TW201721798A - 壓環及半導體加工裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供的壓環及半導體加工裝置，其包括壓環本體，在該壓環本體的內環壁上，且沿其周向間隔設置有多固定部和多遮擋部，多固定部和多遮擋部相間排布，其中，固定部用於壓住晶片上表面的第一邊緣區域；遮擋部用於遮擋晶片上表面的第二邊緣區域。本發明提供的壓環，其可以解決晶片的側面或背面沉積有金屬鍍膜的問題，從而可以改善製程結果。

Description

壓環及半導體加工裝置
本發明涉及半導體製造領域，具體地，涉及一種壓環及半導體加工裝置。
在積體電路的製造過程中，通常採用物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，以下簡稱PVD）技術進行在晶片上沉積金屬層等材料的沉積製程。隨著矽通孔（Through Silicon Via ，以下簡稱TSV）技術的廣泛應用，PVD技術主要被應用於在矽通孔內沉積阻擋層和銅籽晶層。在進行矽通孔的沉積製程時，通常採用壓環（clamp ring）對晶片進行固定。
第1圖為現有的壓環在固定晶片後的俯視圖。請參閱第1圖，壓環包括環狀本體1，在該環狀本體1的內周壁上設置有多壓爪3，多壓爪3沿環狀本體1的周向間隔、且均勻分佈。各壓爪3壓住晶片2上表面的邊緣區域，從而實現對晶片2的固定。
第2A圖為第1圖中A區域的放大的局部剖視圖。第2B圖為第1圖中B區域的放大的局部剖視圖。請一併參閱第2A圖和第2B圖，A區域為壓環與晶片2之間具有壓爪3的壓爪區域；B區域為壓環與晶片2之間沒有壓爪3的非壓爪區域。由於壓環在B區域沒有壓住晶片2的邊緣區域，且與晶片2之間存在間隙，這使得在進行沉積製程的過程中，金屬離子（以金屬Al為例）會進入該間隙內，並最終沉積到晶片2的側面或背面，形成金屬鍍膜，這層金屬鍍膜會極大干擾後續製程，最終對製程結果造成影響。
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種壓環及半導體加工裝置，其可以解決晶片的側面或背面沉積有金屬鍍膜的問題，從而可以改善製程結果。
為實現本發明的目的而提供一種壓環，包括壓環本體，在該壓環本體的內環壁上，且沿其周向間隔設置有多固定部和多遮擋部，該多固定部和多遮擋部相間排布，其中，該固定部在該壓環對該晶片進行固定時，用於壓住晶片上表面的第一邊緣區域；該遮擋部在該壓環對該晶片進行固定時，用於遮擋晶片上表面的第二邊緣區域。
其中，在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部與該第二邊緣區域相對，且位於其上方。
其中，在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部壓住該第二邊緣區域。
其中，該遮擋部的尺寸遵循以下公式：其中，a為在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部的底面和該晶片的上表面之間的豎直間距；D為該晶片的直徑；d為該遮擋部的內徑。
其中，該遮擋部的底面和該晶片的上表面之間的豎直間距為0.3mm。
其中，該晶片的直徑與該遮擋部的內徑的差值的二分之一等於1mm。
其中，在該固定部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有凹部，用以減少該固定部與該晶片上表面的接觸面積。
其中，在該固定部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有第一凹部，用以減少該固定部與該晶片上表面的接觸面積；在該遮擋部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有第二凹部，用以減少該遮擋部與該晶片上表面的接觸面積。
作為另一技術方案，本發明還提供一種半導體加工裝置，包括製程腔室，在該製程腔室內設置有用於承載晶片的基座以及壓環，該壓環用於通過壓住該晶片上表面的邊緣區域，來將該晶片固定在該基座上，該壓環採用了本發明提供的上述任一壓環。
