JPH06224299A - 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム - Google Patents
半導体ウェーハの分割方法及び分割システムInfo
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- JPH06224299A JPH06224299A JP2711593A JP2711593A JPH06224299A JP H06224299 A JPH06224299 A JP H06224299A JP 2711593 A JP2711593 A JP 2711593A JP 2711593 A JP2711593 A JP 2711593A JP H06224299 A JPH06224299 A JP H06224299A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- polishing
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 33
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 大型の半導体ウェーハであっても損傷なく、
薄くて小さいチップを形成できしかも裏面チッピングも
解消できるようにした、半導体ウェーハの分割方法及び
分割システムを得る。 【構成】 半導体ウェーハをチップに分割する分割方法
であって、半導体ウェーハをダイシングするダイシング
工程を遂行し、このダイシング工程の後に分割された半
導体ウェーハの裏面を研磨する研磨工程を遂行する。半
導体ウェーハを分割するダイシング装置と、このダイシ
ング装置によって分割された半導体ウェーハの裏面を研
磨する研磨装置とから成る。
薄くて小さいチップを形成できしかも裏面チッピングも
解消できるようにした、半導体ウェーハの分割方法及び
分割システムを得る。 【構成】 半導体ウェーハをチップに分割する分割方法
であって、半導体ウェーハをダイシングするダイシング
工程を遂行し、このダイシング工程の後に分割された半
導体ウェーハの裏面を研磨する研磨工程を遂行する。半
導体ウェーハを分割するダイシング装置と、このダイシ
ング装置によって分割された半導体ウェーハの裏面を研
磨する研磨装置とから成る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの分割
方法及び分割システムに関するものである。
方法及び分割システムに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄くて小さいチップを形成するに
は半導体ウェーハのダイシングに先立って裏面を研磨
し、所定の厚さになるまで研磨した後に半導体ウェーハ
をダイシングしてチップに分割していた。ところが、こ
の方法だと直径１５０ｍｍ、２００ｍｍ等の大型の半導
体ウェーハの場合、例えば３００μｍ程度に薄く研磨し
て仕上げると研磨後に破損、欠け等の損傷が生じ易くな
って取り扱いが難しくなる。又、半導体ウェーハをダイ
シングすると、裏面チッピングが生じるという難点もあ
る。
は半導体ウェーハのダイシングに先立って裏面を研磨
し、所定の厚さになるまで研磨した後に半導体ウェーハ
をダイシングしてチップに分割していた。ところが、こ
の方法だと直径１５０ｍｍ、２００ｍｍ等の大型の半導
体ウェーハの場合、例えば３００μｍ程度に薄く研磨し
て仕上げると研磨後に破損、欠け等の損傷が生じ易くな
って取り扱いが難しくなる。又、半導体ウェーハをダイ
シングすると、裏面チッピングが生じるという難点もあ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題点を解決するためになされ、特に大型の半導体
ウェーハであっても損傷なく、薄くて小さいチップを形
成できしかも裏面チッピングも解消できるようにする、
半導体ウェーハの分割方法及び分割システムを提供する
ことを課題としたものである。
来の問題点を解決するためになされ、特に大型の半導体
ウェーハであっても損傷なく、薄くて小さいチップを形
成できしかも裏面チッピングも解消できるようにする、
半導体ウェーハの分割方法及び分割システムを提供する
ことを課題としたものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を技術的に解決
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハをチ
ップに分割する分割方法であって、半導体ウェーハの裏
面を研磨するに先立ち、半導体ウェーハをダイシングす
るダイシング工程を遂行し、このダイシング工程の後に
分割された半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨工程を
遂行する半導体ウェーハの分割方法を要旨とするもので
ある。更に、半導体ウェーハを分割するダイシング装置
と、このダイシング装置によって分割された半導体ウェ
ーハの裏面を研磨する研磨装置とから成る半導体ウェー
ハの分割システムを要旨とするものである。
