JP2005294623A - ウェーハの加工方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】薄く形成されたウェーハであっても、加工時に容易に取り扱うことができるようにする。
【解決手段】ウェーハWの表面のうち、デバイスが形成されていない外周余剰領域に環状保護部材12を接合し、その状態で表面側を保持して裏面Wbを研削する。環状保護部材12によって外周が補強されているため、研削により薄くなった後も取り扱いが容易となる。
【選択図】図2

Description

本発明は、薄く形成されたウェーハの取り扱いを容易とするためのウェーハの加工方法に関するものである。
IC、LSI等のデバイスが表面側に複数形成されたウェーハは、ダイシング装置等を用いて個々のデバイスに分割され、各種電子機器に組み込まれて広く使用されている。そして、電子機器の小型化、軽量化等を図るために、個々のデバイスに分割される前のウェーハは、裏面が研削され、その厚みが例えば100μm〜50μmになるように形成される。
ところが、研削によりウェーハが薄くなると、剛性がなくなるために、その後の工程での取り扱いが困難となる。例えばプローブテストのために、ウェーハの裏面に金、銀、チタン等からなる金属膜を被覆することが困難となり、デバイスの電気的試験も困難となる。そこで、ウェーハの表面に支持体を接着させた状態で裏面の研削を行う手法も提案されている(例えば特許文献1、特許文献2参照)。
特開2004−22634号公報 特開2003―209083号公報
しかしながら、ウェーハの表面に支持体を接着すると、後にその支持体を剥離する必要があり、剥離した後も表面に形成されたデバイスに接着剤が残存することがあるという問題があり、接着剤を完全に取り除くためには煩雑な作業を要し、この点においても取り扱いが困難となる。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、研削により薄くなったウェーハを安定的に支持し、煩雑な作業も不要としてその後の加工時の取り扱いを容易とすることである。
本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とから表面が構成されるウェーハの裏面を加工するウェーハの加工方法であって、外周余剰領域に環状保護部材を接合する保護部材接合工程と、環状保護部材が接合されたウェーハの表面側を研削装置のチャックテーブルにおいて保持して該ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程とから少なくとも構成されることを特徴としている。
保護部材接合工程においては、外周余剰領域と環状保護部材とをボンドレスの接合により一体とすることが望ましい。ボンドレスの接合には、陽極接合、SOI接合、共有接合等がある。
裏面研削工程の後には、表面に環状保護部材が接合されたウェーハの裏面に膜を形成する膜形成工程と、デバイスのプローブテストを行うテスト工程とが遂行されることもある。また、ウェーハをデバイスごとに分割する分割工程が含まれることもある。分割工程が行われる場合は、その前に、環状保護部材の内周に沿ってウェーハを切断して外周余剰領域をデバイス領域から分離させる外周余剰領域分離工程が遂行されることがある。
環状保護部材は、ガラス、シリコン、セラミックスのいずれかにより形成されることが望ましいが、これらに限定されるものではない。
本発明においては、ウェーハの表面の外周余剰領域に環状保護部材を接合し、その状態で表面側を保持して裏面を研磨することとしたため、表面のデバイス領域に接着剤等を付着させずに、かつデバイス領域を保護しながら研削を行うことができ、研削により薄くなったウェーハが環状保護部材と一体となったままの状態で後の工程が遂行されることにより、剛性がなくなったウェーハでも取り扱いが容易となる。そして、デバイス領域には何も接合されず、接着剤等も付着しないため、後に接着剤等を取り除くことも不要であり、この点でも後の取り扱いが容易となる。
また、環状保護部材がボンドレスの接合によりウェーハと一体化されるため、裏面に金属を被覆する際に、例えば350°C以上のような高温にさらされても十分に耐えることができ、金属膜の形成を円滑に行うことができる。ボンドレスの接合として、陽極接合、SOI接合、共有接合のいずれかを用いることにより、ウェーハ及び環状保護部材の材料
に合わせて適切な接合方法を選択できる。そして、ウェーハの裏面に金属膜を形成することができれば、その後のプローブテストも円滑に行うことができる。
更に、本発明に分割工程が含まれる場合は、環状保護部材及び外周余剰領域を除去してから分割工程を遂行してもよいが、環状保護部材及び外周余剰領域を除去しないで遂行することもでき、効率的である。
図1に示すウェーハWの表面Waには多数のデバイスDが形成されており、デバイス間を仕切るストリートSを縦横に切断することにより、個々のデバイスごとのチップとなる。ウェーハWの表面Waは、デバイスが形成されている領域であるデバイス領域10と、デバイス領域を囲繞しデバイスが形成されていない外周余剰領域11とから構成されている。
ウェーハWを所望の厚みに形成するためには裏面を研削する必要があるが、その前に、図2に示すように、ウェーハWの表面Waにおける外周余剰領域11に環状保護部材12を接合し、図3及び図4に示すように、ウェーハWと環状保護部材12とが一体となった状態とする(保護部材接合工程)。環状保護部材12の外径は、ウェーハWの外径と等しくてもよいし、ウェーハWの外径より2〜3mm大きくてもよい。ここでの接合は、接着剤を使用せずに(ボンドレスにより)、例えば、陽極接合、SOI接合、共有接合等によって行う。接着剤を用いずに一体とするため、後に環状保護部材12を剥離する必要もなく、接着剤が残存することもない。
