JP2001351890A - チップの研削方法 - Google Patents
チップの研削方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title abstract 10
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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Abstract
薄さまで高精度に研削できるようにする。 【解決手段】 被加工物25を保持するチャックテーブ
ル37と、チャックテーブル37に対峙して配設された
研削ホイール40を備えた研削手段35とから少なくと
も構成される研削装置30を用いてチップを研削して所
定の厚さに仕上げるチップの研削方法であって、少なく
ともチップの仕上げ厚さより厚く、研削前のチップの厚
さと略同じ厚さのリングフレームFを形成するリングフ
レーム形成工程と、リングフレームFの内部空領域にチ
ップCを収容しリングフレームF及びチップCに貼着部
材Tを貼着してリングフレームFとチップCとを一体に
する一体貼着工程と、チップCと一体になったリングフ
レームFをチャックテーブル37に保持するチャックテ
ーブル保持工程と、チャックテーブル37に保持された
リングフレームFとチップCとを研削手段35によって
研削する研削工程と、リングフレームFの厚さを計測し
て研削されたチップCの厚さを間接的に検出する厚さ検
出工程とから構成されるチップの研削方法を提供する。
Description
所望の厚さに仕上げる方法に関する。
パーソナルコンピュータ等の各種電子機器に使用されて
いるが、電子機器の軽量化、小型化、薄型化のために、
半導体チップをより薄く形成することが要求されてい
る。
ハの裏面を所望の厚さまで研削してからダイシングして
個々のチップを形成する通常の手法とは別に、半導体ウ
ェーハの裏面の研削前にその半導体ウェーハの表面にハ
ーフカットによりダイシング溝を形成しておき、そのダ
イシング溝に至るまで裏面を研削することにより個々の
チップに分割し、更に研削して個々のチップを所望の厚
さに仕上げる手法も開発されている。
うな手法が広く利用されているわけではないため、多く
のチップは比較的厚い状態でデバイスメーカー間等で流
通している。また、この手法を用いた場合には上記通常
の手法を用いた場合よりもチップの薄型化を図れるもの
の、チップの薄さの精度は不十分である場合が多い。
望の薄さまで高精度に研削することができるようにする
ことに課題を有している。
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持するチャ
ックテーブルと、チャックテーブルに対峙して配設され
た研削ホイールを備えた研削手段とから少なくとも構成
される研削装置を用いてチップを研削して所定の厚さに
仕上げるチップの研削方法であって、少なくともチップ
の仕上げ厚さより厚く、研削前のチップの厚さと略同じ
厚さのリングフレームを形成するリングフレーム形成工
程と、リングフレームの内部空領域にチップを収容しリ
ングフレーム及びチップに貼着部材を貼着してリングフ
レームとチップとを一体にする一体貼着工程と、チップ
と一体になったリングフレームをチャックテーブルに保
持するチャックテーブル保持工程と、チャックテーブル
に保持されたリングフレームとチップとを研削手段によ
って研削する研削工程と、リングフレームの厚さを計測
して研削されたチップの厚さを間接的に検出する厚さ検
出工程とから構成されるチップの研削方法を提供する。
テーブルに隣接して厚さ計測ゲージが配設され、厚さ計
測ゲージを用いてリングフレームの厚さを計測しながら
研削工程を遂行し、厚さ計測ゲージによって計測された
リングフレームの厚さの値が所定の値に達した際に、研
削工程を終了すること、リングフレームは、チップを構
成する部材と同質の部材によって形成されることを付加
的な要件とする。
て図面を参照して説明する。まず、図1に示す切削装置
10のカセット11に円形のウェーハWを収容し、搬出
入手段12によってウェーハWを仮置き領域13に搬出
する。そして、搬送手段14によってウェーハWが保持
テーブル15に搬送されて吸引保持される。
にX軸方向に移動可能であり、保持テーブル15に保持
されたウェーハWは、保持テーブル15が+X方向に移
動することによりアライメント手段16の直下に位置付
けられ、ここで切削すべき領域が検出されてから更に同
方向に移動することによって切削領域17に位置付けら
れる。
た切削手段19がY軸方向及びZ軸方向に移動可能に配
設されている。この切削手段19は、図2に示すよう
に、スピンドルハウジング20によって回転可能に支持
された回転スピンドル21に回転ブレード18が装着さ
れ、回転ブレード18の側部に切削水供給ノズル22が
配設された構成となっている。
は、図2に示すように、回転ブレード18の高速回転を
伴って切削手段19がY軸方向及びZ軸方向に運動し、
かつ、保持テーブル15が回転運動することによって回
転ブレード18によってリング状に切削され、リングフ
レームFとリングフレームFの内側に残存した不要ウェ
ーハW1とに分離し、不要ウェーハW1を除去すること
でリングフレームFとなる(リングフレーム形成工
程)。
リングフレームFの内側に形成された領域を内部空領域
23という。また、リングフレームFの厚さは、チップ
の仕上げ厚さより厚くしておくと共に、研削前のチップ
の厚さと略同じ厚さとしておく。なお、リングフレーム
Fは、径の異なる2つのコアードリルを用いて形成して
もよい。
Fの内部空領域23に研削しようとする複数のチップC
を収容し、底面側から貼着部材、例えば粘着テープTを
リングフレームF及びチップCに貼着することにより、
図4に示すように、チップCは、内部空領域23におい
て粘着テープTによって固定されてリングフレームFと
一体となる(一体貼着工程)。このように、粘着テープ
Tを介してチップCとリングフレームFとが一体になっ
たものを被研削物25とする。
25は、例えば図5に示す研削装置30に搬送される。
ここで、図5に示す研削装置30の基台31の端部から
は壁部32が起立して設けられており、この壁部32の
内側の面には一対のレール33が垂直方向に配設され、
レール33に沿って支持部34が上下動するのに追従し
て支持部34に取り付けられた研削手段35が上下動す
るよう構成されている。また、基台31上には、ターン
テーブル36が回転可能に配設され、更にターンテーブ
ル36上には被研削物25を保持するチャックテーブル
37が配設されている。
を有する回転スピンドル38の先端にマウンタ39が装
着され、更にその下部には研削ホイール40が装着され
ており、研削ホイール40の下部には研削砥石41が固
着され、回転スピンドル38の回転に伴って研削砥石4
1も回転する構成となっている。また、ターンテーブル
36の周囲には、チャックテーブル37に保持された被
加工物の厚さを計測する触針式の厚さ計測ゲージ42が
配設されている。
直方向にボールネジ43が配設されており、このボール
ネジ43には、パルスモータ44が連結されると共に、
壁部32を貫通して研削手段35と連結された支持部4
5に備えたナットが螺合しており、パルスモータ44の
駆動によりボールネジ43が回動するのに伴って支持部
45及びこれに連結された研削手段35が上下動する構