するための手段として、本発明は、半導体ウェーハをチ
ップに分割する分割方法であって、半導体ウェーハの裏
面を研磨するに先立ち、半導体ウェーハをダイシングす
るダイシング工程を遂行し、このダイシング工程の後に
分割された半導体ウェーハの裏面を研磨する研磨工程を
遂行する半導体ウェーハの分割方法を要旨とするもので
ある。更に、半導体ウェーハを分割するダイシング装置
と、このダイシング装置によって分割された半導体ウェ
ーハの裏面を研磨する研磨装置とから成る半導体ウェー
ハの分割システムを要旨とするものである。
【０００５】
【作 用】半導体ウェーハを先にダイシングし、そのダ
イシングにより分割された半導体ウェーハの裏面を研磨
する、つまりチップにしてからその裏面を薄く研磨する
ので大型の半導体ウェーハのまま裏面を研磨する必要が
なくなると共に、ダイシングによって生じる裏面チッピ
ングを研磨により除去することができる。
イシングにより分割された半導体ウェーハの裏面を研磨
する、つまりチップにしてからその裏面を薄く研磨する
ので大型の半導体ウェーハのまま裏面を研磨する必要が
なくなると共に、ダイシングによって生じる裏面チッピ
ングを研磨により除去することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
詳説する。図１において、１はチャックテーブルであ
り、ダイシングにより分割された半導体ウェーハ２がフ
レーム３を介して固定されている。
詳説する。図１において、１はチャックテーブルであ
り、ダイシングにより分割された半導体ウェーハ２がフ
レーム３を介して固定されている。
【０００７】前記半導体ウェーハ２は、図２に示すよう
に公知のダイシング装置（例えば特公平３−１１６０１
号公報）等で予めダイシングされてチップ４に分割され
ており、これらのチップ４はダイシング後に裏面４ａを
上にして前記フレーム３の粘着テープ５に貼着されてい
る。
に公知のダイシング装置（例えば特公平３−１１６０１
号公報）等で予めダイシングされてチップ４に分割され
ており、これらのチップ４はダイシング後に裏面４ａを
上にして前記フレーム３の粘着テープ５に貼着されてい
る。
【０００８】６は研磨砥石であり、前記チャックテーブ
ル１上にフレーム３を介して固定された半導体ウェーハ
２即ちチップ４の裏面４ａを研磨できるようにしてあ
る。このような研磨砥石６及びチャックテーブル１を含
む研磨装置７としては、例えば特公昭６４−３６２０号
公報に記載のもの等を使用することができる。
ル１上にフレーム３を介して固定された半導体ウェーハ
２即ちチップ４の裏面４ａを研磨できるようにしてあ
る。このような研磨砥石６及びチャックテーブル１を含
む研磨装置７としては、例えば特公昭６４−３６２０号
公報に記載のもの等を使用することができる。
【０００９】このようにして、半導体ウェーハ２を先に
ダイシング工程によってチップ４に分割し、ダイシング
後にこれらのチップ４を裏面４ａを上にして前記のよう
にフレーム３の粘着テープ５上に貼着し、そのフレーム
３を研磨装置７のチャックテーブル１上に固定し、研磨
砥石６でチップ４の裏面４ａを研磨する研磨工程を遂行
する。
ダイシング工程によってチップ４に分割し、ダイシング
後にこれらのチップ４を裏面４ａを上にして前記のよう
にフレーム３の粘着テープ５上に貼着し、そのフレーム
３を研磨装置７のチャックテーブル１上に固定し、研磨
砥石６でチップ４の裏面４ａを研磨する研磨工程を遂行
する。
【００１０】先にダイシング工程で半導体ウェーハ２を
ダイシングすると、通常図３に示すようにチップ４の裏
面４ａの周囲にはチッピング４ｂが発生するが、後の研
磨工程においてチップ４の裏面４ａが研磨されるため、
図４に示すように研磨されたチップ４′はチッピングが
綺麗に削り取られて消滅し、裏面チッピングの問題が解
消する。
ダイシングすると、通常図３に示すようにチップ４の裏
面４ａの周囲にはチッピング４ｂが発生するが、後の研
磨工程においてチップ４の裏面４ａが研磨されるため、
図４に示すように研磨されたチップ４′はチッピングが
綺麗に削り取られて消滅し、裏面チッピングの問題が解
消する。
【００１１】又、従来のように薄く研磨した大型の半導
体ウェーハを取り扱う必要がないので、半導体ウェーハ
が破損したり欠けたりする等の損傷を未然に防止するこ
とができる。
体ウェーハを取り扱う必要がないので、半導体ウェーハ
が破損したり欠けたりする等の損傷を未然に防止するこ
とができる。
【００１２】ダイシング後に裏面を上にしてチップを貼
り替える作業は、例えばダイシング後のフレームに別途
新しいフレームを被せてその粘着テープに、分割された
半導体ウェーハ（ダイシングされたチップ全部）を貼着
し、先に貼着されていたフレームの粘着テープを剥がせ
ば各チップの裏面が上になった状態で新フレームに簡単
に貼り替えることが可能である。ダイシング後のウェー
ハ即ちチップの裏面を研磨するには１つ１つ個別に行っ
ても良いが、生産性を高めるために複数個のチップを同
時に研磨するのが好ましい。
り替える作業は、例えばダイシング後のフレームに別途
新しいフレームを被せてその粘着テープに、分割された
半導体ウェーハ（ダイシングされたチップ全部）を貼着
