JP2001323376A - 堆積膜の形成装置 - Google Patents
堆積膜の形成装置Info
- Publication number
- JP2001323376A JP2001323376A JP2001053364A JP2001053364A JP2001323376A JP 2001323376 A JP2001323376 A JP 2001323376A JP 2001053364 A JP2001053364 A JP 2001053364A JP 2001053364 A JP2001053364 A JP 2001053364A JP 2001323376 A JP2001323376 A JP 2001323376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- deposited film
- forming apparatus
- film forming
- source gas
- parallel plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5096—Flat-bed apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領域を
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供する。 【解決手段】放電容器内を排気しながらその内部に原料
ガスを導入し、前記放電容器内にプラズマを生起させる
ことによって前記原料ガスを分解し、前記基体の表面に
堆積膜を形成する平行平板型プラズマＣＶＤ装置におい
て、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板型
電極の横幅より大きい横幅の開口を有する構成とする。
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供する。 【解決手段】放電容器内を排気しながらその内部に原料
ガスを導入し、前記放電容器内にプラズマを生起させる
ことによって前記原料ガスを分解し、前記基体の表面に
堆積膜を形成する平行平板型プラズマＣＶＤ装置におい
て、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板型
電極の横幅より大きい横幅の開口を有する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体デバイス、画
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、電子写真用感
光体などの用途に有用な機能性堆積膜を基体上に形成す
る堆積膜形成装置に関し、特に、光起電力素子などの大
面積の薄膜からなる半導体素子を長尺の帯状の基体に連
続して形成するための堆積膜形成装置に関する。
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、電子写真用感
光体などの用途に有用な機能性堆積膜を基体上に形成す
る堆積膜形成装置に関し、特に、光起電力素子などの大
面積の薄膜からなる半導体素子を長尺の帯状の基体に連
続して形成するための堆積膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、基板の表面上に、薄膜を連続して
形成する堆積膜形成装置としては、例えばロール・ツー
・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採用した
連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置が、米国特
許第４，４００，４０９号明細書に開示されている。こ
の装置によれば、複数のグロー放電領域を設け、所望の
幅の十分に長い帯状基板を、該基板が前記各グロー放電
領域を順次貫通する経路に沿って配置し、前記各グロー
放電領域において必要とされる導電型の半導体層を堆積
形成しつつ、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せ
しめることによって、半導体接合を有する大面積の素子
を連続的に形成することができるとされている。こうし
たことから、このロール・ツー・ロール方式は大面積の
半導体素子の量産に適する方法といえる。
形成する堆積膜形成装置としては、例えばロール・ツー
・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採用した
連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置が、米国特
許第４，４００，４０９号明細書に開示されている。こ
の装置によれば、複数のグロー放電領域を設け、所望の
幅の十分に長い帯状基板を、該基板が前記各グロー放電
領域を順次貫通する経路に沿って配置し、前記各グロー
放電領域において必要とされる導電型の半導体層を堆積
形成しつつ、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せ
しめることによって、半導体接合を有する大面積の素子
を連続的に形成することができるとされている。こうし
たことから、このロール・ツー・ロール方式は大面積の
半導体素子の量産に適する方法といえる。
【０００３】ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ
Ｒｏｌｌ）方式を採用した連続プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置は、各半導体層を通過する帯状基板搬送
速度が一定であるため、組成の異なった機能性堆積膜を
形成するような半導体接合素子、例えば太陽電池の量産
化には、その各半導体層の堆積膜厚の制御および均一が
大きな課題である。また、こうしたＣＶＤ法において
は、原料ガスを分解し堆積膜を形成するためのグロー放
電プラズマ励起手段として、高周波（ＲＦ）放電が広く
用いられているために、原料ガスの流量の増加、導入電
力の増加、平行平板型電極の大面積化による膜厚および
膜質に大きなバラツキを生じることも、帯状基板速度の
変更による膜厚および膜質に大きな影響を及ぼすととも
に、堆積膜に悪影響を及ぼす副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の生成をもたらすことが、このことを難しくして
いる原因になっている。
Ｒｏｌｌ）方式を採用した連続プラズマＣＶＤ法による
堆積膜形成装置は、各半導体層を通過する帯状基板搬送
速度が一定であるため、組成の異なった機能性堆積膜を
形成するような半導体接合素子、例えば太陽電池の量産
化には、その各半導体層の堆積膜厚の制御および均一が
大きな課題である。また、こうしたＣＶＤ法において
は、原料ガスを分解し堆積膜を形成するためのグロー放
電プラズマ励起手段として、高周波（ＲＦ）放電が広く
用いられているために、原料ガスの流量の増加、導入電
力の増加、平行平板型電極の大面積化による膜厚および
膜質に大きなバラツキを生じることも、帯状基板速度の
変更による膜厚および膜質に大きな影響を及ぼすととも
に、堆積膜に悪影響を及ぼす副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の生成をもたらすことが、このことを難しくして
いる原因になっている。
【０００４】通常ロール・ツー・ロール法を用いた堆積
膜形成装置では、多数の放電容器を使って、前記帯状基
板を長手方向に連続的に搬送せしめることで、所望の堆
積膜厚を得る方法が用いられている。このように、従来
のロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）
方式を採用した連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置は、大面積の半導体素子の量産に適する方法といえ
る。
膜形成装置では、多数の放電容器を使って、前記帯状基
板を長手方向に連続的に搬送せしめることで、所望の堆
積膜厚を得る方法が用いられている。このように、従来
のロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）
方式を採用した連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成
装置は、大面積の半導体素子の量産に適する方法といえ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ロール
・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採
用した連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の量
産化には、前記帯状基板の搬送速度を増加することが必
要不可欠である。例えば、量産化するに際して、搬送速
度を増加させる為には、各反応容器で得られる堆積膜の
堆積速度には限界があるため、放電容器の数を増やして
各半導体層の所望の膜厚を得なくてはならない。このこ
とが、堆積膜形成装置の大型化、複雑化および高コスト
化につながっている。このように、この方法を量産装置
に用いる場合、生産速度の向上が大きな課題である。そ
の課題を達成するためには、堆積膜形成速度の向上、放
電容器の延長および増加は避けられない。そのために、
大規模な堆積膜成膜装置が必要となり、装置の大型化、
複雑化およびコストアップにつながり、特に放電空間の
大型化が、以下に示す様々な問題を生じる要因となって
いる。