其中，該半導體加工裝置包括物理氣相沉積裝置，該物理氣相沉積裝置用於在該晶片上表面沉積Cu薄膜、Ti薄膜、Al薄膜、AlN薄膜、TiN薄膜、ITO薄膜、AlCu4 薄膜或者TiW薄膜。
其中，該半導體加工裝置包括蝕刻裝置或者預清洗裝置。
本發明具有以下有益效果： 本發明提供的壓環，其通過借助固定部壓住晶片上表面的第一邊緣區域，可以實現對晶片的固定。同時，通過借助遮擋部遮擋晶片上表面的第二邊緣區域（即，晶片上表面的邊緣區域中未被固定部覆蓋的部分），可以遮擋壓環本體與晶片之間的間隙，從而可以避免金屬離子通過該間隙濺鍍到晶片的側面或背面，進而可以改善製程結果。
本發明提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明提供的壓環，可以遮擋壓環本體與晶片之間的間隙，從而可以避免金屬離子通過該間隙濺鍍到晶片的側面或背面，進而可以改善製程結果。
為使本領域的技術人員更好地理解本發明的技術方案，下面結合附圖來對本發明提供的壓環及半導體加工裝置進行詳細描述。
第3圖為本發明第一實施例提供的壓環的仰視圖。請參閱第3圖，壓環包括壓環本體11，該壓環本體11呈閉合的環體結構，且在壓環本體11的內環壁上，且沿其周向間隔設置有多固定部121和多遮擋部122，多固定部121和多遮擋部122相間排布，也就是說，多固定部121和多遮擋部122沿壓環本體11的周向環繞壓環本體11而設置，且每每相鄰的兩個固定部121之間設置有一遮擋部122。
其中，第4A圖為第3圖中固定部的放大的局部剖視圖。請參閱第4A圖，當壓環對晶片13進行固定時，固定部121用於壓住晶片13上表面的第一邊緣區域，從而實現對晶片13的固定。具體來說，固定部121的內徑D2小於晶片13的直徑，且固定部121的底面與晶片13上表面的第一邊緣區域相接觸，該第一邊緣區域即為晶片13上的被固定部121覆蓋的區域。較佳的，在固定部121的底面（即與晶片13上表面相對的表面）的靠近壓環本體11的軸心的位置處形成有凹部123，該凹部123在晶片13的徑向上的寬度小於固定部121與晶片13的上表面相接觸的區域的寬度，即，該凹部123在晶片13的徑向上的寬度小於第一邊緣區域的寬度。通過設置凹部123，用以減少固定部121與晶片13的上表面的接觸面積，從而可以增大沉積在晶片13的上表面的金屬面積，進而可以改善製程結果。
第4B圖為第3圖中遮擋部的放大的局部剖視圖。請參閱第4B圖，遮擋部122用於遮擋晶片13的上表面的第二邊緣區域，該第二邊緣區域即為晶片13上表面的邊緣區域中未被固定部121覆蓋的部分。當壓環對晶片13進行固定時，該遮擋部122與第二邊緣區域相對，且位於其上方。由於壓環本體11的內環直徑D1大於晶片13的直徑，因而在壓環對晶片13進行固定時，晶片13與壓環本體11之間存在間隙，在這種情況下，遮擋部122相當於在該間隙上方形成一“屋簷”，可以起到遮擋壓環本體11與晶片13之間的間隙的作用。第4C圖為第3圖中遮擋部進行製程時的效果圖。如第4C圖所示，在進行沉積製程的過程中，在遮擋部122的遮擋作用下，金屬離子只會濺鍍到遮擋部122，而不會通過該間隙濺鍍到晶片13的側面或背面，從而可以改善製程結果。此外，通過使遮擋部122位於第二邊緣區域的上方，而不與該第二邊緣區域相貼合，可以在起到遮擋作用的前提下，不會增加與晶片13上表面的接觸面積，從而不會影響沉積在晶片13上表面的金屬面積。
較佳的，遮擋部122的尺寸遵循以下公式：其中，a為在壓環對晶片13進行固定時，遮擋部122的底面122a和晶片13的上表面之間的豎直間距；D為晶片13的直徑；d為遮擋部122的內徑D2。遮擋部122的尺寸通過遵循上述公式，可以保證金屬不會濺鍍到晶片13的側面或背面，其中，較佳1/7，1/8，1/9或1/10。另外，在上述範圍外，還可以選用，遮擋部122的底面122a和晶片13的上表面之間的豎直間距a的取值為0.3mm，晶片13的直徑D與遮擋部122的內徑D2的差值的二分之一等於1mm，即，，且b=1mm，其中b為晶片與遮擋部122重疊的部分的寬度。
