JP4107417B2 - チップ状ワークの固定方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法に関する。ダイシング・ダイボンドフィルムは、チップ状ワーク（半導体チップなど）と電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前にワーク（半導体ウエハ等）に付設した状態で、ワークをダイシングに供するために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
回路パターンを形成した半導体ウエハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、チップ状ワークにダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程では、切断層の除去のため半導体ウエハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ2 程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記チップ状ワークを接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程にあたっては、接着剤をリードフレームやチップ状ワークに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウエハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００３】
前記特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウエハをダイシングしたのち、支持基材を延伸してチップ状ワークを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
【０００４】
この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウエハに対する良好な保持力と、ダイシング後のチップ状ワークを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性が望まれる。しかし、この両特性をバランスさせることは決して容易なことではなかった。特に、半導体ウエハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記特性を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難であった。
【０００５】
そこで、このような問題を克服するために、種々の改良法が提案されている（たとえば、特許文献２参照。）。特許文献２には、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化可能な粘着剤層を介在させ、これをダイシング後に紫外線硬化して、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させ、両者間の剥離によりチップ状ワークのピックアップを容易にする方法が提案されている。
【０００６】
しかしながら、この改良法によっても、ダイシング時の保持力とその後の剥離性とをうまくバランスさせた接着剤層とすることは困難な場合がある。たとえば、１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大型のチップ状ワークを得る場合には、その面積が大きいことから、一般のダイボンダーでは容易にチップ状ワークをピックアップすることができなかった。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６０−５７６４２号公報（第１頁）
【０００８】
【特許文献２】
特開平２−２４８０６４号公報（第１頁）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、支持基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイ接着用接着剤層と一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示すダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法を見出し本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち本発明は、支持基材（１）上に放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法であって、
前記粘着剤層（２）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）が放射線照射され、かつ、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）の粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、それ以外の部分（２ｂ）の粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを用意し、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムのワーク貼り付け部分（３ａ）上に、ワークを圧着する工程と、
ワークをチップ状にダイシングする工程と、
チップ状ワークをダイ接着用接着剤層（３ａ）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、
ダイ接着用接着剤層（３ａ）を介して、チップ状ワークを被着体に接着固定する工程とを有し、
前記ワークの圧着工程からチップ状ワークの剥離工程までは、粘着剤層（２）に放射線を照射することなく行うことを特徴とするチップ状ワークの固定方法、に関する。
【００１２】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、前記粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）の一部または全部に対応する部分（２ｂ）で異なり、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足することにより得ることができる。
【００１３】
上記本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層（３）を有する。上記の粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する部分（２ａ、２ｂ）とで、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計している。すなわち、粘着剤層（２ｂ）は、接着剤層（３）とダイシング時やエキスパンド時に適度に接着し、粘着剤層（２）と接着剤層（３）とが剥離しないようにしている。一方、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。そのため、１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られたチップ状ワークを容易に剥離、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。
【００１４】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ダイ接着用接着剤層（３）のワーク貼り付け部分（３ａ）における、ワークに対する粘着力が１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、
ワークに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、を満足することが好ましい。
【００１５】
前記ダイ接着用接着剤層（３）の粘着力が、ワークと粘着剤層（２ａ）との関係で、上記関係を満足することにより、ワークをダイシングした後に、チップ状ワークにダイ接着用接着剤層（３）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。
【００１６】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部を、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）とすることができる。当該ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）における、ダイシングリングに対する粘着力が０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
ダイシングリングに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、を満足することが好ましい。
【００１７】
ダイ接着用接着剤層（３）の粘着力が前記関係を満足することにより、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性がよりバランスよくなる。
【００１８】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）の粘着剤層（２）は、放射線硬化型粘着剤により形成することが好ましく、ワーク貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）はこれを放射線照射することにより形成できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムについて、図面を参考にして説明する。図１、図２は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例を示したものであり、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有する。
【００２０】
図１では、前記粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）との剥離性が、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する界面（Ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する界面（Ｂ）で、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ）の剥離力、の関係となるように、それぞれの部分（２ａ，２ｂ）が設計されている。粘着剤層（２ａ）は、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）に対応し、粘着剤層（２ｂ）はそれ以外の部分（３ｂ）に対応する。
【００２１】
図２は、前記部分（３ｂ）の一部が、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）に対応している例である。すなわち、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）と、これに対応して形成された粘着剤層（２ｂ′）の界面（Ｂ′）の剥離力が、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ′）の剥離力、の関係となるように設計されている。なお、図１の粘着剤層（２）は、粘着剤層（２ａ）以外の全部が粘着剤層（２ｂ）となっているが、図２に示すように粘着剤層（２ａ）以外の一部を粘着剤層（２ｂ）とすることもできる。
【００２２】
図３は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（２）の断面図の一例を示したものであり、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上の一部にワーク貼り付け部分（３ａ）を有する。前記粘着剤層（２）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（２ｂ）で粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、の関係となるように、それぞれの部分（２ａ，２ｂ）が設計されている。
【００２３】
支持基材（１）は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などがあげられる。
【００２４】
また支持基材の材料としては、前記樹脂の架橋体などのポリマーがあげられる。前記プラスチックィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその支持基材を熱収縮させることにより粘着剤層（２ａ）と接着剤層（３ａ）との接着面積を低下させて、チップ状ワークの回収の容易化を図ることができる。
【００２５】
支持基材の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００２６】
前記支持基材は、同種または異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、支持基材には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持基材は単層あるいは２種以上の複層でもよい。なお、粘着剤層（２）が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００２７】
支持基材（１）の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００２８】
粘着剤層（２）の形成に用いる粘着剤は特に制限されないが、粘着剤層（２ａ）、（２ｂ）に粘着力の差を設けやすい放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。したがって、ワーク貼り付け部分（３ａ）に合わせて、放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した粘着剤層（２ａ）を容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した粘着剤層（２ａ）に接着剤層（３）または（３ａ）が貼付られるため、粘着剤層（２ａ）と接着剤層（３ａ）との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、粘着剤層（２ｂ）を形成する。
【００２９】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている粘着剤層（２ｂ）は接着剤層（３）と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップなど）を基板やチップ状ワークなどの被着体（半導体素子という）に固着するためのダイ接着用接着剤層（３）を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では粘着剤層（２ｂ）はウエハリング等を固定することができる。
【００３０】
粘着剤層（２）の形成に用いる放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。
【００３１】
放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００３２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００３３】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００３４】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００３５】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００３６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００３７】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００３８】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００３９】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００４０】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００４１】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００４２】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００４３】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００４４】
また放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
【００４５】
前記放射線硬化型粘着剤層（２）中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層（２）に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）を着色することができる。したがって、粘着剤層（２）に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分（３ａ）を認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
【００４６】
放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色または淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノー６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどがあげられる。
【００４７】
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土などの電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
【００４８】
このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層（２）中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層（２）に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層（２ａ）の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
【００４９】
粘着剤層（２）は、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設ける。ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、界面（Ａ）の剥離性が、前記界面（Ｂ）の剥離性よりも大きくなるようにする。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では、たとえば、被着体としてＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する関係で、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるようにする。