・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式を採
用した連続プラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置の量
産化には、前記帯状基板の搬送速度を増加することが必
要不可欠である。例えば、量産化するに際して、搬送速
度を増加させる為には、各反応容器で得られる堆積膜の
堆積速度には限界があるため、放電容器の数を増やして
各半導体層の所望の膜厚を得なくてはならない。このこ
とが、堆積膜形成装置の大型化、複雑化および高コスト
化につながっている。このように、この方法を量産装置
に用いる場合、生産速度の向上が大きな課題である。そ
の課題を達成するためには、堆積膜形成速度の向上、放
電容器の延長および増加は避けられない。そのために、
大規模な堆積膜成膜装置が必要となり、装置の大型化、
複雑化およびコストアップにつながり、特に放電空間の
大型化が、以下に示す様々な問題を生じる要因となって
いる。
【０００６】各放電容器で得られる堆積膜は、プラズマ
を発生させるための放電エネルギーの種類や放電条件や
真空容器内での原料ガスの組成比、流量、流速（排気速
度）、圧力などに影響を受ける。特に連続的に堆積膜を
形成する上で、真空容器側壁の粘性の影響による原料ガ
スの流速（排気速度）のバラツキが原料ガスの澱みを生
じ、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物が、堆積膜形成
空間および排気空間に発生する要因となる。また、堆積
膜形成空間および排気空間に副生成物が発生することに
より、平行平板型電極および排気口に副生成物が堆積
し、さらに原料ガスの流速（排気速度）のバラツキを生
じる要因となり、堆積膜の膜質及び膜厚に大きなバラツ
キを生じるという問題点がある。特に連続して移動する
帯状の基板上に大面積にわたって堆積膜を形成していく
堆積膜形成方法において、各放電容器内の帯状の基板上
に堆積する膜厚、膜質および堆積領域が異なることは大
きな問題点である。
を発生させるための放電エネルギーの種類や放電条件や
真空容器内での原料ガスの組成比、流量、流速（排気速
度）、圧力などに影響を受ける。特に連続的に堆積膜を
形成する上で、真空容器側壁の粘性の影響による原料ガ
スの流速（排気速度）のバラツキが原料ガスの澱みを生
じ、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物が、堆積膜形成
空間および排気空間に発生する要因となる。また、堆積
膜形成空間および排気空間に副生成物が発生することに
より、平行平板型電極および排気口に副生成物が堆積
し、さらに原料ガスの流速（排気速度）のバラツキを生
じる要因となり、堆積膜の膜質及び膜厚に大きなバラツ
キを生じるという問題点がある。特に連続して移動する
帯状の基板上に大面積にわたって堆積膜を形成していく
堆積膜形成方法において、各放電容器内の帯状の基板上
に堆積する膜厚、膜質および堆積領域が異なることは大
きな問題点である。
【０００７】本発明は、上記従来のものにおける課題を
解決し、堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領域を
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供することを目的とするものである。
解決し、堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領域を
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成するために、つぎの（１）〜（７）のように構成した
堆積膜の形成装置を提供するものである。 （１）真空容器内に、平行平板型電極と原料ガス供給手
段及び原料ガス排気手段が設けられた放電容器を有し、
該放電容器はその壁面の少なくとも一面が堆積膜を形成
するための基体によって構成され、該放電容器内を排気
しながらその内部に原料ガスを導入し、前記放電容器内
にプラズマを生起させることによって前記原料ガスを分
解し、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜の形成
装置において、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記
平行平板型電極の横幅より大きい横幅の開口を有するこ
とを特徴とする堆積膜形成装置。 （２）前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板
型電極と前記基体の距離より大きい縦幅の開口を有する
ことを特徴とする上記（１）に記載の堆積膜形成装置。 （３）前記プラズマを生起させるエネルギーが、高周波
電力であることを特徴とする上記（１）または上記
（２）に記載の堆積膜形成装置。 （４）前記堆積膜が、シリコン系非晶質の堆積膜である
ことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載
の堆積膜形成装置。 （５）前記平行平板型電極は、高さ調整が可能な接合部
を介して前記プラズマを生起させるための電力導入部に
接続されていることを特徴とする上記（１）〜（４）の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。 （６）前記基体が長尺の帯状基板であり、前記放電容器
が複数の連続して配された放電容器で構成され、該長尺
の帯状基板を長手方向に連続的に移動させながら該複数
の連続した放電容器を通過させ、該複数の連続した放電
容器内にプラズマを生起させて、該長尺の帯状基板の表
面上に連続的に堆積膜を形成することを特徴とする上記
（１）〜（５）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （７）前記基体の一部が排気口内に存在しないように該
基体を配置することを特徴とする上記（１）〜（６）の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。
成するために、つぎの（１）〜（７）のように構成した
堆積膜の形成装置を提供するものである。 （１）真空容器内に、平行平板型電極と原料ガス供給手
段及び原料ガス排気手段が設けられた放電容器を有し、
該放電容器はその壁面の少なくとも一面が堆積膜を形成
するための基体によって構成され、該放電容器内を排気
しながらその内部に原料ガスを導入し、前記放電容器内
にプラズマを生起させることによって前記原料ガスを分
解し、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜の形成
装置において、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記
平行平板型電極の横幅より大きい横幅の開口を有するこ
とを特徴とする堆積膜形成装置。 （２）前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板
型電極と前記基体の距離より大きい縦幅の開口を有する
ことを特徴とする上記（１）に記載の堆積膜形成装置。 （３）前記プラズマを生起させるエネルギーが、高周波
電力であることを特徴とする上記（１）または上記
（２）に記載の堆積膜形成装置。 （４）前記堆積膜が、シリコン系非晶質の堆積膜である
ことを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載
の堆積膜形成装置。 （５）前記平行平板型電極は、高さ調整が可能な接合部
を介して前記プラズマを生起させるための電力導入部に
接続されていることを特徴とする上記（１）〜（４）の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。 （６）前記基体が長尺の帯状基板であり、前記放電容器
が複数の連続して配された放電容器で構成され、該長尺
の帯状基板を長手方向に連続的に移動させながら該複数
の連続した放電容器を通過させ、該複数の連続した放電
容器内にプラズマを生起させて、該長尺の帯状基板の表
面上に連続的に堆積膜を形成することを特徴とする上記
（１）〜（５）のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 （７）前記基体の一部が排気口内に存在しないように該
基体を配置することを特徴とする上記（１）〜（６）の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。
【０００９】なお、本明細書中では、排気口、排気管、
排気経路、を以下のように定義する。排気口は排気管の
放電空間に面した入り口であって、排気管外壁の一端で
ある閉じた線（円、連続した複数の線（直線でも曲線で
もよい））状の固体に囲まれている。ここで、「線状の
固体」というのは理解を助けるための表現であって、数
学的な意味での線ではなく、排気口を取り囲む線状の固
体はある程度の厚さをもっていることは当然である。ま
た、排気口は排気管外壁の端面であるから、かかる固体
は排気管外壁の長手方向にも厚みを有していることは当
然である。排気口内には、スリットを有する部材やメッ
シュ状部材を設けてもよい。円筒状の固体部材、角筒状
の固体部材、等が、排気口を取り囲む部材の例として挙
げられる。排気管は排気口から真空ポンプ等の排気装置
まで連続して形成されており、原則として連続した閉空
間である排気経路を形成している。ここで「原則とし
て」というのは、放電空間以外の空間を排気するための
他の排気口等の存在が許されるという意味である。排気
管はその途中に、分岐点、バルブ、を有していてもよ
く、途中で排気経路の断面積が変わっていてもよい。ま
