JP2012156292A - 基板の加工方法 - Google Patents

基板の加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012156292A
JP2012156292A JP2011013751A JP2011013751A JP2012156292A JP 2012156292 A JP2012156292 A JP 2012156292A JP 2011013751 A JP2011013751 A JP 2011013751A JP 2011013751 A JP2011013751 A JP 2011013751A JP 2012156292 A JP2012156292 A JP 2012156292A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
support member
adhesive
processing
adhesive tape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011013751A
Other languages
English (en)
Inventor
Toyo Jiromaru
等洋 次郎丸
Junichi Takeuchi
淳一 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2011013751A priority Critical patent/JP2012156292A/ja
Priority to US13/357,893 priority patent/US8821737B2/en
Publication of JP2012156292A publication Critical patent/JP2012156292A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/16Production of nozzles
    • B41J2/162Manufacturing of the nozzle plates
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/16Production of nozzles
    • B41J2/1621Manufacturing processes
    • B41J2/1623Manufacturing processes bonding and adhesion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/16Production of nozzles
    • B41J2/1621Manufacturing processes
    • B41J2/1631Manufacturing processes photolithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/16Production of nozzles
    • B41J2/1621Manufacturing processes
    • B41J2/1632Manufacturing processes machining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/135Nozzles
    • B41J2/16Production of nozzles
    • B41J2/1621Manufacturing processes
    • B41J2/1635Manufacturing processes dividing the wafer into individual chips