【００５０】
粘着剤層（２）を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材（１）に放射線硬化型粘着剤層（２）を形成した後、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分に、部分的に放射線を照射し硬化させて、粘着剤層（２ａ）を形成する方法があげられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ等）に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法などがあげられる。放射線硬化型粘着剤層（２）の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材（１）上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型粘着剤層（２）に行うこともできる。
【００５１】
また、粘着剤層（２）を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材（１）の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分以外の部分の全部または一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型粘着剤層（２）を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部（３ａ）に対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた粘着剤層（２ａ）を形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着などで作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを製造可能である。
【００５２】
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型粘着剤層（２）の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。たとえば、上記粘着剤層（２）の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法などがあげられる。
【００５３】
粘着剤層（２）の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性などの点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。
【００５４】
ダイ接着用接着剤層（３）は、当該接着剤層（３）上に圧着されるワーク（半導体ウエハなど）をチップ状にダイシングする際には、ワークに密着して支持し、かつ切断片となったチップ状ワーク（半導体チップなど）をマウントする際には、チップ状ワークを半導体素子（基板、チップ等）に固定する接着剤層として作用する機能を奏するものが用いられる。特に、ダイ接着用接着剤層（３）としては、ワークのダイシングの際に切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では、ダイ接着用接着剤層（３）は、予め形成されたワーク貼り付け部分（３ａ）として設けられる。
【００５５】
ダイ接着用接着剤層（３）は、通常のダイ接着剤により形成することができる。ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。ダイ接着剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。また、ダイ接着用接着剤層は、７０℃以下で半導体ウエハ等のワークや、ダイシングリングに粘着可能なものが好ましい。さらには常温で粘着可能なものが好ましい。
【００５６】
ダイ接着剤として用いられる熱可塑性樹脂（熱可塑性ダイ接着剤）としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂などがあげられる。また、熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂をダイ接着剤として使用することもできる。
【００５７】
ダイ接着用接着剤層（３）は、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造を有してもよい。なお、ワーク（半導体ウエハなど）のダイシング工程では切削水を使用することから、ダイ接着用接着剤層（３）が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のまま、基板などに接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いフィルムをダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気をフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。従って、ダイ接着用接着剤層（３）は、接着剤層、フィルム、接着剤層の順で積層された多層構造からなってもよい。
【００５８】
ダイ接着用接着剤層（３）の厚さは、特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。
【００５９】
こうして支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有するダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）が得られる。
【００６０】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、その接着時や剥離時等における静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウエハ等）の帯電で回路が破壊されることなどを防止する目的で帯電防止能を持たせることができる。帯電防止能の付与は、支持基材（１）、粘着剤層（２）乃至接着剤層（３）へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、支持基材（１）への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設など、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上などを目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金などの球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナなどの金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイトなどがあげられる。
【００６１】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力は、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計されている。常温（２３℃）での粘着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、粘着剤層（２ａ）の粘着力は、ウエハの固定保持力や形成したチップの回収性などの点より０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、粘着剤層（２ｂ）の粘着力は、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。粘着剤層（２ａ）が低いピール粘着力であっても、粘着剤層（２ｂ）の粘着力によりチップ飛びなどの発生を抑え、ウエハ加工に充分な保持力を発揮させることができる。
【００６２】
また、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ワーク貼り付け部分（３ａ）の、ワークに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、ワークに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。ワークに対する粘着力は、ワークの種類に応じて適宜に調整される。
【００６３】
ワーク貼り付け部分（３ａ）の粘着剤層（２ａ）に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、ワーク貼り付け部分（３ａ）のワークに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング時、ピックアップ時、ダイボンド時の信頼性、ピックアップ性の点から１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには１０〜３０Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
【００６４】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）をダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）とする場合には、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）における、ワークに対する粘着力と、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が、ダイシングリングに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。ダイシングリングに対する粘着力は、ダイシングリングの種類に応じて適宜に調整される。
【００６５】
ダイ接着用接着剤層（３）の粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。一方、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリングに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング及びダイボンド時の作業性の点から０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．５〜５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
【００６６】
上記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）のダイ接着用接着剤層（３）、（３ａ）は、セパレータにより保護されていてもよい（図示せず）。すなわち、セパレータは任意に設けることができる。セパレータは、実用に供するまでダイ接着用接着剤層（３）、（３ａ）を保護する保護材としての機能を有している。なお、セパレータは、さらに、粘着剤層（２）にダイ接着用接着剤（３）（３ａ）を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）のダイ接着用接着剤層（３）（３ａ）上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などがあげられる。
【００６７】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、接着剤層（３）、（３ａ）上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、以下のように使用される。すなわち、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）のダイ接着用接着剤層（３ａ）上に、ワークを圧着し、接着剤層（３ａ）上に、ワークを接着保持させて固定する。圧着は常法により行われる。発明では、ワークとしては、半導体ウエハを好適に用いることができる。次いで、ワークをチップ状にダイシングする。ワークとしては、例えば、半導体ウエハ、多層基板、一括封止モジュールなどがあげられる。本発明では、ワークとしては、半導体ウエハを好適に用いることができる。ダイシングは回転丸刃などによる適宜の手段で接着剤層（３）も含めてワークをチップ状ワーク（半導体チップなど）にする。
【００６８】
次いでチップ状ワークをダイ接着用接着剤層（３ａ）とともに粘着剤層（２ａ）から剥離する。ピックアップしたチップ状ワークはダイ接着用接着剤層（３ａ）を介して、被着体である半導体素子に接着固定する。半導体素子としては、リードドフレーム、ＴＡＢフィルム、基板または別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。被着体は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハなど）であってもよい。被着体は、半導体ウエハが好適である。接着剤層（３）、（３ａ）が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、ワークを被着体に接着固定し、耐熱強度を向上させる。なお、接着剤層（３ａ）を介してチップ状ワークが基板などに接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【００６９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記載して、本発明をより具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。なお、紫外線照射には、紫外線（ＵＶ）照射装置：ＮＥＬ ＵＭ−１１０（日東精機（株）製）を用いた。
【００７０】
製造例（ダイ接着用接着剤層の作製）
下記表１に示すエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリルゴム、シリカおよび硬化促進剤からなる各成分を同表に示す割合で配合したダイ接着用接着剤Ａ〜Ｃの組成物を調製し、その組成物をトルエンに混合溶解した。この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム（セパレータ）上に塗布した。次いで、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを１２０℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に厚み２０μｍのＢステージ化したダイ接着用接着剤層Ａ〜Ｃを得た。
【００７１】
【表１】
表１中、＜エポキシ樹脂（ａ１）＞ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１８６ｇ／ｅｑ，粘度：１０Ｐａ・ｓ／２５℃）、＜エポキシ樹脂（ａ２）＞トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（エポキシ当量：１７０ｇ／ｅｑ，軟化点：８０℃，粘度：０．０８Ｐａ・ｓ／１５０℃）、＜フェノール樹脂＞ノボラック型フェノール樹脂（水酸基当量：１０４ｇ／ｅｑ，軟化点：８０℃，粘度：０．１ Ｐａ・ｓ／１５０℃）、＜アクリルゴム＞（ムーニー粘度：５０）、＜球状シリカ＞平均粒径：１μｍ、最大粒径：１０μｍ、＜硬化促進剤＞トリフェニルホスフィン、である。
【００７２】
実施例１
（放射線硬化型アクリル系粘着剤の調製）
アクリル酸ブチル７０部、アクリル酸エチル３０部およびアクリル酸５部を酢酸エチル中で常法により共重合して重量平均分子量８０万の濃度３０重量％のアクリル系ポリマーの溶液を得た。当該アクリル系ポリマーの溶液に、光重合性化合物としてジペンタエリスリト−ルモノヒドロキシペンタアクリレート２０部および光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１部を配合した。これらをトルエンに均一に溶解して、濃度２５重量％の放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を作製した。
【００７３】
（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
厚さが６０μｍのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、前記放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが２０μｍの粘着剤層を形成した。以下、これを粘着フィルムＡという。次いで、粘着フィルムＡの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 （紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＡの粘着層側に、上記ダイ接着用接着剤層Ａを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００７４】
実施例２
実施例１において、ダイ接着用接着剤Ａをダイ接着用接着剤層Ｂに変えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７５】
実施例３
（放射線硬化型アクリル系粘着剤の調製）
エチルアクリレート５０部、ブチルアクレート５０部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１６部からなる配合組成物をトルエン溶液中で共重合させて、重量平均分子量５０万の濃度３５重量％のアクリル系ポリマーの溶液を得た。次いで、このアクリル系ポリマーの溶液に対し、２０部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００重量部（固形分）に対して、さらにポリイソシアネート系架橋剤１重量部およびアセトフェノン系光重合開始剤３部を配合した。これらをトルエンに均一に溶解して、濃度２３重量％の放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を作製した。
【００７６】
（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
厚さが８０μｍのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、前記放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが５μｍの粘着剤層を形成した。以下、これを粘着フィルムＢという。次いで、粘着フィルムＢの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＢの粘着層側に、上記ダイ接着用接着剤層Ｂを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００７７】
実施例４
実施例３において、ダイ接着用接着剤Ｂをダイ接着用接着剤層Ｃに変えたこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７８】
