JP2001323376A - 堆積膜の形成装置 - Google Patents
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Abstract
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供する。 【解決手段】放電容器内を排気しながらその内部に原料
ガスを導入し、前記放電容器内にプラズマを生起させる
ことによって前記原料ガスを分解し、前記基体の表面に
堆積膜を形成する平行平板型プラズマCVD装置におい
て、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板型
電極の横幅より大きい横幅の開口を有する構成とする。
Description
像入力用ラインセンサー、撮像デバイス、電子写真用感
光体などの用途に有用な機能性堆積膜を基体上に形成す
る堆積膜形成装置に関し、特に、光起電力素子などの大
面積の薄膜からなる半導体素子を長尺の帯状の基体に連
続して形成するための堆積膜形成装置に関する。
形成する堆積膜形成装置としては、例えばロール・ツー
・ロール(Roll to Roll)方式を採用した
連続プラズマCVD法による堆積膜形成装置が、米国特
許第4,400,409号明細書に開示されている。こ
の装置によれば、複数のグロー放電領域を設け、所望の
幅の十分に長い帯状基板を、該基板が前記各グロー放電
領域を順次貫通する経路に沿って配置し、前記各グロー
放電領域において必要とされる導電型の半導体層を堆積
形成しつつ、前記基板をその長手方向に連続的に搬送せ
しめることによって、半導体接合を有する大面積の素子
を連続的に形成することができるとされている。こうし
たことから、このロール・ツー・ロール方式は大面積の
半導体素子の量産に適する方法といえる。
Roll)方式を採用した連続プラズマCVD法による
堆積膜形成装置は、各半導体層を通過する帯状基板搬送
速度が一定であるため、組成の異なった機能性堆積膜を
形成するような半導体接合素子、例えば太陽電池の量産
化には、その各半導体層の堆積膜厚の制御および均一が
大きな課題である。また、こうしたCVD法において
は、原料ガスを分解し堆積膜を形成するためのグロー放
電プラズマ励起手段として、高周波(RF)放電が広く
用いられているために、原料ガスの流量の増加、導入電
力の増加、平行平板型電極の大面積化による膜厚および
膜質に大きなバラツキを生じることも、帯状基板速度の
変更による膜厚および膜質に大きな影響を及ぼすととも
に、堆積膜に悪影響を及ぼす副生成物(ポリシランet
c.)の生成をもたらすことが、このことを難しくして
いる原因になっている。
膜形成装置では、多数の放電容器を使って、前記帯状基
板を長手方向に連続的に搬送せしめることで、所望の堆
積膜厚を得る方法が用いられている。このように、従来
のロール・ツー・ロール(Roll to Roll)
方式を採用した連続プラズマCVD法による堆積膜形成
装置は、大面積の半導体素子の量産に適する方法といえ
る。
・ツー・ロール(Roll to Roll)方式を採
用した連続プラズマCVD法による堆積膜形成装置の量
産化には、前記帯状基板の搬送速度を増加することが必
要不可欠である。例えば、量産化するに際して、搬送速
度を増加させる為には、各反応容器で得られる堆積膜の
堆積速度には限界があるため、放電容器の数を増やして
各半導体層の所望の膜厚を得なくてはならない。このこ
とが、堆積膜形成装置の大型化、複雑化および高コスト
化につながっている。このように、この方法を量産装置
に用いる場合、生産速度の向上が大きな課題である。そ
の課題を達成するためには、堆積膜形成速度の向上、放
電容器の延長および増加は避けられない。そのために、
大規模な堆積膜成膜装置が必要となり、装置の大型化、
複雑化およびコストアップにつながり、特に放電空間の
大型化が、以下に示す様々な問題を生じる要因となって
いる。
を発生させるための放電エネルギーの種類や放電条件や
真空容器内での原料ガスの組成比、流量、流速(排気速
度)、圧力などに影響を受ける。特に連続的に堆積膜を
形成する上で、真空容器側壁の粘性の影響による原料ガ
スの流速(排気速度)のバラツキが原料ガスの澱みを生
じ、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物が、堆積膜形成
空間および排気空間に発生する要因となる。また、堆積
膜形成空間および排気空間に副生成物が発生することに
より、平行平板型電極および排気口に副生成物が堆積
し、さらに原料ガスの流速(排気速度)のバラツキを生
じる要因となり、堆積膜の膜質及び膜厚に大きなバラツ
キを生じるという問題点がある。特に連続して移動する
帯状の基板上に大面積にわたって堆積膜を形成していく
堆積膜形成方法において、各放電容器内の帯状の基板上
に堆積する膜厚、膜質および堆積領域が異なることは大