た、排気管の一部と他の部分とが異なった材質からなっ
ていてもよい。なお、単に放電容器外壁と真空容器内壁
に囲まれた空間は排気経路に含まない。放電容器内壁の
みに囲まれた空間や真空容器内壁のみに囲まれた空間も
排気経路には含まない。さらに、排気力を高めるという
観点からは、基体の一部が排気口内に存在するような構
成は避けるべきである。
排気経路、を以下のように定義する。排気口は排気管の
放電空間に面した入り口であって、排気管外壁の一端で
ある閉じた線（円、連続した複数の線（直線でも曲線で
もよい））状の固体に囲まれている。ここで、「線状の
固体」というのは理解を助けるための表現であって、数
学的な意味での線ではなく、排気口を取り囲む線状の固
体はある程度の厚さをもっていることは当然である。ま
た、排気口は排気管外壁の端面であるから、かかる固体
は排気管外壁の長手方向にも厚みを有していることは当
然である。排気口内には、スリットを有する部材やメッ
シュ状部材を設けてもよい。円筒状の固体部材、角筒状
の固体部材、等が、排気口を取り囲む部材の例として挙
げられる。排気管は排気口から真空ポンプ等の排気装置
まで連続して形成されており、原則として連続した閉空
間である排気経路を形成している。ここで「原則とし
て」というのは、放電空間以外の空間を排気するための
他の排気口等の存在が許されるという意味である。排気
管はその途中に、分岐点、バルブ、を有していてもよ
く、途中で排気経路の断面積が変わっていてもよい。ま
た、排気管の一部と他の部分とが異なった材質からなっ
ていてもよい。なお、単に放電容器外壁と真空容器内壁
に囲まれた空間は排気経路に含まない。放電容器内壁の
みに囲まれた空間や真空容器内壁のみに囲まれた空間も
排気経路には含まない。さらに、排気力を高めるという
観点からは、基体の一部が排気口内に存在するような構
成は避けるべきである。
【００１０】
【発明の実施の形態】上記したように、前記堆積膜形成
空間にプラズマを形成することによって前記基体の表面
に堆積膜を形成する平行平板型プラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記真空容器の内部の前記放電容器内に、原料ガ
ス排気口の開口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大
きく、また、前記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けることによ
り、ガスを排気する際に、ガスの流れが真空容器の側壁
の粘性によって受ける影響を減じることが可能となる。
このことにより、堆積膜形成時において、原料ガスの澱
み領域が小さくなるため、膜質および膜厚の均一な堆積
膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響
をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔｃ．）
の発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積
膜を形成することが可能になる。したがって、上記構成
によれば、光起電力素子等の機能性堆積膜を形成するこ
とにより、大幅な変換効率の向上が可能となる。
空間にプラズマを形成することによって前記基体の表面
に堆積膜を形成する平行平板型プラズマＣＶＤ装置にお
いて、前記真空容器の内部の前記放電容器内に、原料ガ
ス排気口の開口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大
きく、また、前記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けることによ
り、ガスを排気する際に、ガスの流れが真空容器の側壁
の粘性によって受ける影響を減じることが可能となる。
このことにより、堆積膜形成時において、原料ガスの澱
み領域が小さくなるため、膜質および膜厚の均一な堆積
膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響
をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔｃ．）
の発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積
膜を形成することが可能になる。したがって、上記構成
によれば、光起電力素子等の機能性堆積膜を形成するこ
とにより、大幅な変換効率の向上が可能となる。
【００１１】以下に、本発明の実施の形態として、堆積
膜形成装置によりアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ
とする）層を用いたａ−Ｓｉ太陽電池を作製する例を取
り挙げ、その概略を図に基づいて説明する。図４は本発
明の実施例の堆積膜形成装置の構造を示す概略断面図で
ある。また、前記真空容器の拡大図を図１および図２に
示し、排気ダクト開口部の拡大図を図３に示す。図中の
矢印は、ガスの流れを模式的に示したものである。３基
の真空容器１０１、１０２、１０３がそれぞれガスゲー
ト１０４、１０５を介して直列に接続されている。帯状
の基体１０６は、第１の真空容器（送りロール室）１０
１の内部に設けられた送りロール１０７から繰り出さ
れ、第１のガスゲート１０４、第２の真空容器１０２、
第２のガスゲート１０５を順次通って、第３の真空容器
（巻き取りロール室）１０３の内部に設けられた巻取り
ロール１０８に巻取られるようになっている。図示しな
い駆動手段により巻取りロール１０８を図示矢印方向に
回転駆動すると、帯状の基体１０６は、送りロール１０
７から繰り出され、連続的に搬送されることになる。
膜形成装置によりアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ
とする）層を用いたａ−Ｓｉ太陽電池を作製する例を取
り挙げ、その概略を図に基づいて説明する。図４は本発
明の実施例の堆積膜形成装置の構造を示す概略断面図で
ある。また、前記真空容器の拡大図を図１および図２に
示し、排気ダクト開口部の拡大図を図３に示す。図中の
矢印は、ガスの流れを模式的に示したものである。３基
の真空容器１０１、１０２、１０３がそれぞれガスゲー
ト１０４、１０５を介して直列に接続されている。帯状
の基体１０６は、第１の真空容器（送りロール室）１０
１の内部に設けられた送りロール１０７から繰り出さ
れ、第１のガスゲート１０４、第２の真空容器１０２、
第２のガスゲート１０５を順次通って、第３の真空容器
（巻き取りロール室）１０３の内部に設けられた巻取り
ロール１０８に巻取られるようになっている。図示しな
い駆動手段により巻取りロール１０８を図示矢印方向に
回転駆動すると、帯状の基体１０６は、送りロール１０
７から繰り出され、連続的に搬送されることになる。
【００１２】前記真空容器１０２の内部に設けられた内
部容器１０９は、前記内部容器１０９の一面が開口部と
なった中空の直方体形状であり、前記開口部が帯状の基
体１０６に近接して対向するように設けられている。内
部容器１０９には原料ガス排気用の排気ダクト１１０が
設けられ、前記排気ダクト１１０には、前記内部容器１
０９と外部を排気するための排気口（内部）１１１と外
部排気用の排気口（外部）１１２が独立して、設けられ
ている。ここでの特徴は、排気ダクト１１０の排気口
（内部）１１１の開口の横幅Ｗが、平行平板型電極１１
３の横幅ｂより大きくしたことであり、また、排気ダク
ト１１０の排気口（内部）１１１の開口の縦幅ｈを、平
行平板型電極１１３と帯状の基体１０６との距離ａより
大きくしたことである。
部容器１０９は、前記内部容器１０９の一面が開口部と
なった中空の直方体形状であり、前記開口部が帯状の基
体１０６に近接して対向するように設けられている。内
部容器１０９には原料ガス排気用の排気ダクト１１０が
設けられ、前記排気ダクト１１０には、前記内部容器１
０９と外部を排気するための排気口（内部）１１１と外
部排気用の排気口（外部）１１２が独立して、設けられ
ている。ここでの特徴は、排気ダクト１１０の排気口
（内部）１１１の開口の横幅Ｗが、平行平板型電極１１
３の横幅ｂより大きくしたことであり、また、排気ダク
ト１１０の排気口（内部）１１１の開口の縦幅ｈを、平
行平板型電極１１３と帯状の基体１０６との距離ａより
大きくしたことである。
【００１３】図１〜図４に示したように原料ガスは、帯
状の基体１０６の搬送方向に対して平行に流れ、前記内
部容器１０９内の平行平板型電極１１３上を流れた後、
排気ダクト１１０へ排気される。ここで、この原料ガス
の流れに注目すると、前記排気口（内部）１１１の断面
の幅Ｗが、前記平行平板型電極１１３の幅ｂより大きい
排気口（内部）１１１（Ｗ＞ｂ）を設けることにより、
前記内部容器１０９内の原料ガスの流れが澱み領域がな
くなるため、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成する
ことが可能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと
思われる副生成物の発生を防ぐことができる。
状の基体１０６の搬送方向に対して平行に流れ、前記内
部容器１０９内の平行平板型電極１１３上を流れた後、
排気ダクト１１０へ排気される。ここで、この原料ガス
の流れに注目すると、前記排気口（内部）１１１の断面
の幅Ｗが、前記平行平板型電極１１３の幅ｂより大きい
排気口（内部）１１１（Ｗ＞ｂ）を設けることにより、
前記内部容器１０９内の原料ガスの流れが澱み領域がな
くなるため、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成する