実施例５
実施例３において、ダイ接着用接着剤Ｂをダイ接着用接着剤層Ａに変えたこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７９】
実施例６
実施例１で得られた粘着フィルムＡの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 （紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＡの粘着層のウエハ貼り付け対応部分にのみ、ダイ接着用接着剤層Ａを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００８０】
実施例７
実施例３で得られた粘着フィルムＢの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2（紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＢの粘着層のウエハ貼り付け対応部分にのみ、ダイ接着用接着剤層Ｃを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００８１】
比較例１
実施例１において、粘着フィルムＡの粘着剤層に、紫外線照射を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００８２】
比較例２
実施例１において、粘着フィルムＡの粘着剤層に、紫外線照射を行わなかったこと、またダイ接着用接着剤層Ａを粘着剤層に転写した後に、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2照射したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００８３】
実施例および比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムについて、各例で用いた、粘着フィルムおよびダイ接着用接着剤層により下記に示す各粘着力を測定した。結果を表２に示す。
【００８４】
（１）ダイ接着用接着剤層と粘着フィルム（粘着剤層）との粘着力測定
（ウエハ貼付部）
各実施例で用いた粘着フィルムを、支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。一方、各実施例で用いたダイ接着用接着剤層は、４０℃のホットプレート上に置いた状態の６インチシリコンウエハ（グラインド面＃２０００）に貼付けを行なった。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）で前記ダイ接着用接着剤層に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。ただし、比較例１で用いた粘着フィルムは紫外線照射をすることなく粘着力を測定した。比較例２で用いた粘着フィルムは、ダイ接着用接着剤層に貼付した後に紫外線照射を行った。
【００８５】
（ウエハ貼付部以外）
各実施例および比較例で用いた粘着フィルムを、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。一方、各実施例および比較例で用いたダイ接着用接着剤層は、４０℃のホットプレート上に置いた状態の６インチシリコンウエハ（グラインド面＃２０００）に貼付けを行なった。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）で前記ダイ接着用接着剤層に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８６】
（２）ダイ接着用接着剤層とダイシングリングおよびウエハとの粘着力測定
各実施例および比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムのウエハが貼られない部分を使用し、その支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。このダイシング・ダイボンドフィルム（１０ｍｍ幅）を、ダイシングリング（２−６−１（ディスコ社製））およびウエハ（グラインド面＃２０００）に、２３℃（室温）で貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（ダイシング・ダイボンドフィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８７】
（３）ＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する粘着フィルムの粘着力測定
（ウエハ貼付部）
粘着フィルムＡ、Ｂを、支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）でＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８８】
（ウエハ貼付部以外）
粘着フィルムＡ、Ｂを、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）でＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８９】
以上の実施例１〜７および比較例１〜２の各ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウエハのダイシング・ダイボンドを行い、その性能を評価した。結果を表２に示す。
【００９０】
＜ダイシング時のチップ飛び＞
回路パターンを形成した直径８インチの半導体ウエハを裏面研磨処理して厚さ０．１５ｍｍとしたミラ−ウエハを用いた。ダイシング・ダイボンドフィルムよりセパレータを剥離し、露出した接着剤層に上記ミラーウエハを４０℃でロール圧着した後、１ｍｍ角のチップサイズにフルダイシングした。ダイシング時のチップ飛びの有無を評価した。この操作において、実施例および比較例のいずれのダイシング・ダイボンドフィルムも、ダイシング時にチップ飛びなどの不良は生じなかった。
【００９１】
＜ピックアップ＞
チップサイズを５ｍｍ角、１０ｍｍ角、１５ｍｍ角に変えたこと以外は上記と同様にフルダイシングを行った。その後、支持基材側よりニードルによる突き上げ方式でシリコンチップ（チップ状ウエハ）をピックアップした。ピックアップできた場合を「○」、ピックアップできなかった場合を「×」とした。
【００９２】
（ダイシング条件）
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６５１
ダイシング速度：８０ｍｍ／秒
ダイシングブレード：ディスコ社製、２０５０ＨＥＣＣ
回転数：４万ｍｍ
切込み深さ：２０μｍ
カット方式：フルカット・Ａモード
チップサイズ：適宜（１〜１５ｍｍ角）
（ウエハ研削条件）
研削装置：ディスコ社製ＤＦＧ−８４０
ウエハ：６インチ径（０．６ｍｍから０．１５μｍに裏面研削）
ウエハの貼りあわせ装置：ＤＲ−８５００ＩＩ（日東精機（株）製）
（エキスパンド条件）
ダイシングリング：２−６−１（ディスコ社製、内径１９．５ｃｍ）
引き落し量：５ｍｍ
ダイボンダー：ＣＰＳ−１００（ＮＥＣ機械）
【００９３】
【表２】
実施例および比較例のいずれのダイシング・ダイボンドフィルムについてもダイシングの不良がなかった。また実施例のダイシング・ダイボンドフィルムでは、チップをすべて良好にピックアップできたが、一方、比較例１では１０ｍｍ角、１５ｍｍ角のチップはピックアップすることができず、比較例２では５ｍｍ角、１０ｍｍ角、１５ｍｍ角のチップのいづれもピックアップすることができなかった。これらの試験結果からも明らかなように、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムのように、支持基材と接着剤層との間に粘着剤層を介在させ、かつ接着剤層との粘着剤層との粘着力を、ウエハ貼り付け対応部分が、他の部分（ウエハ貼られない部分）よりも小さくなるようにしたものは、ダイシング不良を生じることなく、ダイシングリングへの接着性も有し、種々の大きさのチップに対し良好なピックアップ作業を行えるものであることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例である。
【図２】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例である。
【符号の説明】
１ 支持基材
２ 粘着剤層
３ ダイ接着用接着剤層
Ｗ ワーク（ウエハ）
ＷＲ ウエハリング
Ｓ 遮光材料
【発明の属する技術分野】
本発明はダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法に関する。ダイシング・ダイボンドフィルムは、チップ状ワーク（半導体チップなど）と電極部材とを固着するための接着剤を、ダイシング前にワーク（半導体ウエハ等）に付設した状態で、ワークをダイシングに供するために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
回路パターンを形成した半導体ウエハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、チップ状ワークにダイシングされる（ダイシング工程）。ダイシング工程では、切断層の除去のため半導体ウエハを適度な液圧（通常、２ｋｇ／ｃｍ2 程度）で洗浄するのが一般的である。次いで、前記チップ状ワークを接着剤にてリードフレームなどの被着体に固着（マウント工程）した後、ボンディング工程に移される。前記マウント工程にあたっては、接着剤をリードフレームやチップ状ワークに塗布していた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウエハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００３】
前記特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、支持基材上に接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。すなわち、接着剤層による保持下に半導体ウエハをダイシングしたのち、支持基材を延伸してチップ状ワークを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレームなどの被着体に固着させるようにしたものである。
【０００４】
この種のダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層には、ダイシング不能や寸法ミスなどが生じないように、半導体ウエハに対する良好な保持力と、ダイシング後のチップ状ワークを接着剤層と一体に支持基材から剥離しうる良好な剥離性が望まれる。しかし、この両特性をバランスさせることは決して容易なことではなかった。特に、半導体ウエハを回転丸刃などでダイシングする方式などのように、接着剤層に大きな保持力が要求される場合には、上記特性を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを得ることは困難であった。
【０００５】
そこで、このような問題を克服するために、種々の改良法が提案されている（たとえば、特許文献２参照。）。特許文献２には、支持基材と接着剤層との間に紫外線硬化可能な粘着剤層を介在させ、これをダイシング後に紫外線硬化して、粘着剤層と接着剤層との間の接着力を低下させ、両者間の剥離によりチップ状ワークのピックアップを容易にする方法が提案されている。
【０００６】
しかしながら、この改良法によっても、ダイシング時の保持力とその後の剥離性とをうまくバランスさせた接着剤層とすることは困難な場合がある。たとえば、１０ｍｍ×１０ｍｍ以上の大型のチップ状ワークを得る場合には、その面積が大きいことから、一般のダイボンダーでは容易にチップ状ワークをピックアップすることができなかった。
【０００７】
【特許文献１】
特開昭６０−５７６４２号公報（第１頁）
【０００８】
【特許文献２】
特開平２−２４８０６４号公報（第１頁）
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、支持基材上に粘着剤層を有し、当該粘着剤層上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層を有するダイシング・ダイボンドフィルムであって、ワークをダイシングする際の保持力と、ダイシングにより得られるチップ状ワークをそのダイ接着用接着剤層と一体に剥離する際の剥離性とのバランス特性に優れるダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討した結果、以下に示すダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法を見出し本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち本発明は、支持基材（１）上に放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法であって、
前記粘着剤層（２）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）が放射線照射され、かつ、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）の粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、それ以外の部分（２ｂ）の粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを用意し、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムのワーク貼り付け部分（３ａ）上に、ワークを圧着する工程と、
ワークをチップ状にダイシングする工程と、
チップ状ワークをダイ接着用接着剤層（３ａ）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、
ダイ接着用接着剤層（３ａ）を介して、チップ状ワークを被着体に接着固定する工程とを有し、
前記ワークの圧着工程からチップ状ワークの剥離工程までは、粘着剤層（２）に放射線を照射することなく行うことを特徴とするチップ状ワークの固定方法、に関する。
【００１２】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、前記粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）の一部または全部に対応する部分（２ｂ）で異なり、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足することにより得ることができる。
【００１３】
上記本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上には、剥離可能に設けられたダイ接着用接着剤層（３）を有する。上記の粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する部分（２ａ、２ｂ）とで、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計している。すなわち、粘着剤層（２ｂ）は、接着剤層（３）とダイシング時やエキスパンド時に適度に接着し、粘着剤層（２）と接着剤層（３）とが剥離しないようにしている。一方、粘着剤層（２ａ）は軽剥離が可能なようにしている。そのため、１０ｍｍ×１０ｍｍを超えるような大型チップに対しても、ダイシング不良をきたすことなく、ダイシング後には得られたチップ状ワークを容易に剥離、ピックアップすることが可能なダイシング・ダイボンドフィルムが得られる。このように本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性とをうまくバランスさせている。
【００１４】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ダイ接着用接着剤層（３）のワーク貼り付け部分（３ａ）における、ワークに対する粘着力が１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、
ワークに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、を満足することが好ましい。
【００１５】
前記ダイ接着用接着剤層（３）の粘着力が、ワークと粘着剤層（２ａ）との関係で、上記関係を満足することにより、ワークをダイシングした後に、チップ状ワークにダイ接着用接着剤層（３）を付設した状態で、粘着剤層（２ａ）から容易に剥離することができる。
【００１６】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部を、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）とすることができる。当該ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）における、ダイシングリングに対する粘着力が０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
ダイシングリングに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、を満足することが好ましい。
【００１７】
ダイ接着用接着剤層（３）の粘着力が前記関係を満足することにより、ダイシング時等の保持力とピックアップ時の剥離性がよりバランスよくなる。
【００１８】
前記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）の粘着剤層（２）は、放射線硬化型粘着剤により形成することが好ましく、ワーク貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）はこれを放射線照射することにより形成できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のダイシング・ダイボンドフィルムについて、図面を参考にして説明する。図１、図２は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例を示したものであり、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有する。
【００２０】
図１では、前記粘着剤層（２）は、ダイ接着用接着剤層（３）との剥離性が、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する界面（Ａ）とそれ以外の部分（３ｂ）に対応する界面（Ｂ）で、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ）の剥離力、の関係となるように、それぞれの部分（２ａ，２ｂ）が設計されている。粘着剤層（２ａ）は、ダイ接着用接着剤層（３）上のワーク貼り付け部分（３ａ）に対応し、粘着剤層（２ｂ）はそれ以外の部分（３ｂ）に対応する。
【００２１】