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

【課題】基板をサポートする面も加工可能な基板の加工方法を提供する。
【解決手段】基板2の外周に沿うリング状の第1支持部材1を基板2の第1面に接着する第1接着工程と、基板2を加工する第1加工工程と、基板2と第1支持部材1とを分離する第1分離工程とを有する。また、第1支持部材1は透光性を有し、基板2と第1支持部材1とは、UV光により剥離可能、または、高温加熱にて剥離可能な接着剤または接着テープにて接着される。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板の加工方法に係り、特に、基板を支持する方法に関するものである。
シリコン基板(ウエハとも称す)に微細な加工を施して各種の部品を製造することが広く行われている。ウエハを加工するときに、ウエハに負荷が加わる場合がある。このとき、ウエハが損傷を受けないようにウエハに板状の補強部を接着して、ウエハを補強することがある。
特許文献1にウエハをダイシングして分離する方法が開示されている。これによると、ウエハを研削することによりウエハの外周部にリング状の補強部を形成している。次に、補強部を形成した面と反対の面に素子を形成した。そして、切削ブレードを用いてウエハを個々のデバイスに分割している。次に、ウエハを回転させて切削ブレードにてウエハを切削することで、リング状の補強部をウエハから切り離して除去していた。
特開2010−186971号公報
従来の加工方法では、リング状の補強部を用いていたので、ウエハの両面の加工をすることが可能である。そして、ダイシング工程で補強部を切削して除去していた。しかし、切削にてウエハの外周を円状に切断する作業は時間のかかる作業となっていた。そこで、生産性良く基板をサポートする面も加工可能な基板の加工方法が望まれていた。
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
[適用例1]
本適用例に係る基板の加工方法は、基板の外周に沿ってリング状の第1支持部材を前記基板の第1面に接着する第1接着工程と、前記基板を加工する第1加工工程と、前記接着された場所にて前記基板と前記第1支持部材とを分離する第1分離工程と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、第1接着工程にてリング状の第1支持部材を基板に接着している。これにより、基板面が露出する。第1加工工程では基板の露出した面に加工している。第1分離工程では基板から第1支持部材を分離しているので加工された基板が分離される。従って、第1加工工程では第1支持部材を接着した面が露出している。その結果、基板をサポートする面も加工することができる。第1支持部材は基板と接着され、第1分離工程では接着された場所にて第1支持部材と基板とを分離している。従って、基板を切削して第1支持部材を除去する方法に比べて生産性良く第1支持部材と基板とを分離することができる。
[適用例2]
上記適用例に記載の基板の加工方法では、前記第1支持部材は透光性を有し、前記第1接着工程では前記基板と前記第1支持部材とをUV光の照射により剥離する接着剤または接着テープ、もしくは、加熱により剥離する接着剤または接着テープにて接着することが好ましい。
本適用例によれば、UV光照射にて剥離する接着剤または接着テープを用いる時には、剥離工程でUV照射することにより、接着剤または接着テープの粘着力を低下させている。また、加熱にて剥離する接着剤または接着テープを用いる時には、剥離工程で加熱することにより、接着剤または接着テープの粘着力を低下させる。従って、基板に損傷を与えずに第1支持部材を分離することができる。
[適用例3]
上記適用例に記載の基板の加工方法は、前記基板の前記第1面を覆って第2支持部材を接着する第2接着工程と、前記基板を加工する第2加工工程と、前記基板と前記第2支持部材とを分離する第2分離工程と、をさらに有することが好ましい。
本適用例によれば、第2接着工程にて基板の第1面を覆って第2支持部材が接着される。第2加工工程にて基板が加工され、第2分離工程では基板と第2支持部材とが分離される。従って、加工された基板が第2支持部材から分離される。第2加工工程では第1面を覆って第2支持部材が設置されているので、基板を変形しないように基板に加わる負荷を第2支持部材が支えることができる。そして、第1面に第2支持部材を接着することにより、第1面の反対の面には接着剤等の異物が付着する可能性が低くなる。従って、第1面の反対の面を洗浄する工程を削減することが可能となる。
[適用例4]
上記適用例に記載の基板の加工方法では、前記接着剤及び前記接着テープは耐熱性を有し、加熱により剥離する前記接着剤または前記接着テープは剥離する温度まで耐熱性を有することが好ましい。
本適用例によれば、基板と第1支持部材との接着に耐熱性のある接着剤または接着テープが使用されている。従って、第1加工工程では高温下での加工を行うことができる。尚、加熱により剥離する接着剤または接着テープを用いるとき、耐熱性の温度は剥離する温度より低い温度を示している。
[適用例5]
上記適用例に記載の基板の加工方法は、前記第1加工工程では、前記第1面と、前記第1面の裏面である第2面との両面を同時に加工する工程を有することが好ましい。