ことが可能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと
思われる副生成物の発生を防ぐことができる。
【００１４】さらに、排気ダクト１１０の排気口（内
部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１３と
帯状の基体１０６との距離ａより大きい排気口（内部）
１１１（ｈ＞ａ）を設けることにより、さらに前記内部
容器１０９内の原料ガスの流れが澱み領域がなくなるた
め、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成することが可
能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと思われる
副生成物の発生を防ぐことができる。
部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１３と
帯状の基体１０６との距離ａより大きい排気口（内部）
１１１（ｈ＞ａ）を設けることにより、さらに前記内部
容器１０９内の原料ガスの流れが澱み領域がなくなるた
め、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成することが可
能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと思われる
副生成物の発生を防ぐことができる。
【００１５】また、真空容器１０２の外部に設けられた
図示しないガスボンベなどのガス供給源から、原料ガス
を各内部容器１０９の内部にそれぞれ供給するためのガ
ス供給管１１４が、真空容器１０２の壁を貫通し、内部
容器１０９に取り付けられている。原料ガスはガス供給
管１１４から内部容器１０９に供給され、排気ダクト１
１０、排気管１１５を経て排気されることになる。
図示しないガスボンベなどのガス供給源から、原料ガス
を各内部容器１０９の内部にそれぞれ供給するためのガ
ス供給管１１４が、真空容器１０２の壁を貫通し、内部
容器１０９に取り付けられている。原料ガスはガス供給
管１１４から内部容器１０９に供給され、排気ダクト１
１０、排気管１１５を経て排気されることになる。
【００１６】前記ガス供給管１１４は、原料ガスのほ
か、帯状の基体１０６の加熱用のガスや真空容器１０２
と内部容器１０９を洗浄するためのガスを真空容器１０
２内に導入するときにも用いられる。また、真空容器１
０２内の帯状の基体１０６の裏面側（各内部容器１０９
に対向しない側）には、帯状の基体１０６を加熱するた
めの輻射熱を発生する一群のランプヒーター１１６が設
けられ、内部容器１０９には、内部容器１０９を加熱す
るためのシースヒーター１１７、プラズマ放電を発生す
るための平行平板型電極１１３がそれぞれ設けられてい
る。シースヒーター１１７は、内部容器１０９および平
行平板型電極１１３を加熱して、内部容器１０９および
平行平板型電極１１３の表面に吸着されている残留空気
や水分を除去するとともに、ポリシランなどの発生を防
止する働きを有する。
か、帯状の基体１０６の加熱用のガスや真空容器１０２
と内部容器１０９を洗浄するためのガスを真空容器１０
２内に導入するときにも用いられる。また、真空容器１
０２内の帯状の基体１０６の裏面側（各内部容器１０９
に対向しない側）には、帯状の基体１０６を加熱するた
めの輻射熱を発生する一群のランプヒーター１１６が設
けられ、内部容器１０９には、内部容器１０９を加熱す
るためのシースヒーター１１７、プラズマ放電を発生す
るための平行平板型電極１１３がそれぞれ設けられてい
る。シースヒーター１１７は、内部容器１０９および平
行平板型電極１１３を加熱して、内部容器１０９および
平行平板型電極１１３の表面に吸着されている残留空気
や水分を除去するとともに、ポリシランなどの発生を防
止する働きを有する。
【００１７】平行平板型電極１１３は、いくつかに分割
された形状でもよく、帯状の基体１０６に対向してこれ
に平行になるように設けられている。平行平板型電極１
１３は、真空容器１０２の外部に設けられた高周波電源
１１８の一端に、図示しないマッチングボックスと平行
平板型電極接合部１１９を介して、電気的に接続されて
いる。前記平行平板型電極接合部１１９は確実に平行平
板型電極１１３と電力導入部を接合するために、高さ調
整が可能な部材、例えば“ネジ式”の高さ調整が可能な
部材で構成されている。高周波電源１１８の他端は接地
されている。このように、真空容器１０２を排気し、所
定の原料ガスを導入し、高周波電源１１８から高周波電
力を前記平行平板型電極１１３に印加したとき、前記平
行平板型電極１１３と帯状の基体１０６とで、閉じ込め
られた空間でプラズマ放電が生起することとなり、前記
空間が堆積膜形成空間１２０となる。すなわち、内部容
器１０９に対応して雅積膜形成空間１２０が形成され、
前記帯状基体１０６に機能性堆積膜を形成することが可
能となる。
された形状でもよく、帯状の基体１０６に対向してこれ
に平行になるように設けられている。平行平板型電極１
１３は、真空容器１０２の外部に設けられた高周波電源
１１８の一端に、図示しないマッチングボックスと平行
平板型電極接合部１１９を介して、電気的に接続されて
いる。前記平行平板型電極接合部１１９は確実に平行平
板型電極１１３と電力導入部を接合するために、高さ調
整が可能な部材、例えば“ネジ式”の高さ調整が可能な
部材で構成されている。高周波電源１１８の他端は接地
されている。このように、真空容器１０２を排気し、所
定の原料ガスを導入し、高周波電源１１８から高周波電
力を前記平行平板型電極１１３に印加したとき、前記平
行平板型電極１１３と帯状の基体１０６とで、閉じ込め
られた空間でプラズマ放電が生起することとなり、前記
空間が堆積膜形成空間１２０となる。すなわち、内部容
器１０９に対応して雅積膜形成空間１２０が形成され、
前記帯状基体１０６に機能性堆積膜を形成することが可
能となる。
【００１８】次に、上述した堆積膜形成装置における真
空容器１０２の両側にさらに堆積膜形成のための真空容
器１０２を接続した、光起電力素子などを容易に作成す
ることが可能な堆積膜形成装置の概略断面図を図５に示
す。５基の真空容器５０１〜５０５がそれぞれガスゲー
ト５０６〜５０９を介して直列に接続されている。帯状
の基体５１０は、第１の真空容器（送りロール室）５０
１の内部に設けられた送りロール５１１から繰り出さ
れ、第１のガスゲート５０６、第２の真空容器５０２、
第２のガスゲート５０７を順次通って、第５の真空容器
（巻き取りロール室）５０５の内部に設けられた巻き取
りロール５１２に巻き取られるようになっている。図示
しない駆動手段により巻き取りロール５１２を図示矢印
方向に回転駆動すると、帯状の基体５１０は、送りロー
ル５１１から繰り出され、連続的に搬送されることにな
る。帯状の基体５１０の上にｐｉｎ接合を有するアモル
ファス光起電力素子を形成する場合、第２の真空容器５
０２はｎ型半導体層を、第３の真空容器５０３はｉ型半
導体層を、第４の真空容器５０４はｐ型半導体層をそれ
ぞれ形成するための成膜室となり、光起電力素子を形成
することが可能な堆積膜形成装置となる。
空容器１０２の両側にさらに堆積膜形成のための真空容
器１０２を接続した、光起電力素子などを容易に作成す
ることが可能な堆積膜形成装置の概略断面図を図５に示
す。５基の真空容器５０１〜５０５がそれぞれガスゲー
ト５０６〜５０９を介して直列に接続されている。帯状
の基体５１０は、第１の真空容器（送りロール室）５０
１の内部に設けられた送りロール５１１から繰り出さ
れ、第１のガスゲート５０６、第２の真空容器５０２、
第２のガスゲート５０７を順次通って、第５の真空容器
（巻き取りロール室）５０５の内部に設けられた巻き取
りロール５１２に巻き取られるようになっている。図示
しない駆動手段により巻き取りロール５１２を図示矢印
方向に回転駆動すると、帯状の基体５１０は、送りロー
ル５１１から繰り出され、連続的に搬送されることにな
る。帯状の基体５１０の上にｐｉｎ接合を有するアモル
ファス光起電力素子を形成する場合、第２の真空容器５
０２はｎ型半導体層を、第３の真空容器５０３はｉ型半
導体層を、第４の真空容器５０４はｐ型半導体層をそれ
ぞれ形成するための成膜室となり、光起電力素子を形成
することが可能な堆積膜形成装置となる。
【００１９】
【実施例】次に、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。以下の説明においては、本発明の構成を適用し
た図４に示す堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成した
実験に基づいて、比較例を参照しながら説明する。以下
の実施例では、電極の厚さを５ｍｍ、電極の横幅ｂを５
０４ｍｍ、排気口の幅Ｗを５１０ｍｍ、排気口の高さｈ
を１００ｍｍ、電極と基体との距離ａを５０ｍｍとし
た。
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。以下の説明においては、本発明の構成を適用し
た図４に示す堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成した
実験に基づいて、比較例を参照しながら説明する。以下
の実施例では、電極の厚さを５ｍｍ、電極の横幅ｂを５
０４ｍｍ、排気口の幅Ｗを５１０ｍｍ、排気口の高さｈ
を１００ｍｍ、電極と基体との距離ａを５０ｍｍとし
た。
【００２０】［実施例１］実施例１においては、図４に
示した堆積膜形成装置を用い、帯状の基体１０６上にア
モルファスシリコンゲルマニウム膜を成膜し、得られた
堆積膜の膜厚分布および組成分布を調ベた。基体１０６