図２は、前記部分（３ｂ）の一部が、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）に対応している例である。すなわち、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）と、これに対応して形成された粘着剤層（２ｂ′）の界面（Ｂ′）の剥離力が、界面（Ａ）の剥離力＞界面（Ｂ′）の剥離力、の関係となるように設計されている。なお、図１の粘着剤層（２）は、粘着剤層（２ａ）以外の全部が粘着剤層（２ｂ）となっているが、図２に示すように粘着剤層（２ａ）以外の一部を粘着剤層（２ｂ）とすることもできる。
【００２２】
図３は、本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（２）の断面図の一例を示したものであり、支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上の一部にワーク貼り付け部分（３ａ）を有する。前記粘着剤層（２）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）とそれ以外の部分（２ｂ）で粘着力が、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、の関係となるように、それぞれの部分（２ａ，２ｂ）が設計されている。
【００２３】
支持基材（１）は、ダイシング・ダイボンドフィルムの強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙などがあげられる。
【００２４】
また支持基材の材料としては、前記樹脂の架橋体などのポリマーがあげられる。前記プラスチックィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその支持基材を熱収縮させることにより粘着剤層（２ａ）と接着剤層（３ａ）との接着面積を低下させて、チップ状ワークの回収の容易化を図ることができる。
【００２５】
支持基材の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高めるため、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的または物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００２６】
前記支持基材は、同種または異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、支持基材には、帯電防止能を付与するため、上記の支持基材上に金属、合金、これらの酸化物などからなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。支持基材は単層あるいは２種以上の複層でもよい。なお、粘着剤層（２）が放射線硬化型の場合にはＸ線、紫外線、電子線等の放射線を少なくとも一部透過するものを用いる。
【００２７】
支持基材（１）の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００２８】
粘着剤層（２）の形成に用いる粘着剤は特に制限されないが、粘着剤層（２ａ）、（２ｂ）に粘着力の差を設けやすい放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤は、紫外線等の放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。したがって、ワーク貼り付け部分（３ａ）に合わせて、放射線硬化型粘着剤層を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した粘着剤層（２ａ）を容易に形成できる。硬化し、粘着力の低下した粘着剤層（２ａ）に接着剤層（３）または（３ａ）が貼付られるため、粘着剤層（２ａ）と接着剤層（３ａ）との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、放射線を照射していない部分は十分な粘着力を有しており、粘着剤層（２ｂ）を形成する。
【００２９】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている粘着剤層（２ｂ）は接着剤層（３）と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。このように放射線硬化型粘着剤は、チップ状ワーク（半導体チップなど）を基板やチップ状ワークなどの被着体（半導体素子という）に固着するためのダイ接着用接着剤層（３）を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では粘着剤層（２ｂ）はウエハリング等を固定することができる。
【００３０】
粘着剤層（２）の形成に用いる放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。
【００３１】
放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例示できる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００３２】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどがあげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００３３】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。このようなモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００３４】
さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。このような多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００３５】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さらに好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００３６】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるため、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があげられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらには、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、さらには０．１〜５重量部配合するのが好ましい。さらに、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。
【００３７】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００３８】
また、放射線硬化型粘着剤としては、上記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００３９】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。このようなベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。
【００４０】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげられる。
【００４１】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。
【００４２】
前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００４３】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００４４】
また放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などがあげられる。
【００４５】
前記放射線硬化型粘着剤層（２）中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層（２）に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。すなわち、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）を着色することができる。したがって、粘着剤層（２）に放射線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、ワーク貼り付け部分（３ａ）を認識し易く、ワークの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体素子を検出する際に、その検出精度が高まり、半導体素子のピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
【００４６】
放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色または淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノー６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４′，４′′−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどがあげられる。
【００４７】
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土などの電子受容体があげられ、さらに、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
【００４８】
このような放射線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に放射線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層（２）中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、さらに好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層（２）に照射される放射線がこの化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層（２ａ）の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
【００４９】
粘着剤層（２）は、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設ける。ダイシング・ダイボンドフィルム（１）では、ダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力が、界面（Ａ）の剥離性が、前記界面（Ｂ）の剥離性よりも大きくなるようにする。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では、たとえば、被着体としてＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する関係で、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるようにする。
【００５０】
粘着剤層（２）を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材（１）に放射線硬化型粘着剤層（２）を形成した後、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分に、部分的に放射線を照射し硬化させて、粘着剤層（２ａ）を形成する方法があげられる。部分的な放射線照射は、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ等）に対応するパターンを形成したフォトマスクを介して行うことができる。また、スポット的に紫外線を照射し硬化させる方法などがあげられる。放射線硬化型粘着剤層（２）の形成は、セパレータ上に設けたものを支持基材（１）上に転写することにより行うことができる。部分的な放射線硬化はセパレータ上に設けた放射線硬化型粘着剤層（２）に行うこともできる。
【００５１】
また、粘着剤層（２）を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、支持基材（１）の少なくとも片面の、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分以外の部分の全部または一部が遮光されたものを用い、これに放射線硬化型粘着剤層（２）を形成した後に放射線照射して、ワーク貼り付け部（３ａ）に対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた粘着剤層（２ａ）を形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着などで作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルムを製造可能である。
【００５２】
なお、放射線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、放射線硬化型粘着剤層（２）の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。たとえば、上記粘着剤層（２）の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線等の放射線の照射を行う方法などがあげられる。
【００５３】
粘着剤層（２）の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性などの点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、さらには５〜２５μｍが好ましい。
【００５４】
ダイ接着用接着剤層（３）は、当該接着剤層（３）上に圧着されるワーク（半導体ウエハなど）をチップ状にダイシングする際には、ワークに密着して支持し、かつ切断片となったチップ状ワーク（半導体チップなど）をマウントする際には、チップ状ワークを半導体素子（基板、チップ等）に固定する接着剤層として作用する機能を奏するものが用いられる。特に、ダイ接着用接着剤層（３）としては、ワークのダイシングの際に切断片を飛散させない接着性を有していることが重要である。ダイシング・ダイボンドフィルム（２）では、ダイ接着用接着剤層（３）は、予め形成されたワーク貼り付け部分（３ａ）として設けられる。
【００５５】
ダイ接着用接着剤層（３）は、通常のダイ接着剤により形成することができる。ダイ接着剤としては、シート状にできるものが好ましい。具体的なダイ接着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂からなるダイ接着剤を好適に用いることができる。ダイ接着剤は単独でまたは２種以上組み合わせて使用することができる。また、ダイ接着用接着剤層は、７０℃以下で半導体ウエハ等のワークや、ダイシングリングに粘着可能なものが好ましい。さらには常温で粘着可能なものが好ましい。
【００５６】
ダイ接着剤として用いられる熱可塑性樹脂（熱可塑性ダイ接着剤）としては、例えば、飽和ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリウレタン系樹脂、アミド系樹脂（ナイロン系樹脂）、イミド系樹脂などがあげられる。また、熱硬化性樹脂（熱硬化性ダイ接着剤）としては、例えば、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール系樹脂などがあげられる。熱硬化性樹脂としては、脱溶媒化し、シート化、Ｂステージ化した熱硬化性樹脂が好適である。なお、これらの熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物もＢステージ化された状態で使用できる。また本発明では、ガラス転移温度が高いシリコーン系、ゴム系、ウレタン系、イミド系、アクリル系などの樹脂をダイ接着剤として使用することもできる。
【００５７】
ダイ接着用接着剤層（３）は、ガラス転移温度の異なる熱可塑性樹脂、熱硬化温度の異なる熱硬化性樹脂を適宜に組み合わせて、２層以上の多層構造を有してもよい。なお、ワーク（半導体ウエハなど）のダイシング工程では切削水を使用することから、ダイ接着用接着剤層（３）が吸湿して、常態以上の含水率になる場合がある。このような高含水率のまま、基板などに接着させると、アフターキュアの段階で接着界面に水蒸気が溜まり、浮きが発生する場合がある。従って、ダイ接着用接着剤としては、透湿性の高いフィルムをダイ接着剤で挟んだ構成とすることにより、アフターキュアの段階では、水蒸気をフィルムを通じて拡散して、かかる問題を回避することが可能となる。従って、ダイ接着用接着剤層（３）は、接着剤層、フィルム、接着剤層の順で積層された多層構造からなってもよい。
【００５８】
ダイ接着用接着剤層（３）の厚さは、特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは１０〜５０μｍ程度である。
【００５９】
こうして支持基材（１）上に粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有するダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）が得られる。
【００６０】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、その接着時や剥離時等における静電気の発生やそれによるワーク（半導体ウエハ等）の帯電で回路が破壊されることなどを防止する目的で帯電防止能を持たせることができる。帯電防止能の付与は、支持基材（１）、粘着剤層（２）乃至接着剤層（３）へ帯電防止剤や導電性物質の添加する方法、支持基材（１）への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設など、適宜な方式で行うことができる。これら方式は半導体ウエハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上などを目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金などの球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナなどの金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイトなどがあげられる。
【００６１】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、粘着剤層（２）のダイ接着用接着剤層（３）に対する粘着力は、粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、となるように設計されている。常温（２３℃）での粘着力（９０度ピール値、剥離速度３００ｍｍ／分）に基づいて、粘着剤層（２ａ）の粘着力は、ウエハの固定保持力や形成したチップの回収性などの点より０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、粘着剤層（２ｂ）の粘着力は、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。粘着剤層（２ａ）が低いピール粘着力であっても、粘着剤層（２ｂ）の粘着力によりチップ飛びなどの発生を抑え、ウエハ加工に充分な保持力を発揮させることができる。