本適用例によれば、基板とリング状の第1支持部材とが接着されている。これにより、基板の両面が露出する。従って、第1加工工程で露出した両面が加工可能になる。このとき、一方の片面を加工して反転後に他方の片面を加工するときに比べて、両面同時に加工する方が生産性よく加工することができる。
[適用例6]
上記適用例に記載の基板の加工方法は、前記第1分離工程ではUV光を照射後または加熱後に前記第1支持部材を前記基板に対して垂直な向きに移動して前記基板と前記第1支持部材とを分離することが好ましい。
本適用例によれば、前記基板と前記第1支持部材を接着している状態から分離する際に、UV光を照射するか加熱することにより、接着剤または接着テープの粘着力を低下させている。そして、第1支持部材を基板に対して垂直な向きに移動して基板と第1支持部材とを分離している。従って、基板と第1支持部材とを擦れ難くすることができる。その結果、基板に損傷を与えずに第1支持部材を分離することができる。
支持部材に支持された基板を示す概略分解斜視図。 支持部材に支持された基板を示す模式縦断面図。 リングサポートシステムを用いて加工する製造工程を説明するための模式図。 リングサポートシステムを用いて加工する製造工程を説明するための模式図。 変形例に係り接着テープの形状を示す模式平面図。 接着テープの形状を示す模式平面図。 接着テープの形状を示す模式平面図。 接着テープの形状を示す模式平面図。
以下、本発明の実施形態について、ノズルプレートを製造する例を用いて図面を参照して説明する。ノズルプレートは微小な径の孔がノズルとして配置された基板であり、インクジェットヘッドに用いられる。そして、ノズルから微細な液滴が吐出される。ノズルプレートは表面に撥水処理や親水処理が施されている。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
(実施形態)
図1は、支持部材に支持された基板を示す概略分解斜視図である。図2は、支持部材に支持された基板を示す模式縦断面図である。図1において、リングサポートシステム7はリング状の第1支持部材1と基板2とが接着された構成となっている。第1支持部材1と基板2とが接着された状態において各種の加工が実施される。そして、基板2は複数の格子状に区画され、区画された各領域にMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)、IC(Integrated Circuit)、LSI(Large Scale Integrated Circuit)等のデバイスが形成される。
第1支持部材1の材料は機械的強度を有すれば良く特に限定されない、例えば、ガラス、プラスチック、ダイヤモンド等を用いることができる。そして、第1支持部材1はこの材料をリング状に加工して形成されている。
図2に示すように、第1支持部材1と基板2との間には接着層3が配置されている。基板2において第1面2aに接着層3を介して第1支持部材1が設置されている。そして、第1面2aと反対の面を第2面2bとする。接着層3はUV光照射により、粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用している。接着層3の材料に用いる接着テープはリング状に連続した形状となっている。そして、第1支持部材1の平面視における接着テープの幅は第1支持部材1と同じ幅となっている。接着剤には、例えば、UV硬化型及びUV発泡型の接着剤を用いることができる。
他にも、接着層3には加熱により粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用しても良い。加熱する温度は接着剤及び基材に起因するため、各層や各材料により異なる。従って、あらかじめ予備実験をして温度を設定するのが好ましい。また、接着剤及び接着テープは耐熱性を有し、加熱により剥離する接着剤または接着テープは剥離する温度まで耐熱性を有することが好ましい。これにより剥離する温度以下の高温下での加工を行うことができる。
接着層3の材料である接着剤の種類として、アクリル樹脂系、α-オレフィン系、ウレタン樹脂系、エーテル系、エポキシ樹脂系、塩化ビニル樹脂系、クロロプレンゴム系、酢酸ビニル樹脂エマルジョン系、シリコーン系、水性高分子−イソシアネート系、スチレン−ブタジエンゴム系、ニトリルゴム系、ニトロセルロース系、反応性ホットメルト系、フェノール樹脂系、変成シリコーン系、ポリイミド系、ポリアミド樹脂ホットメルト系、ポリウレタン樹脂ホットメルト系、ポリオレフィン樹脂ホットメルト系、ポリ酢酸ビニル樹脂溶液系、ポリスチレン樹脂溶剤系、ポリビニルアルコール系、ポリビニルピロリドン樹脂系、ポリビニルブチラール樹脂系、ポリベンズイミダソール系、ポリメタクリレート樹脂溶液系、メラミン樹脂系、ユリア樹脂系、レゾルシノール系等を用いることができる。さらに、これらの接着剤を用いた接着テープを用いることができる。本実施形態では、例えば、アクリル系接着剤または接着テープを使用している。
図3及び図4はリングサポートシステムを用いて加工する製造工程を説明するための模式図である。まず、貫通孔2cが形成された基板2を用意する。貫通孔2cはフォトリソグラフィ法やエッチング法の公知の技術を用いて形成することが可能であり、説明を省略する。貫通孔2cはノズルに該当する部位となっている。