し、先に貼着されていたフレームの粘着テープを剥がせ
ば各チップの裏面が上になった状態で新フレームに簡単
に貼り替えることが可能である。ダイシング後のウェー
ハ即ちチップの裏面を研磨するには１つ１つ個別に行っ
ても良いが、生産性を高めるために複数個のチップを同
時に研磨するのが好ましい。
【００１３】チップの貼り替え作業は適当な治具を用い
て行うことも可能であり、例えば図５はその一例を示す
もので、基板８の上面にチップ４を嵌め込むための収納
孔８ａが所定の間隔をあけて多数並設され、各収納孔８
ａの底面には図６に示すように複数の吸引孔８ｂが基板
８の底面に貫通させて並設されており、これらの吸引孔
８ｂはチャックテーブル１の吸引孔（図略）に連通させ
た構成にしてある。従って、各収納孔８ａにダイシング
後のチップ４をその裏面４ａを上にして嵌め込むと共
に、チャックテーブル１の吸引孔及び基板８の吸引孔８
ｂを介して吸引すると、チップ４を固定することができ
る。この際、固定されたチップ４は研磨工程のために基
板８の上面より突出するようにする。又、更に固定力を
高めるためにチップを基板８に水等で凍結固定しても良
い。
て行うことも可能であり、例えば図５はその一例を示す
もので、基板８の上面にチップ４を嵌め込むための収納
孔８ａが所定の間隔をあけて多数並設され、各収納孔８
ａの底面には図６に示すように複数の吸引孔８ｂが基板
８の底面に貫通させて並設されており、これらの吸引孔
８ｂはチャックテーブル１の吸引孔（図略）に連通させ
た構成にしてある。従って、各収納孔８ａにダイシング
後のチップ４をその裏面４ａを上にして嵌め込むと共
に、チャックテーブル１の吸引孔及び基板８の吸引孔８
ｂを介して吸引すると、チップ４を固定することができ
る。この際、固定されたチップ４は研磨工程のために基
板８の上面より突出するようにする。又、更に固定力を
高めるためにチップを基板８に水等で凍結固定しても良
い。
【００１４】このようにして治具９を用いてチップ４を
固定した後、前記と同様に研磨砥石６で研磨工程を遂行
し、チップ４の裏面４ａを研磨し所定の厚さに仕上げる
ことができる。
固定した後、前記と同様に研磨砥石６で研磨工程を遂行
し、チップ４の裏面４ａを研磨し所定の厚さに仕上げる
ことができる。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体ウェーハを先にダイシングして各チップに分割し
た後、そのチップの裏面を上にして研磨するようにした
ので、大型の半導体ウェーハを薄く研磨した後にダイシ
ングする必要がなくなり、半導体ウェーハの破損や欠け
等の損傷を未然に防止すると共に、チップの裏面チッピ
ングを防止できる等の優れた効果を奏する。
半導体ウェーハを先にダイシングして各チップに分割し
た後、そのチップの裏面を上にして研磨するようにした
ので、大型の半導体ウェーハを薄く研磨した後にダイシ
ングする必要がなくなり、半導体ウェーハの破損や欠け
等の損傷を未然に防止すると共に、チップの裏面チッピ
ングを防止できる等の優れた効果を奏する。
【図１】 本発明の一実施例を示す研磨工程の説明図で
ある。
ある。
【図２】 半導体ウェーハのダイシング後フレームの粘
着テープに貼着された状態を示す平面図である。
着テープに貼着された状態を示す平面図である。
【図３】 ダイシング後チップの裏面にチッピングが生
じた状態を示す斜視図である。
じた状態を示す斜視図である。
【図４】 チップの裏面を研磨してチッピングが消滅し
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
【図５】 チップを固定するための治具の実施例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図６】 その治具の使用状態を示す説明図である。
１…チャックテーブル ２…半導体ウェーハ ３…
フレーム ４…チップ ４ａ…裏面 ４ｂ…チッ
ピング ５…粘着テープ ６…研磨砥石 ７…研磨装置 ８…基板 ８ａ…収納孔 ８ｂ…
吸引孔 ９…治具
フレーム ４…チップ ４ａ…裏面 ４ｂ…チッ
ピング ５…粘着テープ ６…研磨砥石 ７…研磨装置 ８…基板 ８ａ…収納孔 ８ｂ…
吸引孔 ９…治具
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェーハをチップに分割する分割
方法であって、半導体ウェーハの裏面を研磨するに先立
ち、半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程を
遂行し、このダイシング工程の後に分割された半導体ウ
ェーハの裏面を研磨する研磨工程を遂行する半導体ウェ
ーハの分割方法。 - 【請求項２】 半導体ウェーハを分割するダイシング装
置と、このダイシング装置によって分割された半導体ウ
ェーハの裏面を研磨する研磨装置とから成る半導体ウェ