【００６２】
また、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ワーク貼り付け部分（３ａ）の、ワークに対する粘着力と、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が、ワークに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。ワークに対する粘着力は、ワークの種類に応じて適宜に調整される。
【００６３】
ワーク貼り付け部分（３ａ）の粘着剤層（２ａ）に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．０１〜０．４２Ｎ／２０ｍｍ、特に０．０１〜０．３５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。一方、ワーク貼り付け部分（３ａ）のワークに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング時、ピックアップ時、ダイボンド時の信頼性、ピックアップ性の点から１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには１０〜３０Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
【００６４】
ダイシング・ダイボンドフィルム（１）において、ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）をダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）とする場合には、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）における、ワークに対する粘着力と、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が、ダイシングリングに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、となるように設計するのが好ましい。ダイシングリングに対する粘着力は、ダイシングリングの種類に応じて適宜に調整される。
【００６５】
ダイ接着用接着剤層（３）の粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力（前記同条件）は、前述の通り、０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍ程度であるのが好ましい。一方、ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリングに対する粘着力（前記同条件）は、ダイシング及びダイボンド時の作業性の点から０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ以下、さらには０．５〜５Ｎ／２０ｍｍであるのが好ましい。
【００６６】
上記ダイシング・ダイボンドフィルム（１）のダイ接着用接着剤層（３）、（３ａ）は、セパレータにより保護されていてもよい（図示せず）。すなわち、セパレータは任意に設けることができる。セパレータは、実用に供するまでダイ接着用接着剤層（３）、（３ａ）を保護する保護材としての機能を有している。なお、セパレータは、さらに、粘着剤層（２）にダイ接着用接着剤（３）（３ａ）を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）のダイ接着用接着剤層（３）（３ａ）上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などがあげられる。
【００６７】
本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）は、接着剤層（３）、（３ａ）上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離して、以下のように使用される。すなわち、ダイシング・ダイボンドフィルム（１）、（２）のダイ接着用接着剤層（３ａ）上に、ワークを圧着し、接着剤層（３ａ）上に、ワークを接着保持させて固定する。圧着は常法により行われる。発明では、ワークとしては、半導体ウエハを好適に用いることができる。次いで、ワークをチップ状にダイシングする。ワークとしては、例えば、半導体ウエハ、多層基板、一括封止モジュールなどがあげられる。本発明では、ワークとしては、半導体ウエハを好適に用いることができる。ダイシングは回転丸刃などによる適宜の手段で接着剤層（３）も含めてワークをチップ状ワーク（半導体チップなど）にする。
【００６８】
次いでチップ状ワークをダイ接着用接着剤層（３ａ）とともに粘着剤層（２ａ）から剥離する。ピックアップしたチップ状ワークはダイ接着用接着剤層（３ａ）を介して、被着体である半導体素子に接着固定する。半導体素子としては、リードドフレーム、ＴＡＢフィルム、基板または別途作製したチップ状ワークなどがあげられる。被着体は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウエハなど）であってもよい。被着体は、半導体ウエハが好適である。接着剤層（３）、（３ａ）が熱硬化型の場合には、加熱硬化により、ワークを被着体に接着固定し、耐熱強度を向上させる。なお、接着剤層（３ａ）を介してチップ状ワークが基板などに接着固定されたものは、リフロー工程に供することができる。
【００６９】
【実施例】
以下に本発明の実施例を記載して、本発明をより具体的に説明する。なお、以下において、部とあるのは重量部を意味する。なお、紫外線照射には、紫外線（ＵＶ）照射装置：ＮＥＬ ＵＭ−１１０（日東精機（株）製）を用いた。
【００７０】
製造例（ダイ接着用接着剤層の作製）
下記表１に示すエポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリルゴム、シリカおよび硬化促進剤からなる各成分を同表に示す割合で配合したダイ接着用接着剤Ａ〜Ｃの組成物を調製し、その組成物をトルエンに混合溶解した。この混合溶液を離型処理したポリエステルフィルム（セパレータ）上に塗布した。次いで、上記混合溶液を塗布したポリエステルフィルムを１２０℃で乾燥させ、トルエンを除去することにより、上記ポリエステルフィルム上に厚み２０μｍのＢステージ化したダイ接着用接着剤層Ａ〜Ｃを得た。
【００７１】
【表１】
【００７２】
実施例１
（放射線硬化型アクリル系粘着剤の調製）
アクリル酸ブチル７０部、アクリル酸エチル３０部およびアクリル酸５部を酢酸エチル中で常法により共重合して重量平均分子量８０万の濃度３０重量％のアクリル系ポリマーの溶液を得た。当該アクリル系ポリマーの溶液に、光重合性化合物としてジペンタエリスリト−ルモノヒドロキシペンタアクリレート２０部および光重合開始剤としてα−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン１部を配合した。これらをトルエンに均一に溶解して、濃度２５重量％の放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を作製した。
【００７３】
（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
厚さが６０μｍのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、前記放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが２０μｍの粘着剤層を形成した。以下、これを粘着フィルムＡという。次いで、粘着フィルムＡの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 （紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＡの粘着層側に、上記ダイ接着用接着剤層Ａを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００７４】
実施例２
実施例１において、ダイ接着用接着剤Ａをダイ接着用接着剤層Ｂに変えたこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７５】
実施例３
（放射線硬化型アクリル系粘着剤の調製）
エチルアクリレート５０部、ブチルアクレート５０部、２−ヒドロキシエチルアクリレート１６部からなる配合組成物をトルエン溶液中で共重合させて、重量平均分子量５０万の濃度３５重量％のアクリル系ポリマーの溶液を得た。次いで、このアクリル系ポリマーの溶液に対し、２０部の２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネートを付加反応させ、ポリマー分子内側鎖に炭素−炭素二重結合を導入した。このポリマー１００重量部（固形分）に対して、さらにポリイソシアネート系架橋剤１重量部およびアセトフェノン系光重合開始剤３部を配合した。これらをトルエンに均一に溶解して、濃度２３重量％の放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を作製した。
【００７６】
（ダイシング・ダイボンドフィルムの作製）
厚さが８０μｍのポリエチレンフィルムからなる支持基材上に、前記放射線硬化型アクリル系粘着剤の溶液を塗布、乾燥して、厚さが５μｍの粘着剤層を形成した。以下、これを粘着フィルムＢという。次いで、粘着フィルムＢの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＢの粘着層側に、上記ダイ接着用接着剤層Ｂを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００７７】
実施例４
実施例３において、ダイ接着用接着剤Ｂをダイ接着用接着剤層Ｃに変えたこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７８】
実施例５
実施例３において、ダイ接着用接着剤Ｂをダイ接着用接着剤層Ａに変えたこと以外は実施例３と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００７９】
実施例６
実施例１で得られた粘着フィルムＡの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2 （紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＡの粘着層のウエハ貼り付け対応部分にのみ、ダイ接着用接着剤層Ａを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００８０】
実施例７
実施例３で得られた粘着フィルムＢの粘着剤層上のウエハ貼り付け対応部分にのみ紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2（紫外線照射積算光量）を照射し、ウエハ貼り付け対応部分が放射線硬化された粘着剤層を有するフィルムを得た。次いで、粘着フィルムＢの粘着層のウエハ貼り付け対応部分にのみ、ダイ接着用接着剤層Ｃを転写して、ダイシング・ダイボンドフィルムを得た。
【００８１】
比較例１
実施例１において、粘着フィルムＡの粘着剤層に、紫外線照射を行わなかったこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００８２】
比較例２
実施例１において、粘着フィルムＡの粘着剤層に、紫外線照射を行わなかったこと、またダイ接着用接着剤層Ａを粘着剤層に転写した後に、紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ2照射したこと以外は実施例１と同様にして、ダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。
【００８３】
実施例および比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムについて、各例で用いた、粘着フィルムおよびダイ接着用接着剤層により下記に示す各粘着力を測定した。結果を表２に示す。
【００８４】
（１）ダイ接着用接着剤層と粘着フィルム（粘着剤層）との粘着力測定
（ウエハ貼付部）
各実施例で用いた粘着フィルムを、支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。一方、各実施例で用いたダイ接着用接着剤層は、４０℃のホットプレート上に置いた状態の６インチシリコンウエハ（グラインド面＃２０００）に貼付けを行なった。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）で前記ダイ接着用接着剤層に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。ただし、比較例１で用いた粘着フィルムは紫外線照射をすることなく粘着力を測定した。比較例２で用いた粘着フィルムは、ダイ接着用接着剤層に貼付した後に紫外線照射を行った。
【００８５】
（ウエハ貼付部以外）
各実施例および比較例で用いた粘着フィルムを、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。一方、各実施例および比較例で用いたダイ接着用接着剤層は、４０℃のホットプレート上に置いた状態の６インチシリコンウエハ（グラインド面＃２０００）に貼付けを行なった。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）で前記ダイ接着用接着剤層に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８６】
（２）ダイ接着用接着剤層とダイシングリングおよびウエハとの粘着力測定
各実施例および比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムのウエハが貼られない部分を使用し、その支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。このダイシング・ダイボンドフィルム（１０ｍｍ幅）を、ダイシングリング（２−６−１（ディスコ社製））およびウエハ（グラインド面＃２０００）に、２３℃（室温）で貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（ダイシング・ダイボンドフィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８７】
（３）ＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に対する粘着フィルムの粘着力測定
（ウエハ貼付部）
粘着フィルムＡ、Ｂを、支持基材側から紫外線を照射（５００ｍＪ／ｃｍ2）した後、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）でＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８８】
（ウエハ貼付部以外）
粘着フィルムＡ、Ｂを、１０ｍｍ幅で短冊状に切断した。その後、粘着フィルム（１０ｍｍ幅）を、２３℃（室温）でＳＵＳ３０４板（＃２０００研磨）に貼付し、室温雰囲気下で３０分間静置した後、２３℃の恒温室で、粘着フィルムを剥離角９０°で引き剥がしたときの粘着力を測定した（粘着フィルムの引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）。
【００８９】
以上の実施例１〜７および比較例１〜２の各ダイシング・ダイボンドフィルムを用いて、以下の要領で、実際に半導体ウエハのダイシング・ダイボンドを行い、その性能を評価した。結果を表２に示す。
【００９０】
＜ダイシング時のチップ飛び＞
回路パターンを形成した直径８インチの半導体ウエハを裏面研磨処理して厚さ０．１５ｍｍとしたミラ−ウエハを用いた。ダイシング・ダイボンドフィルムよりセパレータを剥離し、露出した接着剤層に上記ミラーウエハを４０℃でロール圧着した後、１ｍｍ角のチップサイズにフルダイシングした。ダイシング時のチップ飛びの有無を評価した。この操作において、実施例および比較例のいずれのダイシング・ダイボンドフィルムも、ダイシング時にチップ飛びなどの不良は生じなかった。
【００９１】
＜ピックアップ＞
チップサイズを５ｍｍ角、１０ｍｍ角、１５ｍｍ角に変えたこと以外は上記と同様にフルダイシングを行った。その後、支持基材側よりニードルによる突き上げ方式でシリコンチップ（チップ状ウエハ）をピックアップした。ピックアップできた場合を「○」、ピックアップできなかった場合を「×」とした。
【００９２】
（ダイシング条件）
ダイシング装置：ディスコ社製、ＤＦＤ−６５１
ダイシング速度：８０ｍｍ／秒
ダイシングブレード：ディスコ社製、２０５０ＨＥＣＣ
回転数：４万ｍｍ
切込み深さ：２０μｍ
カット方式：フルカット・Ａモード
チップサイズ：適宜（１〜１５ｍｍ角）
（ウエハ研削条件）
研削装置：ディスコ社製ＤＦＧ−８４０
ウエハ：６インチ径（０．６ｍｍから０．１５μｍに裏面研削）
ウエハの貼りあわせ装置：ＤＲ−８５００ＩＩ（日東精機（株）製）
（エキスパンド条件）
ダイシングリング：２−６−１（ディスコ社製、内径１９．５ｃｍ）
引き落し量：５ｍｍ
ダイボンダー：ＣＰＳ−１００（ＮＥＣ機械）
【００９３】
【表２】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例である。
【図２】 本発明のダイシング・ダイボンドフィルム（１）の断面図の一例である。
【符号の説明】
１ 支持基材
２ 粘着剤層
３ ダイ接着用接着剤層
Ｗ ワーク（ウエハ）
ＷＲ ウエハリング
Ｓ 遮光材料
Claims (5)
- 支持基材（１）上に放射線硬化型粘着剤により形成された粘着剤層（２）を有し、当該粘着剤層（２）上にはダイ接着用接着剤層（３）を有するダイシング・ダイボンドフィルムを用いたチップ状ワークの固定方法であって、
前記粘着剤層（２）は、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）が放射線照射され、かつ、ワーク貼り付け部分（３ａ）に対応する部分（２ａ）の粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、それ以外の部分（２ｂ）の粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
粘着剤層（２ａ）の粘着力＜粘着剤層（２ｂ）の粘着力、を満足するダイシング・ダイボンドフィルムを用意し、
前記ダイシング・ダイボンドフィルムのワーク貼り付け部分（３ａ）上に、ワークを圧着する工程と、
ワークをチップ状にダイシングする工程と、
チップ状ワークをダイ接着用接着剤層（３ａ）とともに粘着剤層（２）から剥離する工程と、
ダイ接着用接着剤層（３ａ）を介して、チップ状ワークを被着体に接着固定する工程とを有し、