第2接着工程において第1面2aに接着剤を塗布し基板2と第2支持部材4とを貼り合せる。そして、所定の温度にて加熱乾燥することにより、接着剤を固化する。これにより、第1面2aには接着層5を介して第2支持部材4が固着される。第2支持部材4は基板2を覆う大きさであり、基板2の第1面2aの総ての場所を覆って配置される。この段階では、第2支持部材4、接着層5、基板2が積層された構成となっている。基板2の一方の面に基板状の第2支持部材を貼り付けた状態で、第2面2bの全面を加工可能な構造となっている。
第2支持部材4と基板2とを貼り付ける工程はUV光照射により、粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用している。接着剤または接着テープは、例えば、UV硬化型及びUV発泡型を用いる。または、接着層は高温加熱により粘着力が低下する接着剤または接着テープを用いる。加熱する温度や加熱方法は接着剤及び基材に起因するため、各層や各材料により異なる。予め、予備実験を行って加工条件を選定するのが好ましい。
次に、第2加工工程において、基板2を研削する。そして、基板2の厚さを所定の厚さに加工する。このとき、基板2には第2支持部材4が固着されているため、基板2に負荷が加わっても基板2は損傷し難くなっている。
次に、第2分離工程において、基板2と第2支持部材4とを分離する。第2支持部材4と基板2を貼り付ける工程にUV光照射により粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用した場合は、第2支持部材4または基板2に透光性を有する材料を用いる。第2支持部材4または基板2の材料には、例えば、ガラス、プラスチック、ダイヤモンド等を用いることができる。そして、接着層5にUV光を照射した後に、第2支持部材4と基板2とを分離する。このとき、基板2に対して垂直な向きに第2支持部材4を移動して基板2と第2支持部材4とを分離する。
第2支持部材4と基板2を貼り付ける工程に加熱により粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用した場合は、接着層5を加熱した後に第2支持部材4と基板2とを分離する。このとき、基板2に対して垂直な向きに第2支持部材4を移動して基板2と第2支持部材4とを分離する。その結果、図3(b)に示す基板2が形成される。
次に、第1接着工程にて、リング状の第1支持部材1に接着剤を塗布する。または、リング状にカットされた接着テープを第1支持部材1に貼り付ける。その後、基板2の第1面2aに、第1支持部材1を貼り付ける。このとき、アライメントピンが配置された冶具またはカメラと画像処理装置を用いてアライメントすることにより、基板2と第1支持部材1とを位置精度良く貼り付けることができる。そして、基板2の外周に沿ってリング状の第1支持部材1を第1面2aに接着する。
続いて、第1加工工程では基板2に各種の表面処理を行う。第1面2aは第1支持部材1により第1面2aの外周のみが覆われているので、第1面2aと第2面2bとを同時に表面処理することができる。
まず、基板2をエッチング液に浸漬して基板2の表面を滑らかにする。このとき、第1面2aと第2面2bとの処理を同時に行う。続いて、基板2を撥水性の膜形成する薬液に浸漬する。このときにも、第1面2aと第2面2bとの処理を同時に行う。続いて、薬液を乾燥することにより、撥水膜を形成する。
次に、第2面2bの貫通孔2c付近に保護テープ6を貼り付ける。これにより、基板2は保護テープ6により保護される。保護テープ6は露出する基板2の一部を覆い、覆った部分のみ保護する。
続いて、基板2をプラズマ処理することにより表面処理を行う。保護テープ6が配置された場所にはプラズマ処理が行われないので撥水膜が残る。プラズマ処理においても第1面2aと第2面2bとの処理を同時に行う。次に、基板2を洗浄する。洗浄においても第1面2aと第2面2bとの処理を同時に行う。
次に、第1分離工程において基板2と第1支持部材1とを分離する。このとき、図4に示すように、第1支持部材1と基板2とが一体となったリングサポートシステム7をダイシングテープ8に貼り付ける。次に、接着層3の粘着力を弱める処理を行う。
接着層3がUV光照射により粘着力が低下する接着剤または接着テープによって形成された場合は、接着層3にUV光を照射した後に、基板2から第1支持部材1を分離する。
接着層3が加熱により粘着力が低下する接着剤または接着テープを使用して形成された場合は、接着層3を加熱した後に第1支持部材1と基板2とを分離する。
分離するとき第1支持部材1を基板2に対して垂直な向きに移動して基板2と第1支持部材1とを分離する。これにより、基板2と第1支持部材1とが擦れないようにすることができる。
続いて、ダイシングテープ8に外的刺激を付与し、ダイシングテープ8の粘着力を低下させてから基板2のダイシングを行う。ダイシング方法は、レーザー光を用いる方法やダイヤモンドブレードを高速で回転させて切断する方法等を用いることができる。
この外的刺激の付与は、ダイシングテープ8の種類に応じて、例えばUV光照射または加熱により実施する。ダイシングテープ8が、例えば古河電工株式会社製の商品名「UCシリーズ」のような紫外線硬化型テープの場合には、紫外線照射によって粘着力を低下させ、日東電工株式会社製の商品名「リバアルファ」のような加熱によって粘着力が低下するテープの場合には、加熱によって粘着力を低下させる。