きな問題点である。
解決し、堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領域を
なくすと共に、副生成物の発生を防ぎ、均一な膜質およ
び膜厚の堆積膜を形成することが可能な堆積膜の形成装
置を提供することを目的とするものである。
成するために、つぎの(1)〜(7)のように構成した
堆積膜の形成装置を提供するものである。 (1)真空容器内に、平行平板型電極と原料ガス供給手
段及び原料ガス排気手段が設けられた放電容器を有し、
該放電容器はその壁面の少なくとも一面が堆積膜を形成
するための基体によって構成され、該放電容器内を排気
しながらその内部に原料ガスを導入し、前記放電容器内
にプラズマを生起させることによって前記原料ガスを分
解し、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜の形成
装置において、前記原料ガス排気手段の排気口が、前記
平行平板型電極の横幅より大きい横幅の開口を有するこ
とを特徴とする堆積膜形成装置。 (2)前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板
型電極と前記基体の距離より大きい縦幅の開口を有する
ことを特徴とする上記(1)に記載の堆積膜形成装置。 (3)前記プラズマを生起させるエネルギーが、高周波
電力であることを特徴とする上記(1)または上記
(2)に記載の堆積膜形成装置。 (4)前記堆積膜が、シリコン系非晶質の堆積膜である
ことを特徴とする上記(1)〜(3)のいずれかに記載
の堆積膜形成装置。 (5)前記平行平板型電極は、高さ調整が可能な接合部
を介して前記プラズマを生起させるための電力導入部に
接続されていることを特徴とする上記(1)〜(4)の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。 (6)前記基体が長尺の帯状基板であり、前記放電容器
が複数の連続して配された放電容器で構成され、該長尺
の帯状基板を長手方向に連続的に移動させながら該複数
の連続した放電容器を通過させ、該複数の連続した放電
容器内にプラズマを生起させて、該長尺の帯状基板の表
面上に連続的に堆積膜を形成することを特徴とする上記
(1)〜(5)のいずれかに記載の堆積膜形成装置。 (7)前記基体の一部が排気口内に存在しないように該
基体を配置することを特徴とする上記(1)〜(6)の
いずれかに記載の堆積膜形成装置。
排気経路、を以下のように定義する。排気口は排気管の
放電空間に面した入り口であって、排気管外壁の一端で
ある閉じた線(円、連続した複数の線(直線でも曲線で
もよい))状の固体に囲まれている。ここで、「線状の
固体」というのは理解を助けるための表現であって、数
学的な意味での線ではなく、排気口を取り囲む線状の固
体はある程度の厚さをもっていることは当然である。ま
た、排気口は排気管外壁の端面であるから、かかる固体
は排気管外壁の長手方向にも厚みを有していることは当
然である。排気口内には、スリットを有する部材やメッ
シュ状部材を設けてもよい。円筒状の固体部材、角筒状
の固体部材、等が、排気口を取り囲む部材の例として挙
げられる。排気管は排気口から真空ポンプ等の排気装置
まで連続して形成されており、原則として連続した閉空
間である排気経路を形成している。ここで「原則とし
て」というのは、放電空間以外の空間を排気するための
他の排気口等の存在が許されるという意味である。排気
管はその途中に、分岐点、バルブ、を有していてもよ
く、途中で排気経路の断面積が変わっていてもよい。ま
た、排気管の一部と他の部分とが異なった材質からなっ
ていてもよい。なお、単に放電容器外壁と真空容器内壁
に囲まれた空間は排気経路に含まない。放電容器内壁の
みに囲まれた空間や真空容器内壁のみに囲まれた空間も
排気経路には含まない。さらに、排気力を高めるという
観点からは、基体の一部が排気口内に存在するような構
成は避けるべきである。
空間にプラズマを形成することによって前記基体の表面
に堆積膜を形成する平行平板型プラズマCVD装置にお
いて、前記真空容器の内部の前記放電容器内に、原料ガ
ス排気口の開口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大
きく、また、前記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けることによ
り、ガスを排気する際に、ガスの流れが真空容器の側壁
の粘性によって受ける影響を減じることが可能となる。
このことにより、堆積膜形成時において、原料ガスの澱
み領域が小さくなるため、膜質および膜厚の均一な堆積
膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響
をもたらすと思われる副生成物(ポリシランetc.)