前記ワークの圧着工程からチップ状ワークの剥離工程までは、粘着剤層（２）に放射線を照射することなく行うことを特徴とするチップ状ワークの固定方法。 - ダイ接着用接着剤層（３）のワーク貼り付け部分（３ａ）における、ワークに対する粘着力が１０〜５０Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ａ）に対する粘着力が０．０１〜０．５Ｎ／２０ｍｍであり、
ワークに対する粘着力＞粘着剤層（２ａ）に対する粘着力、を満足することを特徴とする請求項１記載のチップ状ワークの固定方法。 - ワーク貼り付け部分（３ａ）以外の部分（３ｂ）の一部が、ダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）であることを特徴とする請求項１または２記載のチップ状ワークの固定方法。
- ダイ接着用接着剤層（３）のダイシングリング貼り付け部分（３ｂ′）における、ダイシングリングに対する粘着力が０．３〜５Ｎ／２０ｍｍ、粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力が０．５〜２０Ｎ／２０ｍｍであり、
ダイシングリングに対する粘着力＜粘着剤層（２ｂ′）に対する粘着力、を満足することを特徴とする請求項３記載のチップ状ワークの固定方法。 - 粘着剤層（２）が放射線硬化型粘着剤により形成されており、ワーク貼り付け部（３ａ）に対応する粘着剤層（２ａ）が放射線照射されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のチップ状ワークの固定方法。
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| WO2004069951A1 (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-19 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ウエハ貼着用粘着テープ |
| JP4283596B2 (ja) | 2003-05-29 | 2009-06-24 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
| CN100463114C (zh) * | 2003-12-15 | 2009-02-18 | 古河电气工业株式会社 | 晶片加工带及其制造方法 |
| JP4275522B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP4443962B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| KR100590198B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2006-06-19 | 엘에스전선 주식회사 | 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법 |
| US20050227064A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Hwail Jin | Dicing die bonding film |
| US20070003758A1 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-04 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dicing die bonding film |
| US20050255632A1 (en) * | 2004-05-13 | 2005-11-17 | Stack Devices Corp. | Method of fabricating stacked semiconductor device |
| JP4677758B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2011-04-27 | 日立化成工業株式会社 | ダイボンドダイシングシート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法 |
| TWI273662B (en) * | 2004-12-06 | 2007-02-11 | Advanced Semiconductor Eng | Method for chip bonding |
| JP4800694B2 (ja) * | 2005-07-26 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| US7545042B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-06-09 | Princo Corp. | Structure combining an IC integrated substrate and a carrier, and method of manufacturing such structure |
| KR101461243B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2014-11-12 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 다이싱·다이본딩 테이프 및 반도체 칩의 제조 방법 |
| CN101127343B (zh) * | 2006-08-18 | 2010-12-15 | 巨擘科技股份有限公司 | 结合ic整合基板与载板的结构及其制造方法与电子装置的制造方法 |
| WO2008032367A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
| JP4430085B2 (ja) | 2007-03-01 | 2010-03-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| CN101647096B (zh) * | 2007-04-05 | 2012-01-04 | 日立化成工业株式会社 | 半导体芯片的制造方法和半导体用粘接膜及其复合片 |
| WO2008132852A1 (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | ダイシング・ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 |
| JP4717051B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP4717052B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| KR101047923B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2011-07-08 | 주식회사 엘지화학 | 버 특성 및 신뢰성이 우수한 다이싱 다이 본딩 필름 및반도체 장치 |
| JP4717086B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP4717085B2 (ja) | 2008-01-18 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP4553400B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2010-09-29 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2009242605A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Lintec Corp | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP4801127B2 (ja) * | 2008-09-01 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルムの製造方法 |
| JP5319993B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2013-10-16 | 積水化学工業株式会社 | ダイシング−ダイボンディングテープ及び半導体チップの製造方法 |
| JP5275834B2 (ja) * | 2009-02-04 | 2013-08-28 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
| JP2009111431A (ja) * | 2009-02-16 | 2009-05-21 | Nitto Denko Corp | ウェハのダイシング方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
| JP2010219086A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
| JP5561949B2 (ja) * | 2009-04-08 | 2014-07-30 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型ダイボンドフィルム |
| CN101924056A (zh) | 2009-06-15 | 2010-12-22 | 日东电工株式会社 | 半导体背面用切割带集成膜 |
| JP2011018805A (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用フィルムおよび半導体装置の製造方法 |
| JP5143196B2 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-02-13 | 日東電工株式会社 | 半導体装置用フィルム |
| JP5137937B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2013-02-06 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法 |
| KR101019756B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-03-09 | 제일모직주식회사 | 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법 |
| JP2011151362A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
| JP4988815B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-08-01 | 日東電工株式会社 | チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法 |
| JP5438522B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2014-03-12 | 積水化学工業株式会社 | ダイシング−ダイボンディングテープ及びその製造方法 |
| KR101083959B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2011-11-16 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조용 필름 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2011111166A1 (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
| WO2011125683A1 (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-13 | 古河電気工業株式会社 | 半導体ウエハ加工用粘着シート |
| JP5439264B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2014-03-12 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
| JP5681374B2 (ja) | 2010-04-19 | 2015-03-04 | 日東電工株式会社 | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
| JP5546985B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用フィルム、半導体装置製造用フィルムの製造方法、及び、半導体装置の製造方法。 |
| KR101351615B1 (ko) * | 2010-12-13 | 2014-01-15 | 제일모직주식회사 | 반도체용 점접착시트 및 그의 제조 방법 |
| KR20120068453A (ko) * | 2010-12-17 | 2012-06-27 | 제일모직주식회사 | 다이싱 다이 본딩 필름 |
| JP5781302B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-09-16 | 日東電工株式会社 | 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート |
| JP5687897B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2015-03-25 | 日東電工株式会社 | 放射線硬化型粘着剤組成物及び粘着シート |
| JP2012156292A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Seiko Epson Corp | 基板の加工方法 |
| JP4904432B1 (ja) | 2011-03-01 | 2012-03-28 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
| CN103650114A (zh) * | 2011-07-08 | 2014-03-19 | 住友电木株式会社 | 切割胶带一体化型粘接片、半导体装置、多层电路基板以及电子部件 |
| JP5998730B2 (ja) | 2011-09-16 | 2016-09-28 | 日立化成株式会社 | 粘着フィルム及び粘着フィルムの製造方法 |
| CN103797567B (zh) * | 2011-09-30 | 2018-05-11 | 琳得科株式会社 | 具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法 |
| KR101449909B1 (ko) | 2011-12-15 | 2014-10-13 | 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 | 캐리어 지지 테이프로부터 접착제 필름의 잘려진 스크랩을 제거하는 방법 |
| JP5950838B2 (ja) * | 2012-03-07 | 2016-07-13 | 古河電気工業株式会社 | 粘着テープ |
| JP5591859B2 (ja) * | 2012-03-23 | 2014-09-17 | 株式会社東芝 | 基板の分離方法及び分離装置 |
| JP6348520B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2018-06-27 | ストラタシス リミテッド | ポリマーベースの型とその製造方法 |
| JP6190671B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-08-30 | 古河電気工業株式会社 | ダイシング用粘着テープおよび半導体装置の製造方法 |
| WO2015059944A1 (ja) * | 2013-10-21 | 2015-04-30 | リンテック株式会社 | 樹脂膜形成用シート |
| JP7280661B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2023-05-24 | 日東電工株式会社 | ダイシングダイボンドフィルム |
| JP7409030B2 (ja) * | 2019-11-15 | 2024-01-09 | 株式会社レゾナック | ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7409029B2 (ja) | 2019-11-15 | 2024-01-09 | 株式会社レゾナック | 半導体装置の製造方法、並びにダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法 |
Family Cites Families (159)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IE55238B1 (en) | 1983-08-03 | 1990-07-04 | Nat Starch Chem Corp | Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers |
| US4961804A (en) | 1983-08-03 | 1990-10-09 | Investment Holding Corporation | Carrier film with conductive adhesive for dicing of semiconductor wafers and dicing method employing same |
| US4664739A (en) | 1983-12-19 | 1987-05-12 | Stauffer Chemical Company | Removal of semiconductor wafers from dicing film |
| CA1222071A (en) | 1984-01-30 | 1987-05-19 | Joseph A. Aurichio | Conductive die attach tape |
| JPH0616524B2 (ja) | 1984-03-12 | 1994-03-02 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ固定用接着薄板 |
| JPS60196955A (ja) | 1984-03-19 | 1985-10-05 | Toko Inc | 誘電体分離基板の製造方法 |
| FR2580416B1 (fr) * | 1985-04-12 | 1987-06-05 | Radiotechnique Compelec | Procede et dispositif pour fabriquer une carte d'identification electronique |
| JPS61263136A (ja) | 1985-05-15 | 1986-11-21 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 薄板物品の支持テ−ブル |