次に、ダイシングされて分割されたチップをダイシングテープ8から剥離することにより、ノズルプレートが完成する。
以上述べたように、本実施形態に係るリングサポートシステムによれば、以下の効果を得ることができる。
(1)本実施形態によれば、リング状の第1支持部材1と基板2とを貼り合わせることによって、第1面2aが露出する。これにより、露出した第1面2aの加工が容易に行える。また、第1分離工程では接着力を弱めた後で接着層3にて第1支持部材1と基板2とを分離している。従って、基板2を切削して第1支持部材1を除去する方法に比べて生産性良く第1支持部材1と基板2とを分離することができる。
(2)本実施形態によれば、リング状の第1支持部材1と基板2とを貼り合わせた状態にて両面同時の加工を行っている。従って、片面ずつ加工を行う方法に比べて、工程削減効果を得る。
(3)本実施形態によれば、第2加工工程にて第2支持部材4と基板2の第1面2aとを貼り合わせた状態で加工を行っている。そして、第1加工工程にて第1支持部材1と基板2の第1面2aとを貼り合わせている。これにより、もう一方の第2面2bには接着剤等の異物が付着する可能性が低くなり、異物を除去する工程を削減することができる。
(4)本実施形態によれば、第1支持部材1と基板2の接着剤または接着テープにUV光照射により粘着力が低下する部材を使用し、第1支持部材1に透光性を有する部材を用いている。従って、UV照射するまで接着力が弱まらず、第1支持部材1を用いて基板2の加工ができる。また、UV照射した後では基板2に損傷を与えずに第1支持部材1と基板2とを分離できる。
第1支持部材1と基板2の接着剤または接着テープを加熱により粘着力が低下する部材を使用しても良いことを示唆している。このとき、加熱するまで接着力が弱まらず、第1支持部材1を用いて基板2の加工ができる。また、加熱した後では基板2に損傷を与えずに第1支持部材1と基板2とを分離できる。
(5)本実施形態によれば、第1支持部材1を基板2に対して垂直な向きに移動して基板2と第1支持部材1とを分離している。従って、基板2と第1支持部材1とを擦れ難くすることができる。その結果、基板2に損傷を与えずに第1支持部材1を分離することができる。
(6)本実施形態によれば、基板2と第1支持部材1との接着に耐熱性のある接着剤または接着テープが使用されている。従って、第1加工工程では高温下での加工を行うことができる。尚、加熱により剥離する接着剤または接着テープを用いるとき、耐熱性の温度は剥離する温度より低い温度を示している。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良等を加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
本実施形態に係る基板の加工方法について、図を参照して説明する。尚、実施形態と同一の構成部位については、同一の番号を使用し、重複する説明は省略する。
(変形例1)
実施形態では接着テープは連続したリング状の形状をしていたが、これに限らない。分割されたテープを用いても良い。リング状の第1支持部材を貼り合せるテープの形状について記載する。図5は接着テープの形状を示す模式平面図である。
図5に示すように接着テープ11は3箇所で分割されたリング状の形状となっている。分割された形状にすることによって、接着テープ11が分割された場所では第1支持部材1と基板2との間に隙間ができる。第1支持部材1と基板2との接着面積が小さくなり、第1支持部材1と基板2との分離が容易となる。尚、接着テープ11の分割箇所は2箇所でも良く、4箇所以上でも良い。
(変形例2)
実施形態では接着テープが連続したリング状の形状をしていたが、これに限らない。接着テープは外周部に切り込みを加工した形状のテープを用いても良い。第1支持部材1を貼り合せる接着テープの形状について記載する。図6は接着テープの形状を示す模式平面図である。
図6に示すようにリング状の接着テープ12の外周部には切り込み12aの加工が施こされている。切り込み12aの加工が施されることによって、第1支持部材1と基板2とを分離する第1分離工程において、切り込み12aの場所から第1支持部材1と基板2とを容易に剥離することが可能となる。
(変形例3)
実施形態では接着テープの平面視における幅は第1支持部材1と同じ幅の形状をしていた。接着テープの幅は第1支持部材1より幅の狭い形状の接着テープを用いても良い。図7は接着テープの形状を示す模式平面図である。
図7に示すようにリング状の接着テープ13の幅は第1支持部材1の幅より狭い形状となっている。破線は実施形態の第1支持部材1の外形を表している。接着テープ13の幅を第1支持部材1の幅より狭くすることで、接着面積が小さくなる。従って、第1支持部材1と基板2との分離を容易にすることができる。
(変形例4)
実施形態では接着テープがリング状の形状をしていたが、さらに接着テープに穴加工を施した接着テープを用いても良い。第1支持部材を貼り合せる接着テープの形状について記載する。図8は接着テープの形状を示す模式平面図である。
図8に示すようにリング状の接着テープ14は外周と内周にとの間に複数の穴加工が施されている。リング状の接着テープ14に穴14aが加工されることにより、接着面積が小さくなる。従って、第1支持部材1と基板2との分離を容易にすることができる。
1…第1支持部材、2…基板、2a…第1面、2b…第2面、4…第2支持部材。