としてはステンレス（ＳＵＳ４３０ＢＡ，幅１２ｃｍ×
長さ５０ｍ×厚さ０．２ｍｍ）を用い、真空容器１０１
の排気ポンプとして、ドライポンプとメカニカルブース
ターポンプを用いた。
示した堆積膜形成装置を用い、帯状の基体１０６上にア
モルファスシリコンゲルマニウム膜を成膜し、得られた
堆積膜の膜厚分布および組成分布を調ベた。基体１０６
としてはステンレス（ＳＵＳ４３０ＢＡ，幅１２ｃｍ×
長さ５０ｍ×厚さ０．２ｍｍ）を用い、真空容器１０１
の排気ポンプとして、ドライポンプとメカニカルブース
ターポンプを用いた。
【００２１】まず、送りロール１０７、巻き取りロール
１０８をそれぞれ格納している送りロール室１０１、巻
き取りロール室１０３および真空容器１０２を不図示の
ドライポンプで荒引きし、続いて不図示のメカニカルブ
ースターポンプにより、圧力が約１０-3Ｔｏｒｒになる
まで排気した。不図示のガスボンベから不図示のマスフ
ローコントローラーを介して、パージガスとして、Ｈｅ
ガスをガス供給管１１４から導入し、真空計１２１の示
度が１．０Ｔｏｒｒとなるように、それぞれの排気管１
１５に取り付けられた不図示のバタフライバルブを調整
した。その後、ランプヒーター１１６により帯状の基体
１０６の表面温度を設定温度に保ち、また、シースヒー
ター１１７を設定温度まで上げ、加熱しながら１０時間
排気した。
１０８をそれぞれ格納している送りロール室１０１、巻
き取りロール室１０３および真空容器１０２を不図示の
ドライポンプで荒引きし、続いて不図示のメカニカルブ
ースターポンプにより、圧力が約１０-3Ｔｏｒｒになる
まで排気した。不図示のガスボンベから不図示のマスフ
ローコントローラーを介して、パージガスとして、Ｈｅ
ガスをガス供給管１１４から導入し、真空計１２１の示
度が１．０Ｔｏｒｒとなるように、それぞれの排気管１
１５に取り付けられた不図示のバタフライバルブを調整
した。その後、ランプヒーター１１６により帯状の基体
１０６の表面温度を設定温度に保ち、また、シースヒー
ター１１７を設定温度まで上げ、加熱しながら１０時間
排気した。
【００２２】その後、不図示のガスボンベからマスフロ
ーコントローラー（不図示）を介して、ガス供給管１１
４より表１に示すｉ型層形成条件でＳｉＨ4、ＧｅＨ4、
Ｈ2の各原料ガスを導人し、各真空計１２０の示度が
１．０Ｔｏｒｒになるように、不図示のバタフライバル
ブを調整した。まず、上記原料ガスを流し、その後、原
料ガスを流したまま高周波電源１１８より、１３．５６
ＭＨｚの表１に示す実効値の高周波電力を平行平板型電
極１１３にそれぞれ印加し、堆積膜形成空間１２０でプ
ラズマ放電を生起させ、帯状の基体１０６上に長さ４０
ｍにわたって堆積膜を形成した。このとき、帯状の基体
１０６の搬送速度は１５ｃｍ／ｍｉｎであった。
ーコントローラー（不図示）を介して、ガス供給管１１
４より表１に示すｉ型層形成条件でＳｉＨ4、ＧｅＨ4、
Ｈ2の各原料ガスを導人し、各真空計１２０の示度が
１．０Ｔｏｒｒになるように、不図示のバタフライバル
ブを調整した。まず、上記原料ガスを流し、その後、原
料ガスを流したまま高周波電源１１８より、１３．５６
ＭＨｚの表１に示す実効値の高周波電力を平行平板型電
極１１３にそれぞれ印加し、堆積膜形成空間１２０でプ
ラズマ放電を生起させ、帯状の基体１０６上に長さ４０
ｍにわたって堆積膜を形成した。このとき、帯状の基体
１０６の搬送速度は１５ｃｍ／ｍｉｎであった。
【００２３】
【表１】 堆積膜形成後、冷却させてから帯状の基体１０６を取り
出し、帯状の基体１０６の幅方向について、膜厚計（東
京エレクトロン社製 アルファステップ１００）を用い
て堆積膜の膜厚分布を測定した。その結果、膜厚のばら
つきは２．５％以内に納まっており、また堆積速度を計
算したところ平均８Å／ｓであった。次に、堆積膜の形
成された基体１０６の一部を任意に１０ヶ所切り出し、
２次イオン質量計（ＳＩＭＳ）（ＣＡＭＥＣＡ社製 ｉ
ｍｆ−３ｆ）を用い、堆積膜の深さ方向の組成分析を行
った。その結果、任意の膜厚の点でのゲルマニウム含有
量のばらつきは、切り出した１０個のサンプルについて
±３％以内に納まっていた。さらに、成膜後、膜形成空
間および排気口付近にポリシランなどの副生成物の発生
は見られず、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物の発生
を抑制されていた。
出し、帯状の基体１０６の幅方向について、膜厚計（東
京エレクトロン社製 アルファステップ１００）を用い
て堆積膜の膜厚分布を測定した。その結果、膜厚のばら
つきは２．５％以内に納まっており、また堆積速度を計
算したところ平均８Å／ｓであった。次に、堆積膜の形
成された基体１０６の一部を任意に１０ヶ所切り出し、
２次イオン質量計（ＳＩＭＳ）（ＣＡＭＥＣＡ社製 ｉ
ｍｆ−３ｆ）を用い、堆積膜の深さ方向の組成分析を行
った。その結果、任意の膜厚の点でのゲルマニウム含有
量のばらつきは、切り出した１０個のサンプルについて
±３％以内に納まっていた。さらに、成膜後、膜形成空
間および排気口付近にポリシランなどの副生成物の発生
は見られず、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物の発生
を抑制されていた。
【００２４】（比較例１）比較例１においては、上述の
実施例１において、前記排気口の開口の横幅Ｗが、前記
平行平板型電極１１３の横幅ｂより小さい排気口（内
部）１１１（Ｗ＝４５０ｍｍ、Ｗ＜ｂ）かつその排気口
（内部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１
３と帯状の基体１０６との距離ａより小さい排気口（内
部）１１１（ｈ＝３０ｍｍ、ｈ＜ａ）を設けることの他
は同様にして、基体上に堆積膜を形成した。その後、実
施例１と同様にして、膜厚分布を測定した。その結果、
膜厚のバラツキは±７．０％であった。次に、ゲルマニ
ウム含有畳の深さ方向の分布を調べたところ、任意の膜
厚の点でのゲルマニウム含有量のばらつきは±６％であ
った。
実施例１において、前記排気口の開口の横幅Ｗが、前記
平行平板型電極１１３の横幅ｂより小さい排気口（内
部）１１１（Ｗ＝４５０ｍｍ、Ｗ＜ｂ）かつその排気口
（内部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１
３と帯状の基体１０６との距離ａより小さい排気口（内
部）１１１（ｈ＝３０ｍｍ、ｈ＜ａ）を設けることの他
は同様にして、基体上に堆積膜を形成した。その後、実
施例１と同様にして、膜厚分布を測定した。その結果、
膜厚のバラツキは±７．０％であった。次に、ゲルマニ
ウム含有畳の深さ方向の分布を調べたところ、任意の膜
厚の点でのゲルマニウム含有量のばらつきは±６％であ
った。
【００２５】さらに、成膜後の膜形成空間および排気口
付近にはポリシランが付着していることが確認された。
以上の実施例１と比較例１を比較すると、本発明の堆積
膜形成装置を使用することにより、堆積膜形成空間にお
いて、原料ガスの澱み領域がなくなるため、堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の発生を防ぐことが可能になり、同時に膜質およ
び膜厚の均一な堆積膜を形成することができることがわ
かった。
付近にはポリシランが付着していることが確認された。
以上の実施例１と比較例１を比較すると、本発明の堆積
膜形成装置を使用することにより、堆積膜形成空間にお
いて、原料ガスの澱み領域がなくなるため、堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の発生を防ぐことが可能になり、同時に膜質およ
び膜厚の均一な堆積膜を形成することができることがわ
かった。
【００２６】［実施例２］実施例２においては、図５に
示した堆積膜形成装置を用いて、帯状基板上にｐｉｎ型
シングルセルを作成し、その特性を調べた。図５に示し
た装置は、上述した堆積膜形成装置における真空容器１
０２の両側にさらに堆積膜形成のための真空容器をそれ
ぞれカスケードに接続し、帯状の基体上にｐｉｎ型シン
グルセルを作成することが可能なロール・ツー・ロール
プラズマＣＶＤ装置である。
示した堆積膜形成装置を用いて、帯状基板上にｐｉｎ型
シングルセルを作成し、その特性を調べた。図５に示し
た装置は、上述した堆積膜形成装置における真空容器１
０２の両側にさらに堆積膜形成のための真空容器をそれ
ぞれカスケードに接続し、帯状の基体上にｐｉｎ型シン
グルセルを作成することが可能なロール・ツー・ロール
プラズマＣＶＤ装置である。
【００２７】まず、図示しない排気ポンプにより、各真
空容器５０１〜５０５を排気し、前記排気ポンプを動作
させながら、各ゲートガス導入管５０６〜５０９から、
各真空容器５０１〜５０５内の原料ガスが隣接する真空
容器内に流入するのを防ぐためのゲートガスを導入す
る。続いて、各真空容器５０２〜５０４に所定の原料ガ
スを供給しつつ、図示しない駆動手段によって巻取りロ
ール５１２を回転駆動し、帯状の基体５１０を連続的に
その長手方向に搬送する。この状態で各真空容器５０２
〜５０４内でプラズマ放電を生起させることにより、帯
状の基体５１０の上に堆積膜が形成される。このとき帯
状の基体５１０が第１の真空容器５０１から第５の真空
容器５０５に向かう方向に連続的に搬送されているの
で、基体５１０の表面には、基体５１０の本体側から、
第２の真空容器５０２での堆積層、第３の真空容器５０
３での堆積層、第４の真空容器５０４での堆積層が順次
積層されることになる。ただし、この実験で使用した基
体５１０は下部電極として用いるため、スパッタリング
法により、アルミニウム薄膜（０．２μｍ）、ＺｎＯ薄
膜（１．２μｍ）を蒸着してあるＳＵＳ４３０製帯状基