陽極接合による場合は、例えば、ウェーハWの表面Wa及び環状保護部材12の接合面を予め鏡面加工しておき、それらを重ね合わせ、圧着しながら200°C〜300°C程度に加熱し、ウェーハW側を陽極として環状保護部材12との間に数百ボルトの高電圧を付加し、静電引力により界面で両者を化学結合させる。ウェーハWの表面Waは、必ずしも全面を鏡面加工する必要はなく、少なくとも環状保護部材12が接合される外周余剰領域11が鏡面加工されればよい。陽極接合による場合の環状保護部材12としては、ガラス、セラミックスを用いることが可能である。また、環状保護部材12としてシリコンを用いることもできる。この場合は、高温下では接合できないこともあるため、環状保護部材12の接合面に低融点ガラスを塗布し、低融点ガラスを介してウェーハWの外周余剰領域11と環状保護部材12とを陽極接合する。
SOI接合による場合は、少なくともウェーハWの外周余剰領域11と環状保護部材12の接合面とを予め鏡面加工すると共に、薄いSiO2を成膜し、数百°Cにてアニールを行うことにより、OH基を介して接合する。
共有接合による場合には、少なくともウェーハWの外周余剰領域11を鏡面加工すると共に、ウェーハWと同素材の環状保護部材12の接合面を鏡面加工し、両者を1000°C程度で圧着する。
このようにしてウェーハWと環状保護部材12とが接合された後に、図5に示すように、ダミーウェーハ13を環状保護部材12の内周側に挿入する。ダミーウェーハ13は、環状保護部材12とほぼ同様の厚みを有しており、タック力を有するテープが表面に貼着されていることが好ましい。また、ダミーウェーハ13には、図示の例のように、吸引用の貫通孔14を備えていることが好ましい。
ダミーウェーハ13が環状保護部材12の内周側に挿入され貼着されると、図6に示す状態となる。この状態では、表面Waのデバイス領域10がダミーウェーハ13によって保護されている。なお、図7において拡大して示すように、ウェーハWの外周は、通常は断面が円弧状になるように面取りされている。
図6及び図7に示したように、外周余剰領域11に環状保護部材12が接合されると共にその内周側にダミーウェーハ13が挿入されたウェーハWは、例えば図8に示す研削装置20において裏面Wbが研削される。この研削装置20は、ウェーハを保持するチャックテーブル21と、チャックテーブル21に保持されたウェーハを研削する研削手段22と、研削手段22を研削送りする送り手段23とを備えている。
チャックテーブル21は、移動基台210によって回転可能に支持されており、移動基台210がジャバラ211の伸縮を伴って水平方向に移動するのに伴い、チャックテーブル21も同方向に移動する構成となっている。チャックテーブル21に保持されたウェーハWの裏面Wbを研削する際には、移動基台210がジャバラ211の伸縮を伴って移動し、ウェーハWを研削手段22の直下に位置付ける。
研削手段22には、垂直方向の軸心を有するスピンドル220と、スピンドル220に連結された駆動源221と、スピンドル220の下端に形成されたマウンタ222と、マウンタ222に固定された研削ホイール223とを備えており、研削ホイール223の下面には研削砥石224が固着されている。
送り手段23は、垂直方向に配設されたガイドレール230及びボールネジ231と、ボールネジ231に連結された駆動源232と、ガイドレール230に摺動可能に係合すると共に内部のナットがボールネジ231に螺合した昇降板233とから構成されており、昇降板233には研削手段22が固定されている。昇降板233は、駆動源232に駆動されてボールネジ231が回動するのに伴いガイドレール230にガイドされて昇降し、これに伴い研削手段22も昇降する構成となっている。
ウェーハWは、環状保護部材12が接合されダミーウェーハ13が挿入された表面側がチャックテーブル21に保持され、移動基台210の移動により研削手段22の直下に位置付けられる。そして、研削砥石224が回転しながら研削手段22が下降することにより、研削砥石224がウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われ、ウェーハWが所望の厚みに形成される(裏面研削工程)。研削時には、ウェーハWの外周余剰領域11は環状保護部材12によって支持され、デバイス領域10はダミーウェーハ13によって保護される。
図9に示すように、研削により所望の厚みに形成されたウェーハWは、外周が尖った状態となる。そして、図10に示すように、ダミーウェーハ13を取り外した後に、次の工程へと移る。
なお、図11に示すように、研削装置のチャックテーブル21aが、吸引源に連通する吸引部21bを含む凸部21cを有し、凸部21cの高さと環状保護部材12の厚みとが等しい場合は、環状保護部材12が凸部21cに嵌合することにより、環状保護部材12の上面と凸部21cの上面とが面一となり、その面においてウェーハWが支持された状態で研削が行われる。従ってこの場合は、ダミーウェーハは不要となる。