第5A圖為本發明第二實施例提供的壓環的仰視圖。第5B圖為第5A圖中壓環的放大的局部剖視圖。請一併參閱第5A圖和第5B圖，本實施例提供的壓環包括壓環本體21，該壓環本體21呈閉合的環體結構，且在壓環本體21的內環壁上設置有環形疊壓部22，該環形疊壓部22呈閉合的環體結構，當壓環對晶片24進行固定時，該環形疊壓部22壓住晶片24的上表面的整個邊緣區域。
進一步說，與上述第一實施例相類似的，可以將上述環形疊壓部22視為由連為一體的多固定部和多遮擋部組成的，其中，本實施例中固定部的結構與上述第一實施例中固定部121的結構完全相同，用於壓住晶片24上表面的第一邊緣區域。而本實施例中的遮擋部的結構與上述第一實施例中的遮擋部122的結構不同，且區別僅在於：本實施例中的遮擋部壓住晶片上表面的第二邊緣區域，即，遮擋部的底面與晶片上表面的第二邊緣區域相接觸，這同樣可以實現對壓環本體21與晶片24之間的間隙的遮擋作用，從而可以避免有金屬離子通過該間隙濺鍍到晶片的側面或背面，進而可以改善製程結果。
較佳的，在上述環形疊壓部22的底面（即與晶片24上表面相對的表面）的靠近壓環本體21的軸心的位置處形成有凹部23，該凹部23在晶片24的徑向上的寬度小於環形疊壓部22與晶片24的上表面相接觸的區域的寬度，即，該凹部23在晶片24的徑向上的寬度小於第一邊緣區域的寬度。通過設置凹部23，用以減少環形疊壓部22與晶片24上表面的接觸面積，從而可以增大沉積在晶片24上表面的金屬面積，進而可以改善製程結果。
進一步說，若將上述環形疊壓部22視為由連為一體的多固定部和多遮擋部組成的，則對應地該環形凹部23可以視為由第一凹部和第二凹部組成的，其中，第一凹部設置在固定部的底面的靠近壓環本體21的軸心的位置處，用以減少該固定部與晶片24的上表面的接觸面積。第二凹部設置在遮擋部的底面的靠近壓環本體21的軸心的位置處，用以減少遮擋部與晶片24的上表面的接觸面積。
作為另一技術方案，本發明實施例還提供一種半導體加工裝置，其包括製程腔室，在該製程腔室內設置有用於承載晶片的基座以及壓環，其中，該壓環用於通過壓住晶片上表面的邊緣區域，來將晶片固定在基座上。而且，壓環可以採用本發明實施例提供的各種壓環之一。
在實際應用中，半導體加工裝置可以為物理氣相沉積裝置，該物理氣相沉積裝置用於在晶片上表面沉積Cu薄膜、Ti薄膜、Al薄膜、AlN薄膜、TiN薄膜、ITO薄膜、AlCu4 薄膜或者TiW薄膜。或者，半導體加工裝置還可以為蝕刻裝置或者預清洗裝置，用於對晶片進行蝕刻製程。
本發明實施例提供的半導體加工裝置，其通過採用本發明實施例提供的上述壓環，可以避免金屬濺鍍到晶片的側面或背面，從而可以改善製程結果。進一步地，當在固定部和/或遮擋部的底面設置凹部時，可以確保甚至增大沉積在晶片的上表面的金屬面積，從而進一步改善製程結果。
可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發明的原理而採用的示例性實施方式，然而本發明並不侷限於此。對於本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本發明的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發明的保護範圍。
1‧‧‧環狀本體
2、13、24‧‧‧晶片
3‧‧‧壓爪
11、21‧‧‧壓環本體
22‧‧‧環形疊壓部
23、123‧‧‧凹部
121‧‧‧固定部
122‧‧‧遮擋部
122a‧‧‧底面
a‧‧‧豎直間距
A、B‧‧‧區域
D、D1‧‧‧直徑
d、D2‧‧‧內徑
第1圖為現有的壓環在固定晶片後的俯視圖； 第2A圖為第1圖中A區域的放大的局部剖視圖； 第2B圖為第1圖中B區域的放大的局部剖視圖； 第3圖為本發明第一實施例提供的壓環的仰視圖； 第4A圖為第3圖中固定部的放大的局部剖視圖； 第4B圖為第3圖中遮擋部的放大的局部剖視圖； 第4C圖為第3圖中遮擋部進行製程時的效果圖； 第5A圖為本發明第二實施例提供的壓環的仰視圖；以及 第5B圖為第5A圖中壓環的放大的局部剖視圖。
11‧‧‧壓環本體
121‧‧‧固定部
122‧‧‧遮擋部
123‧‧‧凹部
D1‧‧‧直徑
D2‧‧‧內徑