| US4687693A (en) | 1985-06-13 | 1987-08-18 | Stauffer Chemical Company | Adhesively mountable die attach film |
| JPS6279649A (ja) | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体ダイシング方法 |
| JPH01268131A (ja) | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハの保護部材 |
| JP2678655B2 (ja) | 1989-03-20 | 1997-11-17 | 日東電工株式会社 | 半導体チップ固着キャリヤの製造方法及びウエハ固定部材 |
| JPH02265258A (ja) | 1989-04-05 | 1990-10-30 | Fujitsu Ltd | ダイシング装置 |
| JPH0442555A (ja) | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | チップ状部品のピックアップ装置とピックアップ方法 |
| US5098501A (en) * | 1989-12-08 | 1992-03-24 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Pickup method and the pickup apparatus for chip-type part |
| JPH0578629A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 放射線硬化性粘着テープ |
| JPH05179211A (ja) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフイルム |
| EP0571649A1 (en) | 1992-05-26 | 1993-12-01 | Nitto Denko Corporation | Dicing-die bonding film and use thereof in a process for producing chips |
| DE4230784A1 (de) | 1992-09-15 | 1994-03-17 | Beiersdorf Ag | Durch Strahlung partiell entklebendes Selbstklebeband (Dicing Tape) |
| SE470501B (sv) * | 1992-10-07 | 1994-06-06 | Ericsson Telefon Ab L M | Förfarande vid montering på ett substrat av en TAB-krets, varvid TAB-strukturens anslutningar utgörs av ett elektriskt ledande anslutningsmönster som framställts på en filmremsa och vilket är anslutet till TAB-strukturens halvledarkretsbricka |
| JP3348923B2 (ja) | 1993-07-27 | 2002-11-20 | リンテック株式会社 | ウェハ貼着用粘着シート |
| JPH07263382A (ja) | 1994-03-24 | 1995-10-13 | Kawasaki Steel Corp | ウェーハ固定用テープ |
| JP3521099B2 (ja) * | 1994-11-29 | 2004-04-19 | リンテック株式会社 | ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止用粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート |
| JP3186510B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2001-07-11 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振部品及びその製造方法 |
| MY118036A (en) | 1996-01-22 | 2004-08-30 | Lintec Corp | Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device |
| US6007920A (en) | 1996-01-22 | 1999-12-28 | Texas Instruments Japan, Ltd. | Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device |
| TW340860B (en) | 1996-02-28 | 1998-09-21 | Nippon Chemicals Pharmaceutical Co Ltd | Liquid composition |
| TWI235759B (en) * | 1996-07-15 | 2005-07-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Multi-layered adhesive for connecting circuit and circuit board |
| FI964640A (fi) | 1996-11-21 | 1998-07-28 | Nokia Multimedia Network Terminals Oy | Menetelmä osoitetietojen välittämiseksi |
| ES2308329T3 (es) | 1996-12-02 | 2008-12-01 | Gordian Holding Corporation | Procedimiento y aparato para verificar la autenticidad de un objetivo que responde a radiofrecuencia. |
| US6312800B1 (en) * | 1997-02-10 | 2001-11-06 | Lintec Corporation | Pressure sensitive adhesive sheet for producing a chip |
| JPH10335271A (ja) | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Texas Instr Japan Ltd | ウェハ貼着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP3955659B2 (ja) | 1997-06-12 | 2007-08-08 | リンテック株式会社 | 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置 |
| JP3097619B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
| BE1011852A3 (fr) | 1998-03-24 | 2000-02-01 | Solvay | Procede de fabrication d'un oxiranne. |
| US6159827A (en) * | 1998-04-13 | 2000-12-12 | Mitsui Chemicals, Inc. | Preparation process of semiconductor wafer |
| US6140151A (en) | 1998-05-22 | 2000-10-31 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor wafer processing method |
| JP3669196B2 (ja) * | 1998-07-27 | 2005-07-06 | 日東電工株式会社 | 紫外線硬化型粘着シート |
| JP3784202B2 (ja) | 1998-08-26 | 2006-06-07 | リンテック株式会社 | 両面粘着シートおよびその使用方法 |
| JP2000223446A (ja) | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3511929B2 (ja) * | 1999-01-25 | 2004-03-29 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法、圧電共振部品の製造方法、電子部品及び圧電共振部品 |
| US7641966B2 (en) * | 1999-06-14 | 2010-01-05 | Nitto Denko Corporation | Re-release adhesive and re-release adhesive sheet |
| JP4392732B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-01-06 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| JP2001240842A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Nitto Denko Corp | 紫外線硬化型粘着剤組成物とその粘着シ―ト類 |
| US7054161B1 (en) * | 2000-04-19 | 2006-05-30 | James Stephen L | Slotted adhesive for die-attach in BOC and LOC packages |
| EP1156521A3 (en) * | 2000-04-24 | 2007-05-23 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Low cost electroless plating process for single chips and wafer parts and products obtained thereof |
| US6938783B2 (en) * | 2000-07-26 | 2005-09-06 | Amerasia International Technology, Inc. | Carrier tape |
| JP3605009B2 (ja) | 2000-08-03 | 2004-12-22 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4109823B2 (ja) | 2000-10-10 | 2008-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2002158276A (ja) | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Hitachi Chem Co Ltd | ウエハ貼着用粘着シートおよび半導体装置 |
| JP4780828B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2011-09-28 | 三井化学株式会社 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
| JP2002226800A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-14 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、その使用方法及び半導体装置 |
| JP4674836B2 (ja) | 2001-02-13 | 2011-04-20 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート |
| JP2002256235A (ja) | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP4839520B2 (ja) | 2001-03-22 | 2011-12-21 | 日立化成工業株式会社 | 接着シートならびに半導体装置およびその製造方法 |
| JP2002299378A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Lintec Corp | 導電体付接着シート、半導体装置製造方法および半導体装置 |
| JP2002322436A (ja) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Nitto Denko Corp | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
| JP2003007646A (ja) | 2001-06-18 | 2003-01-10 | Nitto Denko Corp | ダイシング用粘着シートおよび切断片の製造方法 |
| JP2003056248A (ja) | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Koito Mfg Co Ltd | 窓昇降装置 |
| JP4869517B2 (ja) * | 2001-08-21 | 2012-02-08 | リンテック株式会社 | 粘接着テープ |
| JP2004043762A (ja) | 2001-08-27 | 2004-02-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート並びに半導体装置及びその製造方法 |
| US20030064579A1 (en) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Masafumi Miyakawa | Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film |
| JP3969994B2 (ja) | 2001-10-16 | 2007-09-05 | 電気化学工業株式会社 | 電子部材用粘着テープ |
| US20030118071A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Eastman Kodak Company | Laser array and method of making same |
| JP2003206468A (ja) * | 2002-01-16 | 2003-07-22 | Asahi Kasei Corp | ウエハー固定用粘着剤ならびに加工方法 |
| JP2004231932A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-08-19 | Nitto Denko Corp | 接着剤組成物、接着フィルムおよびこれを用いた半導体装置 |
| JP2003316031A (ja) | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Mejiro Precision:Kk | 基準部形成装置 |
| US20050224978A1 (en) * | 2002-06-24 | 2005-10-13 | Kohichiro Kawate | Heat curable adhesive composition, article, semiconductor apparatus and method |
| JP2004063953A (ja) | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Ube Ind Ltd | ダイシングテ−プ |
| JP2004095844A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Lintec Corp | ウエハダイシング・接着用シートおよび半導体装置の製造方法 |
| JP4107417B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-06-25 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
| JP4219660B2 (ja) * | 2002-11-18 | 2009-02-04 | 信越化学工業株式会社 | ウエハダイシング・ダイボンドシート |
| JP3966808B2 (ja) | 2002-12-03 | 2007-08-29 | 古河電気工業株式会社 | 粘接着テープ |
| JP4245370B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2009-03-25 | 大日本印刷株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| SG116533A1 (en) * | 2003-03-26 | 2005-11-28 | Toshiba Kk | Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device. |
| WO2004096483A1 (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Nitto Denko Corporation | レーザー加工品の製造方法、およびそれに用いるレーザー加工用粘着シート |
| JP3710457B2 (ja) | 2003-05-22 | 2005-10-26 | 住友ベークライト株式会社 | ダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| JP4283596B2 (ja) * | 2003-05-29 | 2009-06-24 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
| JP2005005355A (ja) | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| US7008987B2 (en) * | 2003-06-10 | 2006-03-07 | Nitto Denko Corporation | Aqueous dispersion type pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive sheet, and pressure-sensitive adhesive rubber foam sheet using the sheet |
| JP4610168B2 (ja) * | 2003-08-06 | 2011-01-12 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 耐熱マスキングテープ |
| WO2005030873A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | ポリウレタン樹脂水性分散体、それを含有してなる水性接着剤、及び水性プライマーコート剤 |
| JP4405246B2 (ja) * | 2003-11-27 | 2010-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 半導体チップの製造方法 |