Claims (6)

  1. 基板の外周に沿ってリング状の第1支持部材を前記基板の第1面に接着する第1接着工程と、
    前記基板を加工する第1加工工程と、
    前記接着された場所にて前記基板と前記第1支持部材とを分離する第1分離工程と、を有することを特徴とする基板の加工方法。
  2. 請求項1に記載の基板の加工方法において、
    前記第1支持部材は透光性を有し、前記第1接着工程では前記基板と前記第1支持部材とをUV光の照射により剥離する接着剤または接着テープ、もしくは、加熱により剥離する接着剤または接着テープにて接着することを特徴とする基板の加工方法。
  3. 請求項1に記載の基板の加工方法において、
    前記基板の前記第1面を覆って第2支持部材を接着する第2接着工程と、
    前記基板を加工する第2加工工程と、
    前記基板と前記第2支持部材とを分離する第2分離工程と、をさらに有することを特徴とする基板の加工方法。
  4. 請求項2に記載の基板の加工方法において、
    前記接着剤及び前記接着テープは耐熱性を有し、
    加熱により剥離する前記接着剤または前記接着テープは剥離する温度まで耐熱性を有することを特徴とする基板の加工方法。
  5. 請求項4に記載の基板の加工方法において、
    前記第1加工工程では、前記第1面と、前記第1面の裏面である第2面との両面を同時に加工する工程を有することを特徴とする基板の加工方法。
  6. 請求項1に記載の基板の加工方法において、
    前記第1分離工程ではUV光を照射後または加熱後に前記第1支持部材を前記基板に対して垂直な向きに移動して前記基板と前記第1支持部材とを分離することを特徴とする基板の加工方法。
JP2011013751A 2011-01-26 2011-01-26 基板の加工方法 Pending JP2012156292A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011013751A JP2012156292A (ja) 2011-01-26 2011-01-26 基板の加工方法
US13/357,893 US8821737B2 (en) 2011-01-26 2012-01-25 Substrate processing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011013751A JP2012156292A (ja) 2011-01-26 2011-01-26 基板の加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012156292A true JP2012156292A (ja) 2012-08-16