体である。
空容器５０１〜５０５を排気し、前記排気ポンプを動作
させながら、各ゲートガス導入管５０６〜５０９から、
各真空容器５０１〜５０５内の原料ガスが隣接する真空
容器内に流入するのを防ぐためのゲートガスを導入す
る。続いて、各真空容器５０２〜５０４に所定の原料ガ
スを供給しつつ、図示しない駆動手段によって巻取りロ
ール５１２を回転駆動し、帯状の基体５１０を連続的に
その長手方向に搬送する。この状態で各真空容器５０２
〜５０４内でプラズマ放電を生起させることにより、帯
状の基体５１０の上に堆積膜が形成される。このとき帯
状の基体５１０が第１の真空容器５０１から第５の真空
容器５０５に向かう方向に連続的に搬送されているの
で、基体５１０の表面には、基体５１０の本体側から、
第２の真空容器５０２での堆積層、第３の真空容器５０
３での堆積層、第４の真空容器５０４での堆積層が順次
積層されることになる。ただし、この実験で使用した基
体５１０は下部電極として用いるため、スパッタリング
法により、アルミニウム薄膜（０．２μｍ）、ＺｎＯ薄
膜（１．２μｍ）を蒸着してあるＳＵＳ４３０製帯状基
体である。
【００２８】前記帯状の基体５１０を搬送速度１５ｃｍ
／ｍｉｎで連続的に搬送しながら、基体５１０上に、第
２の真空容器５０２でｎ型半導体層を、第３の真空容器
５０３でｉ型半導体層を、第４の真空容器でｐ型半導体
層を順次堆積させた。ｎ型半導体層とｐ型半導体層の堆
積の条件は表２に示すとおりであり、また、ｉ型半導体
層の堆積の条件は上述の実施例１で表１により示したも
のと同じにした。また、その他の動作も実施例１と同様
である。このようにして作成したアモルファスシリコン
太陽電池に、ＡＭ値が１．５、光強度が１００ｍＷ／ｃ
ｍ2の疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン
太陽電池の任意の４０ヶ所において光電変換効率を測定
したところ、光電変換効率のばらつきは±４％以内にお
さまっていた。
／ｍｉｎで連続的に搬送しながら、基体５１０上に、第
２の真空容器５０２でｎ型半導体層を、第３の真空容器
５０３でｉ型半導体層を、第４の真空容器でｐ型半導体
層を順次堆積させた。ｎ型半導体層とｐ型半導体層の堆
積の条件は表２に示すとおりであり、また、ｉ型半導体
層の堆積の条件は上述の実施例１で表１により示したも
のと同じにした。また、その他の動作も実施例１と同様
である。このようにして作成したアモルファスシリコン
太陽電池に、ＡＭ値が１．５、光強度が１００ｍＷ／ｃ
ｍ2の疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン
太陽電池の任意の４０ヶ所において光電変換効率を測定
したところ、光電変換効率のばらつきは±４％以内にお
さまっていた。
【００２９】（比較例２）比較例２においては、上述の
実施例２において、前記排気口の開口の横幅Ｗが、前記
平行平板型電極１１３の横幅ｂより小さい排気口（内
部）１１１（Ｗ＝４５０ｍｍ、Ｗ＜ｂ）かつ排気口（内
部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１３と
帯状の基体１０６との距離ａより小さい排気口（内部）
１１１（ｈ＝３０ｍｍ、ｈ＜ａ）の排気ダクト１１０を
設けることの他は同様にして、基体上にアモルファスシ
リコン太陽電池を形成した。その後、実施例２と同様に
して、ＡＭ値が１．５、光強度が１００ｍＷ／ｃｍ2の
疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン太陽電
池の任意の４０ヶ所において光電変換効率を測定したと
ころ、光電変換効率のばらつきは±１０％以上であっ
た。
実施例２において、前記排気口の開口の横幅Ｗが、前記
平行平板型電極１１３の横幅ｂより小さい排気口（内
部）１１１（Ｗ＝４５０ｍｍ、Ｗ＜ｂ）かつ排気口（内
部）１１１の開口の縦幅ｈが、平行平板型電極１１３と
帯状の基体１０６との距離ａより小さい排気口（内部）
１１１（ｈ＝３０ｍｍ、ｈ＜ａ）の排気ダクト１１０を
設けることの他は同様にして、基体上にアモルファスシ
リコン太陽電池を形成した。その後、実施例２と同様に
して、ＡＭ値が１．５、光強度が１００ｍＷ／ｃｍ2の
疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン太陽電
池の任意の４０ヶ所において光電変換効率を測定したと
ころ、光電変換効率のばらつきは±１０％以上であっ
た。
【００３０】以上の実施例２と比較例２を比較すると、
帯状の基体５１０上に第２〜第４の真空容器５０２〜５
０４の堆積膜形成時において、堆積膜形成空間の原料ガ
スの澱み領域がなくなるため、膜質および膜厚の均一な
堆積膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の発生を防ぐことができる。したがって、この堆
積膜形成装置をｐｉｎ型接合を有するアモルファス光起
電力素子の作成に利用すると、大面積にわたって、各半
導体層の膜質および膜厚の均一性が向上し、優れたアモ
ルファス光起電力素子が得られることになることが確認
された。
帯状の基体５１０上に第２〜第４の真空容器５０２〜５
０４の堆積膜形成時において、堆積膜形成空間の原料ガ
スの澱み領域がなくなるため、膜質および膜厚の均一な
堆積膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔ
ｃ．）の発生を防ぐことができる。したがって、この堆
積膜形成装置をｐｉｎ型接合を有するアモルファス光起
電力素子の作成に利用すると、大面積にわたって、各半
導体層の膜質および膜厚の均一性が向上し、優れたアモ
ルファス光起電力素子が得られることになることが確認
された。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、前記真空容器の放電容器内に、原料ガス排気口の開
口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大きく、また前
記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体の距離より大き
い原料ガス排気手段を設けることにより、ガスの流れが
受ける真空容器の側壁の粘性の影響を低減しつつ原料ガ
スを排気することが可能となる。このことにより、本発
明においては堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領
域を無くすことができ、膜質および膜厚の均一な堆積膜
を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響を
もたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔｃ．）の
発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積膜
を形成することが可能になる。したがって、本発明の堆
積膜形成装置によれば、とりわけ、光起電力素子等の機
能性堆積膜を形成するに際して、大幅な変換効率の向上
が可能となる。
ば、前記真空容器の放電容器内に、原料ガス排気口の開
口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大きく、また前
記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体の距離より大き
い原料ガス排気手段を設けることにより、ガスの流れが
受ける真空容器の側壁の粘性の影響を低減しつつ原料ガ
スを排気することが可能となる。このことにより、本発
明においては堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領
域を無くすことができ、膜質および膜厚の均一な堆積膜
を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響を
もたらすと思われる副生成物（ポリシランｅｔｃ．）の
発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積膜
を形成することが可能になる。したがって、本発明の堆
積膜形成装置によれば、とりわけ、光起電力素子等の機
能性堆積膜を形成するに際して、大幅な変換効率の向上
が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための放電容器
内に、原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の
幅より大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極
と基体の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放
電容器の上面概略図である。
内に、原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の
幅より大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極
と基体の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放
電容器の上面概略図である。
【図２】本発明の形態を説明するための放電容器内に、
原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の幅より
大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放電容器
の側面概略図である。