成となっている。
バ46を介して制御部47に接続されており、制御部4
7による制御の下でボールネジ43を回動させることに
よって研削手段35を上下動させる。また、支持部45
の垂直方向の位置は、リニアスケール48によって計測
され、その情報が制御部47に伝達されることによって
研削手段35の上下動が精密に制御される。
接続され、サーボドライバ49はチャックテーブル37
の下部に備えたエンコーダ50及びサーボモータ51に
接続されており、制御部47による制御の下でチャック
テーブル37が回転する。
も接続されており、厚さ計測ゲージ42による計測値に
基づいて研削手段35の上下動を精密に制御することが
できる構成となっている。
たように、被研削物25をチャックテーブル37に保持
させる(チャックテーブル保持工程)。そして、ターン
テーブル36を回転させて被研削物25を研削手段35
の直下に位置付け、チャックテーブル37をサーボモー
タ51によって回転させると共に、回転スピンドル38
を回転させつつ研削手段35を下降させていくと、回転
スピンドル38の高速回転に伴って研削砥石41が高速
回転すると共に、回転する研削砥石41が回転している
チップC及びリングフレームFの表面に接触して押圧力
が加えられることにより、その表面が研削砥石41によ
って研削され、チップC及びリングフレームFの厚さが
徐々に薄くなっていく(研削工程)。
ップが1つのフレームと一体となっていれば、複数のチ
ップを同時に研削することができるため、生産性が良好
となる。また、メーカーが異なるチップや種類の異なる
チップであっても、それらを1つのリングフレームの内
部空領域に収容して一度に研削することができるため、
他品種少量生産にも柔軟に対応することができる。
宜のタイミングでリングフレームFの厚さを計測する。
計測の際は、図7に示すように、厚さ計測ゲージ42に
備えた2本の計測アームのうち、一方の計測アーム43
の下端をリングフレームFの表面に接触させてリングフ
レームFの表面の高さを求めると共に、他方の計測アー
ム44の下端をチャックテーブル37の表面に接触させ
てチャックテーブル37の表面の高さを求める。そし
て、求めた2つの高さの差を算出すると、当該算出した
高さの差はリングフレームFの厚さとなる。
通の粘着テープTに貼着され、かつ研削砥石41によっ
て同時に研削されるため、リングフレームFの厚さとチ
ップCの厚さとは等しい。即ち、厚さ計測ゲージ42を
用いて求めたリングフレームFの厚さはチップCの厚さ
であるとみなすことができ、これによってチップCの厚
さを間接的に求めることができる(厚さ検出工程)。
の厚さとを厳密に一致させるためには、チップCとリン
グフレームFとが同質の部材によって形成されているこ
とが望ましい。例えば、研削しようとするチップがシリ
コンチップであれば、リングフレームFもシリコンウェ
ーハをリング状に切削して形成したものであることが望
ましい。
計測しながら研削を行うことによって、リングフレーム
Fの厚さが所望の厚さに達したときにチップCも所望の
厚さになったとみなして研削工程を終了することができ
るため、チップの厚さをより高精度に仕上げることがで
きる。
ことを確認すると、チャックテーブル37から図8に示
す研削後のリングフレームF1とチップC1とが一体と
なった被研削物25aを取り外し、更に、粘着テープT
から複数の研削後のチップC1をピックアップすること
により、図9に示すように、所望の厚さまで薄く研削さ
れた個々のチップC1となる。
プの研削方法によれば、チップの研削中でもチップの厚
さを測定することができるため、チップを高精度に所望
の厚さに仕上げることができる。
部空領域に収容して一体とした場合には、複数のチップ
を同時に研削することができるため、生産性が良好とな
る。
なるチップであっても、それらを1つのリングフレーム
の内部空領域に収容して一度に研削することができるた
め、他品種少量生産にも柔軟に対応することができる。
グフレーム形成工程に用いる切削装置の一例を示す斜視
図である。
ームが形成される様子を示す斜視図である。
貼着工程を示す斜視図である。
示す斜視図である。
工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
測する様子を示す斜視図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 被加工物を保持するチャックテーブル
と、該チャックテーブルに対峙して配設された研削ホイ
ールを備えた研削手段とから少なくとも構成される研削
装置を用いてチップを研削して所定の厚さに仕上げるチ
ップの研削方法であって、 少なくともチップの仕上げ厚さより厚く、研削前のチッ
プの厚さと略同じ厚さのリングフレームを形成するリン
グフレーム形成工程と、 該リングフレームの内部空領域にチップを収容し該リン
グフレーム及び該チップに貼着部材を貼着して該リング
フレームと該チップとを一体にする一体貼着工程と、 該チップと一体になったリングフレームを該チャックテ
ーブルに保持するチャックテーブル保持工程と、 該チャックテーブルに保持された該リングフレームと該
チップとを該研削手段によって研削する研削工程と、 該リングフレームの厚さを計測して研削されたチップの
厚さを間接的に検出する厚さ検出工程とから構成される
チップの研削方法。 - 【請求項2】 チャックテーブルに隣接して厚さ計測ゲ
ージが配設され、該厚さ計測ゲージを用いてリングフレ
ームの厚さを計測しながら研削工程を遂行し、該厚さ計
測ゲージによって計測された該リングフレームの厚さの
値が所定の値に達した際に、該研削工程を終了する請求
項1に記載のチップの研削方法。 - 【請求項3】 リングフレームは、チップを構成する部
材と同質の部材によって形成される請求項1または2に
記載のチップの研削方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000171930A JP4615095B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | チップの研削方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000171930A JP4615095B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | チップの研削方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001351890A true JP2001351890A (ja) | 2001-12-21 |
JP4615095B2 JP4615095B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=18674416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000171930A Expired - Lifetime JP4615095B2 (ja) | 2000-06-08 | 2000-06-08 | チップの研削方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4615095B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005294623A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2007222986A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JP2010074115A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ワーク分離方法及び切削加工装置 |
