JP6332556B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。まず、ウエハに半導体素子領域を形成する(ステップS1)。図2は、半導体素子領域12が形成されたウエハ10の断面図である。ウエハ10の材料は特に限定されないが例えばSiである。ウエハ10の表面側に半導体素子領域12が形成されている。半導体素子領域12は拡散層である。ステップS1では、半導体素子領域12に加えて、ウエハ10の表面側に、表面電極14と表面電極14の縁を覆う保護膜16を形成する。表面電極14の材料は例えばAl合金である。保護膜16の材料は例えばポリイミドである。
Claims (7)
- ウエハの裏面の中央部を研削しその後前記ウエハの裏面にウェットエッチングを施すことで、外周部に環状凸部を有するウエハを形成する薄化工程と、
前記ウエハの裏面に裏面電極を形成する工程と、
前記環状凸部の上の前記裏面電極に、めっき法により一様に金属膜を形成するめっき工程と、
前記金属膜にダイシングテープを貼り付ける貼付け工程と、
前記ダイシングテープが貼り付けられた前記ウエハをダイシングするダイシング工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記裏面電極はAl合金層であり、
前記めっき工程では、前記ウエハをジンケート処理液に浸漬させ前記Al合金層の表面にZnを置換析出させ、析出したZnを除去し、その後再び前記ウエハをジンケート処理液に浸漬させ前記Al合金層の表面にZnを置換析出させ、その後前記ウエハを無電解Niめっき液に浸漬することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ウエハを前記無電解Niめっき液に浸漬することで形成されるNi膜の厚さは2〜10μmであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記めっき工程では、前記ウエハを前記無電解Niめっき液に浸漬した後に、前記ウエハを無電解Auめっき液に浸漬させることを特徴とする請求項2又は3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ウエハを前記無電解Auめっき液に浸漬することで形成されるAu膜の厚さは20〜100nmであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Al合金層の厚みは1μm以上であることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記めっき工程では、前記ウエハを前記ジンケート処理液に浸漬する前に、前記ウエハをアルカリ性の脱脂液に浸漬させ、さらに塩酸に浸漬させることを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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