次に、ウェーハWの裏面Wbに、金、銀、チタン等からなる金属膜を被覆する(膜形成工程)。膜形成工程には、例えば図12に示す減圧成膜装置30を用いる。この減圧成膜装置30においては、スパッタチャンバー31の内部に静電式にてウェーハを保持する保持部32が配設されており、その上方の対向する位置には励磁部材33に支持された状態で金属からなるスパッタ源34が配設されている。このスパッタ源34には、高周波電源35が連結されている。また、スパッタチャンバー31の一方の側部には、スパッタガスを導入する導入口36が設けられ、もう一方の側部には減圧源に連通する減圧口37が設けられている。
環状保護部材12側が保持部32において静電式にて保持されることにより、ウェーハWの裏面がスパッタ源34に対向して保持される。そして、励磁部材33によって磁化されたスパッタ源34に高周波電源35から40kHz程度の高周波電力をくわえ、減圧口37からスパッタチャンバー31の内部を10−2Pa〜10−4Pa程度に減圧して減圧環境にすると共に、導入口36からアルゴンガスを導入してプラズマを発生させると、プラズマ中のアルゴンイオンがスパッタ源34に衝突して粒子がはじき出されてウェーハWの裏面に堆積し、図13に示すように、ウェーハWの裏面Wb側に金属膜40が形成される(膜形成工程)。膜形成工程は、研削により薄くなったウェーハWが環状保護部材12と一体となったままの状態で遂行されるため、剛性がなくなったウェーハでも取り扱いが容易となる。また、環状保護部材とウェーハWとはボンドレスで接合されているため、スパッタチャンバー31の内部が高温となっても両者の接合状態は安定しているため、金属膜の形成を円滑に行うことができる。なお、膜形成工程には、蒸着やCVD等を用いても良い。また、膜形成工程においては、環状保護部材12の内周側にダミーウェーハを挿入してもよいし、保持部32を図11に示したチャックテーブルと同様に凸部を有する形状にしてもよい。
次に、図14に示すように、金属膜が形成された裏面側を保持テーブル50において保持し、表面側のデバイスに対してプローブ51を接触させることにより、各デバイスの電気的特性を試験する(テスト工程)。このとき、保持テーブル50をアースに接続することにより、金属膜50を介してウェーハWをアースに接続する。テスト工程も、環状保護部材12とウェーハWとが一体となった状態で行われるため、取り扱いが容易であり、作業を円滑に行うことができる。
テスト工程終了後は、図15に示すように、外周部にフレームFが貼着されたテープTの粘着面に、金属膜50が形成されたウェーハWの裏面Wb側を貼着し、ウェーハWの表面Waが露出した状態とする。そして、図16に示すように、テープTを介してフレームFと一体となったウェーハWを回転させると共に、高速回転する切削ブレード60を、テープTを切断しない程度に環状保護部材12の内側に切り込ませることにより、環状保護部材12の内周に沿ってウェーハWを切削する。このように切削を行い、外周余剰領域11及び環状保護部材12を取り去ることにより、図17に示すように、ウェーハWのうち、外周余剰領域11が分離され、デバイス領域10のみがテープTに貼着された状態でフレームFと一体となる(外周余剰領域分離工程)。
次に、図18に示すように、ウェーハWをX軸方向に移動させると共に、高速回転する切削ブレード60をウェーハWのストリートに切り込ませて縦横に切削することにより、個々のデバイスに分割される。
なお、図19に示すように、外周余剰領域11及び環状保護部材12も含めて縦横に切削するようにした場合は、外周余剰領域分離工程は必要とされない。そしてこの場合も、デバイス領域10を構成するデバイスのみを後にピックアップすればよく、効率的である。
以上の説明においては、ほぼ円形のウェーハを加工する場合を例に挙げて説明したが、矩形のウェーハを加工する場合にも本発明を適用することができる。例えば図20に示す矩形のウェーハW1を加工する場合は、保護部材接合工程では、矩形のデバイス領域70を囲繞する外周余剰領域71に、この形状に対応した環状保護部材72を接合する。裏面研削工程、膜形成工程及びテスト工程は円形のウェーハの場合と同様に行われ、外周余剰領域分離工程が遂行される場合は、ウェーハW1をX軸方向に移動させながら、環状保護部材72の内周に沿って直線上に切削を行い、ウェーハW1を90度ずつ回転させながら同様に直線上に切削を行うと、外周余剰領域71及び環状保護部材72を取り去ることができる。外周余剰領域分離工程が遂行されない場合は、円形のウェーハの場合と同様に、外周余剰領域71及び環状保護部材72をデバイス領域70と共に切削する。
本発明では、ウェーハの外周が環状保護部材により補強されるため、加工時にウェーハの取り扱いが容易となり、特に薄く形成されるウェーハの加工に利用することができる。
ウェーハの一例を示す斜視図である。 ウェーハ及び環状保護部材の一例を示す斜視図である。 環状保護部材が接合されたウェーハを示す斜視図である。 環状保護部材が接合されたウェーハを示す断面図である。 環状保護部材が接合されたウェーハ及びダミーウェーハを示す斜視図である。 ウェーハの接合された環状保護部材の内周側にダミーウェーハが収容された状態を示す断面図である。 図6の一部拡大断面図である。 研削装置の一例を示す斜視図である。 裏面研削後のウェーハ及びダミーウェーハを収容した環状保護部材を示す一部拡大断面図である。 環状保護部材からダミーウェーハを取り外す様子を示す一部拡大断面図である。 凸部を有するチャックテーブルにウェーハが保持された状態を示す一部拡大断面図である。 成膜装置の一例を示す断面図である。 裏面に金属膜が被覆されたウェーハ及び環状保護部材を示す一部拡大断面図である。 テスト工程の一例を示す斜視図である。 環状保護部材が接合され裏面に金属膜が形成されたウェーハがテープを介してフレームと一体となった状態を示す斜視図である。 外周余剰領域分離工程の一例を示す斜視図である。 外周余剰領域及び環状保護部材が除去されたウェーハがテープを介してフレームと一体となった状態を示す斜視図である。 分割工程の一例を示す斜視図である。 分割工程の別の例を示す斜視図である。 矩形のウェーハ及びそれに対応する環状保護部材を示す斜視図である。