| JP2005159069A (ja) | 2003-11-27 | 2005-06-16 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ダイシング用粘接着テープ |
| JP4472316B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2010-06-02 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ切断方法及び粘着テープ切断装置 |
| JP4125668B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2008-07-30 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4275522B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2009-06-10 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2005236082A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nitto Denko Corp | レーザーダイシング用粘着シート及びその製造方法 |
| JP4443962B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2010-03-31 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| KR100590198B1 (ko) * | 2004-03-25 | 2006-06-19 | 엘에스전선 주식회사 | 수축성 이형필름을 갖는 다이싱 필름 및 이를 이용한반도체 패키지 제조방법 |
| US20050227064A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-13 | Hwail Jin | Dicing die bonding film |
| US20070003758A1 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-04 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dicing die bonding film |
| JP4716668B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2011-07-06 | 日東電工株式会社 | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
| JP4393934B2 (ja) | 2004-06-23 | 2010-01-06 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着シート |
| US20060252234A1 (en) * | 2004-07-07 | 2006-11-09 | Lintec Corporation | Hardenable pressure sensitive adhesive sheet for dicing/die-bonding and method for manufacturing semiconductor device |
| JP4776189B2 (ja) | 2004-08-03 | 2011-09-21 | 古河電気工業株式会社 | ウエハ加工用テープ |
| USD549189S1 (en) * | 2004-09-21 | 2007-08-21 | Nitto Denko Corporation | Dicing die-bonding film |
| JP4704828B2 (ja) | 2004-09-29 | 2011-06-22 | 積水化学工業株式会社 | ウエハ貼着用粘着シート及びダイ接着用接着剤層付きｉｃチップの製造方法 |
| JP4642436B2 (ja) * | 2004-11-12 | 2011-03-02 | リンテック株式会社 | マーキング方法および保護膜形成兼ダイシング用シート |
| KR20070089917A (ko) * | 2004-11-25 | 2007-09-04 | 데이진 듀폰 필름 가부시키가이샤 | 접착 용이성 폴리에스테르 필름 및 그것을 사용한 태양전지 이면 보호막 |
| JP4704017B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2011-06-15 | 日東電工株式会社 | 被着物の加熱剥離方法及び被着物加熱剥離装置 |
| JP4699031B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-06-08 | 日東電工株式会社 | 粘着製品および粘着製品用基材 |
| JP4804007B2 (ja) * | 2005-01-13 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | 粘着製品 |
| JP4873863B2 (ja) * | 2005-01-14 | 2012-02-08 | 日東電工株式会社 | レーザー加工品の製造方法及びレーザー加工用粘着シート |
| JP4878869B2 (ja) * | 2005-04-08 | 2012-02-15 | 日東電工株式会社 | 発泡部材、発泡部材積層体及び発泡部材が用いられた電気・電子機器類 |
| JP4800778B2 (ja) * | 2005-05-16 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | ダイシング用粘着シート及びそれを用いた被加工物の加工方法 |
| JP4800694B2 (ja) | 2005-07-26 | 2011-10-26 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP5046366B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2012-10-10 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物及び該接着剤からなる接着層を備えたシート |
| JP2007150065A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ダイシング・ダイボンド用接着テープ |
| TWI393587B (zh) * | 2006-02-27 | 2013-04-21 | Toray Industries | 使用粉碎介質的粉末粒子之製法 |
| JP4789663B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2011-10-12 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性組成物及び該組成物から得られる層を備えたフィルム |
| JP4238879B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2009-03-18 | エプソンイメージングデバイス株式会社 | 照明装置及び液晶表示装置 |
| JP2007314636A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Nitto Denko Corp | 粘着シート |
| WO2008004410A1 (fr) * | 2006-06-12 | 2008-01-10 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Distributeur d'étiquettes radio et bande d'étiquettes en rouleau |
| JP4781185B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-09-28 | 日東電工株式会社 | 耐熱ダイシングテープ又はシート |
| JP4849993B2 (ja) * | 2006-08-14 | 2012-01-11 | 日東電工株式会社 | 粘着シート、その製造方法および積層セラミックシートの切断方法 |
| JP2008060151A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ裏面加工方法、基板裏面加工方法、及び放射線硬化型粘着シート |
| WO2008032367A1 (fr) * | 2006-09-12 | 2008-03-20 | Nitto Denko Corporation | Feuille de decoupage en puces/fixation de puces |
| JP4620028B2 (ja) * | 2006-10-19 | 2011-01-26 | 日東電工株式会社 | 基板加工用粘着シート |
| JP4879702B2 (ja) * | 2006-10-20 | 2012-02-22 | リンテック株式会社 | ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法 |
| KR100773634B1 (ko) * | 2006-10-26 | 2007-11-05 | 제일모직주식회사 | 아크릴 바인더 수지조성물를 포함하는 광경화형 점착조성물및 이를 이용한 점착테이프 |
| JP5283838B2 (ja) * | 2006-11-04 | 2013-09-04 | 日東電工株式会社 | 熱剥離性粘着シート及び被着体回収方法 |
| JP2008117945A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-05-22 | Nitto Denko Corp | ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート |
| JP4822532B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2011-11-24 | 日東電工株式会社 | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| US7691225B2 (en) * | 2007-01-15 | 2010-04-06 | Nitto Denko Corporation | Thermal-release double-coated pressure-sensitive adhesive tape or sheet and method of processing adherend |
| JP5272349B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2013-08-28 | 東レ株式会社 | 電子放出源用ペースト及び電子放出素子 |
| US8080604B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-12-20 | Lintec Corporation | Adhesive containing ladder-type polysilsesquioxane and adhesive sheet |
| JP5067927B2 (ja) * | 2007-03-27 | 2012-11-07 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用接着フィルム |
| JP5196838B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-05-15 | リンテック株式会社 | 接着剤付きチップの製造方法 |
| JP5000370B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-08-15 | 日東電工株式会社 | ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート |
| JP2008297412A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Nitto Denko Corp | 熱剥離型粘着シート |
| JP5165282B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2013-03-21 | 日東電工株式会社 | 鑑識用粘着シートおよびその製造方法 |
| KR101359748B1 (ko) * | 2007-10-16 | 2014-02-06 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 점착제, 점착 시트, 다층 점착 시트 및 전자 부품의 제조 방법 |
| JP5087372B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2012-12-05 | 日東電工株式会社 | 樹脂積層体、粘着シート、該粘着シートを用いた被着体の加工方法、及びその剥離装置 |
| JP5307384B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2013-10-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP2009297734A (ja) * | 2008-06-11 | 2009-12-24 | Nitto Denko Corp | レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法 |
| JP2010053192A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Nitto Denko Corp | 粘着テープ又はシート |
| JP5537789B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2014-07-02 | 日東電工株式会社 | レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法 |
| JP5362371B2 (ja) * | 2009-01-21 | 2013-12-11 | 日東電工株式会社 | フレキシブル印刷回路基板固定用両面粘着シート |
| JP4848434B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2011-12-28 | 日東電工株式会社 | 熱伝導性粘着剤組成物および熱伝導性粘着シート |
| JP5243990B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-07-24 | 日東電工株式会社 | 両面粘着シート |
| JP5491049B2 (ja) * | 2009-03-11 | 2014-05-14 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ保護用基材レス粘着シート、その粘着シートを用いた半導体ウエハ裏面研削方法及びその粘着シートの製造方法 |
| JP5235001B2 (ja) * | 2009-07-16 | 2013-07-10 | 日東電工株式会社 | 粘着シート |
| US8183765B2 (en) * | 2009-08-24 | 2012-05-22 | Global Oled Technology Llc | Controlling an electronic device using chiplets |
| JP5174092B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-04-03 | 日東電工株式会社 | ダイシングシート付き接着フィルム及びその製造方法 |
| JP5230018B2 (ja) * | 2009-09-09 | 2013-07-10 | 日東電工株式会社 | 両面接着性粘着シート |
| JP2011077235A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nitto Denko Corp | 素子保持用粘着シートおよび素子の製造方法 |
| JP5632695B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-11-26 | 日東電工株式会社 | ダイシングフィルム付き接着フィルム、及び、該ダイシングフィルム付き接着フィルムを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP5137937B2 (ja) * | 2009-12-16 | 2013-02-06 | 日東電工株式会社 | 半導体装置製造用耐熱性粘着シート、該シートに用いる粘着剤、及び該シートを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP5144634B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2013-02-13 | 日東電工株式会社 | 基板レス半導体パッケージ製造用耐熱性粘着シート、及びその粘着シートを用いる基板レス半導体パッケージ製造方法 |
| JP2011151362A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Nitto Denko Corp | ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム |
| JP4988815B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2012-08-01 | 日東電工株式会社 | チップ保持用テープ、チップ状ワークの保持方法、チップ保持用テープを用いた半導体装置の製造方法、及び、チップ保持用テープの製造方法 |
| JP5541939B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-07-09 | 日東電工株式会社 | アクリル系粘着剤樹脂組成物およびそれを用いた粘着シート又は粘着テープ |
| JP2011174042A (ja) * | 2010-02-01 | 2011-09-08 | Nitto Denko Corp | 半導体装置製造用フィルム及び半導体装置の製造方法 |
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| JP2011187571A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2011204806A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-13 | Nitto Denko Corp | ウエハの加工方法 |
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