の発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積
膜を形成することが可能になる。したがって、上記構成
によれば、光起電力素子等の機能性堆積膜を形成するこ
とにより、大幅な変換効率の向上が可能となる。
膜形成装置によりアモルファスシリコン(以下a−Si
とする)層を用いたa−Si太陽電池を作製する例を取
り挙げ、その概略を図に基づいて説明する。図4は本発
明の実施例の堆積膜形成装置の構造を示す概略断面図で
ある。また、前記真空容器の拡大図を図1および図2に
示し、排気ダクト開口部の拡大図を図3に示す。図中の
矢印は、ガスの流れを模式的に示したものである。3基
の真空容器101、102、103がそれぞれガスゲー
ト104、105を介して直列に接続されている。帯状
の基体106は、第1の真空容器(送りロール室)10
1の内部に設けられた送りロール107から繰り出さ
れ、第1のガスゲート104、第2の真空容器102、
第2のガスゲート105を順次通って、第3の真空容器
(巻き取りロール室)103の内部に設けられた巻取り
ロール108に巻取られるようになっている。図示しな
い駆動手段により巻取りロール108を図示矢印方向に
回転駆動すると、帯状の基体106は、送りロール10
7から繰り出され、連続的に搬送されることになる。
部容器109は、前記内部容器109の一面が開口部と
なった中空の直方体形状であり、前記開口部が帯状の基
体106に近接して対向するように設けられている。内
部容器109には原料ガス排気用の排気ダクト110が
設けられ、前記排気ダクト110には、前記内部容器1
09と外部を排気するための排気口(内部)111と外
部排気用の排気口(外部)112が独立して、設けられ
ている。ここでの特徴は、排気ダクト110の排気口
(内部)111の開口の横幅Wが、平行平板型電極11
3の横幅bより大きくしたことであり、また、排気ダク
ト110の排気口(内部)111の開口の縦幅hを、平
行平板型電極113と帯状の基体106との距離aより
大きくしたことである。
状の基体106の搬送方向に対して平行に流れ、前記内
部容器109内の平行平板型電極113上を流れた後、
排気ダクト110へ排気される。ここで、この原料ガス
の流れに注目すると、前記排気口(内部)111の断面
の幅Wが、前記平行平板型電極113の幅bより大きい
排気口(内部)111(W>b)を設けることにより、
前記内部容器109内の原料ガスの流れが澱み領域がな
くなるため、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成する
ことが可能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと
思われる副生成物の発生を防ぐことができる。
部)111の開口の縦幅hが、平行平板型電極113と
帯状の基体106との距離aより大きい排気口(内部)
111(h>a)を設けることにより、さらに前記内部
容器109内の原料ガスの流れが澱み領域がなくなるた
め、膜質および膜厚の均一な堆積膜を形成することが可
能となり、同時に堆積膜に悪影響をもたらすと思われる
副生成物の発生を防ぐことができる。
図示しないガスボンベなどのガス供給源から、原料ガス
を各内部容器109の内部にそれぞれ供給するためのガ
ス供給管114が、真空容器102の壁を貫通し、内部
容器109に取り付けられている。原料ガスはガス供給
管114から内部容器109に供給され、排気ダクト1
10、排気管115を経て排気されることになる。
か、帯状の基体106の加熱用のガスや真空容器102
と内部容器109を洗浄するためのガスを真空容器10
2内に導入するときにも用いられる。また、真空容器1
02内の帯状の基体106の裏面側(各内部容器109
に対向しない側)には、帯状の基体106を加熱するた
めの輻射熱を発生する一群のランプヒーター116が設
けられ、内部容器109には、内部容器109を加熱す
るためのシースヒーター117、プラズマ放電を発生す
るための平行平板型電極113がそれぞれ設けられてい
る。シースヒーター117は、内部容器109および平
行平板型電極113を加熱して、内部容器109および
平行平板型電極113の表面に吸着されている残留空気
や水分を除去するとともに、ポリシランなどの発生を防
止する働きを有する。
された形状でもよく、帯状の基体106に対向してこれ
に平行になるように設けられている。平行平板型電極1
13は、真空容器102の外部に設けられた高周波電源
118の一端に、図示しないマッチングボックスと平行
平板型電極接合部119を介して、電気的に接続されて
