JP2001351890A - チップの研削方法 - Google Patents

チップの研削方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 比較的厚く形成された半導体チップを所望の
薄さまで高精度に研削できるようにする。 【解決手段】 被加工物25を保持するチャックテーブ
ル37と、チャックテーブル37に対峙して配設された
研削ホイール40を備えた研削手段35とから少なくと
も構成される研削装置30を用いてチップを研削して所
定の厚さに仕上げるチップの研削方法であって、少なく
ともチップの仕上げ厚さより厚く、研削前のチップの厚
さと略同じ厚さのリングフレームFを形成するリングフ
レーム形成工程と、リングフレームFの内部空領域にチ
ップCを収容しリングフレームF及びチップCに貼着部
材Tを貼着してリングフレームFとチップCとを一体に
する一体貼着工程と、チップCと一体になったリングフ
レームFをチャックテーブル37に保持するチャックテ
ーブル保持工程と、チャックテーブル37に保持された
リングフレームFとチップCとを研削手段35によって
研削する研削工程と、リングフレームFの厚さを計測し
て研削されたチップCの厚さを間接的に検出する厚さ検
出工程とから構成されるチップの研削方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップを研削して
所望の厚さに仕上げる方法に関する。
【0002】
【従来の技術】メモリ等の半導体チップは、携帯電話、
パーソナルコンピュータ等の各種電子機器に使用されて
いるが、電子機器の軽量化、小型化、薄型化のために、
半導体チップをより薄く形成することが要求されてい
る。
【0003】かかる要求に応えるために、半導体ウェー
ハの裏面を所望の厚さまで研削してからダイシングして
個々のチップを形成する通常の手法とは別に、半導体ウ
ェーハの裏面の研削前にその半導体ウェーハの表面にハ
ーフカットによりダイシング溝を形成しておき、そのダ
イシング溝に至るまで裏面を研削することにより個々の
チップに分割し、更に研削して個々のチップを所望の厚
さに仕上げる手法も開発されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな手法が広く利用されているわけではないため、多く
のチップは比較的厚い状態でデバイスメーカー間等で流
通している。また、この手法を用いた場合には上記通常
の手法を用いた場合よりもチップの薄型化を図れるもの
の、チップの薄さの精度は不十分である場合が多い。
【0005】従って、比較的厚く形成されたチップを所
望の薄さまで高精度に研削することができるようにする
ことに課題を有している。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持するチャ
ックテーブルと、チャックテーブルに対峙して配設され
た研削ホイールを備えた研削手段とから少なくとも構成
される研削装置を用いてチップを研削して所定の厚さに
仕上げるチップの研削方法であって、少なくともチップ
の仕上げ厚さより厚く、研削前のチップの厚さと略同じ
厚さのリングフレームを形成するリングフレーム形成工
程と、リングフレームの内部空領域にチップを収容しリ
ングフレーム及びチップに貼着部材を貼着してリングフ
レームとチップとを一体にする一体貼着工程と、チップ
と一体になったリングフレームをチャックテーブルに保
持するチャックテーブル保持工程と、チャックテーブル
に保持されたリングフレームとチップとを研削手段によ
って研削する研削工程と、リングフレームの厚さを計測
して研削されたチップの厚さを間接的に検出する厚さ検
出工程とから構成されるチップの研削方法を提供する。
【0007】そしてこのチップの研削方法は、チャック
テーブルに隣接して厚さ計測ゲージが配設され、厚さ計
測ゲージを用いてリングフレームの厚さを計測しながら
研削工程を遂行し、厚さ計測ゲージによって計測された
リングフレームの厚さの値が所定の値に達した際に、研
削工程を終了すること、リングフレームは、チップを構
成する部材と同質の部材によって形成されることを付加
的な要件とする。
【0008】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態の一例につい
て図面を参照して説明する。まず、図1に示す切削装置
10のカセット11に円形のウェーハWを収容し、搬出
入手段12によってウェーハWを仮置き領域13に搬出
する。そして、搬送手段14によってウェーハWが保持
テーブル15に搬送されて吸引保持される。
【0009】保持テーブル15は、回転可能であると共
にX軸方向に移動可能であり、保持テーブル15に保持
されたウェーハWは、保持テーブル15が+X方向に移
動することによりアライメント手段16の直下に位置付
けられ、ここで切削すべき領域が検出されてから更に同
方向に移動することによって切削領域17に位置付けら
れる。
【0010】切削領域17には回転ブレード18を備え
た切削手段19がY軸方向及びZ軸方向に移動可能に配
設されている。この切削手段19は、図2に示すよう
に、スピンドルハウジング20によって回転可能に支持
された回転スピンドル21に回転ブレード18が装着さ
れ、回転ブレード18の側部に切削水供給ノズル22が
配設された構成となっている。
【0011】保持テーブル15に保持されたウェーハW
は、図2に示すように、回転ブレード18の高速回転を
伴って切削手段19がY軸方向及びZ軸方向に運動し、
かつ、保持テーブル15が回転運動することによって回
転ブレード18によってリング状に切削され、リングフ
レームFとリングフレームFの内側に残存した不要ウェ
