升举组件与该驱动机构之间由一耦合构件耦合，且该耦合构件由一遮蔽构件遮蔽而避免暴露于该加工气体；以及
移除该加工腔室中的该加工气体。
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