いる。前記平行平板型電極接合部119は確実に平行平
板型電極113と電力導入部を接合するために、高さ調
整が可能な部材、例えば“ネジ式”の高さ調整が可能な
部材で構成されている。高周波電源118の他端は接地
されている。このように、真空容器102を排気し、所
定の原料ガスを導入し、高周波電源118から高周波電
力を前記平行平板型電極113に印加したとき、前記平
行平板型電極113と帯状の基体106とで、閉じ込め
られた空間でプラズマ放電が生起することとなり、前記
空間が堆積膜形成空間120となる。すなわち、内部容
器109に対応して雅積膜形成空間120が形成され、
前記帯状基体106に機能性堆積膜を形成することが可
能となる。
空容器102の両側にさらに堆積膜形成のための真空容
器102を接続した、光起電力素子などを容易に作成す
ることが可能な堆積膜形成装置の概略断面図を図5に示
す。5基の真空容器501〜505がそれぞれガスゲー
ト506〜509を介して直列に接続されている。帯状
の基体510は、第1の真空容器(送りロール室)50
1の内部に設けられた送りロール511から繰り出さ
れ、第1のガスゲート506、第2の真空容器502、
第2のガスゲート507を順次通って、第5の真空容器
(巻き取りロール室)505の内部に設けられた巻き取
りロール512に巻き取られるようになっている。図示
しない駆動手段により巻き取りロール512を図示矢印
方向に回転駆動すると、帯状の基体510は、送りロー
ル511から繰り出され、連続的に搬送されることにな
る。帯状の基体510の上にpin接合を有するアモル
ファス光起電力素子を形成する場合、第2の真空容器5
02はn型半導体層を、第3の真空容器503はi型半
導体層を、第4の真空容器504はp型半導体層をそれ
ぞれ形成するための成膜室となり、光起電力素子を形成
することが可能な堆積膜形成装置となる。
本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるもので
はない。以下の説明においては、本発明の構成を適用し
た図4に示す堆積膜形成装置を用いて堆積膜を形成した
実験に基づいて、比較例を参照しながら説明する。以下
の実施例では、電極の厚さを5mm、電極の横幅bを5
04mm、排気口の幅Wを510mm、排気口の高さh
を100mm、電極と基体との距離aを50mmとし
た。
示した堆積膜形成装置を用い、帯状の基体106上にア
モルファスシリコンゲルマニウム膜を成膜し、得られた
堆積膜の膜厚分布および組成分布を調ベた。基体106
としてはステンレス(SUS430BA,幅12cm×
長さ50m×厚さ0.2mm)を用い、真空容器101
の排気ポンプとして、ドライポンプとメカニカルブース
ターポンプを用いた。
108をそれぞれ格納している送りロール室101、巻
き取りロール室103および真空容器102を不図示の
ドライポンプで荒引きし、続いて不図示のメカニカルブ
ースターポンプにより、圧力が約10-3Torrになる
まで排気した。不図示のガスボンベから不図示のマスフ
ローコントローラーを介して、パージガスとして、He
ガスをガス供給管114から導入し、真空計121の示
度が1.0Torrとなるように、それぞれの排気管1
15に取り付けられた不図示のバタフライバルブを調整
した。その後、ランプヒーター116により帯状の基体
106の表面温度を設定温度に保ち、また、シースヒー
ター117を設定温度まで上げ、加熱しながら10時間
排気した。
ーコントローラー(不図示)を介して、ガス供給管11
4より表1に示すi型層形成条件でSiH4、GeH4、
H2の各原料ガスを導人し、各真空計120の示度が
1.0Torrになるように、不図示のバタフライバル
ブを調整した。まず、上記原料ガスを流し、その後、原
料ガスを流したまま高周波電源118より、13.56
MHzの表1に示す実効値の高周波電力を平行平板型電
極113にそれぞれ印加し、堆積膜形成空間120でプ
ラズマ放電を生起させ、帯状の基体106上に長さ40
mにわたって堆積膜を形成した。このとき、帯状の基体
106の搬送速度は15cm/minであった。
出し、帯状の基体106の幅方向について、膜厚計(東
京エレクトロン社製 アルファステップ100)を用い
て堆積膜の膜厚分布を測定した。その結果、膜厚のばら
つきは2.5%以内に納まっており、また堆積速度を計
算したところ平均8Å/sであった。次に、堆積膜の形
成された基体106の一部を任意に10ヶ所切り出し、
2次イオン質量計(SIMS)(CAMECA社製 i
mf−3f)を用い、堆積膜の深さ方向の組成分析を行
った。その結果、任意の膜厚の点でのゲルマニウム含有