ーハW1とに分離し、不要ウェーハW1を除去すること
でリングフレームFとなる(リングフレーム形成工
程)。
【0012】ここで、不要ウェーハW1を除去した後に
リングフレームFの内側に形成された領域を内部空領域
23という。また、リングフレームFの厚さは、チップ
の仕上げ厚さより厚くしておくと共に、研削前のチップ
の厚さと略同じ厚さとしておく。なお、リングフレーム
Fは、径の異なる2つのコアードリルを用いて形成して
もよい。
【0013】次に、図3に示すように、リングフレーム
Fの内部空領域23に研削しようとする複数のチップC
を収容し、底面側から貼着部材、例えば粘着テープTを
リングフレームF及びチップCに貼着することにより、
図4に示すように、チップCは、内部空領域23におい
て粘着テープTによって固定されてリングフレームFと
一体となる(一体貼着工程)。このように、粘着テープ
Tを介してチップCとリングフレームFとが一体になっ
たものを被研削物25とする。
【0014】一体貼着工程によって形成された被研削物
25は、例えば図5に示す研削装置30に搬送される。
ここで、図5に示す研削装置30の基台31の端部から
は壁部32が起立して設けられており、この壁部32の
内側の面には一対のレール33が垂直方向に配設され、
レール33に沿って支持部34が上下動するのに追従し
て支持部34に取り付けられた研削手段35が上下動す
るよう構成されている。また、基台31上には、ターン
テーブル36が回転可能に配設され、更にターンテーブ
ル36上には被研削物25を保持するチャックテーブル
37が配設されている。
【0015】研削手段35においては、垂直方向の軸心
を有する回転スピンドル38の先端にマウンタ39が装
着され、更にその下部には研削ホイール40が装着され
ており、研削ホイール40の下部には研削砥石41が固
着され、回転スピンドル38の回転に伴って研削砥石4
1も回転する構成となっている。また、ターンテーブル
36の周囲には、チャックテーブル37に保持された被
加工物の厚さを計測する触針式の厚さ計測ゲージ42が
配設されている。
【0016】図6に示すように、壁部32の裏側には垂
直方向にボールネジ43が配設されており、このボール
ネジ43には、パルスモータ44が連結されると共に、
壁部32を貫通して研削手段35と連結された支持部4
5に備えたナットが螺合しており、パルスモータ44の
駆動によりボールネジ43が回動するのに伴って支持部
45及びこれに連結された研削手段35が上下動する構
成となっている。
【0017】パルスモータ44は、パルスモータドライ
バ46を介して制御部47に接続されており、制御部4
7による制御の下でボールネジ43を回動させることに
よって研削手段35を上下動させる。また、支持部45
の垂直方向の位置は、リニアスケール48によって計測
され、その情報が制御部47に伝達されることによって
研削手段35の上下動が精密に制御される。
【0018】また、制御部47はサーボドライバ49に
接続され、サーボドライバ49はチャックテーブル37
の下部に備えたエンコーダ50及びサーボモータ51に
接続されており、制御部47による制御の下でチャック
テーブル37が回転する。
【0019】更に、制御部47は厚さ計測ゲージ42に
も接続されており、厚さ計測ゲージ42による計測値に
基づいて研削手段35の上下動を精密に制御することが
できる構成となっている。
【0020】この研削装置30においては、図5に示し
たように、被研削物25をチャックテーブル37に保持
させる(チャックテーブル保持工程)。そして、ターン
テーブル36を回転させて被研削物25を研削手段35
の直下に位置付け、チャックテーブル37をサーボモー
タ51によって回転させると共に、回転スピンドル38
を回転させつつ研削手段35を下降させていくと、回転
スピンドル38の高速回転に伴って研削砥石41が高速
回転すると共に、回転する研削砥石41が回転している
チップC及びリングフレームFの表面に接触して押圧力
が加えられることにより、その表面が研削砥石41によ
って研削され、チップC及びリングフレームFの厚さが
徐々に薄くなっていく(研削工程)。
【0021】このとき、本実施の形態のように複数のチ
ップが1つのフレームと一体となっていれば、複数のチ
ップを同時に研削することができるため、生産性が良好
となる。また、メーカーが異なるチップや種類の異なる
チップであっても、それらを1つのリングフレームの内
部空領域に収容して一度に研削することができるため、
他品種少量生産にも柔軟に対応することができる。
【0022】研削中は、厚さ計測ゲージ42を用いて適
宜のタイミングでリングフレームFの厚さを計測する。
計測の際は、図7に示すように、厚さ計測ゲージ42に
備えた2本の計測アームのうち、一方の計測アーム43
の下端をリングフレームFの表面に接触させてリングフ
レームFの表面の高さを求めると共に、他方の計測アー
ム44の下端をチャックテーブル37の表面に接触させ
てチャックテーブル37の表面の高さを求める。そし
て、求めた2つの高さの差を算出すると、当該算出した
高さの差はリングフレームFの厚さとなる。
【0023】また、チップC及びリングフレームFは共
通の粘着テープTに貼着され、かつ研削砥石41によっ
て同時に研削されるため、リングフレームFの厚さとチ
ップCの厚さとは等しい。即ち、厚さ計測ゲージ42を
用いて求めたリングフレームFの厚さはチップCの厚さ
であるとみなすことができ、これによってチップCの厚
さを間接的に求めることができる(厚さ検出工程)。
【0024】なお、チップCの厚さとリングフレームF
の厚さとを厳密に一致させるためには、チップCとリン
グフレームFとが同質の部材によって形成されているこ
