JPS63117445A - 半導体ウエハ−の加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ウェハーの加工方法に関するものである
。

〔従来の技術〕

半導体ウェハー径の大型化に伴ない半導体ウェハーの厚
さは割れや欠けを防止するために厚くなるが、半導体ウ
ェハーをＩＣチップに分離後パッケージに組込む際は、
パッケージの薄型化を図るためにＩＣチップ厚は薄いこ
とが望ましい。

そこで半導体ウェハーにＩＣを形成した後に半導体ウェ
ハー裏面の研磨を行ない、ウェハーの状態でＩＣの薄型
化加工を行なっている。

従来ＩＣにパン・プ（突起電極）を形成する場合には、
概略第３図に示すような工程で半導体ウェハーからＩＣ
チップ分離までの加工を行なっていた。尚、ＩＣ形成ま
での工程の図示は省略する。

ａ）ＩＣ形成工程終了 ｂ）グラインディング工程 半導体ウェハー１の裏面を機械研磨する。

Ｃ）パンピング工程 電解メッキによりＩＣにバンプ２を形成する。

ｄ）ダイシング工程 ｅ）プレイキング工程 半導体ウェハー１をＩＣチップ５に分離する。

という工程であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら従来の半導体ウェハーの加工方法では、バ
ンプ付ＩＣを製作する場合、裏面をグラインディングし
た後にパンピング及びダイシングを行なっているため、
半導体ウェハーを薄（研磨し過ぎるとパンピング工程あ
るいはダイシング工程で半導体ウェハーが割れてしまう
。特に半導体ウェハーが大口径であると割れやす（なる
。またグラインディング工程とパンピング工程の順序を
入れ変えて、パンピング工程の後にグラインディング工
程を行なうと、グラインディングの衝撃でバンプを破損
したり、バンプ高さのバラツキにより平行度が出ないと
いう問題点が生じる。

以上のような理由から半導体ウェハーの超薄型加工が不
可能であるという問題点があった。

本発明の目的は、パンピング工程あるいはダイシング工
程において半導体ウェハーが割れることな（超薄型加工
が可能な半導体ウェハーの加工方法を提供するものであ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、本発明では、半導体ウェハ
ーを所定の深さまでダイシングし、半導体ウェハー表面
に保護のためのワックスを塗布した後に半導体ウェハー
裏面を所定の厚さだけエツチングにより研磨する。

さらに半導体ウェハーをプレイキングしてＩＣチップに
分離する。

〔実施例〕

以下本発明の実施例を図面に基づいて詳述する。

本発明の第１災施例を第１図を参照しながら説明する。

第１図は本発明の第１実施例による半導体ウェハーの加
工方法を示す工程図であり、各工程では半導体ウェハー
の断面図を模式的に示している。

なお、第１実施例および第２実施例（後述する）では、
ａ）ＩＣ形成工程終了、までの工程は従来と同じである
。

ａ）ＩＣ形成工程終了 ｂ）パンピング工程 電解メッキによりＩＣにバンプ２を形成する。

Ｃ）ダイシング工程 半導体ウェハー１の表面からＩＣに沿って所定の深さま
で溝を入れる。

ｄ）ワックス塗布工程 半導体ウェハー１の表面をエツチング液４かも保護する
ためにワックス６を塗布する。

ｅ）エツチング工程 半導体ウェハー１をエツチング液４に浸し、所定の厚さ
になるまで半導体ウェハー１の裏面をエツチングする。

また第１図中には図示してないが、エツチング終了後半
導体ウェハー１を水で洗浄しエツチング液４を洗い流す
。

更に半導体ウェハー１を溶剤で洗浄し、表面のワックス
６を洗い流す。

ｆ）プレイキング工程 半導体ウェハー１をプレイキングして、ＩＣチップ５に
分離する。

上記実施例において半導体ウェハー１の表面保護のため
のワックス６はエツチング液４に対して耐性を有し、か
つ半導体ウェハー１の素子領域に悪影響を及ぼさず、ま
た特定の溶剤で容易に洗浄できる材料でなければならな
い。このようなワック゛ス材としては、ふっ素糸樹脂な
どが適当である。