量のばらつきは、切り出した10個のサンプルについて
±3%以内に納まっていた。さらに、成膜後、膜形成空
間および排気口付近にポリシランなどの副生成物の発生
は見られず、堆積膜に悪影響をもたらす副生成物の発生
を抑制されていた。
実施例1において、前記排気口の開口の横幅Wが、前記
平行平板型電極113の横幅bより小さい排気口(内
部)111(W=450mm、W<b)かつその排気口
(内部)111の開口の縦幅hが、平行平板型電極11
3と帯状の基体106との距離aより小さい排気口(内
部)111(h=30mm、h<a)を設けることの他
は同様にして、基体上に堆積膜を形成した。その後、実
施例1と同様にして、膜厚分布を測定した。その結果、
膜厚のバラツキは±7.0%であった。次に、ゲルマニ
ウム含有畳の深さ方向の分布を調べたところ、任意の膜
厚の点でのゲルマニウム含有量のばらつきは±6%であ
った。
付近にはポリシランが付着していることが確認された。
以上の実施例1と比較例1を比較すると、本発明の堆積
膜形成装置を使用することにより、堆積膜形成空間にお
いて、原料ガスの澱み領域がなくなるため、堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物(ポリシランet
c.)の発生を防ぐことが可能になり、同時に膜質およ
び膜厚の均一な堆積膜を形成することができることがわ
かった。
示した堆積膜形成装置を用いて、帯状基板上にpin型
シングルセルを作成し、その特性を調べた。図5に示し
た装置は、上述した堆積膜形成装置における真空容器1
02の両側にさらに堆積膜形成のための真空容器をそれ
ぞれカスケードに接続し、帯状の基体上にpin型シン
グルセルを作成することが可能なロール・ツー・ロール
プラズマCVD装置である。
空容器501〜505を排気し、前記排気ポンプを動作
させながら、各ゲートガス導入管506〜509から、
各真空容器501〜505内の原料ガスが隣接する真空
容器内に流入するのを防ぐためのゲートガスを導入す
る。続いて、各真空容器502〜504に所定の原料ガ
スを供給しつつ、図示しない駆動手段によって巻取りロ
ール512を回転駆動し、帯状の基体510を連続的に
その長手方向に搬送する。この状態で各真空容器502
〜504内でプラズマ放電を生起させることにより、帯
状の基体510の上に堆積膜が形成される。このとき帯
状の基体510が第1の真空容器501から第5の真空
容器505に向かう方向に連続的に搬送されているの
で、基体510の表面には、基体510の本体側から、
第2の真空容器502での堆積層、第3の真空容器50
3での堆積層、第4の真空容器504での堆積層が順次
積層されることになる。ただし、この実験で使用した基
体510は下部電極として用いるため、スパッタリング
法により、アルミニウム薄膜(0.2μm)、ZnO薄
膜(1.2μm)を蒸着してあるSUS430製帯状基
体である。
/minで連続的に搬送しながら、基体510上に、第
2の真空容器502でn型半導体層を、第3の真空容器
503でi型半導体層を、第4の真空容器でp型半導体
層を順次堆積させた。n型半導体層とp型半導体層の堆
積の条件は表2に示すとおりであり、また、i型半導体
層の堆積の条件は上述の実施例1で表1により示したも
のと同じにした。また、その他の動作も実施例1と同様
である。このようにして作成したアモルファスシリコン
太陽電池に、AM値が1.5、光強度が100mW/c
m2の疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン
太陽電池の任意の40ヶ所において光電変換効率を測定
したところ、光電変換効率のばらつきは±4%以内にお
さまっていた。
実施例2において、前記排気口の開口の横幅Wが、前記
平行平板型電極113の横幅bより小さい排気口(内
部)111(W=450mm、W<b)かつ排気口(内
部)111の開口の縦幅hが、平行平板型電極113と
帯状の基体106との距離aより小さい排気口(内部)
111(h=30mm、h<a)の排気ダクト110を
設けることの他は同様にして、基体上にアモルファスシ
リコン太陽電池を形成した。その後、実施例2と同様に
して、AM値が1.5、光強度が100mW/cm2の
疑似太陽光を照射し、このアモルファスシリコン太陽電
池の任意の40ヶ所において光電変換効率を測定したと
ころ、光電変換効率のばらつきは±10%以上であっ
た。
帯状の基体510上に第2〜第4の真空容器502〜5
04の堆積膜形成時において、堆積膜形成空間の原料ガ
スの澱み領域がなくなるため、膜質および膜厚の均一な
堆積膜を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪
影響をもたらすと思われる副生成物(ポリシランet
c.)の発生を防ぐことができる。したがって、この堆
積膜形成装置をpin型接合を有するアモルファス光起
電力素子の作成に利用すると、大面積にわたって、各半
導体層の膜質および膜厚の均一性が向上し、優れたアモ
ルファス光起電力素子が得られることになることが確認
された。
ば、前記真空容器の放電容器内に、原料ガス排気口の開
口の横幅が、平行平板型電極の横幅より大きく、また前
記開口の縦幅が前記平行平板電極と基体の距離より大き
い原料ガス排気手段を設けることにより、ガスの流れが
受ける真空容器の側壁の粘性の影響を低減しつつ原料ガ
スを排気することが可能となる。このことにより、本発
明においては堆積膜形成時において、原料ガスの澱み領
域を無くすことができ、膜質および膜厚の均一な堆積膜
を形成することが可能になり、同時に堆積膜に悪影響を
もたらすと思われる副生成物(ポリシランetc.)の
発生を防ぐことができ、均一な膜質および膜厚の堆積膜
を形成することが可能になる。したがって、本発明の堆
積膜形成装置によれば、とりわけ、光起電力素子等の機
能性堆積膜を形成するに際して、大幅な変換効率の向上
が可能となる。
内に、原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の
幅より大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極
と基体の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放
電容器の上面概略図である。
原料ガス排気口の断面の幅が、平行平板型電極の幅より
大きく、かつ前記断面の高さが前記平行平板電極と基体
の距離より大きい原料ガス排気ダクトを設けた放電容器
の側面概略図である。
て用いた排気ダクトの概略図である。
1)において機能性堆積膜作製のために用いたロール・
ツー・ロール型プラズマCVD装置の模式的概略図であ
る。
ル作製のために用いたロール・ツー・ロール型プラズマ
CVD装置の模式的概略図である。
Claims (7)
- 【請求項1】真空容器内に、平行平板型電極と原料ガス
供給手段及び原料ガス排気手段が設けられた放電容器を
有し、該放電容器はその壁面の少なくとも一面が堆積膜
を形成するための基体によって構成され、該放電容器内
を排気しながらその内部に原料ガスを導入し、前記放電
容器内にプラズマを生起させることによって前記原料ガ
スを分解し、前記基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜
の形成装置において、 前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平行平板型電極
の横幅より大きい横幅の開口を有することを特徴とする
堆積膜形成装置。 - 【請求項2】前記原料ガス排気手段の排気口が、前記平
行平板型電極と前記基体の距離より大きい縦幅の開口を
有することを特徴とする請求項1に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項3】前記プラズマを生起させるエネルギーが、
高周波電力であることを特徴とする請求項1または請求
項2に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項4】前記堆積膜が、シリコン系非晶質の堆積膜
であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に
記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項5】前記平行平板型電極は、高さ調整が可能な
接合部を介して前記プラズマを生起させるための電力導
入部に接続されていることを特徴とする請求項1〜4の
いずれか1項に記載の堆積膜形成装置。 - 【請求項6】前記基体が長尺の帯状基板であり、前記放
電容器が複数の連続して配された放電容器で構成され、
該長尺の帯状基板を長手方向に連続的に移動させながら
該複数の連続した放電容器を通過させ、該複数の連続し
た放電容器内にプラズマを生起させて、該長尺の帯状基
板の表面上に連続的に堆積膜を形成することを特徴とす
る請求項1〜5のいずれか1項に記載の堆積膜形成装
置。 - 【請求項7】前記基体の一部が排気口内に存在しないよ
うに該基体を配置することを特徴とする請求項1〜6の
いずれか1項に記載の堆積膜形成装置。
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