符号の説明
W、W1:ウェーハ Wa:表面 Wb:裏面 D:デバイス S:ストリート
10:デバイス領域 11:外周余剰領域 12:環状保護部材
13:ダミーウェーハ 14:貫通孔
20:研削装置
21:チャックテーブル
210:移動基台 211:ジャバラ
21a:チャックテーブル
21b:吸引部 21c:凸部
22:研削手段
220:スピンドル 221:駆動源 222:マウンタ
223:研削ホイール 224:研削砥石
23:送り手段
230:ガイドレール 231:ボールネジ 232:駆動源 233:昇降板
30:減圧成膜装置
31:スパッタチャンバー 32:保持部 33:励磁部材 34:スパッタ源
35:高周波電源 36:導入口 37:減圧口
40:金属膜
50:保持テーブル 51:プローブ
60:切削ブレード

Claims (7)

  1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とから表面が構成されるウェーハの裏面を加工するウェーハの加工方法であって、
    該外周余剰領域に環状保護部材を接合する保護部材接合工程と、
    該環状保護部材が接合されたウェーハの表面側を研削装置のチャックテーブルにおいて保持して該ウェーハの裏面を研削する裏面研削工程と
    から少なくとも構成されるウェーハの加工方法。
  2. 前記保護部材接合工程においては、前記外周余剰領域と前記環状保護部材とをボンドレスの接合により一体とする請求項1に記載のウェーハの加工方法。
  3. 前記ボンドレスの接合とは、陽極接合、SOI接合、共有接合のいずれかである請求項2に記載のウェーハの加工方法。
  4. 前記裏面研削工程の後に、表面に環状保護部材が接合されたウェーハの裏面に膜を形成する膜形成工程と、前記デバイスのプローブテストを行うテスト工程とが遂行される請求項1、2または3に記載のウェーハの加工方法。
  5. ウェーハをデバイスごとに分割する分割工程が含まれる請求項1、2、3または4に記載のウェーハの研削方法。
  6. 前記分割工程の前に、前記環状保護部材の内周に沿って前記ウェーハを切断して前記外周余剰領域を前記デバイス領域から分離させる外周余剰領域分離工程が遂行される請求項5に記載のウェーハの加工方法。
  7. 保護部材は、ガラス、シリコン、セラミックスのいずれかにより形成される請求項1、2、3、4、5または6に記載のウェーハの加工方法。
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034708A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nitto Denko Corp 半導体ウエハマウント装置
JP2008192945A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP2009246199A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP2010016146A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル
JP2011077094A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 被研削物の研削方法
JP2011159864A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハの加工方法
JP2012156292A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Seiko Epson Corp 基板の加工方法
JP2013021086A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハの電気特性検査方法
JP2013197443A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2013197442A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハ用治具の剥離方法
JP2014170797A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Disco Abrasive Syst Ltd 表面保護部材及びウエーハの加工方法

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4749851B2 (ja) * 2005-11-29 2011-08-17 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP2007266352A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4986568B2 (ja) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ ウエーハの研削加工方法