とが望ましい。例えば、研削しようとするチップがシリ
コンチップであれば、リングフレームFもシリコンウェ
ーハをリング状に切削して形成したものであることが望
ましい。
【0025】このようにしてリングフレームFの厚さを
計測しながら研削を行うことによって、リングフレーム
Fの厚さが所望の厚さに達したときにチップCも所望の
厚さになったとみなして研削工程を終了することができ
るため、チップの厚さをより高精度に仕上げることがで
きる。
【0026】そして、チップが所望の厚さに仕上がった
ことを確認すると、チャックテーブル37から図8に示
す研削後のリングフレームF1とチップC1とが一体と
なった被研削物25aを取り外し、更に、粘着テープT
から複数の研削後のチップC1をピックアップすること
により、図9に示すように、所望の厚さまで薄く研削さ
れた個々のチップC1となる。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プの研削方法によれば、チップの研削中でもチップの厚
さを測定することができるため、チップを高精度に所望
の厚さに仕上げることができる。
【0028】また、複数のチップを1つのフレームの内
部空領域に収容して一体とした場合には、複数のチップ
を同時に研削することができるため、生産性が良好とな
る。
【0029】更に、メーカーが異なるチップや種類の異
なるチップであっても、それらを1つのリングフレーム
の内部空領域に収容して一度に研削することができるた
め、他品種少量生産にも柔軟に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るチップの研削方法を構成するリン
グフレーム形成工程に用いる切削装置の一例を示す斜視
図である。
【図2】同リングフレーム形成工程によってリングフレ
ームが形成される様子を示す斜視図である。
【図3】本発明に係るチップの研削方法を構成する一体
貼着工程を示す斜視図である。
【図4】同一体貼着工程によって形成された被研削物を
示す斜視図である。
【図5】本発明に係るチップの研削工程を構成する研削
工程に用いる研削装置の一例を示す斜視図である。
【図6】同研削装置の構成を示す説明図である。
【図7】同研削装置においてリングフレームの厚さを計
測する様子を示す斜視図である。
【図8】研削後の被研削物を示す斜視図である。
【図9】研削後のチップを示す斜視図である。
【符号の説明】
10…切削装置 11…カセット 12…搬出入手段 13…仮置き領域 14…搬送手段 15…保持テーブル 16…アライメント手段 17…切削領域 18…回転ブレード 19…切削手段 20…スピンドルハウジング 21…回転スピンドル 22…切削水供給ノズル 23…内部空領域 25…被研削物 30…研削装置 31…基台 32…壁部 33…レール 34…支持部 35…研削手段 36…ターンテーブル 37…チャックテーブル 38…回転スピンドル 39…マウンタ 40…研削ホイール 41…研削砥石 42…厚さ計測ゲージ… 43…ボールネジ 44…パルスモータ 45…支持部 46…パルスモータドライバ 47…制御部 48…リニアスケール 49…サーボドライバ 50…エンコーダ 51…サーボモータ W…ウェーハ F…リングフレーム T…粘着テープ C…チップ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被加工物を保持するチャックテーブル
    と、該チャックテーブルに対峙して配設された研削ホイ
    ールを備えた研削手段とから少なくとも構成される研削
    装置を用いてチップを研削して所定の厚さに仕上げるチ
    ップの研削方法であって、 少なくともチップの仕上げ厚さより厚く、研削前のチッ
    プの厚さと略同じ厚さのリングフレームを形成するリン
    グフレーム形成工程と、 該リングフレームの内部空領域にチップを収容し該リン
    グフレーム及び該チップに貼着部材を貼着して該リング
    フレームと該チップとを一体にする一体貼着工程と、 該チップと一体になったリングフレームを該チャックテ
    ーブルに保持するチャックテーブル保持工程と、 該チャックテーブルに保持された該リングフレームと該
    チップとを該研削手段によって研削する研削工程と、 該リングフレームの厚さを計測して研削されたチップの
    厚さを間接的に検出する厚さ検出工程とから構成される
    チップの研削方法。
  2. 【請求項2】 チャックテーブルに隣接して厚さ計測ゲ
    ージが配設され、該厚さ計測ゲージを用いてリングフレ
    ームの厚さを計測しながら研削工程を遂行し、該厚さ計
    測ゲージによって計測された該リングフレームの厚さの
    値が所定の値に達した際に、該研削工程を終了する請求
    項1に記載のチップの研削方法。
  3. 【請求項3】 リングフレームは、チップを構成する部
    材と同質の部材によって形成される請求項1または2に
    記載のチップの研削方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294623A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP2007222986A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP2010052062A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法
JP2010074115A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分離方法及び切削加工装置