Claims (11)

  1. 一種壓環，包括壓環本體，其特徵在於，在該壓環本體的內環壁上，且沿其周向間隔設置有多固定部和多遮擋部，該多固定部和多遮擋部相間排布，其中， 該固定部在該壓環對該晶片進行固定時，用於壓住晶片上表面的第一邊緣區域； 該遮擋部在該壓環對該晶片進行固定時，用於遮擋晶片上表面的第二邊緣區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的壓環，其特徵在於，在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部與該第二邊緣區域相對，且位於其上方。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的壓環，其特徵在於，在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部壓住該第二邊緣區域。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的壓環，其特徵在於，該遮擋部的尺寸遵循以下公式：其中，a為在該壓環對該晶片進行固定時，該遮擋部的底面和該晶片的上表面之間的豎直間距；D為該晶片的直徑；d為該遮擋部的內徑。
  5. 如申請專利範圍第2項所述的壓環，其特徵在於，該遮擋部的底面和該晶片的上表面之間的豎直間距為0.3mm。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的壓環，其特徵在於，該晶片的直徑與該遮擋部的內徑的差值的二分之一等於1mm。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的壓環，其特徵在於，在該固定部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有凹部，用以減少該固定部與該晶片上表面的接觸面積。
  8. 如申請專利範圍第3項所述的壓環，其特徵在於，在該固定部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有第一凹部，用以減少該固定部與該晶片上表面的接觸面積；在該遮擋部的底面的靠近壓環本體的軸心的位置處形成有第二凹部，用以減少該遮擋部與該晶片上表面的接觸面積。
  9. 一種半導體加工裝置，包括製程腔室，在該製程腔室內設置有用於承載晶片的基座以及壓環，該壓環用於通過壓住該晶片上表面的邊緣區域，來將該晶片固定在該基座上，其特徵在於，該壓環採用申請專利範圍第1項至第8項任一項所述的壓環。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體加工裝置，其特徵在於，該半導體加工裝置包括物理氣相沉積裝置，該物理氣相沉積裝置用於在該晶片上表面沉積Cu薄膜、Ti薄膜、Al薄膜、AlN薄膜、TiN薄膜、ITO薄膜、AlCu4 薄膜或者TiW薄膜。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的半導體加工裝置，其特徵在於，該半導體加工裝置包括蝕刻裝置或者預清洗裝置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681486B (zh) * 2017-06-19 2020-01-01 北京北方華創微電子裝備有限公司 進氣機構及預清洗腔室

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108060406B (zh) * 2018-01-29 2023-09-08 北京北方华创微电子装备有限公司 遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法
CN110660698B (zh) * 2018-06-28 2022-04-22 北京北方华创微电子装备有限公司 压环组件、工艺腔室和半导体处理设备

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6162336A (en) * 1999-07-12 2000-12-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Clamping ring design to reduce wafer sticking problem in metal deposition
US20040149226A1 (en) * 2003-01-30 2004-08-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate clamp ring with removable contract pads
JP5153307B2 (ja) * 2007-11-28 2013-02-27 ルネサスエレクトロニクス株式会社 ウエハ用クランプリング及び半導体装置の製造方法
KR20090069361A (ko) * 2007-12-26 2009-07-01 주식회사 동부하이텍 플라즈마 에칭 챔버의 클램프 링
CN201193242Y (zh) * 2008-04-30 2009-02-11 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 晶圆定位装置
CN202359191U (zh) * 2011-08-12 2012-08-01 上海集成电路研发中心有限公司 一种物理气相沉积设备的压环装置
CN104752274B (zh) * 2013-12-29 2017-12-19 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺腔室以及半导体加工设备
CN104851832B (zh) * 2014-02-18 2018-01-19 北京北方华创微电子装备有限公司 一种固定装置、反应腔室及等离子体加工设备
CN105331933B (zh) * 2014-08-13 2018-05-25 北京北方华创微电子装备有限公司 一种物理气相沉积方法
CN105506570B (zh) * 2014-10-16 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 一种压环组件及物理气相沉积设备
CN105586574B (zh) * 2014-10-20 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 一种承载装置及物理气相沉积设备
CN105655281B (zh) * 2014-11-13 2019-01-18 北京北方华创微电子装备有限公司 压环、承载装置及半导体加工设备
CN105609459B (zh) * 2014-11-14 2020-01-03 北京北方华创微电子装备有限公司 基片固定方法及装置、半导体加工设备
CN106158698A (zh) * 2015-04-24 2016-11-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 压环组件及半导体加工设备
CN204720433U (zh) * 2015-06-03 2015-10-21 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 卡环、承载装置及半导体加工设备
CN205062173U (zh) * 2015-10-21 2016-03-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种压环

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI681486B (zh) * 2017-06-19 2020-01-01 北京北方華創微電子裝備有限公司 進氣機構及預清洗腔室

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