JP2010074114A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削加工方法 |
US7713106B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-05-11 | Disco Corporation | Device grinding method |
JP2012151156A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
DE102004044945B4 (de) * | 2003-09-26 | 2016-12-08 | Disco Corp. | Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers |
JP2018060912A (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2021040091A (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102023207122A1 (de) | 2022-08-02 | 2024-02-08 | Disco Corporation | Chipbehandlungsverfahren |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6274569A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | Toshiba Corp | 半導体素子の薄膜製造方法 |
JPH06224299A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム |
JPH08330260A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 研磨方法及びその装置 |
JP2000091285A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体物品の研削方法 |
-
2000
- 2000-06-08 JP JP2000171930A patent/JP4615095B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6274569A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-06 | Toshiba Corp | 半導体素子の薄膜製造方法 |
JPH06224299A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム |
JPH08330260A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-13 | Tokyo Electron Ltd | 研磨方法及びその装置 |
JP2000091285A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体物品の研削方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004044945B4 (de) * | 2003-09-26 | 2016-12-08 | Disco Corp. | Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers |
JP2005294623A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP4647228B2 (ja) * | 2004-04-01 | 2011-03-09 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP2007222986A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
US7713106B2 (en) | 2007-04-13 | 2010-05-11 | Disco Corporation | Device grinding method |
JP2010074115A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ワーク分離方法及び切削加工装置 |
JP2010074114A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-04-02 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 切削加工方法 |
JP2010052062A (ja) * | 2008-08-26 | 2010-03-11 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削方法 |
JP2012151156A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削方法 |
JP2018060912A (ja) * | 2016-10-05 | 2018-04-12 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2021040091A (ja) * | 2019-09-05 | 2021-03-11 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP7321848B2 (ja) | 2019-09-05 | 2023-08-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102023207122A1 (de) | 2022-08-02 | 2024-02-08 | Disco Corporation | Chipbehandlungsverfahren |
KR20240018368A (ko) | 2022-08-02 | 2024-02-13 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩의 처리 방법 |
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---|---|
JP4615095B2 (ja) | 2011-01-19 |
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A621 | Written request for application examination |
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