またエツチング液４昏工半導体ウェハー１に対するエツ
チング速度が安定しており、かつ半導体ウェハー１内で
のエツチング加工量のバラツキが小さいことが必要であ
る。このようなエツチング液としては、例えば半導体ウ
ェハー１の材質がシリコンである場合は、ぶつ酸、硝酸
、酢酸の混酸等が適当である。

またエツチングの際は途中で半導体ウェハー１を揺動し
エツチング液４を光分に攪拌するか、あるいはエツチン
グ液４を半導体ウェハー１に垂直に吹きつけるような機
構とし、半導体ウェハー１内で均一なエツチングが進む
ようにする必要がある。

次に、本発明の第２実施例を第２図を参照しながら説明
する。第２図は第１図と同様に本発明による半導体ウェ
ハーの加工方法を示す工程図であリ、各工程では半導体
ウェハーの断面図を模式的に示している。

ａ）〜ｂ）の工程は第１実施例と同様であるので説明を
省略する。

Ｃ）ダイシング工程 半導体ウェハー１を所定の残厚までダイシングする。こ
のときダイシング残厚６はエツチングする厚みより薄く
しておく。

ｄ）ワックス塗布工程 半導体ウェハー１をワックス６で石英等の支持基板７に
固定する。ここでワックス３は半導体ウェハー１の表面
保護及び支持基板７との接着層の働きをする。

ｅ）エツチング工程 半導体ウェハー１を支持基板７ごとエツチング液４に浸
し、゛半導体ウェハー１が所定の厚さになるまで裏面を
エツチングする。

ダイシング残厚６はエツチングする厚さより薄いので、
エツチングが終了したとき半導体ウェハー１＆Ｘ　Ｉ　
Ｃチップ５に分離された状態で支持基板７に固定されて
いる。

更に第２図中には図示していないが、エツチング終了後
生導体ウェハー１を支持基板Ｚごと水で洗浄しエツチン
グ液４を洗い流す。

ｆ）ワックス洗浄工程 半導体ウェハー１を支持基板７ごと溶剤で洗浄する。所
定の厚さまでエツチングした時点で半導体ウェハー１は
ＩＣチップ５に分離されているので、接着層となってい
るワックス３を洗い流せばプレイキングを行なわずにＩ
Ｃチップ５が単体で得られる。

上記第２実施例では１．半導体ウェノ）−１の裏面のエ
ツチングとＩＣチップ５への分離が１工程で行なえ、ま
たＩＣチップ５側面には単結晶の弁開による欠けや突起
がな（平滑な切断面が得られる、という利点がある。

〔発明の効果〕

以上の説明で明らかなように、本発明によれば従来パン
ピング、ダイシング工程の前に行なっていた半導体ウェ
ハーの裏面研磨をこれらの工程の後に行ない、かつ機械
的なグラインディングではな（エツチングにより裏面研
磨を行なうので半導体ウェハーに機械的なダメージを与
えず割れを防止できる。

従って従来不可能であったバンブ付の半導体ウェハーの
超薄型加工が可能となるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を示す半導体ウェハーの加
工方法の工程図、第２図は本発明の第２実施例を示す工
程図、第３図は従来例を示す工程図である。 １・・・・・・半導体ウェハー、２・・・・・・バンプ
、６・・・・・・ワックス、　　　　４・・・・・・エ
ツチング液、５・・・・・・ＩＣチップ、　　　６・・
・・・・ダイシング残厚、７・・・・・・支持基板。 第　１　図 第　２　図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ＩＣの形成を終了した半導体ウェハーの加工方法にお
   いて、パンピング工程、ダイシング工程、半導体ウェハ
   ーのＩＣが形成された面に保護のためのワックスを塗布
   する工程、ワックスを塗布した半導体ウェハーをエッチ
   ング液中に浸漬し半導体ウェハーの裏面をエッチングす
   る工程、エッチングが終了した半導体ウェハーからエッ
   チング液及びワックスを洗い流す洗浄工程、半導体ウェ
   ハーをＩＣチップに分離する工程を有することを特徴と
   する半導体ウェハーの加工方法。