原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の幅より
大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放電容器
の側面概略図である。
【図３】本発明の実施の形態及び本発明の実施例におい
て用いた排気ダクトの概略図である。
て用いた排気ダクトの概略図である。
【図４】本発明の実施の形態及び本発明の実施例（実験
１）において機能性堆積膜作製のために用いたロール・
ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置の模式的概略図であ
る。
１）において機能性堆積膜作製のために用いたロール・
ツー・ロール型プラズマＣＶＤ装置の模式的概略図であ
る。
【図５】本発明の実施例（実験２）においてシングルセ
ル作製のために用いたロール・ツー・ロール型プラズマ
ＣＶＤ装置の模式的概略図である。
ル作製のために用いたロール・ツー・ロール型プラズマ
ＣＶＤ装置の模式的概略図である。
１０１：真空容器（送りロール室） １０２：真空容器 １０３：真空容器（巻き取りロール室） １０４：ガスゲート（第１） １０５：ガスゲート（第２） １０６：帯状の基体 １０７：送りロール １０８：巻き取りロール １０９：内部容器 １１０：排気ダクト １１１：排気口（内部） １１２：排気口（外部） １１３：平行平板型電極 １１４：ガス供給管 １１５：排気管 １１６：ランプヒーター １１７：シースヒーター １１８：高周波電源 １１９：電極接合部 １２０：堆積膜形成空間 １２１：真空計 ５０１：真空容器（送りロール室） ５０２：真空容器（ｎ型半導体層） ５０３：真空容器（ｉ型半導体層） ５０４：真空容器（ｐ型半導体層） ５０５：真空容器（巻き取りロール室） ５０６：ガスゲート（第１） ５０７：ガスゲート（第２） ５０８：ガスゲート（第３） ５０９：ガスゲート（第４） ５１０：帯状の基体 ５１１：送りロール ５１２：巻き取りロール
フロントページの続き (72)発明者 芳里 直 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 幸田 勇蔵 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 金井 正博 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器内に、平行平板型電極と原料ガス
供給手段及び原料ガス排気手段が設けられた放電容器を
有し、該放電容器はその壁面の少なくとも一面が堆積膜
を形成するための基体によって構成され、該放電容器内
を排気しながらその内部に原料ガスを導入し、前記放電
容器内にプラズマを生起させることによって前記原料ガ
スを分解し、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜
の形成装置において、 前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板型電極
の横幅より大きい横幅の開口を有することを特徴とする
堆積膜形成装置。 - 【請求項２】前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平
行平板型電極と前記基体の距離より大きい縦幅の開口を
有することを特徴とする請求項１に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項３】前記プラズマを生起させるエネルギーが、
高周波電力であることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項４】前記堆積膜が、シリコン系非晶質の堆積膜
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に
記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項５】前記平行平板型電極は、高さ調整が可能な
接合部を介して前記プラズマを生起させるための電力導
入部に接続されていることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか１項に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項６】前記基体が長尺の帯状基板であり、前記放
電容器が複数の連続して配された放電容器で構成され、
該長尺の帯状基板を長手方向に連続的に移動させながら
該複数の連続した放電容器を通過させ、該複数の連続し
た放電容器内にプラズマを生起させて、該長尺の帯状基
板の表面上に連続的に堆積膜を形成することを特徴とす
る請求項１〜５のいずれか１項に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項７】前記基体の一部が排気口内に存在しないよ
うに該基体を配置することを特徴とする請求項１〜６の
いずれか１項に記載の堆積膜形成装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001053364A JP2001323376A (ja) | 2000-03-06 | 2001-02-28 | 堆積膜の形成装置 |
| US09/797,566 US6877458B2 (en) | 2000-03-06 | 2001-03-05 | Apparatus for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000060717 | 2000-03-06 | ||
| JP2000-60717 | 2000-03-06 | ||
| JP2001053364A JP2001323376A (ja) | 2000-03-06 | 2001-02-28 | 堆積膜の形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001323376A true JP2001323376A (ja) | 2001-11-22 |
| JP2001323376A5 JP2001323376A5 (ja) | 2008-04-03 |
Family
ID=26586855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001053364A Pending JP2001323376A (ja) | 2000-03-06 | 2001-02-28 | 堆積膜の形成装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6877458B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001323376A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003231969A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-19 | Konica Corp | 製膜装置 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070154650A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of flexible material at atmospheric pressure |
| US7501305B2 (en) * | 2006-10-23 | 2009-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming deposited film and photovoltaic element |
| JP4999737B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2012-08-15 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
| JP5463167B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
| US20200098595A1 (en) * | 2018-09-20 | 2020-03-26 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and method for operating the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4479369A (en) * | 1983-04-04 | 1984-10-30 | Sando Iron Works Co., Ltd. | Apparatus for treating a textile product with the use of low-temperature plasma |
| JPS60155676A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6333816A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-02-13 | エムコ−ル インコ−ポレイテツド | 基体のガス処理方法と装置 |
| JPH01212776A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ温度測定方法 |