JP2010074114A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd 切削加工方法
US7713106B2 (en) 2007-04-13 2010-05-11 Disco Corporation Device grinding method
JP2012151156A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
DE102004044945B4 (de) * 2003-09-26 2016-12-08 Disco Corp. Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers
JP2018060912A (ja) * 2016-10-05 2018-04-12 株式会社ディスコ 加工方法
JP2021040091A (ja) * 2019-09-05 2021-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102023207122A1 (de) 2022-08-02 2024-02-08 Disco Corporation Chipbehandlungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6274569A (ja) * 1985-09-28 1987-04-06 Toshiba Corp 半導体素子の薄膜製造方法
JPH06224299A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム
JPH08330260A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Tokyo Electron Ltd 研磨方法及びその装置
JP2000091285A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体物品の研削方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6274569A (ja) * 1985-09-28 1987-04-06 Toshiba Corp 半導体素子の薄膜製造方法
JPH06224299A (ja) * 1993-01-25 1994-08-12 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウェーハの分割方法及び分割システム
JPH08330260A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Tokyo Electron Ltd 研磨方法及びその装置
JP2000091285A (ja) * 1998-09-08 2000-03-31 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体物品の研削方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004044945B4 (de) * 2003-09-26 2016-12-08 Disco Corp. Verfahren zum Verarbeiten eines Wafers
JP2005294623A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP4647228B2 (ja) * 2004-04-01 2011-03-09 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2007222986A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
US7713106B2 (en) 2007-04-13 2010-05-11 Disco Corporation Device grinding method
JP2010074115A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分離方法及び切削加工装置
JP2010074114A (ja) * 2008-08-21 2010-04-02 Tokyo Seimitsu Co Ltd 切削加工方法
JP2010052062A (ja) * 2008-08-26 2010-03-11 Disco Abrasive Syst Ltd 研削方法
JP2012151156A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
JP2018060912A (ja) * 2016-10-05 2018-04-12 株式会社ディスコ 加工方法
JP2021040091A (ja) * 2019-09-05 2021-03-11 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7321848B2 (ja) 2019-09-05 2023-08-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
DE102023207122A1 (de) 2022-08-02 2024-02-08 Disco Corporation Chipbehandlungsverfahren
KR20240018368A (ko) 2022-08-02 2024-02-13 가부시기가이샤 디스코 칩의 처리 방법

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