JP2008283025A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
KR101027858B1 (ko) * 2009-01-13 2011-04-07 도레이첨단소재 주식회사 반도체 박막 웨이퍼 가공용 웨이퍼 서포트 점착필름
JP5340841B2 (ja) * 2009-07-21 2013-11-13 株式会社ディスコ 切削装置
FR2953988B1 (fr) * 2009-12-11 2012-02-10 Soitec Silicon On Insulator PROCESS FOR DETOURING A CHANNEL SUBSTRATE
US8753460B2 (en) 2011-01-28 2014-06-17 International Business Machines Corporation Reduction of edge chipping during wafer handling
JP5687647B2 (ja) * 2012-03-14 2015-03-18 株式会社東芝 半導体装置の製造方法、半導体製造装置
JP2013197511A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Toshiba Corp サポート基板、半導体装置の製造方法、半導体装置の検査方法
JP5738815B2 (ja) * 2012-09-13 2015-06-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP2014093420A (ja) * 2012-11-02 2014-05-19 Toyota Motor Corp ウェハを支持ディスクに接着する治具、および、それを用いた半導体装置の製造方法
JP6078376B2 (ja) * 2013-02-22 2017-02-08 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6033116B2 (ja) * 2013-02-22 2016-11-30 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法および粘着シート
JP6021687B2 (ja) * 2013-02-25 2016-11-09 株式会社ディスコ 積層ウェーハの加工方法
CN105161438B (zh) * 2015-07-16 2017-11-24 北京工业大学 一种大尺寸磨削晶圆厚度测量夹具
CN105215848A (zh) * 2015-10-19 2016-01-06 济南大学 一种圆盘端面强化加工专用夹具及方法
JP2020043109A (ja) * 2018-09-06 2020-03-19 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020064983A (ja) * 2018-10-17 2020-04-23 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020092181A (ja) * 2018-12-06 2020-06-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020113728A (ja) * 2019-01-17 2020-07-27 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020136370A (ja) * 2019-02-15 2020-08-31 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020145246A (ja) * 2019-03-05 2020-09-10 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196404A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001351890A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法
JP2002050771A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 集積化センサ
JP2002299196A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 半導体製造用基板
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
WO2004001819A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
JP2004079951A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
DE10301245A1 (de) * 2003-01-15 2004-07-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
JP2004288725A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の製造方法,この製造方法に用いるシール部材及びこのシール部材の供給装置