| JPH06192839A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4400409A (en) | 1980-05-19 | 1983-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of making p-doped silicon films |
| US4841908A (en) * | 1986-06-23 | 1989-06-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-chamber deposition system |
| US4969416A (en) * | 1986-07-03 | 1990-11-13 | Emcore, Inc. | Gas treatment apparatus and method |
| JP2975151B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 半導体素子の連続的製造装置 |
| JP3118037B2 (ja) | 1991-10-28 | 2000-12-18 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
| TW283250B (en) * | 1995-07-10 | 1996-08-11 | Watkins Johnson Co | Plasma enhanced chemical processing reactor and method |
| US5948704A (en) * | 1996-06-05 | 1999-09-07 | Lam Research Corporation | High flow vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
| JPH11251612A (ja) * | 1998-03-03 | 1999-09-17 | Canon Inc | 光起電力素子の製造方法 |
| JP2001035839A (ja) * | 1999-05-18 | 2001-02-09 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ生成装置および半導体製造方法 |
-
2001
- 2001-02-28 JP JP2001053364A patent/JP2001323376A/ja active Pending
- 2001-03-05 US US09/797,566 patent/US6877458B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4479369A (en) * | 1983-04-04 | 1984-10-30 | Sando Iron Works Co., Ltd. | Apparatus for treating a textile product with the use of low-temperature plasma |
| JPS60155676A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-08-15 | Canon Inc | プラズマｃｖｄ装置 |
| JPS6333816A (ja) * | 1986-07-03 | 1988-02-13 | エムコ−ル インコ−ポレイテツド | 基体のガス処理方法と装置 |
| JPH01212776A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置およびプラズマ温度測定方法 |
| JPH06192839A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-12 | Canon Inc | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003231969A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-19 | Konica Corp | 製膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010039924A1 (en) | 2001-11-15 |
| US6877458B2 (en) | 2005-04-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5510151A (en) | Continuous film-forming process using microwave energy in a moving substrate web functioning as a substrate and plasma generating space | |
| US6273955B1 (en) | Film forming apparatus | |
| US5130170A (en) | Microwave pcvd method for continuously forming a large area functional deposited film using a curved moving substrate web with microwave energy with a directivity in one direction perpendicular to the direction of microwave propagation | |
| US20100300505A1 (en) | Multiple junction photovolatic devices and process for making the same | |
| JP2007262541A (ja) | 微結晶シリコン膜形成方法及び太陽電池 | |
| JP3591977B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法を用いた膜堆積方法および膜堆積装置 | |
| US6495392B2 (en) | Process for producing a semiconductor device | |
| JPH04247879A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 | |
| US6413794B1 (en) | Method of forming photovoltaic element | |
| JP2722114B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 | |
| US6470823B2 (en) | Apparatus and method for forming a deposited film by a means of plasma CVD | |
| JP3659512B2 (ja) | 光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置 | |
| JP2001323376A (ja) | 堆積膜の形成装置 | |
| JP4279217B2 (ja) | プラズマ処理装置及びこれを用いた太陽電池の製造方法 | |
| JP3093504B2 (ja) | 光起電力素子及びその形成方法及びその形成装置 | |
| JP3367981B2 (ja) | 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置 | |
| US6436797B1 (en) | Apparatus and method for forming a deposited film on a substrate | |
| JP3651977B2 (ja) | ロール・ツー・ロール成膜装置及びその成膜方法 | |
| JPH10209479A (ja) | 半導体薄膜及び光起電力素子の作製装置 | |
| JP2722115B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法により大面積の機能性堆積膜を連続的に形成する方法及び装置 | |
| JP2908629B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法及びロール・ツー・ロール法を用いた堆積膜形成方法 | |
| JP3181121B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| JP2810529B2 (ja) | 堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置 | |
| JPH06216039A (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP3235896B2 (ja) | マイクロ波プラズマｃｖｄ法により大面積の機能性堆積 膜を連続的に形成する方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080219 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080219 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100706 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110407 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110726 |