Family

ID=46543401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011013751A Pending JP2012156292A (ja) 2011-01-26 2011-01-26 基板の加工方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US8821737B2 (ja)
JP (1) JP2012156292A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175610A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 環状フレーム
JP2019212803A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 信越ポリマー株式会社 ウェーハ用スペーサ

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000126652A (ja) * 1998-10-26 2000-05-09 Samsung Electronics Co Ltd 流体噴射装置の製造工程及びその流体噴射器
JP2002373871A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Sekisui Chem Co Ltd Icチップの製造方法
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
WO2004001819A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
JP2005109433A (ja) * 2004-03-31 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2005294623A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US20050236693A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-27 Werner Kroninger Wafer stabilization device and associated production method
JP2007095908A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04321574A (ja) 1991-04-18 1992-11-11 Kubota Corp 軽量粘土焼成品の製造方法
US20050224978A1 (en) * 2002-06-24 2005-10-13 Kohichiro Kawate Heat curable adhesive composition, article, semiconductor apparatus and method
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP2005231274A (ja) 2004-02-23 2005-09-02 Seiko Epson Corp インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッド並びにインクジェット記録装置
KR100618837B1 (ko) * 2004-06-22 2006-09-01 삼성전자주식회사 웨이퍼 레벨 패키지를 위한 얇은 웨이퍼들의 스택을형성하는 방법
KR100817049B1 (ko) * 2005-08-09 2008-03-26 삼성전자주식회사 패키징을 위한 웨이퍼 칩의 제조 방법
JP4678298B2 (ja) 2005-12-26 2011-04-27 セイコーエプソン株式会社 ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出装置の製造方法及びデバイスの製造方法
JP4321574B2 (ja) 2006-02-27 2009-08-26 セイコーエプソン株式会社 ノズル基板の製造方法、液滴吐出ヘッドの製造方法、液滴吐出ヘッドおよび液滴吐出装置
JP2010186971A (ja) 2009-02-13 2010-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP5728795B2 (ja) 2009-04-01 2015-06-03 セイコーエプソン株式会社 ノズルプレートの製造方法、及び、液滴吐出ヘッドの製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000126652A (ja) * 1998-10-26 2000-05-09 Samsung Electronics Co Ltd 流体噴射装置の製造工程及びその流体噴射器
JP2002373871A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Sekisui Chem Co Ltd Icチップの製造方法
JP2003332271A (ja) * 2002-05-15 2003-11-21 Renesas Technology Corp 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法
WO2004001819A1 (ja) * 2002-06-25 2003-12-31 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体素子の製造方法およびリング状補強部材
JP2005116679A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP2005109433A (ja) * 2004-03-31 2005-04-21 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの切削方法および研削用のバンプ保護部材
JP2005294623A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
US20050236693A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-27 Werner Kroninger Wafer stabilization device and associated production method
JP2007095908A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウェハ加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014175610A (ja) * 2013-03-12 2014-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd 環状フレーム
JP2019212803A (ja) * 2018-06-06 2019-12-12 信越ポリマー株式会社 ウェーハ用スペーサ

Also Published As

Publication number Publication date
US8821737B2 (en) 2014-09-02
US20120187084A1 (en) 2012-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7410908B2 (en) Manufacturing method for a semiconductor device
JP4447280B2 (ja) 表面保護用シートおよび半導体ウエハの研削方法
US9006085B2 (en) Adhesive and protective member used in a wafer processing method
US9272501B2 (en) Device for detaching a product substrate off a carrier substrate
KR102061369B1 (ko) 제품 기판을 캐리어 기판에 임시로 결합하기 위한 방법
JP2000228389A (ja) 半導体装置の製造方法
JP6308632B2 (ja) ウェハを分割する方法
CN104485294A (zh) 一种晶圆临时键合及分离方法
JP5921473B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2012156292A (ja) 基板の加工方法
JP4678240B2 (ja) 半導体素子の製造方法
JP2014096422A (ja) 基板支持部材、基板処理装置、基板支持部材の製造方法、及び基板処理方法
JP2007180252A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3187573U (ja) 無電解めっき用シリコンウェハ
KR102181999B1 (ko) 확장 시트, 확장 시트의 제조 방법 및 확장 시트의 확장 방법
JP5646395B2 (ja) ウェーハ保持ジグ
JP5520015B2 (ja) 半導体ウエハ加工用接着シート及びこれを用いた半導体ウエハの加工方法
JP2018028001A (ja) 両面粘着シート、及び被加工物の加工方法
JP6132502B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP2013243223A (ja) ウエーハ保護部材
IL153026A (en) A method of constructing devices incorporating microelectromechanical systems by using at least one UV-repairable film
JP5543739B2 (ja) メタルマスク及び半導体装置の製造方法
KR102535551B1 (ko) 피가공물의 연삭 방법
JP7092553B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP6063641B2 (ja) ウエーハ保護部材

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141211

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150305

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20151117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160114

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20160607

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160609

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20160617