DE102004018250A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4462997B2 (ja) * 2003-09-26 2010-05-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3360001B2 (ja) * 1996-10-30 2002-12-24 芝浦メカトロニクス株式会社 処理装置
US6284093B1 (en) * 1996-11-29 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Shield or ring surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
JP3114643B2 (ja) * 1997-02-20 2000-12-04 日本電気株式会社 半導体基板の構造および製造方法
JP3423186B2 (ja) * 1997-04-09 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP4274594B2 (ja) * 1997-12-26 2009-06-10 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置の構造およびその製造方法
JP2001091544A (ja) * 1999-09-27 2001-04-06 Hitachi Ltd 半導体検査装置の製造方法
JP4687838B2 (ja) * 2000-04-04 2011-05-25 株式会社ディスコ 半導体チップの製造方法
JP3768069B2 (ja) * 2000-05-16 2006-04-19 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの薄型化方法
JP2002359247A (ja) * 2000-07-10 2002-12-13 Canon Inc 半導体部材、半導体装置およびそれらの製造方法
JP4109823B2 (ja) * 2000-10-10 2008-07-02 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6391787B1 (en) * 2000-10-13 2002-05-21 Lam Research Corporation Stepped upper electrode for plasma processing uniformity
US6506681B2 (en) * 2000-12-06 2003-01-14 Micron Technology, Inc. Thin flip—chip method
JP3667241B2 (ja) * 2001-03-09 2005-07-06 松下電器産業株式会社 ボンディング方法および装置
JP2003197581A (ja) * 2001-10-18 2003-07-11 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物支持部材及びその使用方法
DE10159833C1 (de) * 2001-12-06 2003-06-18 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben
JP3787526B2 (ja) * 2002-01-15 2006-06-21 株式会社ディスコ Icチップの製造方法
EP1484792A4 (en) * 2002-03-14 2006-08-02 Disco Corp METHOD FOR GRINDING THE BACK OF A SEMICONDUCTOR WAFER
EP1494272A1 (en) * 2002-04-11 2005-01-05 Disco Corporation Method for manufacturing semiconductor chip
JP2004022634A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Chemitoronics Co Ltd ウエハ支持体及び半導体ウエハの製造方法
US6828217B2 (en) * 2002-10-31 2004-12-07 Northrop Grumman Corporation Dicing process for GAAS/INP and other semiconductor materials
JP4936667B2 (ja) * 2002-11-29 2012-05-23 シン マテリアルズ アクチェンゲゼルシャフト ウェーハ処理プロセス及び装置並びに中間層及びキャリヤー層を有するウェーハ
EP1458019A3 (de) * 2003-03-13 2005-12-28 VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung Mobiler transportabler elektrostatischer Substrathalter
JP4554901B2 (ja) * 2003-08-12 2010-09-29 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US20050064683A1 (en) * 2003-09-19 2005-03-24 Farnworth Warren M. Method and apparatus for supporting wafers for die singulation and subsequent handling