ーハの分割システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027115A JP2814176B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5027115A JP2814176B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224299A true JPH06224299A (ja) | 1994-08-12 |
| JP2814176B2 JP2814176B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=12212075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5027115A Expired - Lifetime JP2814176B2 (ja) | 1993-01-25 | 1993-01-25 | 半導体ウェーハの分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2814176B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001351890A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップの研削方法 |
| CN111571413A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-08-25 | 重庆水利电力职业技术学院 | 一种装饰材料加工用的自动抛光装置 |
| CN113454758A (zh) * | 2019-02-25 | 2021-09-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
| CN113471069A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-10-01 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552235A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Fastening of semiconductor wafer on substrate |
| JPS63117445A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体ウエハ−の加工方法 |
| JPS63261851A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-01-25 JP JP5027115A patent/JP2814176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5552235A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-16 | Toshiba Corp | Fastening of semiconductor wafer on substrate |
| JPS63117445A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体ウエハ−の加工方法 |
| JPS63261851A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-28 | Nec Corp | 半導体素子の製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2001351890A (ja) * | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | チップの研削方法 |
| JP4615095B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2011-01-19 | 株式会社ディスコ | チップの研削方法 |
| CN113454758A (zh) * | 2019-02-25 | 2021-09-28 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
| CN113454758B (zh) * | 2019-02-25 | 2024-04-26 | 三菱电机株式会社 | 半导体元件的制造方法 |
| CN111571413A (zh) * | 2020-06-02 | 2020-08-25 | 重庆水利电力职业技术学院 | 一种装饰材料加工用的自动抛光装置 |
| CN111571413B (zh) * | 2020-06-02 | 2021-04-27 | 重庆水利电力职业技术学院 | 一种装饰材料加工用的自动抛光装置 |
| CN113471069A (zh) * | 2021-05-10 | 2021-10-01 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2814176B2 (ja) | 1998-10-22 |
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