JP4447280B2 (ja) * 2003-10-16 2010-04-07 リンテック株式会社 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
JP4878738B2 (ja) * 2004-04-30 2012-02-15 株式会社ディスコ 半導体デバイスの加工方法
JP4961183B2 (ja) * 2006-09-26 2012-06-27 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの加工方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196404A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001351890A (ja) * 2000-06-08 2001-12-21 Disco Abrasive Syst Ltd チップの研削方法
JP2002050771A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 集積化センサ
JP2002299196A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Toshiba Corp 半導体製造用基板
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
WO2004001819A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
JP2004079951A (ja) * 2002-08-22 2004-03-11 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
DE10301245A1 (de) * 2003-01-15 2004-07-29 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks an einem Werkstückträger
JP2004288725A (ja) * 2003-03-19 2004-10-14 Citizen Watch Co Ltd 半導体装置の製造方法,この製造方法に用いるシール部材及びこのシール部材の供給装置
JP4462997B2 (ja) * 2003-09-26 2010-05-12 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
DE102004018250A1 (de) * 2004-04-15 2005-11-03 Infineon Technologies Ag Wafer-Stabilisierungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008034708A (ja) * 2006-07-31 2008-02-14 Nitto Denko Corp 半導体ウエハマウント装置
JP4698519B2 (ja) * 2006-07-31 2011-06-08 日東精機株式会社 半導体ウエハマウント装置
JP2008192945A (ja) * 2007-02-07 2008-08-21 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法
JP2009246199A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
JP2010016146A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置のチャックテーブル
JP2011077094A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Disco Abrasive Syst Ltd 被研削物の研削方法
JP2011159864A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハの加工方法
JP2012156292A (ja) * 2011-01-26 2012-08-16 Seiko Epson Corp 基板の加工方法
JP2013021086A (ja) * 2011-07-08 2013-01-31 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェハの電気特性検査方法
JP2013197443A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハの取り扱い方法
JP2013197442A (ja) * 2012-03-22 2013-09-30 Shin Etsu Polymer Co Ltd 半導体ウェーハ用治具の剥離装置及び半導体ウェーハ用治具の剥離方法
JP2014170797A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Disco Abrasive Syst Ltd 表面保護部材及びウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
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